JP2001272281A - 温度特性切替回路 - Google Patents
温度特性切替回路Info
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- JP2001272281A JP2001272281A JP2000085539A JP2000085539A JP2001272281A JP 2001272281 A JP2001272281 A JP 2001272281A JP 2000085539 A JP2000085539 A JP 2000085539A JP 2000085539 A JP2000085539 A JP 2000085539A JP 2001272281 A JP2001272281 A JP 2001272281A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の集積回路内部の出力の温度特性を変える
ことができなかったので、使用する周辺回路で必要な温
度特性に合せ込む必要があり、前記周辺回路の設計自由
度が束縛された。 【解決手段】本発明の温度特性切替回路は第１の温度特
性を有する第１温度特性回路と、第２の温度特性を有す
る第２温度特性回路とを同一集積回路に組込み、使用す
る周辺回路に応じて切替回路にて切替えることである。
ことができなかったので、使用する周辺回路で必要な温
度特性に合せ込む必要があり、前記周辺回路の設計自由
度が束縛された。 【解決手段】本発明の温度特性切替回路は第１の温度特
性を有する第１温度特性回路と、第２の温度特性を有す
る第２温度特性回路とを同一集積回路に組込み、使用す
る周辺回路に応じて切替回路にて切替えることである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度特性を切替え
ることができるようにした温度特性切替回路に関する。
ることができるようにした温度特性切替回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の温度特性集積回路においては、出
力の温度特性を変えることができなかった。そのため使
用する周辺回路等によって必要な温度特性に合せ込んだ
り、あるいは温度特性集積回路内部の出力の温度特性を
変える必要があった。
力の温度特性を変えることができなかった。そのため使
用する周辺回路等によって必要な温度特性に合せ込んだ
り、あるいは温度特性集積回路内部の出力の温度特性を
変える必要があった。
【０００３】図２は従来の第１の温度特性集積回路図１
である。３は第１トランジスタでベースは抵抗Ｒ１を介
して電源電圧Ｖｃｃが供給されベース電圧Ｖｒ（前段の
出力電圧）が加えられ、前記ベース電圧Ｖｒの大きさを
選定することにより出力端子５に必要とする出力電圧Ｖ
ｏが得られる。４は前記出力端子５に接続された第２ト
ランジスタで、エミッタは抵抗Ｒ３を介してアースされ
ている。
である。３は第１トランジスタでベースは抵抗Ｒ１を介
して電源電圧Ｖｃｃが供給されベース電圧Ｖｒ（前段の
出力電圧）が加えられ、前記ベース電圧Ｖｒの大きさを
選定することにより出力端子５に必要とする出力電圧Ｖ
ｏが得られる。４は前記出力端子５に接続された第２ト
ランジスタで、エミッタは抵抗Ｒ３を介してアースされ
ている。
【０００４】６は第３トランジスタで、ベースに抵抗Ｒ
４、Ｒ５とダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、
Ｄ６が接続されている。７、８は第４、第５トランジス
タで第４トランジスタ７のベースは第５トランジスタ８
のコレクタに接続され、第５トランジスタ８のベースは
第４トランジスタ７のエミッタに接続されている。
４、Ｒ５とダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、
Ｄ６が接続されている。７、８は第４、第５トランジス
タで第４トランジスタ７のベースは第５トランジスタ８
のコレクタに接続され、第５トランジスタ８のベースは
第４トランジスタ７のエミッタに接続されている。
【０００５】前記第４、第５トランジスタ７、８のエミ
ッタは抵抗Ｒ６、Ｒ７を介してアースされると共に前記
接続された第４トランジスタ７のベースと第５トランジ
スタ６のコレクタは抵抗Ｒ８を介して第３トランジスタ
６のエミッタに接続され、又前記接続された第４トラン
ジスタ７のエミッタと第５トランジスタ８のベースは第
２トランジスタ４のベースに接続されている。
ッタは抵抗Ｒ６、Ｒ７を介してアースされると共に前記
接続された第４トランジスタ７のベースと第５トランジ
スタ６のコレクタは抵抗Ｒ８を介して第３トランジスタ
６のエミッタに接続され、又前記接続された第４トラン
ジスタ７のエミッタと第５トランジスタ８のベースは第
２トランジスタ４のベースに接続されている。
【０００６】図２の温度特性集積回路の温度特性を計算
する。ここで電源電圧Ｖｃｃを８Ｖ抵抗Ｒ２を７．９Ｋ
Ω、抵抗Ｒ３を７．９ＫΩ、抵抗Ｒ４を３０ＫΩ、抵抗
Ｒ５を５ＫΩ、抵抗Ｒ６を１０ＫΩ、抵抗Ｒ７を５Ｋ
Ω、抵抗Ｒ８を２．０８ＫΩ、ダイオードＤ１、Ｄ２、
Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６のアノード・カソード間及び各
トランジスタのベースエミッタ間電圧をＶＢＥとする
と、第３トランジスタ６のベース電流Ｉａは Ｉａ＝（８−６ＶＢＥ）／３５ （１） したがって第３トランジスタ６のベース電圧Ｖａは Ｖａ＝５×Ｉａ＋４×ＶＢＥ （２） （２）式に（１）式のＩａを代入しすると Ｖａ＝（８−６ＶＢＥ）／７＋４×ＶＢＥ Ｖａ ＝８／７＋（２２／７）×ＶＢＥ （３） となる。
する。ここで電源電圧Ｖｃｃを８Ｖ抵抗Ｒ２を７．９Ｋ
Ω、抵抗Ｒ３を７．９ＫΩ、抵抗Ｒ４を３０ＫΩ、抵抗
Ｒ５を５ＫΩ、抵抗Ｒ６を１０ＫΩ、抵抗Ｒ７を５Ｋ
Ω、抵抗Ｒ８を２．０８ＫΩ、ダイオードＤ１、Ｄ２、
Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６のアノード・カソード間及び各
トランジスタのベースエミッタ間電圧をＶＢＥとする
と、第３トランジスタ６のベース電流Ｉａは Ｉａ＝（８−６ＶＢＥ）／３５ （１） したがって第３トランジスタ６のベース電圧Ｖａは Ｖａ＝５×Ｉａ＋４×ＶＢＥ （２） （２）式に（１）式のＩａを代入しすると Ｖａ＝（８−６ＶＢＥ）／７＋４×ＶＢＥ Ｖａ ＝８／７＋（２２／７）×ＶＢＥ （３） となる。
【０００７】次に第３トランジスタ６及び第４トランジ
スタ７のコレクタ・エミッタに流れる電流Ｉｂは Ｉｂ＝（Ｖａ−３ＶＢＥ）／（２．０８＋５） （４） （４）式のＶａに（３）式を代入し整理するとＩｂ＝
（８／７＋（ＶＢＥ／７）／７．０８ Ｉｂ＝（８＋ＶＢＥ）／４９．５６ （５） 第５トランジスタ８のベース電圧Ｖｂは Ｖｂ＝５×Ｉｂ＋ＶＢＥ （６） （６）式に（５）式のＩｂを代入し整理すると Ｖｂ＝（４０＋５４．５６×ＶＢＥ）／４９．５６（７） ここで５４．５６を四捨五入して５５とし、４９．５６
を四捨五入して５０とすると、 Ｖｂ≒ ４／５＋（１１／１０）×ＶＢＥ （８） となる。
スタ７のコレクタ・エミッタに流れる電流Ｉｂは Ｉｂ＝（Ｖａ−３ＶＢＥ）／（２．０８＋５） （４） （４）式のＶａに（３）式を代入し整理するとＩｂ＝
（８／７＋（ＶＢＥ／７）／７．０８ Ｉｂ＝（８＋ＶＢＥ）／４９．５６ （５） 第５トランジスタ８のベース電圧Ｖｂは Ｖｂ＝５×Ｉｂ＋ＶＢＥ （６） （６）式に（５）式のＩｂを代入し整理すると Ｖｂ＝（４０＋５４．５６×ＶＢＥ）／４９．５６（７） ここで５４．５６を四捨五入して５５とし、４９．５６
を四捨五入して５０とすると、 Ｖｂ≒ ４／５＋（１１／１０）×ＶＢＥ （８） となる。
【０００８】又第１トランジスタ３及び第２トランジス
タ４のコレクタ・エミッタに流れる電流Ｉｃは Ｉｃ＝（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ （９） 出力端子３の出力電圧Ｖｏは抵抗Ｒ１によって決められ
る第１トランジスタ３のベース電圧をＶｒとすると、 Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−（７．９×Ｉｃ） （１０） （１０）式に（９）式を代入して整理すると Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×｛（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９｝ Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ （１１） （１１）式に（７）式を代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−５×Ｉｂ−ＶＢＥ （１２） 第２トランジスタ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂ（１
２）式に（５）式のＩｂを代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−５×｛（８＋ＶＢＥ）／４９．５６｝−Ｖ
ＢＥ これを整理すると Ｖｏ＝Ｖｒ−（４０＋５ＶＢＥ＋４９．５６×ＶＢＥ）／４９．５６ ＝Ｖｒ−（４０＋５４．５６×ＶＢＥ）／４９．５６ ここで５４．５６を四捨五入して５５とし、４９．５６
を四捨五入して５０とすると、 Ｖｏ≒Ｖｒ−４／５−（１１／１０）×ＶＢＥ （１３） ここで、ある温度でのＶＢＥ＝０．７５と仮定すると Ｖｏ≒Ｖｒ−１．６５ （１４） となり、上述の集積回路において出力電圧の温度特性は
第１トランジスタ３のベース電圧Ｖｒ及び各トランジス
タのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥに依存する。
タ４のコレクタ・エミッタに流れる電流Ｉｃは Ｉｃ＝（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ （９） 出力端子３の出力電圧Ｖｏは抵抗Ｒ１によって決められ
る第１トランジスタ３のベース電圧をＶｒとすると、 Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−（７．９×Ｉｃ） （１０） （１０）式に（９）式を代入して整理すると Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×｛（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９｝ Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ （１１） （１１）式に（７）式を代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−５×Ｉｂ−ＶＢＥ （１２） 第２トランジスタ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂ（１
２）式に（５）式のＩｂを代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−５×｛（８＋ＶＢＥ）／４９．５６｝−Ｖ
ＢＥ これを整理すると Ｖｏ＝Ｖｒ−（４０＋５ＶＢＥ＋４９．５６×ＶＢＥ）／４９．５６ ＝Ｖｒ−（４０＋５４．５６×ＶＢＥ）／４９．５６ ここで５４．５６を四捨五入して５５とし、４９．５６
を四捨五入して５０とすると、 Ｖｏ≒Ｖｒ−４／５−（１１／１０）×ＶＢＥ （１３） ここで、ある温度でのＶＢＥ＝０．７５と仮定すると Ｖｏ≒Ｖｒ−１．６５ （１４） となり、上述の集積回路において出力電圧の温度特性は
第１トランジスタ３のベース電圧Ｖｒ及び各トランジス
タのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥに依存する。
【０００９】図３は第２の温度特性回路２で、第２トラ
ンジスタ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂの温度特性を
ゼロとしたものである。ここで抵抗Ｒ１０を６３．７５
ＫΩ、抵抗Ｒ１１を１６．２５ＫΩとすると、第１トラ
ンジスタ３及び第２トランジスタ４のコレクタ・エミッ
タに流れる電流Ｉｃは Ｉｃ＝（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ （１５） 出力端子５の出力電圧Ｖｏは Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×Ｉｃ （１６） （１５）式に（１４）式を代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×｛（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ ｝ Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ＋ＶＢＥ＝Ｖｒ−Ｖｂ （１７） となる。
ンジスタ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂの温度特性を
ゼロとしたものである。ここで抵抗Ｒ１０を６３．７５
ＫΩ、抵抗Ｒ１１を１６．２５ＫΩとすると、第１トラ
ンジスタ３及び第２トランジスタ４のコレクタ・エミッ
タに流れる電流Ｉｃは Ｉｃ＝（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ （１５） 出力端子５の出力電圧Ｖｏは Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×Ｉｃ （１６） （１５）式に（１４）式を代入すると Ｖｏ＝Ｖｒ−ＶＢＥ−７．９×｛（Ｖｂ−ＶＢＥ）／７．９ ｝ Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ＋ＶＢＥ＝Ｖｒ−Ｖｂ （１７） となる。
【００１０】実際に計算すると第２トランジスタ４のベ
ース電流Ｉｂ＝１００ｍＡ ベース・エミッタ間電圧Ｖｂ＝１．６２５Ｖ 出力電圧Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ＝Ｖｒ−１．６２５Ｖ となり、出力電圧Ｖｏの温度特性は抵抗Ｒ１の大きさに
よって決められる第１トランジスタ３のベース電圧をＶ
ｒの温度特性のみとなる。
ース電流Ｉｂ＝１００ｍＡ ベース・エミッタ間電圧Ｖｂ＝１．６２５Ｖ 出力電圧Ｖｏ＝Ｖｒ−Ｖｂ＝Ｖｒ−１．６２５Ｖ となり、出力電圧Ｖｏの温度特性は抵抗Ｒ１の大きさに
よって決められる第１トランジスタ３のベース電圧をＶ
ｒの温度特性のみとなる。
【００１１】
【発明が解決するための課題】従来は集積回路内部の出
力の温度特性を変えることができなかったので、使用す
る周辺回路で必要な温度特性に合せ込む必要があったの
で、前記周辺回路の設計自由度が束縛された。
力の温度特性を変えることができなかったので、使用す
る周辺回路で必要な温度特性に合せ込む必要があったの
で、前記周辺回路の設計自由度が束縛された。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の温度特性切替回
路は第１の温度特性を有する第１温度特性回路と、第２
の温度特性を有する第２温度特性回路とを同一集積回路
に組込み、切替回路にて使用する周辺回路に応じて切替
えることである。
路は第１の温度特性を有する第１温度特性回路と、第２
の温度特性を有する第２温度特性回路とを同一集積回路
に組込み、切替回路にて使用する周辺回路に応じて切替
えることである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面に従って
説明する。尚、従来の温度特性切替回路図である図２及
び図３と同じ構成部分は同一符号を付す。
説明する。尚、従来の温度特性切替回路図である図２及
び図３と同じ構成部分は同一符号を付す。
【００１４】図１において、１は第１温度特性回路、２
は第２温度特性回路で、前記第１及び第２温度回路１，
２は同一集積回路に組込まれている。１０は切替回路
で、１１は切替信号Ｓが加えられる切替端子、１２、１
３は切替信号Ｓによってオンオフされる第６、第７トラ
ンジスタ、１４、１５は前記第６、第７トランジスタ１
２，１３にてオンオフされる第８、第９トランジスタ、
１６はベースが前記第４トランジスタ８のベースに接続
された第１０トランジスタで、エミッタは第８トランジ
スタ１４のベースに接続されている。１７はベースが抵
抗Ｒ１０と抵抗Ｒ１１の接続点に接続された第１１トラ
ンジスタで、エミッタは第９トランジスタ１５のベース
に接続されている。
は第２温度特性回路で、前記第１及び第２温度回路１，
２は同一集積回路に組込まれている。１０は切替回路
で、１１は切替信号Ｓが加えられる切替端子、１２、１
３は切替信号Ｓによってオンオフされる第６、第７トラ
ンジスタ、１４、１５は前記第６、第７トランジスタ１
２，１３にてオンオフされる第８、第９トランジスタ、
１６はベースが前記第４トランジスタ８のベースに接続
された第１０トランジスタで、エミッタは第８トランジ
スタ１４のベースに接続されている。１７はベースが抵
抗Ｒ１０と抵抗Ｒ１１の接続点に接続された第１１トラ
ンジスタで、エミッタは第９トランジスタ１５のベース
に接続されている。
【００１５】次に動作を説明する。切替端子１１に加え
られる切替信号がハイレベルのとき、第６トランジスタ
１２がオンし、第７トランジスタ１３がオフするので、
第８トランジスタ１４がオンし、第９トランジスタ１５
がオフする。従って第１温度特性回路１の第５トランジ
スタ８のベース電圧Ｖｂが第１０トランジスタ１６のベ
ースに加えられ、さらに第８トランジスタ１４を介して
第２トランジスタ４のベースに加えられ第２トランジス
タ４のベース電位を制御する。
られる切替信号がハイレベルのとき、第６トランジスタ
１２がオンし、第７トランジスタ１３がオフするので、
第８トランジスタ１４がオンし、第９トランジスタ１５
がオフする。従って第１温度特性回路１の第５トランジ
スタ８のベース電圧Ｖｂが第１０トランジスタ１６のベ
ースに加えられ、さらに第８トランジスタ１４を介して
第２トランジスタ４のベースに加えられ第２トランジス
タ４のベース電位を制御する。
【００１６】このためこのときの出力端子の電流温度特
性は第１温度特性回路１の温度特性による。この温度特
性に合うように使用する周辺回路の温度特性を設計すれ
ばよい。しかし使用する周辺回路によって前記周辺回路
の温度特性を前記出力電圧Ｖｏの温度特性に合わせるこ
とが難しいことがある。
性は第１温度特性回路１の温度特性による。この温度特
性に合うように使用する周辺回路の温度特性を設計すれ
ばよい。しかし使用する周辺回路によって前記周辺回路
の温度特性を前記出力電圧Ｖｏの温度特性に合わせるこ
とが難しいことがある。
【００１７】然る場合は、切替端子１１に加えられる切
替信号をローレベルにする。それにより第６トランジス
タ１２がオフし、第７トランジスタ１３がオンするの
で、第８トランジスタ１４がオフし、第９トランジスタ
１５がオンする。従って第２温度特性回路２の抵抗Ｒ１
０と抵抗Ｒ６の電圧がベースに加えられ、さらに第１０
トランジスタ１５を介して第２トランジスタ４のベース
に加えられる。
替信号をローレベルにする。それにより第６トランジス
タ１２がオフし、第７トランジスタ１３がオンするの
で、第８トランジスタ１４がオフし、第９トランジスタ
１５がオンする。従って第２温度特性回路２の抵抗Ｒ１
０と抵抗Ｒ６の電圧がベースに加えられ、さらに第１０
トランジスタ１５を介して第２トランジスタ４のベース
に加えられる。
【００１８】従ってこのときの出力端子の電流温度特性
は第２温度特性回路の温度特性２によるので、この温度
特性に合うように使用する周辺回路の温度特性を設計す
ればよい
は第２温度特性回路の温度特性２によるので、この温度
特性に合うように使用する周辺回路の温度特性を設計す
ればよい
【００１９】
【発明の効果】本発明の温度特性切替回路は第１の温度
特性を有する第１温度特性回路と、第２の温度特性を有
する第２温度特性回路とを同一集積回路に組込み、使用
する周辺回路に応じて前記第１温度特性回路と第２温度
特性回路とを切替回路で切替えるので、出力電流の温度
特性が変えられ、周辺回路の温度特性の合わせ込みが簡
単となり、セット側の設計の自由度があがる。
特性を有する第１温度特性回路と、第２の温度特性を有
する第２温度特性回路とを同一集積回路に組込み、使用
する周辺回路に応じて前記第１温度特性回路と第２温度
特性回路とを切替回路で切替えるので、出力電流の温度
特性が変えられ、周辺回路の温度特性の合わせ込みが簡
単となり、セット側の設計の自由度があがる。
【図１】本発明の温度特性切替回路の回路図である。
【図２】従来の温度特性回路の回路図である。
【図３】従来の他の温度特性回路の回路図である。
１ 第１温度特性回路 ２ 第２温度特性回路 ３ 第１トランジスタ ４ 第２トランジスタ ５ 出力端子 ６ 第３トランジスタ ７ 第４トランジスタ ８ 第５トランジスタ １０ 切替回路 １１ 切替端子 １２ 第６トランジスタ １３ 第７トランジスタ １４ 第８トランジスタ １５ 第９トランジスタ １６ 第１０トランジスタ
Claims (4)
- 【請求項１】出力電圧を取出す出力端子と、前記出力端
子と電源間にエミッタ・コレクタ路が負荷抵抗を介して
接続されベースに出力電圧に応じたベース電圧が加えら
れる第１トランジスタと、エミッタ・コレクタ路が前記
出力端子とアース間に抵抗を介して接続された第２トラ
ンジスタと、該第２トランジスタのベース電位を制御す
る第１の温度特性を有する第１温度特性回路と第２の温
度特性を有する第２温度特性回路とを同一集積回路に組
込み、切替回路にて使用する周辺回路に応じて切替える
ことを特徴とする温度特性切替回路。 - 【請求項２】前記第１温度特性回路は複数のトランジス
タとダイオード及び抵抗を有し温度特性が第１トランジ
スタのベース電圧と複数のトランジスタのベース・エミ
ッタ間電圧に依存し、第２温度特性回路は抵抗よりなり
温度特性が第１トランジスタのベース電圧と第２トラン
ジスタに加わるベース電圧に依存することを特徴とする
請求項１に記載の温度特性切替回路。 - 【請求項３】前記第１温度特性回路はベースに抵抗と複
数のダイオードが接続された第３トランジスタと、ベー
スに第３トランジスタのエミッタ電圧が加えられる第４
トランジスタと、コレクタが第４トランジスタのベース
に接続されベースが第４トランジスタのエミッタに接続
された第５トランジスタとよりなり、第４トランジスタ
のエミッタより第５トランジスタのベースに加えられる
ベース電圧を切替回路にて切替え第２トランジスタのベ
ースに供給し、第２温度特性回路は複数の抵抗よりなり
複数の抵抗の接続点の電圧を切替回路にて第２トランジ
スタのベースに供給することを特徴とする請求項２に記
載の温度特性切替回路。 - 【請求項４】前記切替回路は切替端子に加えられる切替
電圧でオンオフする第６、第７トランジスタと、第６、
第７トランジスタにてオンオフされ前記第１温度特性回
路の第５トランジスタのベースに加えられるベース電圧
を第２トランジスタのベースに供給する第８トランジス
タと、第６、第７トランジスタにてオンオフされ第２温
度特性回路の抵抗の接続点における電圧を第２トランジ
スタのベースに供給する第９トランジスタよりなること
を特徴とする請求項３に記載の温度特性切替回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085539A JP2001272281A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 温度特性切替回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085539A JP2001272281A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 温度特性切替回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001272281A true JP2001272281A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18601865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085539A Pending JP2001272281A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 温度特性切替回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001272281A (ja) |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085539A patent/JP2001272281A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20031211 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
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| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |