JP2001256829A - 絶縁材用組成物、並びに絶縁材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体用途に優れた熱特性、電気特性を有する
絶縁材を提供する。 【解決手段】 １）シクロブタン環構造を有するポリイ
ミドまたはポリイミド前駆体と、耐熱性材料またはその
前駆体とを必須成分とする絶縁材用組成物。耐熱性材料
またはその前駆体として、ポリベンゾオキサゾールまた
はポリベンゾオキサゾール前駆体が例示される。 ２）前記組組成物に紫外線を照射し、組成物成分のポリ
イミドまたはポリイミド前駆体を低分子化させ、更に蒸
発または抽出する絶縁材の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は絶縁材に関するもの
であり、更に詳しくは電気・電子機器用、半導体装置用
として優れた特性を有する絶縁材用組成物及びこれを用
いた絶縁材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電気電子機器用、半導体装置用材料に求
められている特性のなかで、電気特性と耐熱性は、最も
重要な特性である。特に近年、回路の微細化と信号の高
速化に伴い、誘電率の低い絶縁材料が要求されている。
この２つの特性を両立させるための材料として、耐熱性
樹脂を用いた絶縁材が期待されている。例えば、従来か
ら用いられている二酸化シリコン等の無機の絶縁材は、
高耐熱性を示すが誘電率が高く、要求特性が高度化して
いる現在では、前述の特性について、両立が困難になり
つつある。ポリイミド樹脂に代表される耐熱性樹脂は、
電気特性と耐熱性に優れ、２つの特性の両立が可能であ
り、実際にプリント回路のカバーレイや半導体装置のパ
ッシベーション膜などに用いられている。

【０００３】しかしながら、近年の半導体の高機能化、
高性能化にともない、電気特性、耐熱性について、著し
い向上が必要とされているため、更に、高性能な絶縁材
が必要とされるようになっている。特に、誘電率につい
て、２．５を下回るような低誘電率材料が期待されてお
り、従来の絶縁材では、必要とされる特性に達していな
い。これに対して、これまでに、耐熱性材料の前駆体と
熱分解性成分を有する液状材料を塗布し、加熱工程によ
り、この熱分解性成分を分解させて空隙を形成すること
により、絶縁材の誘電率を低減させることが試みられて
いる。しかし、熱分解性成分を、完全に分解・揮散させ
るためには、高温・長時間の加熱工程が必要であること
や、熱分解性成分を分解させる際に、空隙が潰れてしま
い、誘電率が効果的に低減できない場合があることが問
題となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、効率的な加
工方法で、極めて低い誘電率と良好な絶縁性を示すとと
もに、耐熱性にも優れた絶縁材用組成物、絶縁材の製造
方法及び絶縁材を提供する事を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記従来
の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、以下の手段に
より本発明を完成するに至った。

【０００６】すなわち、本発明は、１．シクロブタン環
構造を有するポリイミドまたはポリイミド前駆体と、耐
熱性材料またはその前駆体とを必須成分とする絶縁材用
組成物、

【０００７】２．耐熱性材料またはその前駆体がポリベ
ンゾオキサゾールまたはポリベンゾオキサゾール前駆体
である第１項記載の絶縁材用組成物、

【０００８】３．第１項または２項記載の絶縁材用組成
物を用いて、波長３５０ｎｍ以下の紫外線の照射によ
り、前記組成物成分のシクロブタン環構造を有するポリ
イミドまたはポリイミド前駆体を、低分子量化させて、
更に蒸発または抽出する工程を含むことを特徴とする絶
縁材の製造方法、

【０００９】４．第３項記載の製造方法により得られた
絶縁材、である。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の絶縁材用組成物は、シク
ロブタン環構造を有するポリイミドまたはポリイミド前
駆体（以下成分Ａ）と、耐熱性材料またはその前駆体
（以下成分Ｂ）とを必須成分として成るものである。こ
れらの成分以外の成分として、溶剤を用いることが可能
であるが、耐熱性材料の前駆体が、成分（Ａ）を溶解す
る液体である場合は、これをもって溶剤を兼ねることも
できる。また、これらの成分以外に、光増感剤、密着性
付与剤、レベリング剤等を添加してもかまわない。

【００１１】本発明の絶縁材用組成物は、次のような工
程により絶縁材とすることができる。第一に、絶縁材用
組成物を、波長３５０ｎｍ以下の紫外線を含まない照明
下で、基板上にスピンコーター等を用いて塗布し、加熱
乾燥して溶剤を除去し、更に加熱して製膜する。成分
（Ｂ）が耐熱性材料の前駆体である場合には、この工程
において溶剤除去後、更に前駆体を加熱して、閉環反応
させて耐熱性材料とする。この際、成分（Ａ）がポリイ
ミド前駆体である場合には、この工程においてポリイミ
ドとなる。

【００１２】第二に、波長３５０ｎｍ以下の紫外線を露
光器により、塗膜上に照射する。これにより、成分
（Ａ）のシクロブタン環が開裂し、シクロブタン環構造
を有するポリイミドがモノマー単位である分子量約５０
０以下まで低分子量化する。

【００１３】第三に、再度加熱することにより、前記の
低分子量化物を蒸発させるか、低分子量化物が可溶な溶
剤により、これを抽出、洗浄して除去する。以上の工程
によって、微細な空隙を形成し、これにより低い誘電率
の絶縁材を得ることが出来るものである。

【００１４】溶剤による抽出を行う際には、加熱後の耐
熱性材料が、溶解しない溶剤を用いることが必要であ
る。前駆体から加熱により得られる耐熱性材料は、一般
的に耐溶剤性が良好であるので、より好ましい。

【００１５】また、蒸発により除去する場合には、前記
第三の工程における加熱条件としては、低分子量化した
成分（Ａ）が気化する温度以上、および、微細な空隙が
潰れることを避けるために耐熱性材料（Ｂ）の融点、も
しくは耐熱性材料が高分子である場合には、そのガラス
転移温度以下の温度で行う。

【００１６】耐熱性材料の耐熱性は、耐熱樹脂における
熱処理温度による影響が大きく、特に前駆体から反応に
より形成される場合には、その反応時の温度より高い耐
熱温度を得ることは困難である。本発明の絶縁材用組成
物では、分解成分として耐熱性が良好であるポリイミド
を用いることにより、耐熱性材料の形成温度を高くする
ことができるので、高い耐熱性を持つ絶縁材料を得るこ
とができる。

【００１７】本発明に用いるシクロブタン環構造を有す
るポリイミドまたはポリイミド前駆体は、シクロブタン
環構造を有するテトラカルボン酸二無水物とジアミンと
を、極性溶媒中で反応させることにより、合成すること
が出来る。シクロブタン環構造を有するテトラカルボン
酸二無水物としては、１，２，３，４−シクロブタンテ
トラカルボン酸二無水物、１−メチル−シクロブタン
１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、トリシク
ロ[６．４．０．０^2,7]ドデカン−１，８，２，７−テ
トラカルボン酸二無水物等が挙げられるが、これらに限
定させるものではない。

【００１８】本発明に用いるシクロブタン環構造を有す
るポリイミドまたはポリイミド前駆体の合成に用いるこ
とができるジアミンとしては、ｐ−フェニレンジアミ
ン、ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエ
ン、２，５−ジアミノトルエン、３，５−ジアミノトル
エン、２，５−ジアミノ−ｐ−キシレン、４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノ
ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノ
ビフェニル、１，４−ジアミノブタン、１，６−ジアミ
ノヘキサン等が挙げられるが、これらに限られるもので
はない。

【００１９】本発明に用いるシクロブタン環構造を有す
るポリイミドまたはポリイミド前駆体の合成における反
応溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、ｍ−クレゾール等が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。

【００２０】本発明に用いる耐熱性材料またはその前駆
体の例を挙げると、ポリイミド、ポリアミド酸、ポリア
ミド酸エステル、ポリイソイミド、ポリアミドイミド、
ポリアミド、ビスマレイミド、ポリベンゾオキサゾー
ル、ポリヒドロキシアミド、ポリベンゾチアゾール、ポ
リシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリシラザン
等であるが、これらに限られるものではない。これらの
中でも、ポリベンゾオキサゾールとポリヒドロキシアミ
ド等のポリベンゾオキサゾール前駆体は、得られる絶縁
材の誘電率が低く、耐熱性も高いので好ましい。

【００２１】本発明の絶縁材用組成物の成分として溶剤
を用いる場合に、好ましいものの例を挙げると、N,N-ジ
メチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、γ-ブチロラクトン等である
が、これらに限定されるものではない。また、これらを
２種以上同時に用いてもかまわない。

【００２２】本発明の絶縁材用樹脂組成物は、成分
（Ａ）を5〜９0重量％、成分（Ｂ）を９５〜１０重量％
の範囲で配合し、これらを均一に混合して得られる。成
分（Ａ）が５重量％より少ないと誘電率はあまり低下せ
ず、成分（Ａ）が９0重量％より多いと機械的強度が低
下して好ましくない。

【００２３】本発明の絶縁材用組成物を用い、前記の方
法により加熱硬化し、紫外線照射し、成分（Ａ）を紫外
線照射によって低分子量化したものを蒸発または抽出に
より除去することにより、微細な空隙を生成し、誘電率
の低い絶縁材を形成することができる。光照射は、波長
２００ｎｍ程度を中心として３５０ｎｍ以下の波長領域
の紫外線を照射できる低圧水銀灯を光源とした、深紫外
線露光装置等を用いて行うことができる。また、加熱硬
化は揮散した成分を排気できる加熱装置で行うことが好
ましい。

【００２４】抽出に使用できる溶媒として好ましいもの
としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、４塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレ
ン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、γ-ブチロラクト
ンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００２５】本発明の絶縁材の誘電率を低減するために
形成される微少な空隙は、好ましくはその直径が５０ｎ
ｍ以下のものであり、さらに好ましくは１０ｎｍ以下の
ものである。また、微少な空隙の割合としては、絶縁材
の形成物全体に対し、５〜９０ｖｏｌ％が好ましい。

【００２６】このようにして得られた絶縁材は、半導体
用の層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレ
キシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、
液晶配向膜などの絶縁材として用いることができる。

【００２７】

【実施例】以下に実施例により具体的に説明するが、本
発明は実施例の内容になんら限定されるものではない。

【００２８】「実施例１」 （１）シクロブタン環構造を有するポリイミド前駆体の
合成 攪拌装置、窒素導入管、原料投入口を備えたセパラブル
フラスコ中、２，５−ジアミノ−ｐ−キシレン５．４５
ｇ（０．０４ｍｏｌ）を、乾燥したＮ−メチル−２−ピ
ロリドン（以下ＮＭＰと略す）１３２ｇに溶解する。乾
燥窒素下、１０℃に溶液を冷却して、１，２，３，４−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物７．８４ｇ
（０．０４ｍｏｌ）を投入した。投入から５時間後に室
温まで戻し、室温で２時間攪拌し、シクロブタン環構造
を有するポリイミド前駆体であるポリアミド酸の１０％
溶液を得た。得られたポリイミド前駆体の分子量は、数
平均分子量３０，０００、重量平均分子量６０，３００
であった。

【００２９】（２）耐熱性材料前駆体であるポリヒドロ
キシアミドの合成 ２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル−
４，４’−ジカルボン酸２２ｇ、塩化チオニル４５ｍｌ
及び乾燥ジメチルホルムアミド０．５ｍｌを反応容器に
入れ、６０℃で２時間反応させた。反応終了後、過剰の
塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した。残査をヘ
キサンにより再結晶させて、２，２’−ビス（トリフル
オロメチル）ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸クロ
リドを得た。攪拌装置、窒素導入管、滴下漏斗を付けた
セパラブルフラスコ中、２，２−ビス（３ーアミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７．３
２ｇ（０．０２ｍｏｌ）を、乾燥したジメチルアセトア
ミド１００ｇに溶解し、ピリジン３．９６ｇ（０．０５
ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素導入下、−１５℃でジメチ
ルアセトアミド５０ｇに、上記により合成した２，２’
−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル−４，４’−
ジカルボン酸クロリド８．３０ｇ（０．０２ｍｏｌ）を
溶解したものを３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室
温まで戻し、室温で５時間攪拌した。その後、反応液を
水１０００ｍｌ中に滴下し、沈殿物を集め、４０℃で４
８時間真空乾燥することにより、耐熱性高分子材料であ
るポリベンゾオキサゾールの前駆体であるポリヒドロキ
シアミドの固形物を得た。得られたポリベンゾオキサゾ
ール前駆体の分子量は、数平均分子量２０，０００、重
量平均分子量４０，０００であった。

【００３０】（３）耐熱性樹脂のガラス転移温度 上記により合成したポリヒドロキシアミド５．０ｇをＮ
ＭＰ２０．０ｇに溶解し、離型処理したガラス基板上に
塗布した後、オーブン中１２０℃で３０分、２４０℃で
９０分間保持して成膜し、基板から膜を剥がした後、さ
らに４００℃９０分間加熱し、耐熱性樹脂であるポリベ
ンゾオキサゾールのフィルムとした。このベンゾオキサ
ゾールのガラス転移温度を示差走査熱量計により測定し
たところ、４１０℃であった。

【００３１】（４）シクロブタン環構造を有するポリイ
ミドのＵＶ照射後の熱分解温度 上記で得たシクロブタン環構造を有するポリアミド酸の
１０％ＮＭＰ溶液を、波長４００ｎｍ以下の紫外線を遮
光した環境下、厚さ２００ｎｍのタンタルを成膜したシ
リコンウエハ上にスピンコートした。１００℃で３分間
プリベークした後に、窒素雰囲気のオーブン中で１５０
℃３０分加熱後、毎分５℃の昇温速度で４１０℃まで温
度を上げ、４００℃で５分間保持した後に、毎分１０℃
の速度で温度を下げて室温に戻した。オーブンからウエ
ハを取り出し、２００Ｗの低圧水銀灯を用いた紫外線露
光装置により、５分間紫外線を照射した。紫外線照射後
のフィルムの熱分解温度を、空気雰囲気下で熱重量分析
により測定したところ、２５０℃であった。

【００３２】（５）絶縁材用組成物の調製と絶縁材の製
造 上記により合成したポリヒドロキシアミドの固形物５．
０ｇをＮＭＰ４５．０ｇ中に溶解し、さらに上記で得た
シクロブタン環構造を有するポリアミド酸の１０％ＮＭ
Ｐ溶液４０．０ｇを加えて攪拌し、絶縁材用組成物を得
た。波長４００ｎｍ以下の紫外線を遮光した環境下、こ
の絶縁材用組成物を、厚さ２００ｎｍのタンタルを成膜
したシリコンウエハ上にスピンコートした。１００℃で
３分間プリベークした後に、窒素雰囲気のオーブン中で
１５０℃３０分加熱後、毎分５℃の昇温速度で４１０℃
まで温度を上げ、４００℃で５分間保持した後に、毎分
１０℃の速度で温度を下げて室温に戻した。オーブンか
らウエハを取り出し、２００Ｗの低圧水銀灯を用いた紫
外線露光装置により、５分間紫外線を照射した。その
後、換気装置付きのオーブンを用い、空気雰囲気中で２
５０℃で４時間加熱した。このようにして厚さ０．８μ
ｍの絶縁材の被膜を得た。この絶縁材の皮膜上に面積
０．１ｃｍ²のアルミの電極を蒸着により形成し、基板
のタンタルとの間のキャパシタンスをＬＣＲメーターに
より測定した。膜厚、電極面積、キャパシタンスから絶
縁材の誘電率を算出したところ、２．１であった。絶縁
材皮膜の断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた
空隙は平均孔径５ｎｍで非連続であった。また、示差走
査熱量計で絶縁材皮膜のガラス転移温度を測定したとこ
ろ４１０℃であった。

【００３３】「実施例２」 （１）シクロブタン環構造を有するポリイミド前駆体の
合成 実施例１のポリイミド前駆体の合成において用いた２，
５−ジアミノ−ｐ−キシレン５．４５ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）を４，４’−ジアミノジフェニルエーテル８．０１
ｇ（０．０４ｍｏｌ）に、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物７．８４ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）をトリシクロ[６．４．０．０^2,7]ドデカン−１，
８，２，７−テトラカルボン酸二無水物１１．２１ｇ
（０．０４ｍｏｌ）に、ＮＭＰ１３２ｇを１７１ｇ換え
た以外は実施例１と同様にして、ポリイミド前駆体であ
るポリアミド酸の１０％溶液を得た。得られたポリイミ
ド前駆体の分子量は、数平均分子量１８，０００、重量
平均分子量３７，０００であった。

【００３４】（２）耐熱性材料前駆体であるポリベンゾ
オキサゾールの合成 ４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニル
−１，１’−ジカルボン酸２５ｇ、塩化チオニル４５ｍ
ｌ及び乾燥ジメチルホルムアミド０．５ｍｌを反応容器
に入れ、６０℃で２時間反応させた。反応終了後、過剰
の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した。残査を
ヘキサンにより再結晶させて、４，４’−ヘキサフルオ
ロイソプロピリデンジフェニル−１，１’ジカルボン酸
クロリドを得た。攪拌装置、窒素導入管、滴下漏斗を付
けたセパラブルフラスコ中、２，２−ビス（３ーアミノ
−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
７．３２ｇ（０．０２ｍｏｌ）を、乾燥したジメチルア
セトアミド１００ｇに溶解し、ピリジン３．９６ｇ
（０．０５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素導入下、−１５
℃でジメチルアセトアミド５０ｇに、上記により合成し
た４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェニ
ル−１，１’−ジカルボン酸クロリド８．５８ｇ（０．
０２ｍｏｌ）を溶解したものを３０分掛けて滴下した。
滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間攪拌した。そ
の後、反応液を水１０００ｍｌ中に滴下し、沈殿物を集
め、４０℃で４８時間真空乾燥することにより、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体であるポリヒドロキシアミドの
固形物を得た。このポリヒドロキシアミドを、ＮＭＰ２
００ｇに溶解した溶液に、ピリジン５０ｇを加えた後、
無水酢酸０．０３ｍｏｌを滴下し、系の温度を70℃に保
って、７時間オキサゾール化反応を行った。この溶液を
２０倍量の水中に滴下して沈殿を回収し、６０℃で７２
時間真空乾燥して、耐熱性高分子材料であるポリベンゾ
オキサゾールの固形物を得た。

【００３５】（３）耐熱性樹脂のガラス転移温度 上記により合成したポリヒドロキシアミド５．０ｇをＮ
ＭＰ２０．０ｇに溶解し、離型処理したガラス基板上に
塗布した後、オーブン中１２０℃で３０分、２４０℃で
９０分間保持して成膜し、基板から膜を剥がした後、さ
らに４００℃９０分間加熱し、耐熱性樹脂であるポリベ
ンゾオキサゾールのフィルムとした。このベンゾオキサ
ゾールのガラス転移温度を示差走査熱量計により測定し
たところ、３６２℃であった。

【００３６】（４）シクロブタン環構造を有するポリイ
ミドのＵＶ照射後の熱分解性 上記で得たシクロブタン環構造を有するポリアミド酸の
１０％ＮＭＰ溶液を、波長４００ｎｍ以下の紫外線を遮
光した環境下、厚さ２００ｎｍのタンタルを成膜したシ
リコンウエハ上にスピンコートした。１００℃で３分間
プリベークした後に、窒素雰囲気のオーブン中で１５０
℃３０分加熱後、毎分５℃の昇温速度で４１０℃まで温
度を上げ、４００℃で５分間保持した後に、毎分１０℃
の速度で温度を下げて室温に戻した。オーブンからウエ
ハを取り出し、２００Ｗの低圧水銀灯を用いた紫外線露
光装置により、５分間紫外線を照射した。紫外線照射後
のフィルムの熱分解温度を、空気雰囲気下で熱重量分析
により測定したところ、２４８℃であった。

【００３７】（３）絶縁材用組成物の調製と絶縁材の製
造 上記により合成したポリベンゾオキサゾール５．０ｇを
ＮＭＰ４５．０ｇに溶解した後、さらに上記で得たシク
ロブタン環構造を有するポリアミド酸の１０％ＮＭＰ溶
液４０．０ｇを添加して攪拌し、絶縁材用組成物を得
た。波長４００ｎｍ以下の紫外線を遮光した環境下、こ
の絶縁材用組成物を、厚さ２００ｎｍのタンタルを成膜
したシリコンウエハ上にスピンコートした。１００℃で
３分間プリベークした後に、窒素雰囲気のオーブン中で
１５０℃３０分加熱後毎分５℃の昇温速度で３７０℃ま
で温度を上げ、３７０℃で５分間保持した後に、毎分１
０℃の速度で温度を下げて室温に戻した。オーブンから
ウエハを取り出し、２００Ｗの低圧水銀灯を用いた紫外
線露光装置により、５分間紫外線を照射した。その後、
換気装置付きのオーブンを用い、空気雰囲気中で２５０
℃で４時間加熱した。このようにして厚さ０．８μｍの
絶縁材の被膜を得た。以下実施例１と同様にして、この
絶縁材の誘電率を測定したところ２．１であった。絶縁
材皮膜の断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた
空隙は平均孔径４ｎｍで非連続であった。また、示差走
査熱量計で絶縁材皮膜のガラス転移温度を示差走査熱量
計により測定したところ、３６２℃であった。

【００３８】「比較例１」実施例１の絶縁材用組成物の
調整において用いたシクロブタン環構造を有するポリイ
ミド前駆体であるポリアミド酸の１０％ＮＭＰ溶液を添
加しない以外は全て実施例１と同様に行った。得られた
耐熱性樹脂の誘電率は２．７であった。絶縁材皮膜の断
面をＴＥＭにより観察したところ、空隙は観察されなか
った。

【００３９】「比較例２」実施例１のポリイミド前駆体
の合成において用いた１，２，３，４−シクロブタンテ
トラカルボン酸二無水物７．８４ｇ（０．０４ｍｏｌ）
をピロメリット酸二無水物８．７２（０．０４ｍｏｌ）
に換えた以外は実施例１と同様にして行った。得られた
耐熱性樹脂の誘電率は３．０であった。絶縁材皮膜の断
面をＴＥＭにより観察したところ、空隙は観察されなか
った。

【００４０】実施例１および２においては、誘電率が
２．１と非常に低く、ガラス転移温度も高い耐熱性樹脂
を得ることが出来た。

【００４１】比較例１では、シクロブタン環構造を有す
るポリイミドまたはポリイミド前駆体を成分中に有して
いないために誘電率を低減できなかった。

【００４２】比較例２では、添加したポリイミド前駆体
がシクロブタン環を有する構造を持つものでないために
誘電率が増加してしまった。

【００４３】

【発明の効果】本発明の絶縁材用樹脂組成物及びこれを
用いた絶縁材は、電気特性および耐熱性に優れたもので
あり、これらの特性が要求される様々な分野、例えば半
導体用の層間絶縁膜、多層回路の層間絶縁膜などとして
有用な絶縁材料である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｃ０８Ｌ 79/08 Ａ 101/00 101/00 Ｆターム(参考） 4J002 AA00W CM02W CM04X GQ01 GQ05 4J043 PA02 PA04 PA15 PA19 PC015 PC016 QB15 QB26 QB31 RA05 RA34 SA06 SB01 SB03 TA22 TB01 UA021 UA041 UA121 UA122 UA131 UA132 UA761 UB011 UB121 UB401 VA011 VA021 VA022 VA051 VA061 VA062 VA091 VA101 VA102 XA16 XA17 XA19 YA06 YB08 ZA12 ZA43 ZA46 ZB11 ZB21 ZB47 5G305 AA07 AA11 AB10 AB24 BA09 BA18 CA21 CA32 CA55 CA60 DA22

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シクロブタン環構造を有するポリイミド
   またはポリイミド前駆体と、耐熱性材料またはその前駆
   体とを必須成分とする絶縁材用組成物。
2. 【請求項２】 耐熱性材料またはその前駆体がポリベン
   ゾオキサゾールまたはポリベンゾオキサゾール前駆体で
   ある請求項１記載の絶縁材用組成物。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の絶縁材用組成物
   を用いて、波長３５０ｎｍ以下の紫外線の照射により、
   前記組成物成分のシクロブタン環構造を有するポリイミ
   ドまたはポリイミド前駆体を、低分子量化させて、更に
   蒸発または抽出する工程を含むことを特徴とする絶縁材
   の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の製造方法により得られた
   絶縁材。