JP2001278665A

JP2001278665A - セラミック抵抗体及び基板支持体

Info

Publication number: JP2001278665A
Application number: JP2000092466A
Authority: JP
Inventors: Shoji Kosaka; 祥二高坂; Masaki Terasono; 正喜寺園
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-03-29
Filing date: 2000-03-29
Publication date: 2001-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】体積固有抵抗が均一で、製品毎のばらつきが少
ないセラミック抵抗体および基板支持体を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム結晶相を主体とする焼結
体からなり、該焼結体中の酸素量が０．３〜３重量％、
Ａｌ以外の金属の含有量が１重量％以下、５０℃の体積
固有抵抗値が１×１０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍ、Ｘ線回折
における窒化アルミニウム（１００）面のＸ線回折強度
Ｉ_AlNに対する窒化アルミニウム以外の主結晶ピーク強
度Ｉ_xのピーク強度比Ｉ_x／Ｉ_AlNが０．０６以下である
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック抵抗体
及びその製造方法及び基板支持体に関するものであり、
例えば半導体製造装置等においてウエハを静電的に吸着
保持して処理したり、搬送するための静電チャック等に
用いる基板支持体、並びにこれらを用いた半導体製造装
置に関するものである。

【０００２】

【従来技術】液晶を含む半導体デバイスの製造に用いる
半導体製造装置において、シリコンウエハ等の半導体を
成膜やエッチングなどにより加工するためには、シリコ
ンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要がある。こ
のような保持手段に用いる基板支持体としては、機械
式、真空吸着式、静電吸着式が提案されている。

【０００３】これらの中で、静電的にシリコンウエハを
保持する静電チャックは、シリコンウエハの加工時に要
求される加工面の平坦度や平行度を容易に実現すること
ができる。また、シリコンウエハを真空中で加工処理す
る事ができ、半導体の製造に適しているため、多用され
ている。

【０００４】最近では、２００℃以下で使用される静電
チャックにおいて、シリコンウエハの保持のためにより
高い吸着力が要求されており、より高い吸着力を得るた
めには、抵抗を低くすることが提案されている。

【０００５】例えば、特開平２−２２１６６号公報で
は、アルミナを主成分とするセラミック原料にアルカリ
土類金属及び遷移金属を、酸化物の重量に換算して、そ
れぞれ、１〜６重量％、０．５〜６重量％含有させ、還
元雰囲気下で焼成して静電チャック用のセラミックスを
製造し、その体積固有抵抗を１×１０¹²Ωｃｍにまで低
下させている。

【０００６】しかし、近年の半導体素子の集積度の向上
に伴い、静電チャック自体の高純度化が要求されるとと
もに、静電チャックへの要求特性が高度化してきてお
り、例えば、耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性、熱伝導性
に優れた静電チャックが要求され、特に、窒化アルミニ
ウムが、注目されている。

【０００７】例えば、特開平１０−７２２６０号公報で
は、高純度の窒化アルミニウムの成形体中に金属電極を
埋設し、ホットプレス焼成をすることにより、酸素を窒
化アルミニウム結晶中に固溶させた窒化アルミニウム結
晶相を形成し、室温での体積固有抵抗を１×１０⁹〜１
×１０¹³Ωｃｍとした静電チャックが提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−７２２６０号公報に記載された窒化アルミニウム
焼結体の体積固有抵抗は、厚みが大きい場合、電極から
ウエハ載置面にかけて厚み方向の抵抗値の変化などによ
ると考えられる体積固有抵抗のばらつきが発生しやすい
という問題があった。

【０００９】また、特開平１０−７２２６０号公報に記
載された窒化アルミニウム焼結体の吸着特性に影響を及
ぼす体積固有抵抗が、量産時においてばらつき、製品の
信頼性が低下するという問題があった。

【００１０】さらに、特開平１０−７２２６０号公報に
は、電極を埋設せず、窒化アルミニウム焼結体の抵抗を
低くする方法も提案しているが、抵抗を低くするために
は、ホットプレスの後に高温での焼成をもう一度行わな
くてはならず、工程が複雑になり、製造コストが高くな
り問題である。

【００１１】したがって、本発明は、体積固有抵抗が均
一で、製品毎のばらつきが少ないセラミック抵抗体およ
び基板支持体を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック抵
抗体の体積固有抵抗値が、セラミックス中に含有する酸
素量と窒化アルミニウム主結晶相の粒界に存在する粒界
結晶相とに依存し、これらを制御することにより目的の
抵抗値が安定して得られるという知見に基づくものであ
る。

【００１３】すなわち、本発明のセラミック抵抗体は、
窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなり、該焼結
体中の酸素量が０．３〜３重量％、Ａｌ以外の金属の含
有量が１重量％以下、５０℃の体積固有抵抗値が１×１
０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍ、Ｘ線回折における窒化アルミ
ニウム（１００）面のＸ線回折強度Ｉ_AlNに対する窒化
アルミニウム以外の主結晶ピーク強度Ｉ_xのピーク強度
比Ｉ_x／Ｉ_AlNが０．０６以下であることを特徴とする。

【００１４】この構成により、窒化アルミニウムを主体
とする焼結体は、窒化アルミニウム主結晶相の粒界に低
抵抗の粒界相を形成し、また、この粒界相の電気的な連
続性を切断する高抵抗物質が粒界に生成されにくなり、
その結果、焼結体内での体積固有抵抗が均一で、ばらつ
きの小さいセラミック抵抗体を得ることができる。

【００１５】特に、窒化アルミニウムを主体とする焼結
体中の炭素量が、１重量％以下であることが好ましい。
このように炭素量を少なくすることによって、炭素によ
る１×１０⁵Ωｃｍ以下の異常な低抵抗化を防ぐことが
できる。

【００１６】また、焼結体中の窒化アルミニウム結晶相
の平均粒子径が、６μｍ以上であることが好ましく、耐
プラズマ性を向上することができる。

【００１７】また、本発明のセラミック抵抗体の製造方
法は、酸素を０．３〜３重量％含有し、Ａｌ以外の金属
の含有量が１重量％以下の窒化アルミニウム粉末からな
る成形体を、１５００〜１７００℃で保持した後、２０
００℃以上の温度で焼成することを特徴とし、この製造
方法により特性の安定化が図れるとともに、抵抗制御の
ために焼成後の熱処理を必要としないので低コスト化が
可能である。

【００１８】本発明の基板支持体は、本発明のセラミッ
ク抵抗体からなるセラミック平板と、該セラミック平板
の一方の面に設けられた電極と他の面に設けられた被処
理物載置面とを具備し、前記電極に印加された電圧によ
って誘起された静電気力で被処理物を吸着し、固定する
ことを特徴とする。

【００１９】また、セラミック平板と、該セラミック平
板の内部に設けられた電極と、前記セラミック平板の少
なくとも一方の表面に、被処理物を載置する被処理物載
置面とを具備し、前記電極に印加された電圧によって誘
起された静電気力で被処理物を吸着し、固定する基板支
持体において、前記セラミック平板内の少なくとも前記
電極と前記被処理物との間のセラミックスが本発明のセ
ラミック抵抗体からなることを特徴とする。

【００２０】これら本発明の基板支持体は、離脱応答性
がよく、スループットを高め、製品のコストを低減する
ことができる。

【００２１】さらに、本発明の半導体製造用装置は、真
空容器と基板支持体とを具備する半導体製造用装置であ
って、前記真空容器の少なくとも一部および／または基
板支持体に、本発明のセラミック抵抗体および／または
本発明の基板支持体を用いたことを特徴とする。

【００２２】この装置を用いることにより、製品の低コ
スト化を可能とし、また、信頼性の高い半導体製造装置
を実現できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明のセラミック抵抗体は、窒
化アルミニウム結晶相を主体とする焼結体からなり、焼
結体中の酸素量を、０．３〜３重量％に制御することが
重要であり、特に０．４〜２．５重量％、さらには０．
５〜２重量％が好ましい。酸素量が０．３重量％未満ま
たは３重量％を越えると、５０℃の抵抗が１×１０⁷〜
１×１０¹²Ωｃｍの範囲を逸脱してしまう。

【００２４】その理由について明らかではないが、酸素
量が０．３重量％未満では、電荷の移動体となる粒界相
が少なくなり、この粒界相が焼結体中で連続しなくなっ
て電気が流れなくなるため、抵抗が高くなると考えられ
る。換言すれば、導電経路となる粒界相を連続して形成
するために、酸素量を０．３重量％以上にする必要があ
る。

【００２５】また、酸素量が３重量％を越えると、粒界
相に高抵抗のＡｌＯＮやポリタイプの結晶が生成し、電
荷の移動体である粒界相の連続性を遮断するために抵抗
が高くなると考えられる。換言すれば、酸素が過度に含
有されると、ＡｌＯＮやポリタイプが増加し、その結
果、導電経路を分断してセラミック抵抗体の体積固有抵
抗値を高くしてしまう。

【００２６】さらに、焼結体のＸ線回折強度において、
窒化アルミニウム（１００）面のＸ線回折強度Ｉ_AlNに
対する窒化アルミニウム以外の主結晶ピーク強度Ｉ_xの
ピーク強度比Ｉ_x／Ｉ_AlNを０．０６以下とすることが必
要で、特に０．０４以下、さらには０．０３以下が好ま
しい。

【００２７】窒化アルミニウム以外に、例えば高抵抗の
ＡｌＯＮやポリタイプなどの結晶が生成すると、これら
の粒子が、電荷の移動体である粒界層の連続性を遮断す
るために、窒化アルミニウム結晶相を主体とする焼結体
の抵抗を高くしてしまうと考えられる。特に、酸素量が
多くなるにつれてＡｌＮ以外の結晶相の生成が促進され
る。

【００２８】また、Ａｌ以外の金属の含有量が１重量％
以下であることが重要であり、特に０．５重量％以下、
さらには０．１重量％以下であることが好ましい。Ａｌ
以外の金属の含有量が１重量％よりも多いと金属はフッ
素含有ガス等に対する耐食性が低いため金属不純物の偏
在する部分の耐プラズマ性が劣ってしまう。実際には、
各金属の含有量を分析し、多い順に１０種の合計量を上
記のＡｌ以外の金属の含有量とした。分析法としては、
蛍光Ｘ線分析またはＩＣＰ分析が好ましい。

【００２９】さらに、体積固有抵抗値が１×１０⁷〜１
×１０¹²Ωｃｍであることが重要である。これにより、
電荷の移動を容易にするとともに、移動する電荷量を制
限でき、特に静電チャックに好適に用いることができ
る。また、電荷移動量、すなわち漏れ電流を低く抑制す
る点で、体積固有抵抗値は、特に１×１０⁸〜１×１０¹
¹Ωｃｍ、さらには１×１０⁹〜１×１０¹⁰Ωｃｍが好ま
しい。

【００３０】また、本発明品のセラミック抵抗体は、含
有する炭素量が１重量％以下にするのが好ましい。炭素
は導電性粒界相の形成に関係があると考えられるが、炭
素量を１重量％以下にすることにより、５０℃における
体積固有抵抗を１×１０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍの範囲に
設定することが、容易になる。

【００３１】さらにまた、焼結体の窒化アルミニウム主
結晶相の平均粒子径は、６μｍ以上、特に１０μｍ以
上、さらには２０μｍ以上であることが好ましい。この
粒子径を６μｍ以上にすることにより、耐プラズマ性を
向上させる傾向がある。

【００３２】次に、本発明にかかる窒化アルミニウム質
焼結体を製造するための方法について説明する。まず、
出発原料として純度９９重量％以上、粒子径が５μｍ以
下、好ましくは３μｍ以下のＡｌＮ粉末を用意する。用
いるＡｌＮ粉末は、還元窒化法、または直接窒化法のい
ずれの製造方法で作製した粉末でも良い。

【００３３】ＡｌＮ粉末の酸素量は、０．３〜３重量％
の範囲になるように調整することができる。すなわちＡ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等の酸化物を添加することにより、混
合粉末中の酸素量を０．３〜３重量％に調整する。

【００３４】なお、所望により炭素源を混合し、炭素量
を調整することができる。すなわち、例えば、炭素源と
して、炭素粉末、加熱により炭素に変化する有機物、高
分子化合物等を添加すればよい。

【００３５】次に上記の窒化アルミニウム粉末を、成形
し、所望の形状にする。成形の方法は、金型プレス、Ｃ
ＩＰ、テープ成形、鋳込み等どの成型方法を用いてもよ
い。成形体は、成形の時に必要なバインダー成分を除去
した後、焼成を行う。

【００３６】まず、焼成温度に達する前に、１５００〜
１７００℃、好ましくは１５５０〜１６５０℃での保持
を設ける。導電性粒界相の形成を助長し、かつ過剰の炭
素等の制御をすることにより、体積固有抵抗値を安定化
することができる。この温度保持は、窒素ガスなどの不
活性ガス雰囲気または真空中などの雰囲気において行う
ことができる。雰囲気の圧力は特に限定されないが、１
気圧以下、特に１ｋＰａ、さらには１００Ｐａ以下の減
圧下において行うことが好ましい。保持時間は、試料の
量、組成によって異なるが、焼結が進むのを考慮すると
２０分以上、特に１時間以上であることが好ましい。ま
た、圧力計を用いてガスの発生が少なくなるのを観察
し、それを保持終了の目安としても良い。

【００３７】次いで、２０００℃以上の温度に設定し
て、焼成を行う。したがって、例えばホットプレス装置
を用いて１０Ｐａの真空度で、１６００℃で１時間保持
した後、昇温して温度を２１００℃に保持し、２００Ｍ
Ｐａの圧力を加えて２時間保持して焼成を行う。なお、
焼成は炭素の存在する雰囲気の中で行うことが好まし
い。

【００３８】本発明のセラミック抵抗体を用いた基板支
持体のひとつの例としてＳｉウエハなどを静電的に吸着
する静電チャックについて説明する。

【００３９】本発明の基板支持体の一例である静電チャ
ックを図１に示す。これは、双極タイプの静電チャック
１であり、セラミック平板２の内部に電極３および４が
設けられている。電極３および４には、正、負の電圧が
それぞれ印加される。したがって、図１には記載してな
いが、外部から電極３および４に電圧を供給するための
接続端子を含むことは言うまでもない。

【００４０】そして、セラミック平板２の一面にウエハ
５などの被処理物を載置する被処理物載置面６が設けら
れており、電極３および４に電圧を加えると、ウエハ５
は、静電チャック１に静電的に吸着される。

【００４１】なお、セラミック平板２は電極３および４
の位置から被処理物載置面６までの吸着部位２ａと、そ
の反対の支持部位２ｂとに、実質的に分けられ、少なく
とも吸着部位２ａを本発明のセラミック抵抗体にするこ
とにより、特性の優れた静電チャックを実現することが
できる。

【００４２】すなわち、本発明の基板支持体は、セラミ
ック平板２と、その内部に設けられた電極３および４
と、セラミック平板２の少なくとも一方の表面に、ウエ
ハ５などの被処理物を載置する被処理物載置面６とを具
備し、電極３および４に印加された電圧によって誘起さ
れた静電気力でウエハ５などの被処理物を吸着し、固定
する基板支持体において、セラミック平板２内の少なく
とも電極３および４と被処理物載置面６との間のセラミ
ックス、すなわち吸着部位２ａのセラミックスが本発明
のセラミック抵抗体からなる。

【００４３】特に、高い吸着力を得るために、吸着部位
２ａの体積固有抵抗値が１×１０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍ
であることが重要である。また、電圧を印加した時、流
れる電流を低く抑制する点で、体積固有抵抗値は、特に
１×１０⁸〜１×１０¹¹Ωｃｍ、さらには１×１０⁹〜１
×１０¹⁰Ωｃｍが好ましい。

【００４４】したがって、この吸着部位２ａの５０℃の
体積固有抵抗は１×１０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍで、−７
０〜２００℃の温度範囲において、ウエハを静電吸着す
ることができる。

【００４５】また、図２は本発明の基板支持体の他の構
造を示すもので、単極タイプの静電チャック１１の例で
ある。セラミック平板１２の内部に電極１３が埋設する
ように設けられ、セラミック平板１２の一面にウエハ１
５などの被処理物を載置する被処理物載置面１６が設け
られている。セラミック平板１２は、実質的に吸着部位
１２ａおよび支持部位１２ｂに分割され、少なくとも吸
着部位１２ａには、本発明のセラミック抵抗体が用いら
れている。

【００４６】そして、電極１３とウエハ１５との間に電
圧が印可され、静電的な吸着が起こる。なお、図２には
記載してないが、外部から電極１３に電圧を供給するた
めの接続端子が含まれることは言うまでもない。

【００４７】さらに、図３は、本発明の基板支持体のさ
らに他の構造を示すもので、静電チャック２１は、本発
明のセラミック抵抗体からなる平板２２の一方の面に設
けられた電極２３と、他の面に設けられたウエハ２５な
どの被処理物を載置する被処理物載置面２６とを具備
し、電極２３に印加された電圧によって誘起された静電
気力によってウエハ２５を吸着し、ウエハ２５を基板支
持体である静電チャック２１に固定するものである。

【００４８】なお、図示はしないが、静電チャックの内
部には高周波用電極やヒーター用電極を埋設し、使用す
ることも可能である。これら電極には、周知の導電材料
が使用でき、例えば、タンタル、白金、レニウム、ハフ
ニウム、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ａｇ、ＷＣ、Ｃ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＢ₂等を例示できる。

【００４９】さらには、所望により、冷却用の冷媒の通
路をセラミック平板内に設けたり、ペルチェ素子などの
冷却用装置を内蔵することもできる。

【００５０】このように、本発明のセラミック抵抗体を
用いた基板支持体の一例である静電チャックは、吸着力
が高く、吸着の離脱応答性が向上し、スループットが速
くなる。また、その製造方法においては、歩留まりが向
上し、焼成後の熱処理も不要のため、製造コストを低減
できる。

【００５１】

【実施例】粒子径１μｍの還元窒化法の窒化アルミニウ
ム粉末（Ａ１）または粒子径１μｍの直接窒化法の窒化
アルミニウム粉末（Ａ２）とを用いた。また、粒子径１
μｍの炭素粉末及び粒子径１μｍのＡｌ₂Ｏ₃粉末を表１
に示す組成になるように混合した。

【００５２】これらの混合粉末をエタノールを用いて混
合し、バインダを加えて成型用粉末を作製した。これを
直径５０ｍｍ、厚み６ｍｍの円板に成形し、脱脂してホ
ットプレス用成形体とした。ホットプレスは、カーボン
型に上記のホットプレス用成形体をセットし、表１に示
す条件で焼成した。なお、焼成前の１５００〜１７００
℃での保持は、すべて２時間とした。

【００５３】得られた焼結体は、Ｘ線回折分析により得
られた回折パターンにおいて、窒化アルミニウム以外の
主結晶ピーク強度Ｉ_xと窒化アルミニウムの（１００）
面のＸ線回折強度Ｉ_AlNの比（Ｉ_x／Ｉ_AlN）を算出し
た。

【００５４】また、珪素と周期律表第３ａ族元素との組
成は焼結体の蛍光Ｘ線分析から分析し、金属不純物の多
い元素１０種の総量を算出した。

【００５５】さらに、試料厚みを２ｍｍとし、体積固有
抵抗を、ＪＩＳ３端子法により、５０℃で測定した。こ
の時、各試料番号毎に１０個ずつ測定し、平均値と、最
大値の対数と最小値の対数との差で表される体積固有抵
抗の幅とを算出した。すなわち、体積固有抵抗のばらつ
きはｌｏｇ（最大値）−ｌｏｇ（最小値）で表され、こ
の値は対数のため、桁を意味する。例えば、体積固有抵
抗の幅が１の時、１桁の範囲、例えば１×１０⁹〜１×
１０¹⁰の範囲内で、ばらつくことを意味する。

【００５６】粒子径は、焼結体を研磨後、鏡面状態に研
磨し、走査型電子顕微鏡により４００、１０００および
３０００倍の写真を撮影し、コード法により窒化アルミ
ニウムの結晶粒子径を算出した。

【００５７】さらにまた、プラズマテストを行い、耐食
性を評価した。すなわち、２０ｍｍ×２０ｍｍで厚みが
２ｍｍの試験片を作製し、表面を鏡面加工したものを試
料とした。表面のＲａは０．４μｍ以下であった。

【００５８】この試験片を、ＲＩＥ（リアクティブ・イ
オン・エッチング）装置を用いてＣＨ₄とＣＨＦ₃とＡｒ
の混合ガスプラズマに試験片を曝し、エッチング率をテ
スト前後の重量変化から算出した。ガス流量１００ｓｃ
ｃｍ、エッチング圧力は５Ｐａ、ＲＦ出力は０．８Ｗ／
ｃｍ²、エッチング時間は３時間であった。

【００５９】吸着特性は、図１に示した構造を有する静
電チャックを作製し、吸着力、吸着力が飽和するまでの
飽和時間、および電荷が除去されるまでの除電時間を測
定し、評価した。すなわち、吸着力は５０℃で４００Ｖ
を印加し、印加から３０秒後までの吸着力の時間依存性
を測定した。吸着力が飽和するまでの時間（飽和時間）
と、電圧の印加を停止し吸着力がなくなるまでの時間
（除電時間）を測定した。すなわち、飽和時間は、電圧
印加３０秒後の吸着力を１００％とした時、９０％の吸
着力を示す時間とした。また、除電時間は、電圧の印加
停止から吸着力が１０ＭＰａまで低下するのに要した時
間とした。結果を表１および表２に示した。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【表２】

【００６２】本発明の試料Ｎｏ．２〜９、１１〜１４、
１６〜２０、２３〜２４、２６〜３４および３７〜４８
は、焼結体中の酸素量が０．３〜３重量％、Ａｌ以外の
金属の含有量が１重量％以下、体積固有抵抗値は平均値
が１×１０⁷〜９×１０¹¹Ωｃｍ、幅が１．７桁以下、
Ｉ_x／Ｉ_AlNが０．０６以下の材料特性を有しており、こ
れを用いた静電チャックの吸着力は２００ＭＰａ以上、
吸着力の飽和時間は５秒以下、電荷の除電時間は６秒以
下であった。また、エッチング率は、１０ｎｍ／ｍｉｎ
以下であった。

【００６３】一方、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１およ
び２５は、焼結体中の酸素量が０．１重量％と少なく、
体積固有抵抗値も２×１０¹²Ωｃｍ以上と大きいため、
静電チャックに用いた場合、吸着力は１５０ＭＰａと小
さく、吸着力の飽和時間は８秒以上、電荷の除電時間は
１０秒以上であった。

【００６４】また、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１０お
よび３５は、焼結体中の酸素量が５重量％と多く、ＸＲ
Ｄピーク比が０．１以上と大きく、体積固有抵抗値も３
×１０¹²Ωｃｍ以上と大きいため、静電チャックに用い
た場合、吸着力は１５０ＭＰａ以下と小さく、吸着力の
飽和時間は９秒以上、電荷の除電時間は１１秒以上であ
った。

【００６５】さらに、体積固有抵抗が３×１０¹²Ωｃｍ
以上と大きく、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．２２および
３６は、静電チャックに用いた場合、吸着力は１５０Ｍ
Ｐａ以下、吸着力の飽和時間は９秒以上、電荷の除電時
間は１１秒以上であった。

【００６６】さらにまた、体積固有抵抗値が３×１０³
Ωｃｍと小さく、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．２１は、
吸着しないため、吸着特性の測定が不可能であった。

【００６７】また、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１５
は、Ａｌ以外の金属の含有量が１．５重量％と大きいた
め、エッチング率が１８ｎｍ／ｍｉｎと大きかった。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、酸素量を制御すること
により形成した導電性粒界相の導電性を利用することに
より、材料中の体積固有抵抗の均一性を高めると共に、
抵抗ばらつきのない信頼性の高い抵抗体を提供するとと
もに、吸着力が高く、吸着の離脱応答性に優れた基板支
持体を提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板支持体の構造を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の基板支持体の他の構造を示す断面図で
ある。

【図３】本発明の基板支持体のさらに他の構造を示す断
面図である。

【符号の説明】

１・・・基板支持体２・・・セラミック平板２ａ・・・吸着部位２ｂ・・・支持部位３、４・・・電極５・・・ウエハ６・・・被処理物載置面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化アルミニウム結晶相を主体とする焼結
体からなり、該焼結体中の酸素量が０．３〜３重量％、
Ａｌ以外の金属の含有量が１重量％以下、５０℃の体積
固有抵抗値が１×１０⁷〜１×１０¹²Ωｃｍ、Ｘ線回折
における窒化アルミニウム（１００）面のＸ線回折強度
Ｉ_AlNに対する窒化アルミニウム以外の主結晶ピーク強
度Ｉ_xのピーク強度比Ｉ_x／Ｉ_AlNが０．０６以下である
ことを特徴とするセラミック抵抗体。
【請求項２】前記焼結体中の炭素量が、１重量％以下で
あることを特徴とする請求項１記載のセラミック抵抗
体。
【請求項３】前記焼結体の窒化アルミニウム結晶相の平
均粒子径が、６μｍ以上であることを特徴とする請求項
１または２記載のセラミック抵抗体。
【請求項４】酸素を０．３〜３重量％含有し、Ａｌ以外
の金属の含有量が１重量％以下の窒化アルミニウム粉末
からなる成形体を、１５００〜１７００℃で保持した
後、２０００℃以上の温度で焼成することを特徴とする
セラミック抵抗体の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至３のうちいずれかに記載のセ
ラミック抵抗体からなるセラミック平板と、該セラミッ
ク平板の一方の面に設けられた電極と他の面に設けられ
た被処理物載置面とを具備し、前記電極に印加された電
圧によって誘起された静電気力で被処理物を吸着し、固
定することを特徴とする基板支持体。
【請求項６】セラミック平板と、該セラミック平板の内
部に設けられた電極と、前記セラミック平板の少なくと
も一方の表面に、被処理物を載置する被処理物載置面と
を具備し、前記電極に印加された電圧によって誘起され
た静電気力で被処理物を吸着し、固定する基板支持体に
おいて、前記セラミック平板内の少なくとも前記電極と
前記被処理物との間のセラミックスが請求項１乃至３の
うちいずれかに記載のセラミック抵抗体からなることを
特徴とする基板支持体。
【請求項７】真空容器と基板支持体とを具備する半導体
製造用装置であって、前記真空容器の少なくとも一部の
容器構成部材および／または基板支持体に、請求１乃至
３のうちいずれかに記載のセラミック抵抗体および／ま
たは請求項５または６記載の基板支持体を用いたことを
特徴とする半導体製造装置。