JPH02249962A

JPH02249962A - Ｆｅｔセンサ

Info

Publication number: JPH02249962A
Application number: JP1072368A
Authority: JP
Inventors: Teruaki Katsube; 勝部　昭明; Hideichiro Yamaguchi; 秀一郎山口; Takeshi Shimomura; 猛下村
Original assignee: Terumo Corp
Current assignee: Terumo Corp
Priority date: 1989-03-23
Filing date: 1989-03-23
Publication date: 1990-10-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、イオンセンサ、ガスセンサまたは酵素センサ
として用いられるＦＥＴセンサに関し、特にＭ　ＯＳ　
（Ｍｅｔａｌ　０ｘｉｄｅ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｌ型電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴとい
う、）構造を有するＦＥＴセンサに関する。

［従来の技術］近年、イオンセンサまたは酵素センサとして、電界効果
トランジスタを用いたＦＥＴセンサが種々開発されてお
り、特にＭＯＳＦＥＴを利用したものが数多く提案され
ている。このＭＯＳＦＥＴは、金属−酸化物（Ｓｉｎｇ
）−半導体層からなる構造を有し、その原理は、任意の
外部印加電圧に対して、半導体の電荷と符合が反対で、
かつ等量の電荷が半導体層と酸化膜の界面に現われ、こ
れによりソース・ドレイン間電流が流れるものである。

［発明が解決しようとする課題］ところで、このようなＭＯＳＦＥＴ構造では、半導体基
板の表面を電流が円滑に流れるためには、当該ＭＯ３基
扱４完全に絶縁（シールド）させる必要がある。このた
め、ＭＯ３基板の作製に煩雑な工程、すなわちゲート電
極を形成する際に、−旦絶縁膜（保護膜）を形成した後
、ゲート部上の絶縁膜を再度削り取る工程が必要となる
。

また、ＭＯ５ＦＥＴ自身、他のトランジスタに比べて入
力インビータンスが高いため応答性が遅い。また、上記
のような絶縁性が完全でなく、ピンホールがあると、ド
リフトや電流の漏れ出しが発生し、雑音特性が悪くなる
という問題があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
製造工程を簡略化できるとともに、高速動作が可能であ
り、かつ雑音特性に優れた電界効果トランジスタを提供
することを目的とする。

また、本発明は上記電界効果トランジスタを利用するこ
とにより、製造が容易であるとともに応答特性に優れた
ＦＥＴセンサを提供することにある。

［課題を解決するための手段］上記課題を解決するために本発明に係る電界効果トラン
ジスタは、半導体層と、該半導体層上に設けられるとと
もに当該半導体層とオーミック接触をなすソース電極お
よびドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との
間のチャネル領域に対応するとともにゲート絶縁膜を介
して前記半導体層上に設けられたゲート電極とを備えた
ことを特徴とする。

また、本発明に係るＦＥＴセンサは、半導体層と、該半
導体層上に設けられるとともに当該半導体層とオーミッ
ク接触をなすソース電極およびドレイン電極と、該ソー
ス電極とドレイン電極との間のチャネル領域に対応する
とともにゲート絶縁膜を介して前記半導体層上に設けら
れたゲート電極とを備え、前記ゲート電極を被測定物の
濃度または分圧に応じた電気信号の入力部としたことを
特徴とする。ここで、前記ゲート電極は、前記ゲート絶
縁膜上に形成された導電層と、該導電層上に形成された
導電性炭素材料層とにより形成することが好ましい。

さらに、このＦＥＴセンサをイオンセンサとして用いる
場合には、前記ゲート電極またはその延長配線部の少な
くとも一部をイオン感応膜により被覆し、酵素センサと
して用いる場合には前記ゲート電極またはその延長配線
部の少なくとも一部を酵素固定化膜により被覆すること
が好ましい。

また、本発明に係るＦＥＴセンサは、半導体層と、該半
導体層上に設けられるとともに当該半導体層とオーミッ
ク接触をなすソース電極およびドレイン電極と、該ソー
ス電極とドレイン電極との間のチャネル領域に対応させ
て設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設け
られたイオン感応膜とを備えたことを特徴とし、また半
導体層と、該半導体層上に設けられるとともに当該半導
体層とオーミック接触をなすソース電極およびドレイン
電極と、該ソース電極とドレイン電極との間のチャネル
領域に対応させて設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けられた酵素固定化膜とを備えたことを特
徴とする。

さらに、前記半導体層はその厚さを１．０μｍ以下とす
ることが好ましい。

［作　用］上記構成により本発明による電界効果トランジスタにあ
っては、ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極
およびドレイン電極間の半導体層上層部に空乏層が発生
し、見かけ上その直下の半導体層（チャネル領域）中を
ソース・ドレイン間電流が円滑に流れる。したがって、
従来のような半導体層表面を絶縁（シールド）させるた
めにゲート部に保護膜を形成し、再度削り取るような煩
雑な工程が不要になるとともに、ソースおよびドレイン
領域にｐｎ接合を形成する必要がないので、製造工程が
著しく簡略化される。さらに、ソースおよびドレイン電
極が半導体層と接合した構造であるため、低雑音となり
、かつ電子移動度が太き（なり、高周波特性に優れた電
界効果トランジスタとなる。

また、本発明によるＦＥＴセンサにあっては、イオンセ
ンサとして用いる場合には被測定物のイオン濃度、また
酵素センサとして用いられる場合には酵素濃度に応じて
ゲート電極に電圧が印加され、これにより上述のように
半導体層上層部に空乏層が発生し、見かけ上その直下の
半導体層（チャネル領域）中をソース・ドレイン間電流
が流れ、この電流値を検出することによりイオンまたは
酵素の濃度を測定することができる。これは、イオン感
応膜または酵素固定化膜を直接ゲート絶縁膜上に形成し
た場合でも同様である。

また、ゲート絶縁膜上に銀を被覆し、そのうえに、塩化
銀とテフロンの積層体を被覆することにより基準電極と
しても使用可能である。

［実施例］以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。こ
こで、具体的な実施例を説明する前に、先ず本発明の基
本的な原理を第１図により説明する０図中、１は絶縁基
板であり、この絶縁基板１の上にはエピタキシャル成長
法により形成された例えばｎ型の半導体層２が形成され
ている。

この半導体層２上には一対のソース電極３およびドレイ
ン電極４が例えば蒸着法により形成されており、これら
のソース電極３およびドレイン電極４下の半導体層２表
面にはオーミック接触をなすためのｎ０型領域５がそれ
ぞれ形成されている、また、ソース３とドレイン４との
間の半導体層２の上面にはゲート絶縁膜（ＳｉＯ□）６
を介してゲート電極７が設けられている。

すなわち、本発明による電界効果トランジスタは、ゲー
ト部をＭＯ３ＦＥＴ構造とし、またソース電極３および
ドレイン電極４をオーム性接触電極としたもので、ゲー
ト電極７に逆方向電圧を印加することによりゲート絶縁
−［６と下地の半導体層２との界面に空乏層８を発生さ
せ、該空乏層８の下層部の狭い半導体層（チャネル領域
）９にソース・ドレイン間電流（１，）を流すものであ
る。

このソース・ドレイン間電流の大きさは、ゲート電極７
を通じて空乏層８を制御することにより変えることがで
きる。

上記絶縁基ｉ１としては例えばサファイヤ基板が用いら
れるが、これは上層のｎ型半導体層２とｐｎ接合を形成
するｐ型半導体基板を用いるようにしてもよい、なお、
上述においては、エピタキシャル層をｎ型としたが、ｐ
型としてもよく、この場合には基板としてはｎ型のもの
が用いられることは勿論である。

また、半導体層２としては一般にシリコン（Ｓｉ）が用
いられるが、その化ゲルマニウム（Ｇｅｌやガリウムヒ
素ｆＧａＡｓ１等の化合物半導体も用いることができる
。そして、この半導体層２の厚さは、１．０μｍ以下、
好ましくは０．３μｍである。

１．０μｍ以上であると、電流層の厚みが拡がり過ぎて
、電流の流れが拡散され、その結果ソース・ドレイン間
電流は効果的に流れなくなる。

方、半導体層２が狭過ぎると、電流層が過密になり、電
流の流れが妨げられるとともに、安定した多層基板を作
成することが困難になる。

上記ゲート電極７を構成する導電層としては、半導体層
２中の空乏層８を制御できるものであれば、金属、合金
、無機物、セラミックス、若しくは導電性ポリマー、ま
たはこれらの組合せのいずれでもよいが、ＦＥＴセンサ
として用いる場合には、導電性炭素材料で構成するが、
あるいは他の材料で形成された導電性層を導電性炭素材
料層で被覆した構成とすることが好ましい。

上記ＦＥＴをイオンセンサとして用いる場合には、上記
ゲート電極またはその延長配線部の少なくとも一部を覆
うようにイオン感応膜が形成される。このイオン感応膜
としては、酸化還元機能を有する酸化還元機能層と、イ
オンキャリア物質を含有してＨ０イオンその他のイオン
の選択性を有するイオン選択性層との２層構造からなる
もの、あるいはイオン選択性を有する酸化還元機能層が
用いられる。ここに、酸化還元機能層としては、これを
導電性層の表面に被着してなる電極が酸化還元反応をに
よって当該導電性層、あるいはゲート絶縁膜６を介して
下層の半導体層２に一定電位を発生しつる性質のもので
あり、特に酸素ガス分圧によって電位が変動しないもの
が好ましく、例えばキノン−ヒドロキノン型の酸化還元
反応を行うことができる有機化学物質または高分子膜が
用いられる。

また、上記ＦＥＴを酵素センサとして用いる場合には、
上記ゲート電極またはその延長配線部の少なくとも一部
を覆うように酵素固定化膜が形成される。この酵素固定
化膜としては、例えばグルコース（ブドウ糖）を検出す
る場合には、グルコースオキシダーゼ（ＣＯＤ）を架橋
化法等により固定したＣＯＤ固定化膜が用いられる。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。

（実施例１）第２図および第３図は本発明の実施例１に係るイオンセ
ンサの構造模式図を示すもので、第２図は平面図、第３
図は第２図の■−■線に沿う横断面図である０図中、１
１はサファイア（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎ　５ａｐｐｈｉｒ
ｅ）基板であり、このサファイア基板ｌｌ上にエピタキ
シャル成長法により０．６μｍ厚さのｎ型シリコン層を
形成した後、エツチングにより島状のｎ型シリコ２層１
２を選択的に形成した。そして、このシリコン層１２の
表面にｎ型不純物例えば燐（Ｐ）を拡散させ、オーミッ
ク接触用のｎ＋型層を形成した後、ソース電極１３およ
びドレイン電極１４を例えば電子ビームを用いた蒸着法
により形成した。その後、９７０〜１０００℃の乾燥酸
素ガス雰囲気中において１時間熱処理を施し、シリコン
層１２の上面にソース領域とドレイン領域との間のチャ
ネル領域に対応させて膜厚的０．１〜０．３μｍのゲー
ト絶縁膜（ＳｉＯ□膜）１５を形成するとともに、半導
体層１２の側壁を絶縁膜（ＳｉＯ□）１５ａにより被覆
した。さらにこのゲート絶縁膜１５上に蒸着法により金
属、例えばクロムからなる膜厚的０．１μｍのゲート電
極１６を形成した。

夾挾ヨユ上記ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流（ｒ　ｏ）−ソース・
ドレイン間電圧（ＶＯ，）特性を第４図の測定回路によ
り測定した。すなわち、ゲート電位（Ｖ、、）を−０，
５，−１，０，−１，５゜２．０および０（ｖ）とした
ときの関係を検討したところ第５図に示す特性が得られ
た。第５図の工。−■。３の関係からゲート電圧変化に
対するドレイン電流の変化率ΔＩｏ／△ＶａＳを求めた
結果を表１にまとめて示した。

表−１従来のＭＯＳＦＥＴでは５極管真空管の特性を示すのに
対して、このＦＥＴの特性は、３極管特性の増幅作用を
示すことが分った。また、ゲートのリーク電流値は、１
０−”Ａ以下であった０以上のことから、このＦＥＴは
電位測定法を用いるセンサに応用可能であることが分っ
た。

（実施例２）実施例１のゲート電極にクロム金属の代わりにアルミニ
ウムを用いた以外は実施例１と同様にしてＭＯＳ　Ｆ　
ＥＴを作製した。

（実施例３）実施例２のゲート電極にアルミニウム金属の代わりにタ
ンタル金属を用いた以外は実施例２と同様にしてＭＯＳ
ＦＥＴを作製した。

（実施例４）実施例１におけるＭＯＳＦＥＴのゲート電極を延長し、
当該ゲート部金属上に、イオンビームスパッタリング装
置（イオンチック社製、ＦＡＢ−１１型）により膜厚的
０．２μｍの導電性カーボン層２１を形成した０次に、
ＭＯＳＦＥＴ全体に絶縁膜２０としてポリイミド系のフ
ォトレジスト（ネガ型）をスピンコード（約２〜１０μ
ｍ）した後、ゲート延長部の導電性カーボン層２１とソ
ース、ドレイン、ゲート電極のリード線コンタクト部に
開口部を設けるようにフォトマスクを通して紫外線電光
（ＵＶリソグラフィー）し、現像した。そして、被着性
と電気絶縁性を高めるために２５０〜４００℃で加熱処
理を行った。

次に、この導電性カーボン層２１の端部にリード線を接
続し、このリード線に次の条件でＨ０イオン応答重合体
膜２２を電解酸化重合法で被覆させた。このときの重合
体膜２２の膜厚は約ｌＯμｍであった。

なお、電解液組成は、５０ｍＭ　　４．４′−ビフェノール０．２Ｍ　過塩素酸ナトリウム溶媒　　　アセトニトリル溶液とした、また、電解重合反応条件は、上記のカーボン層
被覆ＦＥＴ電極を作用極とし、基準極に飽和塩化ナトリ
ウムカロメル電極（５ａｔｕｒａｔｅｄｓｏｄｉｕ＋ｍ
　ｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｃａｌｏｍｅｌ　：　Ｓ　Ｓ　Ｃ
Ｅ　）を用い、対極に白金網を用いた３電極式セル中で
、電位を０．０〜＋１．４　（Ｖ）で３回掃引させた後
、＋１．４　（Ｖ）（対５ＳＣＥ）（７）定電位として
、１０分間定電位電解を行った。

次に、Ｈ＋イオン応答重合体膜２２上にイオン選択膜２
３を浸漬法で被覆させた。このイオン選択膜２３の組成
は、トリドデシル７ミン　（ＴＤＤＡ）　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　３．７５ｍｇカリウムテトラキ
スｐクロロフェニルボレート（ＫＴｐＣ１２ＰＢ）　　
　　　４．０　　＋ｗｇ士バシン酸ジー２エチルヘキシ
ル　（ＤＯＳ）　　　　　　　　　　　　３８９．３８
＋＋＋ｇポリ塩化ビニｋ　　　（ＰＶＣ）　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１９４．３８ｍｇ溶媒：テト
ラハイドロフラン（ＴＨＦ）　　　　　　　　　　　　
　　　　　　２５　　ｍ１２とした。

以上のようにして作製したイオンセンサのイオン選択膜
２３の膜厚は約０．４ｍｍであった。

１狭丞ｌ実施例４の膜被覆ＦＥＴ電極を作用極３０として、第６
図に示す測定回路を用いて、出力電圧としての５ＳＣＥ
　（基準極）３１との間でのソース電圧（Ｖｏｕｔ）を
測定した。このソース電圧の測定には、ディジタルポル
トメータ（アトパンテスト社製、ＴＲ６２４１型）を用
い、測定液リン酸緩衝液（リン酸塩濃度５０　ｍ　Ｍ　
）中で、ｐＨ５〜９の広い範囲に亘って、水素イオン濃
度を測定した。ｐＨに対する応答は、で示されるネルンストの関係式に従う。

％式％）であり、理論値６１．３７ｍＶ／ｐＨに近似した良い直
線関係を示した。また、応答速度は５秒以内（９９，０
％応答）と非常に迅速であった。

（実施例５）実施例２のＭＯＳＦＥＴ基板上に実験例２と同様に導電
性カーボン層、次いで酸化還元機能膜としてポリマー薄
膜を被覆させてｐＨセンサを作成した。

１扶里Ａ実施例５のｐＨセンサのｐＨ応答を測定し、その結果、
良好な特性が得られた。

（実施例６）実施例３のＭＯ５ＦＥＴ基板上に実施例２と同様に、導
電性カーボン層、次いで酸化還元機能膜としてポリマー
薄膜を被覆させてｐＨセンサを作成した。

１脹■ｊ実施例６のｐＨセンサのｐＨ応答を測定し、その結果良
好な特性が得られた。

（実施例７）実施例２のイオン選択膜２２の代わりに、次の組成のイ
オン選択膜を酸化還元機能膜２２上に浸漬法で被覆して
、カリウム電極を作製した。

バリノフイシン　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　３．２　　Ｂ／Ｉ２士バシン酸ジー２−エチルヘ
キシル（ｏｏｓｌ　　　　１３１．２　　ｍｇ＃２ポリ
塩化ビニル（ｐｖｃ）　　　　　　　　　　　　　６５
．６　　ｍｇ＃２溶媒；　　テトラハイドロフラン（Ｔ
ＨＦ）実ＪＬＩ汁旦実施例７で作成した膜被１ＦＥＴ電極を作用極３０に用
いて第６図に示した測定回路により、基準極（ＳＳＣＥ
）３１どの間でソース電圧（Ｖ　ｏｕｔ）を測定した。

被検液は塩化カリウム溶液を用い、本実施例電極の特性
を検討した。

その結果、出力電圧（Ｖ　ｏｕｔ）とに゛イオン濃度の
間にはよい相関関係があり、Ｋ０イオン濃度１Ｏ−４〜
５Ｘ１０−’Ｍの範囲で直線関係を示した。この直線の
勾配より約６０　ｍＶ／Ｉ２ｏｇ　［Ｋ　”　］が得ら
れた（温度３７℃）、また、応答速度は１秒以内（９５
％応答）と極めて迅速であった。

１１五ユニ１実施例２および実施例３のｐＨセンサを用いてｐＨ応答
特性を実験例２と同様に検討したところ、各々ｐＨ感度
６１ｍＶ／ｐＨ１応答速度５秒以内（９９，０％応答）
を示した。

支隨医旦エユユ実施例２および実施例３のセンサを用い、実験例６と同
様にカリウムイオン濃度の測定を行った。その結果、カ
リウムイオン濃度に対する感度は約６０１１ＩＶ／Ｉ２
ｏｇ　［Ｋ”ｌ、応答速度は１秒以内（９５％応答）を
示し、極めて優れたイオンＦＥＴセンサであった。

（実施例８）実施例１のＭＯ３ＦＥＴゲート基板（金属クロム）上に
、膜厚約８００人の酸化イリジウム膜をスパッタリング
法で直接被覆させた。このｐＨ応答性酸化イリジウム膜
上に、次の酵素固定化膜をスピンコード法で被着させた
。すなわち、０．２Ｍのトリス−塩酸緩衝液（ｐＨ＝８
−５）中に１００　Ｂ／ｍｆｆのグルコースオキシダー
ゼ（ＣＯＤ）と１５重量％牛血清アルブミンとを溶解さ
せ、その液５ｕｇをマイクロシリンジで採取し、酸化イ
リジウム膜の上にスピンナー（ミカサ社製、ＬＨ−３６
０５型）で塗布し、風乾させた後、２５Ｖ０１％グルタ
ルアルデヒド溶液０，５μβを滴下し、架橋反応によっ
てＧＯＤ担持酵素固定化膿を成層させた。

叉眉ｍ実施例８で得られた酵素センサの特性を基準電極に銀／
塩化銀電極を用いて、第６図に示した測定回路にて調べ
た。測定範囲は１〜１０１００（／ｄｌであり、その結
果感度１１ｍＶ　（１〜１０００ｍｇ／ｄＪ２）　、応
答速度５（分）が得られた。

（実施例９）実施例８のグルコースオキシダーゼの代りにウレアーゼ
を用いた以外は実施例８と同様にして尿素センサを作製
した。

夫挾勇１ノ実施例９で得られた尿素センサの特性を基準電極として
銀／塩化銀電極を用いて、第６図に示す測定回路にて調
べた。測定範囲は１〜５００［ｍｇ’／ｌ）であり、そ
の結果感度４５（ｍＶ）（１〜１００ｍｇ／ｄｆｆ）　
、応答速度５（分）以内が得られた。

［発明の効果］以上説明したように本発明に係るＦＥＴは、半導体層上
に該半導体層とオーミック接触をなすソース電極および
ドレイン電極を設けるとともに、これらのソース電極と
ドレイン電極との間にゲート絶縁膜を介してゲート電極
を設ける構成とし、半導体層表面に空乏層を発生させる
とともに、該空乏層直下の半導体層（チャネル領域）に
ソース・ドレイン間電流を流すようにしたので、従来の
ＭＯ３ＦＥＴ作製プロセスのようなゲート部上に保護膜
を付け、これを再度削り取るような煩雑な工程が不要で
あり、またソースおよびドレイン領域に従来のＭＯＳＦ
ＥＴのようにｐｎ接合を形成する必要がないので、製造
工程が著しく簡略化される。

また、半導体製造工程では絶縁層を作製する工程は、ド
リフトや電流の漏れ出し防止する点から重要であるが、
本発明のＦＥＴでは、半導体層の下地基板にサファイア
等の絶縁基板を用いることができるので、削りとるだけ
で容易に絶縁基板を作製でき、したがってドリフト等を
防止することができ、雑音特性に優れたＦＥＴが得られ
る。

さらに、ソースおよびドレイン電極部において、導電性
物質と半導体層とが接合する構造を採用しているので、
低雑音であり、かつ電子移動度を大きくでき、高周波特
性が優れた素子、ひいては高速動作の集積回路が作製で
きる。したがって、このＦＥＴを用いることにより、製
造が容易であるとともに小型で応答特性に優れたイオン
センサ、酵素センサ等のＦＥＴセンサを得ることができ
るという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本原理を説明するためのＦＥＴの断
面構成図、第２図は本発明の実施例に係るＦＥＴセンサ
の平面構成図、第３図は第２図のＩＩＩ−ｒｌｌ線に沿
う断面構成図、第４図は本実施例のＦＥＴの特性測定用
の回路構成図、第５図は第４図の回路で得られた出力特
性図、第６図は本実施例のＦＥＴセンサの特性測定用の
回路構成図である。１．１１・・・絶縁基板、２．１２・・・半導体層３・
・・ソース電極、　　　４．１４・・・　ドレイン電極
５・・・ｎ＋型領領域オーミック接触用）６．１５・・
・ゲート絶縁膜７．１６・・・ゲート電極、２１・・−導電性カーボン層２２・・−Ｈゝイオン応答重合体膜２３・・・イオン選択膜２０・・・絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体層と、該半導体層上に設けられるとともに
当該半導体層とオーミック接触をなすソース電極および
ドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間の
チャネル領域に対応するとともにゲート絶縁膜を介して
前記半導体層上に設けられたゲート電極とを備えたこと
を特徴とする電界効果トランジスタ。
（２）半導体層と、該半導体層上に設けられるとともに
当該半導体層とオーミック接触をなすソース電極および
ドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間の
チャネル領域に対応するとともにゲート絶縁膜を介して
前記半導体層上に設けられたゲート電極とを備え、前記
ゲート電極を被測定物の濃度または分圧に応じた電気信
号の入力部としたことを特徴とするＦＥＴセンサ。
（３）前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上に形成さ
れた導電層と、該導電層上に形成された導電性炭素材料
層とからなる請求項２記載のＦＥＴセンサ。
（４）前記ゲート電極またはその延長配線部の少なくと
も一部をイオン感応膜により被覆してなる請求項２また
は３記載のＦＥＴセンサ。
（５）前記ゲート電極またはその延長配線部の少なくと
も一部を酵素固定化膜により被覆してなる請求項２また
は３記載のＦＥＴセンサ。
（６）半導体層と、該半導体層上に設けられるとともに
当該半導体層とオーミック接触をなすソース電極および
ドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間の
チャネル領域に対応させて設けられたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられたイオン感応膜とを備えた
ことを特徴とするＦＥＴセンサ。
（７）半導体層と、該半導体層上に設けられるとともに
当該半導体層とオーミック接触をなすソース電極および
ドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間の
チャネル領域に対応させて設けられたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に設けられた酵素固定化膜とを備えた
ことを特徴とするＦＥＴセンサ。
（８）前記半導体層は、その厚さが１．０μｍ以下であ
る請求項２ないし７のいずれか１つに記載のＦＥＴセン
サ。