JP2001283462A - 光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法 - Google Patents
光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法Info
- Publication number
- JP2001283462A JP2001283462A JP2000099757A JP2000099757A JP2001283462A JP 2001283462 A JP2001283462 A JP 2001283462A JP 2000099757 A JP2000099757 A JP 2000099757A JP 2000099757 A JP2000099757 A JP 2000099757A JP 2001283462 A JP2001283462 A JP 2001283462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- optical recording
- recording medium
- light
- reproduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/268—Post-production operations, e.g. initialising phase-change recording layers, checking for defects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24322—Nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性が
より高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、し
かも高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる
光記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、こ
の光記録媒体を用いた光記録再生方法を提供する。 【解決手段】 光の照射により情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体において、該
記録層に記録マークを形成しそれをＤＣ光で再生した場
合における１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回
目の繰返し再生ジッタσrepeatとの比Ｒ（＝σrepeat／
σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ
光を照射して再生を行った場合、１回目の再生ジッタσ
1に対する５０００回繰返し再生ジッタσrepeatの上昇
率をｄ（＝σrepeat／σ1）とすると、初回記録マーク
の該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書換
えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光による
ジッタ上昇率ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする光記録媒体。
より高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、し
かも高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる
光記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、こ
の光記録媒体を用いた光記録再生方法を提供する。 【解決手段】 光の照射により情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体において、該
記録層に記録マークを形成しそれをＤＣ光で再生した場
合における１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回
目の繰返し再生ジッタσrepeatとの比Ｒ（＝σrepeat／
σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ
光を照射して再生を行った場合、１回目の再生ジッタσ
1に対する５０００回繰返し再生ジッタσrepeatの上昇
率をｄ（＝σrepeat／σ1）とすると、初回記録マーク
の該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書換
えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光による
ジッタ上昇率ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により情
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録
再生方法に関するものである。
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録
再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光の照射により情報の記録、再生、消去
が可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非晶質相間の
相転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく
知られている。本発明者らは、このような相変化型光記
録媒体の中で、特にＳｂ−Ｔｅ系記録材料とＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を用いたものについて研究、提
案を行ってきており、これらの材料はＣ／Ｎ、消去比、
感度、ジッタ、保存安定性、繰返し記録再生安定性（以
下再生光安定性ともいう）の各特性ですぐれた結果を得
ている。
が可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非晶質相間の
相転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく
知られている。本発明者らは、このような相変化型光記
録媒体の中で、特にＳｂ−Ｔｅ系記録材料とＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を用いたものについて研究、提
案を行ってきており、これらの材料はＣ／Ｎ、消去比、
感度、ジッタ、保存安定性、繰返し記録再生安定性（以
下再生光安定性ともいう）の各特性ですぐれた結果を得
ている。
【０００３】ところで、最近のトレンドとして、光記録
媒体の展開はＤＶＤメディアの方に関心が向けられてき
ている。このＤＶＤメディアは従来のＣＤメディアに比
べより大容量化しているため、記録線速対応性がより高
く、かつドライブ側のビームスポットがより小さいこと
が要求される。
媒体の展開はＤＶＤメディアの方に関心が向けられてき
ている。このＤＶＤメディアは従来のＣＤメディアに比
べより大容量化しているため、記録線速対応性がより高
く、かつドライブ側のビームスポットがより小さいこと
が要求される。
【０００４】これまで提案されてきたＳｂ−Ｔｅ系記録
材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料では、保存安
定性や再生光安定性を確保できるような組成のものが利
用されてきた。つまり、これらの系の記録材料の構成元
素のうちＳｂとＴｅの含有量に着目すると、図１に示す
ように、横軸にＳｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）、縦軸に記録線
速、保存安定性（いずれも任意単位）をとると、ＣＤメ
ディアでは斜線の範囲の組成が利用されてきた。
材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料では、保存安
定性や再生光安定性を確保できるような組成のものが利
用されてきた。つまり、これらの系の記録材料の構成元
素のうちＳｂとＴｅの含有量に着目すると、図１に示す
ように、横軸にＳｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）、縦軸に記録線
速、保存安定性（いずれも任意単位）をとると、ＣＤメ
ディアでは斜線の範囲の組成が利用されてきた。
【０００５】このようなメディアにおいては、記録線速
対応性をより高くしようとすると、保存安定性や再生光
安定性が劣化してしまうという不都合があった。さら
に、ドライブ側のビームスポットサイズをより小さくし
て高密度化を図ろうとすると、十分な感度が得られなく
なる不具合があった。
対応性をより高くしようとすると、保存安定性や再生光
安定性が劣化してしまうという不都合があった。さら
に、ドライブ側のビームスポットサイズをより小さくし
て高密度化を図ろうとすると、十分な感度が得られなく
なる不具合があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の実状に鑑みてなされたもので、上記従来の光
記録媒体に比べて記録線速対応性がより高く、再生光安
定性及び保存安定性にもすぐれ、しかも高感度でＤＶＤ
メディアへの適用にも十分耐えうる光記録媒体、この光
記録媒体に使用される記録材料、この光記録媒体を用い
た光記録再生方法を提供することをその課題とする。
従来技術の実状に鑑みてなされたもので、上記従来の光
記録媒体に比べて記録線速対応性がより高く、再生光安
定性及び保存安定性にもすぐれ、しかも高感度でＤＶＤ
メディアへの適用にも十分耐えうる光記録媒体、この光
記録媒体に使用される記録材料、この光記録媒体を用い
た光記録再生方法を提供することをその課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の光
記録媒体について、記録層に記録マークを形成しそれを
ＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ1
に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatとの
比Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となる
ような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合に
おいて、１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰
返し再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ
1）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ
上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成され
る記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係
を調べた。その結果、記録線速応答性及び再生光安定性
を高めると保存安定性が低下するものは、ｄowがｄ1よ
り大きくなっていることを確認した。そして、記録層に
添加する元素、相の基本構造、組成形態、製造方法等、
各種の面から鋭意検討を重ねた結果、ｄowがｄ1より小
さくなる記録材料を見いだし、このものは記録線速応答
性及び再生光安定性にすぐれるとともに、保存安定性に
もすぐれることを確認し、本発明を完成するに至った。
記録媒体について、記録層に記録マークを形成しそれを
ＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ1
に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatとの
比Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となる
ような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合に
おいて、１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰
返し再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ
1）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ
上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成され
る記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係
を調べた。その結果、記録線速応答性及び再生光安定性
を高めると保存安定性が低下するものは、ｄowがｄ1よ
り大きくなっていることを確認した。そして、記録層に
添加する元素、相の基本構造、組成形態、製造方法等、
各種の面から鋭意検討を重ねた結果、ｄowがｄ1より小
さくなる記録材料を見いだし、このものは記録線速応答
性及び再生光安定性にすぐれるとともに、保存安定性に
もすぐれることを確認し、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明によれば、光の照射により情
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体において、該記録層に記録マークを形成しそれ
をＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ
1に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatと
の比Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０とな
るような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場
合、１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰返し
再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）
とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇
率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成される記
録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係が、
ｄ1＞ｄowを満足することを特徴とする光記録媒体が提
供される。また、本発明によれば、上記構成において、
さらに以下の特徴を有する光記録媒体が提供される。該
記録層が、光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的
な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可
能な記録層であることを特徴とする光記録媒体。該記録
層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中か
ら選ばれた少なくとも２種以上の元素を含むことを特徴
とする光記録媒体；該記録層が下記式（１）で表される
元素の組合せを含むことを特徴とする光記録媒体； Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） 該記録層の結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつ
Ｓｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であることを特徴と
する光記録媒体；該記録層中に含まれるＳｂとＴｅの合
計の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７であるこ
とを特徴とする光記録媒体；該記録層中のＳｂとＴｅが
原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を
満足するように含まれることを特徴とする光記録媒体；
Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０１≦Ｂ≦０．０
７であることを特徴とする光記録媒体；該記録層がＡ
ｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上
の元素を添加元素として含む光記録媒体；該記録層がＳ
ｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを少なくとも含み、各元素
の含有率が原子比で下記のものであることを特徴とする
光記録媒体； Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７ Ａｇ： ０．００１〜０．０３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体において、該記録層に記録マークを形成しそれ
をＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ
1に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatと
の比Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０とな
るような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場
合、１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰返し
再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）
とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇
率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成される記
録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係が、
ｄ1＞ｄowを満足することを特徴とする光記録媒体が提
供される。また、本発明によれば、上記構成において、
さらに以下の特徴を有する光記録媒体が提供される。該
記録層が、光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的
な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可
能な記録層であることを特徴とする光記録媒体。該記録
層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中か
ら選ばれた少なくとも２種以上の元素を含むことを特徴
とする光記録媒体；該記録層が下記式（１）で表される
元素の組合せを含むことを特徴とする光記録媒体； Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） 該記録層の結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつ
Ｓｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であることを特徴と
する光記録媒体；該記録層中に含まれるＳｂとＴｅの合
計の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７であるこ
とを特徴とする光記録媒体；該記録層中のＳｂとＴｅが
原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を
満足するように含まれることを特徴とする光記録媒体；
Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０１≦Ｂ≦０．０
７であることを特徴とする光記録媒体；該記録層がＡ
ｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上
の元素を添加元素として含む光記録媒体；該記録層がＳ
ｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを少なくとも含み、各元素
の含有率が原子比で下記のものであることを特徴とする
光記録媒体； Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７ Ａｇ： ０．００１〜０．０３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９
【０００９】また、本発明によれば、光の照射により情
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体の該記録層に用いる記録材料であって、該記録
材料で形成された記録層に記録マークを形成しそれをＤ
Ｃ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ1に
対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatとの比
Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となるよ
うな強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合、１
回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰返し再生ジ
ッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）とする
と、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1
と、１０００回書換えを繰り返して形成される記録マー
クの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係が、ｄ1＞
ｄowを満足することを特徴とする記録材料が提供され
る。また、本発明によれば、上記構成において、さらに
以下の特徴を有する記録材料が提供される。光の照射に
よる結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録材料であるこ
とを特徴とする記録材料；Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の
元素を含むことを特徴とする記録材料；下記式（１）で
表される元素の組合せを含むことを特徴とする記録材
料； Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） 結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつＳｂ−Ｓｂ
3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であることを特徴とする記録材
料；ＳｂとＴｅの合計の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ
≦０．９７であることを特徴とする記録材料；ＳｂとＴ
ｅが原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８
５を満足するように含まれることを特徴とする記録材
料；Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０１≦Ｂ≦
０．０７であることを特徴とする記録材料；Ａｇ、Ｉｎ
及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素を
添加元素として含む記録材料；該記録層がＳｂ、Ｔｅ、
Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを少なくとも含み、各元素の含有率が
原子比で下記のものであることを特徴とする記録材料。 Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７Ａｇ： ０．００１〜０．０
３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光
記録媒体の該記録層に用いる記録材料であって、該記録
材料で形成された記録層に記録マークを形成しそれをＤ
Ｃ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ1に
対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeatとの比
Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となるよ
うな強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合、１
回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰返し再生ジ
ッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）とする
と、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1
と、１０００回書換えを繰り返して形成される記録マー
クの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係が、ｄ1＞
ｄowを満足することを特徴とする記録材料が提供され
る。また、本発明によれば、上記構成において、さらに
以下の特徴を有する記録材料が提供される。光の照射に
よる結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情
報の記録、再生を行う書換えが可能な記録材料であるこ
とを特徴とする記録材料；Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の
元素を含むことを特徴とする記録材料；下記式（１）で
表される元素の組合せを含むことを特徴とする記録材
料； Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） 結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつＳｂ−Ｓｂ
3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であることを特徴とする記録材
料；ＳｂとＴｅの合計の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ
≦０．９７であることを特徴とする記録材料；ＳｂとＴ
ｅが原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８
５を満足するように含まれることを特徴とする記録材
料；Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０１≦Ｂ≦
０．０７であることを特徴とする記録材料；Ａｇ、Ｉｎ
及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素を
添加元素として含む記録材料；該記録層がＳｂ、Ｔｅ、
Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを少なくとも含み、各元素の含有率が
原子比で下記のものであることを特徴とする記録材料。 Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７Ａｇ： ０．００１〜０．０
３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９
【００１０】また、本発明によれば、上記光記録媒体の
製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合
せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結
して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより
成膜する際、スパッタパワーが０．１〜１．５ｋＷの条
件で製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法が
提供される。また、本発明によれば、上記光記録媒体の
製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合
せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結
して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより
製膜する際、スパッタ圧力が０．８〜９ｍＴｏｒｒの条
件で製膜するか、又は成膜直前のスパッタ室の圧力が９
×１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空度を保つようにして成膜す
ることを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供され
る。
製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合
せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結
して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより
成膜する際、スパッタパワーが０．１〜１．５ｋＷの条
件で製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法が
提供される。また、本発明によれば、上記光記録媒体の
製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合
せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結
して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより
製膜する際、スパッタ圧力が０．８〜９ｍＴｏｒｒの条
件で製膜するか、又は成膜直前のスパッタ室の圧力が９
×１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空度を保つようにして成膜す
ることを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供され
る。
【００１１】また、本発明によれば、上記光記録媒体を
用い、スポット径が０．０５〜２．０μｍの光の照射に
より情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可
能な光記録再生方法が提供される。さらに、本発明によ
れば、上記光記録媒体を用い、記録線速が１．２〜２５
ｍ／ｓ、より好ましくは３．５〜１８ｍ／ｓで光の照射
により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え
可能な光記録再生方法が提供される。
用い、スポット径が０．０５〜２．０μｍの光の照射に
より情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可
能な光記録再生方法が提供される。さらに、本発明によ
れば、上記光記録媒体を用い、記録線速が１．２〜２５
ｍ／ｓ、より好ましくは３．５〜１８ｍ／ｓで光の照射
により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え
可能な光記録再生方法が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。本発明は、光の照射により情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体を対象とす
る。本発明は、特に、光の照射による結晶相と非晶質相
との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体への適用が好
ましい。
る。本発明は、光の照射により情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体を対象とす
る。本発明は、特に、光の照射による結晶相と非晶質相
との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体への適用が好
ましい。
【００１３】本発明の光記録媒体は、記録層に記録マー
クを形成しそれをＤＣ光で再生した場合における１回目
の再生ジッタσ1に対する５０００回目の繰返し再生ジ
ッタσrepeatとの比Ｒ（＝σrepeat／σ1））が１．１
≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光を照射して
再生を行った場合、１回目の再生ジッタσ1に対する５
０００回繰返し再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σ
repeat／σ1）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光に
よるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返し
て形成される記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率
ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする。本明細書において「ジッ
タ」とは、クロック信号に対する記録マークのエッジの
標準偏差をσ、クロック信号の検出ウィンドウ幅をＴw
としたとき、σ／Ｔwで表される値をいう。図２に再生
光強度と再生ジッタ特性と再生回数との関係を示す。図
中σrは２回目以降の再生ジッタである。
クを形成しそれをＤＣ光で再生した場合における１回目
の再生ジッタσ1に対する５０００回目の繰返し再生ジ
ッタσrepeatとの比Ｒ（＝σrepeat／σ1））が１．１
≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光を照射して
再生を行った場合、１回目の再生ジッタσ1に対する５
０００回繰返し再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σ
repeat／σ1）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光に
よるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返し
て形成される記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率
ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする。本明細書において「ジッ
タ」とは、クロック信号に対する記録マークのエッジの
標準偏差をσ、クロック信号の検出ウィンドウ幅をＴw
としたとき、σ／Ｔwで表される値をいう。図２に再生
光強度と再生ジッタ特性と再生回数との関係を示す。図
中σrは２回目以降の再生ジッタである。
【００１４】上記においてＲ（＝σ1／σrepeat）が
１．１≦ｄ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光は、
通常のドライブで使用するＤＣ光より強度が１．１〜２
倍程度強い光であり、強制劣化させることを意図するも
のである。つまり、通常のドライブでは、例えばレーザ
ー光を用いた場合、０．３〜０．８ｍＷのパワーで光照
射を行うが、本測定では０．７〜１．５ｍＷのパワーの
光照射を行うことになる。この場合、記録マークの形成
には、通常の記録パワーが用いられ、その値は８〜２０
ｍＷ程度である。また、記録線速は３．５〜８．５ｍ／
ｓ程度、光スポット径は例えばレーザー光を用いた場
合、０．８〜１．０μｍ程度とする。
１．１≦ｄ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光は、
通常のドライブで使用するＤＣ光より強度が１．１〜２
倍程度強い光であり、強制劣化させることを意図するも
のである。つまり、通常のドライブでは、例えばレーザ
ー光を用いた場合、０．３〜０．８ｍＷのパワーで光照
射を行うが、本測定では０．７〜１．５ｍＷのパワーの
光照射を行うことになる。この場合、記録マークの形成
には、通常の記録パワーが用いられ、その値は８〜２０
ｍＷ程度である。また、記録線速は３．５〜８．５ｍ／
ｓ程度、光スポット径は例えばレーザー光を用いた場
合、０．８〜１．０μｍ程度とする。
【００１５】本発明者らの検討によると、前述のごと
く、記録線速応答性を高めると再生光安定性や保存安定
性が低下するものは、ｄowがｄ1より大きくなっている
ことを確認するとともに、ｄowがｄ1より小さくなる記
録材料を用いた光記録媒体は記録線速応答性と、再生光
安定性及び保存安定性にもすぐれることを確認した。従
って、本発明による光記録媒体は、上記の条件で再生を
行った場合に、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ
上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成され
る記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係
が、 ｄ1＞ｄow を満足するものである。
く、記録線速応答性を高めると再生光安定性や保存安定
性が低下するものは、ｄowがｄ1より大きくなっている
ことを確認するとともに、ｄowがｄ1より小さくなる記
録材料を用いた光記録媒体は記録線速応答性と、再生光
安定性及び保存安定性にもすぐれることを確認した。従
って、本発明による光記録媒体は、上記の条件で再生を
行った場合に、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ
上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成され
る記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係
が、 ｄ1＞ｄow を満足するものである。
【００１６】上記のような条件を満足するものは、記録
線速応答性及び再生光安定性並びに保存安定性にすぐ
れ、ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分耐えうるものである。
このような光記録媒体は、例えば、光の照射により結晶
相と非晶質相との間を可逆的に相変化する材料からな
い、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中か
ら選ばれた少なくとも２種以上の元素を含む記録層を有
するものを用いることができる。特に、記録層は下記式
（１）で表される元素の組合せを含むことが望ましい。 Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） また、本発明で用いる光記録媒体の記録層を、ＸＡＦＳ
で解析した結果、その結晶相の基本構造はＮａＣｌ型で
あり、かつＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であっ
た。図３に、本発明の光記録媒体の記録層に用いる材料
の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果を示
す。このデータからすべての材料についてＮａＣｌ構造
として指数付けができた。
線速応答性及び再生光安定性並びに保存安定性にすぐ
れ、ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分耐えうるものである。
このような光記録媒体は、例えば、光の照射により結晶
相と非晶質相との間を可逆的に相変化する材料からな
い、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中か
ら選ばれた少なくとも２種以上の元素を含む記録層を有
するものを用いることができる。特に、記録層は下記式
（１）で表される元素の組合せを含むことが望ましい。 Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） また、本発明で用いる光記録媒体の記録層を、ＸＡＦＳ
で解析した結果、その結晶相の基本構造はＮａＣｌ型で
あり、かつＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であっ
た。図３に、本発明の光記録媒体の記録層に用いる材料
の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果を示
す。このデータからすべての材料についてＮａＣｌ構造
として指数付けができた。
【００１７】本発明の光記録媒体の記録層中に含まれる
ＳｂとＴｅの合計の割合Ａは、記録線速度、再生光安定
性向上の観点から、原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７で
あること、０．８５≦Ａ≦０．９７であることが望まし
い。また、同様の観点から、記録層中のＳｂとＴｅは、
原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を
満足するように含まれることが望ましい。このことは図
１に示す傾向からも裏付けられる。また、記録層中にＧ
ｅが含まれる割合Ｂは、原子比で０．０１ａｔ％≦Ｂ≦
０．０７ａｔ％、より好ましくは０．０１ａｔ％≦Ｂ≦
０．０５ａｔ％である。このようなＧｅの添加は、上記
のようにＳｂとＴｅとの組成の関係で、記録線速対応性
をより向上させようとするとき、保存安定性の低下を阻
止する役割をする。従って、上記範囲のＧｅの添加が好
ましい。Ｇｅを添加した場合としない場合のジッタ特性
を比較したものを図４に示す。図４の（ａ）がＡｇ2.5
Ｉｎ3.0Ｓｂ71.5Ｔｅ23.0、（ｂ）がＡｇ0.5Ｉｎ3.0Ｓ
ｂ 71.5Ｔｅ23.0Ｇｅ2.0である。測定では、直径１２０
ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に上記
各組成の記録材料からなる膜を２０ｎｍ厚に設け、さら
にその上にＡｌからなる１４０ｎｍ厚の反射層を設けた
光記録媒体を用いた。これらの光記録媒体を８０℃８５
％ＲＨで保存してそのジッタ特性を測定した。図４よ
り、Ｇｅの添加により保存安定性が大幅に向上する傾向
がわかる。記録材料の下にはＺｎ・ＳｉＯ2からなる１
００ｎｍの保護層を配し、上には同じ材料からなる２０
ｎｍの保護層を配した。
ＳｂとＴｅの合計の割合Ａは、記録線速度、再生光安定
性向上の観点から、原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７で
あること、０．８５≦Ａ≦０．９７であることが望まし
い。また、同様の観点から、記録層中のＳｂとＴｅは、
原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を
満足するように含まれることが望ましい。このことは図
１に示す傾向からも裏付けられる。また、記録層中にＧ
ｅが含まれる割合Ｂは、原子比で０．０１ａｔ％≦Ｂ≦
０．０７ａｔ％、より好ましくは０．０１ａｔ％≦Ｂ≦
０．０５ａｔ％である。このようなＧｅの添加は、上記
のようにＳｂとＴｅとの組成の関係で、記録線速対応性
をより向上させようとするとき、保存安定性の低下を阻
止する役割をする。従って、上記範囲のＧｅの添加が好
ましい。Ｇｅを添加した場合としない場合のジッタ特性
を比較したものを図４に示す。図４の（ａ）がＡｇ2.5
Ｉｎ3.0Ｓｂ71.5Ｔｅ23.0、（ｂ）がＡｇ0.5Ｉｎ3.0Ｓ
ｂ 71.5Ｔｅ23.0Ｇｅ2.0である。測定では、直径１２０
ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に上記
各組成の記録材料からなる膜を２０ｎｍ厚に設け、さら
にその上にＡｌからなる１４０ｎｍ厚の反射層を設けた
光記録媒体を用いた。これらの光記録媒体を８０℃８５
％ＲＨで保存してそのジッタ特性を測定した。図４よ
り、Ｇｅの添加により保存安定性が大幅に向上する傾向
がわかる。記録材料の下にはＺｎ・ＳｉＯ2からなる１
００ｎｍの保護層を配し、上には同じ材料からなる２０
ｎｍの保護層を配した。
【００１８】Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅを含む記録層に用いる
材料の好ましい組成範囲は原子比で次の通りである。 Ｓｂ： ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好まし
くは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは
０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％ Ｔｅ： ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好まし
くは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％ Ｇｅ： ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好まし
くは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％ Ｓｂが上記範囲より少ないと記録線速の高い光ディスク
が得られず、上記範囲より多いと保存安定性が乏しくな
る。また、Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が乏
しくなったり、書換え特性が悪化し、上記範囲より多い
と高線速記録に向かなくなる。また、Ｇｅが上記範囲よ
り少ないと保存安定性が乏しくなり、上記範囲より多い
と高線速記録に向かなくなる。
材料の好ましい組成範囲は原子比で次の通りである。 Ｓｂ： ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好まし
くは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは
０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％ Ｔｅ： ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好まし
くは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％ Ｇｅ： ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好まし
くは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％ Ｓｂが上記範囲より少ないと記録線速の高い光ディスク
が得られず、上記範囲より多いと保存安定性が乏しくな
る。また、Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が乏
しくなったり、書換え特性が悪化し、上記範囲より多い
と高線速記録に向かなくなる。また、Ｇｅが上記範囲よ
り少ないと保存安定性が乏しくなり、上記範囲より多い
と高線速記録に向かなくなる。
【００１９】本発明の光記録媒体の記録層には、記録マ
ークの変調度向上等の特性の向上を目的としてＡｇ、Ｉ
ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素
を添加元素として含有させることができる。この場合、
これらの元素の添加量は０．０１〜０．０９ａｔ％程度
が好ましい。ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対
し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその
結合状態を解析した結果を図５〜図８に示す。これらの
図から明らかなように、添加元素はＴｅと結合している
様子がわかる。すなわち、本発明の記録材料は、初期結
晶化時の結晶構造がＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成
近傍の準安定相であるＮａＣｌ構造を基本とするもので
あり、各添加元素はＴｅに結合しているものである。
ークの変調度向上等の特性の向上を目的としてＡｇ、Ｉ
ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素
を添加元素として含有させることができる。この場合、
これらの元素の添加量は０．０１〜０．０９ａｔ％程度
が好ましい。ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対
し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその
結合状態を解析した結果を図５〜図８に示す。これらの
図から明らかなように、添加元素はＴｅと結合している
様子がわかる。すなわち、本発明の記録材料は、初期結
晶化時の結晶構造がＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成
近傍の準安定相であるＮａＣｌ構造を基本とするもので
あり、各添加元素はＴｅに結合しているものである。
【００２０】本発明の光記録媒体の記録層として、最も
好ましいものは、上記のような結晶構造及び相形態を有
し、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを含むものである。
ここでＧｅ、Ａｇ、Ｉｎは添加元素として存在する。こ
れらを含む記録材料の好ましい組成範囲は原子比で次の
通りである。 Ｓｂ： ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好まし
くは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは
０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％ Ｔｅ： ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好まし
くは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％ Ｇｅ： ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好まし
くは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％ Ａｇ： ０．００１ａｔ％〜０．０３ａｔ％、より好ま
しくは０．００１ａｔ％〜０．０２ａｔ％ Ｉｎ： ０．０２ａｔ％〜０．０９ａｔ％、より好まし
くは０．０３ａｔ％〜０．０９ａｔ％ Ｓｂが上記範囲より少ないと高線速記録に向かなくな
り、上記範囲より多いと保存安定性が悪化する。また、
Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が悪化し、上記
範囲より多いと高線速記録ができなくなったり、書換え
特性悪化となる。また、Ｇｅが上記範囲より少ないと保
存安定性が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録に向
かなくなる。また、Ａｇが上記範囲より少ないとジッタ
特性変調度が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録を
疎外する。また、Ｉｎが上記範囲より少ないと変調度が
とれなくなり、上記範囲より多いと再生光安定性が悪化
する。
好ましいものは、上記のような結晶構造及び相形態を有
し、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを含むものである。
ここでＧｅ、Ａｇ、Ｉｎは添加元素として存在する。こ
れらを含む記録材料の好ましい組成範囲は原子比で次の
通りである。 Ｓｂ： ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好まし
くは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは
０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％ Ｔｅ： ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好まし
くは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％ Ｇｅ： ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好まし
くは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％ Ａｇ： ０．００１ａｔ％〜０．０３ａｔ％、より好ま
しくは０．００１ａｔ％〜０．０２ａｔ％ Ｉｎ： ０．０２ａｔ％〜０．０９ａｔ％、より好まし
くは０．０３ａｔ％〜０．０９ａｔ％ Ｓｂが上記範囲より少ないと高線速記録に向かなくな
り、上記範囲より多いと保存安定性が悪化する。また、
Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が悪化し、上記
範囲より多いと高線速記録ができなくなったり、書換え
特性悪化となる。また、Ｇｅが上記範囲より少ないと保
存安定性が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録に向
かなくなる。また、Ａｇが上記範囲より少ないとジッタ
特性変調度が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録を
疎外する。また、Ｉｎが上記範囲より少ないと変調度が
とれなくなり、上記範囲より多いと再生光安定性が悪化
する。
【００２１】このような組成のものは、Ｃ／Ｎ、消去
比、感度、ジッタ、記録線速応答性、再生光安定性、保
存安定性の各観点において非常にすぐれたものであり、
ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分対応することができる。
比、感度、ジッタ、記録線速応答性、再生光安定性、保
存安定性の各観点において非常にすぐれたものであり、
ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分対応することができる。
【００２２】本発明の光記録媒体の記録層は、スパッタ
リング等の従来公知の製膜法で形成することができる。
スパッタリングで製膜する場合、その条件は例えば下記
のものとして行なった。投入電力０．５ｋＷ、Ａｒ（ア
ルゴン）ガス圧力２ｍＴｏｒｒ、製膜直前の製膜室の背
圧１×１０-7Ｔｏｒｒで、ＤＣマグネトロンスパッタ法
により製膜した。これらの条件は、例えば以前発明者ら
が行っていたＲｆ方式のスパッタ方式に比較して、記録
膜のスパッタレートが１．２倍以上となっているため、
より短時間で製膜を行なっているものである。このよう
な条件での製法により、本発明では、上記のような結晶
構造、組成形態、性状を有する記録層を形成することが
できた。記録層の膜厚は、５〜３０ｎｍ、好ましくは１
０〜２０ｎｍである。
リング等の従来公知の製膜法で形成することができる。
スパッタリングで製膜する場合、その条件は例えば下記
のものとして行なった。投入電力０．５ｋＷ、Ａｒ（ア
ルゴン）ガス圧力２ｍＴｏｒｒ、製膜直前の製膜室の背
圧１×１０-7Ｔｏｒｒで、ＤＣマグネトロンスパッタ法
により製膜した。これらの条件は、例えば以前発明者ら
が行っていたＲｆ方式のスパッタ方式に比較して、記録
膜のスパッタレートが１．２倍以上となっているため、
より短時間で製膜を行なっているものである。このよう
な条件での製法により、本発明では、上記のような結晶
構造、組成形態、性状を有する記録層を形成することが
できた。記録層の膜厚は、５〜３０ｎｍ、好ましくは１
０〜２０ｎｍである。
【００２３】本発明の光記録媒体は、基本的に、基板上
に上記のような記録層を設けて構成されるが、基板とし
ては、ガラス、セラミックス、樹脂等が使用され、中で
も、樹脂基板が成形性、コストの点で有利である。樹脂
の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂などが使用できるが、加工性、光学特性等か
ら、ポリカーボネート樹脂が好ましい。このポリカーボ
ネート樹脂を用いる場合、光入射面側に紫外線吸収層を
設けるとより好ましい。基板の形状は、ディスク状、カ
ード状、シート状の各種形態をとることができ、その厚
さも１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意のもの
とすることができる。
に上記のような記録層を設けて構成されるが、基板とし
ては、ガラス、セラミックス、樹脂等が使用され、中で
も、樹脂基板が成形性、コストの点で有利である。樹脂
の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂などが使用できるが、加工性、光学特性等か
ら、ポリカーボネート樹脂が好ましい。このポリカーボ
ネート樹脂を用いる場合、光入射面側に紫外線吸収層を
設けるとより好ましい。基板の形状は、ディスク状、カ
ード状、シート状の各種形態をとることができ、その厚
さも１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意のもの
とすることができる。
【００２４】本発明の光記録媒体は、必要に応じ、基板
と記録層の間に下引き層を、記録層の上に保護層を、さ
らにその上にハードコート層を設けることができる。ま
た、保護層とハードコート層の間に反射層を設けること
ができる。さらに、光記録媒体の少なくとも一方の面に
紫外線吸収層を設けることも好ましい。
と記録層の間に下引き層を、記録層の上に保護層を、さ
らにその上にハードコート層を設けることができる。ま
た、保護層とハードコート層の間に反射層を設けること
ができる。さらに、光記録媒体の少なくとも一方の面に
紫外線吸収層を設けることも好ましい。
【００２５】下引き層あるは保護層としては、ＳｉＯ、
ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、
ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状炭
素、あるいはその混合物を用いることができる。下引き
層及び保護層は、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製でき
る。下引き層の膜厚は２０〜２５０ｎｍ、好ましくは４
０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは１６０〜２５０ｎｍ
である。保護層の膜厚は５〜１５０ｎｍ、好ましくは１
０〜３０ｎｍである。
ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ
2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、
ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状炭
素、あるいはその混合物を用いることができる。下引き
層及び保護層は、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製でき
る。下引き層の膜厚は２０〜２５０ｎｍ、好ましくは４
０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは１６０〜２５０ｎｍ
である。保護層の膜厚は５〜１５０ｎｍ、好ましくは１
０〜３０ｎｍである。
【００２６】反射層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの
金属材料あるいはそれらにＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添加
材料を加えたものが使用できる。反射層はスパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ
法等によって作製できる。反射層の膜厚は５０〜２００
ｎｍ、好ましくは８０〜１５０ｎｍである。
金属材料あるいはそれらにＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添加
材料を加えたものが使用できる。反射層はスパッタリン
グ、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ
法等によって作製できる。反射層の膜厚は５０〜２００
ｎｍ、好ましくは８０〜１５０ｎｍである。
【００２７】ハードコート層には、ウレタンアクリレー
ト、アクリル酸エステル、あるいはそれらの混合物など
の紫外線硬化型樹脂が好ましく使用されるが、これに限
定されない。ハードコート層の厚さは１〜５０μｍ程度
が適当である。
ト、アクリル酸エステル、あるいはそれらの混合物など
の紫外線硬化型樹脂が好ましく使用されるが、これに限
定されない。ハードコート層の厚さは１〜５０μｍ程度
が適当である。
【００２８】本発明の光記録媒体を用いて情報の記録、
再生を行う場合、記録再生光としてはレーザー光の他、
各種の光を用いることができる。光スポット径は０．０
５〜２μｍ、より好ましくは０．１〜１．６μｍであ
る。記録光パワーは８〜２０ｍＷ程度であり、再生光パ
ワーは０．３〜１．０ｍＷ程度である。記録再生光の波
長は、２００〜１０００ｎｍ、より好ましくは４００〜
８００ｎｍである。記録線速は１〜３０ｍ／ｓ、好まし
くは１．２〜１８ｍ／ｓである。
再生を行う場合、記録再生光としてはレーザー光の他、
各種の光を用いることができる。光スポット径は０．０
５〜２μｍ、より好ましくは０．１〜１．６μｍであ
る。記録光パワーは８〜２０ｍＷ程度であり、再生光パ
ワーは０．３〜１．０ｍＷ程度である。記録再生光の波
長は、２００〜１０００ｎｍ、より好ましくは４００〜
８００ｎｍである。記録線速は１〜３０ｍ／ｓ、好まし
くは１．２〜１８ｍ／ｓである。
【００２９】
【実施例】以下本発明を実施例及び比較例によりさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３０】実施例１〜５、比較例１〜２ トラックピッチ０．７４μｍ、深さ約５００Åのグルー
ブが形成されたポリカーボネート製ディスク基板（厚さ
０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ）の上に、表１に示す組成
のスパッタリングターゲットを用い記録層を形成した。
このときのスパッタリング条件は下記の通りである。 背圧：１×１０-7Ｔｏｒｒ 使用ガス：Ａｒ ＲＦパワー：０．５ｋＷ ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ 次に、記録層の上にＡｌＴｉからなる反射層（厚さ１４
０ｎｍ）を形成し、実施例及び比較例の光ディスクとし
た。
ブが形成されたポリカーボネート製ディスク基板（厚さ
０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ）の上に、表１に示す組成
のスパッタリングターゲットを用い記録層を形成した。
このときのスパッタリング条件は下記の通りである。 背圧：１×１０-7Ｔｏｒｒ 使用ガス：Ａｒ ＲＦパワー：０．５ｋＷ ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ 次に、記録層の上にＡｌＴｉからなる反射層（厚さ１４
０ｎｍ）を形成し、実施例及び比較例の光ディスクとし
た。
【００３１】
【表１】
【００３２】上記で作成した各光ディスクについて下記
の条件で保存安定性、再生光安定性、ｄow対ｄ1、感度
を評価した。 Ｒ（＝σrepeat／σ1）：１．２〜１．５ レーザー波長：６６０ｎｍ レーザースポット径：０．９μｍ 対物レンズのＮＡ：０．６５ 再生線速：ＤＶＤ ＲＯＭ 等速（３．５ｍ／ｓ）
の条件で保存安定性、再生光安定性、ｄow対ｄ1、感度
を評価した。 Ｒ（＝σrepeat／σ1）：１．２〜１．５ レーザー波長：６６０ｎｍ レーザースポット径：０．９μｍ 対物レンズのＮＡ：０．６５ 再生線速：ＤＶＤ ＲＯＭ 等速（３．５ｍ／ｓ）
【００３３】また、各特性の評価方法は以下の通りであ
る。保存安定性 ８０℃〜９０℃、８５％ＲＨの高温高湿条件下に、記録
マークを記録したディスクを保存し、その前後の記録特
性（ジッタ特性）を評価した。再生光安定性 ０．５ｍＷ〜１．５ｍＷ程度の再生光を連続照射し、繰
り返し再生ジッタ特性の変化をモータする方法で行っ
た。ｄow対ｄ1 請求項１に記載の条件で行った（５０００回目の繰り返
し再生ジッタ特性を評価、書換え有無によりその特性値
の差を評価する）。感度 記録マークを所定のレーザーパワーにより書き込み、そ
の変調度が５０％以上のものを良好なものと判断した。
る。保存安定性 ８０℃〜９０℃、８５％ＲＨの高温高湿条件下に、記録
マークを記録したディスクを保存し、その前後の記録特
性（ジッタ特性）を評価した。再生光安定性 ０．５ｍＷ〜１．５ｍＷ程度の再生光を連続照射し、繰
り返し再生ジッタ特性の変化をモータする方法で行っ
た。ｄow対ｄ1 請求項１に記載の条件で行った（５０００回目の繰り返
し再生ジッタ特性を評価、書換え有無によりその特性値
の差を評価する）。感度 記録マークを所定のレーザーパワーにより書き込み、そ
の変調度が５０％以上のものを良好なものと判断した。
【００３４】上記の評価結果を表２、図９〜図１５に示
す。
す。
【表２】
【００３５】表２より、本発明の実施例による光ディス
クは、保存安定性、再生光安定性及び感度のいずれもす
ぐれたものであることが確認できた。また、本発明の実
施例による光ディスクは、記録線速対応性が８〜１３．
５ｍ／ｓとすぐれたものであった。これは、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭと同じ記録密度において、ＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速
〜３倍速に相当する。
クは、保存安定性、再生光安定性及び感度のいずれもす
ぐれたものであることが確認できた。また、本発明の実
施例による光ディスクは、記録線速対応性が８〜１３．
５ｍ／ｓとすぐれたものであった。これは、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭと同じ記録密度において、ＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速
〜３倍速に相当する。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成を採用したの
で、上記従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性がよ
り高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、しか
も高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる光
記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、この
光記録媒体を用いた光記録再生方法が提供可能となる。
で、上記従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性がよ
り高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、しか
も高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる光
記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、この
光記録媒体を用いた光記録再生方法が提供可能となる。
【図１】Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）と記録線速、保存安定性
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図２】再生光強度と再生ジッタ特性と再生回数との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図３】本発明による光記録媒体の記録層に用いる記録
材料の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果
を示す図である。
材料の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果
を示す図である。
【図４】Ｇｅの添加により保存安定性が大幅に向上する
傾向を比較して示す図である。
傾向を比較して示す図である。
【図５】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
【図６】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
【図７】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
【図８】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合
状態を解析した結果を示す図である。
【図９】実施例１のジッタ特性−再生回数の測定結果を
示す図である。
示す図である。
【図１０】実施例２のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】実施例３のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】実施例４のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】実施例５のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】比較例１のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図１５】比較例２のジッタ特性−再生回数の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 谷 克彦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩田 周行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA33 EA40 EA41 FA01 FB05 FB09 FB10 FB12 FB17 FB21 FB24 FB30 GA03 5D029 JA01 JB35 JC17 JC20 5D090 AA01 BB05 CC06 CC14 DD02 FF21 KK01 5D121 AA01 EE03 EE14 EE16
Claims (24)
- 【請求項１】 光の照射により情報の記録、再生を行う
書換えが可能な記録層を有する光記録媒体において、 該記録層に記録マークを形成しそれをＤＣ光で再生した
場合における１回目の再生ジッタσ1に対する５０００
回目の繰返し再生ジッタσrepeatとの比Ｒ（＝σrepeat
／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤ
Ｃ光を照射して再生を行った場合、１回目の再生ジッタ
σ1に対する５０００回繰返し再生ジッタσrepeatの上
昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）とすると、初回記録マー
クの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書
換えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光によ
るジッタ上昇率ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 該記録層が、光の照射による結晶相と非
晶質相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生
を行う書換えが可能な記録層であることを特徴とする請
求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の
元素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光
記録媒体。 - 【請求項４】 該記録層が下記式（１）で表される元素
の組合せを含むことを特徴とする請求項３に記載の光記
録媒体。 Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） - 【請求項５】 該記録層の結晶相の基本構造がＮａＣｌ
型であり、かつＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であ
ることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 該記録層中に含まれるＳｂとＴｅの合計
の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７であること
を特徴とする請求項５に記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 該記録層中のＳｂとＴｅが原子比で０．
６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を満足するよう
に含まれることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒
体。 - 【請求項８】 Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０
１≦Ｂ≦０．０７であることを特徴とする請求項４〜７
のいずれか一項に記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 該記録層がＡｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から
選ばれた少なくとも１種以上の元素を添加元素として含
む請求項４〜８のいずれか一項に記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、
Ｉｎを少なくとも含み、各元素の含有率が原子比で下記
のものであることを特徴とする請求項４〜９のいずれか
一項に記載の光記録媒体。 Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７ Ａｇ： ０．００１〜０．０３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９ - 【請求項１１】 光の照射により情報の記録、再生を行
う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体の該記録層
に用いる記録材料であって、 該記録材料で形成された記録層に記録マークを形成しそ
れをＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタ
σ1に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσrepeat
との比Ｒ（＝σrepeat／σ1）が１．１≦Ｒ≦２．０と
なるような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場
合、１回目の再生ジッタσ1に対する５０００回繰返し
再生ジッタσrepeatの上昇率をｄ（＝σrepeat／σ1）
とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇
率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成される記
録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄowの関係が、 ｄ1＞ｄow を満足することを特徴とする記録材料。 - 【請求項１２】 光の照射による結晶相と非晶質相との
可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換
えが可能な記録材料であることを特徴とする請求項１１
に記載の記録材料。 - 【請求項１３】 Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及
びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の元素を含
むことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の記録材
料。 - 【請求項１４】 下記式（１）で表される元素の組合せ
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の記録材料。 Ｓｂ＋ＴｅＭ （１） （但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の
混合である） - 【請求項１５】 結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であ
り、かつＳｂ−Ｓｂ3Ｔｅ2擬二元系共晶組成であること
を特徴とする請求項１４に記載の記録材料。 - 【請求項１６】 ＳｂとＴｅの合計の割合Ａが原子比で
０．８０≦Ａ≦０．９７であることを特徴とする請求項
１５に記載の記録材料。 - 【請求項１７】 ＳｂとＴｅが原子比で０．６５≦Ｓｂ
／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を満足するように含まれる
ことを特徴とする請求項１６に記載の記録材料。 - 【請求項１８】 Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．
０１≦Ｂ≦０．０７であることを特徴とする請求項１４
〜１７のいずれか一項に記載の記録材料。 - 【請求項１９】 Ａｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から選ばれた
少なくとも１種以上の元素を添加元素として含む請求項
１４〜１８のいずれか一項に記載の記録材料。 - 【請求項２０】 該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、
Ｉｎを少なくとも含み、各元素の含有率が原子比で下記
のものであることを特徴とする請求項１４〜１９のいず
れか一項に記載の記録材料。 Ｓｂ： ０．６０〜０．８０ Ｔｅ： ０．１５〜０．３０ Ｇｅ： ０．０１〜０．０７ Ａｇ： ０．００１〜０．０３ Ｉｎ： ０．０２〜０．０９ - 【請求項２１】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
の光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組
成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを
粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッ
タリングにより成膜する際、スパッタパワーが０．１〜
１．５ｋＷの条件で製膜することを特徴とする光記録媒
体の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
の光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組
成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを
粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッ
タリングにより成膜する際、スパッタ圧力が０．８〜９
ｍＴｏｒｒの条件で製膜するか、又は成膜直前のスパッ
タ室の圧力が９×１０-7Ｔｏｒｒ以下の直空度を保つよ
うにして成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２３】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
の光記録媒体を用い、スポット径が０．０５〜２．０μ
ｍの光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴
とする書換え可能な光記録再生方法。 - 【請求項２４】 請求項１〜１０のいずれか一項に記載
の光記録媒体を用い、記録線速が１．２〜２５ｍ／ｓで
光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴とす
る書換え可能な光記録再生方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000099757A JP4112153B2 (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 光記録媒体の検査方法 |
| US09/821,204 US20010041240A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-29 | Optical recording medium, recording material, method of producing optical recording medium, and optical recording, reading and rewriting method |
| US10/356,136 US6884487B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-01-31 | Optical recording medium, recording material, method of producing optical recording medium, and optical recording, reading and rewriting method |
| US10/976,061 US20050058055A1 (en) | 2000-03-31 | 2004-10-27 | Optical recording medium, recording material, method of producing optical recording medium, and optical recording, reading and rewriting method |
| US11/410,791 US7364781B2 (en) | 2000-03-31 | 2006-04-24 | Optical recording medium, recording material, method of producing optical recording medium and optical recording, reading and rewriting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000099757A JP4112153B2 (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 光記録媒体の検査方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006260502A Division JP4322906B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | 光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001283462A true JP2001283462A (ja) | 2001-10-12 |
| JP4112153B2 JP4112153B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=18614065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000099757A Expired - Fee Related JP4112153B2 (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 光記録媒体の検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20010041240A1 (ja) |
| JP (1) | JP4112153B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482109B2 (en) * | 2001-02-01 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60125993T2 (de) * | 2000-09-28 | 2007-10-18 | Ricoh Co., Ltd. | Optisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren und Vorrichtung zum Aufzeichnen auf oder Lesen von diesem Medium |
| TW565835B (en) * | 2001-01-10 | 2003-12-11 | Ricoh Kk | Phase change optical recording medium |
| JP2002237096A (ja) | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP4099953B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | 書換え型の多層光ディスク |
| JP2003228834A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-15 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方式及び光記録媒体 |
| US7260053B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same |
| WO2003098616A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tete optique |
| DE60308958T2 (de) * | 2002-07-22 | 2007-03-15 | Ricoh Co., Ltd. | Optisches Phasenübergangsaufzeichnungsmedium |
| US7260044B2 (en) * | 2002-09-06 | 2007-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Recording method for a phase-change optical recording medium |
| US7063875B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-06-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| JP3996051B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2007-10-24 | 株式会社リコー | 光記録方法 |
| JP3977740B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体とその記録方法 |
| US20040161700A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-19 | Mikiko Abe | Method of initializing phase change optical recording medium |
| US7194750B2 (en) * | 2003-01-28 | 2007-03-20 | Ricoh Company, Ltd. | Recording/reproducing apparatus and disk cartridge |
| US7407698B2 (en) * | 2003-05-07 | 2008-08-05 | Ricoh Company, Ltd. | Flexible optical disk |
| EP1515315B1 (en) * | 2003-08-26 | 2007-07-25 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording method, information recording device, optical information recording medium, program for recording information and storage medium |
| JP2005251265A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光記録媒体 |
| JP4382646B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2009-12-16 | 株式会社リコー | 光記録媒体とその製造方法 |
| US7367036B2 (en) * | 2004-09-08 | 2008-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Recording/reproduction apparatus, driving method therefor and disk cartridge |
| JP4348741B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2009-10-21 | 日本電気株式会社 | 光学的情報記録媒体及び光学的情報再生装置 |
| JP4650950B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2011-03-16 | 株式会社リコー | ディスク搬送装置及びディスク装置 |
| JP2008276900A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254382A (en) * | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| JP3255051B2 (ja) * | 1996-12-05 | 2002-02-12 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| WO1999044199A1 (fr) | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
| TW484126B (en) * | 1999-03-26 | 2002-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing and recording regeneration method for information record medium |
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000099757A patent/JP4112153B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-29 US US09/821,204 patent/US20010041240A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-01-31 US US10/356,136 patent/US6884487B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-27 US US10/976,061 patent/US20050058055A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-24 US US11/410,791 patent/US7364781B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482109B2 (en) * | 2001-02-01 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050058055A1 (en) | 2005-03-17 |
| US20060188686A1 (en) | 2006-08-24 |
| US20010041240A1 (en) | 2001-11-15 |
| US20030143365A1 (en) | 2003-07-31 |
| US7364781B2 (en) | 2008-04-29 |
| US6884487B2 (en) | 2005-04-26 |
| JP4112153B2 (ja) | 2008-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001283462A (ja) | 光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法 | |
| US6040066A (en) | Rewritable optical information medium | |
| US5876822A (en) | Reversible optical information medium | |
| JP2000132864A (ja) | 情報記録媒体及び情報記録装置 | |
| JP4018340B2 (ja) | 書換可能型光学情報媒体 | |
| JP2003072244A (ja) | ライト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子 | |
| US6127049A (en) | Rewritable optical information medium | |
| US5935672A (en) | Reversible optical information medium | |
| JP4322906B2 (ja) | 光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法 | |
| JP3810025B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体、その光記録媒体の成膜方法、及び光記録方法 | |
| JP3920731B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2004195742A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR20050026477A (ko) | 다층 광 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JP2986897B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2004181742A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2005093012A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP2002260274A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2005119194A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2005141826A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2007237437A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002046356A (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| JP2006255940A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2005161730A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2004249603A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2003059053A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050126 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050401 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060728 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071220 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080401 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080409 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |