JP2001296364A - シンチレータ間反射体の自己アラインメント式ｘ線損傷シールド及びその製造方法 - Google Patents
シンチレータ間反射体の自己アラインメント式ｘ線損傷シールド及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線損傷シールドを含むシンチレータ・パッ
クを提供する。 【解決手段】 シンチレータ・パック（１）は、複数の
シンチレータ・ピクセル（３ａ，３ｂ，３ｃ）のアレイ
（３）を有する。シンチレータ間領域（４ａ，４ｂ，４
ｃ）内の少なくともシンチレータ・ピクセル相互の間に
は、ピクセルからのシンチレーション光を反射させるシ
ンチレーション光反射層（５）が含まれている。Ｘ線吸
収層（２）は、このシンチレーション光反射層の各部分
をＸ線から保護するためのＸ線損傷シールドの役割を果
たす。このＸ線吸収層（２）は、シンチレータ間領域
（４ａ，４ｂ，４ｃ）を覆う領域において選択的かつ自
己アラインメント方式により形成する。
クを提供する。 【解決手段】 シンチレータ・パック（１）は、複数の
シンチレータ・ピクセル（３ａ，３ｂ，３ｃ）のアレイ
（３）を有する。シンチレータ間領域（４ａ，４ｂ，４
ｃ）内の少なくともシンチレータ・ピクセル相互の間に
は、ピクセルからのシンチレーション光を反射させるシ
ンチレーション光反射層（５）が含まれている。Ｘ線吸
収層（２）は、このシンチレーション光反射層の各部分
をＸ線から保護するためのＸ線損傷シールドの役割を果
たす。このＸ線吸収層（２）は、シンチレータ間領域
（４ａ，４ｂ，４ｃ）を覆う領域において選択的かつ自
己アラインメント方式により形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全般的には、Ｘ線
損傷シールド及びＸ線損傷シールドの製造方法に関す
る。本発明は、さらに詳細には、シンチレータ間反射体
を保護するための自己アラインメント式Ｘ線損傷シール
ド及びこうしたシールドの製造方法に関するものであ
る。
損傷シールド及びＸ線損傷シールドの製造方法に関す
る。本発明は、さらに詳細には、シンチレータ間反射体
を保護するための自己アラインメント式Ｘ線損傷シール
ド及びこうしたシールドの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【発明の背景】コンピュータ断層撮影（ＣＴ）イメージ
ング用の半導体検出器では、シンチレータを用いてＸ線
をシンチレーション光に変換し、このシンチレーション
光自体はフォトダイオードによって電気信号に変換され
る。検出器アレイは典型的には、シンチレーション光を
ダイオードに渡すために使用される反射材料で分離され
た複数のシンチレータ・ピクセルで構成されている。こ
うした検出器で必要となるシンチレータの厚さ及びピク
セル幅は、そのシンチレーション光が、ダイオードに向
けて取り出されるまでに反射材料で平均して数回にわた
って反射させるようなアスペクト比（ピクセルの高さの
幅に対する比）となる。この理由により、反射体として
有用な材料は、シンチレータが放出するシンチレーショ
ン光の波長における反射が旺盛な材料に限定されること
になる。
ング用の半導体検出器では、シンチレータを用いてＸ線
をシンチレーション光に変換し、このシンチレーション
光自体はフォトダイオードによって電気信号に変換され
る。検出器アレイは典型的には、シンチレーション光を
ダイオードに渡すために使用される反射材料で分離され
た複数のシンチレータ・ピクセルで構成されている。こ
うした検出器で必要となるシンチレータの厚さ及びピク
セル幅は、そのシンチレーション光が、ダイオードに向
けて取り出されるまでに反射材料で平均して数回にわた
って反射させるようなアスペクト比（ピクセルの高さの
幅に対する比）となる。この理由により、反射体として
有用な材料は、シンチレータが放出するシンチレーショ
ン光の波長における反射が旺盛な材料に限定されること
になる。
【０００３】適当な反射体材料としては、エポキシなど
の注型可能(castable)な低屈折率媒質内に形成されたＴ
ｉＯ2 などの高屈折率固体材料などがある。こうしたシ
ステムの欠点の１つは、ＣＴイメージングで通常使用さ
れるようなＸ線の線量を受けた場合に生じる、エポキシ
・マトリックスの黒ずみ(darkening) である。検出器の
寿命全体にわたる典型的な線量は、１Ｍｒａｄ（メガラ
ド）である。この黒ずみの結果、反射率が低下し、かつ
シンチレーション光の収集効率が低下して、これにより
Ｘ線検出器の感度が低下することになる。
の注型可能(castable)な低屈折率媒質内に形成されたＴ
ｉＯ2 などの高屈折率固体材料などがある。こうしたシ
ステムの欠点の１つは、ＣＴイメージングで通常使用さ
れるようなＸ線の線量を受けた場合に生じる、エポキシ
・マトリックスの黒ずみ(darkening) である。検出器の
寿命全体にわたる典型的な線量は、１Ｍｒａｄ（メガラ
ド）である。この黒ずみの結果、反射率が低下し、かつ
シンチレーション光の収集効率が低下して、これにより
Ｘ線検出器の感度が低下することになる。
【０００４】さらに、こうした黒ずみは検出器の入射面
の全体で不均一に生じることが多い。このように黒ずみ
が均一でないため、検出器が適正に較正されていないと
画像の劣化を起こす可能性がある。反射体材料自体の外
に、反射体の下にあるダイオードもまた放射線の影響を
受けるため、ダイオードもＸ線ビームから保護する必要
がある。
の全体で不均一に生じることが多い。このように黒ずみ
が均一でないため、検出器が適正に較正されていないと
画像の劣化を起こす可能性がある。反射体材料自体の外
に、反射体の下にあるダイオードもまた放射線の影響を
受けるため、ダイオードもＸ線ビームから保護する必要
がある。
【０００５】現行のＣＴ検出器では、コリメータ・アセ
ンブリを用いて反射体のエポキシ材料をＸ線による損傷
から保護している。このアセンブリは、Ｘ線ファンビー
ム面と直角のアラインメントとした縦長のタングステン
製プレートより構成される。このアセンブリは、シンチ
レータに到達する散乱Ｘ線を最小にするために主として
使用されるが、ピクセルの間にある反射体材料をＸ線か
ら保護するためにも使用される。マルチスライス型ＣＴ
では、その検出器はファンビームと平行な方向にセグメ
ント分けされているため、その反射体及びダイオードは
ワイヤを用いて保護している。これらのワイヤは、深部
プレートに機械加工された溝内でこの深部プレートの間
に張られている。
ンブリを用いて反射体のエポキシ材料をＸ線による損傷
から保護している。このアセンブリは、Ｘ線ファンビー
ム面と直角のアラインメントとした縦長のタングステン
製プレートより構成される。このアセンブリは、シンチ
レータに到達する散乱Ｘ線を最小にするために主として
使用されるが、ピクセルの間にある反射体材料をＸ線か
ら保護するためにも使用される。マルチスライス型ＣＴ
では、その検出器はファンビームと平行な方向にセグメ
ント分けされているため、その反射体及びダイオードは
ワイヤを用いて保護している。これらのワイヤは、深部
プレートに機械加工された溝内でこの深部プレートの間
に張られている。
【０００６】プレートやワイヤを備えているこうした２
次元コリメータの製造は複雑である。保護用ワイヤ及び
シンチレータ／反射体の本体を備えるコリメータは別に
製作しているため、検出器を完成させる製作の間でこれ
らのデバイスに対する正確なアラインメントが必要とな
る。シンチレータ・ピクセル相互の間にある反射体材料
（「シンチレータ間反射体(inter-scintillator reflec
tor)」）はそのピクセルの最上面を覆っている反射体材
料（「表面反射体(surface reflector) 」）のために不
明瞭となっているため、こうしたアラインメントは光学
的には実施不可能である。したがって、Ｘ線によるアラ
インメント、または寸法公差の厳格化のいずれかを用い
て、反射体材料が確実に保護用ワイヤとアラインメント
されるようにする必要がある。
次元コリメータの製造は複雑である。保護用ワイヤ及び
シンチレータ／反射体の本体を備えるコリメータは別に
製作しているため、検出器を完成させる製作の間でこれ
らのデバイスに対する正確なアラインメントが必要とな
る。シンチレータ・ピクセル相互の間にある反射体材料
（「シンチレータ間反射体(inter-scintillator reflec
tor)」）はそのピクセルの最上面を覆っている反射体材
料（「表面反射体(surface reflector) 」）のために不
明瞭となっているため、こうしたアラインメントは光学
的には実施不可能である。したがって、Ｘ線によるアラ
インメント、または寸法公差の厳格化のいずれかを用い
て、反射体材料が確実に保護用ワイヤとアラインメント
されるようにする必要がある。
【０００７】
【発明の概要】以上のことに鑑みて、複数のシンチレー
タ・ピクセルのアレイ、シンチレータ間反射体、並びに
上述の問題を回避または軽減させるためのＸ線吸収層を
含むシンチレータ・パックを提供することが望ましい。
タ・ピクセルのアレイ、シンチレータ間反射体、並びに
上述の問題を回避または軽減させるためのＸ線吸収層を
含むシンチレータ・パックを提供することが望ましい。
【０００８】本発明の一態様では、シンチレータ・パッ
クが提供される。このシンチレータ・パックは、複数の
シンチレータ・ピクセルのアレイと、シンチレータ・ピ
クセル相互の間のシンチレータ間領域内に形成されてお
り、シンチレータ・ピクセルからのシンチレーション光
を反射させるためのシンチレーション光反射層と、シン
チレータ間領域の上の第１の領域内に選択的に形成され
ている高密度Ｘ線吸収材料を含んだＸ線吸収層と、を含
んでいる。この高密度材料は自己アラインメント方式で
形成することが好ましい。シンチレーション光反射層は
シンチレータ・ピクセルの上面を覆うことがある。
クが提供される。このシンチレータ・パックは、複数の
シンチレータ・ピクセルのアレイと、シンチレータ・ピ
クセル相互の間のシンチレータ間領域内に形成されてお
り、シンチレータ・ピクセルからのシンチレーション光
を反射させるためのシンチレーション光反射層と、シン
チレータ間領域の上の第１の領域内に選択的に形成され
ている高密度Ｘ線吸収材料を含んだＸ線吸収層と、を含
んでいる。この高密度材料は自己アラインメント方式で
形成することが好ましい。シンチレーション光反射層は
シンチレータ・ピクセルの上面を覆うことがある。
【０００９】本発明の別の態様では、シンチレータを形
成する方法が提供される。本発明のこの態様において、
本方法は、複数のシンチレータ・ピクセルからなるアレ
イの各シンチレータ・ピクセル相互の間にあるシンチレ
ータ間領域内にシンチレーション光反射層を形成する工
程、並びに、このシンチレータ間領域の上にＸ線吸収層
を選択的に形成する工程、を含んでいる。
成する方法が提供される。本発明のこの態様において、
本方法は、複数のシンチレータ・ピクセルからなるアレ
イの各シンチレータ・ピクセル相互の間にあるシンチレ
ータ間領域内にシンチレーション光反射層を形成する工
程、並びに、このシンチレータ間領域の上にＸ線吸収層
を選択的に形成する工程、を含んでいる。
【００１０】本発明のこの態様において、本方法はさら
に、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ及びシンチ
レータ間領域の上にＸ線吸収性の前駆層を形成する工
程、このＸ線吸収性前駆層を放射に対して選択的に露光
させ、これによりシンチレータ間領域を覆いかつこの領
域に自己アラインメントしている第１の前駆領域と、こ
の第１の前駆領域相互の間にある第２の前駆領域とを形
成する工程、並びに、第２の前駆領域を除去する工程
を、含んでいる。
に、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ及びシンチ
レータ間領域の上にＸ線吸収性の前駆層を形成する工
程、このＸ線吸収性前駆層を放射に対して選択的に露光
させ、これによりシンチレータ間領域を覆いかつこの領
域に自己アラインメントしている第１の前駆領域と、こ
の第１の前駆領域相互の間にある第２の前駆領域とを形
成する工程、並びに、第２の前駆領域を除去する工程
を、含んでいる。
【００１１】本発明のこの態様において、本方法は別法
としてさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ
及びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層を形成
する工程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的
に露光させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に
覆っている第１のレジスト領域と、この第１のレジスト
領域相互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工
程、シンチレータ間領域を選択的に覆うように形成され
ている第１のレジスト領域を除去しかつ第２のレジスト
領域は残留させる工程、第２のレジスト領域及びシンチ
レータ間領域の上にＸ線吸収材料を形成する工程、第２
のレジスト領域を除去してシンチレータ間領域の上にＸ
線吸収層を選択的に形成する工程、を含んでいる。
としてさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ
及びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層を形成
する工程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的
に露光させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に
覆っている第１のレジスト領域と、この第１のレジスト
領域相互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工
程、シンチレータ間領域を選択的に覆うように形成され
ている第１のレジスト領域を除去しかつ第２のレジスト
領域は残留させる工程、第２のレジスト領域及びシンチ
レータ間領域の上にＸ線吸収材料を形成する工程、第２
のレジスト領域を除去してシンチレータ間領域の上にＸ
線吸収層を選択的に形成する工程、を含んでいる。
【００１２】本発明のこの態様において、本方法は別法
としてさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ
及びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層を形成
する工程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的
に露光させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に
覆っている第１のレジスト領域と、この第１のレジスト
領域相互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工
程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的に露光
させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に覆って
いる第１のレジスト領域と、この第１のレジスト領域相
互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工程、シ
ンチレータ間領域を選択的に覆うように形成されている
第１のレジスト領域を除去しかつ第２のレジスト領域は
残留させる工程、めっき、化学蒸着法、スパッタリン
グ、及び蒸着のうちの１つによって、第２のレジスト領
域及びシンチレータ間領域の上にＸ線吸収材料の第１の
層を形成する工程、第２のレジスト領域を除去する工
程、残留する第１のＸ線吸収材料層上にめっき及びはん
だ付けのうちの１つによってＸ線吸収材料からなる第２
のＸ線吸収材料層を任意選択により形成いし、これによ
りシンチレータ間領域の上にＸ線吸収層を選択的に形成
する工程、を含んでいる。
としてさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ
及びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層を形成
する工程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的
に露光させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に
覆っている第１のレジスト領域と、この第１のレジスト
領域相互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工
程、このフォトレジスト層を放射に対して選択的に露光
させ、これによりシンチレータ間領域を選択的に覆って
いる第１のレジスト領域と、この第１のレジスト領域相
互の間にある第２のレジスト領域とを形成する工程、シ
ンチレータ間領域を選択的に覆うように形成されている
第１のレジスト領域を除去しかつ第２のレジスト領域は
残留させる工程、めっき、化学蒸着法、スパッタリン
グ、及び蒸着のうちの１つによって、第２のレジスト領
域及びシンチレータ間領域の上にＸ線吸収材料の第１の
層を形成する工程、第２のレジスト領域を除去する工
程、残留する第１のＸ線吸収材料層上にめっき及びはん
だ付けのうちの１つによってＸ線吸収材料からなる第２
のＸ線吸収材料層を任意選択により形成いし、これによ
りシンチレータ間領域の上にＸ線吸収層を選択的に形成
する工程、を含んでいる。
【００１３】本発明の別の態様では、複数のシンチレー
タ・ピクセルのアレイと、シンチレータ・ピクセル相互
の間のシンチレータ間領域内に形成されていて、シンチ
レータ・ピクセルからのシンチレーション光を反射させ
るためのシンチレーション光反射層と、シンチレータ間
領域の上の第１の領域内に自己アラインメント式に選択
的に形成されているアラインメント層とを備えるシンチ
レータ・パックが提供される。このシンチレータ・パッ
クは、そのアラインメント層を覆いかつこの層にアライ
ンメントさせて形成したＸ線保護シールドを含むことが
ある。
タ・ピクセルのアレイと、シンチレータ・ピクセル相互
の間のシンチレータ間領域内に形成されていて、シンチ
レータ・ピクセルからのシンチレーション光を反射させ
るためのシンチレーション光反射層と、シンチレータ間
領域の上の第１の領域内に自己アラインメント式に選択
的に形成されているアラインメント層とを備えるシンチ
レータ・パックが提供される。このシンチレータ・パッ
クは、そのアラインメント層を覆いかつこの層にアライ
ンメントさせて形成したＸ線保護シールドを含むことが
ある。
【００１４】本発明の別の態様では、複数のシンチレー
タ・ピクセルからなるアレイの各シンチレータ・ピクセ
ル相互の間にあるシンチレータ間領域内にシンチレーシ
ョン光反射層を形成する工程、並びに、このシンチレー
タ間領域の上にアラインメント層を選択的に形成する工
程、を含んだシンチレータ・パックを形成する方法が提
供される。本発明のこの態様において、本方法はさら
に、そのアラインメント層を覆いかつこの層にアライン
メントさせたＸ線シールドを形成する工程を含むことが
ある。本発明のこの態様では、その選択的に形成する工
程はさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ及
びシンチレータ間領域の上に放射線硬化可能層を形成す
る工程、この放射線硬化可能層を放射に対して選択的に
露光させこれによりシンチレータ間領域を選択的に覆い
かつこの領域に自己アラインメントされた第１の領域
と、この第１の領域の間にある第２の領域とを形成する
工程、並びに、前記第２の領域を除去する工程、を含む
ことがある。
タ・ピクセルからなるアレイの各シンチレータ・ピクセ
ル相互の間にあるシンチレータ間領域内にシンチレーシ
ョン光反射層を形成する工程、並びに、このシンチレー
タ間領域の上にアラインメント層を選択的に形成する工
程、を含んだシンチレータ・パックを形成する方法が提
供される。本発明のこの態様において、本方法はさら
に、そのアラインメント層を覆いかつこの層にアライン
メントさせたＸ線シールドを形成する工程を含むことが
ある。本発明のこの態様では、その選択的に形成する工
程はさらに、複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ及
びシンチレータ間領域の上に放射線硬化可能層を形成す
る工程、この放射線硬化可能層を放射に対して選択的に
露光させこれによりシンチレータ間領域を選択的に覆い
かつこの領域に自己アラインメントされた第１の領域
と、この第１の領域の間にある第２の領域とを形成する
工程、並びに、前記第２の領域を除去する工程、を含む
ことがある。
【００１５】本発明の別の態様では、Ｘ線源と、複数の
シンチレータ・ピクセルのアレイ、シンチレータ・ピク
セル相互の間のシンチレータ間領域内に形成されてい
て、Ｘ線源からシンチレータ・ピクセルのうちの１つの
ピクセル上にＸ線が入射するのに伴いシンチレータ・ピ
クセルからのシンチレーション光を反射させるためのシ
ンチレーション光反射層、及びシンチレータ間領域の上
の第１の領域内に自己アラインメント式に選択的に形成
されている高密度Ｘ線吸収材料を含んだＸ線吸収層を含
むシンチレータ・パックと、シンチレーション放射を検
出するために固体シンチレータ材料に光学結合されてい
るシンチレーション光検出器と、を備えるコンピュータ
断層撮影システムが提供される。
シンチレータ・ピクセルのアレイ、シンチレータ・ピク
セル相互の間のシンチレータ間領域内に形成されてい
て、Ｘ線源からシンチレータ・ピクセルのうちの１つの
ピクセル上にＸ線が入射するのに伴いシンチレータ・ピ
クセルからのシンチレーション光を反射させるためのシ
ンチレーション光反射層、及びシンチレータ間領域の上
の第１の領域内に自己アラインメント式に選択的に形成
されている高密度Ｘ線吸収材料を含んだＸ線吸収層を含
むシンチレータ・パックと、シンチレーション放射を検
出するために固体シンチレータ材料に光学結合されてい
るシンチレーション光検出器と、を備えるコンピュータ
断層撮影システムが提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に従ったＸ線損傷シールドの役目を果たすＸ線吸収層２
を含むシンチレータ・パック１の図である。このシンチ
レータ・パック１は、複数のシンチレータ・ピクセル３
ａ、３ｂ、３ｃ等からなるアレイ３を含んでいる。図１
では、図示を容易にするため、シンチレータ・パックの
一部分のみを表しており、一般にアレイ３は、図に示す
ピクセルよりさらに多くのピクセルを含むことになる。
シンチレータ・パック１はさらに、シンチレーション光
反射層５のシンチレーション光反射材料を充填したシン
チレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等を含んでいる。この
シンチレーション光反射層５はシンチレータ・ピクセル
の最上部を覆って延び、反射層５の表面反射体層６の部
分を形成することがある。
に従ったＸ線損傷シールドの役目を果たすＸ線吸収層２
を含むシンチレータ・パック１の図である。このシンチ
レータ・パック１は、複数のシンチレータ・ピクセル３
ａ、３ｂ、３ｃ等からなるアレイ３を含んでいる。図１
では、図示を容易にするため、シンチレータ・パックの
一部分のみを表しており、一般にアレイ３は、図に示す
ピクセルよりさらに多くのピクセルを含むことになる。
シンチレータ・パック１はさらに、シンチレーション光
反射層５のシンチレーション光反射材料を充填したシン
チレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等を含んでいる。この
シンチレーション光反射層５はシンチレータ・ピクセル
の最上部を覆って延び、反射層５の表面反射体層６の部
分を形成することがある。
【００１７】図１では、アレイ３は２次元アレイであ
る。しかし、アレイは１次元である場合もある。２次元
アレイは、シンチレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等の直
ぐ上にシールド線による格子パターンを有するＸ線吸収
層２を備えた正方形断面または矩形断面のシンチレータ
・ピクセルであることが好ましい。１次元アレイの場合
も、Ｘ線吸収層２のシールド線はシンチレータ間領域の
直ぐ上に位置させる。
る。しかし、アレイは１次元である場合もある。２次元
アレイは、シンチレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等の直
ぐ上にシールド線による格子パターンを有するＸ線吸収
層２を備えた正方形断面または矩形断面のシンチレータ
・ピクセルであることが好ましい。１次元アレイの場合
も、Ｘ線吸収層２のシールド線はシンチレータ間領域の
直ぐ上に位置させる。
【００１８】図１では、Ｘ線吸収層２は、Ｘ線損傷シー
ルドの役目を果たしており、シンチレーション光反射材
料の直ぐ上に形成する。しかし、Ｘ線吸収層２とシンチ
レーション光反射材料の間に１つまたは複数の層を設け
ることが望ましい場合もある。例えば、シンチレーショ
ン光反射材料、Ｘ線吸収層材料及びＸ線吸収層材料を被
着させる方法によっては、シンチレーション光反射層５
とＸ線吸収層２の間に接着層または核生成層（複数層の
場合もある）を設けることが望ましい場合がある。
ルドの役目を果たしており、シンチレーション光反射材
料の直ぐ上に形成する。しかし、Ｘ線吸収層２とシンチ
レーション光反射材料の間に１つまたは複数の層を設け
ることが望ましい場合もある。例えば、シンチレーショ
ン光反射材料、Ｘ線吸収層材料及びＸ線吸収層材料を被
着させる方法によっては、シンチレーション光反射層５
とＸ線吸収層２の間に接着層または核生成層（複数層の
場合もある）を設けることが望ましい場合がある。
【００１９】シンチレータ・ピクセルのシンチレータ材
料は、適当な任意のＸ線シンチレータ材料とすることが
できる。適当なシンチレータ・ホスト材料としては、例
えば、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニ
ウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニ
ウム・スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテ
チウム・アルミニウム・ガーネット、イットリウム・ガ
リウム・ガーネット、酸化イットリウム・ガドリニウ
ム、（Ｙ，Ｇｄ）2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｃ
ｓＩ、オルト珪酸ルテチウムなどがある。
料は、適当な任意のＸ線シンチレータ材料とすることが
できる。適当なシンチレータ・ホスト材料としては、例
えば、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニ
ウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニ
ウム・スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテ
チウム・アルミニウム・ガーネット、イットリウム・ガ
リウム・ガーネット、酸化イットリウム・ガドリニウ
ム、（Ｙ，Ｇｄ）2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｃ
ｓＩ、オルト珪酸ルテチウムなどがある。
【００２０】シンチレーション光反射材料は、そのシン
チレータが放出する光の波長によって異なる。例えば、
可視光のシンチレーション放射の場合には、そのシンチ
レーション光反射材料を、エポキシなど注型可能な低屈
折率媒質内に形成させたＴｉＯ2 などの高屈折率固体と
することが可能である。銀めっきまたは金めっきした感
圧性接着剤及び多重層誘電体スタックをシンチレーショ
ン光反射体として用いることも可能である。
チレータが放出する光の波長によって異なる。例えば、
可視光のシンチレーション放射の場合には、そのシンチ
レーション光反射材料を、エポキシなど注型可能な低屈
折率媒質内に形成させたＴｉＯ2 などの高屈折率固体と
することが可能である。銀めっきまたは金めっきした感
圧性接着剤及び多重層誘電体スタックをシンチレーショ
ン光反射体として用いることも可能である。
【００２１】Ｘ線吸収層材料は、良好なＸ線吸収特性を
もつ高密度材料を含むことが好ましい。好ましい高密度
材料の例としては、ハフニウム、タンタル、タングステ
ン、レニウム、白金、金、鉛、及びこれらの金属の合金
などの高密度金属がある。別の好ましい高密度材料とし
ては、酸化ハフニウムや酸化タングステンなどの高密度
化合物がある。
もつ高密度材料を含むことが好ましい。好ましい高密度
材料の例としては、ハフニウム、タンタル、タングステ
ン、レニウム、白金、金、鉛、及びこれらの金属の合金
などの高密度金属がある。別の好ましい高密度材料とし
ては、酸化ハフニウムや酸化タングステンなどの高密度
化合物がある。
【００２２】Ｘ線吸収層は、高密度Ｘ線吸収材料のみに
より構成されることがある。別法として、そのＸ線吸収
層を、高密度Ｘ線吸収材料及びその他の材料の双方より
構成される複合材料とすることもある。いかなる場合で
も、その複合材料は良好なＸ線吸収特性を有する必要が
ある。例えば、そのＸ線吸収層は、高密度粒子を充填し
たエポキシ・マトリックスを含む複合材料とすることが
ある。この高密度粒子は、ハフニウム、タンタル、タン
グステン、レニウム、白金、金、鉛、これらの金属の合
金などの高密度金属粒子を含むことが好ましい。その他
の適当な材料としては、酸化ハフニウムや酸化タングス
テンなどの高密度化合物がある。Ｘ線吸収層に複合材料
を使用する場合、これらの材料の混合物を使用すること
により、シールド線のＸ線阻止能を最適化すること、並
びに充填されたエポキシの硬化後の厚さを制御すること
ができる。
より構成されることがある。別法として、そのＸ線吸収
層を、高密度Ｘ線吸収材料及びその他の材料の双方より
構成される複合材料とすることもある。いかなる場合で
も、その複合材料は良好なＸ線吸収特性を有する必要が
ある。例えば、そのＸ線吸収層は、高密度粒子を充填し
たエポキシ・マトリックスを含む複合材料とすることが
ある。この高密度粒子は、ハフニウム、タンタル、タン
グステン、レニウム、白金、金、鉛、これらの金属の合
金などの高密度金属粒子を含むことが好ましい。その他
の適当な材料としては、酸化ハフニウムや酸化タングス
テンなどの高密度化合物がある。Ｘ線吸収層に複合材料
を使用する場合、これらの材料の混合物を使用すること
により、シールド線のＸ線阻止能を最適化すること、並
びに充填されたエポキシの硬化後の厚さを制御すること
ができる。
【００２３】Ｘ線吸収層２の厚さは、選択したＸ線吸収
材料、並びにシンチレータ・パック１を動作させるのに
使用するＸ線エネルギーによって異なることになる。一
般に、Ｘ線吸収材料の密度が大きい程、密度がより小さ
い材料の場合と比べてＸ線吸収層の厚さをそれだけ小さ
くすることができる。さらに、Ｘ線のエネルギーがより
大きい程、エネルギーがより低いＸ線と比べてＸ線吸収
層の厚さをより厚くする必要がある。Ｘ線吸収層に関す
る好ましい厚さの範囲は、０．０００１〜０．０８０イ
ンチである。
材料、並びにシンチレータ・パック１を動作させるのに
使用するＸ線エネルギーによって異なることになる。一
般に、Ｘ線吸収材料の密度が大きい程、密度がより小さ
い材料の場合と比べてＸ線吸収層の厚さをそれだけ小さ
くすることができる。さらに、Ｘ線のエネルギーがより
大きい程、エネルギーがより低いＸ線と比べてＸ線吸収
層の厚さをより厚くする必要がある。Ｘ線吸収層に関す
る好ましい厚さの範囲は、０．０００１〜０．０８０イ
ンチである。
【００２４】Ｘ線吸収層のシールド線の幅は、その下に
位置するシンチレータ間領域のシンチレーション光反射
材料をＸ線から保護するのに十分な幅とする必要があ
る。したがって、シールド線の幅は、一般に、下に位置
するシンチレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等の幅と比べ
て同じであるか、またはより広くする必要がある。これ
らの幅は０．００２〜０．０１０インチの範囲であるこ
とが好ましい。
位置するシンチレータ間領域のシンチレーション光反射
材料をＸ線から保護するのに十分な幅とする必要があ
る。したがって、シールド線の幅は、一般に、下に位置
するシンチレータ間領域４ａ、４ｂ、４ｃ等の幅と比べ
て同じであるか、またはより広くする必要がある。これ
らの幅は０．００２〜０．０１０インチの範囲であるこ
とが好ましい。
【００２５】使用の際には、シンチレータ・パックの各
シンチレータ・ピクセルはフォトダイオードなどの光検
出器（図示せず）と光学的に結合させる。各シンチレー
タ・ピクセルは、単に、シンチレータ・ピクセルの底部
をその対応する光検出器に隣接させて配置することによ
って、その対応する光検出器と結合させることがある。
別法として、光ファイバを介してシンチレーション光を
シンチレータ・ピクセルから対応する光検出器に渡すこ
ともある。
シンチレータ・ピクセルはフォトダイオードなどの光検
出器（図示せず）と光学的に結合させる。各シンチレー
タ・ピクセルは、単に、シンチレータ・ピクセルの底部
をその対応する光検出器に隣接させて配置することによ
って、その対応する光検出器と結合させることがある。
別法として、光ファイバを介してシンチレーション光を
シンチレータ・ピクセルから対応する光検出器に渡すこ
ともある。
【００２６】図２Ａ〜２Ｃは、本発明の好ましい実施の
一形態によるシンチレータ・パックの形成方法の工程を
図示したものである。
一形態によるシンチレータ・パックの形成方法の工程を
図示したものである。
【００２７】図２Ａでは、複数のシンチレータ・ピクセ
ル１３ａ、１３ｂ、１３ｃ等からなるアレイ１３が設け
られている。これらのピクセルのシンチレータ領域の間
にはシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄ等がある。図１の場合と同様に図２Ａ〜２Ｃでも、図
示を容易にするため全体のアレイの一部分のみを表して
おり、一般に、そのアレイは図２Ａ〜２Ｃに示したピク
セルと比べてさらに多くのピクセルを含むことになる。
ピクセル１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間にあるシンチレー
タ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等には、シン
チレーション光反射層１５を形成する。
ル１３ａ、１３ｂ、１３ｃ等からなるアレイ１３が設け
られている。これらのピクセルのシンチレータ領域の間
にはシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄ等がある。図１の場合と同様に図２Ａ〜２Ｃでも、図
示を容易にするため全体のアレイの一部分のみを表して
おり、一般に、そのアレイは図２Ａ〜２Ｃに示したピク
セルと比べてさらに多くのピクセルを含むことになる。
ピクセル１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間にあるシンチレー
タ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等には、シン
チレーション光反射層１５を形成する。
【００２８】シンチレーション光反射層１５は、ＴｉＯ
2 粒子などの高屈折率固体を埋め込んだ、エポキシなど
の注型可能な低屈折率媒質であることが好ましく、この
際、ＴｉＯ2 粒子とエポキシとは密接混合させる。シン
チレーション光反射層１５はシンチレータ間領域内だけ
に形成するのではなく、シンチレータ・ピクセルを覆う
表面反射体層部分１６も包含するように形成する。この
表面反射体層部分１６によって、このシンチレータ・パ
ックを使用した際にシンチレーション光の光検出器（図
示せず）に向けた反射が助けられることになるため、シ
ンチレーション光反射層１５によりシンチレーション・
ピクセルを覆うことが好ましい。
2 粒子などの高屈折率固体を埋め込んだ、エポキシなど
の注型可能な低屈折率媒質であることが好ましく、この
際、ＴｉＯ2 粒子とエポキシとは密接混合させる。シン
チレーション光反射層１５はシンチレータ間領域内だけ
に形成するのではなく、シンチレータ・ピクセルを覆う
表面反射体層部分１６も包含するように形成する。この
表面反射体層部分１６によって、このシンチレータ・パ
ックを使用した際にシンチレーション光の光検出器（図
示せず）に向けた反射が助けられることになるため、シ
ンチレーション光反射層１５によりシンチレーション・
ピクセルを覆うことが好ましい。
【００２９】シンチレーション光反射層１５を形成させ
た後、シンチレーション光反射層及びアレイ１３の上に
Ｘ線吸収性前駆層１７を形成する。Ｘ線吸収性前駆層１
７は、最終的に硬化した際に、このシンチレータ・パッ
クを利用したＸ線検出で使用されるＸ線を吸収して、そ
の下に位置する領域をＸ線から保護してくれるような材
料により形成することが好ましい。本発明に関しては、
「硬化した(cured) 」や「硬化可能(curable) 」という
用語は、ある一定の波長の放射に対して露光させたとき
に硬化可能な材料の特性が変化することを意味してい
る。Ｘ線吸収性前駆層１７はさらに、放射線により硬化
可能であり、これにより放射線を使用して選択的にパタ
ーン形成できるような材料とすることが好ましい。
た後、シンチレーション光反射層及びアレイ１３の上に
Ｘ線吸収性前駆層１７を形成する。Ｘ線吸収性前駆層１
７は、最終的に硬化した際に、このシンチレータ・パッ
クを利用したＸ線検出で使用されるＸ線を吸収して、そ
の下に位置する領域をＸ線から保護してくれるような材
料により形成することが好ましい。本発明に関しては、
「硬化した(cured) 」や「硬化可能(curable) 」という
用語は、ある一定の波長の放射に対して露光させたとき
に硬化可能な材料の特性が変化することを意味してい
る。Ｘ線吸収性前駆層１７はさらに、放射線により硬化
可能であり、これにより放射線を使用して選択的にパタ
ーン形成できるような材料とすることが好ましい。
【００３０】例えば、Ｘ線吸収性前駆層１７をＸ線を用
いて硬化させようとする場合、この前駆層はＸ線硬化可
能なエポキシまたは樹脂などの材料を含むことがある。
同様に、Ｘ線吸収性前駆層１７を紫外線（ＵＶ）放射を
用いて硬化させようとする場合、その前駆層はＵＶ硬化
可能なエポキシなどの材料を含むことがある。もちろ
ん、実際には、ＵＶ硬化可能な材料はＸ線硬化可能でも
あることが多く、このため具体的な前駆材料は、Ｘ線硬
化可能でありかつＵＶ硬化可能である場合がある。
いて硬化させようとする場合、この前駆層はＸ線硬化可
能なエポキシまたは樹脂などの材料を含むことがある。
同様に、Ｘ線吸収性前駆層１７を紫外線（ＵＶ）放射を
用いて硬化させようとする場合、その前駆層はＵＶ硬化
可能なエポキシなどの材料を含むことがある。もちろ
ん、実際には、ＵＶ硬化可能な材料はＸ線硬化可能でも
あることが多く、このため具体的な前駆材料は、Ｘ線硬
化可能でありかつＵＶ硬化可能である場合がある。
【００３１】前駆層１７は、硬化可能とするのに加え
て、Ｘ線をよく吸収する高密度材料を含むようにすべき
である。例えば、この高密度材料として、ハフニウム、
タンタル、タングステン、レニウム、白金、金、鉛、及
びこれらの金属の合金などの高密度金属を用いることが
できる。その他の適当な材料としては、酸化ハフニウム
や酸化タングステンなどの高密度化合物がある。これら
の高密度材料は多くの方法により前駆層１７内に導入す
ることができる。例えば、前駆層にエポキシなどの硬化
可能材料を含ませようとする場合、高密度材料（複数の
材料のこともある）の粒子をエポキシと混合させること
がある。この場合には、その高密度材料の粒子は粉末状
とすることがある。より均一に分布させた高密度粒子を
得るためには、アレイ１３及びシンチレーション光反射
層１５の上にエポキシを塗布する前に、高密度粒子をエ
ポキシと混合させることが好ましい。しかし、エポキシ
の塗布後にエポキシ内に粒子を導入することもできる。
て、Ｘ線をよく吸収する高密度材料を含むようにすべき
である。例えば、この高密度材料として、ハフニウム、
タンタル、タングステン、レニウム、白金、金、鉛、及
びこれらの金属の合金などの高密度金属を用いることが
できる。その他の適当な材料としては、酸化ハフニウム
や酸化タングステンなどの高密度化合物がある。これら
の高密度材料は多くの方法により前駆層１７内に導入す
ることができる。例えば、前駆層にエポキシなどの硬化
可能材料を含ませようとする場合、高密度材料（複数の
材料のこともある）の粒子をエポキシと混合させること
がある。この場合には、その高密度材料の粒子は粉末状
とすることがある。より均一に分布させた高密度粒子を
得るためには、アレイ１３及びシンチレーション光反射
層１５の上にエポキシを塗布する前に、高密度粒子をエ
ポキシと混合させることが好ましい。しかし、エポキシ
の塗布後にエポキシ内に粒子を導入することもできる。
【００３２】Ｘ線、ＵＶ放射または青色放射により硬化
を受ける前駆材料の場合、高純度のＹ2Ｏ3やＧｄ2Ｏ3、
あるいは珪酸ルテチウムなどのＣｅドープの酸化物とい
ったＵＶまたは青色発光のシンチレータを硬化可能材料
に添加し、Ｘ線フラックスのある部分をＵＶまたは青色
光に変換させることによって、硬化可能材料をより効率
よく硬化させることができる。このシンチレータからの
ＵＶまたは青色光の局所放出は、充填させた硬化可能材
料に対するＵＶ硬化または青色硬化に向けられる。この
場合では、シンチレータ・パックの製作後もシンチレー
タが充填させたエポキシ内に残留して、使用するＸ線の
減衰に寄与し、これによりシンチレータ間領域内のシン
チレーション光反射層１５が保護される。
を受ける前駆材料の場合、高純度のＹ2Ｏ3やＧｄ2Ｏ3、
あるいは珪酸ルテチウムなどのＣｅドープの酸化物とい
ったＵＶまたは青色発光のシンチレータを硬化可能材料
に添加し、Ｘ線フラックスのある部分をＵＶまたは青色
光に変換させることによって、硬化可能材料をより効率
よく硬化させることができる。このシンチレータからの
ＵＶまたは青色光の局所放出は、充填させた硬化可能材
料に対するＵＶ硬化または青色硬化に向けられる。この
場合では、シンチレータ・パックの製作後もシンチレー
タが充填させたエポキシ内に残留して、使用するＸ線の
減衰に寄与し、これによりシンチレータ間領域内のシン
チレーション光反射層１５が保護される。
【００３３】ＵＶまたは青色発光性の固体シンチレータ
・シートを前駆材料の上部に設けて、シンチレータ間領
域内の前駆体の硬化を促進させることができる。このシ
ンチレータ・シート上に入射するＸ線によって、このシ
ートはシンチレーション光を放出し、さらにこのシンチ
レーション光は前駆材料上に入射して硬化が促進され
る。
・シートを前駆材料の上部に設けて、シンチレータ間領
域内の前駆体の硬化を促進させることができる。このシ
ンチレータ・シート上に入射するＸ線によって、このシ
ートはシンチレーション光を放出し、さらにこのシンチ
レーション光は前駆材料上に入射して硬化が促進され
る。
【００３４】図２Ｂは、Ｘ線放射に対するＸ線吸収性前
駆層１７の選択的露光を表した図である。図２Ｂでは、
硬化用Ｘ線はＸ線吸収性前駆層１７の反対側からシンチ
レータ・パックに導く。シンチレータ・ピクセル１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ等は、この露光工程の間にそれぞれ
の位置においてＸ線がシンチレータ・パックを通過する
のを防ぐ傾向があり、このため、Ｘ線吸収性前駆層が露
光用Ｘ線から遮蔽される。しかし、シンチレーション光
反射層１５はＸ線を前駆層１７まで通過させる傾向があ
る。このため、Ｘ線吸収性前駆層１７は、シンチレーシ
ョン光反射層１５を充填したシンチレータ間領域の上部
に位置する第１の前駆領域１９内においてＸ線を選択的
に吸収することになる。この第１の前駆領域相互の間に
位置する第２の前駆領域１８は、Ｘ線に対して露光され
ないか、あるいは少なくとも硬化をさせる程の十分な露
光は受けない。したがって、第１の前駆領域１９は、シ
ンチレーション光反射層１５を充填したシンチレータ間
領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等と自己アライン
メントするように形成される。
駆層１７の選択的露光を表した図である。図２Ｂでは、
硬化用Ｘ線はＸ線吸収性前駆層１７の反対側からシンチ
レータ・パックに導く。シンチレータ・ピクセル１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ等は、この露光工程の間にそれぞれ
の位置においてＸ線がシンチレータ・パックを通過する
のを防ぐ傾向があり、このため、Ｘ線吸収性前駆層が露
光用Ｘ線から遮蔽される。しかし、シンチレーション光
反射層１５はＸ線を前駆層１７まで通過させる傾向があ
る。このため、Ｘ線吸収性前駆層１７は、シンチレーシ
ョン光反射層１５を充填したシンチレータ間領域の上部
に位置する第１の前駆領域１９内においてＸ線を選択的
に吸収することになる。この第１の前駆領域相互の間に
位置する第２の前駆領域１８は、Ｘ線に対して露光され
ないか、あるいは少なくとも硬化をさせる程の十分な露
光は受けない。したがって、第１の前駆領域１９は、シ
ンチレーション光反射層１５を充填したシンチレータ間
領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等と自己アライン
メントするように形成される。
【００３５】図２Ｂは、Ｘ線放射に対するＸ線吸収性前
駆層１７の選択的露光を表した図である。別法として、
そのピクセル材料がＵＶ吸収性であり、かつその層１５
がＵＶに対して透明である（ＵＶを透過させる）場合に
は、ＵＶ放射を用いることもできる。Ｘ線吸収性前駆層
１７に対する露光放射はシンチレータ間領域に沿った方
向に十分にコリメートさせて、十分な量の放射線がシン
チレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等を通
過して伝搬し、Ｘ線吸収性前駆層１７が露光されるよう
にすることが好ましい。
駆層１７の選択的露光を表した図である。別法として、
そのピクセル材料がＵＶ吸収性であり、かつその層１５
がＵＶに対して透明である（ＵＶを透過させる）場合に
は、ＵＶ放射を用いることもできる。Ｘ線吸収性前駆層
１７に対する露光放射はシンチレータ間領域に沿った方
向に十分にコリメートさせて、十分な量の放射線がシン
チレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等を通
過して伝搬し、Ｘ線吸収性前駆層１７が露光されるよう
にすることが好ましい。
【００３６】図２Ｂは、シンチレータ間領域に対して自
己アラインメントさせる方式によりＸ線吸収性前駆層１
７を露光する好ましい方法を図示したものであるが、こ
の露光の工程は自己アラインメント以外による場合もあ
る。例えば、Ｘ線吸収性前駆層１７はフォトマスクを通
過させて上部から露光を受けることがある。フォトマス
クには、そのＸ線吸収層に対する所望のパターンを含ま
せる。この場合には、フォトマスクはＸ線吸収層の近傍
に位置させる。露光用放射はフォトマスクの透明領域を
通過して導かれＸ線吸収性前駆層１７上に入射する。フ
ォトマスクをシンチレータ間領域とアラインメントさせ
る必要があるため、この方法はあまり好ましくない。
己アラインメントさせる方式によりＸ線吸収性前駆層１
７を露光する好ましい方法を図示したものであるが、こ
の露光の工程は自己アラインメント以外による場合もあ
る。例えば、Ｘ線吸収性前駆層１７はフォトマスクを通
過させて上部から露光を受けることがある。フォトマス
クには、そのＸ線吸収層に対する所望のパターンを含ま
せる。この場合には、フォトマスクはＸ線吸収層の近傍
に位置させる。露光用放射はフォトマスクの透明領域を
通過して導かれＸ線吸収性前駆層１７上に入射する。フ
ォトマスクをシンチレータ間領域とアラインメントさせ
る必要があるため、この方法はあまり好ましくない。
【００３７】図２Ｃは、この実施形態による方法のうち
Ｘ線吸収性前駆層１７を硬化用放射に対して露光し終え
たのちの工程を図示したものである。第１の前駆領域１
９だけをＸ線吸収層２として残しつつ、第２の前駆領域
１８を除去させる。第２の前駆領域１８は、例えば、硬
化していない第２の前駆領域は溶解させ、放射線で硬化
した第１の前駆領域は溶解させないような溶液により前
駆層１７を洗浄することにより除去することができる。
例えば、エポキシ・ベースの複合材を前駆材として使用
する場合には、アセトンを用いて硬化していないエポキ
シを溶解させることができる。
Ｘ線吸収性前駆層１７を硬化用放射に対して露光し終え
たのちの工程を図示したものである。第１の前駆領域１
９だけをＸ線吸収層２として残しつつ、第２の前駆領域
１８を除去させる。第２の前駆領域１８は、例えば、硬
化していない第２の前駆領域は溶解させ、放射線で硬化
した第１の前駆領域は溶解させないような溶液により前
駆層１７を洗浄することにより除去することができる。
例えば、エポキシ・ベースの複合材を前駆材として使用
する場合には、アセトンを用いて硬化していないエポキ
シを溶解させることができる。
【００３８】図３Ａ〜３Ｄは、本発明の別の好ましい実
施形態によるＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パ
ックの形成方法における工程を図示したものである。こ
の実施形態において複数のシンチレータ・ピクセル１３
ａ、１３ｂ、１３ｃのアレイ１３及びシンチレーション
光反射層１５を形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形
態による方法における工程と同じである。シンチレーシ
ョン光反射層１５を形成させた後、アレイ１３及び光反
射層材料を充填したシンチレータ間領域１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄ等の上にＸ線感受性のフォトレジス
ト層２７を形成する。フォトレジスト層２７は、参照に
より本明細書に統合する、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ
ＶＬＳＩＥｒａ， Ｖｏｌｕｍｅ １： Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅ
ｓｓ，１９８６）の第１２〜１４章に開示されている方
法などの周知の方法により形成することができる。
施形態によるＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パ
ックの形成方法における工程を図示したものである。こ
の実施形態において複数のシンチレータ・ピクセル１３
ａ、１３ｂ、１３ｃのアレイ１３及びシンチレーション
光反射層１５を形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形
態による方法における工程と同じである。シンチレーシ
ョン光反射層１５を形成させた後、アレイ１３及び光反
射層材料を充填したシンチレータ間領域１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄ等の上にＸ線感受性のフォトレジス
ト層２７を形成する。フォトレジスト層２７は、参照に
より本明細書に統合する、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ
ＶＬＳＩＥｒａ， Ｖｏｌｕｍｅ １： Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅ
ｓｓ，１９８６）の第１２〜１４章に開示されている方
法などの周知の方法により形成することができる。
【００３９】フォトレジスト層２７を形成させた後、第
１のレジスト領域２７ａを形成するようにこのフォトレ
ジスト層２７をＸ線放射に対して選択的に露光させる
が、第２のレジスト領域２７ｂは未露光のままとする
か、あるいは少なくとも図３Ｂに図示するように若干露
光させるのみとする。露光用放射は、フォトレジスト層
２７と反対の側からシンチレータ・パックに導くことが
好ましい。図２Ａ〜２Ｃの実施形態による方法と同様
に、シンチレータ・ピクセルは、第２のレジスト領域２
７ｂを露光用Ｘ線放射から遮蔽しており、一方、シンチ
レーション光反射層１５はＸ線を透過させてレジスト領
域２７ａ上に入射させることができる。したがって、フ
ォトレジスト層２７は、シンチレーション光反射層１５
を充填したシンチレータ間領域１４の上部にある第１の
レジスト領域２７ａ内でＸ線を選択的に吸収することに
なる。このため、第１のレジスト領域２７ａは、シンチ
レーション光反射層１５を充填したシンチレータ間領域
とクロスリンクなしに自己アラインメントすることにな
る。図２Ａ〜２Ｃによる実施形態の場合と同様に、この
フォトレジストに対してＵＶ発光性のシンチレータを添
加しＸ線に対する感受性を高めることができる。
１のレジスト領域２７ａを形成するようにこのフォトレ
ジスト層２７をＸ線放射に対して選択的に露光させる
が、第２のレジスト領域２７ｂは未露光のままとする
か、あるいは少なくとも図３Ｂに図示するように若干露
光させるのみとする。露光用放射は、フォトレジスト層
２７と反対の側からシンチレータ・パックに導くことが
好ましい。図２Ａ〜２Ｃの実施形態による方法と同様
に、シンチレータ・ピクセルは、第２のレジスト領域２
７ｂを露光用Ｘ線放射から遮蔽しており、一方、シンチ
レーション光反射層１５はＸ線を透過させてレジスト領
域２７ａ上に入射させることができる。したがって、フ
ォトレジスト層２７は、シンチレーション光反射層１５
を充填したシンチレータ間領域１４の上部にある第１の
レジスト領域２７ａ内でＸ線を選択的に吸収することに
なる。このため、第１のレジスト領域２７ａは、シンチ
レーション光反射層１５を充填したシンチレータ間領域
とクロスリンクなしに自己アラインメントすることにな
る。図２Ａ〜２Ｃによる実施形態の場合と同様に、この
フォトレジストに対してＵＶ発光性のシンチレータを添
加しＸ線に対する感受性を高めることができる。
【００４０】図２Ａ〜２Ｃによる実施形態の場合と同様
に、Ｘ線放射の代わりにＵＶ光を用いてレジスト層を露
光することもできる。一般に、ＵＶにより硬化させるこ
とができるフォトレジストのほとんどは、Ｘ線により硬
化させることもできる。典型的な方法は、例えば、参照
により本明細書に統合する、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ
ＶＬＳＩ Ｅｒａ，Ｖｏｌｕｍｅ １： Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒ
ｅｓｓ，１９８６）の第１２〜１４章に開示されてい
る。さらに、図２Ａ〜２Ｃによる実施形態の場合と同様
に、フォトレジストは、シンチレータ間領域を透過させ
るのではなく、フォトレジスト層２７の上に位置させた
フォトマスクを透過させて露光することもできる。
に、Ｘ線放射の代わりにＵＶ光を用いてレジスト層を露
光することもできる。一般に、ＵＶにより硬化させるこ
とができるフォトレジストのほとんどは、Ｘ線により硬
化させることもできる。典型的な方法は、例えば、参照
により本明細書に統合する、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ
ＶＬＳＩ Ｅｒａ，Ｖｏｌｕｍｅ １： Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒ
ｅｓｓ，１９８６）の第１２〜１４章に開示されてい
る。さらに、図２Ａ〜２Ｃによる実施形態の場合と同様
に、フォトレジストは、シンチレータ間領域を透過させ
るのではなく、フォトレジスト層２７の上に位置させた
フォトマスクを透過させて露光することもできる。
【００４１】図３Ｃに、この実施形態による工程のう
ち、フォトレジストを放射に対して露光させた後の工程
を図示したものである。クロスリンクのない第１のレジ
スト領域２７ａは、溶解及び洗浄によって除去させる。
放射に対してパターン形成の露光をした後にレジストを
除去するための方法は周知である。
ち、フォトレジストを放射に対して露光させた後の工程
を図示したものである。クロスリンクのない第１のレジ
スト領域２７ａは、溶解及び洗浄によって除去させる。
放射に対してパターン形成の露光をした後にレジストを
除去するための方法は周知である。
【００４２】図３Ｃに示すように、シンチレータ間領域
の上部の領域を露光して第１のレジスト領域２７ａを除
去した後、第２のレジスト領域２７ｂは残留させる。第
１の領域の除去に続いて、第１のレジスト領域の除去に
より残されたギャップ内にＸ線吸収材料２８を形成す
る。材料２８は多くの被着技法により形成することがで
きる。例えば、Ｘ線吸収材料は蒸着やスパッタリングな
どの物理的被着技法、あるいは、無電解めっきや化学蒸
着法など別の技法により形成することができる。第１の
レジスト領域２７ａの除去により残されたギャップは、
シンチレータ間領域に自己アラインメントされると共に
シンチレータ間領域を覆っているため、このギャップ内
に形成されたＸ線吸収材料２８もこのシンチレータ間領
域１４に自己アラインメントされると共にシンチレータ
間領域を覆っている。
の上部の領域を露光して第１のレジスト領域２７ａを除
去した後、第２のレジスト領域２７ｂは残留させる。第
１の領域の除去に続いて、第１のレジスト領域の除去に
より残されたギャップ内にＸ線吸収材料２８を形成す
る。材料２８は多くの被着技法により形成することがで
きる。例えば、Ｘ線吸収材料は蒸着やスパッタリングな
どの物理的被着技法、あるいは、無電解めっきや化学蒸
着法など別の技法により形成することができる。第１の
レジスト領域２７ａの除去により残されたギャップは、
シンチレータ間領域に自己アラインメントされると共に
シンチレータ間領域を覆っているため、このギャップ内
に形成されたＸ線吸収材料２８もこのシンチレータ間領
域１４に自己アラインメントされると共にシンチレータ
間領域を覆っている。
【００４３】図３Ｃ及び３Ｄは併せて、シンチレータ間
領域１４に自己アラインメントされると共にこの領域を
覆うＸ線吸収材料を形成するための２段階めっき技法を
図示したものである。図３Ｃに示す第１段階では、Ｘ線
吸収性金属被覆の薄い核生成層を、めっきなどによって
このギャップ内に形成する。この薄い金属被覆は、ギャ
ップ内に形成する以外に、第２のレジスト領域上にも形
成することができる。薄い核生成層を形成させた後、第
２のレジスト領域２７ｂを除去する。第２のレジスト領
域２７ｂの下に位置する金属被覆も、この取り除き技法
により除去させる。
領域１４に自己アラインメントされると共にこの領域を
覆うＸ線吸収材料を形成するための２段階めっき技法を
図示したものである。図３Ｃに示す第１段階では、Ｘ線
吸収性金属被覆の薄い核生成層を、めっきなどによって
このギャップ内に形成する。この薄い金属被覆は、ギャ
ップ内に形成する以外に、第２のレジスト領域上にも形
成することができる。薄い核生成層を形成させた後、第
２のレジスト領域２７ｂを除去する。第２のレジスト領
域２７ｂの下に位置する金属被覆も、この取り除き技法
により除去させる。
【００４４】図３Ｄでは、Ｘ線シールドの役目を果たす
出来上がったＸ線吸収層２が適当な値となるまでＸ線吸
収性金属被覆の厚さを増加させるために、第１の薄い金
属被覆の上に第２の金属被覆層を形成させている。この
第２の金属被覆層は、例えば、シンチレータ・パックに
対する電気めっき、無電解めっき、または電子機器の流
動はんだ付けで実施されるようにシンチレータ・パック
を溶融しているはんだ内に浸漬させることなどにより形
成することができる。こうしためっきは、核生成層２８
の上に、例えば、タングステン、金、白金、銀、鉛、ま
たはこれらの金属の合金により実施することができる。
出来上がったＸ線吸収層２が適当な値となるまでＸ線吸
収性金属被覆の厚さを増加させるために、第１の薄い金
属被覆の上に第２の金属被覆層を形成させている。この
第２の金属被覆層は、例えば、シンチレータ・パックに
対する電気めっき、無電解めっき、または電子機器の流
動はんだ付けで実施されるようにシンチレータ・パック
を溶融しているはんだ内に浸漬させることなどにより形
成することができる。こうしためっきは、核生成層２８
の上に、例えば、タングステン、金、白金、銀、鉛、ま
たはこれらの金属の合金により実施することができる。
【００４５】別法として、Ｘ線吸収材料の最終の厚さを
レジスト層２７よりさらに厚くする必要がない場合に
は、図３Ｄの第２段階の工程は省略することができ、そ
のＸ線吸収材料をレジスト領域２７ｂの間のギャップ内
に単一の工程で形成することができる。さらに、この２
段階処理法のうちの第１段階は、めっき以外に、蒸着、
スパッタリング、または化学蒸着法により実施すること
もできる。
レジスト層２７よりさらに厚くする必要がない場合に
は、図３Ｄの第２段階の工程は省略することができ、そ
のＸ線吸収材料をレジスト領域２７ｂの間のギャップ内
に単一の工程で形成することができる。さらに、この２
段階処理法のうちの第１段階は、めっき以外に、蒸着、
スパッタリング、または化学蒸着法により実施すること
もできる。
【００４６】別法として、金属被覆は、めっき以外の選
択的被着処理法（例えば、化学蒸着法）により第２のレ
ジスト領域の間のギャップ内に形成することができる。
この場合には、その金属被覆は単一の工程で形成するこ
とができる。
択的被着処理法（例えば、化学蒸着法）により第２のレ
ジスト領域の間のギャップ内に形成することができる。
この場合には、その金属被覆は単一の工程で形成するこ
とができる。
【００４７】図４Ａ〜４Ｄは、本発明の別の好ましい実
施形態によってシンチレータ・パックを形成する方法の
工程を図示したものである。本方法は図３Ａ〜３Ｄの実
施形態と少なくとも２つの方式で異なっている。その１
つは、この実施形態では、そのＸ線吸収材料をフォトレ
ジスト層を形成する前に形成することである。その２つ
目は、この実施形態では、露光用放射をシンチレータ間
領域を透過させて導くのではなく、フォトレジスト層を
好ましくはフォトマスクを用いて露光することである。
施形態によってシンチレータ・パックを形成する方法の
工程を図示したものである。本方法は図３Ａ〜３Ｄの実
施形態と少なくとも２つの方式で異なっている。その１
つは、この実施形態では、そのＸ線吸収材料をフォトレ
ジスト層を形成する前に形成することである。その２つ
目は、この実施形態では、露光用放射をシンチレータ間
領域を透過させて導くのではなく、フォトレジスト層を
好ましくはフォトマスクを用いて露光することである。
【００４８】この実施形態において複数のシンチレータ
・ピクセル１３ａ、１３ｂ、１３ｃのアレイ１３及びシ
ンチレーション光反射層１５を形成する工程は、図２Ａ
〜２Ｃ及び３Ａ〜３Ｄの実施形態に従った形成方法にお
ける工程と同じである。シンチレーション光反射層１５
を形成させた後、アレイ１３及び光反射層１５を充填し
たシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ
等の上にＸ線吸収材料３０を形成する。Ｘ線吸収材料３
０に適当な材料としては、ハフニウム、タンタル、タン
グステン、レニウム、白金、金、鉛、及びこれらの金属
の合金などの高密度金属がある。その他の適当な材料と
しては、酸化ハフニウムや酸化タングステンなどの高密
度化合物がある。次いで、このＸ線吸収材料３０上にフ
ォトレジスト層２７を形成する。
・ピクセル１３ａ、１３ｂ、１３ｃのアレイ１３及びシ
ンチレーション光反射層１５を形成する工程は、図２Ａ
〜２Ｃ及び３Ａ〜３Ｄの実施形態に従った形成方法にお
ける工程と同じである。シンチレーション光反射層１５
を形成させた後、アレイ１３及び光反射層１５を充填し
たシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ
等の上にＸ線吸収材料３０を形成する。Ｘ線吸収材料３
０に適当な材料としては、ハフニウム、タンタル、タン
グステン、レニウム、白金、金、鉛、及びこれらの金属
の合金などの高密度金属がある。その他の適当な材料と
しては、酸化ハフニウムや酸化タングステンなどの高密
度化合物がある。次いで、このＸ線吸収材料３０上にフ
ォトレジスト層２７を形成する。
【００４９】図４Ｂに示すように、フォトレジストを形
成させた後、フォトレジスト層２７をシンチレータ間領
域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等内のシンチレーシ
ョン光反射層１５の領域を遮蔽する最終的なＸ線吸収層
のパターンを有するフォトマスク３２を通して露光させ
ることが好ましい。このフォトマスク３２は、露光用放
射がフォトマスク３２を通過できない不透明領域３２ａ
と、この不透明領域３２ａの間にあり露光用放射が通過
することができる透明領域とを含んでいる。図４Ｂのフ
ォトマスク３２は、続いて未露光のフォトレジスト領域
が除去されるネガティブ・フォトレジストを露光するの
に適当である。しかし、シンチレータ間領域の間の領域
の上にあるフォトレジスト領域を露光するようなポジテ
ィブ・フォトレジスト及びフォトマスクを使用すること
もでき、この露光を受けたフォトレジストは次いで除去
される。
成させた後、フォトレジスト層２７をシンチレータ間領
域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等内のシンチレーシ
ョン光反射層１５の領域を遮蔽する最終的なＸ線吸収層
のパターンを有するフォトマスク３２を通して露光させ
ることが好ましい。このフォトマスク３２は、露光用放
射がフォトマスク３２を通過できない不透明領域３２ａ
と、この不透明領域３２ａの間にあり露光用放射が通過
することができる透明領域とを含んでいる。図４Ｂのフ
ォトマスク３２は、続いて未露光のフォトレジスト領域
が除去されるネガティブ・フォトレジストを露光するの
に適当である。しかし、シンチレータ間領域の間の領域
の上にあるフォトレジスト領域を露光するようなポジテ
ィブ・フォトレジスト及びフォトマスクを使用すること
もでき、この露光を受けたフォトレジストは次いで除去
される。
【００５０】図４Ａ〜４Ｄの実施形態では、Ｘ線吸収材
料３０が典型的には露光用放射を阻止してしまうため、
フォトレジスト層２７をシンチレータ間領域を透過させ
て露光するのではなく、フォトマスク３２を透過させて
露光することが好ましい。Ｘ線吸収材料が露光用放射に
対して透明である場合には、他の実施形態の場合と同様
に、シンチレータ間領域を透過させて露光用放射を導く
ことによりそのフォトレジスト層２７を露光させること
ができる。
料３０が典型的には露光用放射を阻止してしまうため、
フォトレジスト層２７をシンチレータ間領域を透過させ
て露光するのではなく、フォトマスク３２を透過させて
露光することが好ましい。Ｘ線吸収材料が露光用放射に
対して透明である場合には、他の実施形態の場合と同様
に、シンチレータ間領域を透過させて露光用放射を導く
ことによりそのフォトレジスト層２７を露光させること
ができる。
【００５１】露光用放射はフォトマスク３２を透過させ
てフォトレジスト２７に導き、最終的なＸ線吸収層に対
するフォトレジスト層２７のパターンを露光させる。具
体的には、フォトレジスト層２７の第１のレジスト領域
２７ａは最終的なＸ線吸収層２のパターンを有してい
る。第１のレジスト領域２７ａはシンチレーション光反
射層１５を充填したシンチレータ間領域を覆いかつこの
領域にアラインメントされる。フォトレジスト層２７の
うち第１のレジスト領域２７ａ以外の領域が第２のレジ
スト領域２７ｂである。フォトリソグラフィ(photolith
ography)の技術分野でよく知られるような、ポジティブ
・フォトレジストとネガティブ・フォトレジストのいず
れを用いることもできる。ポジティブ・フォトレジスト
を使用する場合には、露光の工程の間に、第２のレジス
ト領域２７ｂは露光を受けるが、第１のレジスト領域２
７ａは露光を受けない。ネガティブ・フォトレジストを
使用する場合には、第１のレジスト領域２７ａは露光を
受けるが、第２のレジスト領域２７ｂは露光を受けな
い。いずれの場合でも、その露光の工程の後に、第２の
レジスト領域２７ｂは除去するが、第１のレジスト領域
２７ａは図４Ｃに示すようにエッチング用マスクとして
残留させる。第２のレジスト領域を除去するための技法
は周知であり、例えば、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｖ
ＬＳＩ Ｅｒａ， Ｖｏｌｕｍｅ １：Ｐｒｏｃｅｓｓ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓ
ｓ，１９８６）の第１２〜１４章に検討されている。
てフォトレジスト２７に導き、最終的なＸ線吸収層に対
するフォトレジスト層２７のパターンを露光させる。具
体的には、フォトレジスト層２７の第１のレジスト領域
２７ａは最終的なＸ線吸収層２のパターンを有してい
る。第１のレジスト領域２７ａはシンチレーション光反
射層１５を充填したシンチレータ間領域を覆いかつこの
領域にアラインメントされる。フォトレジスト層２７の
うち第１のレジスト領域２７ａ以外の領域が第２のレジ
スト領域２７ｂである。フォトリソグラフィ(photolith
ography)の技術分野でよく知られるような、ポジティブ
・フォトレジストとネガティブ・フォトレジストのいず
れを用いることもできる。ポジティブ・フォトレジスト
を使用する場合には、露光の工程の間に、第２のレジス
ト領域２７ｂは露光を受けるが、第１のレジスト領域２
７ａは露光を受けない。ネガティブ・フォトレジストを
使用する場合には、第１のレジスト領域２７ａは露光を
受けるが、第２のレジスト領域２７ｂは露光を受けな
い。いずれの場合でも、その露光の工程の後に、第２の
レジスト領域２７ｂは除去するが、第１のレジスト領域
２７ａは図４Ｃに示すようにエッチング用マスクとして
残留させる。第２のレジスト領域を除去するための技法
は周知であり、例えば、Ｓ．Ｗｏｌｆらによる「Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｖ
ＬＳＩ Ｅｒａ， Ｖｏｌｕｍｅ １：Ｐｒｏｃｅｓｓ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｒｅｓ
ｓ，１９８６）の第１２〜１４章に検討されている。
【００５２】次いで、第１のレジスト領域２７ａをエッ
チング用マスクとして用いてＸ線吸収材料３０をエッチ
ングし、これにより図４Ｄに示すようにＸ線吸収層２を
パターン形成する。エッチングに適当な技法としては、
湿式化学エッチングや、プラズマ・エッチングなどの乾
式化学エッチングがある。これに続き、完成したＸ線吸
収層は残しながら、第１のレジスト領域を除去する。
チング用マスクとして用いてＸ線吸収材料３０をエッチ
ングし、これにより図４Ｄに示すようにＸ線吸収層２を
パターン形成する。エッチングに適当な技法としては、
湿式化学エッチングや、プラズマ・エッチングなどの乾
式化学エッチングがある。これに続き、完成したＸ線吸
収層は残しながら、第１のレジスト領域を除去する。
【００５３】図７Ａ〜７Ｄは、本発明の別の実施形態に
従ったＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パックの
形成方法の工程を図示したものである。この実施形態に
おいて複数のシンチレータ・ピクセル１３ａ、１３ｂ、
１３ｃのアレイ１３及びシンチレーション光反射層１５
を形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形態に従った方
法における工程と同じである。シンチレーション光反射
層１５を形成させた後、アレイ１３及び光反射層材料を
充填したシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
１４ｄ等の上に放射線硬化可能層４７を形成する。放射
線硬化可能層４７は、Ｘ線、ＵＶ、青色放射などの放射
により硬化する任意の材料とすることができる。例え
ば、放射線硬化可能層４７は、フォトレジスト、放射線
硬化可能エポキシ、または放射線硬化可能インクとする
ことができる。図７Ａ〜７Ｄに従った本発明の態様で
は、その放射線硬化可能層４７は最終的にはパターン形
成させてＸ線保護シールドに対するアラインメント層を
形成することになるため、放射線硬化可能層４７は高密
度Ｘ線吸収材料を含む必要がない。しかし、所望であれ
ば、放射線硬化可能層４７が高密度Ｘ線吸収材料を含む
ことができる。
従ったＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パックの
形成方法の工程を図示したものである。この実施形態に
おいて複数のシンチレータ・ピクセル１３ａ、１３ｂ、
１３ｃのアレイ１３及びシンチレーション光反射層１５
を形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形態に従った方
法における工程と同じである。シンチレーション光反射
層１５を形成させた後、アレイ１３及び光反射層材料を
充填したシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
１４ｄ等の上に放射線硬化可能層４７を形成する。放射
線硬化可能層４７は、Ｘ線、ＵＶ、青色放射などの放射
により硬化する任意の材料とすることができる。例え
ば、放射線硬化可能層４７は、フォトレジスト、放射線
硬化可能エポキシ、または放射線硬化可能インクとする
ことができる。図７Ａ〜７Ｄに従った本発明の態様で
は、その放射線硬化可能層４７は最終的にはパターン形
成させてＸ線保護シールドに対するアラインメント層を
形成することになるため、放射線硬化可能層４７は高密
度Ｘ線吸収材料を含む必要がない。しかし、所望であれ
ば、放射線硬化可能層４７が高密度Ｘ線吸収材料を含む
ことができる。
【００５４】Ｘ線、ＵＶまたは青色放射により硬化を受
ける放射線硬化可能層材料の場合、高純度のＹ2Ｏ3やＧ
ｄ2Ｏ3、あるいは珪酸ルテチウムなどのＣｅドープの酸
化物といったＵＶまたは青色発光のシンチレータを硬化
可能材料に添加し、図２Ａ〜２Ｃの実施形態の場合と同
様にＸ線フラックスのある部分をＵＶまたは青色光に変
換させることによって、硬化可能材料をより効率よく硬
化させることができる。
ける放射線硬化可能層材料の場合、高純度のＹ2Ｏ3やＧ
ｄ2Ｏ3、あるいは珪酸ルテチウムなどのＣｅドープの酸
化物といったＵＶまたは青色発光のシンチレータを硬化
可能材料に添加し、図２Ａ〜２Ｃの実施形態の場合と同
様にＸ線フラックスのある部分をＵＶまたは青色光に変
換させることによって、硬化可能材料をより効率よく硬
化させることができる。
【００５５】放射線硬化可能層４７を形成させた後、図
７Ｂに示すように、放射線硬化可能層４７をＸ線放射に
対して選択的に露光させ、シンチレータ間領域１４ａ、
１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等を覆いかつこの領域に自己ア
ラインメントした第１の領域４８を選択的に形成する。
図７Ｂには、Ｘ線放射に対する露光を受ける第１の領域
４８と、Ｘ線放射に対する露光を受けない第２の領域４
９とを示している。露光用放射は、放射線硬化可能層４
７とは反対の側からシンチレータ・パックに導入し、シ
ンチレータ・ピクセルにより第２の領域４９が露光用Ｘ
線から遮蔽されるようにすることが好ましい。Ｘ線放射
の代わりに、ＵＶまたは青色光のいずれかを適宜用いる
ことにより、放射線硬化可能層４７を露光させることも
できる。
７Ｂに示すように、放射線硬化可能層４７をＸ線放射に
対して選択的に露光させ、シンチレータ間領域１４ａ、
１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ等を覆いかつこの領域に自己ア
ラインメントした第１の領域４８を選択的に形成する。
図７Ｂには、Ｘ線放射に対する露光を受ける第１の領域
４８と、Ｘ線放射に対する露光を受けない第２の領域４
９とを示している。露光用放射は、放射線硬化可能層４
７とは反対の側からシンチレータ・パックに導入し、シ
ンチレータ・ピクセルにより第２の領域４９が露光用Ｘ
線から遮蔽されるようにすることが好ましい。Ｘ線放射
の代わりに、ＵＶまたは青色光のいずれかを適宜用いる
ことにより、放射線硬化可能層４７を露光させることも
できる。
【００５６】図７Ｂには、シンチレータ間領域を透過さ
せて導かれる硬化用放射を示している。別法として、硬
化用放射は、図４Ａ〜４Ｄの実施形態に示したのと同様
に、フォトマスクを透過させて放射線硬化可能層４７に
導くこともできる。この場合には、第１の領域４８と第
２の領域４９のうちのいずれかを硬化用放射に対して露
光させる。例えば、放射線硬化可能層４７をポジティブ
・フォトレジストで製作する場合には、第２の領域が硬
化用放射により露光されるようにし、さらに図４Ａ〜４
Ｄの実施形態に関して説明したように第２の領域を除去
する。
せて導かれる硬化用放射を示している。別法として、硬
化用放射は、図４Ａ〜４Ｄの実施形態に示したのと同様
に、フォトマスクを透過させて放射線硬化可能層４７に
導くこともできる。この場合には、第１の領域４８と第
２の領域４９のうちのいずれかを硬化用放射に対して露
光させる。例えば、放射線硬化可能層４７をポジティブ
・フォトレジストで製作する場合には、第２の領域が硬
化用放射により露光されるようにし、さらに図４Ａ〜４
Ｄの実施形態に関して説明したように第２の領域を除去
する。
【００５７】図７Ｃは、第２の領域４９を除去する工程
を図示したものである。第２の領域４９は、図２Ａ〜２
Ｃ、３Ａ〜３Ｄ、及び４Ａ〜４Ｄの実施形態に関して説
明した方法により除去することができる。図７Ｃは、第
１の領域４８をアラインメント層５０として残しなが
ら、第２の領域４９が除去されることを示している。別
法として、第２の領域を除去する前に第１の領域４８を
除去し、アラインメント層５０は、第２の領域の間に材
料を形成することにより、第１の領域４８の材料以外の
材料により形成することもできる。この場合、第２の領
域の間に形成する材料は、これまでの実施形態に関して
説明したのと同様に、例えば、スパッタリング、無電解
めっき、蒸着、及び化学蒸着法などの方法により形成す
ることができる。
を図示したものである。第２の領域４９は、図２Ａ〜２
Ｃ、３Ａ〜３Ｄ、及び４Ａ〜４Ｄの実施形態に関して説
明した方法により除去することができる。図７Ｃは、第
１の領域４８をアラインメント層５０として残しなが
ら、第２の領域４９が除去されることを示している。別
法として、第２の領域を除去する前に第１の領域４８を
除去し、アラインメント層５０は、第２の領域の間に材
料を形成することにより、第１の領域４８の材料以外の
材料により形成することもできる。この場合、第２の領
域の間に形成する材料は、これまでの実施形態に関して
説明したのと同様に、例えば、スパッタリング、無電解
めっき、蒸着、及び化学蒸着法などの方法により形成す
ることができる。
【００５８】図７Ｄはアラインメント層５０を覆いかつ
この層５０とアラインメントさせたＸ線保護シールド５
１を形成する工程を図示したものである。アラインメン
ト保護シールド５１は、例えば、コリメータ・アセンブ
リのプレート間に張ったワイヤやプレートで構成される
ことがある。このアラインメント層５０により、アライ
ンメント層５０を覆う（したがって、シンチレータ間領
域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び１４ｄを覆う）Ｘ線保護
シールド５１に対する精密なアラインメントが可能とな
る。このアラインメント保護シールドは、例えば、タン
グステンにより製作される。
この層５０とアラインメントさせたＸ線保護シールド５
１を形成する工程を図示したものである。アラインメン
ト保護シールド５１は、例えば、コリメータ・アセンブ
リのプレート間に張ったワイヤやプレートで構成される
ことがある。このアラインメント層５０により、アライ
ンメント層５０を覆う（したがって、シンチレータ間領
域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び１４ｄを覆う）Ｘ線保護
シールド５１に対する精密なアラインメントが可能とな
る。このアラインメント保護シールドは、例えば、タン
グステンにより製作される。
【００５９】図８Ａ〜８Ｃは、本発明の別の実施形態に
従ったＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パックを
形成する方法における工程を図示したものである。この
実施の形態によれば、Ｘ線吸収性の硬化可能インク並び
にスクリーニング処理を用いてシンチレータ・パックの
Ｘ線損傷シールドを形成させている。この実施形態にお
いて複数のシンチレータ・ピクセル１３ａ、１３ｂ、１
３ｃのアレイ１３及びシンチレーション光反射層１５を
形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形態に従った方法
における工程と同じである。シンチレーション光反射層
１５を形成させた後、Ｘ線吸収性の硬化可能インク６２
をシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ
等の上に選択的に形成する。
従ったＸ線損傷シールドを含むシンチレータ・パックを
形成する方法における工程を図示したものである。この
実施の形態によれば、Ｘ線吸収性の硬化可能インク並び
にスクリーニング処理を用いてシンチレータ・パックの
Ｘ線損傷シールドを形成させている。この実施形態にお
いて複数のシンチレータ・ピクセル１３ａ、１３ｂ、１
３ｃのアレイ１３及びシンチレーション光反射層１５を
形成する工程は、図２Ａ〜２Ｃの実施形態に従った方法
における工程と同じである。シンチレーション光反射層
１５を形成させた後、Ｘ線吸収性の硬化可能インク６２
をシンチレータ間領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ
等の上に選択的に形成する。
【００６０】図８Ａに示すように、スクリーニング・マ
スク６０はアレイ１３の近傍でアレイ１３を選択的に覆
うようにアラインメントさせ、シンチレータ間領域の上
部の領域がスクリーニング・マスク６０の穴６０ａを通
して露光されるようにする。次いで、Ｘ線吸収性の硬化
可能インク６２をスクリーニング・マスク６０の上に塗
布しインク６２により穴６０ａが充たされるようにす
る。インク６２は、例えば、マスク全体にわたってイン
クをブレードで均し、穴６０ａにインクを充たすと共に
過剰なインク６２をすべて除去することにより塗布す
る。これにより、図８Ｂに示すように、インク６２がス
クリーニング・マスク６０の穴に充たされる。
スク６０はアレイ１３の近傍でアレイ１３を選択的に覆
うようにアラインメントさせ、シンチレータ間領域の上
部の領域がスクリーニング・マスク６０の穴６０ａを通
して露光されるようにする。次いで、Ｘ線吸収性の硬化
可能インク６２をスクリーニング・マスク６０の上に塗
布しインク６２により穴６０ａが充たされるようにす
る。インク６２は、例えば、マスク全体にわたってイン
クをブレードで均し、穴６０ａにインクを充たすと共に
過剰なインク６２をすべて除去することにより塗布す
る。これにより、図８Ｂに示すように、インク６２がス
クリーニング・マスク６０の穴に充たされる。
【００６１】このＸ線吸収性の硬化可能インク６２は、
例えば、Ｃｒｅａｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ，Ｉｎ
ｃ．製のパッド・プリント可能な放射線不透明性インク
＃１１４〜２９とすることができる。Ｘ線吸収性の硬化
可能インクは、硬化した際に良好なＸ線吸収特性を提供
する任意の硬化可能インクとすることができる。この点
に関しては、そのＸ線吸収性の硬化可能インクは、ハフ
ニウム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、
金、鉛粒子などの高密度粒子と、Ｘ線吸収特性がより低
い硬化可能インクとを混合することにより形成すること
もできる。
例えば、Ｃｒｅａｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ，Ｉｎ
ｃ．製のパッド・プリント可能な放射線不透明性インク
＃１１４〜２９とすることができる。Ｘ線吸収性の硬化
可能インクは、硬化した際に良好なＸ線吸収特性を提供
する任意の硬化可能インクとすることができる。この点
に関しては、そのＸ線吸収性の硬化可能インクは、ハフ
ニウム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、
金、鉛粒子などの高密度粒子と、Ｘ線吸収特性がより低
い硬化可能インクとを混合することにより形成すること
もできる。
【００６２】Ｘ線吸収性の硬化可能インクで表面をスク
リーニング処理した後、図８Ｃに示すように、このイン
クを硬化させてＸ線吸収層２を形成する。硬化可能イン
クは、例えば、硬化可能インクを加熱したり、硬化可能
インクを青色放射、ＵＶ放射またはＸ線放射で照射した
りすることによって、硬化させることができる。硬化可
能インクに流れ出す傾向がある場合には、スクリーン・
マスク６０は硬化後に除去することが好ましい。流れ出
す傾向がない場合には、スクリーン・マスク６０の除去
は硬化前と硬化後のいずれでもよい。Ｘ線吸収層２の厚
さは、その層のＸ線吸収特性によって異なる。一般に、
その層が良好なＸ線吸収特性を有する程、Ｘ線吸収層２
をより薄くすることができる。そのＸ線吸収性の硬化可
能インク６２がＣｒｅａｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ，
Ｉｎｃ．製のパッド・プリント可能な放射線不透明性イ
ンク＃１１４〜２９である場合、発明者により、Ｘ線吸
収層の好ましい厚さは概ね０．０１０インチであること
が分かっている。
リーニング処理した後、図８Ｃに示すように、このイン
クを硬化させてＸ線吸収層２を形成する。硬化可能イン
クは、例えば、硬化可能インクを加熱したり、硬化可能
インクを青色放射、ＵＶ放射またはＸ線放射で照射した
りすることによって、硬化させることができる。硬化可
能インクに流れ出す傾向がある場合には、スクリーン・
マスク６０は硬化後に除去することが好ましい。流れ出
す傾向がない場合には、スクリーン・マスク６０の除去
は硬化前と硬化後のいずれでもよい。Ｘ線吸収層２の厚
さは、その層のＸ線吸収特性によって異なる。一般に、
その層が良好なＸ線吸収特性を有する程、Ｘ線吸収層２
をより薄くすることができる。そのＸ線吸収性の硬化可
能インク６２がＣｒｅａｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ，
Ｉｎｃ．製のパッド・プリント可能な放射線不透明性イ
ンク＃１１４〜２９である場合、発明者により、Ｘ線吸
収層の好ましい厚さは概ね０．０１０インチであること
が分かっている。
【００６３】コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャン・
システム１００の概要図を図６に示す。このＣＴスキャ
ン・システム１００は、その内部にスキャンを受ける患
者すなわち被検体を位置決めするための円筒状のエンク
ロージャ１１０を備えている。ガントリ１１２は、円筒
１１０を囲繞すると共に、この円筒の軸の周りを回転す
るように構成されている。ガントリ１１２は１全回転に
わたって回転しその後復帰するように設計される場合
や、連続して回転するように設計される場合がある。い
ずれによるかはそのガントリ上の電子機器をシステムの
それ以外の部分と接続させるのに使用する方式によって
異なる。ガントリ上の電子機器には、扇形状のＸ線ビー
ム（Ｘ線ファンビーム）を発生させることが好ましいＸ
線源１１４が含まれ、このＸ線ファンビームにより、円
筒１１０の反対側でガントリ上に装着されたシンチレー
ション検出器システム１１６を包含させる。Ｘ線源のフ
ァン形状パターンは、Ｘ線源及びシンチレーション検出
器システム１１６により規定される面内に配置させる。
システム１００の概要図を図６に示す。このＣＴスキャ
ン・システム１００は、その内部にスキャンを受ける患
者すなわち被検体を位置決めするための円筒状のエンク
ロージャ１１０を備えている。ガントリ１１２は、円筒
１１０を囲繞すると共に、この円筒の軸の周りを回転す
るように構成されている。ガントリ１１２は１全回転に
わたって回転しその後復帰するように設計される場合
や、連続して回転するように設計される場合がある。い
ずれによるかはそのガントリ上の電子機器をシステムの
それ以外の部分と接続させるのに使用する方式によって
異なる。ガントリ上の電子機器には、扇形状のＸ線ビー
ム（Ｘ線ファンビーム）を発生させることが好ましいＸ
線源１１４が含まれ、このＸ線ファンビームにより、円
筒１１０の反対側でガントリ上に装着されたシンチレー
ション検出器システム１１６を包含させる。Ｘ線源のフ
ァン形状パターンは、Ｘ線源及びシンチレーション検出
器システム１１６により規定される面内に配置させる。
【００６４】シンチレーション検出器システム１１６
は、Ｘ線ファンビーム面と直角の方向が極めて狭く（す
なわち、薄く）なっている。シンチレーション検出器シ
ステムの各ピクセル１１８には、シンチレータ材料から
なる１本の固体の透明バーと、このシンチレータのバー
と光学的に結合されている光検出器ダイオードとが組み
込まれている。図１に関して上述したように、これらの
ピクセルは１つのアレイの形に配列されている。このピ
クセル・アレイは、図１に関して上述したようにＸ線シ
ールドをもつシンチレータ・パックの一部となってい
る。
は、Ｘ線ファンビーム面と直角の方向が極めて狭く（す
なわち、薄く）なっている。シンチレーション検出器シ
ステムの各ピクセル１１８には、シンチレータ材料から
なる１本の固体の透明バーと、このシンチレータのバー
と光学的に結合されている光検出器ダイオードとが組み
込まれている。図１に関して上述したように、これらの
ピクセルは１つのアレイの形に配列されている。このピ
クセル・アレイは、図１に関して上述したようにＸ線シ
ールドをもつシンチレータ・パックの一部となってい
る。
【００６５】各光検出器ダイオードからの出力は、ガン
トリ上に装着された演算増幅器（図示せず）に接続され
ている。各演算増幅器からの出力は、個別のワイヤ１２
０によるか、その他の電子機器によるかのいずれかによ
りコンピュータ断層撮影システム１００に対する主制御
システム１５０に接続されている。図示した実施形態で
は、Ｘ線源に対する電源及びシンチレーション検出器か
らの信号は、ケーブル１３０により主制御システム１５
０とやり取りされる。ケーブル１３０を用いると一般
に、ガントリは１回の全回転をした後に元の位置に戻る
ように制約される。
トリ上に装着された演算増幅器（図示せず）に接続され
ている。各演算増幅器からの出力は、個別のワイヤ１２
０によるか、その他の電子機器によるかのいずれかによ
りコンピュータ断層撮影システム１００に対する主制御
システム１５０に接続されている。図示した実施形態で
は、Ｘ線源に対する電源及びシンチレーション検出器か
らの信号は、ケーブル１３０により主制御システム１５
０とやり取りされる。ケーブル１３０を用いると一般
に、ガントリは１回の全回転をした後に元の位置に戻る
ように制約される。
【００６６】別法としては、ガントリを連続回転させる
のが所望であれば、スリップリングや、光学または無線
伝送を用いてガントリの電子機器を主制御システム１５
０と接続させることもできる。このタイプのＣＴスキャ
ン・システムでは、そのシンチレータ材料は、入射Ｘ線
を、光検出器ダイオードによる検出を受けさらに電気信
号に変換される蛍光に変換するために使用される、すな
わち、入射Ｘ線を、画像抽出やその他の目的での処理が
可能な電気信号に変換する手段として使用される。
のが所望であれば、スリップリングや、光学または無線
伝送を用いてガントリの電子機器を主制御システム１５
０と接続させることもできる。このタイプのＣＴスキャ
ン・システムでは、そのシンチレータ材料は、入射Ｘ線
を、光検出器ダイオードによる検出を受けさらに電気信
号に変換される蛍光に変換するために使用される、すな
わち、入射Ｘ線を、画像抽出やその他の目的での処理が
可能な電気信号に変換する手段として使用される。
【００６７】
【実施例１】この例では、図２Ａ〜２Ｃに示す本発明の
実施形態に従って、タングステン入りエポキシをＸ線吸
収性前駆材料として使用した。厚さが概ね２ｍｍ（Ｘ線
の方向に）、幅が１．５ｍｍ、奥行が２ｍｍのＨｉＬｉ
ｇｈｔ（登録商標）複数のシンチレータ・ピクセルから
なる線形アレイを設けた。各ピクセルは、チタニア(tit
ania) をドープしたエポキシ製のシンチレーション光反
射層により０．０１０インチだけ離隔させた。反射層を
もつこのアレイは、８５重量％タングステン充填のＮｏ
ｒｌａｎｄ−６１（登録商標）ＵＶ硬化可能エポキシか
らなる層によりコーティングした。このエポキシ層の厚
さは概ね０．０３０インチとした。このアレイのタング
ステン充填のエポキシ層と反対の面を１２０ｋＶｐのＸ
線に全体で５０秒間露光させ、このタングステン／エポ
キシ混合物に全体で概ね１５，０００ｒａｄの吸収線量
を与えた。次いで、タングステン充填層をアセトンで洗
浄し、シンチレーション光反射層の上部に、幅が概ね
０．０１２インチで縦の長さが０．０１８インチの硬化
させた線状のタングステン充填複合材を形成させた。図
５の写真に、シンチレータ間反射体の上部に形成させた
タングステン／エポキシ複合材の線を示す。
実施形態に従って、タングステン入りエポキシをＸ線吸
収性前駆材料として使用した。厚さが概ね２ｍｍ（Ｘ線
の方向に）、幅が１．５ｍｍ、奥行が２ｍｍのＨｉＬｉ
ｇｈｔ（登録商標）複数のシンチレータ・ピクセルから
なる線形アレイを設けた。各ピクセルは、チタニア(tit
ania) をドープしたエポキシ製のシンチレーション光反
射層により０．０１０インチだけ離隔させた。反射層を
もつこのアレイは、８５重量％タングステン充填のＮｏ
ｒｌａｎｄ−６１（登録商標）ＵＶ硬化可能エポキシか
らなる層によりコーティングした。このエポキシ層の厚
さは概ね０．０３０インチとした。このアレイのタング
ステン充填のエポキシ層と反対の面を１２０ｋＶｐのＸ
線に全体で５０秒間露光させ、このタングステン／エポ
キシ混合物に全体で概ね１５，０００ｒａｄの吸収線量
を与えた。次いで、タングステン充填層をアセトンで洗
浄し、シンチレーション光反射層の上部に、幅が概ね
０．０１２インチで縦の長さが０．０１８インチの硬化
させた線状のタングステン充填複合材を形成させた。図
５の写真に、シンチレータ間反射体の上部に形成させた
タングステン／エポキシ複合材の線を示す。
【００６８】
【実施例２】この第２例に関する条件は第１例と同様で
ある。しかし、この例では、ＨｉＬｉｇｈｔ（登録商
標）シンチレータ・アレイは、ピクセル相互の間の反射
体のギャップを０．００４インチ、Ｘ線の方向でのシン
チレータの厚さを３ｍｍとした。この場合も全体の照射
線量は概ね１５，０００ｒａｄとした。この例では、Ｘ
線照射が終了してからアセトンで洗浄して未露光のエポ
キシを除去するまでに１時間の経過時間をおき、エポキ
シがより十分に硬化されるようにした。これにより幅が
０．００６インチで厚さが０．００４インチである硬化
した線状のタングステン／エポキシ複合材が得られた。
ある。しかし、この例では、ＨｉＬｉｇｈｔ（登録商
標）シンチレータ・アレイは、ピクセル相互の間の反射
体のギャップを０．００４インチ、Ｘ線の方向でのシン
チレータの厚さを３ｍｍとした。この場合も全体の照射
線量は概ね１５，０００ｒａｄとした。この例では、Ｘ
線照射が終了してからアセトンで洗浄して未露光のエポ
キシを除去するまでに１時間の経過時間をおき、エポキ
シがより十分に硬化されるようにした。これにより幅が
０．００６インチで厚さが０．００４インチである硬化
した線状のタングステン／エポキシ複合材が得られた。
【００６９】本明細書において、例示の目的で好ましい
実施形態を列挙してきたが、この記述は本発明の範囲の
限定であると見なすべきではない。したがって、請求し
た発明の概念の精神及び範囲を逸脱することなく、当業
者により様々な修正、適応及び変形を行うことができ
る。
実施形態を列挙してきたが、この記述は本発明の範囲の
限定であると見なすべきではない。したがって、請求し
た発明の概念の精神及び範囲を逸脱することなく、当業
者により様々な修正、適応及び変形を行うことができ
る。
【図１】本発明の実施の一形態によるＸ線損傷シールド
を含むシンチレータ・パックの斜視図である。
を含むシンチレータ・パックの斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施の一形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図２Ｂ】本発明の実施の一形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図２Ｃ】本発明の実施の一形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図３Ｂ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図３Ｃ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図３Ｄ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図４Ａ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図４Ｂ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図４Ｃ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図４Ｄ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図５】シンチレータ・アレイのシンチレータ間反射体
の上に形成させた、タングステン充填エポキシからなる
Ｘ線吸収層の写真である。
の上に形成させた、タングステン充填エポキシからなる
Ｘ線吸収層の写真である。
【図６】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シールド
を含むシンチレータ・パックを含むＣＴ装置の一部分の
概要斜視図である。
を含むシンチレータ・パックを含むＣＴ装置の一部分の
概要斜視図である。
【図７Ａ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図７Ｂ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図７Ｃ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図７Ｄ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図８Ａ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図８Ｂ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
【図８Ｃ】本発明の別の実施形態によるＸ線損傷シール
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
ドを含むシンチレータ・パックの製作方法を表した略図
である。
１ シンチレータ・パック ２ Ｘ線吸収層 ３ 複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ ３ａ、３ｂ、３ｃ シンチレータ・ピクセル ４ａ、４ｂ、４ｃ シンチレータ間領域 ５ シンチレーション光反射層 ６ 表面反射体層 １３ 複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ １３ａ、１３ｂ、１３ｃ シンチレータ・ピクセル １４ シンチレータ間領域 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ シンチレータ間領域 １５ シンチレーション光反射層 １６ 表面反射体層部分 １７ Ｘ線吸収性前駆層 １８ 第２の前駆領域 １９ 第１の前駆領域 ２７ フォトレジスト層 ２７ａ 第１のレジスト領域 ２７ｂ 第２のレジスト領域 ２８ Ｘ線吸収材料 ３０ Ｘ線吸収材料 ３２ フォトマスク ３２ａ 不透明領域 ４７ 放射線硬化可能層 ４８ 第１の領域 ４９ 第２の領域 ５０ アラインメント層 ５１ Ｘ線保護シールド ６０ スクリーニング・マスク ６０ａ スクリーニング・マスクの穴 ６２ Ｘ線吸収性の硬化可能インク １００ コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャン・シス
テム １１０ 円筒状エンクロージャ １１２ ガントリ １１４ Ｘ線源 １１６ シンチレーション検出器システム １１８ シンチレーション検出器システムのピクセル １２０ ワイヤ １３０ ケーブル １５０ 主制御システム
テム １１０ 円筒状エンクロージャ １１２ ガントリ １１４ Ｘ線源 １１６ シンチレーション検出器システム １１８ シンチレーション検出器システムのピクセル １２０ ワイヤ １３０ ケーブル １５０ 主制御システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャコブ・チャールズ・ボルツチェラー アメリカ合衆国、ニューヨーク州、クリフ トン・パーク、ドースマン・ドライブ、10 番 (72)発明者 ジョージ・ウィリアム・テイラー アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、オー ク・クリーク、サウス・27ティーエイチ・ ストリート、7008番 (72)発明者 クリストファー・ジェイ・モルス アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ムク ウォナーゴ、ヒッコリーウッド・トレイ ル、エス94・ダブリュー32635番
Claims (48)
- 【請求項１】 複数のシンチレータ・ピクセル（３ａ，
３ｂ，３ｃ）のアレイ（３）と、 シンチレータ・ピクセルからのシンチレーション光を反
射させるためのシンチレーション光反射層（５）であっ
て、前記シンチレータ・ピクセル相互の間のシンチレー
タ間領域（４ａ，４ｂ，４ｃ）内に形成されているシン
チレーション光反射層（５）と、 前記シンチレータ間領域の上の第１の領域内に自己アラ
インメント式に選択的に形成されている、高密度Ｘ線吸
収材料を含むＸ線吸収層（２）と、を備えるシンチレー
タ・パック（１）。 - 【請求項２】 前記Ｘ線吸収層（２）がさらに誘電体を
含み、前記高密度Ｘ線吸収材料が前記誘電体内に散在さ
せた粒子を含んでいる、請求項１に記載のシンチレータ
・パック。 - 【請求項３】 前記誘電体がエポキシである、請求項２
に記載のシンチレータ・パック。 - 【請求項４】 前記高密度Ｘ線吸収材料が、ハフニウ
ム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、金、
鉛、及びこれらの合金から構成される群より選択された
高密度金属を含む、請求項１に記載のシンチレータ・パ
ック。 - 【請求項５】 前記高密度Ｘ線吸収材料が、酸化ハフニ
ウム、酸化タングステン、及び酸化鉛から構成される群
より選択された高密度材料を含む、請求項１に記載のシ
ンチレータ・パック。 - 【請求項６】 前記高密度Ｘ線吸収材料が、ハフニウ
ム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、金、
鉛、これらの合金、酸化ハフニウム、酸化タングステ
ン、及び酸化鉛から構成される群より選択された高密度
材料を含む、請求項２に記載のシンチレータ・パック。 - 【請求項７】 前記Ｘ線吸収層（２）の厚さが０．００
０１〜０．０８インチである、請求項１に記載のシンチ
レータ・パック。 - 【請求項８】 前記Ｘ線吸収層（２）の第１の領域にお
ける幅が０．００２〜０．０１０インチである、請求項
１に記載のシンチレータ・パック。 - 【請求項９】 前記シンチレーション光反射層（５）が
シンチレータ・ピクセルの最上面を覆っている、請求項
１に記載のシンチレータ・パック。 - 【請求項１０】 複数のシンチレータ・ピクセル（３
ａ，３ｂ，３ｃ）のアレイ（３）と、 シンチレータ・ピクセルからのシンチレーション光を反
射させるためのシンチレーション光反射層（５）であっ
て、前記シンチレータ・ピクセル相互の間のシンチレー
タ間領域（４ａ，４ｂ，４ｃ）内に形成されているシン
チレーション光反射層（５）と、 前記シンチレータ間領域の上の第１の領域内に選択的に
形成されている、高密度Ｘ線吸収材料を含むＸ線吸収層
（２）と、を備えるシンチレータ・パック（１）。 - 【請求項１１】 複数のシンチレータ・ピクセル（１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ）のアレイ（１３）のシンチレータ
・ピクセル相互の間にあるシンチレータ間領域（１４
ａ，１４ｂ，１４ｃ）内にシンチレーション光反射層
（１５）を形成する工程と、 前記シンチレータ間領域の上にＸ線吸収層（２）を選択
的に形成する工程と、を含むシンチレータ・パック
（１）の形成方法。 - 【請求項１２】 前記選択的に形成する工程がさらに、 複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ（１３）及びシ
ンチレータ間領域の上にＸ線吸収性前駆層（１７）を形
成する工程と、 前記Ｘ線吸収性前駆層（１７）を放射に対して選択的に
露光させ、これによりシンチレータ間領域（１４ａ，１
４ｂ，１４ｃ）を選択的に覆いかつ該領域に自己アライ
ンメントされた第１の前駆領域（１９）と、前記第１の
前駆領域相互の間にある第２の前駆領域（１８）とを形
成する工程と、 前記第２の前駆領域（１８）を除去する工程と、を含ん
でいる、請求項１１に記載のシンチレータ・パック形成
方法。 - 【請求項１３】 前記Ｘ線吸収性前駆層（１７）が、高
密度Ｘ線吸収粒子を含有する放射線硬化可能エポキシで
ある、請求項１２に記載のシンチレータ・パック形成方
法。 - 【請求項１４】 前記選択的に露光させる工程における
前記放射が、Ｘ線放射及び紫外線（ＵＶ）放射のうちの
１つである、請求項１３に記載のシンチレータ・パック
形成方法。 - 【請求項１５】 前記選択的に露光させる工程がさら
に、前記放射をシンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ）を透過させて選択的に導く工程を含む、請求項
１２に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項１６】 前記Ｘ線吸収性前駆層（１７）が高密
度Ｘ線吸収粒子を含有する放射線硬化可能エポキシであ
り、前記選択的に露光させる工程における前記放射がＸ
線放射である、請求項１５に記載のシンチレータ・パッ
ク形成方法。 - 【請求項１７】 前記高密度Ｘ線吸収粒子が、ハフニウ
ム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、金、
鉛、これらの合金、酸化ハフニウム、酸化タングステ
ン、及び酸化鉛から構成される群より選択される高密度
材料を含む、請求項１６に記載のシンチレータ・パック
形成方法。 - 【請求項１８】 前記放射がＸ線放射であると共に、前
記Ｘ線吸収性前駆層（１７）が紫外線（ＵＶ）または青
色発光性のＸ線シンチレータ材料を含む、請求項１２に
記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項１９】 前記ＵＶ発光性Ｘ線シンチレータ材料
が、セリウム・ドープの酸化物、Ｙ2Ｏ3、及びＧｄ2Ｏ3
のうちの１つである、請求項１８に記載のシンチレータ
・パック形成方法。 - 【請求項２０】 前記選択的に形成する工程がさらに、 前記シンチレータ・ピクセル（１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ）のアレイ（１３）及びシンチレータ間領域（１４
ａ，１４ｂ，１４ｃ）の上にフォトレジスト層（２７）
を形成する工程と、 前記フォトレジスト層（２７）を放射に対して選択的に
露光させ、これにより前記シンチレータ間領域を選択的
に覆う第１のレジスト領域（２７ａ）と、前記第１のレ
ジスト領域の間にある第２のレジスト領域（２７ｂ）と
を形成する工程と、を含んでいる、請求項１１に記載の
シンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項２１】 前記選択的に形成する工程がさらに、 シンチレータ間領域を選択的に覆って形成した前記第１
のレジスト領域（２７ａ）は除去し、前記第２のレジス
ト領域（２７ｂ）は残留させる工程と、 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）と前記シンチレータ
間領域の上にＸ線吸収材料（２８）を形成する工程と、 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）を除去してシンチレ
ータ間領域（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）の上にＸ線吸収
層（２）を選択的に形成する工程と、を含んでいる、請
求項２０に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項２２】 前記Ｘ線吸収材料（２８）が、蒸着、
スパッタリング、無電解めっき、及び化学蒸着法のうち
の１つによって、第２のレジスト領域（２７ｂ）及びシ
ンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）の上に形
成されている、請求項２１に記載のシンチレータ・パッ
ク形成方法。 - 【請求項２３】 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）を
除去することにより、第２のレジスト領域の上のＸ線吸
収材料（２８）も除去している、請求項２２に記載のシ
ンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項２４】 前記選択的に形成する工程がさらに、 前記複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ（１３）及
びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層（２７）
を形成する工程と、 前記フォトレジスト層（２７）を放射に対して選択的に
露光させ、これにより前記シンチレータ間領域（１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ）を選択的に覆う第１のレジスト領
域（２７ａ）と、前記第１のレジスト領域相互の間にあ
る第２のレジスト領域（２７ｂ）とを形成する工程と、 前記第１のレジスト領域（２７ａ）は除去し、前記第２
のレジスト領域（２７ｂ）は残留させる工程と、 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）相互の間にＸ線吸収
材料（２８）を選択的に被着する工程と、 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）を除去し、これによ
りシンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）の上
にＸ線吸収層（２）を選択的に形成する工程と、を含ん
でいる、請求項１１に記載のシンチレータ・パック形成
方法。 - 【請求項２５】 前記選択的に形成する工程がさらに、 前記複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ（１３）及
びシンチレータ間領域の上にフォトレジスト層（２７）
を形成する工程と、 前記フォトレジスト層（２７）を放射に対して選択的に
露光させ、これにより前記シンチレータ間領域（１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ）を選択的に覆う第１のレジスト領
域（２７ａ）と、前記第１のレジスト領域相互の間にあ
る第２のレジスト領域（２７ｂ）とを形成する工程と、 シンチレータ間領域を選択的に覆って形成した前記第１
のレジスト領域（２７ａ）を除去し、前記第２のレジス
ト領域（２７ｂ）は残留させる工程と、 めっき、化学蒸着法、スパッタリング、及び蒸着のうち
の１つによって、前記第２のレジスト領域（２７ｂ）及
びシンチレータ間領域の上にＸ線吸収材料（２８）の第
１の層を形成する工程と、 前記第２のレジスト領域（２７ｂ）を除去する工程と、 Ｘ線吸収材料の前記第１の層の上に、めっき、スパッタ
リング、及びはんだ付けのうちの１つによって、Ｘ線吸
収材料の第２の層（２８）を形成し、これによりシンチ
レータ間領域の上にＸ線吸収層を選択的に形成する工程
と、を含んでいる、請求項１１に記載のシンチレータ・
パック形成方法。 - 【請求項２６】 前記フォトレジスト層（２７）を形成
する前に、前記シンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ）及び前記シンチレータ・ピクセル（１３ａ，１
３ｂ，１３ｃ）の上にＸ線吸収材料（３０）を形成する
工程と、 前記第２のレジスト領域は除去し、前記第１のレジスト
領域（２７ａ）は残留させ、これによりＸ線吸収材料
（３０）の前記第３の領域を選択的に露光させる工程
と、 Ｘ線吸収材料（３０）の前記第３の領域を除去し、これ
により前記Ｘ線吸収層（２）を形成する工程と、 前記第１のレジスト領域（２７ａ）を除去する工程と、
をさらに含む請求項２０に記載のシンチレータ・パック
形成方法。 - 【請求項２７】 前記Ｘ線吸収材料（３０）が、蒸着、
スパッタリング、めっき及び化学蒸着法のうちの１つに
より形成される、請求項２６に記載のシンチレータ・パ
ック形成方法。 - 【請求項２８】 前記Ｘ線吸収材料が、ハフニウム、タ
ンタル、タングステン、レニウム、白金、金、鉛、これ
らの合金、酸化ハフニウム、酸化タングステン、及び酸
化鉛から構成される群より選択される高密度材料を含
む、請求項２７に記載のシンチレータ・パック形成方
法。 - 【請求項２９】 前記選択的に露光させる工程がさら
に、前記放射をシンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ）を透過させて選択的に導く工程を含む、請求項
２１に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項３０】 シンチレータ・パックがＸ線損傷シー
ルドを含むと共に、前記選択的に露光させる工程におけ
る前記放射がＸ線放射である、請求項２９に記載のシン
チレータ・パック形成方法。 - 【請求項３１】 前記選択的に露光させる工程がさら
に、前記放射をシンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ）を透過させて選択的に導く工程を含む、請求項
２６に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項３２】 前記選択的に露光させる工程における
前記放射がＸ線放射である、請求項３１に記載のシンチ
レータ・パック形成方法。 - 【請求項３３】 前記放射がＸ線放射であると共に、前
記選択的に形成する工程がさらに、前記Ｘ線吸収性前駆
層（１７）を放射に対して選択的に露光させる前に、Ｘ
線吸収性前駆層（１７）の上部に紫外線（ＵＶ）または
青色発光性の固体シンチレータを設ける工程を含む、請
求項１２に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項３４】 前記選択的に形成する工程がさらに、 シンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）と選択
的にアラインメントさせた穴（６０ａ）をもつスクリー
ニング・マスク（６０）を設ける工程と、 シンチレータ間領域と選択的にアラインメントさせた前
記穴（６０ａ）内にＸ線吸収性の硬化可能インク（６
２）を塗布する工程と、 前記Ｘ線吸収性の硬化可能インク（６２）を硬化させる
工程と、を含んでいる、請求項１１に記載のシンチレー
タ・パック形成方法。 - 【請求項３５】 前記硬化させる工程が、前記Ｘ線吸収
性の硬化可能インク（６２）を加熱すること、あるいは
前記Ｘ線吸収性インクを青色放射、紫外線（ＵＶ）放射
またはＸ線放射で照射することにより、前記Ｘ線吸収性
の硬化可能インク（６２）を硬化させることを含む、請
求項３４に記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項３６】 前記Ｘ線吸収性の硬化可能インク（６
２）が、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウ
ム、白金、金、鉛、及びこれらの合金から構成される群
より選択される高密度金属を含む、請求項３４に記載の
シンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項３７】 Ｘ線源（１１４）と、 複数のシンチレータ・ピクセル（３ａ，３ｂ，３ｃ）の
アレイ（３）と、前記シンチレータ・ピクセル相互の間
のシンチレータ間領域（４ａ，４ｂ，４ｃ）内に形成さ
れており、Ｘ線源（１１４）から複数のシンチレータ・
ピクセルのうちの１つのピクセル上にＸ線が入射するの
に伴いシンチレータ・ピクセルからのシンチレーション
光を反射させるためのシンチレーション光反射層（５）
と、前記シンチレータ間領域の上の第１の領域内に自己
アラインメント式に選択的に形成されている高密度Ｘ線
吸収材料を含んだＸ線吸収層（２）と、を含むシンチレ
ータ・パック（１）と、 前記シンチレーション放射を検出するために固体シンチ
レータ材料に光学結合されているシンチレーション光検
出器と、を備えるコンピュータ断層撮影システム（１０
０）。 - 【請求項３８】 複数のシンチレータ・ピクセル（１３
ａ，１３ｂ，１３ｃ）のアレイ（１３）と、 前記シンチレータ・ピクセル相互の間にあるシンチレー
タ間領域（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）内に形成されてい
て、シンチレータ・ピクセルからのシンチレーション光
を反射させるためのシンチレーション光反射層（１５）
と、 前記シンチレータ間領域の上の第１の領域内に自己アラ
インメント式に選択的に形成されているアラインメント
層（５０）と、を備えるシンチレータ・パック（１）。 - 【請求項３９】 さらに、前記アラインメント層（５
０）を覆いかつ該層とアラインメントされているＸ線保
護シールド（５１）を備える請求項３８に記載のシンチ
レータ・パック。 - 【請求項４０】 前記Ｘ線保護シールド（５１）がワイ
ヤまたはプレートを含む、請求項３９に記載のシンチレ
ータ・パック。 - 【請求項４１】 複数のシンチレータ・ピクセルからな
るアレイ（１３）のシンチレータ・ピクセル（１３ａ，
１３ｂ，１３ｃ）相互の間にあるシンチレータ間領域
（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）内にシンチレーション光反
射層（１５）を形成する工程と、 前記シンチレータ間領域の上にアラインメント層（５
０）を選択的に形成する工程と、を含むシンチレータ・
パックの形成方法。 - 【請求項４２】 前記選択的に形成する工程がさらに、 前記複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ（１３）及
び前記シンチレータ間領域の上に放射線硬化可能層（４
７）を形成する工程と、 放射線硬化可能層（４７）を放射に対して選択的に露光
させ、これにより前記シンチレータ間領域を選択的に覆
いかつ該領域に自己アラインメントされた第１の領域
（４８）と、前記第１の領域相互の間にある第２の領域
（４９）とを形成する工程と、 前記第２の領域（４９）を除去する工程と、を含んでい
る、請求項４１に記載のシンチレータ・パック形成方
法。 - 【請求項４３】 さらに、前記アラインメント層（５
０）を覆いかつ該層とアラインメントされているＸ線保
護シールド（５１）を形成する工程を含む請求項４１に
記載のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項４４】 前記選択的に形成する工程がさらに、 前記複数のシンチレータ・ピクセルのアレイ（１３）及
び前記シンチレータ間領域の上に放射線硬化可能層（４
７）を形成する工程と、 前記放射線硬化可能層（４７）を放射に対して選択的に
露光させ、これにより前記シンチレータ間領域を選択的
に覆いかつ該領域に自己アラインメントされた第１の領
域（４８）と、前記第１の領域の間にある第２の領域
（４９）とを形成する工程と、 前記第２の領域（４９）を除去する工程と、を含んでい
る、請求項４３に記載のシンチレータ・パック形成方
法。 - 【請求項４５】 前記放射がＸ線、紫外線（ＵＶ）及び
青色放射のうちの１つである、請求項４４に記載のシン
チレータ・パック形成方法。 - 【請求項４６】 前記放射線硬化可能層（４７）が、フ
ォトレジスト層、放射線硬化可能エポキシ、及び放射線
硬化可能インクのうちの１つである、請求項４４に記載
のシンチレータ・パック形成方法。 - 【請求項４７】 前記放射がＸ線放射であると共に、前
記放射線硬化可能層（４７）がＵＶまたは青色発光性の
Ｘ線シンチレータを含む、請求項４５に記載のシンチレ
ータ・パック形成方法。 - 【請求項４８】 前記選択的に露光させる工程におい
て、前記放射がシンチレータ間領域（１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ）を透過させて選択的に導かれている、請求項４
４に記載のシンチレータ・パック形成方法。
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