JP2001251141A - 恒温槽を用いた発振器 - Google Patents
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Abstract
グを防止し、立上がりを良好にして発振周波数が安定な
恒温槽を用いた発振器を提供することを目的とする。 【構成】帰還抵抗を有するオペアンプによって恒温槽の
熱源を制御した発振器において、前記オペアンプの帰還
抵抗に温度上昇とともに抵抗値の小さくなるサーミスタ
を接続し、電源投入時には前記オペアンプの増幅率を大
きくし、時間の経過とともに増幅率を小さくした構成と
する。
Description
器を産業上の技術分野とし、特にオペアンプによって恒
温槽の熱源を制御した水晶発振器(恒温型発振器とす
る)に関する。
子を一定の温度に維持して発振回路を動作するので、周
囲温度の変化に対して発振周波数を安定にすることか
ら、例えば基地局用の比較的高級な通信機器に使用され
る。
明する恒温型発振器の、特に熱源制御回路の図である。
恒温型発振器は水晶発振回路(未図示)恒温槽1及びそ
の熱源制御回路2からなる。水晶発振回路は水晶振動子
3をインダクタ成分として分割コンデンサと共振回路を
形成し、増幅器によって出力の一部を帰還増幅して発振
させる例えばコルピッツ型とする。水晶振動子3は例え
ばATカットとした水晶片をリード線4の導出した金属
容器5に密閉封入してなる(第5図)。そして、常温2
5℃近傍に変曲点を、+70℃近傍に極小値を有する三
次曲線の周波数温度特性を持つ(第6図)。
5に熱源としてのヒータ線6を巻回してなる。熱源制御
回路2は温度感応素子によって周囲温度を検出し、ヒー
タ線6に供給する電流を制御して水晶振動子3を一定の
温度に維持する。一般に、恒温槽1(水晶振動子)の槽
内温度は、周波数温度特性の高温側となる極小値の温度
に設定される。具体的には、熱源制御回路2は反転型と
した差動増幅器からなるオペアンプ7を使用する。
分割バイアス抵抗R1、R2により、電源Vccからの基準
電圧を入力する。−入力端子には分割バイアス抵抗R
3、R4により比較電圧を入力する。電源側の分割バイア
ス抵抗R3は温度感応素子としてサーミスタRT1とす
る。サーミスタRT1は温度上昇とともに、抵抗値が小さ
くなる(第7図)。そして、オペアンプの増幅率Aを決
定する帰還分割抵抗Ra、Rbを−入力端子及び−入力
端子と出力端子間に接続する。便宜上、帰還分割抵抗R
bを帰還内抵抗とする。なお、増幅率AはRb/Raと
なる。そして、オペアンプ7の出力には抵抗R5を経て
エミッタ接地としたトランジスタ8のベースを、コレク
タと電源Vccとの間には恒温槽1のヒータ線6を接続す
る。
おけるサーミスタRT1の抵抗値を分割バイアス抵抗R4
より大きく設定する。そして、−入力端子の比較電圧と
+入力端子の基準電圧との差電圧を大きくする。これに
より、電源投入時には、大きな差電圧がオペアンプ7の
増幅率Aに従って増幅され、トランジスタ8のベースに
入力する。したがって、コレクタ側の電流は大きくな
り、ヒータ線6の発熱量も大きい。このことから、電源
投入時には恒温槽1(水晶振動子3)の槽内温度は急速
に上昇する。
タRT1の抵抗値は低下するので、オペアンプ7における
−入力端子の比較電圧も小さくなって、+入力端子の基
準電圧に接近しながら、槽内温度は極小値の温度70℃
に到達する(未図示)。したがって、発振周波数は、周
波数温度特性に基づき、常温時から極小値の周波数に変
化して安定する。一般には、電源投入後に発振周波数を
早く安定にするため、オペアンプ7の増幅率Aを例えば
50〜100程度に大きくして槽内温度を急上昇させる。
しかしながら、近年では通信装置の小型化に伴い、水晶
振動子も小さいものが適用される。したがって、恒温槽
1としての水晶振動子の熱容量も小さくなり、供給電力
に対する応答性が早い。このため、電源投入後に極小値
の設定温度に接近すると、槽内温度が上昇・下降する所
謂リンギングを生じる(第8図)。このため、発振周波
数が安定になるまで時間が掛かり、立上がりの悪い問題
があった。また、極端にはリンギングが継続して不良と
なる問題もあった。更には、立上がり以降においても、
例えば周囲温度の変化によって供給電力が増減した場合
でも、槽内温度が過敏に反応して、発振周波数が急激に
変化する問題があった。
を小さくして供給電力を少なくし、リンギングを防止す
ることが考えられたが、この場合には槽内温度に到達す
るまでに時間が掛かり、現実には適用できない問題があ
った。
温度に早期に到達してリンギングを防止し、立上がりを
良好にする恒温槽を用いた発振器を提供することを目的
とする。
の帰還内抵抗RbにサーミスタRT2を接続し、電源投入
時には増幅率を大きくし、時間の経過とともに増幅率を
小さくしたことを基本的な解決手段とする。
接続したので、常温ではサーミスタRT2の抵抗値が大き
くなってオペアンプ7の増幅率が大きく、高温側の設定
温度近傍ではサーミスタRT2の抵抗値が小さくなって増
幅率は小さくなる。したがって、常温では熱源への供給
電力も多くて槽内温度を早期に高める。そして、高温側
の設定温度に接近するに従って増幅率は小さくなるの
で、熱源への供給電力も少なくなる。したがって、槽内
温度は緩やかに設定温度に到達する。そして、設定温度
に到達した立上がり以降においても、周囲温度の変化に
対して過敏な反応を防止して、槽内温度を一定に維持す
る。以下、本発明の一実施例を説明する。
発振器の図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は簡略又は省略する。恒温型発
振器は、前述したようにコルピッツ型とした水晶発振回
路と、水晶振動子3の金属容器5にヒータ線6を巻回し
た恒温槽1、及び分割バイアス抵抗R(1、2、3、4)、
但しR3はサーミスタRT1、帰還分割抵抗R(a、b)
を有するオペアンプ7を具備した熱源制御回路2からな
る。そして、この実施例では、前述したオペアンプ7の
帰還内抵抗RbにサーミスタRT2を接続してなる。帰還
内抵抗Rbは従来例よりも小さく、サーミスタRT2の常
温での抵抗値は大きくする。例えば帰還内抵抗Rbとサ
ーミスタRT2の常温での抵抗値との合成値は、従来例の
帰還内抵抗Rbの抵抗値と同じにする。
ーミスタRT2を接続するので、合成帰還内抵抗(Rb+
RT2)は常温での抵抗値を大きくし、温度上昇に伴って
小さくなる。したがって、オペアンプ7の増幅率は常温
では大きく、温度上昇に伴って小さくなる。そして、周
波数温度特性の極小値近傍とした恒温槽1(水晶振動
子)の設定温度約70℃では、サーミスタRT2の抵抗値
が小さくなるので、概ね帰還内抵抗Rbの抵抗値にな
る。
は、基準電圧と比較電圧との差電圧が大きな増幅率Aに
従って増幅されるので、トランジスタのコレクタ側に設
けたヒータの発熱量も大きくなる。したがって、電源投
入時には前述同様に槽内温度は急速に上昇する。そし
て、槽内温度の上昇とともに差電圧が小さくなると同時
に、オペアンプ7の増幅率は小さくなる。したがって、
設定温度に接近するに従い、ヒータの発熱量も小さくな
る。
時に設定温度に急接近して、その後緩やかに設定温度に
接近して到達する。そして、リンギングの幅も小さくし
て槽内温度を安定に維持する。したがって、発振周波数
は槽内温度に追従して、早く立上がるとともに安定にな
る。また、立上がり後の動作中において、周囲温度に変
化があっても緩やかに追従するので、発振周波数を安定
にする。
増幅器としたが、例えば第3図に示したように非反転型
としてもよい。すなわち、この場合にはオペアンプの−
端子に分割抵抗R(1、2)からの電圧を、+端子に分
割抵抗R3とサーミスタRT1とからの電圧を供給すれば
よい。この場合にも、電源投入時には増幅率は大きく、
槽内温度の上昇とともに増幅率は小さくなるので、リン
ギングの幅も小さくして槽内温度を安定に維持する。但
し、反転型での増幅率は1+(Rb+RT2)/Raであ
る。
を設けて恒温槽1としたが、水晶振動子3を熱源の設け
られた金属筒内に挿入されていてもよく、要は水晶片が
一定温度に維持される構成であればよい。さらに、恒温
槽1は水晶振動子のみならず発振器全体あるいは一部を
収容してもよく、これらは任意に選定できる。そして、
水晶発振器を例として説明したが、例えばLC発振器等
の場合であっても適用できる。また、熱源はヒータ線と
したが、セラミックヒータ等であってもよい。
サーミスタを接続し、電源投入時には増幅率を大きく
し、時間の経過とともに増幅率を小さくしたので、槽内
温度が設定温度に早期に到達してリンギングを防止し、
立上がりを良好にして発振周波数が安定な発振器を提供
できる。
に熱源制御回路図である。
路図である。
る。
振動子の正面図である。
図である。
抗特性図である。
抗特性図である。
リード線、5 金属容器、6 ヒータ線、7 オペアン
プ、8 トランジスタ.
Claims (1)
- 【請求項1】帰還抵抗を有するオペアンプによって恒温
槽の熱源を制御した発振器において、前記オペアンプの
帰還抵抗に温度上昇とともに抵抗値の小さくなるサーミ
スタを接続し、電源投入時には前記オペアンプの増幅率
を大きくし、時間の経過とともに増幅率を小さくしたこ
とを特徴とする恒温槽を用いた発振器。
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