JP2001295035A - スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004217990A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| WO2006051737A1 (ja) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 金属ガラス膜作製用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US7789948B2 (en) | 2004-11-15 | 2010-09-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Hydrogen separation membrane, sputtering target for forming said hydrogen separation membrane, and manufacturing method thereof |
| JP2015042787A (ja) * | 2010-07-16 | 2015-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JPWO2015064087A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法 |
| KR20170127548A (ko) | 2015-05-22 | 2017-11-21 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| KR20180125952A (ko) | 2017-03-30 | 2018-11-26 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈륨 스퍼터링 타겟 |
| WO2019176962A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US10658163B2 (en) | 2015-05-22 | 2020-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target, and production method therefor |
| TWI798387B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-04-11 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06200370A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Japan Energy Corp | スパッタリング用W−Tiターゲットの製造方法 |
| JPH0776771A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Japan Energy Corp | タングステンスパッタリングターゲット |
| WO1995016797A1 (fr) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Materiau en molybdene-tungstene pour cablage, cible en molybdene-tungstene pour cablage, procede de fabrication et couche mince de cablage en molybdene-tungstene |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109929A patent/JP2001295035A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06200370A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Japan Energy Corp | スパッタリング用W−Tiターゲットの製造方法 |
| JPH0776771A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Japan Energy Corp | タングステンスパッタリングターゲット |
| WO1995016797A1 (fr) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Materiau en molybdene-tungstene pour cablage, cible en molybdene-tungstene pour cablage, procede de fabrication et couche mince de cablage en molybdene-tungstene |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004217990A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| WO2006051737A1 (ja) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 金属ガラス膜作製用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US7789948B2 (en) | 2004-11-15 | 2010-09-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Hydrogen separation membrane, sputtering target for forming said hydrogen separation membrane, and manufacturing method thereof |
| US8652399B2 (en) | 2004-11-15 | 2014-02-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for producing metallic glass membrane and manufacturing method thereof |
| US8663439B2 (en) | 2004-11-15 | 2014-03-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for producing metallic glass membrane and manufacturing method thereof |
| JP2015042787A (ja) * | 2010-07-16 | 2015-03-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2020007640A (ja) * | 2013-10-29 | 2020-01-16 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよび半導体素子の製造方法 |
| JPWO2015064087A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法 |
| US10658163B2 (en) | 2015-05-22 | 2020-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target, and production method therefor |
| US10570505B2 (en) | 2015-05-22 | 2020-02-25 | JX Nippon Mining & Materials Corporation | Tantalum sputtering target, and production method therefor |
| KR20170127548A (ko) | 2015-05-22 | 2017-11-21 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| US11177119B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-11-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target |
| KR20180125952A (ko) | 2017-03-30 | 2018-11-26 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈륨 스퍼터링 타겟 |
| JP2022125041A (ja) * | 2018-03-13 | 2022-08-26 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR20200129143A (ko) * | 2018-03-13 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| JPWO2019176962A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2021-02-12 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN111836914A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-27 | Jx金属株式会社 | 溅射靶和溅射靶的制造方法 |
| WO2019176962A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP7246370B2 (ja) | 2018-03-13 | 2023-03-27 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2023165778A (ja) * | 2018-03-13 | 2023-11-17 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR102612744B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2023-12-13 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| KR20230170144A (ko) * | 2018-03-13 | 2023-12-18 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| KR102703290B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2024-09-06 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| JP7654734B2 (ja) | 2018-03-13 | 2025-04-01 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法 |
| TWI798387B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-04-11 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法 |
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