JP2008165169A - 電圧駆動回路 - Google Patents

電圧駆動回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2008165169A
JP2008165169A JP2007134427A JP2007134427A JP2008165169A JP 2008165169 A JP2008165169 A JP 2008165169A JP 2007134427 A JP2007134427 A JP 2007134427A JP 2007134427 A JP2007134427 A JP 2007134427A JP 2008165169 A JP2008165169 A JP 2008165169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
signal
voltage signal
type transistor
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007134427A
Other languages
English (en)
Inventor
Ming-Daw Chen
陳明道
Shyh-Shyuan Sheu
許世玄
Wei-Chun Chang
張維鈞
Keng-Li Su
蘇耿立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of JP2008165169A publication Critical patent/JP2008165169A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/0465Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0823Several active elements per pixel in active matrix panels used to establish symmetry in driving, e.g. with polarity inversion
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0857Static memory circuit, e.g. flip-flop

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、記憶装置がシングルエンド入力方法でデータを入力するように設計された電圧駆動回路を提供する。
【解決手段】
画素駆動回路で使用されるのに適した電圧駆動回路は、シングルエンドデータ入力信号を受ける、該シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応して、第1の電圧信号および第2の電圧信号を出力するために記憶装置を含む。第1の電圧信号および第2の電圧信号は、異なる電圧レベルを有し、電圧レベルは、高電圧レベルおよび低電圧レベルであり、電圧レベルは、後段の動作を満足する駆動電圧要求に調節される。スイッチ制御装置は、第1の電圧信号および第2の電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力端子で出力電圧信号を出力する。出力電圧信号は、高電圧レベルまたは低電圧レベルである。
【選択図】図3

Description

本発明は、電圧駆動回路に関する。より詳細には、本発明は、例えば、画素を駆動するために使用される電圧駆動回路に関する。
画像表示技術において、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)技術が近年急速に発展し、大型平面テレビの分野において、従来の陰極線管(CRT)ディスプレイの市場をとらえ始めている。しかし、LCDが大型テレビに適用された場合、少なくとも重量が重い、高電力消費および不十分な歩留まりなどの不都合を有する。したがって、liquid crystal on silicon(LCOS)に関する他の技術が要求に応じて現れ、それは投影によって画像を表示する。シリコン基板を使用するので、歩留まりは高く、コストは低い。高解像度の製品および低価格の市場を満足するために、LCOS技術は、パネルサイズを低減して、より多くの経済利益を得なければならない。表示パネル上の各画素のサイズは、パネルの最終サイズを決定する。画素を駆動するためにアナログ駆動モードを採用する場合、高電圧プロセスが必要であり、また、素子サイズが大きく、低減することができない。したがって、高解像度LCOS製品について、パネルサイズを低減するために、低電圧プロセスのデジタル駆動回路によって画素を駆動する。しかし、デジタル駆動回路は多くの素子を有しており、高度に複雑であるので、プロセスが同じままであるなら、現在のサイズを低減するのはまだ困難である。
従来の技術では、個々の画素を駆動するために、一般的にダブルエンド駆動方法が使用される。図1は、従来の画素駆動回路を示す。図1を参照すると、従来の画素駆動回路212は、記憶装置300、スイッチ制御装置320およびコンバータ340を含む。記憶装置300は、ダブルエンド方法で、データ入力信号120およびデータ入力信号122を受け、2つの信号は互いに逆である。さらに、書き込み線信号118は、ワイヤー306、307を介して記憶装置300に入力される。記憶装置300は、データ入力信号120のコンテンツに対応して、2つの対応する電圧出力信号308、310を生成する。電圧出力信号308,310は、スイッチ制御装置320の入力信号324、326として機能する。スイッチ制御装置320は、入力端子328、330、332、334で、2対の制御信号、つまり4つの制御信号276、278、280、282を受ける。制御信号VSWA-P276および制御信号VSWA-N278は、互いに逆であり、制御信号VSWB-P280および制御信号VSWB-N282は、互いに逆である。スイッチ制御装置320は、制御信号からの決定に基づいて、コンバータ340に出力信号322を出力する。次いで、コンバータ340は、実際の画素駆動電圧V0274または画素駆動電圧V1272に出力信号322を変換する。
言いかえれば、従来の画素駆動回路212のコンバータ340は、主として、V1電圧(高電圧レベル)またはV0電圧(低電圧レベル)を選択する。スイッチ制御装置320は、正端子データまたは負端子データを選択し、記憶装置300は、バイナリデータを記憶する。動作は、バイナリデータを、まず記憶装置300に記憶することを含み、スイッチ制御装置320は、正端子データまたは負端子データを出力することを決定する。最後に、電圧を、コンバータ340によってV1データ(高電圧レベル)またはV0データ(低電圧レベル)に変換し、次に、画素に出力する。
上記の従来の構成は、大きな領域を占領し、ダブルエンド入力機構を採用する。さらに、コンバータ340は、実際の駆動電圧に電圧を元に調節することが必要である。例えば、ダブルエンド入力機構を採用する記憶装置300の詳細な回路を図2に示す。ダブルエンド入力機構を採用する記憶装置300について、相補データ入力信号BPOS120およびデータ入力信号BNEG122を、同時に入力する。次いで、データは、トランジスター606、608、610、612で構成されたラッチ回路によって記憶される。データを入力するべきかどうか決定するために、書き込み線信号118の制御下で、トランジスター604および602をオン、オフする。しかし、ダブルエンドデータにより、1つより多いワイヤーが回路レイアウト上に必要であり、それは、より多くの領域を占領する。
したがって、ダブルエンド入力データ機構の採用に加えて、従来の画素駆動回路212は、駆動電圧に電圧を調整するためのコンバータ340を必要とし、それにより、大きな領域をとる。
本発明は、記憶装置がシングルエンド入力方法でデータを入力するように設計された電圧駆動回路を提供する。
本発明は、記憶装置が実際の駆動電圧に調節することができるように設計された電圧駆動回路を提供し、それによって、後段のコンバータを不必要とする。
画素駆動回路で使用されるのに適した電圧駆動回路は、シングルエンドデータ入力信号を受け、シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応して第1の電圧信号および第2の電圧信号を出力するための記憶装置を含む。第1の電圧信号および第2の電圧信号は、異なる電圧レベルを有し、電圧レベルは、高電圧レベルおよび低電圧レベルであり、電圧レベルは、後段の動作を満足する駆動電圧要求に調節されている。スイッチ制御装置は、第1の電圧信号および第2の電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力端子で出力電圧信号を出力する。出力電圧信号は、高電圧レベルまたは低電圧レベルである。
画素駆動回路で使用されるのに適した他の電圧駆動回路は、シングルエンドデータ入力信号を受け、シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応してハイレベル電圧信号およびローレベル電圧信号を出力するための記憶装置を含む。スイッチ制御装置は、ハイレベル電圧信号およびローレベル電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力端子で出力電圧信号を出力する。出力電圧信号は、ハイレベル電圧信号またはローレベル電圧信号である。コンバータは、出力端子からの出力電圧信号出力を受け、実際の作動電圧値に変換する。
本発明によれば、少なくとも回路の要する領域は、シングルエンド入力方法の採用により低減することができる。さらに、本発明によれば、信号の電圧は、記憶装置によって駆動電圧値に調節されており、したがって、実際的な要求に基づいて、コンバータは不必要である。しかし、記憶装置が、駆動電圧値に信号の電圧を調整しない場合、コンバータの設計は必要である。
前述の本発明の他の目的、特徴および利点を理解可能とするために、図面を添付した好ましい実施形態を以下に詳細に説明する。
本発明は、電圧駆動回路に関する。電圧駆動回路は、入力バイナリデータに対応して、対応する電圧信号を出力することができる。また、本発明の電圧駆動回路は、対応する画素に作動電圧を加えるように、デジタル表示装置中の画素駆動回路に役立つ。本発明は、シングルエンド入力方法を採用するように設計され、したがって、少なくとも回路によって占領された領域を低減することができる。さらに、本発明によれば、信号の電圧を、記憶装置によって駆動電圧値に調節することができ、それにより、コンバータの回路を不必要にすることができ、さらに、回路領域を低減することができる。いくつかの実施形態を実例のために以下に記載するが、本発明は、それらに限定されない。さらに、本発明の用途は、デジタル表示装置の画素駆動回路に限定されない。
図3は、本発明の実施形態による電圧駆動回路の概略ブロック図である。図3を参照すると、本発明の電圧駆動回路は、記憶装置1000およびスイッチ制御装置1002を含む。記憶装置1000は、シングルエンドデータ入力信号および書き込み線信号を受ける。一般的な特性に関して、本発明の記憶装置1000は、データ入力信号のコンテンツに対応して、第1の電圧信号1001aおよび第2の電圧信号1001bを出力する。第1の電圧信号1001aおよび第2の電圧信号1001bは、異なる電圧レベルを有する。電圧レベルは、高電圧レベルおよび低電圧レベルであり、電圧レベルは、後段の動作を満足する駆動電圧要求に調節されている。言いかえれば、記憶装置1000によって使用される高電源Vddは、高電圧レベルV1に調節されており、記憶装置1000によって使用される低電源Vssは、低電圧レベルV0に調節されている。詳細な回路設計については後述する。
記憶装置1000によって出力された第1の電圧信号1001aおよび第2の電圧信号1001bは、スイッチ制御装置1002に入力される。スイッチ制御装置1002は、少なくとも1つの制御信号を受けて、出力電圧信号として第1の電圧信号1001aまたは第2の電圧信号1001bを選択し、出力する。出力電圧信号は、高電圧レベルまたは低電圧レベルであり、出力電圧信号は、ディスプレイ駆動を行なうために、画素、例えば、液晶画素に出力することができる。
図4は、本発明の実施形態による電圧駆動回路の概略ブロック図である。図4は、図3による回路構成である。記憶装置1000は、データ入力信号(データ)および書き込み線信号(W線)を受ける。記憶装置1000は、例えば、制御トランジスター1004およびラッチ装置1020を含んでいてもよい。制御トランジスター1004は、書き込み線信号を受けるためのゲート1008、データ入力信号を受けるための第1のソース/ドレイン1006、および記憶されたコンテンツを出力するための第2のソース/ドレイン1010を有する。ラッチ装置1020は、データ入力信号のコンテンツ、例えば、ビットデータを記憶するための、制御トランジスター1004の第2のソース/ドレイン1010に接続されている。データが、ラッチ装置1020に記憶された後、第1の電圧信号1023aおよび第2の電圧信号1023bは出力され、その信号は、ビットデータの電圧レベルおよびその相補電圧レベルを表わす。
高駆動電圧はV1であり、低駆動電圧はV0であるラッチプロセスの間に、第1の電圧信号1023aおよび第2の電圧信号1023bの電圧が、後段の素子、例えば液晶画素素子を実際に駆動することができる電圧に調節されたことに留意すべきである。V1およびV0は、ラッチ装置の電源VddおよびVssを代用する。言いかえれば、第1の電圧信号の電圧は、V1とV0のうちの1つであり、第2の電圧信号の電圧は、入力データに対応したV1およびV0の他の1つである。
次いで、ラッチ装置1020において、例えば、2つのインバーター1016および1018は、ラッチループ、つまりカスケードループを構成する。インバーター1018の入力端子は、データの入力のための、制御トランジスター1004に接続されている。データ入力は、書き込み信号線(W線)1007によって制御トランジスター1004をオンすることにより行ない、ラッチ装置1020にデータを入力する。次いで、制御トランジスター1004は、書き込み信号線(W線)1007によってオフされ、したがって、データは、ラッチ装置1020に記憶される。しかし、例えば、データ入力の速度に影響することを回避するために、保護トランジスター1014は、ラッチループに加えることができ、それは、制御トランジスター1004とは反対の導電型を有する。一般に、制御トランジスター1004は、例えば、NMOSであり、保護トランジスター1014は、例えば、PMOSである。制御トランジスター1004および保護トランジスター1014のゲートは、両方が書き込み信号線(W線)1007に接続されており、したがって、2つのトランジスターのオン/オフ状態は、全く反対である。言いかえれば、データが入力される場合、フィードバック経路上の保護トランジスター1014は、データを前段のインバーター1018に連続して入力することができるようにオフされる。次に、データ入力を停止する場合、保護トランジスター1014は、開状態に変換され、それにより、ラッチループを維持する。
しかし、上記のラッチ方法は、実施形態として単に考えられ、他の設計は、さらに適用可能である。例えば、以下の図のラッチ装置1020’で示されるように、保護トランジスター1014は不必要である。しかし、さらに効率を向上するために、フィードバックインバーターのサイズを、例えば、わずかな効果を達成するために低減し、その結果、連続的にデータを書き込むことができる。これらは、いくつかの設計変更について言及され、本発明は、上記の実施形態に限定されない。インバーターの回路は、PMOSトランジスターおよびNMOSトランジスターを直列接続することにより形成することができ、それについては、さらに後述する。
記憶装置1000によって出力された第1の電圧信号1023aおよび第2の電圧信号1023bは、スイッチ制御装置1002に入力される。スイッチ制御装置1002は、例えば、第1の電圧信号1023aおよび第2の電圧信号1023bをそれぞれ受けるために、第1のスイッチ1024および第2のスイッチ1022を含む。第1の電圧信号1023aまたは第2の電圧信号1023bは、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて出力される。使用する制御信号は、例えば、従来使用された制御信号である。図1に示すように、制御信号VSWA-Pおよび制御信号VSWA-Nは、互いに逆であり、制御信号VSWB-Pおよび制御信号VSWB-Nは、互いに逆である。そのため、一般的な画素駆動機構と一緒に、出力されるのに必要なデータを選択する。更に、電圧駆動回路を他の用途に使用する場合、そのような選択機能を備えたいずれのスイッチ制御装置も採用することができる。
より多くの実施形態を回路の設計およびシミュレートされた操作タイミングについて説明するために以下に記載する。図5は、本発明の実施形態による電圧駆動回路の回路図である。図5を参照すると、図4に従った回路の実施形態を示す。記憶装置1000では、ラッチ装置1020は、2つのインバーター1016、1018を有する。例えば、インバーター1018は、P型トランジスター1030およびN型トランジスター1032によって形成され、それらは、ソース/ドレイン端子を介して互いに直列に接続されてインバーター1018の出力端子として機能し、ラッチ装置1020の出力端子としても機能することができる。さらに、トランジスター1030、1032の2つのゲート端子が、両方ともノードNに接続されている。ノードNは、インバーター1018の入力端子としての機能し、ラッチ装置1020の入力端子として機能する。他のインバーター1016も直列接続されるが、インバーター1018を逆にしてループを形成する。すなわち、インバーター1018の出力端子は、インバーター1016の入力端子に接続されており、インバーター1016の出力端子(ネット35)は、保護トランジスター1014を介してノードNに接続、または、ノードNに直接接続されている。また、例えば、インバーター1016の出力端子(ネット35)は、第1の電圧信号1023aを出力し、インバーター1018の出力端子(ネット52)は、第2の電圧信号1023bを出力する。
記憶装置1000は、シングルエンド入力の設計を採用し、それによって、回路領域を低減することに留意するべきである。さらに、インバーター1016、1018の電源Vdd、Vssは、V1、V0としてセットされ、それらは、実際の駆動に対する高電圧値および低電圧値である。したがって、本発明では、コンバータは、論理信号を実際の駆動電圧に変換するための従来技術ほど必要ではない。
次いで、図1の制御に従って、スイッチ制御装置1002は、例えば、制御信号SWAPおよび制御信号SWANを互いに逆にして1対の制御信号を受け、制御信号SWBPおよび制御信号SWBNを互いに逆にして1対の制御信号を受けることができる。スイッチ1022、1024は、並列に接続されたP型トランジスターおよびN型トランジスターによって構成されている。スイッチ制御装置の回路設計は、当業者に公知であり、選択出力の機能を備えたいかなる回路設計も適用可能である。スイッチ制御装置1002の出力端子(画素アウト2)は、例えば、画素を駆動するために、駆動信号を出力する。
図6は、図5の回路の操作信号の概略タイミング図である。書き込み信号線(W線)上の電圧が、ハイレベルにある場合、保護トランジスター1014をオフにし、一方、「0」データは、データ入力信号(データ)によって入力される。この時に、制御信号SWAP、SWANは、スイッチ1024をオンにして「0」データに対応する駆動電圧V0を出力する。スイッチ1024をオフにして、スイッチ1022をオンにする場合、「1」データに対応する駆動電圧V1を出力する。実際、それらの動作は、要求に応じて変化してもよい。しかし、その変形は、なお、本発明の特有の範囲にあり、他の変形は、重ねて記載しない。
図4の回路図に基づいて、設計がまだコンバータを含む場合、シングルエンド入力方法を採用することもできる。図7は、本発明の実施形態による他の電圧駆動回路の回路図である。図7は、図5と少し類似する回路構成を示す。記憶装置1000の設計に関して、シングルエンド入力方法をさらに維持する。しかし、インバーターの作動電圧のVddおよびVssは、V1およびV0である必要はなく、インバーターの設計に従って設定することができる。Vssの電圧は、例えば、接地電圧(GND)である。Vddの電圧は、インバーターの要求に対応して決定され、それは、例えばV1として設定することができる。しかし、コンバータの存在により、Vddの電圧は、ある値に限定されない。
次に、この実施形態と前述の実施形態との間の他の差について以下に例証し、ここでは、コンバータ1040を含む。コンバータ1040は、スイッチ制御装置1002の出力(ネット195)を受ける。コンバータ1040は、例えば、インバーターに類似する構造を有することができる。しかし、コンバータ1040の作動電圧は、V1、V0の駆動電圧として設定され、したがって、所望の駆動電圧は、出力端子(画素アウト3)で出力することができる。
図8は、図7の回路の操作信号の概略タイミング図である。書き込み信号線(W線)上の電圧が、ハイレベルにある場合、保護トランジスター1014をオフし、一方、「0」データは、データ入力信号(データ)によって入力される。ノードネット74上の信号は、ローレベルにあり、ノードネット135上の信号は、ハイレベルにある。ノードネット74およびノードネット135は、過渡ノイズを有していてもよい。制御信号SWANがハイレベルにある場合、スイッチ1024をオンし、ローレベルに対応する電圧は、ノードネット195に出力される。スイッチ1024をオフし、スイッチ1022をオンする場合、ハイレベルに対応する電圧は、ノードネット195に出力される。次いで、電圧をコンバータ1040によって実際の駆動電圧に変換する。実際、それらの動作は、要求に応じて変化してもよい。しかし、その変形は、なお、本発明の特有の範囲にあり、他の変形は、本明細書に重ねて記載しない。
本発明によれば、少なくとも回路によって占領された領域は、シングルエンド入力設計を採用することにより低減することができる。さらに、本発明によれば、信号の電圧は、記憶装置によって駆動電圧値に調節され、したがって、実際の要求に基づいてコンバータは不必要である。しかし、記憶装置が、駆動電圧値に信号の電圧を調節しない場合、コンバータの設計は必要である。
本発明は、好ましい実施形態によって上記のように開示するが、それらは、本発明を限定することを意図しない。いずれの当業者も、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、いくつかの修正および変形をなすことができる。したがって、本発明の保護範囲は、添付の請求の範囲内にある。
従来の画素駆動回路である。 図1の従来の画素駆動回路の記憶装置の詳細な概略回路図である。 本発明の実施形態による電圧駆動回路の概略ブロック図である。 本発明の実施形態による電圧駆動回路の概略ブロック図である。 本発明の実施形態による電圧駆動回路の概略図である。 図5の回路の操作信号の概略タイミング図である。 本発明の実施形態による他の電圧駆動回路の概略図である。 図7の回路の操作信号の概略タイミング図である。
符号の説明
118 線信号
120 データ入力信号
122 データ入力信号
212 画素駆動回路
276 制御信号
300 記憶装置
306,307 ワイヤー
308,310 電圧出力信号
320 スイッチ制御装置
322 出力信号
324 入力信号
328 入力端子
340 コンバータ
604 トランジスター
606 トランジスター
1000 記憶装置
1001a 第1の電圧信号
1001b 第2の電圧信号
1002 スイッチ制御装置
1004 制御トランジスター
1006 ドレイン
1008 ゲート
1010 ドレイン
1014 保護トランジスター
1016 インバーター
1018 インバーター
1020 ラッチ装置
1022 第2のスイッチ
1023a 第1の電圧信号
1023b 第2の電圧信号
1024 第1のスイッチ
1030 P型トランジスター
1032 N型トランジスター
1040 コンバータ

Claims (19)

  1. シングルエンドデータ入力信号を受け、シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応して、第1の電圧信号および第2の電圧信号を出力し、前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号は、異なる電圧レベルを有し、前記電圧レベルは、高電圧レベルおよび低電圧レベルであり、前記電圧レベルは、後段の動作を満足する駆動電圧要求に調節されている記憶装置と、
    前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力端子で出力電圧信号を出力し、前記出力電圧信号は、高電圧レベルまたは低電圧レベルであるスイッチ制御装置と、を含む電圧駆動回路。
  2. 前記記憶装置は、
    書き込み線信号を受けるためのゲート、前記シングルエンドデータ入力信号を受けるための第1のソース/ドレイン、および第2のソース/ドレインを有する制御トランジスターと、
    前記シングルエンドデータ入力信号のコンテンツを記憶し、前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号を出力するための、前記制御トランジスターの前記第2のソース/ドレインに接続されたラッチ装置と、を含む、請求項1に記載の電圧駆動回路。
  3. 前記記憶装置のラッチ装置は、ラッチループを構成するための、2つのインバーターを含む、請求項2に記載の電圧駆動回路。
  4. 前記記憶装置のラッチ装置は、さらに、前記制御トランジスターとは反対の導電型を有する、前記ラッチループに接続された保護トランジスターを含み、前記保護トランジスターのゲートは、前記書き込み線信号からの制御を受ける、請求項3に記載の電圧駆動回路。
  5. 前記記憶装置のラッチ装置の2つの各インバーターは、直列に接続されたN型トランジスターおよびP型トランジスターを含む、請求項3に記載の電圧駆動回路。
  6. 2つのインバーターの前記N型トランジスターおよびP型トランジスターは、直列に接続されており、N型トランジスターおよびP型トランジスターの2つのゲートが互いに接続されてゲート端子を形成し、2つのソース/ドレインが互いに接続されて共通のソース/ドレイン端子を形成する、請求項5に記載の電圧駆動回路。
  7. 前記スイッチ制御装置は、前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号をそれぞれ受ける、前記制御信号からの決定に基づいて前記第1の電圧信号または前記第2の電圧信号を出力するための第1のスイッチおよび第2のスイッチを含む、請求項1に記載の電圧駆動回路。
  8. 前記スイッチ制御装置の前記第1のスイッチおよび第2のスイッチの各々は、並列に接続されており、出力前記端子と前記記憶装置との間に配置されたN型トランジスターおよびP型トランジスターを含む、請求項7に記載の電圧駆動回路。
  9. シングルエンドデータ入力信号を受け、前記シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応して、ハイレベル電圧信号およびローレベル電圧信号を出力するための記憶装置と、
    前記ハイレベル電圧信号および前記ローレベル電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力端子で出力電圧信号を出力し、前記出力電圧信号は、前記ハイレベル電圧信号または前記ローレベル電圧信号であるスイッチ制御装置と、
    前記出力端子からの出力電圧信号出力を受けて、実際の作動電圧値に変換するためのコンバータと、を含む、電圧駆動回路。
  10. 前記記憶装置は、
    書き込み線信号を受けるためのゲート、前記データ入力信号を受けるための第1のソース/ドレイン、および第2のソース/ドレインを有する制御トランジスターと、
    前記シングルエンドデータ入力信号のコンテンツを記憶し、前記ハイレベル電圧信号および前記ローレベル電圧信号を出力するための、前記制御トランジスターの前記第2のソース/ドレインに接続されたラッチ装置と、を含む、請求項9に記載の電圧駆動回路。
  11. 前記記憶装置のラッチ装置は、ラッチループを構成する2つのインバーターを含む、請求項10に記載の電圧駆動回路。
  12. 前記記憶装置のラッチ装置は、さらに、前記制御トランジスターとは反対の導電型を有する、前記ラッチループに接続された保護トランジスターを含み、前記保護トランジスターのゲートは、前記書き込み線信号からの制御を受ける、請求項11に記載の電圧駆動回路。
  13. 前記ラッチ装置の2つの各インバーターは、直列に接続されたN型トランジスターおよびP型トランジスターを含む、請求項11に記載の電圧駆動回路。
  14. 2つのインバーターの前記N型トランジスターおよびP型トランジスターは、直列に接続されており、N型トランジスターおよびP型トランジスターの2つのゲートが互いに接続されてゲート端子を形成し、2つのソース/ドレインが互いに接続されて共通のソース/ドレイン端子を形成する、請求項13に記載の電圧駆動回路。
  15. 前記スイッチ制御装置は、前記ハイレベル電圧信号および前記ローレベル電圧信号をそれぞれ受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて前記ハイレベル電圧信号または前記ローレベル電圧信号を出力するための第1のスイッチおよび第2のスイッチを含む、請求項9に記載の電圧駆動回路。
  16. 前記スイッチ制御装置の前記第1のスイッチおよび第2のスイッチの各々は、並列に接続された、前記出力前記端子と前記記憶装置との間に配置されたN型トランジスターおよびP型トランジスターを含む、請求項15に記載の電圧駆動回路。
  17. 前記コンバータは、直列に接続されたN型トランジスターおよびP型トランジスターを含み、前記N型トランジスターおよびP型トランジスターの2つのゲートが、ともに前記スイッチ制御装置の出力電圧信号を受け、直列接続点で2つのソース/ドレインに互いに接続されて、実際の作動電圧値を出力する、請求項9に記載の電圧駆動回路。
  18. シングルエンドデータ入力信号を受け、前記シングルエンドデータ入力信号のコンテンツに対応して、第1の電圧信号および第2の電圧信号を出力し、前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号は、異なる電圧レベルを有する記憶装置と、
    前記第1の電圧信号および前記第2の電圧信号を受け、少なくとも1つの制御信号からの決定に基づいて、出力電圧信号を出力し、前記出力電圧信号は、前記シングルエンドデータ入力信号の要求に対応した、高電圧レベルまたは低電圧レベルであるスイッチ制御装置と、を含む、電圧駆動回路。
  19. 前記第1の電圧信号の電圧レベルおよび前記記憶装置の第2の電圧信号は、実際の作動電圧値に一致する、請求項18に記載の電圧駆動回路。
JP2007134427A 2006-12-29 2007-05-21 電圧駆動回路 Pending JP2008165169A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095149966A TW200828243A (en) 2006-12-29 2006-12-29 Voltage driving circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008165169A true JP2008165169A (ja) 2008-07-17

Family

ID=39582993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007134427A Pending JP2008165169A (ja) 2006-12-29 2007-05-21 電圧駆動回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080157826A1 (ja)
JP (1) JP2008165169A (ja)
TW (1) TW200828243A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6019714B2 (ja) * 2012-04-27 2016-11-02 ソニー株式会社 信号処理装置および方法、撮像装置、並びに、固体撮像素子

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08286170A (ja) * 1995-02-16 1996-11-01 Toshiba Corp 液晶表示装置
WO2000008625A1 (fr) * 1998-08-04 2000-02-17 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique et dispositif electronique
JP2001264814A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその駆動方法
JP2002132226A (ja) * 2000-10-25 2002-05-09 Toshiba Corp 平面表示装置
JP2003228336A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置
WO2005104071A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-03 Elcos Microdisplay Technology, Inc. A pixel cell voltage control circuit

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3549751B2 (ja) * 1998-11-30 2004-08-04 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JP2004045520A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Toshiba Corp 平面表示装置の駆動方法
US7468717B2 (en) * 2002-12-26 2008-12-23 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Method and device for driving liquid crystal on silicon display systems

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08286170A (ja) * 1995-02-16 1996-11-01 Toshiba Corp 液晶表示装置
WO2000008625A1 (fr) * 1998-08-04 2000-02-17 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique et dispositif electronique
JP2001264814A (ja) * 2000-03-22 2001-09-26 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその駆動方法
JP2002132226A (ja) * 2000-10-25 2002-05-09 Toshiba Corp 平面表示装置
JP2003228336A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置
WO2005104071A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-03 Elcos Microdisplay Technology, Inc. A pixel cell voltage control circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TW200828243A (en) 2008-07-01
US20080157826A1 (en) 2008-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4237219B2 (ja) データ受信回路とデータドライバ及び表示装置
WO2016086566A1 (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
JP2004199066A (ja) 表示装置の駆動装置
JP2007179660A (ja) シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
JP2007156235A (ja) 表示装置駆動回路及び増幅器
KR101977579B1 (ko) 디스플레이 패널 그리고 디스플레이 패널을 위한 구동 회로
JP4158658B2 (ja) 表示ドライバ及び電気光学装置
JP5416008B2 (ja) レベルシフト回路及びデータドライバ及び表示装置
US6275210B1 (en) Liquid crystal display device and driver circuit thereof
JP2007207411A (ja) シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
US7719510B2 (en) Flat panel display, display driving apparatus thereof and shift register thereof
US20180040273A1 (en) Shift register unit, driving method, gate driving circuit and display apparatus
TWI386903B (zh) 掃描驅動器
WO2020073471A1 (zh) 一种goa电路、显示装置和显示器控制方法
JP2005122873A (ja) 半導体記憶装置およびフラットパネル表示装置
US11049469B2 (en) Data signal line drive circuit and liquid crystal display device provided with same
TWI745757B (zh) 源極驅動器及複合準位轉換電路
TW202004712A (zh) 共同電壓產生電路
JP4832100B2 (ja) 表示装置
JP2002372957A (ja) ライン駆動回路、電気光学装置及び表示装置
JP2008225494A (ja) 表示ドライバ及び電気光学装置
US20100053125A1 (en) Display driver integrated circuit apparatus and method of operating the same
JP4147480B2 (ja) データ転送回路及びフラットディスプレイ装置
WO2021258888A1 (zh) 一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示面板
JP2011004309A (ja) 差動信号受信回路および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110215

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110516

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110519

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110929