JP2001281859A - アルカリネガ現像型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ水溶液による現像後パターンの下地基
盤との接着性に優れ、良好な形状のパターンが得られ、
高い現像解像度を与えるアルカリネガ現像型感光性樹脂
組成物、安価なアルカリ水溶液現像にて行え、現像後パ
ターンの下地基盤との接着性に優れ、良好な形状のパタ
ーンが得られるパターンの製造法及び信頼性に優れる電
子部品を提供する。 【解決手段】（ａ）分子鎖に酸官能基を有するアルカリ
水溶液に可溶であるポリイミド前駆体、（ｂ）感光剤及
び（ｃ）反応性不飽和官能基とアルコキシ基又はアシル
オキシ基を有する珪素化合物を含有してなるアルカリネ
ガ現像型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子
部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリネガ現像
型感光性樹脂組成物並びにこれを用いたパターンの製造
法及び電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体工業にあっては、従来より
無機材料を用いて行われていた層間絶縁材料として、ポ
リイミド樹脂等のような耐熱性に優れた有機物が、その
特性を活かして使用されてきている。しかし、半導体集
積回路やプリント基板上の回路パターン形成は、基材表
面へのレジスト材の造膜、所定箇所への露光、エッチン
グ等により不要箇所の除去、基板表面の洗浄作業等の煩
雑で多岐に亘工程を経てパターン形成が行われることか
ら、露光、現像によるパターン形成後も必要な部分のレ
ジストを絶縁材料としてそのまま残して用いることがで
きる耐熱感光材料の開発が望まれている。

【０００３】これらの材料として、例えば、感光性ポリ
イミド、環化ポリブタジエン等をベースポリマとした耐
熱感光材料が提案されており、特に感光性ポリイミド
は、その耐熱性が優れていることや不純物の排除が容易
であること等の点から特に注目されている。また、この
ような感光性ポリイミドとしては、ポリイミド前駆体と
重クロム酸塩からなる系（特公昭４９−１７３７４号公
報）が最初に提案されたが、この材料は、実用的な光感
度を有するとともに膜形成能が高い等の長所を有する反
面、保存安定性に欠け、ポリイミド中にクロムイオンが
残存すること等の欠点があり、実用には至らなかった。

【０００４】このような問題を回避するために、例え
ば、ポリイミド前駆体に感光基を有する化合物を付加も
しくは混合する方法（特開昭５４−１０９８２８号公
報）などが光架橋反応によりコントラストを作り出すネ
ガ型の感光性ポリイミドとして提案されている。

【０００５】しかし、これらのネガ型の感光性ポリイミ
ドは基本的に有機溶剤現像に対応した材料設計がなされ
ており、近年環境に対する配慮から廃液の処理において
問題が少ないとされるアルカリ水溶液現像型には対応し
ておらず、例えばフォトレジスト用現像液として広く用
いられている水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に
よるアルカリ現像を行うと、溶解性が悪いもしくはコン
トラストが付きづらいためパターンを形成することは困
難である。

【０００６】一方、アルカリネガ現像型の感光性ポリイ
ミドは基本的に材料として水溶性基を含有する必要があ
り、例えばポリイミド前駆体に対し部分的に光反応性基
を導入する方法（特開平３−２２０５５８号公報）によ
るアルカリネガ現像型感光性ポリイミド前駆体は極性も
高いため吸水による膨潤は避けがたく、特に現像時間の
超過した場合に現像パターンが基盤から剥離しやすくな
るため、保護膜としての信頼性を維持するためには現像
時間を厳しく管理しなければならない問題があった。こ
の裕度の狭さは現像特性の安定性、さらには半導体製造
工程における作業性を著しく損なうものであり、従って
アルカリネガ現像型の感光性ポリイミドは現像時におけ
る基盤接着性の改善を行う必要があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来品に比
べアルカリ水溶液による現像後パターンの下地基盤との
接着性に優れ、良好な形状のパターンが得られるアルカ
リネガ現像型感光性樹脂組成物を提供するものである。
また本発明は、前記課題に加えて、さらに高い現像解像
度を与えるアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物を提供
するものである。また本発明は、前記課題に加えて、ア
ルカリ現像時の膨潤が少なく現像後のパターン性に優れ
るアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物を提供するもの
である。

【０００８】また本発明は、多層配線板用の層間絶縁膜
や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファーコー
ト膜などのポリイミドパターン加工を従来の有機溶剤現
像ではなく、安価なアルカリ水溶液現像にて行え、現像
後パターンの下地基盤との接着性に優れ、良好な形状の
パターンが得られるパターンの製造法に関する。さらに
本発明は、前記パターンを有することにより信頼性に優
れる電子部品を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）分子鎖
に酸官能基を有するアルカリ水溶液に可溶であるポリイ
ミド前駆体、（ｂ）感光剤及び（ｃ）反応性不飽和官能
基とアルコキシ基又はアシルオキシ基を有する珪素化合
物を含有してなるアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物
に関する。また本発明は、さらに（ｄ）付加重合性化合
物を含有する前記のアルカリネガ現像型感光性樹脂組成
物に関する。

【００１０】また本発明は、前記（ａ）成分が、一般式
（１）

【化２】 （Ｘは、Ｘに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格におい
て非共有電子対を有する原子を含有しない４価の有機基
であり、Ｙは、Ｙに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格
において非共有電子対を有する原子を含有しない２価の
有機基であり、Ｒ及びＲ’は、各々独立にＯＨ又は１価
の有機基である）で示される繰り返し単位を有し、か
つ、分子中に酸官能性基及び感光性基が存在するポリイ
ミド前駆体であるアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物
に関する。

【００１１】また本発明は、前記（ａ）成分が、繰り返
し単位として、前記一般式（１）で示される繰り返し単
位のみを有するか、又は、一般式（１）で示される繰り
返し単位と、一般式（１）中のＹの代わりに、珪素原子
を含有する２価の有機基であるＹ”を有する繰り返し単
位とを含むものであるアルカリネガ現像型感光性樹脂組
成物に関する。また本発明は、前記（ｃ）成分が、反応
性不飽和官能基として、ビニル基、アクリロキシ基又は
メタクリロキシ基を有するものであるアルカリネガ現像
型感光性樹脂組成物に関する。

【００１２】また本発明は、前記のいずれかに記載の感
光性樹脂組成物を塗布する工程、前記工程により得られ
る塗布膜上にパターンを描いたマスク上から活性光線を
照射する工程、アルカリ現像液を用いて未照射部を除去
する工程、加熱処理する工程を含むパターンの製造法に
関する。また本発明は、前記活性光線がｉ線であるパタ
ーンの製造法に関する。さらに本発明は、前記の製造法
により得られるパターンの層を有してなる電子部品に関
する。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物は、ア
ルカリ水溶液で現像するため、用いられる（ａ）ポリイ
ミド前駆体は、アルカリ水溶液に可溶であることが必要
であり、このため、前駆体の構造に酸官能基を持たせ
る。酸官能基としては、カルボキシル基、フェノール性
水酸基、スルホン酸基等が挙げられるが、カルボキシル
基を有するものが良好な可溶性を付与できるので好まし
い。

【００１４】また、（ａ）ポリイミド前駆体は、感光性
を有することが好ましい。ここで、本発明における感光
性基とは、光により二量化又は重合する基をいうが、中
でも炭素−炭素不飽和二重結合を有する基が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、露光部分の前記（ａ）成
分が感光基の二量化又は重合により架橋し、アルカリ水
溶液に溶解しないか又は溶解しにくくなり、一方、未露
光部分は、（ａ）成分中の酸官能基の存在により溶解す
るものである（いわゆるネガ型の感光性樹脂組成物であ
る）。

【００１５】前記（ａ）感光性ポリイミド前駆体として
は、例えば、テトラカルボン酸又はその誘導体と、ジア
ミンとがアミド結合を形成して得られる下記一般式
（２）

【化３】 （Ｘ’は４価の有機基であり、Ｙ’は２価の有機基であ
り、Ｒ及びＲ’は各々独立にＯＨ又は１価の有機基であ
る）で示される繰り返し単位を有し、かつ、分子中に、
酸官能性基及び感光性基が存在するものが挙げられる。

【００１６】（ａ）成分としては、下記一般式（１）

【化４】 （Ｘは、Ｘに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格におい
て非共有電子対を有する原子を含有しない４価の有機基
であり、Ｙは、Ｙに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格
において非共有電子対を有する原子を含有しない２価の
有機基であり、Ｒ及びＲ’は、各々独立にＯＨ又は１価
の有機基である）で示される繰り返し単位を有し、か
つ、分子中に酸官能性基及び感光性基が存在する感光性
ポリイミド前駆体が好ましいものとして挙げられる。

【００１７】ここで、前記一般式（１）における、「Ｘ
に結合する２つのアミド基を結ぶ骨格において非共有電
子対を有する原子を含有しない４価の有機基」及び「Ｙ
に結合する２つのアミド基を結ぶ骨格において非共有電
子対を有する原子を含有しない２価の有機基」について
説明する。

【００１８】Ｘ及びＹの定義において「２つのアミド基
を結ぶ骨格」とは、２つのアミド結合を結ぶ結合の鎖を
構成する原子のみからなる骨格をいう。従って、水素原
子やフッ素原子など、末端として存在し、２つのアミド
結合を結ぶ結合の鎖を形成しない原子は、前記骨格には
含まれない。但し、その骨格中に環（芳香環や脂環）を
構成する原子を含む場合は、その環を構成する原子全て
も前記「骨格」に含まれるものとする。例えば、ベンゼ
ン環やシクロへキシル環を含む場合、そのベンゼン環又
はシクロへキシル環自体を構成する６つの炭素原子が、
前記「骨格」に含まれるものとする。なお、ベンゼン環
やシクロへキシル環上に結合する置換基や水素原子は、
ここでいう「骨格」には含まれない。

【００１９】従って、骨格上にカルボニル結合が存在す
る場合は、上記２つのアミド基を結ぶ鎖を構成するの
は、カルボニル基中の炭素原子のみであるから、カルボ
ニル基中の酸素原子は前記「骨格」を構成するものとは
しない。また、２，２−プロピリデン結合やヘキサフル
オロ−２，２−プロピリデン結合については、中心（２
位）に存在する炭素原子のみが骨格を構成するものであ
り、両端の炭素原子（１位又は３位）は前記「骨格」を
構成するものとはしない。本発明において、「非共有電
子対を有する原子」の例としては、酸素原子、窒素原
子、硫黄原子等が挙げられ、一方、「非共有電子対を有
しない原子」としては、炭素原子、珪素原子等が挙げら
れる。

【００２０】本発明に用いる（ａ）感光性ポリイミド前
駆体において、Ｘが前述のように骨格に非共有電子対を
有する原子を含有しないものであると、アルカリ現像時
の膨潤が少ないため好ましく、Ｙも同様な理由により骨
格に非共有電子対を有する原子を含有しないものが好ま
しい。

【００２１】また、本発明に用いる（ａ）感光性ポリイ
ミド前駆体において、繰り返し単位中のＹのかわりに、
その一部として珪素原子を含有するＹ”を有するもの、
例えば、シロキサン結合を含むものがあれば、より高い
基盤接着性を付与することができるため好ましい。この
場合、その比率が感光性ポリイミド前駆体を形成する全
てのジアミン残基のうちの１〜２０モル％であることが
好ましい。

【００２２】前記一般式（１）におけるＸ及びＹとして
は、炭素原子数が４〜２０のアルキル鎖、シクロヘキシ
ル環等のシクロアルキル環や、炭素原子数が６〜２０の
ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香環、これらの芳香環
の２〜１０個が単結合、アルキレン基、フッ素化アルキ
レン基、カルボニル基等を介して結合したものが好まし
いものとして挙げられる。また、これらは、芳香環上
に、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子
等の置換基を有していてもよい。なお、これらのＸ及び
Ｙのなかで、前記骨格を構成する原子に直接結合する原
子もまた「非共有電子対を有しない原子」であること
が、その効果が高く好ましい（この定義には、カルボニ
ル基のように、骨格を構成する炭素原子に酸素原子が直
接結合するものや、骨格を構成する炭素原子にフッ素原
子が結合するものは除かれる。）。また、さらにＸ及び
Ｙはフッ素原子を含まないものであることが本発明の効
果が高く好ましい。

【００２３】（ａ）成分の分子中に含まれる酸官能性基
としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スル
ホン酸基等が挙げられ、中でもカルボキシル基が好まし
い。また、感光性基としては、炭素−炭素不飽和二重結
合を含む、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタ
クリロイル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基等が
好ましく、中でもアクリロイル基、メタクリロイル基、
アクリロキシ基、メタクリロキシ基が好ましい。

【００２４】（ａ）成分において、酸官能性基は、一般
式（１）又は（２）の繰り返し単位におけるＲ又はＲ’
をＯＨとしたもの（即ち、カルボキシル基を形成する）
として存在させるか、Ｙ又はＹ’で示されるジアミン残
基中、存在させることが好ましい。また、感光性基は、
前記式中のＲ若しくはＲ’で示される側鎖又はＹ若しく
はＹ’で示されるジアミン残基中、例えば芳香環を有す
るジアミン残基の芳香環に結合する基として、に存在さ
せることが好ましい。

【００２５】一般式（１）又は（２）の繰り返し単位の
Ｒ及びＲ’において、一価の有機基としては、感光性基
を有するものとして：

【化５】 （式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に炭素数１〜６の一価
の炭化水素基、Ｒ^３は炭素数１〜１０の二価の炭化水素
基、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示す）で表されるも
の、感光性基を有しないものとして：炭素数が１〜１５
のアルコキシ基又は炭素数が１〜１５のアルキルアミノ
基など、が挙げられる。前記一般式（１）で示される繰
り返し単位を有する（ａ）成分としては、全繰り返し単
位に対して、一般式（１）で示される繰り返し単位を５
０〜１００モル％有するものであることが好ましく、中
でも、繰り返し単位として、前記一般式（１）で示され
る繰り返し単位のみを有するか、又は、一般式（１）で
示される繰り返し単位と、一般式（１）中のＹが珪素原
子を含有する２価の有機基である繰り返し単位とを有す
るものであることが好ましい。

【００２６】上記（ａ）の感光性ポリイミド前駆体は、
その分子量が重量平均分子量で、８０，０００から５，
０００の範囲にあることが好ましい。重量平均分子量
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により
測定し標準ポリスチレン換算することにより測定するこ
とができる。

【００２７】上記（ａ）成分の感光性ポリイミド前駆体
は、テトラカルボン酸二無水物、ジアミン及び必要に応
じて感光性基を有する化合物を材料として得ることがで
き、各種の既知の製造法が適用できる。例えば、特公平
４−６２３０６号公報等に記載されるように、テトラカ
ルボン酸二無水物およびジアミンの縮合重合物であるポ
リアミック酸に対し、Ｎ，Ｎ’−ジヒドロカルビル置換
カルボジイミド、トリフルオロ酢酸無水物およびそれら
の混合物よりなる群より選択されるイソイミド化剤を用
いた合成法により合成することが可能である。

【００２８】材料として用いられる上記テトラカルボン
酸二無水物としては、前記Ｘを与える物として、例え
ば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，
８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ｍ−タ
ーフェニルー３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二
無水物、ｐ−ターフェニルー３，３’，４，４’−テト
ラカルボン酸二無水物、４，４’−ヘキサフルオロイソ
プロピリデンジフタル酸二無水物、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等が挙げら
れ、これらは、単独で又は二種以上を組み合わせて用い
られる。なかでも、ピロメリット酸二無水物、３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
が好ましいものとして挙げられる。

【００２９】また、ジアミンとしては、前記Ｙを与える
物として、例えば、２，２’−ジメチル−４，４’−ジ
アミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジ
アミノビフェニル、２，２’，６，６’−テトラメチル
−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’，５，５’
−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，
４，−（又は３，４，−、３，３，−、２，４，−、
２，２，−）ジアミノジフェニルメタン、ｐ−キシリレ
ンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、４，４，−メチ
レン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）、４，４，
−メチレン−ビス−（２，６−ジイソプロピルアニリ
ン）、１，５，−ジアミノナフタレン、３，３，−ジメ
チル−４，４，−ジアミノジフェニルメタン、３，３，
５，５，−テトラメチル−４，４，−ジアミノジフェニ
ルメタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２，２’−ヘキサフルオロジメチル−４，４’−ジ
アミノビフェニル、３，３’−ヘキサフルオロジメチル
−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデンジアニリン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２，３，５，６−テトラメチル−
１，４−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−１，
４−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、
２，６−ジアミノトルエン、２，４，６−トリメチル−
１，３−フェニレンジアミン、２，７−ジアミノフルオ
レン、４，４−ジアミノオクタフルオロビフェニル、
２，２−ヘキサフルオロジメチル−４，４’−ジアミノ
ビフェニル等が好ましいものとして挙げられ、これらは
単独又は二種以上を組み合わせて用いられる。

【００３０】なかでも、２，２’−ジメチル−４，４’
−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’
−ジアミノビフェニル、２，２’，６，６’−テトラメ
チル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’，５，
５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、
パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、
２，４−ジアミノメシチレン、２，３，５，６−テトラ
メチル−１，４−フェニレンジアミン、２，５−ジメチ
ル−１，４−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノト
ルエン、２，６−ジアミノトルエン、２，４，６−トリ
メチル−１，３−フェニレンジアミン等が好ましいもの
として挙げられる。

【００３１】またＹは、アミノ基を結ぶ骨格に非共有電
子対を有する原子を含有しない二官能性アミンであれ
ば、酸官能基としてフェノール性水酸基／またはカルボ
キシル基を少なくとも一つ有していてもよい。例えば、
２，５−ジアミノ安息香酸、３，４−ジアミノ安息香
酸、３，５−ジアミノ安息香酸、２，５−ジアミノテレ
フタル酸、ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニ
ル）メチレン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカル
ボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジ
カルボキシ−２，２’−ジメチルビフェニル、１，３−
ジアミノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミノ
−５−ヒドロキシベンゼン、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ
−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス（４−アミノ−３−カルボキシフ
ェニル）メタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカ
ルボキシビフェニル等が好ましいものとして挙げられ
る。これらは前記ジアミンとともに単独又は二種以上を
組み合わせて用いられる。なかでも、２，５−ジアミノ
安息香酸、３，５−ジアミノ安息香酸、２，５−ジアミ
ノテレフタル酸、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカ
ルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−５，５’−
ジカルボキシ−２，２’−ジメチルビフェニルが好まし
いものとして挙げられる。

【００３２】さらに、珪素原子を含有するＹ”を与える
ものとして、下記一般式（３）

【化６】 （ｍ、ｎは各々独立に１〜１０の整数であり、ｓは１〜
１０の整数である）で示されるジアミノポリシロキサン
等の脂肪族ジアミンを挙げることができる。これを用い
る場合、その配合量は、全ジアミンのうち２０モル％以
下である方が、現像時の膨潤が少なく、また形成される
膜物性における耐熱性などの点から好ましい。なお、そ
の他、本発明の効果を損なわない程度に、前記Ｘ及びＹ
で示されるもの以外の残基を与えるテトラカルボン酸二
無水物又はジアミンを用いることもできる。

【００３３】感光性基を有するポリイミド前駆体とする
には、例えば、炭素−炭素不飽和二重結合とアミノ基ま
たはその四級化塩の基とを有する化合物が、ポリアミド
酸のカルボキシル基とアミノ基またはその四級化塩の基
の部分でイオン結合した形を呈するポリイミド前駆体と
する方法、エステル結合、アミド結合等の共有結合を介
して側鎖に炭素−炭素不飽和二重結合を導入する方法等
がある。

【００３４】これらの中で、特にエステル結合で炭素−
炭素不飽和二重結合を導入した形の感光性ポリイミド前
駆体（ポリアミド酸エステル）がアルカリ現像に好適で
ある。エステル結合で炭素−炭素不飽和二重結合を導入
する場合、前記炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合
物の導入量は、アルカリに対する溶解性、光硬化性、耐
熱性等と反応性との両立の点からポリアミド酸の有する
カルボキシル基の総量に対し８５〜２５モル％となる量
とし、残りをカルボキシル基のまま（即ちポリアミド酸
部分エステル）とすることが好ましい。

【００３５】ここでエステル結合により炭素−炭素不飽
和二重結合を導入する化合物の例としては次の化合物が
挙げられる。２−ヒドロキシエチルアクリレート、３−
ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタクリレ
ート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、ペンタエリスリトールジア
クリレートモノステアレート、ペンタエリスリトールト
リアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレ
ート、カプロラクトン２−（メタクリロイロキシ）エチ
ルエステル、ジカプロラクトン２−（メタクリロイロキ
シ）エチルエステル、カプロラクトン２−（アクリロイ
ロキシ）エチルエステル、ジカプロラクトン２−（アク
リロイロキシ）エチルエステルなど。

【００３６】本発明における感光性樹脂組成物には、さ
らに（ｂ）感光剤が含まれる。感光剤としては例えば、
ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、４，４−ビス（ジ
エチルアミノ）ベンゾフェノン、３，３，４，４−テト
ラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン
等のベンゾフェノン類や３，５−ビス（ジエチルアミノ
ベンジリデン）−Ｎ−メチル−４−ピペリドン、３，５
−ビス（ジエチルアミノベンジリデン）−Ｎ−エチル−
４−ピペリドン等のベンジリデン類、７−ジエチルアミ
ノ−３−テノニルクマリン、４，６−ジメチル−３−エ
チルアミノクマリン、３，３−カルボニルビス（７−ジ
エチルアミノクマリン）、７−ジエチルアミノ３−（１
−メチルメチルベンゾイミダゾリル）クマリン、３−
（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリ
ン等のクマリン類、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２
−エチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノ
ン等のアントラキノン類、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル等のベンゾイン類、２，４−ジメチルチオキサン
トン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイ
ソプロピルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサ
ントン等のチオキサントン類、エチレングリコールジ
（３−メルカプトプロピオネート）、２−メルカプトベ
ンズチアゾール、２−メルカプトベンゾキサゾール、２
−メルカプトベンズイミダゾール等のメルカプト類、Ｎ
−フェニルグリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルグリシ
ン、Ｎ−エチル−Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシ
ン、Ｎ−（４−シアノフェニル）グリシン等のグリシン
類、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−
メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２
−プロパンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オ
キシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−
（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−
１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキ
シム等のオキシム類、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダ
ゾール等の光重合開始剤又は増感剤が挙げられる。これ
らは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。

【００３７】これらの中で、本発明においては、上記の
ベンゾフェノン類、グリシン類、メルカプト類、オキシ
ム類及び２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，
４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾールの中か
ら選択される組み合わせが光反応の点から好ましい。こ
れらの感光剤は、単独で又は二種類以上を組み合わせて
使用される。感光剤の使用量は、反応性及びその他の特
性の点から（ａ）成分であるポリイミド前駆体１００重
量部に対して、０．０１〜４０重量部が好ましい。通
常、１種類につき０．０１〜１５重量部、組み合わせる
場合は合計で０．１〜４０重量部とされる。

【００３８】本発明においては、（ｃ）反応性不飽和官
能基と、アルコキシ基又はアシルオキシ基を有する珪素
化合物は接着助剤としての機能を有するが、この化合物
を使用することが重要であり、種々の珪素化合物の中で
もこの化合物を使用することにより、現像後パターンの
下地基板との接着性及びパターン形状の面で優れる。

【００３９】ここで、前記反応性不飽和官能基とは、反
応性の炭素−炭素不飽和二重結合、炭素−炭素不飽和三
重結合等を含み、通常、一体の置換基として扱われるも
のを指し、例えば、ビニル基、イソプロペニル基、アリ
ル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、アクロイル
基、メタクリロイル基、ビニリデン基、ビニレン基、エ
チニル基、プロパルギル基等が挙げられる。これらの中
でも、ビニル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基が
反応性の面で好ましい。またその官能基の含有数として
は１〜４が好ましい。それぞれの官能基は同一の基でな
くとも構わない。

【００４０】また、アルコキシ基としては、炭素原子数
が１〜５のものが挙げられ、アシルオキシ基としては、
炭素原子数が１〜５のものが挙げられるが、反応性の点
から、メトキシ基、エトキシ基、アセトキシ基等が好ま
しいものとして挙げられる。（ｃ）成分の具体例として
は、例えば、ジエトキシメチルビニルシラン、トリアセ
トキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、ブテ
ニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、
アリルジメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、
３−アリルチオプロピルトリメトキシシラン、７−オク
テニルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（アクリロキシ−
２−ヒドロキシプロピル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、ビ
ニルフェニルジエトキシシラン、３−アリルアミノプロ
ピルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメ
トキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラ
ン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラ
ン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メ
タクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリイソプ
ロポキシビニルシラン、トリス（２−メトキシエトキ
シ）ビニルシラン、６−トリエトキシシリル−２−ノル
ボルネン、（２−（３−シクロヘキセニル）エチル）ト
リメトキシシラン、（２−（３−シクロヘキセニル）エ
チル）トリエトキシシラン等が挙げられる。これらは単
独で又は２種類以上を組み合わせて使用できる。

【００４１】これらの中でも、反応性不飽和官能基が共
役型の二重結合を有するビニル基、メタクリロイル基も
しくはアクリロイル基を有するもの、例えば、スチリル
エチルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（アクリロキシ−
２−ヒドロキシプロピル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、３−アリルアミノプロピルトリメトキシ
シラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メ
タクリロキシメチルトリエトキシシラン、３−メタクリ
ロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−アクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロ
ピルトリエトキシシラン等が反応性が高く好ましいもの
として挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組
み合わせて使用できる。

【００４２】本発明における（ｃ）成分の化合物の使用
量は、（ａ）成分のポリイミド前駆体の量１００重量部
に対して、０．１〜３０重量部とすることが好ましい。
この使用量が０．１重量部未満であると、現像時に膜が
剥離しやすくなる傾向があり、３０重量部を超えた場合
は相溶性が悪いため樹脂が懸濁することがあり、また膜
形成時に膜が白化することがある。

【００４３】さらに本発明の感光性樹脂組成物は、
（ｄ）付加重合性化合物を含有することが好ましい。付
加重合性化合物とは、反応性不飽和官能基を含有するも
のである。ここで、前記反応性不飽和官能基とは、反応
性の炭素−炭素不飽和二重結合、炭素−炭素不飽和三重
結合等を含み、通常、一体の置換基として扱われるもの
を指し、例えば、ビニル基、イソプロペニル基、アリル
基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、アクロイル
基、メタクリロイル基、ビニリデン基、ビニレン基、エ
チニル基、プロパルギル基等が挙げられる。またその官
能基の数としては安定性の点から１〜４であることが好
ましく、それぞれは同一の基でなくとも構わない。

【００４４】（ｄ）付加重合性化合物の具体例として
は、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメ
タクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレー
ト、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリ
メチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメ
タクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート、スチレン、α−メチルスチレン、１，２−ジヒド
ロナフタレン、１，３−ジイソプロペニルベンゼン、３
−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−ビニルナ
フタレン、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレー
ト、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、
イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、１，３−ブタンジ
オールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタ
ンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールメタクリ
レート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、
１，１０−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロ
ール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリス
リトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテト
ラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、２
−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−
ヒドロキシプロパン、１，３−メタクリロイルオキシ−
２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロール
アクリルアミド等が挙げられる。これらは単独で又は２
種類以上を組み合わせて使用される。

【００４５】これらの中で、本発明の組成物において
は、反応性の点から例えば、ジエチレングリコールジア
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、トリエチレングリコール
ジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタク
リレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、
１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリス
リトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラメタクリレート等が好ましい。これらは単独で又は
２種類以上を組み合わせて使用される。

【００４６】本発明における（ｄ）成分の使用量は、
（ａ）成分のポリイミド前駆体の量１００重量部に対し
て、５〜１００重量部とすることが好ましく、相溶性の
点から５〜４０重量部とすることがより好ましい。この
使用量が、５重量部未満であると、現像時に露光部が溶
出するため現像後の膜が残らなくなる傾向があり、１０
０重量部を超えた場合も同様に現像後の膜が残らなくな
る傾向があり、また膜形成時に膜が白化することがあ
る。

【００４７】また、本発明の感光性樹脂組成物には、保
存時の安定性を高めるために、ラジカル重合禁止剤又は
ラジカル重合抑制剤を含有することができる。ラジカル
重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤としては、例えば、
ｐ−メトキシフェノール、ジフェニル−ｐ−ベンゾキノ
ン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フ
ェノチアジン、レソルシノール、オルトジニトロベンゼ
ン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フ
ェナントラキノン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミ
ン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、クペロン、フ
ェノチアジン、２，５−トルキノン、タンニン酸、パラ
ベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類等が挙げ
られる。これらは単独で又は２種類以上組み合わせて使
用される。ラジカル重合禁止剤又はラジカル重合抑制剤
を用いる場合、その使用量は、通常（ａ）成分のポリイ
ミド前駆体の量１００重量部に対して、０．０１〜３０
重量部とされることが好ましい。

【００４８】本発明における感光性樹脂組成物には、感
光性樹脂組成物に用いることが知られている他の添加
物、例えば可塑剤や接着促進剤等の添加物を含有しても
よい。上記感光性樹脂組成物は、一般に有機溶媒に溶解
して製造されるが、用いる有機溶媒としては、生成する
ポリイミドを完全に溶解する極性溶媒が一般に好まし
く、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド及びγ−ブチロラクトン等が挙げら
れる。

【００４９】その他、この極性溶媒以外に、ケトン類、
エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化
水素類、炭化水素類、例えば、アセトン、ジエチルケト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、ジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，４
−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロロベンゼ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、ベンゼン、トルエン、キシレン等も使用すること
ができる。これらの有機溶媒は、単独で又は二種類以上
を組み合わせて使用される。

【００５０】本発明の感光性樹脂組成物は、浸漬法、ス
プレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によってシ
リコンウエーハ、金属基板、セラミック基板等の基材上
に塗布され、溶剤を適度に加熱乾燥することにより粘着
性のない塗布膜とすることができる。この塗布膜上に、
所望のパターンが描かれたマスクを通して活性光線又は
化学線を照射する。活性光線又は化学線を照射する装置
としては、超高圧水銀灯を用いるコンタクト／プロキシ
ミテイ露光機、ミラープロジェクション露光機、ｉ線ス
テッパ、ｇ線ステッパ、その他の紫外線、可視光源や、
Ｘ線、電子線発生装置などを用いることができる。現在
では、ｉ線露光が主流となりつつあり、本発明の組成物
はこのｉ線露光でのパターン形成に好適である。

【００５１】照射後、未照射部を現像液で溶解除去する
ことにより所望のネガパターンを得る。現像液として
は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液やトリエタ
ノールアミン水溶液等のアルカリ水溶液等が用いられ
る。現像後は必要に応じて水又は貧溶媒でリンスが行わ
れる。これにより得られたパターンを加熱することによ
り、感光剤と溶媒を完全に除去した安定な高耐熱性ポリ
イミドパターンを得る。

【００５２】この時の加熱温度は、１５０〜５００℃と
することが好ましく、２００〜４００℃とすることがよ
り好ましい。この加熱温度が、１５０℃未満であると、
ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向があ
り、５００℃を超えると、ポリイミド膜の機械特性及び
熱特性が低下する傾向がある。また、この時の加熱時間
は、０．０５〜１０時間とすることが好ましい。この加
熱時間が、０．０５時間未満であると、ポリイミド膜の
機械特性及び熱特性が低下する傾向があり、１０時間を
超えると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低下す
る傾向がある。

【００５３】このようにして本発明の感光性樹脂組成物
を用いて得られるポリイミドパターンは、半導体用表面
保護膜、多層配線板の層間絶縁膜等に使用することがで
きる。本発明の感光性樹脂組成物を用いた表面保護膜
は、ＳｉＮや封止剤等との接着性に優れるため、本発明
の感光性樹脂組成物から得られた表面保護膜を用いた半
導体素子は、極めて信頼性に優れるものとなる。

【００５４】本発明の電子部品は、前記組成物を用いて
形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は
特に制限されず、様々な構造をとることができる。本発
明の電子部品の一例として、半導体装置の製造工程の一
例を以下に説明する。

【００５５】図１は多層配線構造の半導体装置の製造工
程図である。図において、回路素子を有するＳｉ基板等
の半導体基板は、回路素子の所定部分を除いてシリコン
酸化膜等の保護膜２で被覆され、露出した回路素子上に
第１導体層が形成されている。前記半導体基板上にスピ
ンコート法等で層間絶縁膜としてのポリイミド樹脂等の
膜４が形成される（工程（ａ））。

【００５６】次に塩化ゴム系、フェノールノボラック系
等の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜４上にスピンコー
ト法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分
の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられてい
る（工程（ｂ））。

【００５７】前記窓６Ａの層間絶縁膜４は、酸素、四フ
ッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によっ
て選択的にエッチングされ、窓６Ｂがあけられている。
ついで窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食すること
なく、感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶
液を用いて感光樹脂層５が完全に除去される（工程
（ｃ））。

【００５８】さらに公知の写真食刻技術を用いて、第２
導体層７を形成させ、第１導体層３との電気的接続が完
全に行われる（工程（ｄ））。３層以上の多層配線構造
を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を
形成することができる。

【００５９】次に表面保護膜８が形成される。この図の
例では、この表面保護膜を前記感光性重合体組成物をス
ピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形
成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後ア
ルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、加熱して
ポリイミド膜とする。このポリイミド膜は、導体層を外
部からの応力、α線などから保護するものであり、得ら
れる半導体装置は信頼性に優れる。なお、上記例におい
て、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形
成することも可能である。

【００６０】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。なお、以下の合成例では、イソイミド化剤として
Ｎ，Ｎ’−ジヒドロカルビル置換カルボジイミドを用い
たが、代わりにトリフルオロ酢酸無水物を用いても構わ
ない。その場合には合成例に記載のイソイミド化剤使用
量と同当量のトリフルオロ酢酸無水物を用いればよい。

【００６１】合成例１ 乾燥窒素下に１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の１５．２７ｇ（０．０７０モル）のピロメリット酸二
無水物の撹拌溶液に１．３０ｇ（０．０１０モル）の２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを加えた。溶液を室
温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した後、室温まで
冷却した。この反応溶液を１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチル
ピロリドン中の８．４９ｇ（０．０４０モル）の３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル及び
０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの溶液の撹拌
溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌し
た。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の
２６．８２ｇ（０．１３０モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘ
キシルカルボジイミドの溶液を３０分にわたり得られた
反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反応溶液に
対し４５．５５ｇ（０．３５モル）の２−ヒドロキシエ
チルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、そして室
温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセト
ンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ過液を
２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌しながら
処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水ついで
メタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥
し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少なくなる
まで減圧乾燥した。

【００６２】合成例２ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の１５．７０ｇ（０．０７２モル）のピロメリット酸二
無水物の撹拌溶液に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを加えた。溶液を室
温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した後、室温まで
冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の５．０９ｇ（０．０２４モル）の３，３’
−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３．６５
ｇ（０．０２４モル）の３，５−ジアミノ安息香酸およ
び０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３−ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの溶液の撹
拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌し
た。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の
２７．９ｇ（０．１３５モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキ
シルカルボジイミドの溶液を３０分にわたり得られた反
応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反応溶液し対
し３９．０４ｇ（０．３０モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、そして室温
で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセトン
で希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ過液を２．
０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理
した。析出した固形物をさらにイオン交換水ついでメタ
ノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室
温にて水分含有率が１．０重量％より少なくなるまで減
圧乾燥した。

【００６３】合成例３ 乾燥窒素下に１２５ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の１６．３６ｇ（０．０７５モル）のピロメリット酸二
無水物の撹拌溶液に２．６０ｇ（０．０２０モル）の２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを加えた。溶液を室
温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した後、室温まで
冷却した。この反応溶液を７５ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の３．０３ｇ（０．０２８モル）のメタフェ
ニレンジアミン、４．２６ｇ（０．０２８モル）の３，
５−ジアミノ安息香酸および０．２５ｇ（０．００１モ
ル）の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下
添加し、室温で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥
Ｎ−メチルピロリドン中の２８．８９ｇ（０．１４０モ
ル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液
を３０分にわたり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下
添加した。この反応溶液し対し４５．５５ｇ（０．３５
モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、
５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌した。この反応
混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により
不溶物を除いたろ過液を２．０リットルのイオン交換水
にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさ
らにイオン交換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フ
ィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０
重量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００６４】合成例４ 乾燥窒素下に１４０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の８．７２ｇ（０．０４０モル）のピロメリット酸二無
水物および１１．７７ｇ（０．０４０モル）の３，３，
４，４，−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌
溶液に３．１２ｇ（０．０２４モル）の２−ヒドロキシ
エチルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そ
して３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。こ
の反応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の
３．０３ｇ（０．０２８モル）のメタフェニレンジアミ
ンおよびｇ（０．０２８モル）の３，５−ジアミノ安息
香酸および４．２６ｇ（０．０２８モル）の１，３−ビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの
溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一
夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリ
ドン中の２８．８９ｇ（０．１４０モル）のＮ，Ｎ−ジ
シクロヘキシルカルボジイミドの溶液を３０分にわたり
得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反
応溶液し対し３９．０４ｇ（０．３０モル）の２−ヒド
ロキシエチルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、
そして室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌ
のアセトンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ
過液を２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌し
ながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水
ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引
乾燥し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少なく
なるまで減圧乾燥した。

【００６５】合成例５ 乾燥窒素下に１２５ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２１．１８ｇ（０．０７２モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を７５ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の１
１．６８ｇ（０．０５５モル）の３，３’−ジメチル−
４，４’−ジアミノビフェニルおよび０．２５ｇ（０．
００１モル）の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時間にわ
たり滴下添加し、室温で一夜撹拌した。その後１００ｍ
ｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２８．８９ｇ（０．
１４モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
の溶液を３０分にわたり得られた反応溶液に撹拌しなが
ら滴下添加した。この反応溶液し対し３９．００ｇ
（０．３０モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレー
トを加え、５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌し
た。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸
引ろ過により不溶物を除いたろ過液を２．０リットルの
イオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出し
た固形物をさらにイオン交換水ついでメタノールにて洗
浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含
有率が１．０重量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００６６】合成例６ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．０７ｇ（０．０７５モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の５．
９５ｇ（０．０５５モル）のパラフェニレンジアミンお
よび０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３−ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの溶液の
撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌
した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２６．８２ｇ（０．１３０モル）のＮ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわたり得られ
た反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反応溶液
し対し３９．０４ｇ（０．３０モル）の２−ヒドロキシ
エチルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、そして
室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセ
トンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ過液を
２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌しながら
処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水ついで
メタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥
し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少なくなる
まで減圧乾燥した。

【００６７】合成例７ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．０７ｇ（０．０７５モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の５．
９５ｇ（０．０５５モル）のメタフェニレンジアミンお
よび０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３−ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの溶液の
撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌
した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２６．８２ｇ（０．１３０モル）のＮ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわたり得られ
た反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反応溶液
し対し３９．０４ｇ（０．３０モル）の２−ヒドロキシ
エチルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、そして
室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセ
トンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ過液を
２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌しながら
処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水ついで
メタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥
し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少なくなる
まで減圧乾燥した。

【００６８】合成例８ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．０７ｇ（０．０７５モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の５．
３１ｇ（０．０２５モル）の３，３’−ジメチル−４，
４’−ジアミノビフェニルおよび３．８０ｇ（０．０２
５モル）の３，５−ジアミノ安息香酸および０．２５ｇ
（０．００１モル）の１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時
間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌した。その後１
００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２６．８２ｇ
（０．１３０モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの溶液を１時間にわたり得られた反応溶液に撹
拌しながら滴下添加した。この反応溶液し対し３９．０
４ｇ（０．３０モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリ
レートを加え、５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌
した。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、
吸引ろ過により不溶物を除いたろ過液を２．０リットル
のイオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出
した固形物をさらにイオン交換水ついでメタノールにて
洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分
含有率が１．０重量％より少なくなるまで減圧乾燥し
た。

【００６９】合成例９ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２１．１８ｇ（０．０７２モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２．
７０ｇ（０．０２５モル）のパラフェニレンジアミンお
よび３．８０ｇ（０．０２５モル）の３，５−ジアミノ
安息香酸および０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温
で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の２９．９２ｇ（０．１４５モル）のＮ，Ｎ
−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわ
たり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。こ
の反応溶液し対し４５．５ｇ（０．３５モル）の２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレートを加え、５０℃で５時
間、そして室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０
ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除い
たろ過液を２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹
拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交
換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で
吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少
なくなるまで減圧乾燥した。

【００７０】合成例１０ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２１．１８ｇ（０．０７２モル）の３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶液
に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そして
３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この反
応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２．
７０ｇ（０．０２５モル）のメタフェニレンジアミンお
よび３．８０ｇ（０．０２５モル）の３，５−ジアミノ
安息香酸および０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温
で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の２９．９２ｇ（０．１４５モル）のＮ，Ｎ
−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわ
たり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。こ
の反応溶液し対し４５．５５ｇ（０．３５モル）の２−
ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、５０℃で５時
間、そして室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０
ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除い
たろ過液を２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹
拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交
換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で
吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少
なくなるまで減圧乾燥した。

【００７１】合成例１１ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．３４ｇ（０．０７２モル）の４，４’−オキシ
ジフタル酸二無水物の撹拌溶液に２．３４ｇ（０．０１
８モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え
た。溶液を室温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した
後、室温まで冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥
Ｎ−メチルピロリドン中の１１．６８ｇ（０．０５５モ
ル）の３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェ
ニルおよび０．２５ｇ（０．００１ｍｏ．ｌ）の１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温
で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の２９．９２ｇ（０．１４５モル）のＮ，Ｎ
−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわ
たり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。こ
の反応溶液し対し４５．５ｇ（０．３５モル）の２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレートを加え、５０℃で５時
間、そして室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０
ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除い
たろ過液を２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹
拌しながら処理した。析出した固形物をさらにイオン交
換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で
吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少
なくなるまで減圧乾燥した。

【００７２】合成例１２ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．３４ｇ（０．０７２モル）の４，４’−オキシ
ジフタル酸二無水物の撹拌溶液に２．３４ｇ（０．０１
８モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え
た。溶液を室温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した
後、室温まで冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥
Ｎ−メチルピロリドン中の１１．０１ｇ（０．０５５モ
ル）の４，４’−オキシジアニリンおよび０．２５ｇ
（０．００１モル）の１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時
間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌した。その後１
００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２９．９２ｇ
（０．１４５モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの溶液を１時間にわたり得られた反応溶液に撹
拌しながら滴下添加した。この反応溶液し対し４５．５
ｇ（０．３５モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ートを加え、５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌し
た。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸
引ろ過により不溶物を除いたろ過液を２．０リットルの
イオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出し
た固形物をさらにイオン交換水ついでメタノールにて洗
浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含
有率が１．０重量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００７３】合成例１３ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２２．３４ｇ（０．０７２モル）の４，４’−オキシ
ジフタル酸二無水物の撹拌溶液に２．３４ｇ（０．０１
８モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え
た。溶液を室温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した
後、室温まで冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥
Ｎ−メチルピロリドン中の１１．９０ｇ（０．０５５モ
ル）の４，４’−チオジアニリンおよび０．２５ｇ
（０．００１モル）の１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時
間にわたり滴下添加し、室温で一夜撹拌した。その後１
００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の２９．９２ｇ
（０．１４５モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの溶液を１時間にわたり得られた反応溶液に撹
拌しながら滴下添加した。この反応溶液し対し４５．５
ｇ（０．３５モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ートを加え、５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌し
た。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸
引ろ過により不溶物を除いたろ過液を２．０リットルの
イオン交換水にて激しく撹拌しながら処理した。析出し
た固形物をさらにイオン交換水ついでメタノールにて洗
浄し、ろ過フィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含
有率が１．０重量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００７４】合成例１４ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の１５．２７ｇ（０．０７０モル）のピロメリット酸二
無水物の撹拌溶液に１．８２ｇ（０．０１４モル）の２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを加えた。溶液を室
温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した後、室温まで
冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の１１．０１ｇ（０．０５５モル）の４，
４’−オキシジアニリンおよび０．２５ｇ（０．００１
モル）の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴
下添加し、室温で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾
燥Ｎ−メチルピロリドン中の２９．９２ｇ（０．１４５
モル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶
液を１時間にわたり得られた反応溶液に撹拌しながら滴
下添加した。この反応溶液し対し４５．５ｇ（０．３５
モル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、
５０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌した。この反応
混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により
不溶物を除いたろ過液を２．０リットルのイオン交換水
にて激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさ
らにイオン交換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フ
ィルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０
重量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００７５】合成例１５ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の１５．７０ｇ（０．０７２モル）のピロメリット酸二
無水物の撹拌溶液に２．３４ｇ（０．０１８モル）の２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを加えた。溶液を室
温で１時間そして３５℃で１時間撹拌した後、室温まで
冷却した。この反応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピ
ロリドン中の１１．６８ｇ（０．０５４モル）の４，
４’−チオジアニリンおよび０．２５ｇ（０．００１モ
ル）の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンの溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下
添加し、室温で一夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥
Ｎ−メチルピロリドン中の２９．９２ｇ（０．１４５モ
ル）のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液
を１時間にわたり得られた反応溶液に撹拌しながら滴下
添加した。この反応溶液し対し４５．５ｇ（０．３５モ
ル）の２−ヒドロキシエチルメタクリレートを加え、５
０℃で５時間、そして室温で一夜撹拌した。この反応混
合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不
溶物を除いたろ過液を２．０リットルのイオン交換水に
て激しく撹拌しながら処理した。析出した固形物をさら
にイオン交換水ついでメタノールにて洗浄し、ろ過フィ
ルター上で吸引乾燥し、室温にて水分含有率が１．０重
量％より少なくなるまで減圧乾燥した。

【００７６】合成例１６ 乾燥窒素下に１２０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中
の２１．１８ｇ（０．０７２モル）の３，３’，４，
４’，−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の撹拌溶
液に１．８２ｇ（０．０１４モル）の２−ヒドロキシエ
チルメタクリレートを加えた。溶液を室温で１時間そし
て３５℃で１時間撹拌した後、室温まで冷却した。この
反応溶液を８０ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリドン中の１
１．６８ｇ（０．０５４モル）の４，４’−チオジアニ
リンおよび０．２５ｇ（０．００１モル）の１，３−ビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの
溶液の撹拌溶液に１時間にわたり滴下添加し、室温で一
夜撹拌した。その後１００ｍｌの乾燥Ｎ−メチルピロリ
ドン中の２９．９２ｇ（０．１４５モル）のＮ，Ｎ−ジ
シクロヘキシルカルボジイミドの溶液を１時間にわたり
得られた反応溶液に撹拌しながら滴下添加した。この反
応溶液し対し４５．５ｇ（０．３５モル）の２−ヒドロ
キシエチルメタクリレートを加え、５０℃で５時間、そ
して室温で一夜撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌの
アセトンで希釈し、吸引ろ過により不溶物を除いたろ過
液を２．０リットルのイオン交換水にて激しく撹拌しな
がら処理した。析出した固形物をさらにイオン交換水つ
いでメタノールにて洗浄し、ろ過フィルター上で吸引乾
燥し、室温にて水分含有率が１．０重量％より少なくな
るまで減圧乾燥した。

【００７７】実施例１ 攪拌機、温度計及び窒素導入管を備えた三口フラスコに
合成例１で得られた感光性ポリイミド前駆体３５．０ｇ
とＮ−メチルピロリドン５０．０ｇとｐ−メトキシフェ
ノール０．１ｇ（０．０８ミリモル）を撹拌混合し溶解
させた後、さらに２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニ
ル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾ
ール２．０ｇ（０．０３ミリモル）、２−メルカプトベ
ンゾキサゾール１．０ｇ（０．６６ミリモル）とエチル
ミヒラーズケトン０．２ｇ（０．０６ミリモル）の感光
剤と付加重合性化合物としてトリエチレングリコールジ
アクリレート３．０ｇ（１０ミリモル）および１，９−
ノナンジオールジアクリレート３．０ｇ（１０ミリモ
ル）、そして接着助剤として３−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシラン１．０ｇを加えてを加えて室温下
にて一昼夜撹拌溶解後、フィルタ濾過して感光性樹脂組
成物溶液を得た。この溶液を５インチシリコンウエハ上
にスピンコートした後に乾燥して、５．０±１．０μｍ
の塗膜を形成した後、（株）日立製作所製ｉ線ステッパ
ＬＤ−５０１０ｉを用いパターンマスクし、５００ｍＪ
／ｃｍ^２の露光量にて露光した。これを１時間遮光箱内
にて放置した後、さらにホットプレートにて１２０℃、
６０秒間加熱した後、２．３８％水酸化テトラメチルア
ンモニウム水溶液を用いて未露光部分が除去されるのに
要する現像時間の２．０倍の時間にてパドル現像し、水
でリンスしたところ、その解像度は８μｍ（最小ライン
幅）まで達し、８μｍ以上の等幅のラインパターン部に
おいて基盤からの剥離のない良好なパターンが得られ
た。

【００７８】実施例２ 感光性ポリイミド前駆体として合成例２で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００７９】実施例３ 実施例２において使用した３−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランを加えるかわりに付加重合性化合物
として３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを
７．０ｇ（２．６ミリモル）添加し、それ以外は、全く
同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度
は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８μｍ以上の等幅
のラインパターン部において基盤からの剥離のない良好
なパターンが得られた。

【００８０】実施例４ 感光性ポリイミド前駆体として合成例３で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８１】実施例５ 感光性ポリイミド前駆体として合成例４で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は６μｍ（最小ライン幅）まで達し、６
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８２】実施例６ 感光性ポリイミド前駆体として合成例５で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８３】実施例７ 実施例６において使用した３−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランを加えるかわりに付加重合性化合物
として３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを
７．０ｇ（２．６ミリモル）添加し、それ以外は、全く
同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度
は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８μｍ以上の等幅
のラインパターン部において基盤からの剥離のない良好
なパターンが得られた。

【００８４】実施例８ 感光性ポリイミド前駆体として合成例６で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８５】実施例９ 感光性ポリイミド前駆体として合成例７で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８６】実施例１０ 感光性ポリイミド前駆体として合成例８で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８７】実施例１１ 実施例１０において使用した３−メタクリロキシプロピ
ルトリメトキシシランを加えるかわりに付加重合性化合
物として３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
を７．０ｇ（２．６ミリモル）添加し、それ以外は、全
く同様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像
度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８μｍ以上の等
幅のラインパターン部において基盤からの剥離のない良
好なパターンが得られた。

【００８８】実施例１２ 感光性ポリイミド前駆体として合成例９で得られた感光
性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、実
施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は８μｍ（最小ライン幅）まで達し、８
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００８９】実施例１３ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１０で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、それ以外は、
実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は６μｍ（最小ライン幅）まで達し、６
μｍ以上の等幅のラインパターン部において基盤からの
剥離のない良好なパターンが得られた。

【００９０】なお、本発明の実施例で使用した感光性ポ
リイミド前駆体樹脂は、いずれも、重量平均分子量が１
０，０００〜８０，０００の範囲にあり、全繰り返し単
位の２５〜８５モル％となるエステル化され、残りがカ
ルボキシル基のままのポリアミド酸部分エステルであ
る。

【００９１】比較例１ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１１で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりに３−
ピペラジノプロピルトリメトキシシランを同量添加し、
それ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同様に
処理したところ、その解像度は１０μｍ（最小ライン
幅）まで達したものの、現像液による膨潤のため１０μ
ｍの等幅のラインパターン部において基盤からの剥離が
部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形
成されなかった。

【００９２】比較例２ 比較例１において使用した３−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランの代わりにＮ−（３−ジエトキシメ
チルシリルプロピル）スクシンイミドを同量添加し、そ
れ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処
理したところ、その解像度は１０μｍ（最小ライン幅）
までしか達せず、また現像液による著しい膨潤によりそ
の形状は角穴といえるようなものではなく、さらに１０
μｍの等幅のラインパターン部において基盤からの剥離
が部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは
形成されなかった。

【００９３】比較例３ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１２で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりに３−
イソシアネートプロピルトリエトキシシランを同量添加
し、それ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同
様に処理したところ、その解像度は１５μｍ（最小ライ
ン幅）までしか達せず、また現像液による著しい膨潤に
よりその形状は角穴といえるようなものではなく、さら
に１５μｍの等幅のラインパターン部および角穴開口周
辺部において基盤からの剥離が部分的に生じ、実施例の
様な接着性良好なパターンは形成されなかった。

【００９４】比較例４ 比較例３において使用した３−イソシアネートプロピル
トリエトキシシランの代わりにｎ−オクチルトリエトキ
シシランを同量添加し、それ以外は、実施例１と全く同
様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は
１５μｍ（最小ライン幅）までしか達せず、また現像液
による著しい膨潤によりその形状は角穴といえるような
ものではなく、さらに１５μｍの等幅のラインパターン
部および角穴開口周辺部において基盤からの剥離が部分
的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形成さ
れなかった。

【００９５】比較例５ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１３で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりに３−
メトキシプロピルトリメトキシシランを同量添加し、そ
れ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処
理したところ、現像液による膨潤が起こり、その解像度
は１０μｍ（最小ライン幅）までは達したものの１０μ
ｍの等幅のラインパターン部において基盤からの剥離が
部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形
成されなかった。

【００９６】比較例６ 比較例５において使用した３−メトキシプロピルトリメ
トキシシランの代わりに３−アミノプロピルトリエトキ
シシランを同量添加し、それ以外は、実施例１と全く同
様の配合で、全く同様に処理したところ、全く同様に処
理したところ、現像液による膨潤が起こり、その解像度
は１０μｍ（最小ライン幅）までは達したものの１０μ
ｍの等幅のラインパターン部において基盤からの剥離が
部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形
成されなかった。

【００９７】比較例７ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１４で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりにフェ
ネチルトリメトキシシランを同量添加し、それ以外は、
実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、現像液による膨潤が起こり、その解像度は２０μｍ
（最小ライン幅）までしか達せず、また２０μｍの等幅
のラインパターン部において基盤からの剥離が部分的に
生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形成されな
かった。

【００９８】比較例８ 比較例７において使用したフェネチルトリメトキシシラ
ンの代わりに３−メトキシプロピルトリメトキシシラン
を同量添加し、それ以外は、実施例１と全く同様の配合
で、全く同様に処理したところ、その解像度は２０μｍ
（最小ライン幅）までしか達せず、また現像液による著
しい膨潤によりその形状は角穴といえるようなものでは
なく、さらに２０μｍの等幅のラインパターン部および
角穴開口周辺部において基盤からの剥離が部分的に生
じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形成されなか
った。

【００９９】比較例９ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１５で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりに３−
イソシアネートプロピルトリエトキシシランを同量添加
し、それ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同
様に処理したところ、その解像度は２０μｍ（最小ライ
ン幅）までしか達せず、２０μｍの等幅のラインパター
ン部において基盤からの剥離が部分的に生じ、実施例の
様な接着性良好なパターンは形成されなかった。

【０１００】比較例１０ 比較例９において使用した３−イソシアネートプロピル
トリエトキシシランの代わりにＮ−（３−ジエトキシメ
チルシリルプロピル）スクシンイミドを同量添加し、そ
れ以外は、実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処
理したところ、その解像度は２０μｍ（最小ライン幅）
までしか達せず、また現像液による著しい膨潤によりそ
の形状は角穴といえるようなものではなく、さらに２０
μｍの等幅のラインパターン部において基盤からの剥離
が部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは
形成されなかった。

【０１０１】比較例１１ 感光性ポリイミド前駆体として合成例１６で得られた感
光性ポリイミド前駆体を３５．０ｇ用い、また３−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりにフェ
ネチルトリメトキシシランを同量添加し、それ以外は、
実施例１と全く同様の配合で、全く同様に処理したとこ
ろ、その解像度は１５μｍ（最小ライン幅）までしか達
せず、また現像液による著しい膨潤によりその形状は角
穴といえるようなものではなく、さらに１５μｍ以上の
等幅のラインパターン部および角穴開口周辺部において
基盤からの剥離が部分的に生じ、実施例の様な接着性良
好なパターンは形成されなかった。

【０１０２】比較例１２ 比較例１１において使用したフェネチルトリメトキシシ
ランの代わりに３−イソシアネートプロピルトリエトキ
シシランを同量添加し、それ以外は、実施例１と全く同
様の配合で、全く同様に処理したところ、その解像度は
１５μｍ（最小ライン幅）までしか達せず、また現像液
による著しい膨潤によりその形状は角穴といえるような
ものではなく、さらに１５μｍ以上の等幅のラインパタ
ーン部および角穴開口周辺部において基盤からの剥離が
部分的に生じ、実施例の様な接着性良好なパターンは形
成されなかった。

【０１０３】

【発明の効果】本発明のアルカリネガ現像型感光性樹脂
組成物は、従来品に比べアルカリ水溶液による現像後パ
ターンの下地基盤との接着性に優れ、良好な形状のパタ
ーンが得られる。また本発明のアルカリネガ現像型感光
性樹脂組成物は、前記効果を奏し、さらに高い現像解像
度を与えるものである。また本発明のアルカリネガ現像
型感光性樹脂組成物は、前記効果を奏し、さらに、アル
カリ現像時の膨潤が少なく現像後のパターン性に優れる
ものである。

【０１０４】また本発明のパターンの製造法によれば、
多層配線板用の層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα
線遮蔽膜、バッファーコート膜などのポリイミドパター
ン加工を、従来の有機溶剤現像ではなく、安価なアルカ
リ水溶液現像にて行え、現像後パターンの下地基盤との
接着性に優れ、良好な形状のパターンが得られる。さら
に本発明の電子部品は、前記パターンを有することによ
り信頼性に優れるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 多層配線構造の半導体装置の製造工程図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…保護膜、３…第１導体層、４…層
間絶縁膜層、５…感光樹脂層、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ…窓、
７…第２導体層、８…表面保護膜層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/027 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/027 ５０２ 7/038 ５０４ 7/038 ５０４ (72)発明者 小島 康則 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 (72)発明者 渡邊 直己 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AA10 AA14 AB15 AB17 AC01 AD01 BC14 BC33 BC43 BC69 BC77 BC84 CA00 CB25 CB42 CC06 FA17 4J011 CA08 QA03 QA07 QA13 QA22 QA23 QA31 QA34 QA38 QA43 SA22 SA24 SA26 SA36 SA61 SA63 SA64 SA78 SA82 SA83 UA03 UA08 VA01 WA01 4J026 AB34 BA27 BA28 BA32 BA43 BB02 BB03 BB10 4J027 AD03 BA03 BA14 BA21 BA24 BA25 BA26 BA27 BA28 CB10 CC03 CC04 CC05 CD10 4J043 PA11 PA15 PA19 QB15 QB26 QB31 RA34 SA42 SA43 SA44 SA47 SA54 SA55 SA62 SA63 SA64 SA71 SA85 TA22 TA47 UA121 UA122 UA131 UA132 UA152 UA222 UA231 UA232 UA261 UA262 UB011 UB012 UB022 UB061 UB062 UB152 VA011 VA021 VA051 VA061 VA091 VA101 YA05 YA06 YB07 YB19 ZB22 ZB50

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）分子鎖に酸官能基を有するアルカリ
   水溶液に可溶であるポリイミド前駆体、（ｂ）感光剤及
   び（ｃ）反応性不飽和官能基とアルコキシ基又はアシル
   オキシ基を有する珪素化合物を含有してなるアルカリネ
   ガ現像型感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】さらに（ｄ）付加重合性化合物を含有する
   請求項１記載のアルカリネガ現像型感光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】（ａ）成分が、一般式（１） 【化１】 （Ｘは、Ｘに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格におい
   て非共有電子対を有する原子を含有しない４価の有機基
   であり、Ｙは、Ｙに結合する２つのアミド基を結ぶ骨格
   において非共有電子対を有する原子を含有しない２価の
   有機基であり、Ｒ及びＲ’は、各々独立にＯＨ又は１価
   の有機基である）で示される繰り返し単位を有し、か
   つ、分子中に酸官能性基及び感光性基が存在するポリイ
   ミド前駆体である請求項１又は２記載のアルカリネガ現
   像型感光性樹脂組成物。
4. 【請求項４】（ａ）成分が、繰り返し単位として、前記
   一般式（１）で示される繰り返し単位のみを有するか、
   又は、一般式（１）で示される繰り返し単位と、一般式
   （１）中のＹの代わりに、珪素原子を含有する２価の有
   機基であるＹ”を有する繰り返し単位とを含むものであ
   る請求項３記載のアルカリネガ現像型感光性樹脂組成
   物。
5. 【請求項５】（ｃ）成分が、反応性不飽和官能基とし
   て、ビニル基、アクリロキシ基又はメタクリロキシ基を
   有するものである請求項１、２，３又は４記載のアルカ
   リネガ現像型感光性樹脂組成物。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の感光性樹
   脂組成物を塗布する工程、前記工程により得られる塗布
   膜上にパターンを描いたマスク上から活性光線を照射す
   る工程、アルカリ現像液を用いて未照射部を除去する工
   程、加熱処理する工程を含むパターンの製造法。
7. 【請求項７】活性光線がｉ線である請求項６記載のパタ
   ーンの製造法。
8. 【請求項８】請求項６又は７記載の製造法により得られ
   るパターンの層を有してなる電子部品。