JPS6241341Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6241341Y2 JPS6241341Y2 JP1979137717U JP13771779U JPS6241341Y2 JP S6241341 Y2 JPS6241341 Y2 JP S6241341Y2 JP 1979137717 U JP1979137717 U JP 1979137717U JP 13771779 U JP13771779 U JP 13771779U JP S6241341 Y2 JPS6241341 Y2 JP S6241341Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- circuit
- diode
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Audible And Visible Signals (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は電気通信機・音響機器・電子計測器
等の電子応用機器において、異る制御状態あるい
は動作状態を表示するための、表示灯の交互動作
回路に関するものである。
等の電子応用機器において、異る制御状態あるい
は動作状態を表示するための、表示灯の交互動作
回路に関するものである。
従来技術と問題点
電子回路では電圧・電流・電力・周波数等の値
を変化することがあり、特に２つの状態を選択す
る２値回路は多く使用され、その２値状態を設定
するにはオン／オフスイツチによるか、他回路よ
りの電気信号により制御するが、その状態はスイ
ツチの場合はツマミの位置で判るが電気信号によ
る場合は別に表示器を付ける必要がある。同様に
してデジタル動作回路では信号がＬレベルである
かＨレベルであるかにより動作状態が決定される
ので、信号レベルのＬ／Ｈを明白に表示したい要
求は多いものである。
を変化することがあり、特に２つの状態を選択す
る２値回路は多く使用され、その２値状態を設定
するにはオン／オフスイツチによるか、他回路よ
りの電気信号により制御するが、その状態はスイ
ツチの場合はツマミの位置で判るが電気信号によ
る場合は別に表示器を付ける必要がある。同様に
してデジタル動作回路では信号がＬレベルである
かＨレベルであるかにより動作状態が決定される
ので、信号レベルのＬ／Ｈを明白に表示したい要
求は多いものである。
第２図にこの目的に使用される従来回路の一例
を示す。図において１１，１５はベース保護抵
抗、１２，１６はトランジスタ、１３，１７は発
光ダイオード、１３，１８は負荷抵抗であり、入
力信号レベルがＬの場合に発光ダイオード１７が
点灯表示し、入力信号のレベルがＨの場合には発
光ダイオード１３が点灯表示する。従つて２値状
態制御電圧回路・デジタル信号回路あるいは２値
状態制御用スイツチング回路に接続して該回路の
状態を表示することが出来るものである。
を示す。図において１１，１５はベース保護抵
抗、１２，１６はトランジスタ、１３，１７は発
光ダイオード、１３，１８は負荷抵抗であり、入
力信号レベルがＬの場合に発光ダイオード１７が
点灯表示し、入力信号のレベルがＨの場合には発
光ダイオード１３が点灯表示する。従つて２値状
態制御電圧回路・デジタル信号回路あるいは２値
状態制御用スイツチング回路に接続して該回路の
状態を表示することが出来るものである。
このように第２図の従来回路は動作においては
全く問題が無いのであるが、動作性能を低下する
こと無しに回路を簡素化できることが望ましく、
表示のための発光ダイオードは不可欠なので、２
個のトランジスタの省略が望まれていたのであ
る。
全く問題が無いのであるが、動作性能を低下する
こと無しに回路を簡素化できることが望ましく、
表示のための発光ダイオードは不可欠なので、２
個のトランジスタの省略が望まれていたのであ
る。
考案の目的
この考案は２個の発光ダイオードの点灯状態に
より入力信号のＬ／Ｈ状態を表示する回路におい
て、従来回路にて使用している２個のトランジス
タの内の１個を省略した表示灯の交互動作回路を
提供するのを目的とする。
より入力信号のＬ／Ｈ状態を表示する回路におい
て、従来回路にて使用している２個のトランジス
タの内の１個を省略した表示灯の交互動作回路を
提供するのを目的とする。
考案の概要
第１図は本考案の表示灯の交互動作回路であつ
て、トランジスタ２のエミツタＥは発光ダイオー
ド３を通して電源帰路に接がれ、コレクタＣはダ
イオード４と発光ダイオード５の直列回路を通し
て電源帰路に接がれると共に負荷抵抗６を通して
電源Ｖccに接がれて成り、トランジスタ２のベー
スＢと電源帰路間にＬ／Ｈの入力信号を加える構
成である。
て、トランジスタ２のエミツタＥは発光ダイオー
ド３を通して電源帰路に接がれ、コレクタＣはダ
イオード４と発光ダイオード５の直列回路を通し
て電源帰路に接がれると共に負荷抵抗６を通して
電源Ｖccに接がれて成り、トランジスタ２のベー
スＢと電源帰路間にＬ／Ｈの入力信号を加える構
成である。
その動作は、信号はベース保護抵抗１を通して
トランジスタ２のベースＢに加えられるが、入力
信号レベルがＬの場合はトランジスタ２のコレク
タ電流はカツトオフされるから、電流は電源Ｖcc
より抵抗６、ダイオード４、発光ダイオード５の
直列回路を流れ、発光ダイオード５が点灯する。
この際の発光ダイオード５の順電圧降下は1.5〜
2Vであり、ダイオード４の順電圧降下は通常の
シリコンダイオードでは0.6〜0.7Vである。
トランジスタ２のベースＢに加えられるが、入力
信号レベルがＬの場合はトランジスタ２のコレク
タ電流はカツトオフされるから、電流は電源Ｖcc
より抵抗６、ダイオード４、発光ダイオード５の
直列回路を流れ、発光ダイオード５が点灯する。
この際の発光ダイオード５の順電圧降下は1.5〜
2Vであり、ダイオード４の順電圧降下は通常の
シリコンダイオードでは0.6〜0.7Vである。
これに対して発光ダイオード３と直列のトラン
ジスタ２のコレクタ・エミツタ間飽和電圧（順電
圧降下）は小信号シリコントランジスタでは0.2
〜0.3Vが普通である。従つてトランジスタ２の
ベースＢに十分なＨレベル信号を加えた場合のト
ランジスタ２＋発光ダイオード３の順電圧降下
は、発光ダイオード３と５に同一種類のものを使
用すれば、ダイオード４＋発光ダイオード５の順
電圧降下より0.3〜0.5Vは低いことになる。そこ
で電流は電源Ｖccより抵抗６トランジスタ２、発
光ダイオード３を通して流れ、発光ダイオード３
が点灯する。この際のトランジスタ２側の電圧降
下がダイオード４側の導通に必要な電圧より低い
ため、発光ダイオード５の側には電流が流れなく
なり、発光ダイオード５は消灯する。
ジスタ２のコレクタ・エミツタ間飽和電圧（順電
圧降下）は小信号シリコントランジスタでは0.2
〜0.3Vが普通である。従つてトランジスタ２の
ベースＢに十分なＨレベル信号を加えた場合のト
ランジスタ２＋発光ダイオード３の順電圧降下
は、発光ダイオード３と５に同一種類のものを使
用すれば、ダイオード４＋発光ダイオード５の順
電圧降下より0.3〜0.5Vは低いことになる。そこ
で電流は電源Ｖccより抵抗６トランジスタ２、発
光ダイオード３を通して流れ、発光ダイオード３
が点灯する。この際のトランジスタ２側の電圧降
下がダイオード４側の導通に必要な電圧より低い
ため、発光ダイオード５の側には電流が流れなく
なり、発光ダイオード５は消灯する。
このようにして、入力信号がＬレベルでは発光
ダイオード５が点灯し、入力信号がＨレベルでは
発光ダイオード３が点灯するので、発光ダイオー
ド３と５の点灯状況により入力信号のＬ／Ｈレベ
ル状態を知ることが出来るものである。本回路で
のＬレベルは0.5V以下であり、Ｈレベルはほぼ
1V以上数Ｖの範囲が適当である。
ダイオード５が点灯し、入力信号がＨレベルでは
発光ダイオード３が点灯するので、発光ダイオー
ド３と５の点灯状況により入力信号のＬ／Ｈレベ
ル状態を知ることが出来るものである。本回路で
のＬレベルは0.5V以下であり、Ｈレベルはほぼ
1V以上数Ｖの範囲が適当である。
考案の実施例
第３図は本考案の実施回路例である。図中の記
号で第１図と同一のものは同一の構造および動作
であるから詳細な説明は省略する。
号で第１図と同一のものは同一の構造および動作
であるから詳細な説明は省略する。
本考案を実用するに際して、第１図の回路では
発光ダイオード３と５にそれぞれ直列のトランジ
スタ２とダイオード４との順電圧降下が異なるた
め、電圧降下の小さいトランジスタ２側の電流が
ダイオード４の側より大きくなり、従つて通過電
流の大きい発光ダイオード３の輝度は発光ダイオ
ード５よりも大きくなる傾向がある。これを厳密
に同一の輝度に合わせるには発光ダイオード３に
並列に抵抗７を接いで電流を分流してやればよ
い。もし発光ダイオード３と５とに別品種を使用
して、逆に５の方が輝度が大となる場合には５に
直列に抵抗（図示せず）を入れて電流を制限すれ
ばよい。
発光ダイオード３と５にそれぞれ直列のトランジ
スタ２とダイオード４との順電圧降下が異なるた
め、電圧降下の小さいトランジスタ２側の電流が
ダイオード４の側より大きくなり、従つて通過電
流の大きい発光ダイオード３の輝度は発光ダイオ
ード５よりも大きくなる傾向がある。これを厳密
に同一の輝度に合わせるには発光ダイオード３に
並列に抵抗７を接いで電流を分流してやればよ
い。もし発光ダイオード３と５とに別品種を使用
して、逆に５の方が輝度が大となる場合には５に
直列に抵抗（図示せず）を入れて電流を制限すれ
ばよい。
スイツチの動作状態を本考案回路で表示するの
には入力保護抵抗１をＨレベルに接ぎ、トランジ
スタ２のベースＢと電源帰路間にスイツチ８を接
続して、ベースＢより被制御回路への２値状態制
御電圧を引き出す構成として、スイツチ８のオン
時には発光ダイオード５が点灯し、スイツチ８の
オフ時には発光ダイオード３が点灯することでス
イツチ８の状態を表示することが出来る。
には入力保護抵抗１をＨレベルに接ぎ、トランジ
スタ２のベースＢと電源帰路間にスイツチ８を接
続して、ベースＢより被制御回路への２値状態制
御電圧を引き出す構成として、スイツチ８のオン
時には発光ダイオード５が点灯し、スイツチ８の
オフ時には発光ダイオード３が点灯することでス
イツチ８の状態を表示することが出来る。
考案の効果
本考案の第１図の回路の表示動作は第２図の従
来回路の表示動作と全く同等であり、回路構成に
おいてトランジスタ１個と抵抗２個を減じ、小形
で安価なダイオードを１個追加した形であるの
で、部品価格・スペース・工作のすべての点にお
いて有利である。
来回路の表示動作と全く同等であり、回路構成に
おいてトランジスタ１個と抵抗２個を減じ、小形
で安価なダイオードを１個追加した形であるの
で、部品価格・スペース・工作のすべての点にお
いて有利である。
なお図面およびその説明ではNPN型トランジ
スタに合わせてあるが、PNP型トランジスタにお
いても電源とダイオードの極性を反転することに
より全く同様の効果が得られるのは申すまでもな
い。
スタに合わせてあるが、PNP型トランジスタにお
いても電源とダイオードの極性を反転することに
より全く同様の効果が得られるのは申すまでもな
い。
第１図は本考案を説明する回路例、第２図は従
来回路の例、第３図は本考案の実施回路例であ
る。 ２，１２，１６……トランジスタ、３，５，１
２，１７……発光ダイオード、１，６，７，１
１，１４，１５，１８……抵抗、４……ダイオー
ド、８……スイツチ。
来回路の例、第３図は本考案の実施回路例であ
る。 ２，１２，１６……トランジスタ、３，５，１
２，１７……発光ダイオード、１，６，７，１
１，１４，１５，１８……抵抗、４……ダイオー
ド、８……スイツチ。
Claims (1)
- トランジスタのエミツタは発光ダイオードを通
して電源帰路に接がれ、コレクタはダイオードと
発光ダイオードの直列回路を通して電源帰路に接
がれると共に負荷抵抗を通して電源に接がれて成
り、該トランジスタのベースと電源帰路間にＬ／
Ｈの入力信号を加えるように構成したことを特徴
とする表示灯の交互動作回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979137717U JPS6241341Y2 (ja) | 1979-10-04 | 1979-10-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979137717U JPS6241341Y2 (ja) | 1979-10-04 | 1979-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5655887U JPS5655887U (ja) | 1981-05-15 |
| JPS6241341Y2 true JPS6241341Y2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=29369134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979137717U Expired JPS6241341Y2 (ja) | 1979-10-04 | 1979-10-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6241341Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6019298A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | 松下電器産業株式会社 | 表示ランプ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528795A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-22 | Kyocera Corp | Selective indication circuit |
| JPS5350988A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Driving circuit of light emitting diode |
-
1979
- 1979-10-04 JP JP1979137717U patent/JPS6241341Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528795A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-22 | Kyocera Corp | Selective indication circuit |
| JPS5350988A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Driving circuit of light emitting diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5655887U (ja) | 1981-05-15 |
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