JP2001251139A - マイクロ波発振回路 - Google Patents
マイクロ波発振回路Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 負荷インピーダンスの変動に対し発振の安定
性を維持できるマイクロ波発振回路を提供すること。 【解決手段】 発振用トランジスタ４のベース端子に接
続されたフィードバック側回路を構成するスタブ１と出
力側に接続された発振側回路を構成するスタブ２と誘電
体共振器３を備えたマイクロ波発振器において、ベース
電圧を決定するバイアス抵抗８をスタブ１とベース端子
の接続点の近傍に配置し、抵抗値をベース側から電圧供
給側を見たときにハイインピーダンスとなる値とする。
また、電源供給用レイアウト５の近傍に配置されたベー
スバイアス微調整用抵抗７と前記ベースバイアス抵抗８
の間を発振周波数に対してハイインピーダンスとなる配
線パターン９で接続する。
性を維持できるマイクロ波発振回路を提供すること。 【解決手段】 発振用トランジスタ４のベース端子に接
続されたフィードバック側回路を構成するスタブ１と出
力側に接続された発振側回路を構成するスタブ２と誘電
体共振器３を備えたマイクロ波発振器において、ベース
電圧を決定するバイアス抵抗８をスタブ１とベース端子
の接続点の近傍に配置し、抵抗値をベース側から電圧供
給側を見たときにハイインピーダンスとなる値とする。
また、電源供給用レイアウト５の近傍に配置されたベー
スバイアス微調整用抵抗７と前記ベースバイアス抵抗８
の間を発振周波数に対してハイインピーダンスとなる配
線パターン９で接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波発振回路
に関し、特に誘電体共振器を用いたマイクロ波発振回路
に関する。
に関し、特に誘電体共振器を用いたマイクロ波発振回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波発振回路、特に誘電体
共振器を用いた動作周波数でゲインを低くして使用され
る回路形式のマイクロ波発振回路としては図２に示すも
のがある。このマイクロ波発振回路は、スタブ５１，５
２と誘電体共振器５３とバイポーラトランジスタまたは
電界効果トランジスタ（以下、トランジスタという）５
４とバイアス抵抗を含むバイアス回路５５と発振出力端
子５６などから構成されている。
共振器を用いた動作周波数でゲインを低くして使用され
る回路形式のマイクロ波発振回路としては図２に示すも
のがある。このマイクロ波発振回路は、スタブ５１，５
２と誘電体共振器５３とバイポーラトランジスタまたは
電界効果トランジスタ（以下、トランジスタという）５
４とバイアス抵抗を含むバイアス回路５５と発振出力端
子５６などから構成されている。
【０００３】スタブ５１は、後述する誘電体共振器５３
とともに基本的なマイクロ波発振回路を構成するもので
ある。
とともに基本的なマイクロ波発振回路を構成するもので
ある。
【０００４】スタブ５２はフィードバック回路を構成
し、発振出力を向上させるものである。
し、発振出力を向上させるものである。
【０００５】誘電体共振器５３は、共振器として動作す
る誘電率の十分大きい誘電体である。
る誘電率の十分大きい誘電体である。
【０００６】トランジスタ５４は、発振器として動作す
るバイポーラトランジスタまたは電界効果トランジスタ
である。
るバイポーラトランジスタまたは電界効果トランジスタ
である。
【０００７】バイアス回路５５は、トランジスタ５４の
ベース(ゲート)およびコレクタ(ドレイン)へ直流電源を
供給するものであり、高周波回路の構成と関連せず別個
に構成されている。発振出力端子５６は、発振出力を取
り出すものである。
ベース(ゲート)およびコレクタ(ドレイン)へ直流電源を
供給するものであり、高周波回路の構成と関連せず別個
に構成されている。発振出力端子５６は、発振出力を取
り出すものである。
【０００８】次に、動作について説明する。このマイク
ロ波発振回路は、誘電体共振器５３とスタブ５２により
基本的な発振回路を構成し、スタブ５１によりフィード
バック回路を構成して発振出力を向上させ、バイアス回
路５５から直流電源が供給されるトランジスタ５３を発
振させ、その発振出力を発振出力端子５６から取り出
す。
ロ波発振回路は、誘電体共振器５３とスタブ５２により
基本的な発振回路を構成し、スタブ５１によりフィード
バック回路を構成して発振出力を向上させ、バイアス回
路５５から直流電源が供給されるトランジスタ５３を発
振させ、その発振出力を発振出力端子５６から取り出
す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波発振
回路は以上のように構成されているので、出力側の負荷
インピーダンスが変動すると、スタブ５２のインピーダ
ンス状態が変動し発振特性を不安定にするが、同時にス
タブ５１側の動作安定性も悪化させてしまう課題があっ
た。
回路は以上のように構成されているので、出力側の負荷
インピーダンスが変動すると、スタブ５２のインピーダ
ンス状態が変動し発振特性を不安定にするが、同時にス
タブ５１側の動作安定性も悪化させてしまう課題があっ
た。
【００１０】また、発振回路構成がフィードバック型で
あるため、トランジスタ５４のベース・コレクタ間（電
界効果トランジスタの場合、ゲート・ドレイン間）のア
イソレーションが悪く、出力側の変動がベース（または
ゲート）側へ伝達され、不安定性を増長させる課題があ
った。
あるため、トランジスタ５４のベース・コレクタ間（電
界効果トランジスタの場合、ゲート・ドレイン間）のア
イソレーションが悪く、出力側の変動がベース（または
ゲート）側へ伝達され、不安定性を増長させる課題があ
った。
【００１１】本発明は、このような課題を解消するため
になされたものであり、本発明の目的は、負荷インピー
ダンスの変動に対し発振の安定性を維持できるマイクロ
波発振回路を提供することにある。
になされたものであり、本発明の目的は、負荷インピー
ダンスの変動に対し発振の安定性を維持できるマイクロ
波発振回路を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波発振回路は、フィードバック側回路を構成する第１の
伝送線路と接続するトランジスタの入力側におけるベー
ス端子近傍に配置されて当該トランジスタのベース電圧
を決定し、前記ベース電圧の供給側をみたときのインピ
ーダンスをハイインピーダンスにする抵抗値を有したベ
ースバイアス抵抗を備えていることを特徴とする。
波発振回路は、フィードバック側回路を構成する第１の
伝送線路と接続するトランジスタの入力側におけるベー
ス端子近傍に配置されて当該トランジスタのベース電圧
を決定し、前記ベース電圧の供給側をみたときのインピ
ーダンスをハイインピーダンスにする抵抗値を有したベ
ースバイアス抵抗を備えていることを特徴とする。
【００１３】この発明のマイクロ波発振回路は、フィー
ドバック側回路である第１の伝送線路とトランジスタの
ベース端子との接続点近傍へベースバイアス抵抗を配置
することで、当該ベースバイアス抵抗の抵抗値により、
ベース電圧印加側をみたときのインピーダンスを十分に
高いインピーダンスとなるようにして、高周波インピー
ダンスを安定化させ、発振成分によるベース電圧の振幅
変調現象を回避し、発振の安定性、発振出力レベルにつ
いての安定性の向上を図る。
ドバック側回路である第１の伝送線路とトランジスタの
ベース端子との接続点近傍へベースバイアス抵抗を配置
することで、当該ベースバイアス抵抗の抵抗値により、
ベース電圧印加側をみたときのインピーダンスを十分に
高いインピーダンスとなるようにして、高周波インピー
ダンスを安定化させ、発振成分によるベース電圧の振幅
変調現象を回避し、発振の安定性、発振出力レベルにつ
いての安定性の向上を図る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態につ
いて説明する。図１は、この実施の形態のマイクロスト
リップ線路を用いて構成されたマイクロ波発振回路を示
す回路レイアウト図であり、スタブ(第１の伝送線路)１
とスタブ（第２の伝送線路）２、誘電体共振器３、バイ
ポーラトランジスタまたは電界効果トランジスタである
トランジスタ４、直流電源供給用レイアウトパターン部
５、発振出力端子６、ベースバイアス抵抗(微調整用ベ
ースバイアス抵抗)７、ベースバイアス抵抗８、ベース
電圧供給用レイアウトパターン部９、コレクタバイアス
抵抗１０、コレクタ電圧供給用レイアウトパターン部
(コレクタ電圧供給回路)１１、扇型オープンスタブ(コ
レクタ電圧供給回路)１２、低周波寄生発振抑制用キャ
パシタ１３、グランド側レイアウトパターン部１４、出
力負荷キャパシタ１５などから構成されている。
いて説明する。図１は、この実施の形態のマイクロスト
リップ線路を用いて構成されたマイクロ波発振回路を示
す回路レイアウト図であり、スタブ(第１の伝送線路)１
とスタブ（第２の伝送線路）２、誘電体共振器３、バイ
ポーラトランジスタまたは電界効果トランジスタである
トランジスタ４、直流電源供給用レイアウトパターン部
５、発振出力端子６、ベースバイアス抵抗(微調整用ベ
ースバイアス抵抗)７、ベースバイアス抵抗８、ベース
電圧供給用レイアウトパターン部９、コレクタバイアス
抵抗１０、コレクタ電圧供給用レイアウトパターン部
(コレクタ電圧供給回路)１１、扇型オープンスタブ(コ
レクタ電圧供給回路)１２、低周波寄生発振抑制用キャ
パシタ１３、グランド側レイアウトパターン部１４、出
力負荷キャパシタ１５などから構成されている。
【００１５】スタブ１は、トランジスタ４のベース端子
にその一端が接続され、また他端は誘電体共振器３と結
合するようにレイアウトされており、誘電体共振器３と
ともにフィードバック側回路を構成している。
にその一端が接続され、また他端は誘電体共振器３と結
合するようにレイアウトされており、誘電体共振器３と
ともにフィードバック側回路を構成している。
【００１６】スタブ２はトランジスタ４のコレクタ端子
にその一端が接続され、また他端は誘電体共振器３と結
合するようにパターンレイアウトされており、誘電体共
振器３とともに発振側回路を構成している。
にその一端が接続され、また他端は誘電体共振器３と結
合するようにパターンレイアウトされており、誘電体共
振器３とともに発振側回路を構成している。
【００１７】誘電体共振器３は、スタブ１およびスタブ
２と共振周波数ｆ0 で結合するように配置されている。
２と共振周波数ｆ0 で結合するように配置されている。
【００１８】トランジスタ４は、エミッタ(ソース)接地
で使用されるバイポーラトランジスタまたは電界効果ト
ランジスタである。
で使用されるバイポーラトランジスタまたは電界効果ト
ランジスタである。
【００１９】直流電源供給用レイアウトパターン部５
は、トランジスタ４のベース電圧およびコレクタ電圧を
供給するための例えばＤＣ５Ｖが印加されるレイアウト
パターン部である。
は、トランジスタ４のベース電圧およびコレクタ電圧を
供給するための例えばＤＣ５Ｖが印加されるレイアウト
パターン部である。
【００２０】発振出力端子６は、トランジスタ４のコレ
クタ端子から発振出力を取り出すものである。
クタ端子から発振出力を取り出すものである。
【００２１】ベースバイアス抵抗７およびベースバイア
ス抵抗８は、トランジスタ４のコレクタ電流を決定する
ベース電圧を与えるものである。
ス抵抗８は、トランジスタ４のコレクタ電流を決定する
ベース電圧を与えるものである。
【００２２】ベースバイアス抵抗７の抵抗値をＲｂ２、
ベースバイアス抵抗８の抵抗値をＲｂ１としたときの、
ベースバイアス抵抗７およびベースバイアス抵抗８によ
るベース電圧を生成する抵抗値（Ｒｂ１+Ｒｂ２）は通
常５Ｋ〜１５ＫΩであり、ベースバイアス抵抗８で電圧
粗調整、ベースバイアス抵抗７で電圧微調整を行う構成
とする。
ベースバイアス抵抗８の抵抗値をＲｂ１としたときの、
ベースバイアス抵抗７およびベースバイアス抵抗８によ
るベース電圧を生成する抵抗値（Ｒｂ１+Ｒｂ２）は通
常５Ｋ〜１５ＫΩであり、ベースバイアス抵抗８で電圧
粗調整、ベースバイアス抵抗７で電圧微調整を行う構成
とする。
【００２３】なお、ベースバイアス抵抗８は、フィード
バック側回路を構成するスタブ１とトランジスタ４のベ
ース端子との接続点の直近へ配置する。
バック側回路を構成するスタブ１とトランジスタ４のベ
ース端子との接続点の直近へ配置する。
【００２４】ベース電圧供給用レイアウトパターン部９
は、直流電源供給用レイアウトパターン部５へ供給され
た直流電圧をもとに、ベースバイアス抵抗７およびベー
スバイアス抵抗８を介してトランジスタ４のベース端子
へベース電圧を供給するための配線パターンである。こ
のベース電圧供給用レイアウトパターン部９は例えば５
０μｍ〜１００μｍ程度の幅で形成されている。
は、直流電源供給用レイアウトパターン部５へ供給され
た直流電圧をもとに、ベースバイアス抵抗７およびベー
スバイアス抵抗８を介してトランジスタ４のベース端子
へベース電圧を供給するための配線パターンである。こ
のベース電圧供給用レイアウトパターン部９は例えば５
０μｍ〜１００μｍ程度の幅で形成されている。
【００２５】なお、ベースバイアス抵抗７とベースバイ
アス抵抗８とベース電圧供給用レイアウトパターン部９
とにより、トランジスタ４のベース電圧印加回路を構成
している。
アス抵抗８とベース電圧供給用レイアウトパターン部９
とにより、トランジスタ４のベース電圧印加回路を構成
している。
【００２６】コレクタバイアス抵抗１０は、直流電源供
給用レイアウトパターン部５から供給された直流電圧を
もとにトランジスタ４のコレクタに供給する電圧を生成
するものである。
給用レイアウトパターン部５から供給された直流電圧を
もとにトランジスタ４のコレクタに供給する電圧を生成
するものである。
【００２７】コレクタ電圧供給用レイアウトパターン部
１１は、前記コレクタバイアス抵抗１０により生成され
た電圧をトランジスタ４のコレクタに供給するためのレ
イアウトパターン部である。
１１は、前記コレクタバイアス抵抗１０により生成され
た電圧をトランジスタ４のコレクタに供給するためのレ
イアウトパターン部である。
【００２８】扇型オープンスタブ１２は、トランジスタ
４の発振出力に対するコレクタ電圧供給用レイアウトパ
ターン部１１側のインピーダンスをハイインピーダンス
にするキャパシタンスとして作用するものであり、前記
発振出力の直流電源供給用レイアウトパターン部５側へ
の回り込みを阻止するためのものである。
４の発振出力に対するコレクタ電圧供給用レイアウトパ
ターン部１１側のインピーダンスをハイインピーダンス
にするキャパシタンスとして作用するものであり、前記
発振出力の直流電源供給用レイアウトパターン部５側へ
の回り込みを阻止するためのものである。
【００２９】低周波寄生発振抑制用キャパシタ１３は、
低周波の寄生発振を抑制するためのものであり、直流電
源供給用レイアウトパターン部５とグランド側レイアウ
トパターン部１４との間に接続されている。
低周波の寄生発振を抑制するためのものであり、直流電
源供給用レイアウトパターン部５とグランド側レイアウ
トパターン部１４との間に接続されている。
【００３０】出力負荷キャパシタ１５は、直流分を阻止
し、また発振出力を取り出すためのものである。
し、また発振出力を取り出すためのものである。
【００３１】次に、動作について説明する。スタブ２お
よび誘電体共振器３からなる発振回路と、スタブ１およ
び誘電体共振器３からなるフィードバック回路とを接続
したトランジスタ４に直流電圧を印加し、発振器として
動作させる。この際、トランジスタ４のベースリードお
よびコレクタリードの近傍電圧は発振電力により振られ
ており、これらは周辺回路のインピーダンスにも大きく
影響を受ける。
よび誘電体共振器３からなる発振回路と、スタブ１およ
び誘電体共振器３からなるフィードバック回路とを接続
したトランジスタ４に直流電圧を印加し、発振器として
動作させる。この際、トランジスタ４のベースリードお
よびコレクタリードの近傍電圧は発振電力により振られ
ており、これらは周辺回路のインピーダンスにも大きく
影響を受ける。
【００３２】このようなマイクロ波発振回路において安
定な発振を得るためには、トランジスタ４に印加してい
る電圧が高周波電力の影響を受けず安定であり、かつ周
辺回路のインピーダンスが安定であることが必要であ
る。
定な発振を得るためには、トランジスタ４に印加してい
る電圧が高周波電力の影響を受けず安定であり、かつ周
辺回路のインピーダンスが安定であることが必要であ
る。
【００３３】トランジスタ４のコレクタ側からは発振出
力を取り出しており、負荷インピーダンスの変動に対す
る安定性は、出力端にＬ型またはπ型の減衰器を構成す
ることで実現できる。
力を取り出しており、負荷インピーダンスの変動に対す
る安定性は、出力端にＬ型またはπ型の減衰器を構成す
ることで実現できる。
【００３４】一方、トランジスタ４のベース側は外部へ
インタフェースを持たないため、発振動作の安定性を得
るには発振回路ブロック内で対策を施す必要がある。こ
れに対し、スタブ１の先端のインピーダンス（無限大）
だけでフィードバック側回路のインピーダンス安定性を
保つのは困難であるが、フィードバック側回路であるス
タブ１とトランジスタ４のベース端子との接続点の近傍
へベース電圧を決定するベースバイアス抵抗８を配置す
ることで、ベースバイアス抵抗８による抵抗値（１０ｋ
Ωのオーダ）により、５０Ω系で構成された発振回路よ
りみたベース電圧印加回路は十分に高いインピーダンス
となり、高周波インピーダンスを安定化させることが出
来、発振成分によるベース電圧の振幅変調を回避できる
ことに加え、発振の安定性、発振出力のレベルについて
の安定性が得られる。
インタフェースを持たないため、発振動作の安定性を得
るには発振回路ブロック内で対策を施す必要がある。こ
れに対し、スタブ１の先端のインピーダンス（無限大）
だけでフィードバック側回路のインピーダンス安定性を
保つのは困難であるが、フィードバック側回路であるス
タブ１とトランジスタ４のベース端子との接続点の近傍
へベース電圧を決定するベースバイアス抵抗８を配置す
ることで、ベースバイアス抵抗８による抵抗値（１０ｋ
Ωのオーダ）により、５０Ω系で構成された発振回路よ
りみたベース電圧印加回路は十分に高いインピーダンス
となり、高周波インピーダンスを安定化させることが出
来、発振成分によるベース電圧の振幅変調を回避できる
ことに加え、発振の安定性、発振出力のレベルについて
の安定性が得られる。
【００３５】なお、本実施の形態によるマイクロ波発振
回路では、出力側負荷インピーダンスが無限大の全反射
状態でも全位相に対し発振が止まることはない。また、
全反射全位相の負荷変動最悪条件下でも、発振回路全体
での部品点数の増加を招くことなく発振出力の変動幅を
２〜３ｄＢ改善できる。
回路では、出力側負荷インピーダンスが無限大の全反射
状態でも全位相に対し発振が止まることはない。また、
全反射全位相の負荷変動最悪条件下でも、発振回路全体
での部品点数の増加を招くことなく発振出力の変動幅を
２〜３ｄＢ改善できる。
【００３６】従って、この実施の形態によれば、負荷イ
ンピーダンスの変動に対する発振の安定性を部品点数を
増やすことなく維持できる効果がある。
ンピーダンスの変動に対する発振の安定性を部品点数を
増やすことなく維持できる効果がある。
【００３７】また、ベース電圧を決定するベースバイア
ス抵抗８を、フィードバック回路であるスタブ１とトラ
ンジスタ４との接続点のすぐ近傍へ配置することで、出
力負荷インピーダンスの変動に対し発振出力レベルの変
動を抑制できる効果がある。
ス抵抗８を、フィードバック回路であるスタブ１とトラ
ンジスタ４との接続点のすぐ近傍へ配置することで、出
力負荷インピーダンスの変動に対し発振出力レベルの変
動を抑制できる効果がある。
【００３８】なお、以上説明したように、ベース電圧形
成のための抵抗をベースバイアス抵抗７およびベースバ
イアス抵抗８に分割せず、スタブ１とトランジスタ４と
の接続点のすぐ近傍へ配置したベースバイアス抵抗８の
みとする構成でも同様の効果が得られる。
成のための抵抗をベースバイアス抵抗７およびベースバ
イアス抵抗８に分割せず、スタブ１とトランジスタ４と
の接続点のすぐ近傍へ配置したベースバイアス抵抗８の
みとする構成でも同様の効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フィー
ドバック側回路の第１の伝送線路とトランジスタのベー
ス端子との接続点の近傍へ、ベース電圧印加側をみたと
きのインピーダンスが十分に高いインピーダンスとなる
ような抵抗値を有したベースバイアス抵抗を配置するよ
うに構成したので、前記ベースバイアス抵抗により、ベ
ース電圧印加側をみたときのインピーダンスがハイイン
ピーダンスとなり、高周波インピーダンスが安定化し、
発振成分によるベース電圧の振幅変調現象が回避でき、
負荷インピーダンスの変動に対し発振の安定性、発振出
力レベルについての安定性の向上が図れる効果がある。
ドバック側回路の第１の伝送線路とトランジスタのベー
ス端子との接続点の近傍へ、ベース電圧印加側をみたと
きのインピーダンスが十分に高いインピーダンスとなる
ような抵抗値を有したベースバイアス抵抗を配置するよ
うに構成したので、前記ベースバイアス抵抗により、ベ
ース電圧印加側をみたときのインピーダンスがハイイン
ピーダンスとなり、高周波インピーダンスが安定化し、
発振成分によるベース電圧の振幅変調現象が回避でき、
負荷インピーダンスの変動に対し発振の安定性、発振出
力レベルについての安定性の向上が図れる効果がある。
【図１】この波の実施の形態のマイクロストリップ線路
を用いて構成されたマイクロ波発振回路を示す回路レイ
アウト図である。
を用いて構成されたマイクロ波発振回路を示す回路レイ
アウト図である。
【図２】従来のマイクロ波発振回路を示す回路レイアウ
ト図である。
ト図である。
１……スタブ（第１の伝送線路）、２……スタブ（第２
の伝送線路）、３……誘電体共振器、４……トランジス
タ、５……直流電源供給用レイアウトパターン部、７…
…ベースバイアス抵抗(微調整用ベースバイアス抵抗)、
８……ベースバイアス抵抗、９……ベース電圧供給用レ
イアウトパターン部、１０……コレクタバイアス抵抗、
１１……コレクタ電圧供給用レイアウトパターン部(コ
レクタ電圧供給回路)、１２……扇型オープンスタブ
（コレクタ電圧供給回路）。
の伝送線路）、３……誘電体共振器、４……トランジス
タ、５……直流電源供給用レイアウトパターン部、７…
…ベースバイアス抵抗(微調整用ベースバイアス抵抗)、
８……ベースバイアス抵抗、９……ベース電圧供給用レ
イアウトパターン部、１０……コレクタバイアス抵抗、
１１……コレクタ電圧供給用レイアウトパターン部(コ
レクタ電圧供給回路)、１２……扇型オープンスタブ
（コレクタ電圧供給回路）。
Claims (4)
- 【請求項１】 トランジスタの入力側へ接続されたフィ
ードバック側回路を構成する第１の伝送線路と、前記ト
ランジスタの出力側へ接続された発振側回路を構成する
第２の伝送線路と、前記第１の伝送線路および前記第２
の伝送線路と結合した誘電体共振器とを備え、直流電圧
の印加により発振する前記トランジスタの発振出力を前
記出力側から取り出すマイクロ波発振回路において、 前記第１の伝送線路と接続する前記トランジスタの入力
側におけるベース端子近傍に配置されて当該トランジス
タのベース電圧を決定し、前記ベース電圧の供給側をみ
たときのインピーダンスをハイインピーダンスにする抵
抗値を有したベースバイアス抵抗を備えている、 ことを特徴とするマイクロ波発振回路。 - 【請求項２】 直流電源供給用レイアウトパターン部の
近傍に配置され、前記直流電源供給用レイアウトパター
ン部から直流電圧が供給され、トランジスタのベース電
圧の微調整を行うための微調整用ベースバイアス抵抗
と、該微調整用ベースバイアス抵抗と前記ベースバイア
ス抵抗との間を接続する、発振出力に対しハイインピー
ダンスであるベース電圧供給用レイアウトパターン部と
を備えていることを特徴とする請求項１記載のマイクロ
波発振回路。 - 【請求項３】 前記トランジスタは、エミッタ接地接続
またはソース接地接続されていることを特徴とする請求
項１または請求項２記載のマイクロ波発振回路。 - 【請求項４】 直流電源供給用レイアウトパターン部の
近傍に配置され、前記直流電源供給用レイアウトパター
ン部から直流電圧が供給され、トランジスタのコレクタ
側へ供給する電圧を生成するコレクタバイアス抵抗と、
該コレクタバイアス抵抗で生成した電圧を、前記トラン
ジスタのコレクタ側へ供給する、発振出力に対しハイイ
ンピーダンスであるコレクタ電圧供給回路とを備えてい
ることを特徴とする請求項１、２または３記載のマイク
ロ波発振回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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