JP2001267394A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2001267394A JP2001267394A JP2000081242A JP2000081242A JP2001267394A JP 2001267394 A JP2001267394 A JP 2001267394A JP 2000081242 A JP2000081242 A JP 2000081242A JP 2000081242 A JP2000081242 A JP 2000081242A JP 2001267394 A JP2001267394 A JP 2001267394A
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- JP
- Japan
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- wafer
- hand
- substrate
- counterbore
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ロボットハンド座グリ内壁とウェーハ端面との
機械的摩擦によるパーティクルの発生をなくし、超ＬＳ
Ｉ等の半導体装置等製造の歩留まり向上を実現できるハ
ンドを有する基板搬送機構を備える基板処理装置を提供
する。 【解決手段】サセプタ２０の座グリ２３の内径をＤＳと
し、サセプタ２０にウェーハ１９を受け渡すウェーハ受
け渡しハンド１７の座グリ２２の内径、サセプタ２０か
らウェーハ１９を受け取るウェーハ受け取りハンド１８
の座グリ２４の内径をそれぞれＤＡ、ＤＢとすると、Ｄ
Ａ＜ＤＳ＜ＤＢとなるように構成する。
機械的摩擦によるパーティクルの発生をなくし、超ＬＳ
Ｉ等の半導体装置等製造の歩留まり向上を実現できるハ
ンドを有する基板搬送機構を備える基板処理装置を提供
する。 【解決手段】サセプタ２０の座グリ２３の内径をＤＳと
し、サセプタ２０にウェーハ１９を受け渡すウェーハ受
け渡しハンド１７の座グリ２２の内径、サセプタ２０か
らウェーハ１９を受け取るウェーハ受け取りハンド１８
の座グリ２４の内径をそれぞれＤＡ、ＤＢとすると、Ｄ
Ａ＜ＤＳ＜ＤＢとなるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、半導体デバイス等の製造工程の一つであるド
ライエッチングおよびＣＶＤ等に用いられる半導体処理
装置であって、ハンド機構を有する半導体ウェーハ（以
下、ウェーハという。）搬送ロボットを備える半導体処
理装置に関するものである。
し、特に、半導体デバイス等の製造工程の一つであるド
ライエッチングおよびＣＶＤ等に用いられる半導体処理
装置であって、ハンド機構を有する半導体ウェーハ（以
下、ウェーハという。）搬送ロボットを備える半導体処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェーハ受け渡しハンドとウェー
ハ受け取りハンドとを有するウェーハ搬送ロボットによ
るウェーハ処理室へのウェーハ搬送の詳細を図５を参照
して説明する。
ハ受け取りハンドとを有するウェーハ搬送ロボットによ
るウェーハ処理室へのウェーハ搬送の詳細を図５を参照
して説明する。
【０００３】ウェーハ搬送中にハンドやサセプタ上のウ
ェーハがウェーハ裏面の状態により動く場合がある。そ
のために飛び出し破損防止用として座グリ構造をとって
いる。ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２２の内
径、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ２４の内径を
共にＤＨとし、反応処理室のウェーハ載置台となるサセ
プタ２０の座グリ２３の内径をＤＳとする。通常ＤＳ＞
ＤＨである。図には座グリの中でウェーハが極端にずれ
た場合を誇張して書いてある。
ェーハがウェーハ裏面の状態により動く場合がある。そ
のために飛び出し破損防止用として座グリ構造をとって
いる。ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２２の内
径、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ２４の内径を
共にＤＨとし、反応処理室のウェーハ載置台となるサセ
プタ２０の座グリ２３の内径をＤＳとする。通常ＤＳ＞
ＤＨである。図には座グリの中でウェーハが極端にずれ
た場合を誇張して書いてある。
【０００４】以下に動作を順に説明する。 （工程Ａ）ウェーハ受け渡しハンド１７が伸びサセプタ
２０上にウェーハ１９が搬送される。 （工程Ｂ）サセプタ２０下部に埋め込まれているウェー
ハ支持ピン２１が上昇しウェーハ受け渡しハンド１７上
のウェーハ１９を受け取る。その後、ウェーハ受け渡し
ハンド１７は縮む。 （工程Ｃ）ウェーハ支持ピン２１が下降し、ウェーハ１
９はサセプタ２０上に載置される。今、ＤＳ＞ＤＨであ
るからウェーハ１９はサセプタ２０の座グリ２３の中に
確実に入る。 （工程Ｄ）サセプタ２０からウェーハ１９を取り出す時
は、ウェーハ支持ピン２１が上昇する。 （工程Ｅ）ウェーハ受け取りハンド１８がサセプタ２０
上に伸びる。 （工程Ｆ）ウェーハ支持ピン２１が下降する。今、ＤＳ
＞ＤＨであるからウェーハ１９が端に偏っている場合、
ウェーハ１９はウェーハ受け取りハンド１８に設けられ
た位置修正用テーパ部２５を滑り落ちる。しかしこの時
の摩擦によって発生したパーティクルがウェーハ１９の
表面と裏面に付着しウェーハ１９を汚染させる。
２０上にウェーハ１９が搬送される。 （工程Ｂ）サセプタ２０下部に埋め込まれているウェー
ハ支持ピン２１が上昇しウェーハ受け渡しハンド１７上
のウェーハ１９を受け取る。その後、ウェーハ受け渡し
ハンド１７は縮む。 （工程Ｃ）ウェーハ支持ピン２１が下降し、ウェーハ１
９はサセプタ２０上に載置される。今、ＤＳ＞ＤＨであ
るからウェーハ１９はサセプタ２０の座グリ２３の中に
確実に入る。 （工程Ｄ）サセプタ２０からウェーハ１９を取り出す時
は、ウェーハ支持ピン２１が上昇する。 （工程Ｅ）ウェーハ受け取りハンド１８がサセプタ２０
上に伸びる。 （工程Ｆ）ウェーハ支持ピン２１が下降する。今、ＤＳ
＞ＤＨであるからウェーハ１９が端に偏っている場合、
ウェーハ１９はウェーハ受け取りハンド１８に設けられ
た位置修正用テーパ部２５を滑り落ちる。しかしこの時
の摩擦によって発生したパーティクルがウェーハ１９の
表面と裏面に付着しウェーハ１９を汚染させる。
【０００５】このような機械的摩擦により粒経０．２３
〜１．００μｍのパーティクルが５０〜１００個位のオ
ーダで付着する。超ＬＳＩを製造するプロセスにおいて
ウェーハは高清浄に保つ必要がある。パーティクルが付
着すると外観形状不良となり歩留まりの低下を招くとい
う問題点があった。
〜１．００μｍのパーティクルが５０〜１００個位のオ
ーダで付着する。超ＬＳＩを製造するプロセスにおいて
ウェーハは高清浄に保つ必要がある。パーティクルが付
着すると外観形状不良となり歩留まりの低下を招くとい
う問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であるロボットハンド座グリ内壁とウェー
ハ端面との機械的摩擦によるパーティクルの発生をなく
し、超ＬＳＩ等の半導体装置等製造の歩留まり向上を実
現できるハンドを有する基板搬送機構を備える基板処理
装置を提供することにある。
技術の問題点であるロボットハンド座グリ内壁とウェー
ハ端面との機械的摩擦によるパーティクルの発生をなく
し、超ＬＳＩ等の半導体装置等製造の歩留まり向上を実
現できるハンドを有する基板搬送機構を備える基板処理
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板受
け渡しハンドおよび基板受け取りハンドを有する基板搬
送機構であって、前記基板受け渡しハンドおよび前記基
板受け取りハンドに基板脱落防止部をそれぞれ設け、前
記基板脱落防止部内に形成される基板載置部を、前記基
板受け渡しハンドおよび前記基板受け取りハンド間で異
ならせた前記基板搬送機構を備えることを特徴とする基
板処理装置が提供される。
け渡しハンドおよび基板受け取りハンドを有する基板搬
送機構であって、前記基板受け渡しハンドおよび前記基
板受け取りハンドに基板脱落防止部をそれぞれ設け、前
記基板脱落防止部内に形成される基板載置部を、前記基
板受け渡しハンドおよび前記基板受け取りハンド間で異
ならせた前記基板搬送機構を備えることを特徴とする基
板処理装置が提供される。
【０００８】好ましくは、前記基板受け取りハンドの前
記基板載置部の大きさを、前記基板受け渡しハンドの前
記基板載置部の大きさより大きくする。
記基板載置部の大きさを、前記基板受け渡しハンドの前
記基板載置部の大きさより大きくする。
【０００９】また、基板受け渡しハンドによって基板を
受け渡され基板受け取りハンドによって基板が受け取ら
れる基板搬送対象物にも基板脱落防止部を設けることが
好ましく、この場合には、基板搬送対象物の基板脱落防
止部内に形成される基板載置部の大きさを基板受け渡し
ハンドの基板脱落防止部内に形成される基板載置部の大
きさよりも大きくすることが好ましい。また、基板受け
取りハンドの基板脱落防止部内に形成される基板載置部
の大きさを基板搬送対象物の基板脱落防止部内に形成さ
れる基板載置部の大きさよりも大きくすることが好まし
い。
受け渡され基板受け取りハンドによって基板が受け取ら
れる基板搬送対象物にも基板脱落防止部を設けることが
好ましく、この場合には、基板搬送対象物の基板脱落防
止部内に形成される基板載置部の大きさを基板受け渡し
ハンドの基板脱落防止部内に形成される基板載置部の大
きさよりも大きくすることが好ましい。また、基板受け
取りハンドの基板脱落防止部内に形成される基板載置部
の大きさを基板搬送対象物の基板脱落防止部内に形成さ
れる基板載置部の大きさよりも大きくすることが好まし
い。
【００１０】なお、基板脱落防止部としては、好ましく
は、座グリ構造や、ハンドに設けた複数個のピンが使用
される。この場合、基板載置部となる座グリの内径等の
大きさや複数個のピンで形成される基板載置部の内径等
の大きさを基板受け渡しハンドおよび基板受け取りハン
ド間で異ならせる。
は、座グリ構造や、ハンドに設けた複数個のピンが使用
される。この場合、基板載置部となる座グリの内径等の
大きさや複数個のピンで形成される基板載置部の内径等
の大きさを基板受け渡しハンドおよび基板受け取りハン
ド間で異ならせる。
【００１１】また、基板受け渡しハンドおよび基板受け
取りハンドは、好ましくは、同一の基板搬送機構に、互
いに背中合わせにまたは上下に積層されて取り付けられ
る。
取りハンドは、好ましくは、同一の基板搬送機構に、互
いに背中合わせにまたは上下に積層されて取り付けられ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１３】半導体処理装置１の基本的な構成を図１に
示す。図１Ａは概略横断面図であり、図１Ｂは概略縦断
面図である。半導体処理装置１はロードロック室１３、
真空搬送室１２、反応処理室１１を備えて構成され、ゲ
ートバルブ１４、１５により連結されている。各室はポ
ンプにより真空排気される。ロードロック室１３に設置
されたカセット２６からウェーハ搬送ロボット１６のウ
ェーハ受け渡しハンド１７により新しいウェーハ１９を
カセット２６から取り出し、反応処理室１１へ搬送して
ウェーハ１９の処理を行う。処理終了後は、ウェーハ受
け取りハンド１８により反応処理室１１からウェーハ１
９を取り出しロードロック室１３内のカセット２６に収
納する。
示す。図１Ａは概略横断面図であり、図１Ｂは概略縦断
面図である。半導体処理装置１はロードロック室１３、
真空搬送室１２、反応処理室１１を備えて構成され、ゲ
ートバルブ１４、１５により連結されている。各室はポ
ンプにより真空排気される。ロードロック室１３に設置
されたカセット２６からウェーハ搬送ロボット１６のウ
ェーハ受け渡しハンド１７により新しいウェーハ１９を
カセット２６から取り出し、反応処理室１１へ搬送して
ウェーハ１９の処理を行う。処理終了後は、ウェーハ受
け取りハンド１８により反応処理室１１からウェーハ１
９を取り出しロードロック室１３内のカセット２６に収
納する。
【００１４】本発明の実施の形態においては、ウェーハ
搬送ロボットはウェーハ受け渡しハンドとウェーハ受け
取りハンドとを備え、ウェーハ受け渡しハンドおよびウ
ェーハ受け取りハンドにウェーハ脱落防止部をそれぞれ
設け、ウェーハ脱落防止部内に形成されるウェーハ載置
部を、ウェーハ受け渡しハンドおよびウェーハ受け取り
ハンド間で異ならせている。第１の実施の形態では、ウ
ェーハ脱落防止部として座グリ構造を使用し、ウェーハ
載置部となる座グリの内径をウェーハ受け渡しハンドお
よびウェーハ受け取りハンド間で異ならせた場合を説明
し、第２の実施の形態では、ウェーハ脱落防止部として
ハンドに埋設した複数個のピンを使用し、複数個のピン
で形成されるウェーハ載置部の内径をウェーハ受け渡し
ハンドおよびウェーハ受け取りハンド間で異ならせた場
合を説明する。
搬送ロボットはウェーハ受け渡しハンドとウェーハ受け
取りハンドとを備え、ウェーハ受け渡しハンドおよびウ
ェーハ受け取りハンドにウェーハ脱落防止部をそれぞれ
設け、ウェーハ脱落防止部内に形成されるウェーハ載置
部を、ウェーハ受け渡しハンドおよびウェーハ受け取り
ハンド間で異ならせている。第１の実施の形態では、ウ
ェーハ脱落防止部として座グリ構造を使用し、ウェーハ
載置部となる座グリの内径をウェーハ受け渡しハンドお
よびウェーハ受け取りハンド間で異ならせた場合を説明
し、第２の実施の形態では、ウェーハ脱落防止部として
ハンドに埋設した複数個のピンを使用し、複数個のピン
で形成されるウェーハ載置部の内径をウェーハ受け渡し
ハンドおよびウェーハ受け取りハンド間で異ならせた場
合を説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）反応処理室１１内に
設けたサセプタ２０とウェーハ受け渡しハンド１７およ
びウェーハ受け取りハンド１８との間のウェーハ受け渡
しの詳細を図２に示す。サセプタ２０の座グリ２３の内
径をＤＳとし、ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２
２の内径、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ２４の
内径をそれぞれＤＡ、ＤＢとすると、ＤＡ＜ＤＳ＜ＤＢ
となるように構成してある。なお、本実施の形態におい
ては、ウェーハ受け渡しハンド１７とウェーハ受け取り
ハンド１８とを背中合わせに配置した場合について説明
する。
設けたサセプタ２０とウェーハ受け渡しハンド１７およ
びウェーハ受け取りハンド１８との間のウェーハ受け渡
しの詳細を図２に示す。サセプタ２０の座グリ２３の内
径をＤＳとし、ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２
２の内径、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ２４の
内径をそれぞれＤＡ、ＤＢとすると、ＤＡ＜ＤＳ＜ＤＢ
となるように構成してある。なお、本実施の形態におい
ては、ウェーハ受け渡しハンド１７とウェーハ受け取り
ハンド１８とを背中合わせに配置した場合について説明
する。
【００１６】以下に動作を順に説明する。 （工程Ａ）ウェーハ受け渡しハンド１７が伸び、サセプ
タ２０上にウェーハ１９が搬送される。 （工程Ｂ）サセプタ２０下部に埋め込まれているウェー
ハ支持ピン２１が上昇しウェーハ受け渡しハンド１７上
のウェーハ１９を受け取る。その後、ウェーハ受け渡し
ハンド１７は縮む。 （工程Ｃ）ウェーハ支持ピン２１が下降し、ウェーハ１
９はサセプタ２０上に載置される。今、ＤＡ＜ＤＳであ
るからウェーハ１９はサセプタ２０の座グリ２３の端面
を滑る（接触する）ことなしに座グリ２３の中に入る。 （工程Ｄ）サセプタ２０からウェーハ１９を取り出す時
は、ウェーハ支持ピン２１が上昇する。 （工程Ｅ）ウェーハ受け取りハンド１８がサセプタ２０
上に伸びる。 （工程Ｆ）ウェーハ支持ピン２１が下降する。今、ＤＢ
＞ＤＳであり、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ径
はサセプタ２０のそれよりも大きいから、サセプタ２０
の座グリ２３中でウェーハ１９が端に偏っている場合に
おいても、ウェーハ１９は、ウェーハ受け取りハンド１
８の座グリ２４の端面を滑る（接触する）ことなくウェ
ーハ受け取りハンド１８の座グリ２４内に載置される。
タ２０上にウェーハ１９が搬送される。 （工程Ｂ）サセプタ２０下部に埋め込まれているウェー
ハ支持ピン２１が上昇しウェーハ受け渡しハンド１７上
のウェーハ１９を受け取る。その後、ウェーハ受け渡し
ハンド１７は縮む。 （工程Ｃ）ウェーハ支持ピン２１が下降し、ウェーハ１
９はサセプタ２０上に載置される。今、ＤＡ＜ＤＳであ
るからウェーハ１９はサセプタ２０の座グリ２３の端面
を滑る（接触する）ことなしに座グリ２３の中に入る。 （工程Ｄ）サセプタ２０からウェーハ１９を取り出す時
は、ウェーハ支持ピン２１が上昇する。 （工程Ｅ）ウェーハ受け取りハンド１８がサセプタ２０
上に伸びる。 （工程Ｆ）ウェーハ支持ピン２１が下降する。今、ＤＢ
＞ＤＳであり、ウェーハ受け取りハンド１８の座グリ径
はサセプタ２０のそれよりも大きいから、サセプタ２０
の座グリ２３中でウェーハ１９が端に偏っている場合に
おいても、ウェーハ１９は、ウェーハ受け取りハンド１
８の座グリ２４の端面を滑る（接触する）ことなくウェ
ーハ受け取りハンド１８の座グリ２４内に載置される。
【００１７】このように、ウェーハ受け渡しハンド１７
の座グリ２２の内径ＤＡと、サセプタ２０の座グリ２３
の内径ＤＳと、ウェーハ受け取りハンド１８の内径ＤＢ
とを適正に構成すれば、従来例の機械的摩擦によるパー
ティクルの発生をなくすることができ、その結果、ウェ
ーハ表裏を高清浄に維持することができる。
の座グリ２２の内径ＤＡと、サセプタ２０の座グリ２３
の内径ＤＳと、ウェーハ受け取りハンド１８の内径ＤＢ
とを適正に構成すれば、従来例の機械的摩擦によるパー
ティクルの発生をなくすることができ、その結果、ウェ
ーハ表裏を高清浄に維持することができる。
【００１８】（第２の実施の形態）第１の実施の形態に
おいては、ウェーハ受け渡しハンド１７にウェーハ脱落
防止部として座グリ２２を設け、ウェーハ受け取りハン
ド１８にウェーハ脱落防止部として座グリ２４を設け、
ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２２の内径ＤＡと
サセプタ２０の座グリ２３の内径ＤＳとウェーハ受け取
りハンド１８の座グリ２４の内径ＤＢとを、ＤＡ＜ＤＳ
＜ＤＢなるようにしたが、ハンド座グリのかわりに、図
３に示すように、ウェーハ受け渡しハンド１７およびウ
ェーハ受け取りハンド１８に複数本のピン３２、３４を
それぞれ埋設し、ウェーハ受け渡しハンド１７のピン３
２で形成されるウェーハ載置部の内径ＤＡと、ウェーハ
受け取りハンド１８のピン３４で形成されるウェーハ載
置部の内径ＤＢとを異ならせ、ＤＡ＜ＤＳ＜ＤＢなるよ
うにした点が第１の実施の形態と異なるが、他の点は同
じである。
おいては、ウェーハ受け渡しハンド１７にウェーハ脱落
防止部として座グリ２２を設け、ウェーハ受け取りハン
ド１８にウェーハ脱落防止部として座グリ２４を設け、
ウェーハ受け渡しハンド１７の座グリ２２の内径ＤＡと
サセプタ２０の座グリ２３の内径ＤＳとウェーハ受け取
りハンド１８の座グリ２４の内径ＤＢとを、ＤＡ＜ＤＳ
＜ＤＢなるようにしたが、ハンド座グリのかわりに、図
３に示すように、ウェーハ受け渡しハンド１７およびウ
ェーハ受け取りハンド１８に複数本のピン３２、３４を
それぞれ埋設し、ウェーハ受け渡しハンド１７のピン３
２で形成されるウェーハ載置部の内径ＤＡと、ウェーハ
受け取りハンド１８のピン３４で形成されるウェーハ載
置部の内径ＤＢとを異ならせ、ＤＡ＜ＤＳ＜ＤＢなるよ
うにした点が第１の実施の形態と異なるが、他の点は同
じである。
【００１９】（第３の実施の形態）第１および第２の実
施の形態においては、ウェーハ受け渡しハンド１７およ
びウェーハ受け取りハンド１８を背中合わせにした背面
配置としたが、本実施の形態では、ウェーハ受け渡しハ
ンド１７およびウェーハ受け取りハンド１８を図４に示
すような上下配置とした点が第１および第２の実施の形
態と異なるが他の点は同じであり、同じ目的を達成する
ことができる。
施の形態においては、ウェーハ受け渡しハンド１７およ
びウェーハ受け取りハンド１８を背中合わせにした背面
配置としたが、本実施の形態では、ウェーハ受け渡しハ
ンド１７およびウェーハ受け取りハンド１８を図４に示
すような上下配置とした点が第１および第２の実施の形
態と異なるが他の点は同じであり、同じ目的を達成する
ことができる。
【００２０】
【発明の効果】ＬＳＩが高密度、高集積、高性能化する
につれてパーティクルが製品の歩留まりや品質、信頼性
にますます大きな影響を及ぼすようになってきた。本発
明を実施すればパーティクルを発生させることなしにウ
ェーハ等の基板を高清浄に保つことができ歩留まりや信
頼性を向上させることができる。
につれてパーティクルが製品の歩留まりや品質、信頼性
にますます大きな影響を及ぼすようになってきた。本発
明を実施すればパーティクルを発生させることなしにウ
ェーハ等の基板を高清浄に保つことができ歩留まりや信
頼性を向上させることができる。
【００２１】また、本発明のハンド機構の製作費用は従
来とほとんど変わらず低コストで実現可能である。
来とほとんど変わらず低コストで実現可能である。
【図１】本発明が好適に適用される半導体処理装置の基
本構成図である。
本構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体処理装置を
説明するための概略断面図である。
説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の半導体処理装置を
説明するための概略平面図および概略側面図である。
説明するための概略平面図および概略側面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の半導体処理装置を
説明するための概略斜視図である。
説明するための概略斜視図である。
【図５】従来の半導体処理装置を説明するための概略断
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １…半導体処理装置 １１…反応処理室 １２…真空搬送室 １３…ロードロック室 １４、１５…ゲートバルブ １６…ウェーハ搬送ロボット １７…ウェーハ受け渡しハンド １８…ウェーハ受け取りハンド １９…半導体ウェーハ ２０…サセプタ ２１…ウェーハ支持ピン ２２、２３、２４…座グリ ２５…位置修正用テーパ部 ２６…カセット ３２、３４…ピン
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3F061 AA01 BA03 BD03 BE05 BE26 DB04 5F004 BB15 BB18 BC05 BC06 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 GA03 GA05 GA40 GA47 GA48 HA33 NA05 PA26 5F045 BB14 EN04 EN06
Claims (2)
- 【請求項１】基板受け渡しハンドおよび基板受け取りハ
ンドを有する基板搬送機構であって、前記基板受け渡し
ハンドおよび前記基板受け取りハンドに基板脱落防止部
をそれぞれ設け、前記基板脱落防止部内に形成される基
板載置部を、前記基板受け渡しハンドおよび前記基板受
け取りハンド間で異ならせた前記基板搬送機構を備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記基板受け取りハンドの前記基板載置部
の大きさを、前記基板受け渡しハンドの前記基板載置部
の大きさより大きくしたことを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081242A JP2001267394A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081242A JP2001267394A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267394A true JP2001267394A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18598203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000081242A Withdrawn JP2001267394A (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332250A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-11-21 | Asm Internatl Nv | 炉内でウェハをバッチ処理するための方法および装置 |
-
2000
- 2000-03-23 JP JP2000081242A patent/JP2001267394A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332250A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-11-21 | Asm Internatl Nv | 炉内でウェハをバッチ処理するための方法および装置 |
| JP4575647B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2010-11-04 | エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 炉内でウェハをバッチ処理するための方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |