JP2001257080A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Landscapes
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子にピンホールなどの欠陥が存在してもそ
の部分における画素の発光動作を行わせることができる
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 複数の画素を有し、それぞれの一画素Ｑ
11、Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ11では
四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割されてお
り、それぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにおいて該一
画素を構成している複数の副画素、例えば画素Ｑ11では
画素Ｑ11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、
Ｐ21、Ｐ22のうち一部の副画素Ｐ11（或いは副画素
Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21）が不動作状態になっても他の副画素
Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22（或いは副画素Ｐ22）が動作するよう
に構成されている。
の部分における画素の発光動作を行わせることができる
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 複数の画素を有し、それぞれの一画素Ｑ
11、Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ11では
四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割されてお
り、それぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにおいて該一
画素を構成している複数の副画素、例えば画素Ｑ11では
画素Ｑ11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、
Ｐ21、Ｐ22のうち一部の副画素Ｐ11（或いは副画素
Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21）が不動作状態になっても他の副画素
Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22（或いは副画素Ｐ22）が動作するよう
に構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子に関する。
ミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子は、
通常、その対向する電極の間に有機物質からなる有機発
光膜を有しており、該両電極間へ電圧を印加することで
発光する。
通常、その対向する電極の間に有機物質からなる有機発
光膜を有しており、該両電極間へ電圧を印加することで
発光する。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス素子の例と
しては、有機発光膜における発光体として単結晶アント
ラセンなどが用いられたものが米国特許第３，５３０，
３２５号に記載されている。
しては、有機発光膜における発光体として単結晶アント
ラセンなどが用いられたものが米国特許第３，５３０，
３２５号に記載されている。
【０００４】また、特開昭５９−１９４３９３号公報に
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。特開昭６３−２９５６９５号公報には正孔
注入輸送層、電子注入輸送層を組み合わせたものが提案
されている。
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。特開昭６３−２９５６９５号公報には正孔
注入輸送層、電子注入輸送層を組み合わせたものが提案
されている。
【０００５】これら積層構造の有機エレクトロルミネッ
センス素子は、有機蛍光体と電荷輸送性の有機物（電荷
輸送材）及び電極を積層した構造となっており、陽極側
から注入された正孔と陰極側から注入された電子が電荷
輸送材中を移動して、それらが再結合して励起子を生成
し、それが発光材料の分子を励起することによって発光
する。有機蛍光体としては、８―キノリノールアルミニ
ウム錯体やクマリン化合物など蛍光を発する有機色素な
どが用いられている。また、電荷輸送材としては、例え
ばＮ，Ｎ’―ジ（ｍ―トリル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル
ベンジジンや、１，１―ビス［Ｎ，Ｎ―ジ（ｐ―トリ
ル）アミノフェニル］シクロヘキサンといったジアミノ
化合物や、４―（Ｎ，Ｎ―ジフェニル）アミノベンズア
ルデヒド―Ｎ，Ｎ―ジフェニルヒドラゾン化合物等が挙
げられる。さらに、銅フタロシアニンのようなポルフィ
リン化合物も提案されている。
センス素子は、有機蛍光体と電荷輸送性の有機物（電荷
輸送材）及び電極を積層した構造となっており、陽極側
から注入された正孔と陰極側から注入された電子が電荷
輸送材中を移動して、それらが再結合して励起子を生成
し、それが発光材料の分子を励起することによって発光
する。有機蛍光体としては、８―キノリノールアルミニ
ウム錯体やクマリン化合物など蛍光を発する有機色素な
どが用いられている。また、電荷輸送材としては、例え
ばＮ，Ｎ’―ジ（ｍ―トリル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル
ベンジジンや、１，１―ビス［Ｎ，Ｎ―ジ（ｐ―トリ
ル）アミノフェニル］シクロヘキサンといったジアミノ
化合物や、４―（Ｎ，Ｎ―ジフェニル）アミノベンズア
ルデヒド―Ｎ，Ｎ―ジフェニルヒドラゾン化合物等が挙
げられる。さらに、銅フタロシアニンのようなポルフィ
リン化合物も提案されている。
【０００６】このような有機エレクトロルミネッセンス
素子のなかには、複数の画素が形成されている素子があ
る。この複数の画素が形成された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、例えばディスプレイ装置に用いられ、
文字や画像等のあらゆる表示が可能な表示素子として利
用される。
素子のなかには、複数の画素が形成されている素子があ
る。この複数の画素が形成された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、例えばディスプレイ装置に用いられ、
文字や画像等のあらゆる表示が可能な表示素子として利
用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この複
数の画素が形成された有機エレクトロルミネッセンス素
子では、例えばディスプレイ装置を作製する場合など、
素子の有機発光膜等にピンホールなどの欠陥が発生する
ことがある。素子にピンホールなどの欠陥が存在する
と、それが影響してその部分における画素の発光動作が
妨げられる。大画面のディスプレイ装置を作製する場
合、ピンホールなどの欠陥を全く発生させないように素
子を作製することは困難である。
数の画素が形成された有機エレクトロルミネッセンス素
子では、例えばディスプレイ装置を作製する場合など、
素子の有機発光膜等にピンホールなどの欠陥が発生する
ことがある。素子にピンホールなどの欠陥が存在する
と、それが影響してその部分における画素の発光動作が
妨げられる。大画面のディスプレイ装置を作製する場
合、ピンホールなどの欠陥を全く発生させないように素
子を作製することは困難である。
【０００８】そこで本発明は、素子にピンホールなどの
欠陥が存在してもその部分における画素の発光動作を行
わせることができる有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供することを課題とする。
欠陥が存在してもその部分における画素の発光動作を行
わせることができる有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するため、複数の画素を有し、それぞれの一画素が複数
の副画素に分割されており、前記それぞれの一画素にお
いて該一画素を構成している前記複数の副画素のうち一
部の副画素が不動作状態になっても他の副画素が動作す
るように構成されていることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供する。
するため、複数の画素を有し、それぞれの一画素が複数
の副画素に分割されており、前記それぞれの一画素にお
いて該一画素を構成している前記複数の副画素のうち一
部の副画素が不動作状態になっても他の副画素が動作す
るように構成されていることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供する。
【００１０】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子では、前記複数の画素のそれぞれの一画素をそれぞれ
駆動させることで発光する。
子では、前記複数の画素のそれぞれの一画素をそれぞれ
駆動させることで発光する。
【００１１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子によると、前記それぞれの一画素が複数の副画素に分
割されており、そのそれぞれの一画素において該一画素
を構成している前記複数の副画素のうち一部の副画素が
不動作状態になっても他の副画素が動作するように構成
されているので、素子にピンホールなどの欠陥が存在し
ても、不動作状態になるのは画素の一部分、すなわち該
画素を構成している副画素の一部でとどまり、残りの画
素部分、すなわち動作可能状態の副画素は画素として機
能する。これにより画素の破壊を画素の一部に抑え、他
の画素部分を生き残らせることができる。従って、素子
にピンホールなどの欠陥が存在しても、その部分におけ
る画素の発光動作を行わせることができる。ひいては素
子全体の長寿命化を達成でき、素子製造時における初期
不良を抑えることができる。
子によると、前記それぞれの一画素が複数の副画素に分
割されており、そのそれぞれの一画素において該一画素
を構成している前記複数の副画素のうち一部の副画素が
不動作状態になっても他の副画素が動作するように構成
されているので、素子にピンホールなどの欠陥が存在し
ても、不動作状態になるのは画素の一部分、すなわち該
画素を構成している副画素の一部でとどまり、残りの画
素部分、すなわち動作可能状態の副画素は画素として機
能する。これにより画素の破壊を画素の一部に抑え、他
の画素部分を生き残らせることができる。従って、素子
にピンホールなどの欠陥が存在しても、その部分におけ
る画素の発光動作を行わせることができる。ひいては素
子全体の長寿命化を達成でき、素子製造時における初期
不良を抑えることができる。
【００１２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子において、前記それぞれの一画素を構成している前記
複数の副画素は、例えばそれぞれ同一の構成とすること
ができる。
子において、前記それぞれの一画素を構成している前記
複数の副画素は、例えばそれぞれ同一の構成とすること
ができる。
【００１３】また、前記それぞれの一画素を構成してい
る前記複数の副画素はそれぞれ同一の駆動条件で駆動さ
れてもよい。この場合、前記複数の副画素はそれぞれ同
時に点灯又は消灯する。
る前記複数の副画素はそれぞれ同一の駆動条件で駆動さ
れてもよい。この場合、前記複数の副画素はそれぞれ同
時に点灯又は消灯する。
【００１４】いずれにしても、一画素中のいくつかの副
画素が点灯できなくなった場合に、該画素中の他の発光
可能な副画素に流れる電流値を大きくする何らかの手段
を講じることで、例えば、前記それぞれの一画素を構成
している前記複数の副画素の駆動にあたり、該複数の副
画素のそれぞれに流れる電流の電流値を、該複数の副画
素に流れる電流の電流値を合計した総電流値を一定とす
る値とすることで、画素全体の輝度を、点灯できなくな
った副画素の消灯前の状態の画素全体の輝度と同程度に
保つことができ、素子全体としての画質を保つことがで
きる。
画素が点灯できなくなった場合に、該画素中の他の発光
可能な副画素に流れる電流値を大きくする何らかの手段
を講じることで、例えば、前記それぞれの一画素を構成
している前記複数の副画素の駆動にあたり、該複数の副
画素のそれぞれに流れる電流の電流値を、該複数の副画
素に流れる電流の電流値を合計した総電流値を一定とす
る値とすることで、画素全体の輝度を、点灯できなくな
った副画素の消灯前の状態の画素全体の輝度と同程度に
保つことができ、素子全体としての画質を保つことがで
きる。
【００１５】前記一画素の大きさ及び前記副画素の大き
さとしては、高精細な画像に対して違和感が発生しない
という観点から、それには限定されないが、それぞれ５
０μｍ〜２ｍｍ程度及び１０μｍ〜１ｍｍ程度を例示で
きる。
さとしては、高精細な画像に対して違和感が発生しない
という観点から、それには限定されないが、それぞれ５
０μｍ〜２ｍｍ程度及び１０μｍ〜１ｍｍ程度を例示で
きる。
【００１６】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子では、いずれにしても陽極と、陰極と、該両電極間の
有機発光膜とを含むことができる。また、これらを基板
上に設けることができる。
子では、いずれにしても陽極と、陰極と、該両電極間の
有機発光膜とを含むことができる。また、これらを基板
上に設けることができる。
【００１７】陽極として使用される導電性物質として、
４ｅＶ程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用
いることが好ましい。かかる物質として、炭素、バナジ
ウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステ
ン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金のような金属の
ほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化
亜鉛、酸化ジルコニウム等の導電性金属酸化物及びそれ
らの固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導
電性化合物を例示できる。
４ｅＶ程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用
いることが好ましい。かかる物質として、炭素、バナジ
ウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステ
ン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金のような金属の
ほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化
亜鉛、酸化ジルコニウム等の導電性金属酸化物及びそれ
らの固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導
電性化合物を例示できる。
【００１８】有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て発光が見られるように、少なくとも陽極或いは陰極は
透明電極にする必要がある。この際、陰極に透明電極を
使用すると、透明性が損なわれやすいので、陽極を透明
電極にすることが好ましい。
て発光が見られるように、少なくとも陽極或いは陰極は
透明電極にする必要がある。この際、陰極に透明電極を
使用すると、透明性が損なわれやすいので、陽極を透明
電極にすることが好ましい。
【００１９】透明電極を基板上に形成する場合、透明基
板上に、前記したような導電性物質のうちいずれかの物
質を用い、真空蒸着、スパッタリング等の手法やゾルゲ
ル法或いはかかる物質を樹脂等に分散させて塗布する等
の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保されるよう
に形成すればよい。
板上に、前記したような導電性物質のうちいずれかの物
質を用い、真空蒸着、スパッタリング等の手法やゾルゲ
ル法或いはかかる物質を樹脂等に分散させて塗布する等
の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保されるよう
に形成すればよい。
【００２０】透明基板としては、適度の強度を有し、有
機エレクトロルミネッセンス素子作製時、膜蒸着時等に
おける熱に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限
定されないが、そのようなものを例示すると、ガラス基
板、透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケト
ン等を挙げることができる。ガラス基板上に透明電極を
形成するにあたり、ガラス基板上にインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）からなる透明導電膜を設けたもの、ＮＥＳＡ
ガラスと通称されているコーニング社製の、透明導電膜
をガラス基板上に形成したもの等を利用してもよい。
機エレクトロルミネッセンス素子作製時、膜蒸着時等に
おける熱に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限
定されないが、そのようなものを例示すると、ガラス基
板、透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケト
ン等を挙げることができる。ガラス基板上に透明電極を
形成するにあたり、ガラス基板上にインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）からなる透明導電膜を設けたもの、ＮＥＳＡ
ガラスと通称されているコーニング社製の、透明導電膜
をガラス基板上に形成したもの等を利用してもよい。
【００２１】陽極は透明電極膜形成後、いろいろな形状
にパターニングできる。このパターニングにはフォトリ
ソグラフィー法、マスク蒸着法など、一般的な手法を用
いることができる。例えば、透明電極にＩＴＯを用いる
場合、エッチング法等により容易にパターニングでき
る。
にパターニングできる。このパターニングにはフォトリ
ソグラフィー法、マスク蒸着法など、一般的な手法を用
いることができる。例えば、透明電極にＩＴＯを用いる
場合、エッチング法等により容易にパターニングでき
る。
【００２２】陽極は正孔注入が起こりやすくするため
に、十分洗浄する必要がある。陽極の洗浄には必要に応
じて、エキシマーランプの光照射による洗浄法、湿式洗
浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫外線（ＵＶ）／オ
ゾン（Ｏ3 ）による洗浄法等の清浄方法を用いることが
できる。またこれらの洗浄方法を組み合わせることによ
りさらに効果的な洗浄を行うことができる。
に、十分洗浄する必要がある。陽極の洗浄には必要に応
じて、エキシマーランプの光照射による洗浄法、湿式洗
浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫外線（ＵＶ）／オ
ゾン（Ｏ3 ）による洗浄法等の清浄方法を用いることが
できる。またこれらの洗浄方法を組み合わせることによ
りさらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００２３】有機発光膜は単層の構成であってもよい
し、複数の層が積層された構成であってもよい。この有
機発光膜としては、次のものを例示できる。 （１）陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発
光層を積層したもの、（２）陽極側から陰極側へ、正孔
移動関連層、有機発光層及び電子移動関連層を積層した
もの、（３）陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子
移動関連層を積層したもの。
し、複数の層が積層された構成であってもよい。この有
機発光膜としては、次のものを例示できる。 （１）陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発
光層を積層したもの、（２）陽極側から陰極側へ、正孔
移動関連層、有機発光層及び電子移動関連層を積層した
もの、（３）陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子
移動関連層を積層したもの。
【００２４】正孔移動関連層や電子移動関連層は、電極
の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設け
るようにすればよい。（１）〜（３）において、正孔移
動関連層としては、ａ）正孔注入層、ｂ）正孔輸送層、
ｃ）正孔注入層及び正孔輸送層、ｄ）正孔注入輸送層か
らなる群より選択されるいずれかの層とすることがで
き、電子移動関連層としては、ａ）電子注入層、ｂ）電
子輸送層、ｃ）電子注入層及び電子輸送層、ｄ）電子注
入輸送層からなる群より選択されるいずれかの層とする
ことができる。これらの各層も、電極の特性や有機発光
層の特性に合わせて適当なものを選択して設けるように
すればよい。
の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設け
るようにすればよい。（１）〜（３）において、正孔移
動関連層としては、ａ）正孔注入層、ｂ）正孔輸送層、
ｃ）正孔注入層及び正孔輸送層、ｄ）正孔注入輸送層か
らなる群より選択されるいずれかの層とすることがで
き、電子移動関連層としては、ａ）電子注入層、ｂ）電
子輸送層、ｃ）電子注入層及び電子輸送層、ｄ）電子注
入輸送層からなる群より選択されるいずれかの層とする
ことができる。これらの各層も、電極の特性や有機発光
層の特性に合わせて適当なものを選択して設けるように
すればよい。
【００２５】また（１）〜（３）において、有機発光層
については、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部
若しくは一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部
若しくは一部に、蛍光物質をドープすることで、これら
の層の全部又は一部を発光層とすることもできる。
については、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部
若しくは一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部
若しくは一部に、蛍光物質をドープすることで、これら
の層の全部又は一部を発光層とすることもできる。
【００２６】なお、有機発光膜の膜厚としては、低駆動
電圧、良好な発光効率を得るという観点から、３０ｎｍ
〜２００ｎｍ程度を例示できる。但し、それに限定され
るものではない。
電圧、良好な発光効率を得るという観点から、３０ｎｍ
〜２００ｎｍ程度を例示できる。但し、それに限定され
るものではない。
【００２７】例えば正孔注入輸送層の形成のために用い
ることができる正孔注入輸送材料としては、公知のもの
が使用可能である。
ることができる正孔注入輸送材料としては、公知のもの
が使用可能である。
【００２８】例えばＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―
ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル―
４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’
―ビス（４―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル
―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（１―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―
４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’
―ビス（２―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―４，
４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―テトラ（４―メチルフェニ
ル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）―４，
４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビ
ス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス
（Ｎ―カルバゾリル）―１，１’―ジフェニル―４，
４’―ジアミン、４，４’，４”―トリス（Ｎ―カルバ
ゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフ
ェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニ
ル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）ベンゼ
ン、４，４’，４”―トリス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフ
ェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニ
ル）］トリフェニルアミンなどを挙げることができる。
これらのものは２種以上を混合して使用してもよい。
ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル―
４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’
―ビス（４―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル
―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（１―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―
４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’
―ビス（２―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―４，
４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―テトラ（４―メチルフェニ
ル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）―４，
４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビ
ス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス
（Ｎ―カルバゾリル）―１，１’―ジフェニル―４，
４’―ジアミン、４，４’，４”―トリス（Ｎ―カルバ
ゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフ
ェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニ
ル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）ベンゼ
ン、４，４’，４”―トリス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフ
ェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニ
ル）］トリフェニルアミンなどを挙げることができる。
これらのものは２種以上を混合して使用してもよい。
【００２９】正孔注入輸送層は、前記のような正孔注入
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材
料を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、塗
布法で形成する場合は、その厚さは５０ｎｍ〜２００ｎ
ｍ程度に形成すればよい。
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材
料を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、塗
布法で形成する場合は、その厚さは５０ｎｍ〜２００ｎ
ｍ程度に形成すればよい。
【００３０】正孔注入層や正孔輸送層を採用する場合
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の正孔注入輸送層と同様に形成できる。
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の正孔注入輸送層と同様に形成できる。
【００３１】有機発光層を形成するために用いる有機発
光材料としては、公知のものが使用可能である。
光材料としては、公知のものが使用可能である。
【００３２】例えばエピドリジン、２，５―ビス［５，
７―ジ―ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリル］チオ
フェン、２，２’―（１，４―フェニレンジビニレン）
ビスベンゾチアゾール、２，２’―（４，４’―ビフェ
ニレン）ビスベンゾチアゾール、５―メチル―２―｛２
―［４―（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）フェ
ニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―ビス（５
―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アン
トラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリ
セン、ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジ
ン、スチルベン、２―（４―ビフェニル）―６―フェニ
ルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、
マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８―キノリ
ノール）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリノール）
アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、
アルミニウムトリス（５―メチルオキシン）、リチウム
オキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス
（５―クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―ヒドロ
キシ―５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンド
リジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペリノ
ン、１，２―ナフタロペリノン、トリス（８―ヒドロキ
シキノリン）アルミニウム錯体などを挙げることができ
る。また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン染
料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラ
ン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、蛍
光イミダゾール染料等も使用できる。このうち特に好ま
しいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙げ
ることができる。
７―ジ―ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリル］チオ
フェン、２，２’―（１，４―フェニレンジビニレン）
ビスベンゾチアゾール、２，２’―（４，４’―ビフェ
ニレン）ビスベンゾチアゾール、５―メチル―２―｛２
―［４―（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）フェ
ニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―ビス（５
―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アン
トラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリ
セン、ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジ
ン、スチルベン、２―（４―ビフェニル）―６―フェニ
ルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、
マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８―キノリ
ノール）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリノール）
アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、
アルミニウムトリス（５―メチルオキシン）、リチウム
オキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス
（５―クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―ヒドロ
キシ―５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンド
リジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペリノ
ン、１，２―ナフタロペリノン、トリス（８―ヒドロキ
シキノリン）アルミニウム錯体などを挙げることができ
る。また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン染
料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラ
ン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、蛍
光イミダゾール染料等も使用できる。このうち特に好ま
しいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙げ
ることができる。
【００３３】なお、有機発光層は前記発光物質からなる
単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を
調整するために、多層構成としてもよい。また、２種以
上の発光物質を混合して形成したり、発光物質（例えば
ルブレンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたもの
でもよい。
単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を
調整するために、多層構成としてもよい。また、２種以
上の発光物質を混合して形成したり、発光物質（例えば
ルブレンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたもの
でもよい。
【００３４】有機発光層は、前記のような有機発光材料
を蒸着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した
溶液や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を
用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法に
より形成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さ
は１ｎｍ〜２００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合
は、その厚さは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度に形成すればよ
い。
を蒸着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した
溶液や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を
用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法に
より形成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さ
は１ｎｍ〜２００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合
は、その厚さは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度に形成すればよ
い。
【００３５】有機発光層は、その膜厚が厚いほど発光さ
せるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪
くなり、有機エレクトロルミネッセンス素子の劣化を招
きやすい。また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるが
ブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の寿命が短くなる。従って、発光効率及び素子
の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
せるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪
くなり、有機エレクトロルミネッセンス素子の劣化を招
きやすい。また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるが
ブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の寿命が短くなる。従って、発光効率及び素子
の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
【００３６】また、例えば電子注入輸送層を形成するた
めの電子注入輸送材料としては、公知のものが使用可能
である。
めの電子注入輸送材料としては、公知のものが使用可能
である。
【００３７】例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５
―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オ
キサジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔ
ｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾ
ール、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベン
ゼン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベン
ゼン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブ
チルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビ
フェニル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔ
ｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾー
ル、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビ
ス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４
―ビフェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３
―（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、
１，４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝
ベンゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリ
アゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［１―フ
ェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―ト
リス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼンなどを挙げ
ることができる。これらのものは、２種以上を混合して
使用してもよい。
―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オ
キサジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔ
ｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾ
ール、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベン
ゼン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベン
ゼン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブ
チルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビ
フェニル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔ
ｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾー
ル、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビ
ス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４
―ビフェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３
―（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、
１，４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝
ベンゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリ
アゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［１―フ
ェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―ト
リス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼンなどを挙げ
ることができる。これらのものは、２種以上を混合して
使用してもよい。
【００３８】電子注入輸送層は、前記のような電子注入
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材
料を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とし、塗布
法で形成する場合は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成
すればよい。
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材
料を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とし、塗布
法で形成する場合は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成
すればよい。
【００３９】電子注入層や電子輸送層を採用する場合
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の電子注入輸送層と同様に形成できる。
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の電子注入輸送層と同様に形成できる。
【００４０】陰極に用いることができる材料としては、
４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つ金属を含有するもの
がよく、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イッ
トリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、
ルテニウム、マンガン及びそれらを含有する合金を例示
できる。また、陰極を形成する材料としてマグネシウム
と銀を用い、それらを共蒸着して陰極を形成してもよ
い。この場合、電極の作製が容易であり、安定した発光
特性を得ることができる。
４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つ金属を含有するもの
がよく、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イッ
トリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、
ルテニウム、マンガン及びそれらを含有する合金を例示
できる。また、陰極を形成する材料としてマグネシウム
と銀を用い、それらを共蒸着して陰極を形成してもよ
い。この場合、電極の作製が容易であり、安定した発光
特性を得ることができる。
【００４１】陰極と陽極からなる各組の電極は、各電極
にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線
等を接続し、該リード線等を介して両電極に適当な電圧
を印加することにより素子が発光する。
にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線
等を接続し、該リード線等を介して両電極に適当な電圧
を印加することにより素子が発光する。
【００４２】本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
ス素子の駆動としては、単純マトリックス駆動やアクテ
ィブマトリックス駆動などのマトリックス駆動を例示で
きる。
ス素子の駆動としては、単純マトリックス駆動やアクテ
ィブマトリックス駆動などのマトリックス駆動を例示で
きる。
【００４３】本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、例えば、単純マトリックス駆動させる
ときには、前記副画素を単純マトリックス駆動可能に構
成することができる。この場合、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子が簡単な構成で駆動できる。また、アクテ
ィブマトリックス駆動させるときには、前記副画素をア
クティブマトリックス駆動可能に構成することができ
る。
ス素子において、例えば、単純マトリックス駆動させる
ときには、前記副画素を単純マトリックス駆動可能に構
成することができる。この場合、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子が簡単な構成で駆動できる。また、アクテ
ィブマトリックス駆動させるときには、前記副画素をア
クティブマトリックス駆動可能に構成することができ
る。
【００４４】いずれにしても、前記それぞれの一画素を
構成している前記複数の副画素はそれぞれ同一の構成か
らなっていてもよい。
構成している前記複数の副画素はそれぞれ同一の構成か
らなっていてもよい。
【００４５】例えば、単純マトリックス駆動させる場合
の有機エレクトロルミネッセンス素子としては、次の態
様を挙げることができる。すなわち、それぞれが第１の
方向に延びる第１電極群と、それぞれが前記第１の方向
を横切る第２の方向に延びる第２電極群と、前記第１電
極群と第２電極群の間の有機発光膜とを備えており、前
記各第１電極と各第２電極とが重なる部分に副画素が形
成されており、順次隣り合う所定の複数個の副画素を一
組として一画素が形成されている有機エレクトロルミネ
ッセンス素子である。この場合、前記第１電極を陽極
（又は陰極）、前記第２電極を陰極（又は陽極）とする
ことができる。
の有機エレクトロルミネッセンス素子としては、次の態
様を挙げることができる。すなわち、それぞれが第１の
方向に延びる第１電極群と、それぞれが前記第１の方向
を横切る第２の方向に延びる第２電極群と、前記第１電
極群と第２電極群の間の有機発光膜とを備えており、前
記各第１電極と各第２電極とが重なる部分に副画素が形
成されており、順次隣り合う所定の複数個の副画素を一
組として一画素が形成されている有機エレクトロルミネ
ッセンス素子である。この場合、前記第１電極を陽極
（又は陰極）、前記第２電極を陰極（又は陽極）とする
ことができる。
【００４６】また、例えば、アクティブマトリックス駆
動させる場合の有機エレクトロルミネッセンス素子とし
ては、次の態様を挙げることができる。すなわち、陽
極、陰極及びそれらの間の有機発光膜を含む発光部と、
それぞれが第１の方向に延びるゲート電極群と、それぞ
れが前記第１の方向を横切る第２の方向に延びるソース
電極群と、各ゲート電極とソース電極の交わる部分に対
応して設けられた、前記発光部のスイッチング動作を行
うためのスイッチング素子を含むスイッチング部とを備
えており、前記各スイッチング部に対応して前記発光部
に提供される副画素が形成されており、順次隣り合う所
定の複数個の副画素を一組として一画素が形成されてい
る有機エレクトロルミネッセンス素子である。
動させる場合の有機エレクトロルミネッセンス素子とし
ては、次の態様を挙げることができる。すなわち、陽
極、陰極及びそれらの間の有機発光膜を含む発光部と、
それぞれが第１の方向に延びるゲート電極群と、それぞ
れが前記第１の方向を横切る第２の方向に延びるソース
電極群と、各ゲート電極とソース電極の交わる部分に対
応して設けられた、前記発光部のスイッチング動作を行
うためのスイッチング素子を含むスイッチング部とを備
えており、前記各スイッチング部に対応して前記発光部
に提供される副画素が形成されており、順次隣り合う所
定の複数個の副画素を一組として一画素が形成されてい
る有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００４８】図１、図３及び図５は本発明に係る有機エ
レクトロルミネッセンス素子の例を示す図である。
レクトロルミネッセンス素子の例を示す図である。
【００４９】図１及び図３に示す有機エレクトロルミネ
ッセンス素子Ａ、Ｂは、いずれも次の態様の素子であ
る。すなわち、それぞれが第１の方向（図中ｘ方向）に
延びる第１電極群Ｘと、それぞれが第１の方向ｘを横切
る第２の方向（図中ｙ方向）に延びる第２電極群Ｙと、
第１電極群Ｘと第２電極群Ｙの間の有機発光膜３０とを
備えており、各第１電極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と各第２電
極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn とが重なる部分に副画素Ｐ11、Ｐ
12、…Ｐmnが形成されており、順次隣り合う所定の複数
個の副画素、ここでは４個の副画素〔（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ
21、Ｐ22）、（Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24）…〕を一組と
して一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが形成されている有機エ
レクトロルミネッセンス素子である。
ッセンス素子Ａ、Ｂは、いずれも次の態様の素子であ
る。すなわち、それぞれが第１の方向（図中ｘ方向）に
延びる第１電極群Ｘと、それぞれが第１の方向ｘを横切
る第２の方向（図中ｙ方向）に延びる第２電極群Ｙと、
第１電極群Ｘと第２電極群Ｙの間の有機発光膜３０とを
備えており、各第１電極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と各第２電
極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn とが重なる部分に副画素Ｐ11、Ｐ
12、…Ｐmnが形成されており、順次隣り合う所定の複数
個の副画素、ここでは４個の副画素〔（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ
21、Ｐ22）、（Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24）…〕を一組と
して一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが形成されている有機エ
レクトロルミネッセンス素子である。
【００５０】また、図５に示す有機エレクトロルミネッ
センス素子Ｃは、次の態様の素子である。すなわち、陽
極１０、陰極２０及びそれらの間の有機発光膜３０を含
む発光部４０と、それぞれが第１の方向（図中ｘ方向）
に延びるゲート電極群Ｘ’と、それぞれが第１の方向ｘ
を横切る第２の方向（図中ｙ方向）に延びるソース電極
群Ｙ’と、各ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’とソ
ース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn’の交わる部分に対応
して設けられた、発光部４０のスイッチング動作を行う
ためのスイッチング素子を含むスイッチング部Ｓ11、Ｓ
12、…Ｓmnとを備えており、スイッチング部Ｓ11、
Ｓ12、…Ｓmnに対応して発光部４０に提供される副画素
Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmnが形成されており、順次隣り合う所
定の複数個の副画素、ここでは４個の副画素を一組とし
て一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが形成されている有機エレ
クトロルミネッセンス素子である。
センス素子Ｃは、次の態様の素子である。すなわち、陽
極１０、陰極２０及びそれらの間の有機発光膜３０を含
む発光部４０と、それぞれが第１の方向（図中ｘ方向）
に延びるゲート電極群Ｘ’と、それぞれが第１の方向ｘ
を横切る第２の方向（図中ｙ方向）に延びるソース電極
群Ｙ’と、各ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’とソ
ース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn’の交わる部分に対応
して設けられた、発光部４０のスイッチング動作を行う
ためのスイッチング素子を含むスイッチング部Ｓ11、Ｓ
12、…Ｓmnとを備えており、スイッチング部Ｓ11、
Ｓ12、…Ｓmnに対応して発光部４０に提供される副画素
Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmnが形成されており、順次隣り合う所
定の複数個の副画素、ここでは４個の副画素を一組とし
て一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが形成されている有機エレ
クトロルミネッセンス素子である。
【００５１】なお、有機エレクトロルミネッセンス素子
Ａ、Ｂ、Ｃは、いずれもそれぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、
…ＱMNを構成している複数の副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmn
がそれぞれ同一の構成からなっている素子である。
Ａ、Ｂ、Ｃは、いずれもそれぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、
…ＱMNを構成している複数の副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmn
がそれぞれ同一の構成からなっている素子である。
【００５２】以下に、各第１電極を陽極とし、各第２電
極を陰極とする単純マトリックス駆動型の有機エレクト
ロルミネッセンス素子Ａ、Ｂついて、素子Ａについては
図１及び図２、素子Ｂについては図３、図４及び図７を
参照して説明する。また、図５及び図６を参照してアク
ティブマトリックス駆動型の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子Ｃついて説明する。
極を陰極とする単純マトリックス駆動型の有機エレクト
ロルミネッセンス素子Ａ、Ｂついて、素子Ａについては
図１及び図２、素子Ｂについては図３、図４及び図７を
参照して説明する。また、図５及び図６を参照してアク
ティブマトリックス駆動型の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子Ｃついて説明する。
【００５３】図１に本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の一例Ａの概略構成の平面図を示し、図２
に図１に示す素子Ａの一部を拡大した図を示す。
ッセンス素子の一例Ａの概略構成の平面図を示し、図２
に図１に示す素子Ａの一部を拡大した図を示す。
【００５４】図１に示すように有機エレクトロルミネッ
センス素子Ａでは、ガラスや樹脂からなる絶縁性の透明
基板１上に第１電極群Ｘ、ここでは陽極としてＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）などの透明電極Ｘ1 、Ｘ2 、…
Ｘm が互いに平行に、帯状にパターニングされており、
その上に有機発光膜３０が成膜され、さらにその上に第
２電極群、ここでは陰極として金属電極Ｙ1 、Ｙ2 、…
Ｙn が透明電極Ｘ1 、Ｘ 2 、…Ｘm と直交して互いに平
行に、帯状に形成されている。
センス素子Ａでは、ガラスや樹脂からなる絶縁性の透明
基板１上に第１電極群Ｘ、ここでは陽極としてＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）などの透明電極Ｘ1 、Ｘ2 、…
Ｘm が互いに平行に、帯状にパターニングされており、
その上に有機発光膜３０が成膜され、さらにその上に第
２電極群、ここでは陰極として金属電極Ｙ1 、Ｙ2 、…
Ｙn が透明電極Ｘ1 、Ｘ 2 、…Ｘm と直交して互いに平
行に、帯状に形成されている。
【００５５】かかる構成の有機エレクトロルミネッセン
ス素子Ａでは、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と陰極Ｙ1 、Ｙ
2 、…Ｙn がそれぞれ図示を省略したリード線により接
続され、発光させたい発光領域に対応する陽極Ｘ1 〜Ｘ
m と陰極Ｙ1 〜Ｙn に電圧を印加することにより電圧が
印加された部分の有機発光膜３０が発光し、透明基板１
側よりその発光が取り出される。
ス素子Ａでは、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と陰極Ｙ1 、Ｙ
2 、…Ｙn がそれぞれ図示を省略したリード線により接
続され、発光させたい発光領域に対応する陽極Ｘ1 〜Ｘ
m と陰極Ｙ1 〜Ｙn に電圧を印加することにより電圧が
印加された部分の有機発光膜３０が発光し、透明基板１
側よりその発光が取り出される。
【００５６】ここで、素子Ａの画素構成について図２に
示す部分を例にとって説明する。
示す部分を例にとって説明する。
【００５７】隣り合うａ本（ａは２以上の整数、ここで
は２本）の陽極、例えば陽極Ｘ1 とＸ2 、陽極Ｘ3 とＸ
4 、及び隣り合うｂ本（ｂは２以上の整数、ここでは２
本）の陰極Ｙ1 とＹ2 、陰極Ｙ3 とＹ4 をそれぞれ同一
の信号、例えば陽極Ｘ1 とＸ 2 に対しては信号Ｖｘ1 、
陽極Ｘ3 とＸ4 に対しては信号Ｖｘ2 、また陰極Ｙ1と
Ｙ2 に対しては信号Ｖｙ1 、陰極Ｙ3 とＹ4 に対しては
信号Ｖｙ2 で駆動させることで、それぞれ陽極、陰極が
重なるａ×ｂ個の発光領域（副画素）、例えば陽極Ｘ1
とＸ2 、陰極Ｙ1 とＹ2 が重なる２×２個の発光領域
（副画素Ｐ11、Ｐ 12、Ｐ21、Ｐ22）、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、
陰極Ｙ3 、Ｙ4 が重なる発光領域（副画素Ｐ13、Ｐ14、
Ｐ23、Ｐ24）、陽極Ｘ3 、Ｘ4 、陰極Ｙ1 、Ｙ2 が重な
る発光領域（副画素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42）、陽極Ｘ
3 、Ｘ4 、陰極Ｙ3 、Ｙ4 が重なる発光領域（副画素Ｐ
33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ44）が同一の駆動条件で駆動され、
それぞれ同時に点灯又は消灯する一つの単位画素、例え
ば副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ
11、副画素Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素
Ｑ12、副画素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画
素Ｑ21、副画素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ44にて構成される
画素Ｑ22となる。なお、素子Ａにおいて図２に示す部分
以外の部分も同様である。すなわち、図１の例では陽極
Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm 及び陰極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn のいず
れも隣り合う２本のラインをそれぞれ同一の信号Ｖ
ｘ1 、Ｖｘ2 、…ＶｘM 及びＶｙ1 、Ｖｙ2 、…ＶｙN
で駆動する例であり、太線で囲われた発光部分Ｑ11、Ｑ
12、…ＱMN（図２では四つの発光部分、例えばＱ11、Ｑ
12、Ｑ21、Ｑ22）がそれぞれ一画素となる。
は２本）の陽極、例えば陽極Ｘ1 とＸ2 、陽極Ｘ3 とＸ
4 、及び隣り合うｂ本（ｂは２以上の整数、ここでは２
本）の陰極Ｙ1 とＹ2 、陰極Ｙ3 とＹ4 をそれぞれ同一
の信号、例えば陽極Ｘ1 とＸ 2 に対しては信号Ｖｘ1 、
陽極Ｘ3 とＸ4 に対しては信号Ｖｘ2 、また陰極Ｙ1と
Ｙ2 に対しては信号Ｖｙ1 、陰極Ｙ3 とＹ4 に対しては
信号Ｖｙ2 で駆動させることで、それぞれ陽極、陰極が
重なるａ×ｂ個の発光領域（副画素）、例えば陽極Ｘ1
とＸ2 、陰極Ｙ1 とＹ2 が重なる２×２個の発光領域
（副画素Ｐ11、Ｐ 12、Ｐ21、Ｐ22）、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、
陰極Ｙ3 、Ｙ4 が重なる発光領域（副画素Ｐ13、Ｐ14、
Ｐ23、Ｐ24）、陽極Ｘ3 、Ｘ4 、陰極Ｙ1 、Ｙ2 が重な
る発光領域（副画素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42）、陽極Ｘ
3 、Ｘ4 、陰極Ｙ3 、Ｙ4 が重なる発光領域（副画素Ｐ
33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ44）が同一の駆動条件で駆動され、
それぞれ同時に点灯又は消灯する一つの単位画素、例え
ば副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ
11、副画素Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素
Ｑ12、副画素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画
素Ｑ21、副画素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ44にて構成される
画素Ｑ22となる。なお、素子Ａにおいて図２に示す部分
以外の部分も同様である。すなわち、図１の例では陽極
Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm 及び陰極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn のいず
れも隣り合う２本のラインをそれぞれ同一の信号Ｖ
ｘ1 、Ｖｘ2 、…ＶｘM 及びＶｙ1 、Ｖｙ2 、…ＶｙN
で駆動する例であり、太線で囲われた発光部分Ｑ11、Ｑ
12、…ＱMN（図２では四つの発光部分、例えばＱ11、Ｑ
12、Ｑ21、Ｑ22）がそれぞれ一画素となる。
【００５８】図３に本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の他の例Ｂの概略構成の平面図を示し、図
４に図３に示す素子Ｂの一部を拡大した図を示す。ま
た、図７（Ａ）に素子Ｂの図４に示す部分を第２の方向
ｙから見た断面図を示し、図７（Ｂ）に素子Ｂの図４に
示す部分を第１の方向ｘから見た側面図を示す。
ッセンス素子の他の例Ｂの概略構成の平面図を示し、図
４に図３に示す素子Ｂの一部を拡大した図を示す。ま
た、図７（Ａ）に素子Ｂの図４に示す部分を第２の方向
ｙから見た断面図を示し、図７（Ｂ）に素子Ｂの図４に
示す部分を第１の方向ｘから見た側面図を示す。
【００５９】図３に示すように有機エレクトロルミネッ
センス素子Ｂでは、ガラスからなる透明基板１上に第１
電極、ここでは互いに平行に配置されたストライプ状の
ＩＴＯからなる陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成されてお
り、その上に正孔注入輸送層３１及び有機発光層３２
（図７参照）からなる有機発光膜３０が成膜され、さら
にその上に第２電極、ここではＩＴＯ電極Ｘ1 、Ｘ2 、
…Ｘm と直交するようにストライプ状の金属電極（陰
極）Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn が形成されている。図７に示す
ように、ＩＴＯ電極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成された基
板１上にはＩＴＯ電極の長手方向（第１の方向ｘ）と直
交する第２の方向ｙに延びる絶縁材料からなる隔壁５０
が形成されており、有機発光膜３０及び金属電極Ｙ1 、
Ｙ2 、…Ｙnは、この隔壁５０の上から成膜されてい
る。このとき隔壁５０の高さ（図７中ｈ 1 ）はＩＴＯ電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成された基板１上に成膜され
る有機発光膜３０及び金属電極（陰極）Ｙ1 、Ｙ2 、…
Ｙn の厚みの和（図７中ｈ2 ）よりも大きくする。これ
により、陰極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn は隔壁５０によって分
割されそれぞれ独立して導通できる。
センス素子Ｂでは、ガラスからなる透明基板１上に第１
電極、ここでは互いに平行に配置されたストライプ状の
ＩＴＯからなる陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成されてお
り、その上に正孔注入輸送層３１及び有機発光層３２
（図７参照）からなる有機発光膜３０が成膜され、さら
にその上に第２電極、ここではＩＴＯ電極Ｘ1 、Ｘ2 、
…Ｘm と直交するようにストライプ状の金属電極（陰
極）Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn が形成されている。図７に示す
ように、ＩＴＯ電極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成された基
板１上にはＩＴＯ電極の長手方向（第１の方向ｘ）と直
交する第２の方向ｙに延びる絶縁材料からなる隔壁５０
が形成されており、有機発光膜３０及び金属電極Ｙ1 、
Ｙ2 、…Ｙnは、この隔壁５０の上から成膜されてい
る。このとき隔壁５０の高さ（図７中ｈ 1 ）はＩＴＯ電
極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm が形成された基板１上に成膜され
る有機発光膜３０及び金属電極（陰極）Ｙ1 、Ｙ2 、…
Ｙn の厚みの和（図７中ｈ2 ）よりも大きくする。これ
により、陰極Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn は隔壁５０によって分
割されそれぞれ独立して導通できる。
【００６０】なお、隔壁５０はフォトグラフィ法等の方
法で形成することができる。また、隔壁５０に用いるこ
とができる絶縁材料としては、例えばフォトレジスト材
料ＴＳ−３６６（ＪＳＲ社製）、ＴＨＢ−３７（ＪＳＲ
社製）、ＴＰＡＲ Ｐ−００７ＭＰ（東京応化工業製）
を挙げることができ、ここではＴＳ−３６６（ＪＳＲ社
製）が用いられている。
法で形成することができる。また、隔壁５０に用いるこ
とができる絶縁材料としては、例えばフォトレジスト材
料ＴＳ−３６６（ＪＳＲ社製）、ＴＨＢ−３７（ＪＳＲ
社製）、ＴＰＡＲ Ｐ−００７ＭＰ（東京応化工業製）
を挙げることができ、ここではＴＳ−３６６（ＪＳＲ社
製）が用いられている。
【００６１】かかる構成の有機エレクトロルミネッセン
ス素子Ｂでは、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と陰極Ｙ1 、Ｙ
2 、…Ｙn がそれぞれ図示を省略したリード線により接
続され、発光させたい発光領域に対応する陽極Ｘ1 〜Ｘ
m と陰極Ｙ1 〜Ｙn に電圧を印加することにより電圧が
印加された部分の有機発光膜３０が発光し、透明基板１
側よりその発光が取り出される。
ス素子Ｂでは、陽極Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm と陰極Ｙ1 、Ｙ
2 、…Ｙn がそれぞれ図示を省略したリード線により接
続され、発光させたい発光領域に対応する陽極Ｘ1 〜Ｘ
m と陰極Ｙ1 〜Ｙn に電圧を印加することにより電圧が
印加された部分の有機発光膜３０が発光し、透明基板１
側よりその発光が取り出される。
【００６２】ここで、素子Ｂの画素構成について図４に
示す部分を例にとって説明する。
示す部分を例にとって説明する。
【００６３】例えば、ＩＴＯからなる陽極Ｘ1 〜Ｘ4 に
対しては、隣り合った２本のラインＸ1 とＸ2 、ライン
Ｘ3 とＸ4 をそれぞれ同一の信号Ｖｘ1 、Ｖｘ2 によっ
て駆動させ、隔壁５０によって分割された金属電極Ｙ1
〜Ｙ4 に対しては、それぞれ個別（電極Ｙ1 とＹ2 、電
極Ｙ3 とＹ4 ）に、それぞれ同一の信号Ｖｙ1 、Ｖｙ 2
によって駆動させる。これにより、図１に示す素子Ａの
例と同様に、隣り合った四つの発光領域が同一の駆動条
件で駆動され、それぞれの四つの副画素が同時に点灯又
は消灯する一つの単位画素、例えば副画素Ｐ11、Ｐ12、
Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ11、副画素Ｐ13、
Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素Ｑ12、副画素
Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画素Ｑ21、副画
素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ 43、Ｐ44にて構成される画素Ｑ22とな
る。なお、素子Ｂにおいて図４に示す部分以外の部分も
同様である。
対しては、隣り合った２本のラインＸ1 とＸ2 、ライン
Ｘ3 とＸ4 をそれぞれ同一の信号Ｖｘ1 、Ｖｘ2 によっ
て駆動させ、隔壁５０によって分割された金属電極Ｙ1
〜Ｙ4 に対しては、それぞれ個別（電極Ｙ1 とＹ2 、電
極Ｙ3 とＹ4 ）に、それぞれ同一の信号Ｖｙ1 、Ｖｙ 2
によって駆動させる。これにより、図１に示す素子Ａの
例と同様に、隣り合った四つの発光領域が同一の駆動条
件で駆動され、それぞれの四つの副画素が同時に点灯又
は消灯する一つの単位画素、例えば副画素Ｐ11、Ｐ12、
Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ11、副画素Ｐ13、
Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素Ｑ12、副画素
Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画素Ｑ21、副画
素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ 43、Ｐ44にて構成される画素Ｑ22とな
る。なお、素子Ｂにおいて図４に示す部分以外の部分も
同様である。
【００６４】図５に本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス素子のさらに他の例Ｃの概略構成のブロック図
を示し、図６に図５に示す素子Ｃの一部を拡大した図を
示す。
ッセンス素子のさらに他の例Ｃの概略構成のブロック図
を示し、図６に図５に示す素子Ｃの一部を拡大した図を
示す。
【００６５】図５に示す有機エレクトロルミネッセンス
素子Ｃでは、既述の通り、発光部４０、ゲート電極群
Ｘ’、ソース電極群Ｙ’、スイッチング部Ｓ11、Ｓ12、
…Ｓmnを備えている。発光部４０は陽極１０、陰極２０
及びそれらの間の有機発光膜３０を含んでおり、ゲート
電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’はそれぞれが第１の方向
ｘに延びており、ソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn ’
はそれぞれが第１の方向ｘを横切る第２の方向ｙに延び
ている。また、発光部４０のスイッチング動作を行うた
めのスイッチング素子（アクティブ素子）を含むスイッ
チング部Ｓ11、Ｓ 12、…Ｓmnが各ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ
2 ’、…Ｘm ’とソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2’、…Ｙn ’
の交わる部分に対応して設けられている。このスイッチ
ング部Ｓ11、Ｓ12、…Ｓmnに含まれるスイッチング素子
はそれぞれ各副画素に独立に備わっている。
素子Ｃでは、既述の通り、発光部４０、ゲート電極群
Ｘ’、ソース電極群Ｙ’、スイッチング部Ｓ11、Ｓ12、
…Ｓmnを備えている。発光部４０は陽極１０、陰極２０
及びそれらの間の有機発光膜３０を含んでおり、ゲート
電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’はそれぞれが第１の方向
ｘに延びており、ソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn ’
はそれぞれが第１の方向ｘを横切る第２の方向ｙに延び
ている。また、発光部４０のスイッチング動作を行うた
めのスイッチング素子（アクティブ素子）を含むスイッ
チング部Ｓ11、Ｓ 12、…Ｓmnが各ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ
2 ’、…Ｘm ’とソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2’、…Ｙn ’
の交わる部分に対応して設けられている。このスイッチ
ング部Ｓ11、Ｓ12、…Ｓmnに含まれるスイッチング素子
はそれぞれ各副画素に独立に備わっている。
【００６６】かかる構成の有機エレクトロルミネッセン
ス素子Ｃでは、ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’と
ソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn ’がそれぞれ図示を
省略したリード線により接続され、発光させたい発光領
域に対応するゲート電極Ｘ1’〜Ｘm ’とソース電極Ｙ
1 ’〜Ｙn ’に電圧を印加することにより電圧が印加さ
れた部分のスイッチング部Ｓ11〜Ｓmnにおけるスイッチ
ング素子がオンし、それに対応する部分の発光部４０が
発光する。
ス素子Ｃでは、ゲート電極Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’と
ソース電極Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn ’がそれぞれ図示を
省略したリード線により接続され、発光させたい発光領
域に対応するゲート電極Ｘ1’〜Ｘm ’とソース電極Ｙ
1 ’〜Ｙn ’に電圧を印加することにより電圧が印加さ
れた部分のスイッチング部Ｓ11〜Ｓmnにおけるスイッチ
ング素子がオンし、それに対応する部分の発光部４０が
発光する。
【００６７】ここで、素子Ｃの画素構成について図６に
示す部分を例にとって説明する。
示す部分を例にとって説明する。
【００６８】例えば、ゲート電極Ｘ1 ’〜Ｘ4 ’に対し
ては、隣り合った２本の電極Ｘ1 ’とＸ2 ’、電極
Ｘ3 ’とＸ4 ’をそれぞれ同一の信号Ｖｘ1 ’、Ｖ
ｘ2 ’によって駆動させ、ソース電極Ｙ1 ’〜Ｙ4 ’に
対しては、隣り合った２本の電極Ｙ1’とＹ2 ’、電極
Ｘ3 ’とＹ4 ’をそれぞれ同一の信号Ｖｙ1 ’、Ｖ
ｙ2 ’によって駆動させる。これにより、図１に示す素
子Ａの例と同様に、隣り合った四つの発光領域が同一の
駆動条件で駆動され、それぞれの四つの副画素が同時に
点灯又は消灯する一つの単位画素、例えば副画素Ｐ11、
Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ11、副画素
Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素Ｑ12、副画
素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画素Ｑ21、副
画素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ 44にて構成される画素Ｑ22と
なる。なお、素子Ｃにおいて図６に示す部分以外の部分
も同様である。
ては、隣り合った２本の電極Ｘ1 ’とＸ2 ’、電極
Ｘ3 ’とＸ4 ’をそれぞれ同一の信号Ｖｘ1 ’、Ｖ
ｘ2 ’によって駆動させ、ソース電極Ｙ1 ’〜Ｙ4 ’に
対しては、隣り合った２本の電極Ｙ1’とＹ2 ’、電極
Ｘ3 ’とＹ4 ’をそれぞれ同一の信号Ｖｙ1 ’、Ｖ
ｙ2 ’によって駆動させる。これにより、図１に示す素
子Ａの例と同様に、隣り合った四つの発光領域が同一の
駆動条件で駆動され、それぞれの四つの副画素が同時に
点灯又は消灯する一つの単位画素、例えば副画素Ｐ11、
Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22にて構成される画素Ｑ11、副画素
Ｐ13、Ｐ14、Ｐ23、Ｐ24にて構成される画素Ｑ12、副画
素Ｐ31、Ｐ32、Ｐ41、Ｐ42にて構成される画素Ｑ21、副
画素Ｐ33、Ｐ34、Ｐ43、Ｐ 44にて構成される画素Ｑ22と
なる。なお、素子Ｃにおいて図６に示す部分以外の部分
も同様である。
【００６９】図１及び図３に示す単純マトリックス駆動
型の素子Ａ、Ｂのいずれにおいても、一画素単位中のい
ずれかの副画素、例えば一画素単位Ｑ11中の副画素Ｐ11
にピンホール等の欠陥があった場合、オープンな状態
（例えば剥離等）であれば、それを含む一副画素（例え
ば副画素Ｐ11）が点灯しなくなったとしても、他の副画
素（例えば他の三つの副画素Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）はそれ
に影響されることなく点灯することができる。欠陥が短
絡状態であった場合は、短絡があったライン全体、例え
ば欠陥が副画素Ｐ11の部分の場合、ラインＸ1 及びライ
ンＹ1 に対応する副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐ1n及び副画素
Ｐ21、Ｐ31、…Ｐm1が点灯できなくなるため、画素Ｑ11
の四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22のうち三つの副
画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21が点灯できなくなるが、画素Ｑ11
中の一つの副画素Ｐ22は破壊されず保持され点灯が可能
となる。すなわち、従来の素子では欠陥がショート（短
絡）状態の場合、短絡があったライン全体の画素が発光
不能になるが、本発明に係る素子Ａ、Ｂによれば、短絡
状態の場合でも短絡状態でない他のラインは点灯可能で
あり画素は保持される。例えば欠陥が副画素Ｐ11の部分
の場合、短絡状態でないもう１本のラインＸ2 、Ｙ2 は
点灯可能であり画素Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N及び画素Ｑ21、
Ｑ31、…ＱM1は保持される。
型の素子Ａ、Ｂのいずれにおいても、一画素単位中のい
ずれかの副画素、例えば一画素単位Ｑ11中の副画素Ｐ11
にピンホール等の欠陥があった場合、オープンな状態
（例えば剥離等）であれば、それを含む一副画素（例え
ば副画素Ｐ11）が点灯しなくなったとしても、他の副画
素（例えば他の三つの副画素Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）はそれ
に影響されることなく点灯することができる。欠陥が短
絡状態であった場合は、短絡があったライン全体、例え
ば欠陥が副画素Ｐ11の部分の場合、ラインＸ1 及びライ
ンＹ1 に対応する副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐ1n及び副画素
Ｐ21、Ｐ31、…Ｐm1が点灯できなくなるため、画素Ｑ11
の四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22のうち三つの副
画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21が点灯できなくなるが、画素Ｑ11
中の一つの副画素Ｐ22は破壊されず保持され点灯が可能
となる。すなわち、従来の素子では欠陥がショート（短
絡）状態の場合、短絡があったライン全体の画素が発光
不能になるが、本発明に係る素子Ａ、Ｂによれば、短絡
状態の場合でも短絡状態でない他のラインは点灯可能で
あり画素は保持される。例えば欠陥が副画素Ｐ11の部分
の場合、短絡状態でないもう１本のラインＸ2 、Ｙ2 は
点灯可能であり画素Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ1N及び画素Ｑ21、
Ｑ31、…ＱM1は保持される。
【００７０】図５に示すアクティブマトリックス駆動型
の素子Ｃでは、隣り合う２以上のソースライン及び隣り
合う２以上のゲートラインをそれぞれ同一の信号で駆動
させることにより隣り合う複数（４個）の副画素が同一
の点灯挙動を取り、それをもって一単位画素とみなすこ
とができる。しかしながら、次のように一画素を形成す
ることができる。これを図６に示す部分を参照しながら
説明する。 （１）ラインＸ1 、Ｘ2 が同一の信号、ラインＹ1 、Ｙ
2 が異なる信号で駆動するとき、副画素Ｐ11とＰ21（又
は副画素Ｐ12とＰ22）が同一の点灯挙動を取り、それぞ
れを一単位画素とみなすことができる。 （２）ラインＸ1 、Ｘ2 が異なる信号、ラインＹ1 、Ｙ
2 が同一の信号で駆動するとき、副画素Ｐ11とＰ12（又
は副画素Ｐ21とＰ22）が同一の点灯挙動を取り、それぞ
れを一単位画素とみなすことができる。
の素子Ｃでは、隣り合う２以上のソースライン及び隣り
合う２以上のゲートラインをそれぞれ同一の信号で駆動
させることにより隣り合う複数（４個）の副画素が同一
の点灯挙動を取り、それをもって一単位画素とみなすこ
とができる。しかしながら、次のように一画素を形成す
ることができる。これを図６に示す部分を参照しながら
説明する。 （１）ラインＸ1 、Ｘ2 が同一の信号、ラインＹ1 、Ｙ
2 が異なる信号で駆動するとき、副画素Ｐ11とＰ21（又
は副画素Ｐ12とＰ22）が同一の点灯挙動を取り、それぞ
れを一単位画素とみなすことができる。 （２）ラインＸ1 、Ｘ2 が異なる信号、ラインＹ1 、Ｙ
2 が同一の信号で駆動するとき、副画素Ｐ11とＰ12（又
は副画素Ｐ21とＰ22）が同一の点灯挙動を取り、それぞ
れを一単位画素とみなすことができる。
【００７１】既述のとおり、ラインＸ1 、Ｘ2 が同一の
信号、ラインＹ1 、Ｙ2 が同一の信号のときは、副画素
Ｐ11とＰ12とＰ21とＰ22が同一の点灯挙動を取り、それ
をもって一単位画素とみなすことができる。
信号、ラインＹ1 、Ｙ2 が同一の信号のときは、副画素
Ｐ11とＰ12とＰ21とＰ22が同一の点灯挙動を取り、それ
をもって一単位画素とみなすことができる。
【００７２】スイッチング部Ｓ11〜Ｓmnに含まれるアク
ティブ素子は、それぞれ各副画素Ｐ 11、Ｐ12、…Ｐmnに
独立に備わっているため、一単位画素Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ
MN、例えば画素Ｑ11を構成する一部副画素、例えば副画
素Ｐ11が短絡により点灯しなくなったとしても残りの副
画素、例えば副画素Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22はそれと無関係に
点灯させることが可能であり、画素Ｑ11、Ｑ12、…
ＱMN、例えば画素Ｑ11は保存される。また、単純マトリ
ックス駆動のようにライン全体が発光不能になることは
ない。
ティブ素子は、それぞれ各副画素Ｐ 11、Ｐ12、…Ｐmnに
独立に備わっているため、一単位画素Ｑ11、Ｑ12、…Ｑ
MN、例えば画素Ｑ11を構成する一部副画素、例えば副画
素Ｐ11が短絡により点灯しなくなったとしても残りの副
画素、例えば副画素Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22はそれと無関係に
点灯させることが可能であり、画素Ｑ11、Ｑ12、…
ＱMN、例えば画素Ｑ11は保存される。また、単純マトリ
ックス駆動のようにライン全体が発光不能になることは
ない。
【００７３】以上のように図１、図３及び図５に示す有
機エレクトロルミネッセンス素子Ａ、Ｂ、Ｃは、いずれ
にしても、複数の画素を有し、それぞれの一画素Ｑ11、
Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ11では四つ
の副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割されており、そ
れぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにおいて該一画素を
構成している複数の副画素、例えば画素Ｑ11では画素Ｑ
11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22
のうち一部の副画素が不動作状態になっても他の副画素
が動作するように構成されている素子である。すなわ
ち、複数の副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmnは独立して発光可
能な画素である。
機エレクトロルミネッセンス素子Ａ、Ｂ、Ｃは、いずれ
にしても、複数の画素を有し、それぞれの一画素Ｑ11、
Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ11では四つ
の副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割されており、そ
れぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにおいて該一画素を
構成している複数の副画素、例えば画素Ｑ11では画素Ｑ
11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22
のうち一部の副画素が不動作状態になっても他の副画素
が動作するように構成されている素子である。すなわ
ち、複数の副画素Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmnは独立して発光可
能な画素である。
【００７４】図１、図３及び図５に示す有機エレクトロ
ルミネッセンス素子Ａ、Ｂ、Ｃによると、それぞれの一
画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ
11では四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割され
ており、そのそれぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにお
いて該一画素を構成している複数の副画素、例えば画素
Ｑ11では画素Ｑ11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ
12、Ｐ21、Ｐ22のうち一部の副画素が不動作状態になっ
ても他の副画素が動作するように構成されているので、
素子Ａ、Ｂ、Ｃにピンホールなどの欠陥が存在しても、
不動作状態になるのは画素の一部分、すなわち該画素を
構成している副画素の一部でとどまり、残りの画素部
分、すなわち動作可能状態の副画素は画素として機能す
る。これにより画素の破壊を画素の一部に抑え、他の画
素部分を生き残らせることができる。従って、素子Ａ、
Ｂ、Ｃにピンホールなどの欠陥が存在しても、その部分
における画素の発光動作を行わせることができる。ひい
ては素子全体の長寿命化を達成でき、素子製造時におけ
る初期不良を抑えることができる。
ルミネッセンス素子Ａ、Ｂ、Ｃによると、それぞれの一
画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNが複数の副画素、例えば画素Ｑ
11では四つの副画素Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22に分割され
ており、そのそれぞれの一画素Ｑ11、Ｑ12、…ＱMNにお
いて該一画素を構成している複数の副画素、例えば画素
Ｑ11では画素Ｑ11を構成している四つの副画素Ｐ11、Ｐ
12、Ｐ21、Ｐ22のうち一部の副画素が不動作状態になっ
ても他の副画素が動作するように構成されているので、
素子Ａ、Ｂ、Ｃにピンホールなどの欠陥が存在しても、
不動作状態になるのは画素の一部分、すなわち該画素を
構成している副画素の一部でとどまり、残りの画素部
分、すなわち動作可能状態の副画素は画素として機能す
る。これにより画素の破壊を画素の一部に抑え、他の画
素部分を生き残らせることができる。従って、素子Ａ、
Ｂ、Ｃにピンホールなどの欠陥が存在しても、その部分
における画素の発光動作を行わせることができる。ひい
ては素子全体の長寿命化を達成でき、素子製造時におけ
る初期不良を抑えることができる。
【００７５】なお、一画素中のいくつかの副画素が点灯
できなくなった場合に、該画素中の他の発光可能な副画
素に流れる電流値を大きくする手段を設けることで、例
えば、それぞれの一画素を構成している複数の副画素の
駆動にあたり、該複数の副画素のそれぞれに流れる電流
の電流値を、該複数の副画素に流れる電流の電流値を合
計した総電流値を一定とする値とすることで、画素全体
の輝度を、点灯できなくなった副画素の消灯前の状態の
画素全体の輝度と同程度に保つことができ、素子全体と
しての画質を保つことができる。
できなくなった場合に、該画素中の他の発光可能な副画
素に流れる電流値を大きくする手段を設けることで、例
えば、それぞれの一画素を構成している複数の副画素の
駆動にあたり、該複数の副画素のそれぞれに流れる電流
の電流値を、該複数の副画素に流れる電流の電流値を合
計した総電流値を一定とする値とすることで、画素全体
の輝度を、点灯できなくなった副画素の消灯前の状態の
画素全体の輝度と同程度に保つことができ、素子全体と
しての画質を保つことができる。
【００７６】図１３に一画素中のいくつかの副画素が点
灯できなくなった場合に、該画素中の他の発光可能な副
画素に流れる電流値を大きくする手段の一例の電流値変
更回路の概略ブロック図を示す。
灯できなくなった場合に、該画素中の他の発光可能な副
画素に流れる電流値を大きくする手段の一例の電流値変
更回路の概略ブロック図を示す。
【００７７】図１３に示す電流値変更回路では、定電流
源からの電流を電流出力調整するとともに電流検知しな
がら１表示画素（複数の副画素）に流す。電流出力調整
は電流検知された値が電流積算され、その電流積算値と
初期電流積算値との差分が差分回路を介してフィードバ
ックされることで行われる。
源からの電流を電流出力調整するとともに電流検知しな
がら１表示画素（複数の副画素）に流す。電流出力調整
は電流検知された値が電流積算され、その電流積算値と
初期電流積算値との差分が差分回路を介してフィードバ
ックされることで行われる。
【００７８】図１４は単純マトリクス駆動における陽極
Ｘ1 、Ｘ2 から陰極Ｙ1 、Ｙ2 に流れる電流の状態を示
す図であり、図１４（Ａ）に一画素Ｑ11中の全副画素
（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）が点灯している場合の電流
の状態を示し、図１４（Ｂ）に一画素Ｑ11中の一部の副
画素（Ｐ12）が点灯できなくなった場合（オープンな状
態）の電流の状態を示す。
Ｘ1 、Ｘ2 から陰極Ｙ1 、Ｙ2 に流れる電流の状態を示
す図であり、図１４（Ａ）に一画素Ｑ11中の全副画素
（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）が点灯している場合の電流
の状態を示し、図１４（Ｂ）に一画素Ｑ11中の一部の副
画素（Ｐ12）が点灯できなくなった場合（オープンな状
態）の電流の状態を示す。
【００７９】単純マトリクス駆動では、図１４に示すよ
うに定電流源Ｇに接続する同一陽極ラインＸ1 、Ｘ2 に
おいては、素子の発光／非発光にかかわらず、定電流を
流し込むことになるため、すなわち定電流源Ｇからの電
流をＩとし、全副画素（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）が点
灯している場合の陰極Ｙ1 、Ｙ2 に流れる電流をそれぞ
れＩ1 、Ｉ2 とした場合において（図１４（Ａ）参
照）、一部の副画素（Ｐ12）が点灯できなくなった場合
（オープンな状態）の陰極Ｙ1 に流れる電流をＩ3とす
ると（図１４（Ｂ）参照）、Ｉ1 ＋Ｉ2 ＝Ｉ3 ＝Ｉとな
るため、総電流値を一定とする手段は基本的にはアクテ
ィブマトリックス駆動に適用される。
うに定電流源Ｇに接続する同一陽極ラインＸ1 、Ｘ2 に
おいては、素子の発光／非発光にかかわらず、定電流を
流し込むことになるため、すなわち定電流源Ｇからの電
流をＩとし、全副画素（Ｐ11、Ｐ12、Ｐ21、Ｐ22）が点
灯している場合の陰極Ｙ1 、Ｙ2 に流れる電流をそれぞ
れＩ1 、Ｉ2 とした場合において（図１４（Ａ）参
照）、一部の副画素（Ｐ12）が点灯できなくなった場合
（オープンな状態）の陰極Ｙ1 に流れる電流をＩ3とす
ると（図１４（Ｂ）参照）、Ｉ1 ＋Ｉ2 ＝Ｉ3 ＝Ｉとな
るため、総電流値を一定とする手段は基本的にはアクテ
ィブマトリックス駆動に適用される。
【００８０】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子
では、図８に示すように１ドットが一画素Ｑ’として用
いられるが、本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
ス素子Ａ、Ｂ、Ｃでは、図９に示すように、隣り合う２
本のライン電極（ラインＸ1とＸ2 、ラインＹ1 と
Ｙ2 ）を同一の信号（信号Ｖｘ1 、信号Ｖｙ1 ）で駆動
させることにより、４ドットで一画素Ｑ11を形成するこ
とができる。同様に３本のライン電極（ラインＸ1 とＸ
2 とＸ3 、ラインＹ1 とＹ2 とＹ3 ）を同一の信号（信
号Ｖｘ1 、信号Ｖｙ1 ）で駆動することにより９ドット
で一画素Ｑ11を形成することができる（図１０参照）。
では、図８に示すように１ドットが一画素Ｑ’として用
いられるが、本発明に係る有機エレクトロルミネッセン
ス素子Ａ、Ｂ、Ｃでは、図９に示すように、隣り合う２
本のライン電極（ラインＸ1とＸ2 、ラインＹ1 と
Ｙ2 ）を同一の信号（信号Ｖｘ1 、信号Ｖｙ1 ）で駆動
させることにより、４ドットで一画素Ｑ11を形成するこ
とができる。同様に３本のライン電極（ラインＸ1 とＸ
2 とＸ3 、ラインＹ1 とＹ2 とＹ3 ）を同一の信号（信
号Ｖｘ1 、信号Ｖｙ1 ）で駆動することにより９ドット
で一画素Ｑ11を形成することができる（図１０参照）。
【００８１】また、必要があれば画素を間引いて表示す
ることも可能である。図１１に隣り合う２本のライン電
極を同一の信号で駆動させることにより、４ドットで一
画素が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素
子において、画素を間引いて表示した状態を示す。画質
に与える影響が大きくない範囲において、例えば、駆動
される画素（図示例では画素Ｑ11、Ｑ13、Ｑ15、Ｑ31、
Ｑ51）を間引かれる画素に、間引かれる画素（図示例で
は画素Ｑ12、Ｑ14、Ｑ21、Ｑ41）を駆動される画素に、
所定時間毎に交互に切り替えることにより、各発光部分
のトータルの発光時間を短くすることができ、素子全体
の寿命を延長させることができる。
ることも可能である。図１１に隣り合う２本のライン電
極を同一の信号で駆動させることにより、４ドットで一
画素が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素
子において、画素を間引いて表示した状態を示す。画質
に与える影響が大きくない範囲において、例えば、駆動
される画素（図示例では画素Ｑ11、Ｑ13、Ｑ15、Ｑ31、
Ｑ51）を間引かれる画素に、間引かれる画素（図示例で
は画素Ｑ12、Ｑ14、Ｑ21、Ｑ41）を駆動される画素に、
所定時間毎に交互に切り替えることにより、各発光部分
のトータルの発光時間を短くすることができ、素子全体
の寿命を延長させることができる。
【００８２】以下に本発明の製作例について説明する。 ・製作例 製作例では図１に示す有機エレクトロルミネッセンス
素子Ａを製作した。
素子Ａを製作した。
【００８３】市販のＩＴＯ膜付きガラス基板（ＩＴＯ基
板）上にフォトレジスト材料をスピンコート法によって
全面に塗布した後、フォトレジスト材料が塗布されたＩ
ＴＯ基板上にフォトマスクを介して紫外線を照射し、紫
外線が照射されたＩＴＯパターン部、すなわちフォトマ
スクによって紫外線が遮られていない部分を硬化させ
た。このＩＴＯ基板を洗浄して非硬化部、すなわち紫外
線が照射されずに硬化しなかった部分のフォトレジスト
材料を除去しＩＴＯ基板上にフォトレジスト材料によっ
て覆われている部分と覆われずＩＴＯが露出した部分と
を形成した。その後、６０℃に熱した３％塩酸中に３０
分間浸しフォトレジスト材料に覆われずに露出した部分
のＩＴＯを除去した後十分水洗いし、水酸化ナトリウム
１０％水溶液中でＩＴＯパターン部上の硬化したフォト
レジスト材料を除去し透明基板１上にＩＴＯからなる透
明電極である陽極群Ｘを帯状にパターニングした。
板）上にフォトレジスト材料をスピンコート法によって
全面に塗布した後、フォトレジスト材料が塗布されたＩ
ＴＯ基板上にフォトマスクを介して紫外線を照射し、紫
外線が照射されたＩＴＯパターン部、すなわちフォトマ
スクによって紫外線が遮られていない部分を硬化させ
た。このＩＴＯ基板を洗浄して非硬化部、すなわち紫外
線が照射されずに硬化しなかった部分のフォトレジスト
材料を除去しＩＴＯ基板上にフォトレジスト材料によっ
て覆われている部分と覆われずＩＴＯが露出した部分と
を形成した。その後、６０℃に熱した３％塩酸中に３０
分間浸しフォトレジスト材料に覆われずに露出した部分
のＩＴＯを除去した後十分水洗いし、水酸化ナトリウム
１０％水溶液中でＩＴＯパターン部上の硬化したフォト
レジスト材料を除去し透明基板１上にＩＴＯからなる透
明電極である陽極群Ｘを帯状にパターニングした。
【００８４】このＩＴＯ基板を界面活性剤水溶液中で５
分間超音波洗浄し、さらにＩＴＯ膜にエキシマランプに
よる光を５分間照射し、さらにＩＴＯ膜を酸素プラズマ
に１０分間曝してその表面を洗浄した。
分間超音波洗浄し、さらにＩＴＯ膜にエキシマランプに
よる光を５分間照射し、さらにＩＴＯ膜を酸素プラズマ
に１０分間曝してその表面を洗浄した。
【００８５】このように洗浄処理したＩＴＯ基板を、成
膜装置内のホルダーにセットし、そのＩＴＯ基板上に
１．３３×１０-3Pa（１．０×１０-5Torr）以下の真空
下でＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジア
ミンを、抵抗加熱法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで６
０ｎｍ成膜し、正孔注入輸送層３１を形成した。
膜装置内のホルダーにセットし、そのＩＴＯ基板上に
１．３３×１０-3Pa（１．０×１０-5Torr）以下の真空
下でＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジア
ミンを、抵抗加熱法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで６
０ｎｍ成膜し、正孔注入輸送層３１を形成した。
【００８６】続いて、正孔注入輸送層３１上にトリス
（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を蒸着速
度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、有機発光層３２を形
成した。
（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を蒸着速
度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、有機発光層３２を形
成した。
【００８７】以上の有機材料はマスクを介さずに基板全
面に蒸着成膜し、正孔注入輸送層３１及び有機発光層３
２で構成される有機発光膜３０を形成した。
面に蒸着成膜し、正孔注入輸送層３１及び有機発光層３
２で構成される有機発光膜３０を形成した。
【００８８】次にＭｇ（マグネシウム）及びＡｇ（銀）
を蒸着源として使用し、抵抗加熱法の共蒸着によりＭｇ
とＡｇの蒸着速度比１０：１で、発光層３２上に陰極群
Ｙとして約２００ｎｍの蒸着層をマスクを介してＩＴＯ
電極の長手方向ｘと直交する方向ｙに帯状にパターニン
グして成膜した。
を蒸着源として使用し、抵抗加熱法の共蒸着によりＭｇ
とＡｇの蒸着速度比１０：１で、発光層３２上に陰極群
Ｙとして約２００ｎｍの蒸着層をマスクを介してＩＴＯ
電極の長手方向ｘと直交する方向ｙに帯状にパターニン
グして成膜した。
【００８９】以上のような工程で、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子Ａを作製した。
ネッセンス素子Ａを作製した。
【００９０】このように作製した素子を、隣り合う２本
のラインに対して同一の信号電圧を印加するように単純
マトリックス駆動によって動作させることができた。 ・製作例 製作例では図３に示す有機エレクトロルミネッセンス
素子Ｂを製作した。
のラインに対して同一の信号電圧を印加するように単純
マトリックス駆動によって動作させることができた。 ・製作例 製作例では図３に示す有機エレクトロルミネッセンス
素子Ｂを製作した。
【００９１】図１２は図３に示す有機エレクトロルミネ
ッセンス素子Ｂを作製する工程の一部を示すものであ
り、図１２（Ａ）に基板１上に陽極群Ｘが形成されてい
る状態を示し、図１２（Ｂ）に陽極群Ｘが形成されてい
る基板１上に隔壁５０が形成されている状態を示す。
ッセンス素子Ｂを作製する工程の一部を示すものであ
り、図１２（Ａ）に基板１上に陽極群Ｘが形成されてい
る状態を示し、図１２（Ｂ）に陽極群Ｘが形成されてい
る基板１上に隔壁５０が形成されている状態を示す。
【００９２】市販のＩＴＯ基板上にフォトレジスト材料
をスピンコート法によって全面に塗布した後、フォトレ
ジスト材料が塗布されたＩＴＯ基板上にフォトマスクを
介して紫外線を照射し、紫外線が照射されたＩＴＯパタ
ーン部、すなわちフォトマスクによって紫外線が遮られ
ていない部分を硬化させた。このＩＴＯ基板を洗浄して
非硬化部、すなわち紫外線が照射されずに硬化しなかっ
た部分のフォトレジスト材料を除去しＩＴＯ基板上にフ
ォトレジスト材料によって覆われている部分と覆われず
ＩＴＯが露出した部分とを形成した。その後、６０℃に
熱した３％塩酸中に３０分間浸しフォトレジスト材料に
覆われずに露出した部分のＩＴＯを除去した後十分水洗
いし、水酸化ナトリウム１０％水溶液中でＩＴＯパター
ン部上の硬化したフォトレジスト材料を除去し透明基板
１上にＩＴＯからなる透明電極である陽極群Ｘを図１２
（Ａ）に示すようなストライプ状にパターニングした。
をスピンコート法によって全面に塗布した後、フォトレ
ジスト材料が塗布されたＩＴＯ基板上にフォトマスクを
介して紫外線を照射し、紫外線が照射されたＩＴＯパタ
ーン部、すなわちフォトマスクによって紫外線が遮られ
ていない部分を硬化させた。このＩＴＯ基板を洗浄して
非硬化部、すなわち紫外線が照射されずに硬化しなかっ
た部分のフォトレジスト材料を除去しＩＴＯ基板上にフ
ォトレジスト材料によって覆われている部分と覆われず
ＩＴＯが露出した部分とを形成した。その後、６０℃に
熱した３％塩酸中に３０分間浸しフォトレジスト材料に
覆われずに露出した部分のＩＴＯを除去した後十分水洗
いし、水酸化ナトリウム１０％水溶液中でＩＴＯパター
ン部上の硬化したフォトレジスト材料を除去し透明基板
１上にＩＴＯからなる透明電極である陽極群Ｘを図１２
（Ａ）に示すようなストライプ状にパターニングした。
【００９３】このＩＴＯ基板を界面活性剤水溶液中で５
分間超音波洗浄し、さらにＩＴＯ膜にエキシマランプに
よる光を５分間照射し、さらにＩＴＯ膜を酸素プラズマ
に１０分間曝してその表面を洗浄した。
分間超音波洗浄し、さらにＩＴＯ膜にエキシマランプに
よる光を５分間照射し、さらにＩＴＯ膜を酸素プラズマ
に１０分間曝してその表面を洗浄した。
【００９４】次に洗浄処理した基板１上に絶縁材料ＴＳ
−３６６（ＪＳＲ社製）を塗布し、フォトグラフィ法に
より図１２（Ｂ）に示すようにパターニングし、隔壁５
０を形成した。隔壁５０の高さは約４００ｎｍとした。
−３６６（ＪＳＲ社製）を塗布し、フォトグラフィ法に
より図１２（Ｂ）に示すようにパターニングし、隔壁５
０を形成した。隔壁５０の高さは約４００ｎｍとした。
【００９５】この隔壁５０が形成されたＩＴＯ基板を、
成膜装置内のホルダーにセットし、そのＩＴＯ基板上に
１．３３×１０-3Pa（１．０×１０-5Torr）以下の真空
下でＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジア
ミンを、抵抗加熱法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで６
０ｎｍ成膜し、正孔注入輸送層３１を形成した。
成膜装置内のホルダーにセットし、そのＩＴＯ基板上に
１．３３×１０-3Pa（１．０×１０-5Torr）以下の真空
下でＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチ
ルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジア
ミンを、抵抗加熱法によって蒸着速度１Å／ｓｅｃで６
０ｎｍ成膜し、正孔注入輸送層３１を形成した。
【００９６】続いて、正孔注入輸送層３１上にトリス
（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を蒸着速
度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、有機発光層３２を形
成した。
（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を蒸着速
度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、有機発光層３２を形
成した。
【００９７】以上の有機材料はマスクを介さずに基板全
面に蒸着成膜し、正孔注入輸送層３１及び有機発光層３
２で構成される有機発光膜３０を形成した。
面に蒸着成膜し、正孔注入輸送層３１及び有機発光層３
２で構成される有機発光膜３０を形成した。
【００９８】次にＭｇ及びＡｇを蒸着源として使用し、
抵抗加熱法の共蒸着によりＭｇとＡｇの蒸着速度比１
０：１で、発光層３２上に陰極群Ｙとして約２００ｎｍ
の蒸着層をマスクを介してＩＴＯ電極の長手方向ｘと直
交する方向ｙにストライプ状にパターニングして成膜し
た。
抵抗加熱法の共蒸着によりＭｇとＡｇの蒸着速度比１
０：１で、発光層３２上に陰極群Ｙとして約２００ｎｍ
の蒸着層をマスクを介してＩＴＯ電極の長手方向ｘと直
交する方向ｙにストライプ状にパターニングして成膜し
た。
【００９９】以上のような工程で、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子Ｂを作製した。
ネッセンス素子Ｂを作製した。
【０１００】以上の説明では図１及び図３に示す構成の
有機エレクトロルミネッセンス素子の作製について述べ
たが、その他の構成の有機エレクトロルミネッセンス素
子も前記説明の作製例に倣い製造可能である。
有機エレクトロルミネッセンス素子の作製について述べ
たが、その他の構成の有機エレクトロルミネッセンス素
子も前記説明の作製例に倣い製造可能である。
【０１０１】なお、本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、各種の表示装置乃至ディスプレイ装置
などに適用可能である。
ッセンス素子は、各種の表示装置乃至ディスプレイ装置
などに適用可能である。
【０１０２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、素
子にピンホールなどの欠陥が存在してもその部分におけ
る画素の発光動作を行わせることができる有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供することができる。
子にピンホールなどの欠陥が存在してもその部分におけ
る画素の発光動作を行わせることができる有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供することができる。
【図１】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素
子の一例の概略構成の平面図である。
子の一例の概略構成の平面図である。
【図２】図１に示す素子の画素構成を説明するための図
であり、該素子の一部を拡大した図である。
であり、該素子の一部を拡大した図である。
【図３】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素
子の他の例の概略構成の平面図である。
子の他の例の概略構成の平面図である。
【図４】図３に示す素子の画素構成を説明するための図
であり、該素子の一部を拡大した図である。
であり、該素子の一部を拡大した図である。
【図５】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素
子のさらに他の例の概略構成のブロック図である。
子のさらに他の例の概略構成のブロック図である。
【図６】図５に示す素子の画素構成を説明するための図
であり、該素子の一部を拡大した図である。
であり、該素子の一部を拡大した図である。
【図７】図（Ａ）は図３に示す素子の図４に示す部分を
第２の方向ｙから見た断面図であり、図（Ｂ）は該素子
の図４に示す部分を第１の方向ｘから見た側面図であ
る。
第２の方向ｙから見た断面図であり、図（Ｂ）は該素子
の図４に示す部分を第１の方向ｘから見た側面図であ
る。
【図８】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の画
素の表示状態を示すものである。
素の表示状態を示すものである。
【図９】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素
子において、隣り合う２本のライン電極を同一の信号で
駆動させることにより、４ドットで一画素が形成されて
いる画素の表示状態を示すものである。
子において、隣り合う２本のライン電極を同一の信号で
駆動させることにより、４ドットで一画素が形成されて
いる画素の表示状態を示すものである。
【図１０】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス
素子において、隣り合う３本のライン電極を同一の信号
で駆動させることにより、９ドットで一画素が形成され
ている画素の表示状態を示すものである。
素子において、隣り合う３本のライン電極を同一の信号
で駆動させることにより、９ドットで一画素が形成され
ている画素の表示状態を示すものである。
【図１１】隣り合う２本のライン電極を同一の信号で駆
動させることにより、４ドットで一画素が形成されてい
る有機エレクトロルミネッセンス素子において、画素を
間引いて表示した状態を示すものである。
動させることにより、４ドットで一画素が形成されてい
る有機エレクトロルミネッセンス素子において、画素を
間引いて表示した状態を示すものである。
【図１２】図３に示す有機エレクトロルミネッセンス素
子を作製する工程の一部を示すものであり、図（Ａ）は
基板上に陽極群が形成されている状態を示すものであ
り、図（Ｂ）は陽極群が形成されている基板上に隔壁が
形成されている状態を示すものである。
子を作製する工程の一部を示すものであり、図（Ａ）は
基板上に陽極群が形成されている状態を示すものであ
り、図（Ｂ）は陽極群が形成されている基板上に隔壁が
形成されている状態を示すものである。
【図１３】一画素中のいくつかの副画素が点灯できなく
なった場合に、該画素中の他の発光可能な副画素に流れ
る電流値を大きくする手段の一例の電流値変更回路の概
略ブロック図である。
なった場合に、該画素中の他の発光可能な副画素に流れ
る電流値を大きくする手段の一例の電流値変更回路の概
略ブロック図である。
【図１４】単純マトリクス駆動における陽極から陰極に
流れる電流の状態を示す図であり、図（Ａ）は一画素中
の全副画素が点灯している場合の電流の状態を示す図で
あり、図（Ｂ）は一画素中の一部の副画素が点灯できな
くなった場合（オープンな状態）の電流の状態を示す図
である。
流れる電流の状態を示す図であり、図（Ａ）は一画素中
の全副画素が点灯している場合の電流の状態を示す図で
あり、図（Ｂ）は一画素中の一部の副画素が点灯できな
くなった場合（オープンな状態）の電流の状態を示す図
である。
１ 基板 １０ 陽極 ２０ 陰極 ３０ 有機発光膜 ３１ 正孔注入輸送層 ３２ 有機発光層 ４０ 発光部 ５０ 隔壁 Ａ、Ｂ、Ｃ 有機エレクトロルミネッセンス素子 ｈ1 隔壁５０の高さ ｈ2 有機発光膜及び金属電極（陰極）の厚みの和 Ｐ11、Ｐ12、…Ｐmn 副画素 Ｑ11、Ｑ12、…ＱMN 一画素 Ｓ11、Ｓ12、…Ｓmn スイッチング部 Ｖｘ1 、Ｖｘ2 、…ＶｘM 信号 Ｖｙ1 、Ｖｙ2 、…ＶｙN 信号 Ｖｘ1 ’、Ｖｘ2 ’、…ＶｘM ’ 信号 Ｖｙ1 ’、Ｖｙ2 ’、…ＶｙN ’ 信号 Ｘ 第１電極群（陽極群） Ｙ 第２電極群（陰極群） Ｘ1 、Ｘ2 、…Ｘm 第１電極 Ｙ1 、Ｙ2 、…Ｙn 第２電極 Ｘ’ ゲート電極群 Ｙ’ ソース電極群 Ｘ1 ’、Ｘ2 ’、…Ｘm ’ ゲート電極 Ｙ1 ’、Ｙ2 ’、…Ｙn ’ ソース電極 Ｇ 定電流源 Ｉ 定電流源Ｇからの電流 Ｉ1 陰極Ｙ1 に流れる電流 Ｉ2 陰極Ｙ2 に流れる電流 Ｉ3 一部の副画素が点灯できなくなった場合の陰極Ｙ
1 に流れる電流
1 に流れる電流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EB00 5C080 AA06 BB05 CC03 CC06 DD12 DD30 EE32 FF03 HH09 JJ01 JJ02 JJ06 KK34 KK52 5C094 AA07 AA37 AA42 AA48 AA54 AA55 BA03 BA27 CA19 CA20 DB04 EA04 EA05 EB02 FA01 FA04 FB01 FB12 GA10
Claims (5)
- 【請求項１】複数の画素を有し、それぞれの一画素が複
数の副画素に分割されており、前記それぞれの一画素に
おいて該一画素を構成している前記複数の副画素のうち
一部の副画素が不動作状態になっても他の副画素が動作
するように構成されていることを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】前記それぞれの一画素を構成している前記
複数の副画素がそれぞれ同一の構成からなっている請求
項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】前記それぞれの一画素を構成している前記
複数の副画素がそれぞれ同一の駆動条件で駆動されるこ
とでそれぞれ同時に点灯又は消灯する請求項１又は２記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】前記それぞれの一画素を構成している前記
複数の副画素の駆動にあたり、該複数の副画素のそれぞ
れに流れる電流の電流値が該複数の副画素に流れる電流
の電流値を合計した総電流値を一定とする値である請求
項１、２又は３記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項５】前記副画素がアクティブマトリックス駆動
可能に構成されている請求項１から４のいずれかに記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000068879A JP2001257080A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000068879A JP2001257080A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257080A true JP2001257080A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18587860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000068879A Pending JP2001257080A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257080A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068879A patent/JP2001257080A/ja active Pending
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