JP2001264814A - 液晶表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその駆動方法

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JP2001264814A JP2000080442A JP2000080442A JP2001264814A JP 2001264814 A JP2001264814 A JP 2001264814A JP 2000080442 A JP2000080442 A JP 2000080442A JP 2000080442 A JP2000080442 A JP 2000080442A JP 2001264814 A JP2001264814 A JP 2001264814A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 携帯電話等に用いられる液晶表示装置におい
て、待ち受け時には低消費電力でマルチカラー表示を行
い、また通話時にはフルカラーによる中間調表示や動画
表示を行うことができるようにする。 【解決手段】 画素電極13と11信号線とを第1のス
イッチ素子14で接続するとともに、画素電極13とデ
ィジタルメモリ18との間を第2のスイッチ素子17で
接続し、通話時には、第2のスイッチ素子17をオフし
て、第1のスイッチ素子14をオンすることにより、信
号線11から供給される映像信号で画像表示を行い、ま
た待ち受け時には、第1のスイッチ素子14をオフし
て、第2のスイッチ素子17をオンすることにより、走
査線/信号線駆動回路の動作を止めつつ、ディジタルメ
モリ18に保持された映像信号で画像表示するようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、携帯電話や電子
ブック等に使用される高画質、低消費電力な液晶表示装
置及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶表示装置は軽量、薄型、低消
費電力という利点を活かして携帯電話や電子ブック等の
小型情報端末のディスプレイとして使われている。この
ような小型情報端末は、一般にバッテリー駆動方式が採
用されていることから、低消費電力化が重要な課題とな
っている。
【0003】とくに携帯電話においては、待ち受け時間
中に低消費電力で表示できることが求められており、こ
れを実現するための技術としては、例えば特開昭58−
23091号などが挙げられる。ここに開示された画像
表示装置は、画素内にディジタルメモリを備えており、
待ち受け時(静止画表示時)には、液晶を交流駆動する
ための交流駆動回路のみを動作させ、その他の周辺駆動
回路を止めることにより、大幅な消費電力の低減を図っ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開昭5
8−23091号の画像表示装置では、画素電圧が二値
に制限されるため、二値の画像しか表示することができ
なかった。
【0005】最近では、携帯電話においてもインターネ
ットやTV電話等のカラー中間調表示や動画表示が始ま
っており、待ち受け時に低消費電力であるだけでなく、
通話時にはカラーの高画質表示を行うことが求められて
いるが、上記画像表示装置では、待ち受け時にマルチカ
ラー表示ができないだけでなく、通話時においてもフル
カラーによる中間調表示や動画表示ができないという問
題点があった。
【0006】この発明は、待ち受け時には低消費電力で
マルチカラー表示を行い、また通話時にはフルカラーに
よる中間調表示や動画表示を行うことができる液晶表示
装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、互いに交差して配置された複数
の走査線及び複数の信号線、これら両線の各交差部に配
置された画素電極、前記走査線に供給される走査信号に
よりオン/オフ制御され、オン時に前記信号線と前記画
素電極間を導通させて前記信号線に供給された映像信号
を前記画素電極に書き込む第1のスイッチ素子を含む第
1の電極基板と、前記画素電極に対し所定間隔をもって
対向配置された対向電極を含む第2の電極基板と、前記
第1の電極基板と第2の電極基板との間に狭持された液
晶層と、一水平走査期間毎に前記複数の信号線に映像信
号を供給する信号線駆動回路と、前記一水平走査期間に
対応して前記走査線に走査信号を順次供給する走査線駆
動回路とを備えた液晶表示装置において、前記第1の電
極基板は、前記画素電極と電気的に接続され、前記信号
線に供給された映像信号を保持可能なディジタルメモリ
と、前記画素電極と前記ディジタルメモリとの間に挿入
され、前記画素電極と前記ディジタルメモリ間の導通を
制御する第2のスイッチ素子とを含むことを特徴とす
る。
【0008】請求項2の発明は、請求項1において、前
記画素電極が金属薄膜で構成された光反射型の画素電極
であることを特徴とする。
【0009】請求項3の発明は、請求項1において、前
記第2のスイッチ素子が、前記ディジタルメモリの出力
端子及び反転出力端子と前記画素電極との間を接続する
2つのスイッチ素子で構成されることを特徴とする。
【0010】好ましい態様として、前記第1のスイッチ
素子と前記第2のスイッチ素子を、ともにMOSトラン
ジスタで構成する。
【0011】請求項4の発明は、請求項1において、前
記ディジタルメモリが、2つのインバータ回路と第3の
スイッチ素子で構成されることを特徴とする。
【0012】請求項5の発明は、請求項4において、前
記第3のスイッチ素子が、前記第1のスイッチ素子とは
逆チャネルのスイッチ素子であり、前記第3のスイッチ
素子のゲートは前記第1のスイッチ素子のゲートと同じ
走査線に接続されることを特徴とする。
【0013】好ましい態様として、前記第3のスイッチ
素子を前記第1のスイッチ素子と相補型のMOSトラン
ジスタで構成する。
【0014】請求項6の発明は、請求項1の液晶表示装
置の駆動方法であって、第1の表示期間では、前記第2
のスイッチ素子により前記画素電極と前記ディジタルメ
モリ間の導通をオフし、かつ前記第1のスイッチ素子を
所定周期でオンして、前記信号線に供給された映像信号
を前記画素電極に書き込むことで表示を行い、第2の表
示期間では、前記第2のスイッチ素子をオンし、前記信
号線に供給された映像信号を前記ディジタルメモリに保
持させた後、前記第1のスイッチ素子により前記信号線
と前記画素電極間の導通をオフして、前記ディジタルメ
モリに保持された映像信号を前記画素電極に書き込むこ
とで表示を行うことを特徴とする。
【0015】請求項7の発明は、請求項6において、前
記第2の表示期間では、1フレーム毎に前記第2のスイ
ッチ素子を構成する2つのスイッチ素子を交互にオン
し、かつ前記対向電極の電位を反転させることを特徴と
する。
【0016】上記請求項1乃至7の発明によれば、第1
の表示期間では、前記第2のスイッチ素子をオフして、
前記第1のスイッチ素子をオンすることにより、前記信
号線から供給される映像信号で画像表示を行い、また第
2の表示期間では、前記第1のスイッチ素子をオフし
て、前記第2のスイッチ素子をオンすることにより、走
査線/信号線駆動回路の動作を止めつつ、前記ディジタ
ルメモリに保持された映像信号で画像表示を行なうた
め、通話時(第1の表示期間)には、通常のフルカラー
による中間調/動画表示を行うことができ、また待ち受
け時(第2の表示期間)には、低消費電力でマルチカラ
ー表示を行うことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる液晶表示
装置及びその駆動方法を、アクティブマトリクス型液晶
表示装置に適用した場合の実施形態について説明する。
【0018】図3は、この実施形態に係わるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の回路構成図であり、図4は
図3の概略断面図である。
【0019】この液晶表示装置100は、複数の表示画
素10が形成された表示画素部110、走査線駆動回路
120及び信号線駆動回路130とから構成されてい
る。
【0020】この実施形態において、走査線駆動回路1
20及び信号線駆動回路130は、アレイ基板101上
において、後述する信号線11、走査線12及び画素電
極13などと一体に形成されている。
【0021】表示画素部110は、アレイ基板101上
に複数本の信号線11及びこれと交差する複数本の走査
線12が図示しない絶縁膜を介してマトリクス状に配置
されており、両線の各交差部には表示画素10が配置さ
れている。
【0022】表示画素10は、画素電極13、第1のス
イッチ素子14、対向電極15、液晶層16、第2のス
イッチ素子17及びディジタルメモリ18により構成さ
れている。
【0023】第1のスイッチ素子14のソースは信号線
11に、ゲートは走査線12に、ドレインは画素電極1
3にそれぞれ接続されている。また画素電極13は第2
のスイッチ素子17を介してディジタルメモリ18に接
続されており、その第2のスイッチ素子17のゲートは
制御信号線19に、ソースは画素電極13に、ドレイン
はディジタルメモリ18にそれぞれ接続されている。第
2のスイッチ素子17及びディジタルメモリ18の構成
については後述する。
【0024】画素電極13はアレイ基板101上に形成
され、この画素電極13と相対する対向電極15は対向
基板102上に形成されている。対向電極15には、図
示しない外部駆動回路から所定の対向電位が与えられて
いる。さらに、画素電極13と対向電極15の間には液
晶層16が狭持され、アレイ基板101及び対向基板1
02の周囲はシール材103により封止されている。
【0025】走査線駆動回路120は、シフトレジスタ
121及び図示しないバッファ回路などで構成されてお
り、図示しない外部駆動回路から供給されるコントロー
ル信号(垂直のクロック/スタート信号)に基づいて、
上から順に走査線12に走査信号を出力する。
【0026】走査線駆動回路120では、中間調表示や
動画表示時(以下、中間調/動画表示時)には、制御信
号線19をオフレベルとし、通常のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置と同様に上から順に走査線12に走査
信号を出力する。また静止画表示時には、走査線12を
オフレベルとし、制御信号線19をオンレベルとする。
【0027】信号線駆動回路130は、シフトレジスタ
131、ASW(アナログスイッチ)132などで構成
されており、図示しない外部駆動回路からコントロール
信号(水平のクロック/スタート信号)及びビデオバス
133を通じて映像信号が供給されている。信号線駆動
回路130では、水平のクロック/スタート信号に基づ
いて、シフトレジスタ131からASW132の開閉信
号を供給することにより、ビデオバス133から供給さ
れる映像信号を所定のタイミングで信号線11にサンプ
リングする。
【0028】ここで、通常のアクティブマトリクス型液
晶表示装置として駆動する場合について簡単に説明す
る。
【0029】走査線駆動回路120から走査信号を出力
して、各走査線12を上から順にオンし、これと同期し
て信号線11に映像信号をサンプリングすると、オンと
なった走査線12に接続するすべての第1のスイッチ素
子14は、一水平走査期間だけオンとなり、信号線11
にサンプリングされていた映像信号は第1のスイッチ素
子14を通じて画素電極13に書き込まれる。この映像
信号は画素電極13と対向電極15との間に信号電圧と
して充電され、この信号電圧の大きさに応じて液晶層1
6が応答することで表示画素からの透過光量が制御され
る。このような動作を一フレーム期間内にすべての走査
線12について実施することにより、一画面の映像が出
来上がる。
【0030】次に、表示画素10の回路構成を、図1及
び図2を参照しながら、さらに詳細に説明する。
【0031】図1は、表示画素10の回路構成図、図2
はその概略平面図である。
【0032】第2のスイッチ素子17は、ディジタルメ
モリ18の出力端子及び反転出力端子と、画素電極13
との間に挿入された2つのスイッチ素子21、22で構
成されている。このうち、スイッチ素子21のゲートは
制御信号線19aに接続され、スイッチ素子22のゲー
トは制御信号線19bにそれぞれ接続されており、それ
ぞれの制御信号線にオン又はオフレベルの制御信号が供
給されることで、2つのスイッチ素子21、22は独立
して制御される。この第2のスイッチ素子17と第1の
スイッチ素子14は、ともにMOSトランジスタで構成
されている。
【0033】ディジタルメモリ18は、2つのインバー
タ回路23、24と、第3のスイッチ素子25で構成さ
れている。このうち、第3のスイッチ素子25は、第1
のスイッチ素子14とは逆チャネルのスイッチ素子であ
り、第1のスイッチ素子14と相補型のMOSトランジ
スタで構成されている。また、第3のスイッチ素子25
のゲートは、第1のスイッチ素子14のゲートと同じ走
査線12に接続されている。
【0034】次に、上記ように構成された液晶表示装置
100の動作を図5に示す信号波形のタイミングチャー
トを参照しながら説明する。
【0035】なお、図5において、XCK及び/XCK
(反転)は水平のクロック信号、XSTは水平のスター
ト信号、Videoはビデオバス133から入力される
映像信号、YCKは垂直のクロック信号、YSTは垂直
のスタート信号、SPOLAは制御信号線19aに供給
される制御信号の電位レベル、SPOLBは制御信号線
19bに供給される制御信号の電位レベル、COMは対
向電極15の対向電位をそれぞれ示している。
【0036】まず、中間調/動画表示時(通常表示)に
は、2本の制御信号線19a、19bをともにオフレベ
ルとし、第2のスイッチ素子17の機能を停止する。こ
の間は、走査線駆動回路120及び信号線駆動回路13
0に対し、それぞれクロック信号、スタート信号及び映
像信号を供給して、通常のアクティブマトリクス型液晶
表示装置と同様に駆動を行うことにより、フルカラーに
よる高画質な中間調/動画表示を行う。
【0037】一方、通常表示から静止画表示に切り替え
る際は、通常表示から静止画表示に移行する最後のフレ
ーム(静止画書き込みフレーム)において、制御信号線
19aをオンレベルとする。そして、第1のスイッチ素
子14がオンしている間に、信号線11に2値化された
映像信号をサンプリングし、これを第1のスイッチ素子
14及び第2のスイッチ素子17を通じてディジタルメ
モリ18に書き込む。この2値化された映像信号は、静
止画表示時に表示するマルチカラー画像用の映像信号で
ある。
【0038】静止画表示の期間において、ディジタルメ
モリ18に書き込まれた映像信号は、短時間であればこ
の状態で保持することもできるが、長時間保持すると直
流成分により液晶層16が劣化するため、交流駆動する
必要がある。この実施形態では、一定の周期で制御信号
線19a、同19bを交互にオンレベルとすることによ
って、スイッチ素子21、22を交互にオンし、同時に
対応電極15の電位を反転させることで交流駆動を実現
している。
【0039】このように、2つのスイッチ素子21、2
2を交互にオンすることで、画素電極13の電位は電源
/接地電位が交互に出力され、これと同期させて対向電
極15の電位を電源/接地電位間でシフトすることによ
り、対向電極15と極性が同じ表示画素10では液晶層
16に電圧がかからず、逆極性の表示画素10では液晶
層16に電圧がかかるため、2値表示(マルチカラー表
示)を行うことができる。このとき、表示画素部110
で動作しているのは、低周波数の制御信号線19と対向
電極15だけであるため、待ち受け時(静止画表示時)
には、低消費電力でマルチカラー表示を行うことができ
る。
【0040】また、静止画表示から通常表示に切り替え
る際は、最後のフレーム(静止画最終フレーム)を経
て、再び2本の制御信号線19a、19bをともにオフ
レベルとし、走査線駆動回路120及び信号線駆動回路
130に対し、それぞれクロック信号、スタート信号及
び映像信号を供給する。
【0041】次に、この実施形態による液晶表示装置1
00の製造方法を図6を用いて説明する。図6は液晶表
示装置の製造プロセスを示す概略断面図であり、破線の
右側の領域は画素部(表示画素部110)、左側の領域
が駆動回路部(走査線駆動回路120など)を示してい
る。以下、図6の(a)〜(f)の順に説明する。
【0042】(a)ガラスなどの透明絶縁基板50上
に、プラズマCVD法により厚さ50nmのアモルファ
スシリコン(a−Si)薄膜51を堆積し、このアモル
ファスシリコン薄膜51を図示しないXeClエキシマ
レーザ装置でアニールすることで多結晶化する。ここ
で、前記XeClエキシマレーザ装置からのレーザ光5
2は、図中Aの方向に走査され、このレーザ光52が照
射された領域は結晶化され多結晶シリコン膜53とな
る。その際、レーザ照射エネルギーを段階的に上げて複
数回照射を行うことにより、アモルファスシリコン膜中
の水素を効果的に抜くことができ、結晶化時のアブレー
ションを防ぐことができる。なお、照射エネルギーは2
00〜500mJ/cm とする。
【0043】(b)多結晶シリコン膜53をフォトリソ
グラフィ法を用いてパターニングし、薄膜トランジスタ
の活性層54を形成する。
【0044】(c)シリコン酸化膜によるゲート絶縁膜
55をプラズマCVD法で形成した後、モリブデン−タ
ングステン合金膜をスパッタ法で成膜、パターニングす
ることでゲート電極56を形成する。また、前記パター
ニング時に走査線も同時に形成する。ゲート絶縁膜55
としては、このほかに窒化シリコン膜や常圧CVD法に
よるシリコン酸化膜を使うことができる。
【0045】ゲート電極56を形成後に、ゲート電極5
6をマスクとしてイオンドーピング法で不純物を打ち込
み、薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域54aを
形成する。不純物としては、N−chトランジスタにつ
いてはリンを、P−chトランジスタについてはボロン
を用いることができる。画素部のトランジスタについて
はオフ時のリーク電流を抑えるためにLDD(Ligh
tly DopedDrain)構造を用いるのが効果
的である。この場合、ソース/ドレイン電極54aへの
不純物注入後にゲート電極56を再パターニングし、一
定量だけ細かくした後、再度低濃度の不純物打ち込みを
行う。
【0046】(d)ゲート電極56上にプラズマCVD
法又は常圧CVD法でシリコン酸化膜による第1の層間
絶縁膜57を形成する。
【0047】(e)第1の層間絶縁膜57及びゲート絶
縁膜55にコンタクトホールを形成後、スパッタ法でA
l膜を形成、パターニングすることでソース/ドレイン
電極59、60を形成する。このとき、信号線も同時に
形成する。
【0048】(f)前記Al膜上に低誘電率絶縁膜(第
2の層間絶縁膜)61を形成する。低誘電率絶縁膜61
としては、プラズマCVD法で作成した窒化シリコン膜
や、酸化シリコン膜、有機絶縁膜等の低誘電率絶縁膜を
用いることができる。そして、低誘電率絶縁膜61にコ
ンタクトホールを形成し、Al薄膜62を形成し、パタ
ーニングすることで画素電極を形成する。
【0049】以上のプロセスにより、透明絶縁基板50
上に画素部と駆動回路部とを一体で形成することができ
る。この後、透明絶縁基板50と、図示しない対向電極
が形成された対向基板とを対向し、周囲をエポキシ樹脂
からなるシール材で密閉し、内部に液晶組成物を注入、
封止することで液晶表示装置を完成することができる
(図4参照)。
【0050】なお、p−Si(ポリシリコン)TFT
は、a−SiTFTに比べて電子の移動度が二桁程度高
いため、TFTサイズを小さくすることが可能であり、
周辺駆動回路をも同時に基板上に一体に形成することが
できる。この周辺回路としては、高速化、低消費電力化
を図るためにCMOS構造とすることが望ましい。その
ため、前記不純物ドーピング工程は、レジストマスクを
用いてP型及びN型不純物ドーピング工程の2回に分け
て行っている。
【0051】また、この実施形態のように、画素電極1
3を金属薄膜で構成された光反射型の画素電極とした場
合は、バックライトが不要となるため、バックライトを
用いた透過型の構成に比べて、さらに低消費電力での駆
動が可能となる。ちなみに、対角5cm、25万画素の
液晶パネルについてフレーム周波数60Hzで静止画表
示を行ったところ、消費電力を5mWとすることができ
た。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1乃至請求
項7の発明においては、画素電極と信号線とを第1のス
イッチ素子で接続するとともに、前記画素電極とディジ
タルメモリとの間を第2のスイッチ素子で接続し、第1
の表示期間では、前記第2のスイッチ素子をオフして、
前記第1のスイッチ素子をオンすることにより、前記信
号線から供給される映像信号で画像表示を行い、また第
2の表示期間では、前記第1のスイッチ素子をオフし
て、前記第2のスイッチ素子をオンすることにより、走
査線/信号線駆動回路の動作を止めつつ、前記ディジタ
ルメモリに保持された映像信号で画像表示するようにし
たので、本発明を携帯電話のディスプレイに適用した場
合、通話時(第1の表示期間)には、通常のフルカラー
による中間調/動画表示を行うことができ、また待ち受
け時(第2の表示期間)には、低消費電力でマルチカラ
ー表示を行うことができる。
【0053】とくに、請求項2の発明においては、前記
画素電極を金属薄膜で構成された光反射型の画素電極と
したので、バックライトが不要となり、バックライトを
用いた透過型の構成に比べて、さらに低消費電力での駆
動を行うことができる。
【0054】また、とくに請求項3及び請求項7の発明
においては、前記第2のスイッチ素子を、前記ディジタ
ルメモリの出力端子及び反転出力端子と前記画素電極と
の間を接続する2つのスイッチ素子で構成し、第2の表
示期間において前記2つのスイッチ素子を交互にオン
し、同時に前記対向電極の電位を反転するようにしたの
で、液晶を交流駆動することができ、液晶に直流成分が
長時間印加されることによる劣化を抑えることができ
る。
【0055】また、とくに請求項4の発明においては、
前記ディジタルメモリを、2つのインバータ回路と第3
のスイッチ素子で構成したので、素子数の削減と周辺回
路の簡素化を図ることができる。
【0056】また、とくに請求項5の発明においては、
第3のスイッチ素子を、前記第1のスイッチ素子とは逆
チャネルのスイッチ素子とし、前記第3のスイッチ素子
のゲートを前記第1のスイッチ素子のゲートと同じ走査
線に接続するようにしたので、前記走査線から供給され
る一つの走査信号によって、前記第1のスイッチ素子と
前記第3のスイッチ素子のオン/オフ制御を同時に行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図3に示す表示画素の回路構成図。
【図2】図1の概略平面図。
【図3】実施形態に係わるアクティブマトリクス型液晶
表示装置の回路構成図。
【図4】図3の概略断面図。
【図5】液晶表示装置の動作を示す信号波形のタイミン
グチャート。
【図6】液晶表示装置の製造プロセスを示す概略断面
図。
【符号の説明】
10…表示画素、11…信号線、12…信号線、13…
画素電極 14…第1のスイッチ素子、15…対向電極、17…第
2のスイッチ素子 18…ディジタルメモリ、19…制御信号線、21,2
2…スイッチ素子 23,24…インバータ回路、25…第3のスイッチ素
子 110…表示画素部、120…走査線駆動回路、130
…信号線駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 624 G09G 3/36 3/36 G02F 1/136 500 (72)発明者 前田 孝志 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H092 GA59 JB22 JB31 KA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA30 NA01 NA26 NA27 2H093 NA15 NA33 NA55 NA61 NC16 NC23 NC29 NC34 ND17 ND39 NE07 5C006 AA21 AA22 AC22 AC25 AC27 AF61 AF69 BB15 BB16 BB28 BC03 BC06 FA04 FA47 5C080 AA10 BB05 CC03 DD21 DD26 EE19 EE29 EE30 JJ02 JJ04 JJ06 KK07 KK47 5C094 AA22 AA44 AA45 BA02 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB04 ED11 HA10

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに交差して配置された複数の走査線
    及び複数の信号線、これら両線の各交差部に配置された
    画素電極、前記走査線に供給される走査信号によりオン
    /オフ制御され、オン時に前記信号線と前記画素電極間
    を導通させて前記信号線に供給された映像信号を前記画
    素電極に書き込む第1のスイッチ素子を含む第1の電極
    基板と、 前記画素電極に対し所定間隔をもって対向配置された対
    向電極を含む第2の電極基板と、 前記第1の電極基板と第2の電極基板との間に狭持され
    た液晶層と、 一水平走査期間毎に前記複数の信号線に映像信号を供給
    する信号線駆動回路と、 前記一水平走査期間に対応して前記走査線に走査信号を
    順次供給する走査線駆動回路とを備えた液晶表示装置に
    おいて、 前記第1の電極基板は、 前記画素電極と電気的に接続され、前記信号線に供給さ
    れた映像信号を保持可能なディジタルメモリと、 前記画素電極と前記ディジタルメモリとの間に挿入さ
    れ、前記画素電極と前記ディジタルメモリ間の導通を制
    御する第2のスイッチ素子と、 を含むことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記画素電極は、金属薄膜で構成された
    光反射型の画素電極であることを特徴とする請求項1に
    記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記第2のスイッチ素子は、前記ディジ
    タルメモリの出力端子及び反転出力端子と前記画素電極
    との間を接続する2つのスイッチ素子で構成されること
    を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記ディジタルメモリは、2つのインバ
    ータ回路と第3のスイッチ素子で構成されることを特徴
    とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記第3のスイッチ素子は、前記第1の
    スイッチ素子とは逆チャネルのスイッチ素子であり、前
    記第3のスイッチ素子のゲートは前記第1のスイッチ素
    子のゲートと同じ走査線に接続されることを特徴とする
    請求項4に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 第1の表示期間では、前記第2のスイッ
    チ素子により前記画素電極と前記ディジタルメモリ間の
    導通をオフし、かつ前記第1のスイッチ素子を所定周期
    でオンして、前記信号線に供給された映像信号を前記画
    素電極に書き込むことで表示を行い、 第2の表示期間では、前記第2のスイッチ素子をオン
    し、前記信号線に供給された映像信号を前記ディジタル
    メモリに保持させた後、前記第1のスイッチ素子により
    前記信号線と前記画素電極間の導通をオフして、前記デ
    ィジタルメモリに保持された映像信号を前記画素電極に
    書き込むことで表示を行うことを特徴とする請求項1に
    記載の液晶表示装置の駆動方法。
  7. 【請求項7】 前記第2の表示期間では、1フレーム毎
    に前記第2のスイッチ素子を構成する2つのスイッチ素
    子を交互にオンし、かつ前記対向電極の電位を反転させ
    ることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置の駆
    動方法。
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