JP2001270885A - アルミニウムフタロシアニン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ニトリル類から１工程でアルミニウムフタロシ
アニン類に至らしめることにより、収率と製造時間の面
で大幅に改善する製造方法を提供するものである。 【解決手段】溶剤中でハロゲン化アルミニウムとアンモ
ニアとを反応させて錯形成体を形成する第１段階と、前
記錯形成体とフタロニトリル類とを反応させる第２段階
とを含むことを特徴とするアルミニウムフタロシアニン
類の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアルミニウムフタロ
シアニン類の製造方法およびこの製造方法で製造したフ
タロシアニン類を含む光記録媒体（ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−
Ｒ、反射金属膜層を有しない光ディスク、光カード等）
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】フタロシアニン類は顔料や染料など着色
材料としての応用のみならす、電子材料としての応用が
盛んに行われている。可溶性基を導入したアルミニウム
フタロシアニンはＣＤ−Ｒ（追記型コンパクトディス
ク）をはじめとする光記録媒体へ応用されている。特願
平９−５２１１６７号では可溶性置換基を有するアルミ
ニウムフタロシアニンの軸置換基にジアルキルホスフィ
ン酸基やスルホン酸基を結合させることで良好な記録特
性をもつ記録材料を提供している。ＣＤ−Ｒをはじめと
する光記録媒体の製造においては、記録層となる記録材
料を有機溶剤に溶かし、ポリカーボネート等の樹脂基板
上にスピンコーティング等の方法でコーティングする方
法が一般的である。このため記録材料は可溶性かつ記録
特性のバランスにすぐれたものにするために、多くの置
換基による修飾を行う必要がある。その製造には多くの
工程を必要とするため、トータルの収量は大幅に低下し
記録材料の製造コストの増大につながっている。たとえ
ば、可溶性基を有するアルミニウムフタロシアニン類を
製造する場合、可溶性基を有するフタロニトリル類と塩
化アルミニウムを溶剤中直接反応させてもフタロシアニ
ン骨格の環化に至らず、いったん相当する置換基を有す
るジイミノイソインドリン類の製造を経由する２工程で
目的物を得ることになる。光記録媒体を安価に提供する
ためには、可溶性基を有したフタロニトリル類から１工
程でアルミニウムフタロシアニン類を提供できるよう
な、工程の短縮および収量を向上できる技術が求められ
ていた。

【０００３】

【本発明が解決しようとする課題】本発明はこれまでの
アルミニウムフタロシアニンの製造方法が、ニトリル類
からジイミノイソインドリン類を経由してアルミニウム
フタロシアニン類に至る２工程で行われてきたことに対
して、ニトリル類から１工程でアルミニウムフタロシア
ニン類に至らしめることにより、収率と製造時間の面で
大幅に改善する製造方法を提供するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、溶剤中でハロ
ゲン化アルミニウムとアンモニアとを反応させて錯形成
体を形成する第１段階と、前記錯形成体と下記式（１）
で表されるフタロニトリル類とを反応させる第２段階と
を含むことを特徴とする、下記式（２）で表されるアル
ミニウムフタロシアニン類の製造方法に関する。 式（１）

【０００５】

【化５】

【０００６】［式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有
してもよいアリール基、置換基を有してもよい脂環残
基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有し
てもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ
基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を
有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいア
リールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有し
てもよいフタルイミドメチル基、置換基を有してもよい
スルホンアミド基のいずれかを表す。］ 式（２）

【０００７】

【化６】

【０００８】［式中、Ｘ１〜４および、Ｙ１〜４は、そ
れぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよい脂環残基、置換基を有してもよいアラルキル基、
置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよい
アルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ
基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有
してもよいアリールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
置換基を有してもよいフタルイミドメチル基、置換基を
有してもよいスルホンアミド基のいずれかを表す。Ｚ
は、ハロゲン原子またはＯＨ基を表す。］ また、本発明は、溶剤が、キノリンであることを特徴と
する前記アルミニウムフタロシアニン類の製造方法に関
する。

【０００９】また、本発明は、第１段階において、アン
モニアが、ハロゲン化アルミニウムとほぼ同じ反応当量
だけ溶剤中に導入されることを特徴とする前記アルミニ
ウムフタロシアニン類の製造方法に関する。

【００１０】また、本発明は、式（１）で表されるフタ
ロニトリル類が下記式（３）であり、式（２）で表され
るアルミニウムフタロシアニン類が下記式（４）で表さ
れるアルミニウムフタロシアニン類であることを特徴と
する前記アルミニウムフタロシアニン類の製造方法に関
する。 式（３）

【００１１】

【化７】

【００１２】［式中、Ｘは、水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
置換基を有してもよい脂環残基、置換基を有してもよい
アラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ
基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、置換基を有してもよいフタルイミドメチ
ル基、置換基を有してもよいスルホンアミド基のいずれ
かを表す。式中、Ｒは、置換基を有してもよいアルキル
基、またはアリール基を表す。］ 式（４）

【００１３】

【化８】

【００１４】［式中、Ｘ１〜４は、水素原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリー
ル基、置換基を有してもよい脂環残基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、
置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有しても
よいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル
チオ基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、置換基を有してもよいフタルイミド
メチル基、置換基を有してもよいスルホンアミド基のい
ずれかを表す。式中、Ｒ１〜４は、置換基を有してもよ
いアルキル基、またはアリール基を表す。Ｚは、ハロゲ
ン原子またはＯＨ基を表す。］ また、本発明は、溶剤中でハロゲン化アルミニウムとア
ンモニアとを反応させて錯形成体を形成する第１段階
と、前記錯形成体とフタロニトリル類とを反応させてア
ルミニウムフタロシアニン類を製造する第２段階と、第
２段階で得られたフタロシアニン類またはそれに軸置換
基を導入したフタロシアニン類を塗布用溶剤に溶解して
塗布液とする第３段階と、前記塗布液を案内溝を有する
樹脂基板にスピンコーティング法によって塗布する第４
段階とを含む光記録媒体の製造方法に関する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明で用いられるフタロニトリ
ル類は、下記式（１）で表される。すなわち、 式（１）

【００１６】

【化９】

【００１７】［式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有
してもよいアリール基、置換基を有してもよい脂環残
基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有し
てもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ
基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を
有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいア
リールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有し
てもよいフタルイミドメチル基、置換基を有してもよい
スルホンアミド基のいずれかを表す。］ 本発明で用いられるフタロニトリル類は式（１）に該当
するものであれば、２種以上の該当するフタロニトリル
類を混合して用いても良い。

【００１８】得られる化合物は下記式（２）で表される
アルミニウムフタロシアニン類である。 式（２）

【００１９】

【化１０】

【００２０】［式中、Ｘ１〜４および、Ｙ１〜４は、そ
れぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよい脂環残基、置換基を有してもよいアラルキル基、
置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよい
アルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ
基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有
してもよいアリールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
置換基を有してもよいフタルイミドメチル基、置換基を
有してもよいスルホンアミド基のいずれかを表す。Ｚ
は、ハロゲン原子またはＯＨ基を表す。］ 本発明で得られるアルミニウムフタロシアニン類は軸置
換基のＺがハロゲン原子またはＯＨ基の単体または混合
体であってもかまわない。

【００２１】さらに、下記式（３）に該当するフタロニ
トリル類を用いれば原料の仕込み時からアルミニウムフ
タロシアニンの環化反応の終了に至るまで置換基である
アルコキシ基が可溶基として働くので有機物は均質系で
反応容器の中に析出することなく環化反応が完結するの
で後の処理の容易さ、収率の向上などの面で有利に進行
する。 式（３）

【００２２】

【化１１】

【００２３】［式中、Ｘは、水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
置換基を有してもよい脂環残基、置換基を有してもよい
アラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基
を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
リールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ
基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、置換基を有してもよいフタルイミドメチ
ル基、置換基を有してもよいスルホンアミド基のいずれ
かを表す。式中、Ｒは、置換基を有してもよいアルキル
基、またはアリール基を表す。］ 本発明で用いられるフタロニトリル類は式（１）に該当
するものであれば、２種以上の該当するフタロニトリル
類を混合して用いても良い。

【００２４】式（３）のフタロニトリル類を用いた場合
に得られる化合物は下記式（４）で表されるアルミニウ
ムフタロシアニン類である。 式（４）

【００２５】

【化１２】

【００２６】［式中、Ｘ１〜４は、水素原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリー
ル基、置換基を有してもよい脂環残基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、
置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有しても
よいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル
チオ基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、置換基を有してもよいフタルイミド
メチル基、置換基を有してもよいスルホンアミド基のい
ずれかを表す。式中、Ｒ１〜４は、置換基を有してもよ
いアルキル基、またはアリール基を表す。Ｚはハロゲン
原子またはＯＨ基を表す。］ 本発明で得られるアルミニウムフタロシアニン類は軸置
換基のＺがハロゲン原子またはＯＨ基の単体または混合
体であってもかまわない。

【００２７】得られたフタロシアニン類は幅広い溶剤に
対する溶解度が高いので色素溶液をスピンコーティング
して得られる光記録媒体用の記録材料又はその原料とし
て最適である。

【００２８】本発明に用いられるハロゲン化アルミニウ
ムとしては、ＡｌＦ₃、ＡｌＣｌ₃、ＡｌＢｒ₃、ＡｌＩ₃
などが用いられる。

【００２９】本発明に用いられるアンモニアはボンベか
らアンモニアガスとして反応容内に導入して用いる方法
が容易であるがこれに限らない。

【００３０】本発明で用いられる溶剤は、反応容器昇温
後、アルミニウムフタロシアニンに至る環化反応が認め
られる溶剤であれば何でも良いが、原料に対する溶解力
や高沸点などの点からキノリンを用いることが好まし
い。

【００３１】本発明は上記原料のほかに触媒を用いない
が、必要に応じてフタロシアニン類の環化に汎用の触媒
を併用してもかまわない。すなわち１，８−ジアザビシ
クロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザ
ビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、モリブデン酸ア
ンモニウム、尿素、ジエチルエタノールアミンなどを併
用してもかまわない。

【００３２】本発明の製造方法において、反応の第一段
階ではアンモニアはハロゲン化アルミニウムと錯形成体
を形成することで、金属源を活性化させるものとして必
要である ハロゲン化アルミニウムを溶解あるいは分散させた反応
溶剤中にアンモニアガスを導入すると昇温を伴ってハロ
ゲン化アルミニウムと錯形成体を形成する。アンモニア
量が過剰になると昇温は停止する。反応容器内に導入さ
れたアンモニアガスは、錯形成体の形成中はその反応当
量が反応容器内のハロゲン化アルミニウムと反応するた
め容器外に排出がほとんど認められず、反応容器に設け
たガス排出口にｐＨ試験紙を配置しても変化がほとんど
認められない（ｐＨ７前後）。錯形成終了後は過剰分と
して導入分相当のアンモニアガスが容器外に排出される
ため、ガス排出口に配置したｐＨ試験紙が塩基性側（ｐ
Ｈ１２前後）に変化してゆく様子が認められる。錯形成
反応は反応溶剤温度が室温でも、反応を迅速に進めるた
めにたとえば８０℃程度に加温された状態でも進行す
る。錯形成体生成反応終了後、反応溶剤が室温付近まで
放冷されると、反応溶剤にキノリンを用いた場合には錯
形成物の一部はけんだく物として反応容器内に認められ
る。アルムミニウムフタロシアニンの金属源としてのハ
ロゲン化アルミニウムがアンモニアと錯形成を伴わなか
った場合、フタロニトリル類との環化反応はほとんど進
行しない。たとえばキノリン中に塩化アルミニウムとア
ルコキシフタロニトリル類を加え１８０℃に昇温しても
フタロシアニン類は痕跡量でしか得られない。アンモニ
アガス量の供給がハロゲン化アルミニウムと同じ反応当
量に達したことは、アンモニアガスが反応容器内に取り
込まれなくなったことで知ることができ、この段階でア
ンモニアガスの導入を停止する。ハロゲン化アルミニウ
ムとアンモニアガスとの反応で、（１）昇温を伴うこ
と、（２）一定量のアンモニアガスだけが取り込まれる
こと、（３）低温時にけんだくが認められること、
（４）ハロゲン化アルミニウムのフタロニトリル類に対
する反応性が大きく変わること、により錯形成体の形成
を認めることができる。

【００３３】本発明の製造方法において、反応の第２段
階ではハロゲン化アルミニウムと錯形成終了後の過剰分
のアンモニアはフタロニトリル類の環化反応を妨げるも
のとしてはたらく。ハロゲン化アルミニウムとの錯形成
体形成終了後もアンモニアを導入し続けると、加熱昇温
してもフタロニトリル類との環化反応はほとんど進行し
ない。たとえばキノリン中に塩化アルミニウムとアンモ
ニアガスとの錯形成体存在下、アンモニアガスを導入し
続けながらアルコキシフタロニトリル類を加え１８０℃
に昇温してもフタロシアニン類は痕跡量でしか得られな
い。

【００３４】フタロシアニン類への環化反応において、
アンモニアが有効的に働く段階と抑制的に働く段階があ
るという特徴をとらえて制御することにより本発明の製
造方法を提供することが可能となった。

【００３５】本発明の製造方法において、フタロニトリ
ル類の反応溶剤への仕込み時期は、反応溶剤中ハロゲン
化アルミニウムとアンモニアとの錯形成体形成反応を行
う以前でもよいし、錯形成体形成反応が完了しアンモニ
アガスに導入を停止した後でもよい。

【００３６】本発明の製造方法において、ハロゲン化ア
ルミニウムとアンモニアとの錯形成体形成後にアンモニ
アの導入を停止させて後に昇温して環化反応に進むが、
アンモニアの停止時期は室温時でもよいし、昇温後でも
よい。

【００３７】本発明の製造方法によって得られたフタロ
シアニン類は、フタロシアニン骨格に可溶性基を有する
場合、溶剤への溶解度が向上して光記録媒体製造時のス
ピンコーティングに有利である。さらに中心金属のアル
ミニウムに軸置換基を有する構造は溶解度をさらに向上
させる。軸置換基としては特願平９−５２１１６７号記
載の軸置換基類が、スピンコーティング用溶剤への溶解
性や光記録媒体を構成した時の記録特性の点で最適であ
る。

【００３８】本発明の製造法によって製造されたフタロ
シアニン類またはそれに軸置換基を導入したフタロシア
ニン類を、塗布用溶剤に溶解して塗布液とする第３段階
と、さらに前記塗布液を案内溝を有する樹脂基板にスピ
ンコーティング法によって塗布する第４段階をへて光記
録媒体を製造することができる。塗布用溶剤はアルコー
ル系溶剤であれば樹脂基板を溶解させにくいのでこれが
好ましい。

【００３９】本発明の製造方法によって得られた光記録
媒体は用途に応じて反射膜および保護層をさらにもうけ
ることができる。反射膜をもうけることで光記録媒体か
らの読みとり反射光量を十分に得ることができるのでCD
-Rの規格に適合した光記録媒体を得ることが可能とな
る。

【００４０】

【実施例】以下実施例を用いて発明を詳細に説明するが
本発明はそれらの具体例に限定されるものではない。 （実施例１）３００ｍｌフラスコ中、１５６ｇのキノリ
ンに、塩化アルミニウムを５ｇ分散し５０℃に昇温後、
アンモニアガスを４５ｍｌ／ｍｉｎでキノリン溶剤中に
２時間導入した。この間、数度の温度上昇が一旦認めら
れ、その後もとの温度への温度低下が認められた。アン
モニア導入を停止し、下記式（５）のフタロニトリル類
を３６ｇ加えた後、窒素気流下１８０℃で２時間加熱撹
拌を行い環化反応を完了させ。反応容器内にフタロシア
ニン類の程色が濃く認められた。放冷後２％塩酸水１．
５Ｌにこれをあけて析出させ、ろ過後に温水洗浄した。
これをメタノール１．５Ｌに再溶解させ不溶不純物を濾
別後水１．２Ｌを滴下し目的物を析出させた。析出物を
濾過後乾燥することにより、目的物を得た（下記式
(６)）。収量３３ｇ（収率８７％）。 式（５）

【００４１】

【化１３】

【００４２】式（６）

【００４３】

【化１４】

【００４４】（実施例２）実施例（１）の式（５）のフ
タロニトリル類のかわりに下記式（７）のフタロニトリ
ル類を２９ｇ、塩化アルミニウムのかわりに臭化アルミ
ニウムを１０ｇ使用する他は実施例（１）と同様の操作
を行い下記式（８）の目的物を得た。収量２８ｇ（収率
８８％）。 式（７）

【００４５】

【化１５】

【００４６】式（８）

【００４７】

【化１６】

【００４８】（実施例３）実施例（１）の式（５）のフ
タロニトリル類のかわりに下記式（９）のフタロニトリ
ル類を２７ｇ使用する他は実施例（１）と同様の操作を
行い下記式（１０）の目的物を得た。収量２４．５ｇ
（収率８５％）。 式（９）

【００４９】

【化１７】

【００５０】式（１０）

【００５１】

【化１８】

【００５２】（実施例４）実施例（１）の式（５）のフ
タロニトリル類のかわりに下記式（１１）のフタロニト
リル類を１９ｇ使用し、加熱による環化反応と放冷まで
は実施例（１）と同様の操作を行い、析出物をろ別後メ
タノール洗浄することで下記式（１２）の目的物を得
た。収量１０ｇ（収率４７％）。 式（１１）

【００５３】

【化１９】

【００５４】式（１２）

【００５５】

【化２０】

【００５６】（比較例１）３００ｍｌフラスコ中、１５
６ｇのキノリンに、塩化アルミニウムを５ｇ分散し、下
記式（１３）のジミノイソインドリン類を３８ｇ加えた
後、窒素気流下１８０℃で４時間加熱撹拌を行い環化反
応を完了させた。反応容器内にフタロシアニン類の呈色
が濃く認められた。放冷後２％塩酸水１．５Ｌにこれを
あけて析出させ、ろ過後に温水洗浄した。これをメタノ
ール１．５Ｌに再溶解させ不溶不純物を濾別後水１．２
Ｌを滴下し目的物を析出させた。析出物を濾過後乾燥す
ることにより、目的物を得た。収量２９ｇ（収率７７
％）。式（１３）のジイミノイソインドリンを式（５）
のフタロニトリル類から得るために、既知の方法（Inor
g.Chem.１９６５年Vol４.No.１p.128 Ｍ．Ｅ．Ｋｅｎ
ｎｅｙ，et al.）で収率６５％であったためフタロニト
リル類からのトータル収率は５０％であった。また工程
が１工程増した分、実施例１に比べて余分に操作時間
（乾燥も含めて３日）を要した。 式（１３）

【００５７】

【化２１】

【００５８】（比較例２）比較例（１）の式（１３）の
ジイミノイソインドリン類のかわりに下記式（１４）の
ジイミノイソインドリン類を３１ｇ、塩化アルミニウム
のかわりに臭化アルミニウムを１０ｇ使用する他は比較
例（１）と同様の操作を行った。収量２４ｇ（収率７９
％）。式（７）のフタロニトリル類からのトータル収率
は５３％。また工程が１工程増した分、実施例２の比べ
て余分に操作時間（乾燥も含めて３日）を要した。 式（１４）

【００５９】

【化２２】

【００６０】（比較例３）比較例（１）の式（１３）の
ジイミノイソインドリン類のかわりに下記式（１５）の
ジイミノイソインドリン類を２９ｇ使用する他は比較例
（１）と同様の操作を行った。収量２１．５ｇ（収率７
５％）。式（９）のフタロニトリル類からのトータル収
率は５５％。また工程が１工程増した分、実施例３の比
べて余分に操作時間（乾燥も含めて３日）を要した。 式（１５）

【００６１】

【化２３】

【００６２】（比較例４）比較例（１）の式（１３）の
ジイミノイソインドリン類のかわりに下記式（１６）の
ジイミノイソインドリン類を ２１．５ｇ使用し、加熱
による環化反応と放冷までは実施例（１）と同様の操作
を行い、析出物をろ別後メタノール洗浄することで目的
物を得た。収量９ｇ（収率４２％）。式（１１）のフタ
ロニトリル類からのトータル収率は１８％。また工程が
１工程増した分、実施例４の比べて余分に操作時間（乾
燥も含めて３日）を要した。 式（１６）

【００６３】

【化２４】

【００６４】（比較例５）３００ｍｌフラスコ中、１５
６ｇのキノリンに、塩化アルミニウムを５ｇ分散し５０
℃に昇温後、アンモニアガスの導入を行わず式（５）の
フタロニトリル類を３６ｇ加え、窒素気流下１８０℃で
２時間加熱撹拌を行った。反応容器内にフタロシアニン
類の呈色がほとんど認められず、目的物は痕跡量以下で
あった。 （比較例６）３００ｍｌフラスコ中、１５６ｇのキノリ
ンに、塩化アルミニウムを５ｇ分散し５０℃に昇温後、
アンモニアガスを４５ｍｌ／ｍｉｎでキノリン溶剤中に
２時間導入する。この間、数度の温度上昇が一旦認めら
れ、その後もとの温度への温度低下が観測される。アン
モニア導入を継続したまま、式（５）のフタロニトリル
類を３６ｇ加え、１８０℃で２時間加熱撹拌を行った。
反応容器内にフタロシアニン類の程色がほとんど認めら
れず、目的物は痕跡量以下であった。 （比較例７）比較例（５）の式（５）のフタロニトリル
類のかわりに式（７）のフタロニトリル類を２９ｇ使用
する他は比較例（５）と同様の操作を行った。反応容器
内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められず、目
的物は痕跡量以下であった。 （比較例８）比較例（６）の式（５）のフタロニトリル
類のかわりに式（７）のフタロニトリル類を２９ｇ使用
する他は比較例（６）と同様の操作を行った。反応容器
内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められず、目
的物は痕跡量以下であった。 （比較例９）比較例（５）の式（５）のフタロニトリル
類のかわりに式（９）のフタロニトリル類を２９ｇ使用
する他は比較例（５）と同様の操作を行った。反応容器
内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められず、目
的物は痕跡量以下であった。 （比較例１０）比較例（６）の式（５）のフタロニトリ
ル類のかわりに式（９）のフタロニトリル類を２９ｇ使
用する他は比較例（６）と同様の操作を行った。反応容
器内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められず、
目的物は痕跡量以下であった。 （比較例１１）比較例（５）の式（５）のフタロニトリ
ル類のかわりに式（１１）フタロニトリル類を２９ｇ使
用する他は比較例（５）と同様の操作を行った。反応容
器内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められず、
目的物は痕跡量以下であった。 （比較例１２）比較例（６）の式（５）のフタロニトリ
ル類のかわりに式（１１）のフタロニトリル類を２９ｇ
使用する他は比較例（６）と同様の操作を行った。反応
容器内にフタロシアニン類の呈色がほとんど認められ
ず、目的物は痕跡量以下であった。 （実施例５）実施例（１）で得られたアルミニウムフタ
ロシアニン類を使って特願平９−５２１１６７号の方法
により軸置換基を導入し、下記式（１７）の記録材料を
得た。この記録材料をスピンコーティング法によりＣＤ
−Ｒ用ポリカーボネート基板に塗布し銀反射膜、ハード
コート層を施すことによりＣＤ−Ｒディスクを得た。記
録特性評価では、記録パワー６．０ｍＷ、反射率７１
％、ジッタ値２６ｎｓでＣＤ−Ｒ用記録材料として良好
であった。 式（１７）

【００６５】

【化２５】

【００６６】（実施例６）実施例（２）で得られたアル
ミニウムフタロシアニン類を使って特願平９−５２１１
６７号の方法により軸置換基を導入し、下記式（１８）
の記録材料を得た。この記録材料をスピンコーティング
法によりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板に塗布し銀反
射膜、ハードコート層を施すことによりＣＤ−Ｒディス
クを得た。記録特性評価では、記録パワー６．２ｍＷ、
反射率６９％、ジッタ値２７ｎｓでＣＤ−Ｒ用記録材料
として良好であった。 式（１８）

【００６７】

【化２６】

【００６８】（実施例７）実施例（３）で得られたアル
ミニウムフタロシアニン類を使って特願平９−５２１１
６７号の方法により軸置換基を導入し、下記式（１９）
の記録材料を得た。この記録材料をスピンコーティング
法によりＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板に塗布し銀反
射膜、ハードコート層を施すことによりＣＤ−Ｒディス
クを得た。記録特性評価では、記録パワー５．８ｍＷ、
反射率７０％、ジッタ値２４ｎｓでＣＤ−Ｒ用記録材料
として良好であった。 式（１９）

【００６９】

【化２７】

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアルミニ
ウムフタロシアニン類の製造方法によれば、従来のニト
リル類からジイミノイソインドリン類を経由してアルミ
ニウムフタロシアニン類に至る２工程で行われてきたこ
とに対して、ニトリル類から１工程でアルミニウムフタ
ロシアニン類に至らしめることにより、収率と製造時間
の面で大幅に改善する製造方法を提供し、ひいてはＣＤ
−Ｒをはじめとする光記録媒体の製造コストを低減させ
ることが可能となった。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】溶剤中でハロゲン化アルミニウムとアンモ
   ニアとを反応させて錯形成体を形成する第１段階と、前
   記錯形成体と下記式（１）で表されるフタロニトリル類
   とを反応させる第２段階とを含むことを特徴とする、下
   記式（２）で表されるアルミニウムフタロシアニン類の
   製造方法。 式（１） 【化１】 ［式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に水素原子、置換
   基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいア
   リール基、置換基を有してもよい脂環残基、置換基を有
   してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい複素環
   基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有し
   てもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアル
   キルチオ基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ハ
   ロゲン原子、ニトロ基、置換基を有してもよいフタルイ
   ミドメチル基、置換基を有してもよいスルホンアミド基
   のいずれかを表す。］ 式（２） 【化２】 ［式中、Ｘ１〜４および、Ｙ１〜４は、それぞれ独立に
   水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を
   有してもよいアリール基、置換基を有してもよい脂環残
   基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有し
   てもよい複素環基、置換基を有してもよいアルコキシ
   基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を
   有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいア
   リールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有し
   てもよいフタルイミドメチル基、置換基を有してもよい
   スルホンアミド基のいずれかを表す。Ｚは、ハロゲン原
   子またはＯＨ基を表す。］
2. 【請求項２】溶剤が、キノリンであることを特徴とする
   請求項１記載のアルミニウムフタロシアニン類の製造方
   法。
3. 【請求項３】第１段階において、アンモニアが、ハロゲ
   ン化アルミニウムとほぼ同じ反応当量だけ溶剤中に導入
   されることを特徴とする請求項１記載のアルミニウムフ
   タロシアニン類の製造方法。
4. 【請求項４】式（１）で表されるフタロニトリル類が下
   記式（３）であり、式（２）で表されるアルミニウムフ
   タロシアニン類が下記式（４）で表されるアルミニウム
   フタロシアニン類であることを特徴とする請求項１記載
   のアルミニウムフタロシアニン類の製造方法。 式（３） 【化３】 ［式中、Ｘは、水素原子、置換基を有してもよいアルキ
   ル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有し
   てもよい脂環残基、置換基を有してもよいアラルキル
   基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有しても
   よいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキ
   シ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を
   有してもよいアリールチオ基、ハロゲン原子、ニトロ
   基、置換基を有してもよいフタルイミドメチル基、置換
   基を有してもよいスルホンアミド基のいずれかを表す。
   式中、Ｒは、置換基を有してもよいアルキル基、または
   アリール基を表す。］ 式（４） 【化４】 ［式中、Ｘ１〜４は、水素原子、置換基を有してもよい
   アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基
   を有してもよい脂環残基、置換基を有してもよいアラル
   キル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有し
   てもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール
   オキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換
   基を有してもよいアリールチオ基、ハロゲン原子、ニト
   ロ基、置換基を有してもよいフタルイミドメチル基、置
   換基を有してもよいスルホンアミド基のいずれかを表
   す。式中、Ｒ１〜４は、置換基を有してもよいアルキル
   基、またはアリール基を表す。Ｚは、ハロゲン原子また
   はＯＨ基を表す。］
5. 【請求項５】溶剤中でハロゲン化アルミニウムとアンモ
   ニアとを反応させて錯形成体を形成する第１段階と、前
   記錯形成体とフタロニトリル類とを反応させてアルミニ
   ウムフタロシアニン類を製造する第２段階と、第２段階
   で得られたフタロシアニン類またはそれに軸置換基を導
   入したフタロシアニン類を塗布用溶剤に溶解して塗布液
   とする第３段階と、前記塗布液を案内溝を有する樹脂基
   板にスピンコーティング法によって塗布する第４段階と
   を含む光記録媒体の製造方法。