JP2001267249A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2001267249A JP2001267249A JP2000073318A JP2000073318A JP2001267249A JP 2001267249 A JP2001267249 A JP 2001267249A JP 2000073318 A JP2000073318 A JP 2000073318A JP 2000073318 A JP2000073318 A JP 2000073318A JP 2001267249 A JP2001267249 A JP 2001267249A
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- Japan
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- heating wire
- heating
- temperature
- heater
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低温領域で大電流が流れる課題を解決し、より
少ない電流で高速昇温ができる半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】ヒータ１を構成する発熱線として、発熱温
度により抵抗値が著しく変化する例えば二珪化モリブデ
ンからなる第１の発熱線２と、発熱温度による抵抗値の
変化が第１の発熱線２より小さい例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａ
ｌ合金からなる第２の発熱線４とを組み合わせて設け、
低温領域では第２の発熱線４を使用し、高温領域では第
１の発熱線２を使用する。
少ない電流で高速昇温ができる半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】ヒータ１を構成する発熱線として、発熱温
度により抵抗値が著しく変化する例えば二珪化モリブデ
ンからなる第１の発熱線２と、発熱温度による抵抗値の
変化が第１の発熱線２より小さい例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａ
ｌ合金からなる第２の発熱線４とを組み合わせて設け、
低温領域では第２の発熱線４を使用し、高温領域では第
１の発熱線２を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱線を有するヒ
ータを具備する半導体製造装置に関する。
ータを具備する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱ＣＶＤ装置やプラズマＣＶＤ装置等の
半導体製造装置では、半導体製造プロセスにおいて、被
処理基板を所望の温度に加熱するため、発熱線を有する
ヒータを具備する。
半導体製造装置では、半導体製造プロセスにおいて、被
処理基板を所望の温度に加熱するため、発熱線を有する
ヒータを具備する。
【０００３】従来の半導体製造装置では、被処理基板を
高速かつ高温に昇温するプロセスにおいて、高い電流密
度を投入でき、最高発熱温度１７００℃〜１９００℃と
高い例えば二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）からなる発
熱線を使用することにより、必要とする温度特性を満足
させていた。
高速かつ高温に昇温するプロセスにおいて、高い電流密
度を投入でき、最高発熱温度１７００℃〜１９００℃と
高い例えば二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）からなる発
熱線を使用することにより、必要とする温度特性を満足
させていた。
【０００４】図２（ａ）は従来の半導体製造装置のヒー
タの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図である。
タの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図である。
【０００５】図において、２１はヒータ、２２は二珪化
モリブデンからなる発熱線、２３は発熱線２２の支持
体、２７はヒータケースである。
モリブデンからなる発熱線、２３は発熱線２２の支持
体、２７はヒータケースである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２に示す従来の半導
体製造装置におけるヒータ２１の二珪化モリブデンから
なる発熱線２２においては、室温時の抵抗値と１２００
℃発熱時の抵抗値に１０倍もの開きがある。すなわち、
二珪化モリブデンからなる発熱線２２の室温時の抵抗値
は、１２００℃発熱時の抵抗値の約１／１０である。
体製造装置におけるヒータ２１の二珪化モリブデンから
なる発熱線２２においては、室温時の抵抗値と１２００
℃発熱時の抵抗値に１０倍もの開きがある。すなわち、
二珪化モリブデンからなる発熱線２２の室温時の抵抗値
は、１２００℃発熱時の抵抗値の約１／１０である。
【０００７】したがって、通常のサイリスタ等を使用し
た位相制御においては、室温から所定の温度に昇温する
場合の低温領域においては、１０倍以上の突入電流が流
れてしまうという課題があり、それに合わせた電源設備
が大規模になるという課題があった。
た位相制御においては、室温から所定の温度に昇温する
場合の低温領域においては、１０倍以上の突入電流が流
れてしまうという課題があり、それに合わせた電源設備
が大規模になるという課題があった。
【０００８】本発明の目的は、従来の二珪化モリブデン
等からなる発熱線において、低温領域で大電流が流れて
しまう課題を解決し、より少ない電流で高速昇温ができ
る半導体製造装置を提供することにある。
等からなる発熱線において、低温領域で大電流が流れて
しまう課題を解決し、より少ない電流で高速昇温ができ
る半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体製造装置は、発熱線を有するヒータ
を具備する半導体製造装置において、前記発熱線とし
て、第１の発熱線と、発熱温度による抵抗値の変化が前
記第１の発熱線より小さい第２の発熱線とを組み合わせ
て設けたことを特徴とする。
に、本発明の半導体製造装置は、発熱線を有するヒータ
を具備する半導体製造装置において、前記発熱線とし
て、第１の発熱線と、発熱温度による抵抗値の変化が前
記第１の発熱線より小さい第２の発熱線とを組み合わせ
て設けたことを特徴とする。
【００１０】また、例えば、前記第１の発熱線と前記第
２の発熱線との間に、断熱材を配置し、前記第２の発熱
線を前記第１の発熱線より外側に配置する。
２の発熱線との間に、断熱材を配置し、前記第２の発熱
線を前記第１の発熱線より外側に配置する。
【００１１】また、前記第１の発熱線としては、例えば
二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、前記第２の発熱線と
しては、例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金を用いることがで
きる。なお、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金の最高発熱温度は、
１４００℃である。
二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、前記第２の発熱線と
しては、例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金を用いることがで
きる。なお、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金の最高発熱温度は、
１４００℃である。
【００１２】本発明では、第１の発熱線に対する補助的
な発熱線として、発熱温度による抵抗値の変化が第１の
発熱線より小さい第２の発熱線を設け、低温領域におい
ては第１の発熱線を使用しないで、第２の発熱線を使用
し、高温領域においては第１の発熱線を使用する。これ
により、低温領域において第１の発熱線は第２の発熱線
により加熱され抵抗が大きくなるので電流が小さくな
り、第１の発熱線における低温領域での突入電流を低減
できるので、省エネルギーを実現できる。
な発熱線として、発熱温度による抵抗値の変化が第１の
発熱線より小さい第２の発熱線を設け、低温領域におい
ては第１の発熱線を使用しないで、第２の発熱線を使用
し、高温領域においては第１の発熱線を使用する。これ
により、低温領域において第１の発熱線は第２の発熱線
により加熱され抵抗が大きくなるので電流が小さくな
り、第１の発熱線における低温領域での突入電流を低減
できるので、省エネルギーを実現できる。
【００１３】また、低温領域において、発熱温度による
抵抗値の変化が第１の発熱線より小さい第２の発熱線を
使用することにより、低温領域でのヒータの温度安定性
を増加できる。これにより、スループットが向上し、生
産コストを低減できる。
抵抗値の変化が第１の発熱線より小さい第２の発熱線を
使用することにより、低温領域でのヒータの温度安定性
を増加できる。これにより、スループットが向上し、生
産コストを低減できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１５】図１（ａ）は本発明の半導体製造装置の一
実施の形態のヒータの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断
面斜視図である。
実施の形態のヒータの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断
面斜視図である。
【００１６】図において、１はヒータ、２は第１の発熱
線、３は第１の発熱線２の支持体、４は第２の発熱線、
５は第２の発熱線４の支持体、６は第１の発熱線２と第
２の発熱線４との間に設けた断熱材、７はヒータケース
である。
線、３は第１の発熱線２の支持体、４は第２の発熱線、
５は第２の発熱線４の支持体、６は第１の発熱線２と第
２の発熱線４との間に設けた断熱材、７はヒータケース
である。
【００１７】本実施の形態では、図１に示すように、ヒ
ータ１を具備する半導体製造装置において、ヒータ１を
構成する発熱線として、第１の発熱線２と、発熱温度に
よる抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発
熱線４とを組み合わせて設けてある。すなわち、発熱温
度により抵抗値が著しく変化する例えば二珪化モリブデ
ンからなる第１の発熱線２と、発熱温度により抵抗値が
著しく変化しない例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金からなる
第２の発熱線４を組み合わせて設けてある。そして、低
温領域では第２の発熱線４を使用し、高温領域では第１
の発熱線２を使用する。また、第１の発熱線２と第２の
発熱線４との間に、公知の材料からなる断熱材６を配置
し、第２の発熱線４を第１の発熱線２より外側に配置し
てある。第２の発熱線４を第１の発熱線２より外側に断
熱材６を介して配置することで、第２の発熱線４より最
高使用温度の低い安価な第１の発熱線２を使用すること
ができる。なお、高温領域では、第１の発熱線２と第１
の発熱線２を使用してもよい。
ータ１を具備する半導体製造装置において、ヒータ１を
構成する発熱線として、第１の発熱線２と、発熱温度に
よる抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発
熱線４とを組み合わせて設けてある。すなわち、発熱温
度により抵抗値が著しく変化する例えば二珪化モリブデ
ンからなる第１の発熱線２と、発熱温度により抵抗値が
著しく変化しない例えばＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金からなる
第２の発熱線４を組み合わせて設けてある。そして、低
温領域では第２の発熱線４を使用し、高温領域では第１
の発熱線２を使用する。また、第１の発熱線２と第２の
発熱線４との間に、公知の材料からなる断熱材６を配置
し、第２の発熱線４を第１の発熱線２より外側に配置し
てある。第２の発熱線４を第１の発熱線２より外側に断
熱材６を介して配置することで、第２の発熱線４より最
高使用温度の低い安価な第１の発熱線２を使用すること
ができる。なお、高温領域では、第１の発熱線２と第１
の発熱線２を使用してもよい。
【００１８】本実施の形態の半導体製造装置では、第１
の発熱線２に対する補助的な発熱線として、発熱温度に
よる抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発
熱線４を設け、低温領域においては第１の発熱線２を使
用しないで、第２の発熱線４を使用し、高温領域におい
ては、高い電流密度を投入でき、最高発熱温度１７００
℃〜１９００℃と高い二珪化モリブデンからなる第１の
発熱線２を使用する。これにより、低温領域において第
１の発熱線２は第２の発熱線４により加熱され抵抗が大
きくなるので電流が小さくなり、第１の発熱線２におけ
る低温領域での突入電流を低減できるので、省エネルギ
ーを実現できる。
の発熱線２に対する補助的な発熱線として、発熱温度に
よる抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発
熱線４を設け、低温領域においては第１の発熱線２を使
用しないで、第２の発熱線４を使用し、高温領域におい
ては、高い電流密度を投入でき、最高発熱温度１７００
℃〜１９００℃と高い二珪化モリブデンからなる第１の
発熱線２を使用する。これにより、低温領域において第
１の発熱線２は第２の発熱線４により加熱され抵抗が大
きくなるので電流が小さくなり、第１の発熱線２におけ
る低温領域での突入電流を低減できるので、省エネルギ
ーを実現できる。
【００１９】また、低温領域において、発熱温度による
抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発熱線
４を使用することにより、低温領域でのヒータ１の温度
安定性を増加できる。これにより、スループットが向上
し、生産コストを低減できる。
抵抗値の変化が第１の発熱線２より小さい第２の発熱線
４を使用することにより、低温領域でのヒータ１の温度
安定性を増加できる。これにより、スループットが向上
し、生産コストを低減できる。
【００２０】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、第１の発熱線
２、第２の発熱線４の材料は前記実施の形態で挙げたも
のに限らず、他の材料を用いてもよい。
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、第１の発熱線
２、第２の発熱線４の材料は前記実施の形態で挙げたも
のに限らず、他の材料を用いてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低温領域での突入電流を低減できるので、省エネルギー
を実現できる。また、低温領域での温度安定性を増加で
き、これによりスループットが向上し、生産コストを低
減できる。
低温領域での突入電流を低減できるので、省エネルギー
を実現できる。また、低温領域での温度安定性を増加で
き、これによりスループットが向上し、生産コストを低
減できる。
【図１】（ａ）は本発明の半導体製造装置の一実施の形
態のヒータの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図
である。
態のヒータの断面図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図
である。
【図２】（ａ）は従来の半導体製造装置のヒータの断面
図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図である。
図、（ｂ）は（ａ）の要部断面斜視図である。
１…ヒータ、２…第１の発熱線、３…第１の発熱線の支
持体、４…第２の発熱線、５…第２の発熱線の支持体、
６…断熱材、７…ヒータケース、２１…ヒータ、２２…
発熱線、２３…発熱線の支持体、２７…ヒータケース。
持体、４…第２の発熱線、５…第２の発熱線の支持体、
６…断熱材、７…ヒータケース、２１…ヒータ、２２…
発熱線、２３…発熱線の支持体、２７…ヒータケース。
Claims (1)
- 【請求項１】発熱線を有するヒータを具備する半導体製
造装置において、前記発熱線として、第１の発熱線と、
発熱温度による抵抗値の変化が前記第１の発熱線より小
さい第２の発熱線とを組み合わせて設けたことを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073318A JP2001267249A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000073318A JP2001267249A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267249A true JP2001267249A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18591576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000073318A Pending JP2001267249A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004049414A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | 半導体処理装置用電気ヒータ |
| CN113745082A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000073318A patent/JP2001267249A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004049414A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | 半導体処理装置用電気ヒータ |
| US7027722B2 (en) | 2002-11-25 | 2006-04-11 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | Electric heater for a semiconductor processing apparatus |
| CN1317741C (zh) * | 2002-11-25 | 2007-05-23 | 光洋热系统株式会社 | 半导体处理装置用电加热器 |
| CN113745082A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
| CN113745082B (zh) * | 2020-05-28 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
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