JP2001272372A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で
安定に動作する電界効果トランジスタを提供する。 【解決手段】 電界効果トランジスタにおいて、ゲート
電極３とドレイン電極６間にダイヤモンドの水素終端表
面が露出したチャネル２と、このチャネル２の露出した
ダイヤモンドの水素終端表面を満たす液体電解質４から
なるゲートとを備える。
安定に動作する電界効果トランジスタを提供する。 【解決手段】 電界効果トランジスタにおいて、ゲート
電極３とドレイン電極６間にダイヤモンドの水素終端表
面が露出したチャネル２と、このチャネル２の露出した
ダイヤモンドの水素終端表面を満たす液体電解質４から
なるゲートとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体電解質をゲー
トとして使用し、ダイヤモンドの水素終端表面をチャネ
ルとした電界効果トランジスタに関するものである。
トとして使用し、ダイヤモンドの水素終端表面をチャネ
ルとした電界効果トランジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波プラズマＣＶＤ法により成膜
されたアンドープ水素終端ダイヤモンド薄膜において
は、単結晶、多結晶に関わらず、その表面にｐ型伝導層
ができることが知られている。これまでに、本願発明者
等は、この表面導電層を利用してゲート部分に金属、絶
縁物を堆積させない電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を
作製し、その電解質水溶液中での動作を確認してきた
〔北谷謙一他 第４６回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集、３０ａ−Ｐ７−２２（１９９９）ｐｐ．６２
８〕。
されたアンドープ水素終端ダイヤモンド薄膜において
は、単結晶、多結晶に関わらず、その表面にｐ型伝導層
ができることが知られている。これまでに、本願発明者
等は、この表面導電層を利用してゲート部分に金属、絶
縁物を堆積させない電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を
作製し、その電解質水溶液中での動作を確認してきた
〔北谷謙一他 第４６回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集、３０ａ−Ｐ７−２２（１９９９）ｐｐ．６２
８〕。
【０００３】また、溶液中のダイヤモンド表面伝導層−
電解質界面では電気二重層が形成されていると考えられ
ている〔細見剛他 第１３回ダイヤモンドシンポジュー
ム講演要旨集、１１５（１９９９）、ｐｐ．３６〕。
電解質界面では電気二重層が形成されていると考えられ
ている〔細見剛他 第１３回ダイヤモンドシンポジュー
ム講演要旨集、１１５（１９９９）、ｐｐ．３６〕。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本願発明者等は、イオ
ン感受性ＦＥＴ（ＩＳＦＥＴ：Ｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉ
ｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）をトランスデューサとし、酵素を分子認識物質とし
て用いたＩＳＦＥＴバイオセンサの開発に取り組み、か
かるＩＳＦＥＴバイオセンサが、臨床検査、工業計測、
環境計測用マイクロセンサとして、将来には体内埋め込
みセンサとして方向付けをしている。
ン感受性ＦＥＴ（ＩＳＦＥＴ：Ｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉ
ｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）をトランスデューサとし、酵素を分子認識物質とし
て用いたＩＳＦＥＴバイオセンサの開発に取り組み、か
かるＩＳＦＥＴバイオセンサが、臨床検査、工業計測、
環境計測用マイクロセンサとして、将来には体内埋め込
みセンサとして方向付けをしている。
【０００５】しかし、分子認識物質が機能し、目的の分
子を選択しても、ＩＳＦＥＴ自体が外界からの侵入物質
により安定動作せず、そのためＩＳＦＥＴバイオセンサ
は、実用上の問題を有しているのが現状である。その原
因は、ＳｉＭＯＳＦＥＴで最もデリケートな酸化膜／Ｓ
ｉ界面でのイオンの存在や界面準位の発生による閾値電
圧の大幅な変動にある。センサでは表面の外界への露出
は避けられない。つまり、保護膜を使用してもイオンセ
ンサやバイオセンサでは酸化膜／Ｓｉ界面への異種分
子、イオンの侵入がＬＳＩよりも桁違いに多い。その意
味で、ＩＳＦＥＴバイオセンサの発展には、化学的に強
い半導体表面の創製が不可欠である。
子を選択しても、ＩＳＦＥＴ自体が外界からの侵入物質
により安定動作せず、そのためＩＳＦＥＴバイオセンサ
は、実用上の問題を有しているのが現状である。その原
因は、ＳｉＭＯＳＦＥＴで最もデリケートな酸化膜／Ｓ
ｉ界面でのイオンの存在や界面準位の発生による閾値電
圧の大幅な変動にある。センサでは表面の外界への露出
は避けられない。つまり、保護膜を使用してもイオンセ
ンサやバイオセンサでは酸化膜／Ｓｉ界面への異種分
子、イオンの侵入がＬＳＩよりも桁違いに多い。その意
味で、ＩＳＦＥＴバイオセンサの発展には、化学的に強
い半導体表面の創製が不可欠である。
【０００６】ところで、ダイヤモンドの水素吸着表面
（水素終端表面）は真空中７００℃、大気中３００℃ま
で安定で、液体中でも化学的に不活性で、室温周辺では
強酸あるいは強アルカリによる構造変化はない。しか
も、この水素終端構造によるダイヤモンド表面近傍にｐ
型伝導層が形成される。
（水素終端表面）は真空中７００℃、大気中３００℃ま
で安定で、液体中でも化学的に不活性で、室温周辺では
強酸あるいは強アルカリによる構造変化はない。しか
も、この水素終端構造によるダイヤモンド表面近傍にｐ
型伝導層が形成される。
【０００７】そして、上記した研究の積み重ねを発展さ
せて、液体電解質をゲートとしたＦＥＴの開発を行っ
た。
せて、液体電解質をゲートとしたＦＥＴの開発を行っ
た。
【０００８】本発明は、上記状況に鑑みて、液体電解質
をゲートとし、液体電解質の中で安定して動作する電界
効果トランジスタを提供することを目的とする。
をゲートとし、液体電解質の中で安定して動作する電界
効果トランジスタを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕電界効果トランジスタにおいて、ソース電極とド
レイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出した
チャネルと、このチャネルの露出したダイヤモンドの水
素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備
えることを特徴とする。
成するために、 〔１〕電界効果トランジスタにおいて、ソース電極とド
レイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出した
チャネルと、このチャネルの露出したダイヤモンドの水
素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備
えることを特徴とする。
【００１０】〔２〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記ダイヤモンドは、アンドープ水素終
端単結晶又は多結晶ダイヤモンド薄膜からなることを特
徴とする。
スタにおいて、前記ダイヤモンドは、アンドープ水素終
端単結晶又は多結晶ダイヤモンド薄膜からなることを特
徴とする。
【００１１】〔３〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記チャネルはｐチャネルであることを
特徴とする。
スタにおいて、前記チャネルはｐチャネルであることを
特徴とする。
【００１２】〔４〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記ｐチャネルはピンチオフすることを
特徴とする。
スタにおいて、前記ｐチャネルはピンチオフすることを
特徴とする。
【００１３】〔５〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記ｐチャネルはノーマリーオフ型であ
ることを特徴とする。
スタにおいて、前記ｐチャネルはノーマリーオフ型であ
ることを特徴とする。
【００１４】〔６〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記ダイヤモンドの水素終端表面は広い
電位窓を有し、該電位窓の範囲で正確な動作を行うこと
を特徴とする。
スタにおいて、前記ダイヤモンドの水素終端表面は広い
電位窓を有し、該電位窓の範囲で正確な動作を行うこと
を特徴とする。
【００１５】〔７〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記液体電解質がアルカリ溶液であるこ
とを特徴とする。
スタにおいて、前記液体電解質がアルカリ溶液であるこ
とを特徴とする。
【００１６】〔８〕上記〔７〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記液体電解質がＫＯＨ水溶液であるこ
とを特徴とする。
スタにおいて、前記液体電解質がＫＯＨ水溶液であるこ
とを特徴とする。
【００１７】
〔９〕上記〔１〕記載の電界効果トランジ
スタにおいて、前記液体電解質が酸性溶液であることを
特徴とする。
スタにおいて、前記液体電解質が酸性溶液であることを
特徴とする。
【００１８】〔１０〕上記〔１〕記載の電界効果トラン
ジスタにおいて、閾値電圧が前記液体電解質のｐＨに略
依存しない特性を有することを特徴とする。
ジスタにおいて、閾値電圧が前記液体電解質のｐＨに略
依存しない特性を有することを特徴とする。
【００１９】〔１１〕上記〔１〕記載の電界効果トラン
ジスタにおいて、閾値電圧が環境に影響されない特性を
有することを特徴とする。
ジスタにおいて、閾値電圧が環境に影響されない特性を
有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明の第１実施例を示す液体電解
質ゲートダイヤモンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の断
面図、図２はその平面図である。
質ゲートダイヤモンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の断
面図、図２はその平面図である。
【００２２】これらの図において、１は基板としての多
結晶ダイヤモンド、２はチャネル（多結晶ダイヤモンド
終端表面：ｐ型表面伝導層）、３はソース電極（Ａｕ電
極）、４はゲート（液体電解質：例えばＫＯＨ水溶
液）、５はゲート電極、６はドレイン電極（Ａｕ電
極）、７は保護膜、８は液槽（絶縁体）である。
結晶ダイヤモンド、２はチャネル（多結晶ダイヤモンド
終端表面：ｐ型表面伝導層）、３はソース電極（Ａｕ電
極）、４はゲート（液体電解質：例えばＫＯＨ水溶
液）、５はゲート電極、６はドレイン電極（Ａｕ電
極）、７は保護膜、８は液槽（絶縁体）である。
【００２３】ドレイン電流はゲート電圧により制御さ
れ、完全にピンチオフできる。閾値電圧は、液体電解質
のｐＨ１−１４の変化に対し、±０．２Ｖ範囲内であ
り、ネルンスト応答せず、ｐＨ依存性がほとんどないと
いえる。ＦＥＴの動作電圧範囲は、ダイヤモンドを電気
化学的電極とした場合の電位窓の範囲に対応するダイヤ
モンドの単結晶又は多結晶であり、表面は水素原子によ
り被覆されている。
れ、完全にピンチオフできる。閾値電圧は、液体電解質
のｐＨ１−１４の変化に対し、±０．２Ｖ範囲内であ
り、ネルンスト応答せず、ｐＨ依存性がほとんどないと
いえる。ＦＥＴの動作電圧範囲は、ダイヤモンドを電気
化学的電極とした場合の電位窓の範囲に対応するダイヤ
モンドの単結晶又は多結晶であり、表面は水素原子によ
り被覆されている。
【００２４】この液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴ
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
【００２５】図３は本発明の第１実施例を示す液体電解
質ゲートダイヤモンドＦＥＴの製造工程図であり、図３
〔Ａ〕はその上面工程図、図３〔Ｂ〕はその断面工程図
である。
質ゲートダイヤモンドＦＥＴの製造工程図であり、図３
〔Ａ〕はその上面工程図、図３〔Ｂ〕はその断面工程図
である。
【００２６】全面に金属を蒸着し、ゲート部分を後から
フォトリソグラフィであける。金属にはダイヤモンド薄
膜とオーミック接触を形成する金を使用し、これがパッ
ドとなり、ソース・ドレイン電極になる。因みに、ゲー
ト長は１ｍｍとした。
フォトリソグラフィであける。金属にはダイヤモンド薄
膜とオーミック接触を形成する金を使用し、これがパッ
ドとなり、ソース・ドレイン電極になる。因みに、ゲー
ト長は１ｍｍとした。
【００２７】以下、第１の製造工程について図３を参照
しながら詳細に述べる。
しながら詳細に述べる。
【００２８】（１）成膜した試料（多結晶ダイヤモンド
終端表面）１１の全面にＡｕ１３を蒸着し、全面にフォ
トレジストＡＺを塗布する。塗布条件はスピナーを１５
００ｒｐｍ回転で５秒、５０００ｒｐｍ回転で１５秒と
した。次に、試料の中央部分にＡｕ１３が残るようにマ
スクをし、光露光し現像する。ここで、試料１１表面に
はｐ型表面伝導層１２が形成される。そして、レジスト
で保護された部分以外のＡｕ１３をヨウ化カリウムでエ
ッチングし、剥がす。その後、レジストを落とし、露出
したダイヤモンド水素終端面を、中電流イオン装置でＡ
ｒイオン１４を注入し、ｐ型表面伝導層１２を破壊して
素子分離領域１５を形成する。これは外周から電流が漏
れないようにするためである。なお、ドーズ量は２×１
０13／ｃｍ2 である〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕の
（ａ）参照〕。
終端表面）１１の全面にＡｕ１３を蒸着し、全面にフォ
トレジストＡＺを塗布する。塗布条件はスピナーを１５
００ｒｐｍ回転で５秒、５０００ｒｐｍ回転で１５秒と
した。次に、試料の中央部分にＡｕ１３が残るようにマ
スクをし、光露光し現像する。ここで、試料１１表面に
はｐ型表面伝導層１２が形成される。そして、レジスト
で保護された部分以外のＡｕ１３をヨウ化カリウムでエ
ッチングし、剥がす。その後、レジストを落とし、露出
したダイヤモンド水素終端面を、中電流イオン装置でＡ
ｒイオン１４を注入し、ｐ型表面伝導層１２を破壊して
素子分離領域１５を形成する。これは外周から電流が漏
れないようにするためである。なお、ドーズ量は２×１
０13／ｃｍ2 である〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕の
（ａ）参照〕。
【００２９】（２）再び、全面にフォトレジストを塗布
し、ゲート部分のＡｕ１３が露出するようにマスク１６
をし、光露光して現像する〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕
の（ｂ）参照〕。
し、ゲート部分のＡｕ１３が露出するようにマスク１６
をし、光露光して現像する〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕
の（ｂ）参照〕。
【００３０】（３）次に、露出した部分のＡｕ１３をヨ
ウ化カリウムでエッチング除去した〔図３〔Ａ〕及び図
３〔Ｂ〕の（ｃ）参照〕後、マスク１６を落とす。ここ
で、ソース電極１３Ａとドレイン電極１３Ｂが形成され
る。
ウ化カリウムでエッチング除去した〔図３〔Ａ〕及び図
３〔Ｂ〕の（ｃ）参照〕後、マスク１６を落とす。ここ
で、ソース電極１３Ａとドレイン電極１３Ｂが形成され
る。
【００３１】（４）次に、基板をプレパラートに接着し
配線１７を施し、防水処理を施すためにエポキシ樹脂
（保護層）１８を塗布する〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕
の（ｄ）参照〕。
配線１７を施し、防水処理を施すためにエポキシ樹脂
（保護層）１８を塗布する〔図３〔Ａ〕及び図３〔Ｂ〕
の（ｄ）参照〕。
【００３２】（５）最後に、その露出したゲート部分を
アルカリ水溶液である液体電解質１９で満たし、ゲート
電極２０を形成する。なお、１８Ａは絶縁体からなる液
槽である。
アルカリ水溶液である液体電解質１９で満たし、ゲート
電極２０を形成する。なお、１８Ａは絶縁体からなる液
槽である。
【００３３】図４は本発明の第２実施例を示す液体電解
質ゲートダイヤモンドＦＥＴの製造工程図であり、図４
〔Ａ〕はその上面工程図、図４〔Ｂ〕はその断面工程図
である。
質ゲートダイヤモンドＦＥＴの製造工程図であり、図４
〔Ａ〕はその上面工程図、図４〔Ｂ〕はその断面工程図
である。
【００３４】上記した第１実施例の製造工程では、レジ
ストを２回塗布するという煩雑さがあり時間がかかるの
で、これを簡便にするために、この第２実施例の製造工
程では、金属マスクを作製し、ゲート部分をエッチング
する必要が無いようにした。金属マスクにはモリブデン
板を利用し、はじめからソース・ドレイン部分だけが形
成できるようにした。それに伴い、ゲート長１ｍｍから
０．５ｍｍに縮めるようにした。
ストを２回塗布するという煩雑さがあり時間がかかるの
で、これを簡便にするために、この第２実施例の製造工
程では、金属マスクを作製し、ゲート部分をエッチング
する必要が無いようにした。金属マスクにはモリブデン
板を利用し、はじめからソース・ドレイン部分だけが形
成できるようにした。それに伴い、ゲート長１ｍｍから
０．５ｍｍに縮めるようにした。
【００３５】以下、第２の製造工程について図４を参照
しながら詳細に述べる。
しながら詳細に述べる。
【００３６】（１）まず、金属マスク（図示なし）を利
用して、試料（多結晶ダイヤモンド終端表面）２１上に
ソース電極２３Ａとドレイン電極２３ＢからなるＡｕを
蒸着する〔図４〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ａ）参照〕。
２２はｐ型表面伝導層である。
用して、試料（多結晶ダイヤモンド終端表面）２１上に
ソース電極２３Ａとドレイン電極２３ＢからなるＡｕを
蒸着する〔図４〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ａ）参照〕。
２２はｐ型表面伝導層である。
【００３７】（２）次に、ゲート部分にレジスト２４
（ＯＥＢＲ２０００）を塗布する〔図４〔Ａ〕及び図４
〔Ｂ〕の（ｂ）参照〕。
（ＯＥＢＲ２０００）を塗布する〔図４〔Ａ〕及び図４
〔Ｂ〕の（ｂ）参照〕。
【００３８】（３）次に、中電流イオン装置を用い、Ａ
ｒイオン２５でゲート部分、および金属部分以外のｐ型
表面伝導層２２を破壊して素子分離領域２６を形成す
る。なお、ドーズ量は２×１０13／ｃｍ2 である〔図４
〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ｃ）参照〕。
ｒイオン２５でゲート部分、および金属部分以外のｐ型
表面伝導層２２を破壊して素子分離領域２６を形成す
る。なお、ドーズ量は２×１０13／ｃｍ2 である〔図４
〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ｃ）参照〕。
【００３９】（４）次に、レジスト２４を除去し、基板
をプレパラートに接着し配線２７を施し、防水処理を施
すためにエポキシ樹脂（保護層）２８を塗布する〔図４
〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ｄ）参照〕。
をプレパラートに接着し配線２７を施し、防水処理を施
すためにエポキシ樹脂（保護層）２８を塗布する〔図４
〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の（ｄ）参照〕。
【００４０】（５）最後に、その露出したゲート部分を
アルカリ水溶液である液体電解質２９で満たし、ゲート
電極３０を形成する〔図４〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の
（ｅ）参照〕。なお、２８Ａは絶縁体からなる液槽であ
る。
アルカリ水溶液である液体電解質２９で満たし、ゲート
電極３０を形成する〔図４〔Ａ〕及び図４〔Ｂ〕の
（ｅ）参照〕。なお、２８Ａは絶縁体からなる液槽であ
る。
【００４１】この実施例は、第１の製造方法に比して、
工程の大幅な単純化を図り、半分の時間でＦＥＴを製造
することができた。
工程の大幅な単純化を図り、半分の時間でＦＥＴを製造
することができた。
【００４２】図５〜図７は本発明の第２実施例により製
造された液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴの静特性
図である。
造された液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴの静特性
図である。
【００４３】上記したように、露出したゲート部分をア
ルカリ水溶液（ＫＯＨ水溶液）で満たし、ダイヤモンド
ＦＥＴを動作させて、図５〜図７に示すような静特性を
得た。
ルカリ水溶液（ＫＯＨ水溶液）で満たし、ダイヤモンド
ＦＥＴを動作させて、図５〜図７に示すような静特性を
得た。
【００４４】図５はＫＯＨ水溶液ｐＨ１１、図６はＫＯ
Ｈ水溶液ｐＨ９、図７はＫＯＨ水溶液ｐＨ８のそれぞれ
の場合の測定結果を示す図である。
Ｈ水溶液ｐＨ９、図７はＫＯＨ水溶液ｐＨ８のそれぞれ
の場合の測定結果を示す図である。
【００４５】これらの図においても、ゲートバイアスに
よるドレイン電流の制御が行われており、確かにＦＥＴ
動作していることが確認できる。そして、このＦＥＴが
ノーマリーオフモードで動作しており、ゲートバイアス
の絶対値が小さい領域では、ドレイン電流値は微小で、
ゲートバイアスの絶対値の増加と、ドレイン電流の絶対
値の増加が逆転しているところが見受けられる。この領
域では、ＦＥＴがオフモードになっていると考えられ
る。また、静特性がピンチオフしていることが確認でき
る。
よるドレイン電流の制御が行われており、確かにＦＥＴ
動作していることが確認できる。そして、このＦＥＴが
ノーマリーオフモードで動作しており、ゲートバイアス
の絶対値が小さい領域では、ドレイン電流値は微小で、
ゲートバイアスの絶対値の増加と、ドレイン電流の絶対
値の増加が逆転しているところが見受けられる。この領
域では、ＦＥＴがオフモードになっていると考えられ
る。また、静特性がピンチオフしていることが確認でき
る。
【００４６】上記したように、電位窓内でゲートバイア
ス及びソース−ドレイン間の電圧を変化させたところ完
全にピンチオフし、飽和が明瞭な静特性が得られた。ま
た、閾値電圧はＫＯＨ、ｐＨ８で−０．２Ｖ前後で一定
で、ノーマリーオフ型であることが確認できた。
ス及びソース−ドレイン間の電圧を変化させたところ完
全にピンチオフし、飽和が明瞭な静特性が得られた。ま
た、閾値電圧はＫＯＨ、ｐＨ８で−０．２Ｖ前後で一定
で、ノーマリーオフ型であることが確認できた。
【００４７】次に、本発明の液体電解質ゲートダイヤモ
ンドＦＥＴの閾値電圧の測定と液体電解質のｐＨ依存性
について見ることにする。
ンドＦＥＴの閾値電圧の測定と液体電解質のｐＨ依存性
について見ることにする。
【００４８】図８はｐＨ１１ＫＯＨ水溶液におけるＶｇ
−Ｉｄｓ特性とその対数表示を示す図、図９はｐＨ８Ｋ
ＯＨ水溶液におけるＶｇ−Ｉｄｓ特性とその対数表示を
示す図であり、図８においては閾値電圧が−０．１２
Ｖ、図９においては閾値電圧が−０．１６Ｖであり、こ
れはダイヤモンドＦＥＴとしては非常に低い値である。
また、様々な試料、ｐＨで同様の測定を行い、閾値電圧
を算出したところ、図１０のような特性が得られた。な
お、図１０においては、各試料（ＮＩＳ０３、ＮＩＳ０
４、ＮＩＳ０５）における閾値電圧とｐＨの関係を示し
ている。
−Ｉｄｓ特性とその対数表示を示す図、図９はｐＨ８Ｋ
ＯＨ水溶液におけるＶｇ−Ｉｄｓ特性とその対数表示を
示す図であり、図８においては閾値電圧が−０．１２
Ｖ、図９においては閾値電圧が−０．１６Ｖであり、こ
れはダイヤモンドＦＥＴとしては非常に低い値である。
また、様々な試料、ｐＨで同様の測定を行い、閾値電圧
を算出したところ、図１０のような特性が得られた。な
お、図１０においては、各試料（ＮＩＳ０３、ＮＩＳ０
４、ＮＩＳ０５）における閾値電圧とｐＨの関係を示し
ている。
【００４９】図８に示す、Ｌｏｇ｜Ｉｄｓ｜−Ｖｇｓ特
性より、ＦＥＴのオン−オフ状態の電流比は４桁弱ある
ことがわかった。これは使用した多結晶ダイヤモンドが
凹凸があり、成長後の平坦化を行っていない状態である
ことを考えると、非常に高い値である。
性より、ＦＥＴのオン−オフ状態の電流比は４桁弱ある
ことがわかった。これは使用した多結晶ダイヤモンドが
凹凸があり、成長後の平坦化を行っていない状態である
ことを考えると、非常に高い値である。
【００５０】さらに、電流比を上げることにより、多結
晶ダイヤモンドが低消費電力型ＦＥＴとして応用できる
ことを示している。
晶ダイヤモンドが低消費電力型ＦＥＴとして応用できる
ことを示している。
【００５１】また、水素終端ダイヤモンド表面は化学的
に安定であり、電位窓の広い電気化学的電極として、二
次電池やバイオセンサの一部として注目されている。
に安定であり、電位窓の広い電気化学的電極として、二
次電池やバイオセンサの一部として注目されている。
【００５２】本発明により、ＦＥＴが液体電解質の中で
安定に動作し、ｐＨ依存性がないチャネル上でのイオン
選択性官能基の表面修飾により、より高感度なバイオセ
ンサが期待できる。
安定に動作し、ｐＨ依存性がないチャネル上でのイオン
選択性官能基の表面修飾により、より高感度なバイオセ
ンサが期待できる。
【００５３】更に、液体電解質としては、ＫＯＨ水溶液
を示しているが、これに限定するものではなく、これ以
外に、しゅう酸塩（ｐＨ１．６８）、フタル酸塩（ｐＨ
４）、中性りん酸塩（ｐＨ７）、ほう酸塩（ｐＨ９．１
８）、炭酸塩（ｐＨ１０．０１）の各標準液でＦＥＴ特
性を観測している。
を示しているが、これに限定するものではなく、これ以
外に、しゅう酸塩（ｐＨ１．６８）、フタル酸塩（ｐＨ
４）、中性りん酸塩（ｐＨ７）、ほう酸塩（ｐＨ９．１
８）、炭酸塩（ｐＨ１０．０１）の各標準液でＦＥＴ特
性を観測している。
【００５４】また、上記実施例では、液槽（絶縁体）を
示しているが、必ずしもＦＥＴ各素子毎に必要になるも
のではない。図３や図４の（ｄ）工程で得られる素子の
複数個に共通に液体電解質を満たすようにし、適当な位
置に共通ゲート電極を配置するようにしてもよい。
示しているが、必ずしもＦＥＴ各素子毎に必要になるも
のではない。図３や図４の（ｄ）工程で得られる素子の
複数個に共通に液体電解質を満たすようにし、適当な位
置に共通ゲート電極を配置するようにしてもよい。
【００５５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００５６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００５７】（Ａ）液体電解質をゲートとし、液体電解
質の中で安定に動作し、ｐＨ依存性がないチャネル上で
のイオン選択性官能基の表面修飾により、より高感度な
液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴを得ることができ
る。
質の中で安定に動作し、ｐＨ依存性がないチャネル上で
のイオン選択性官能基の表面修飾により、より高感度な
液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴを得ることができ
る。
【００５８】（Ｂ）閾値電圧のｐＨ依存性が殆どないこ
とを利用して、イオン官能ＦＥＴ測定回路における基準
電位を決定する参照用ＦＥＴとして利用することができ
る。
とを利用して、イオン官能ＦＥＴ測定回路における基準
電位を決定する参照用ＦＥＴとして利用することができ
る。
【図１】本発明の実施例を示す液体電解質ゲートダイヤ
モンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の断面図である。
モンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す液体電解質ゲートダイヤ
モンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の平面図である。
モンドＦＥＴ（ｐチャネルＦＥＴ）の平面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す液体電解質ゲートダ
イヤモンドＦＥＴの製造工程図である。
イヤモンドＦＥＴの製造工程図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す液体電解質ゲートダ
イヤモンドＦＥＴの製造工程図である。
イヤモンドＦＥＴの製造工程図である。
【図５】本発明の第２実施例により製造された液体電解
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ１１）ゲートダイヤモンドＦＥＴ
の静特性図である。
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ１１）ゲートダイヤモンドＦＥＴ
の静特性図である。
【図６】本発明の第２実施例により製造された液体電解
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ９）ゲートダイヤモンドＦＥＴの
静特性図である。
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ９）ゲートダイヤモンドＦＥＴの
静特性図である。
【図７】本発明の第２実施例により製造された液体電解
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ８）ゲートダイヤモンドＦＥＴの
静特性図である。
質（ＫＯＨ水溶液ｐＨ８）ゲートダイヤモンドＦＥＴの
静特性図である。
【図８】本発明の液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴ
のｐＨ１１ＫＯＨ水溶液におけるＦＥＴＶｇ−Ｉｄｓ特
性とその対数表示を示す図である。
のｐＨ１１ＫＯＨ水溶液におけるＦＥＴＶｇ−Ｉｄｓ特
性とその対数表示を示す図である。
【図９】本発明の液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥＴ
のｐＨ８ＫＯＨ水溶液におけるＦＥＴＶｇ−Ｉｄｓ特性
とその対数表示を示す図である。
のｐＨ８ＫＯＨ水溶液におけるＦＥＴＶｇ−Ｉｄｓ特性
とその対数表示を示す図である。
【図１０】本発明の液体電解質ゲートダイヤモンドＦＥ
Ｔの各試料における閾値電圧とｐＨの関係を示す図であ
る。
Ｔの各試料における閾値電圧とｐＨの関係を示す図であ
る。
１ 多結晶ダイヤモンド ２ チャネル（多結晶ダイヤモンド終端表面：ｐ型表
面伝導層） ３，１３Ａ，２３Ａ ソース電極（Ａｕ電極） ４ ゲート（液体電解質：例えばＫＯＨ水溶液） ５，２０，３０ ゲート電極 ６，１３Ｂ，２３Ｂ ドレイン電極（Ａｕ電極） ７ 保護膜 ８，１８Ａ，２８Ａ 液槽（絶縁体） １１，２１ 成膜した試料（多結晶ダイヤモンド終端
表面） １２，２２ ｐ型表面伝導層 １３ Ａｕ １４，２５ Ａｒイオン １５，２６ 素子分離領域 １６ マスク １７，２７ 配線 １８，２８ エポキシ樹脂（保護層） １９，２９ 液体電解質 ２４ レジスト
面伝導層） ３，１３Ａ，２３Ａ ソース電極（Ａｕ電極） ４ ゲート（液体電解質：例えばＫＯＨ水溶液） ５，２０，３０ ゲート電極 ６，１３Ｂ，２３Ｂ ドレイン電極（Ａｕ電極） ７ 保護膜 ８，１８Ａ，２８Ａ 液槽（絶縁体） １１，２１ 成膜した試料（多結晶ダイヤモンド終端
表面） １２，２２ ｐ型表面伝導層 １３ Ａｕ １４，２５ Ａｒイオン １５，２６ 素子分離領域 １６ マスク １７，２７ 配線 １８，２８ エポキシ樹脂（保護層） １９，２９ 液体電解質 ２４ レジスト
Claims (11)
- 【請求項１】（ａ）ソース電極とドレイン電極間にダイ
ヤモンドの水素終端表面が露出したチャネルと、（ｂ）
該チャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接
触する液体電解質からなるゲートとを備えることを特徴
とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記ダイヤモンドは、アンドープ水素終端単結
晶又は多結晶ダイヤモンド薄膜からなることを特徴とす
る電界効果トランジスタ。 - 【請求項３】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記チャネルはｐチャネルであることを特徴と
する電界効果トランジスタ。 - 【請求項４】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記ｐチャネルはピンチオフすることを特徴と
する電界効果トランジスタ。 - 【請求項５】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記ｐチャネルはノーマリーオフ型であること
を特徴とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項６】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記ダイヤモンドの水素終端表面は広い電位窓
を有し、該電位窓の範囲で正確な動作を行うことを特徴
とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項７】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記液体電解質がアルカリ溶液であることを特
徴とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項８】 請求項７記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記液体電解質がＫＯＨ水溶液であることを特
徴とする電界効果トランジスタ。 - 【請求項９】 請求項１記載の電界効果トランジスタに
おいて、前記液体電解質が酸性溶液であることを特徴と
する電界効果トランジスタ。 - 【請求項１０】 請求項１記載の電界効果トランジスタ
において、閾値電圧が前記液体電解質のｐＨに略依存し
ない特性を有することを特徴とする電界効果トランジス
タ。 - 【請求項１１】 請求項１記載の電界効果トランジスタ
において、閾値電圧が環境に影響されない特性を有する
ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085947A JP3313696B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 電界効果トランジスタ |
| US09/959,905 US6833059B2 (en) | 2000-03-27 | 2001-03-26 | Field-effect transistor |
| EP01915765A EP1186885B1 (en) | 2000-03-27 | 2001-03-26 | Field-effect transistor |
| PCT/JP2001/002394 WO2001073421A1 (en) | 2000-03-27 | 2001-03-26 | Field-effect transistor |
| DE60124048T DE60124048T2 (de) | 2000-03-27 | 2001-03-26 | Feld-effekt-transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085947A JP3313696B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001272372A true JP2001272372A (ja) | 2001-10-05 |
| JP3313696B2 JP3313696B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=18602191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085947A Expired - Lifetime JP3313696B2 (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (5)
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|---|---|
| US (1) | US6833059B2 (ja) |
| EP (1) | EP1186885B1 (ja) |
| JP (1) | JP3313696B2 (ja) |
| DE (1) | DE60124048T2 (ja) |
| WO (1) | WO2001073421A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086025A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | ｐチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ |
| JP2006010357A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Keio Gijuku | マイクロダイヤモンド電極製造方法 |
| WO2006025180A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Japan Science And Technology Agency | Ｄｎａセンサー |
| JP2007078373A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＩＳＦＥＴからなるｐＨセンサー及びその製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2859821B1 (fr) * | 2003-09-15 | 2006-02-17 | Neosens | Procede de realisation d'electrodes, circuit integre a electrode (s) protegee (s) et sonde electrochimique |
| JP4683836B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2011-05-18 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド半導体素子及びその製造方法 |
| EP1751802B1 (en) * | 2004-05-21 | 2012-11-07 | University Of Cincinnati | Liquid logic structures for electronic device applications |
| JP4777159B2 (ja) | 2006-06-26 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | デュアルゲート型センサ |
| GB2449928A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Electrochemical thin-film transistor |
| GB2449927A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Electrolyte gated TFT |
| US20100176463A1 (en) * | 2007-07-19 | 2010-07-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| DE102007039706A1 (de) | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Erhard Prof. Dr.-Ing. Kohn | Chemischer Sensor auf Diamantschichten |
| DE102009033652A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-27 | Universität Ulm | Halbleiterbauelement mit Diamant enthaltenden Elektroden sowie dessen Verwendung |
| WO2015194815A1 (ko) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | 한국기계연구원 | 유기 반도체 소자 및 이의 제조 방법, 이를 이용한 직물 구조체 및 부직물 구조체, 그리고 이를 이용한 반도체 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133645A (ja) | 1984-07-25 | 1986-02-17 | 住友電気工業株式会社 | 生体用センサ− |
| JP3096088B2 (ja) | 1991-02-13 | 2000-10-10 | 新電元工業株式会社 | イオン非感応センサ |
| US5362975A (en) * | 1992-09-02 | 1994-11-08 | Kobe Steel Usa | Diamond-based chemical sensors |
| JP3308755B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2002-07-29 | 東京瓦斯株式会社 | 素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子の製造方法 |
| JP3566377B2 (ja) | 1995-03-01 | 2004-09-15 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜バイオセンサ |
| JP3501552B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2004-03-02 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド電極 |
| GB2328023A (en) * | 1997-08-08 | 1999-02-10 | Univ Manchester | pH sensing devices |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085947A patent/JP3313696B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-26 EP EP01915765A patent/EP1186885B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-26 US US09/959,905 patent/US6833059B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-26 WO PCT/JP2001/002394 patent/WO2001073421A1/ja active IP Right Grant
- 2001-03-26 DE DE60124048T patent/DE60124048T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086025A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | ｐチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ |
| US7339212B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-03-04 | Japan Science And Technology Agency | p channel filed effect transistor and sensor using the same |
| JP2006010357A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Keio Gijuku | マイクロダイヤモンド電極製造方法 |
| JP4547548B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-09-22 | 学校法人慶應義塾 | マイクロダイヤモンド電極製造方法 |
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| JPWO2006025180A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2008-07-31 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ｄｎａセンサー |
| JP4523001B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2010-08-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ｄｎａセンサーおよびそれを用いた測定方法 |
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| EP1186885A4 (en) | 2003-06-18 |
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