JP2001250877A - プラスチックパッケージの製造方法 - Google Patents
プラスチックパッケージの製造方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライフィルムの破れ、亀裂を防止し、めっ
き処理後のめっき用引き回し配線パターンのエッチング
除去を確実に行って、配線のショート検査や断線検査を
行うことができるプラスチックパッケージの製造方法を
提供する。 【解決手段】 ソルダーレジスト１３、１７の印刷を２
回に分けて、１回目の印刷厚みをメッキ用引き回し配線
パターン厚みと同程度にし、２回目の印刷で所定の厚み
にし、その間でめっき用引き回し配線パターンへのドラ
イフィルムの貼付、金属保護膜の形成、メッキ用引き回
し配線パターンのエッチングを行うようにする。
き処理後のめっき用引き回し配線パターンのエッチング
除去を確実に行って、配線のショート検査や断線検査を
行うことができるプラスチックパッケージの製造方法を
提供する。 【解決手段】 ソルダーレジスト１３、１７の印刷を２
回に分けて、１回目の印刷厚みをメッキ用引き回し配線
パターン厚みと同程度にし、２回目の印刷で所定の厚み
にし、その間でめっき用引き回し配線パターンへのドラ
イフィルムの貼付、金属保護膜の形成、メッキ用引き回
し配線パターンのエッチングを行うようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂基板の表層部
に表出しているめっき用引き回し配線パターンをめっき
処理した後にエッチングで除去するのに、ソルダーレジ
スト印刷を２回に分けて形成するプラスチックパッケー
ジの製造方法に関する。
に表出しているめっき用引き回し配線パターンをめっき
処理した後にエッチングで除去するのに、ソルダーレジ
スト印刷を２回に分けて形成するプラスチックパッケー
ジの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体素子の高性能化、小型化に
ともない、半導体素子を搭載するためのプラスチックパ
ッケージには、外部接続端子の多端子化、半導体素子の
実装性、低コスト化、放熱特性、低インピーダンス化等
の観点から、ボールグリッドアレイタイプのプラスチッ
クパッケージ（ＰＢＧＡ）が多く用いられている。この
ＰＢＧＡは、両面にＣｕ箔を張って形成した導体層を備
えたＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分に
した樹脂）やポリイミド樹脂等からなる１層又は多層の
高耐熱性の銅張り樹脂基板を基板として用いて、この銅
張り樹脂基板にヒートスラグを接合したキャビティダウ
ンタイプや、直接モールディングするタイプがある。そ
して、その製造工程は図３に示すように、銅張り樹脂基
板の表層にドライフィルムを露光、現像して形成したエ
ッチングレジストでＣｕ箔及びＣｕめっきから成るＣｕ
層をエッチングして導体パターンを形成し、更に、両面
表層の導体パターンとに導通を取るためのＣｕめっきに
よるスルーホール導体を形成する。そして、表層の半導
体素子を搭載するためのダイボンドエリアやワイヤボン
ドエリアあるいは、半田ボールを搭載するための半田ボ
ールエリア等に金属保護膜、例えば、Ｎｉメッキ及びＡ
ｕメッキを形成する。ここで、Ｎｉめっき及びＡｕめっ
きを形成するための工程は、Ｃｕ層から成るめっき用引
き回し配線パターンにめっき液から保護するためのめっ
きレジストとなるドライフィルムを貼着し、次にＮｉめ
っき及びＡｕめっきを形成し、ドライフィルムを剥離し
た後、めっき用引き回し配線パターンをエッチングで除
去するようにしている。なお、めっき用引き回し配線パ
ターンにドライフィルムを貼着する前に、実装時の半田
付け作業で導体パターンを半田付着から保護するため
に、所定厚みのソルダーレジストを印刷、乾燥してソル
ダーレジスト層を形成している。
ともない、半導体素子を搭載するためのプラスチックパ
ッケージには、外部接続端子の多端子化、半導体素子の
実装性、低コスト化、放熱特性、低インピーダンス化等
の観点から、ボールグリッドアレイタイプのプラスチッ
クパッケージ（ＰＢＧＡ）が多く用いられている。この
ＰＢＧＡは、両面にＣｕ箔を張って形成した導体層を備
えたＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分に
した樹脂）やポリイミド樹脂等からなる１層又は多層の
高耐熱性の銅張り樹脂基板を基板として用いて、この銅
張り樹脂基板にヒートスラグを接合したキャビティダウ
ンタイプや、直接モールディングするタイプがある。そ
して、その製造工程は図３に示すように、銅張り樹脂基
板の表層にドライフィルムを露光、現像して形成したエ
ッチングレジストでＣｕ箔及びＣｕめっきから成るＣｕ
層をエッチングして導体パターンを形成し、更に、両面
表層の導体パターンとに導通を取るためのＣｕめっきに
よるスルーホール導体を形成する。そして、表層の半導
体素子を搭載するためのダイボンドエリアやワイヤボン
ドエリアあるいは、半田ボールを搭載するための半田ボ
ールエリア等に金属保護膜、例えば、Ｎｉメッキ及びＡ
ｕメッキを形成する。ここで、Ｎｉめっき及びＡｕめっ
きを形成するための工程は、Ｃｕ層から成るめっき用引
き回し配線パターンにめっき液から保護するためのめっ
きレジストとなるドライフィルムを貼着し、次にＮｉめ
っき及びＡｕめっきを形成し、ドライフィルムを剥離し
た後、めっき用引き回し配線パターンをエッチングで除
去するようにしている。なお、めっき用引き回し配線パ
ターンにドライフィルムを貼着する前に、実装時の半田
付け作業で導体パターンを半田付着から保護するため
に、所定厚みのソルダーレジストを印刷、乾燥してソル
ダーレジスト層を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、めっき用引き回し配線パターンを、めっき処理
した後に、エッチングで除去して形成されるプラスチッ
クパッケージの製造方法では、未だ解決すべき次のよう
な問題があった。 （１）ソルダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線
パターン厚みとの段差が大きいので、ドライフィルムを
貼着した時、この段差にドライフィルムが追従できな
い。これによって、ソルダーレジスト厚みとめっき用引
き回し配線パターン厚みとの段差部分でドライフィルム
が破れやすい。なお、ソルダーレジスト厚みは、ソルダ
ーレジストが後工程の半田付け作業で半田を付けてはい
けない部分を保護したり、Ｃｕ導体表面を外部環境から
保護するための役目をするので、それに耐えるだけの厚
みが必要になる。 （２）ドライフィルムが破れたり、亀裂が入ると、Ｎｉ
めっきやＡｕめっき工程でめっき液のしみ込みが起こ
り、めっき用引き回し配線パターンにＮｉめっきやＡｕ
めっきが形成され、めっき用引き回し配線パターンがエ
ッチングで除去できなくて残ってしまう。 （３）ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるために、
ドライフィルムの厚みを厚くして対応した場合には、フ
ォトレジストからなるドライフィルムを現像する時のパ
ターン解像度を低下させるので、正確なめっきレジスト
パターンが形成できない。 （４）めっき用引き回し配線パターンがエッチングで除
去できなくて、配線が繋がっている場合には、プラスチ
ックパッケージとしての特性検査であるショートや断線
の検査ができなくなる。 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、めっき用引き回し配線パターンを、めっき処理した
後に、エッチングで除去して形成されるプラスチックパ
ッケージにおいて、ソルダーレジスト印刷を２回に分け
て、１回目の印刷厚みをめっき用引き回し配線パターン
厚みと同程度にし、２回目の印刷で所定の厚みにし、そ
の間でドライフィルム貼付工程を行うことで、ドライフ
ィルムの破れ、亀裂を防止し、めっき用引き回し配線パ
ターンを確実にエッチングで除去し、配線のショート検
査や断線検査を行うことができるプラスチックパッケー
ジの製造方法を提供することを目的とする。
ように、めっき用引き回し配線パターンを、めっき処理
した後に、エッチングで除去して形成されるプラスチッ
クパッケージの製造方法では、未だ解決すべき次のよう
な問題があった。 （１）ソルダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線
パターン厚みとの段差が大きいので、ドライフィルムを
貼着した時、この段差にドライフィルムが追従できな
い。これによって、ソルダーレジスト厚みとめっき用引
き回し配線パターン厚みとの段差部分でドライフィルム
が破れやすい。なお、ソルダーレジスト厚みは、ソルダ
ーレジストが後工程の半田付け作業で半田を付けてはい
けない部分を保護したり、Ｃｕ導体表面を外部環境から
保護するための役目をするので、それに耐えるだけの厚
みが必要になる。 （２）ドライフィルムが破れたり、亀裂が入ると、Ｎｉ
めっきやＡｕめっき工程でめっき液のしみ込みが起こ
り、めっき用引き回し配線パターンにＮｉめっきやＡｕ
めっきが形成され、めっき用引き回し配線パターンがエ
ッチングで除去できなくて残ってしまう。 （３）ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるために、
ドライフィルムの厚みを厚くして対応した場合には、フ
ォトレジストからなるドライフィルムを現像する時のパ
ターン解像度を低下させるので、正確なめっきレジスト
パターンが形成できない。 （４）めっき用引き回し配線パターンがエッチングで除
去できなくて、配線が繋がっている場合には、プラスチ
ックパッケージとしての特性検査であるショートや断線
の検査ができなくなる。 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、めっき用引き回し配線パターンを、めっき処理した
後に、エッチングで除去して形成されるプラスチックパ
ッケージにおいて、ソルダーレジスト印刷を２回に分け
て、１回目の印刷厚みをめっき用引き回し配線パターン
厚みと同程度にし、２回目の印刷で所定の厚みにし、そ
の間でドライフィルム貼付工程を行うことで、ドライフ
ィルムの破れ、亀裂を防止し、めっき用引き回し配線パ
ターンを確実にエッチングで除去し、配線のショート検
査や断線検査を行うことができるプラスチックパッケー
ジの製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係るプラスチックパッケージの製造方法は、樹脂基板の
表層部に表出しているめっき用引き回し配線パターンを
備え、めっき処理した後に、めっき用引き回し配線パタ
ーンをエッチングで除去するプラスチックパッケージの
製造方法において、めっき用引き回し配線パターンを除
く回路配線パターンの必要箇所の上部領域に第一のソル
ダーレジスト層を形成する工程と、めっき用引き回し配
線パターンが形成された領域にドライフィルムを貼着
し、パターンマスクを装着して露光し、現像してレジス
トフィルムを形成する工程と、第一のソルダーレジスト
層の開口部の回路配線パターンに金属保護膜を形成する
工程と、レジストフィルムを剥離して除去する工程と、
めっき用引き回し配線パターンをエッチングして除去す
る工程と、めっき用引き回し配線パターンが除去された
領域及び第一のソルダーレジスト層に第二のソルダーレ
ジスト層を形成する工程とを有している。これにより、
ソルダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線パター
ン厚みとの段差を少なくして、ドライフィルムを形成し
た時、段差部分でドライフィルムの破れや、亀裂を防止
し、ＮｉめっきやＡｕめっき工程でのめっき液のしみ込
みをなくし、ＮｉめっきやＡｕめっきによるめっき用引
き回し配線パターンのエッチングが確実にできるように
なる。また、ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるた
めに、ドライフィルムの厚みを厚くする必要がないの
で、フォトレジストからなるドライフィルムを現像する
時のパターン解像度を低下させるといった問題も発生せ
ず、正確なめっきレジストパターンが形成できる。さら
には、めっき用引き回し配線パターンはエッチングで確
実に除去できるので、プラスチックパッケージとしての
特性検査であるショートや断線の検査が確実にでき、信
頼性の高いプラスチックパッケージを提供することがで
きる。ここで、第一のソルダーレジスト層のパターン寸
法より、第二のソルダーレジスト層のパターン寸法を小
さくすることができる。これにより、第一と第二のソル
ダーレジスト層の間にパターンズレが発生した場合で
も、そのズレを吸収できる。
係るプラスチックパッケージの製造方法は、樹脂基板の
表層部に表出しているめっき用引き回し配線パターンを
備え、めっき処理した後に、めっき用引き回し配線パタ
ーンをエッチングで除去するプラスチックパッケージの
製造方法において、めっき用引き回し配線パターンを除
く回路配線パターンの必要箇所の上部領域に第一のソル
ダーレジスト層を形成する工程と、めっき用引き回し配
線パターンが形成された領域にドライフィルムを貼着
し、パターンマスクを装着して露光し、現像してレジス
トフィルムを形成する工程と、第一のソルダーレジスト
層の開口部の回路配線パターンに金属保護膜を形成する
工程と、レジストフィルムを剥離して除去する工程と、
めっき用引き回し配線パターンをエッチングして除去す
る工程と、めっき用引き回し配線パターンが除去された
領域及び第一のソルダーレジスト層に第二のソルダーレ
ジスト層を形成する工程とを有している。これにより、
ソルダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線パター
ン厚みとの段差を少なくして、ドライフィルムを形成し
た時、段差部分でドライフィルムの破れや、亀裂を防止
し、ＮｉめっきやＡｕめっき工程でのめっき液のしみ込
みをなくし、ＮｉめっきやＡｕめっきによるめっき用引
き回し配線パターンのエッチングが確実にできるように
なる。また、ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるた
めに、ドライフィルムの厚みを厚くする必要がないの
で、フォトレジストからなるドライフィルムを現像する
時のパターン解像度を低下させるといった問題も発生せ
ず、正確なめっきレジストパターンが形成できる。さら
には、めっき用引き回し配線パターンはエッチングで確
実に除去できるので、プラスチックパッケージとしての
特性検査であるショートや断線の検査が確実にでき、信
頼性の高いプラスチックパッケージを提供することがで
きる。ここで、第一のソルダーレジスト層のパターン寸
法より、第二のソルダーレジスト層のパターン寸法を小
さくすることができる。これにより、第一と第二のソル
ダーレジスト層の間にパターンズレが発生した場合で
も、そのズレを吸収できる。
【０００５】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係るプラスチックパッケージの製造方法を適用して
製造されたプラスチックパッケージの側断面図、図２は
本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの
製造方法を説明するための部分拡大側断面図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係るプラスチックパッケージの製造方法を適用して
製造されたプラスチックパッケージの側断面図、図２は
本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッケージの
製造方法を説明するための部分拡大側断面図である。
【０００６】先ず、図１を参照して、本発明の一実施の
形態に係るプラスチックパッケージの製造方法を適用し
て製造するプラスチックパッケージについての構造を説
明する。樹脂基板の一例である銅張り樹脂基板１１は、
両面にＣｕ箔を接合して形成した導体層を備えたＢＴ樹
脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）
やポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、
加工性に優れた樹脂を基材とする１層又は多層の樹脂基
板からなり、その両面にはＣｕ箔上面にめっきを行って
導体パターンやパッド（いずれも図示せず）が形成され
ている。この銅張り樹脂基板１１の下面には接続端子電
極としての多数の半田ボール１２が形成されている。そ
して、半田ボール１２以外の露出面には、ソルダーレジ
スト１３が形成されている。また、銅張り樹脂基板１１
の上面表層の配線パターンと、銅張り樹脂基板１１の下
面の半田ボールは、ドリル穿孔後Ｃｕめっきが形成され
た多数のスルーホールを介して電気的に接続されてい
る。銅張り樹脂基板１１の上面には、回路配線パターン
領域のうち、半導体素子１４とボンディングワイヤ１５
を介して接続されるワイヤボンドパッド、封止樹脂１６
を注入するとき使用される鋳込み口部分及びめっき用引
き回し配線パターンを除く領域にソルダーレジスト１７
が形成されている。この後、ダイボンディング領域のソ
ルダーレジスト１８の上から半導体素子１４がＡｇペー
スト等で接着され、半導体素子１４の電極と銅張り樹脂
基板１１のワイヤボンドパッドとはＡｕ線等からなるボ
ンディングワイヤ１５で電気的に導通状態にされてい
る。そして、半導体素子１４やボンディングワイヤ１５
は、エポキシ樹脂等の封止樹脂１６でトランスファーモ
ールド成形で封止されている。
形態に係るプラスチックパッケージの製造方法を適用し
て製造するプラスチックパッケージについての構造を説
明する。樹脂基板の一例である銅張り樹脂基板１１は、
両面にＣｕ箔を接合して形成した導体層を備えたＢＴ樹
脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）
やポリイミド樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、
加工性に優れた樹脂を基材とする１層又は多層の樹脂基
板からなり、その両面にはＣｕ箔上面にめっきを行って
導体パターンやパッド（いずれも図示せず）が形成され
ている。この銅張り樹脂基板１１の下面には接続端子電
極としての多数の半田ボール１２が形成されている。そ
して、半田ボール１２以外の露出面には、ソルダーレジ
スト１３が形成されている。また、銅張り樹脂基板１１
の上面表層の配線パターンと、銅張り樹脂基板１１の下
面の半田ボールは、ドリル穿孔後Ｃｕめっきが形成され
た多数のスルーホールを介して電気的に接続されてい
る。銅張り樹脂基板１１の上面には、回路配線パターン
領域のうち、半導体素子１４とボンディングワイヤ１５
を介して接続されるワイヤボンドパッド、封止樹脂１６
を注入するとき使用される鋳込み口部分及びめっき用引
き回し配線パターンを除く領域にソルダーレジスト１７
が形成されている。この後、ダイボンディング領域のソ
ルダーレジスト１８の上から半導体素子１４がＡｇペー
スト等で接着され、半導体素子１４の電極と銅張り樹脂
基板１１のワイヤボンドパッドとはＡｕ線等からなるボ
ンディングワイヤ１５で電気的に導通状態にされてい
る。そして、半導体素子１４やボンディングワイヤ１５
は、エポキシ樹脂等の封止樹脂１６でトランスファーモ
ールド成形で封止されている。
【０００７】そして、本発明の一実施の形態に係るプラ
スチックパッケージの製造方法は、図２に示すように、
概略すると、（１）第一のソルダーレジスト形成工程、
（２）ドライフィルムを貼付し、露光、現像するめっき
レジストパターン形成工程、（３）金属保護膜形成工
程、（４）ドライフィルム剥離工程、（５）めっき用引
き回し配線パターンエッチング工程、（６）第二のソル
ダーレジスト形成工程、の各工程を有している。
スチックパッケージの製造方法は、図２に示すように、
概略すると、（１）第一のソルダーレジスト形成工程、
（２）ドライフィルムを貼付し、露光、現像するめっき
レジストパターン形成工程、（３）金属保護膜形成工
程、（４）ドライフィルム剥離工程、（５）めっき用引
き回し配線パターンエッチング工程、（６）第二のソル
ダーレジスト形成工程、の各工程を有している。
【０００８】（１）第一のソルダーレジスト層形成工程 先ず、樹脂基板の一例である銅張り樹脂基板２１を準備
する。この銅張り樹脂基板２１は、両面にＣｕ箔２２を
接合して形成した導体層を備えたＢＴ樹脂（ビスマイレ
イミドトリアジンを主成分にした樹脂）やポリイミド樹
脂等からなる１層又は多層の高耐熱性の樹脂基板から成
る。Ｃｕ箔２２の厚みは通常１８〜７０μｍのものがあ
り、銅の純度は９９．８％以上のものが使用される。こ
の銅張り樹脂基板２１に単軸のボール盤や単軸又は複数
軸の数値制御方式ボール盤（ＮＣドリルマシン）を使用
し、超硬合金等からなる孔あけドリルを高速回転（例え
ば、１５０００ｒｐｍ程度〜１０００００ｒｐｍ程度）
させてスルーホール２３を穿設する。
する。この銅張り樹脂基板２１は、両面にＣｕ箔２２を
接合して形成した導体層を備えたＢＴ樹脂（ビスマイレ
イミドトリアジンを主成分にした樹脂）やポリイミド樹
脂等からなる１層又は多層の高耐熱性の樹脂基板から成
る。Ｃｕ箔２２の厚みは通常１８〜７０μｍのものがあ
り、銅の純度は９９．８％以上のものが使用される。こ
の銅張り樹脂基板２１に単軸のボール盤や単軸又は複数
軸の数値制御方式ボール盤（ＮＣドリルマシン）を使用
し、超硬合金等からなる孔あけドリルを高速回転（例え
ば、１５０００ｒｐｍ程度〜１０００００ｒｐｍ程度）
させてスルーホール２３を穿設する。
【０００９】次に、スルーホール２３の穿設された銅張
り樹脂基板２１にパラジウム等の触媒付与後、ホルマリ
ンを還元剤とする強アルカリ浴中で無電解Ｃｕめっき膜
を形成する。ここで、スルーホール２３壁面に形成され
たＣｕ導体膜を介して銅張り樹脂基板２１の両面表層が
電気的に導通状態となる。さらに、無電解Ｃｕめっきが
施された銅張り樹脂基板２１に電解Ｃｕめっきを形成す
る。めっき槽の中はめっき浴、例えば、硫酸銅浴、ピロ
リン酸浴等で充たされており、陽極（アノード）側に取
付けられた銅板が、陰極（カソード）側に取付けられた
被めっき物である銅張り樹脂基板２１に対向して配設さ
れている。そして、銅板と銅張り樹脂基板２１の間に直
流電源装置が配設されている。次いで、直流電源装置に
電圧を印加することで、被めっき物である銅張り樹脂基
板２１の無電解Ｃｕめっきが施されている表層及びスル
ーホール２３に金属銅を析出させ、無電解Ｃｕめっき及
び電解Ｃｕめっきから成るＣｕめっき層２４を形成す
る。
り樹脂基板２１にパラジウム等の触媒付与後、ホルマリ
ンを還元剤とする強アルカリ浴中で無電解Ｃｕめっき膜
を形成する。ここで、スルーホール２３壁面に形成され
たＣｕ導体膜を介して銅張り樹脂基板２１の両面表層が
電気的に導通状態となる。さらに、無電解Ｃｕめっきが
施された銅張り樹脂基板２１に電解Ｃｕめっきを形成す
る。めっき槽の中はめっき浴、例えば、硫酸銅浴、ピロ
リン酸浴等で充たされており、陽極（アノード）側に取
付けられた銅板が、陰極（カソード）側に取付けられた
被めっき物である銅張り樹脂基板２１に対向して配設さ
れている。そして、銅板と銅張り樹脂基板２１の間に直
流電源装置が配設されている。次いで、直流電源装置に
電圧を印加することで、被めっき物である銅張り樹脂基
板２１の無電解Ｃｕめっきが施されている表層及びスル
ーホール２３に金属銅を析出させ、無電解Ｃｕめっき及
び電解Ｃｕめっきから成るＣｕめっき層２４を形成す
る。
【００１０】続いて、エッチングレジスト膜用となる第
一のドライフィルム２５をＣｕめっき層２４の上に貼付
するもので、この第一のドライフィルム２５はカバーフ
ィルム、フォトレジスト、キャリアフィルムの３層構造
となっており、カバーフィルムを剥がしながら銅張り樹
脂基板２１のＣｕめっき層２４の上に形成されている。
このフォトレジストからなる第一のドライフィルム２５
に配線パターン２６及び、めっき用引き回し配線パター
ン２７形成のためのパターンマスクを当てて、紫外線露
光を行い、その後、キャリアフィルムを剥がした後、現
像を行って、配線パターン２６及び、めっき用引き回し
配線パターン２７を除く部分の第一のドライフィルム２
５を削除する。残された第一のドライフィルム２５がエ
ッチングレジスト膜となる。
一のドライフィルム２５をＣｕめっき層２４の上に貼付
するもので、この第一のドライフィルム２５はカバーフ
ィルム、フォトレジスト、キャリアフィルムの３層構造
となっており、カバーフィルムを剥がしながら銅張り樹
脂基板２１のＣｕめっき層２４の上に形成されている。
このフォトレジストからなる第一のドライフィルム２５
に配線パターン２６及び、めっき用引き回し配線パター
ン２７形成のためのパターンマスクを当てて、紫外線露
光を行い、その後、キャリアフィルムを剥がした後、現
像を行って、配線パターン２６及び、めっき用引き回し
配線パターン２７を除く部分の第一のドライフィルム２
５を削除する。残された第一のドライフィルム２５がエ
ッチングレジスト膜となる。
【００１１】さらに、第一のドライフィルム２５をエッ
チングレジスト膜として、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅
溶液、アルカリエッチャント、過酸化水素ー硫酸系エッ
チャント等のエッチング液を使用して、エッチングレジ
スト膜の開口部２５ａに露出しているＣｕ箔２２及び、
Ｃｕめっき層２４（無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっ
き）をエッチングしてＣｕ箔２２及び、Ｃｕめっき層２
４を除去する。その後、配線パターン２６やめっき用引
き回し配線パターン２７を覆っているフォトレジストか
らなるエッチングレジスト膜の第一のドライフィルム２
５は、表面に剥離液をスプレーで噴射し、フォトレジス
トを膨潤させながら洗い流すことで、剥離、除去する。
これによって、めっき用引き回し配線パターン２７を含
む回路配線パターンが形成される。
チングレジスト膜として、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅
溶液、アルカリエッチャント、過酸化水素ー硫酸系エッ
チャント等のエッチング液を使用して、エッチングレジ
スト膜の開口部２５ａに露出しているＣｕ箔２２及び、
Ｃｕめっき層２４（無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっ
き）をエッチングしてＣｕ箔２２及び、Ｃｕめっき層２
４を除去する。その後、配線パターン２６やめっき用引
き回し配線パターン２７を覆っているフォトレジストか
らなるエッチングレジスト膜の第一のドライフィルム２
５は、表面に剥離液をスプレーで噴射し、フォトレジス
トを膨潤させながら洗い流すことで、剥離、除去する。
これによって、めっき用引き回し配線パターン２７を含
む回路配線パターンが形成される。
【００１２】銅張り樹脂基板２１の下面側の半田ボール
パッド部以外の露出面及び、銅張り樹脂基板２１の上面
側の回路配線パターン領域のうち、半導体素子とボンデ
ィングワイヤを介して接続されるワイヤボンドパッドの
部分と、最終的に半導体素子を外気から保護するために
封止する封止樹脂を注入するとき使用される鋳込み口の
部分と、めっき用引き回し配線パターン２７の部分等を
除く露出面には、第一のソルダーレジスト層２８をソル
ダーフォトレジストペーストの粘度を３００ポイズ、印
刷圧力を３５ｋｇｆ、スクリーン版を１５０メッシュに
してスクリーン印刷法で全面印刷し、パターンマスクを
載置し、フォトリソグラフィ法で露光、現像して形成す
る。ここで、第一のソルダーレジスト層２８の印刷厚み
はめっき用引き回し配線パターン２７の厚みと同程度に
することが必要がある。また、ソルダーレジストは、こ
の第一のソルダーレジスト層２８と後述する第二のソル
ダーレジスト層３１とを併せた印刷厚み、例えば４０〜
５０μｍを確保することで、後工程の半田付け作業で半
田を付けないという役目及び銅導体表面を外部環境から
保護する役目に対応している。また、ソルダーレジスト
のポリマーに加熱硬化型エポキシ樹脂や紫外線硬化型ア
クリレート系樹脂を使用して、ソルダーレジストが要求
される永久マスクとしての各種特性（密着性、半田耐熱
性、耐湿性、耐薬品性、電気絶縁特性等）を確保してい
る。
パッド部以外の露出面及び、銅張り樹脂基板２１の上面
側の回路配線パターン領域のうち、半導体素子とボンデ
ィングワイヤを介して接続されるワイヤボンドパッドの
部分と、最終的に半導体素子を外気から保護するために
封止する封止樹脂を注入するとき使用される鋳込み口の
部分と、めっき用引き回し配線パターン２７の部分等を
除く露出面には、第一のソルダーレジスト層２８をソル
ダーフォトレジストペーストの粘度を３００ポイズ、印
刷圧力を３５ｋｇｆ、スクリーン版を１５０メッシュに
してスクリーン印刷法で全面印刷し、パターンマスクを
載置し、フォトリソグラフィ法で露光、現像して形成す
る。ここで、第一のソルダーレジスト層２８の印刷厚み
はめっき用引き回し配線パターン２７の厚みと同程度に
することが必要がある。また、ソルダーレジストは、こ
の第一のソルダーレジスト層２８と後述する第二のソル
ダーレジスト層３１とを併せた印刷厚み、例えば４０〜
５０μｍを確保することで、後工程の半田付け作業で半
田を付けないという役目及び銅導体表面を外部環境から
保護する役目に対応している。また、ソルダーレジスト
のポリマーに加熱硬化型エポキシ樹脂や紫外線硬化型ア
クリレート系樹脂を使用して、ソルダーレジストが要求
される永久マスクとしての各種特性（密着性、半田耐熱
性、耐湿性、耐薬品性、電気絶縁特性等）を確保してい
る。
【００１３】（２）ドライフィルムを貼付し、露光、現
像するめっきレジストパターン形成工程 めっき用引き回し配線パターン２７に金属保護膜、例え
ば、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施されないようにする
ためのめっきレジスト膜となる第二のドライフィルム２
９を、第一のソルダーレジスト層２８の形成された銅張
り樹脂基板２１上に貼付する。この第二のドライフィル
ム２９はカバーフィルム、フォトレジスト、キャリアフ
ィルムの３層構造となっており、カバーフィルムを剥が
しながら第一のソルダーレジスト層２８が形成された銅
張り樹脂基板２１上に貼付する。次いで、このフォトレ
ジストからなる第二のドライフィルム２９に配線パター
ン形成のためのパターンマスクを当てて、紫外線露光を
行い、その後、キャリアフィルムを剥がした後、現像を
行って、めっき用引き回し配線パターン２７が形成され
た領域以外の部分の第二のドライフィルム２９を削除す
る。残された第二のドライフィルム２９がめっき用引き
回し配線パターン２７のめっきレジスト膜（めっきレジ
ストフィルム）となる。
像するめっきレジストパターン形成工程 めっき用引き回し配線パターン２７に金属保護膜、例え
ば、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施されないようにする
ためのめっきレジスト膜となる第二のドライフィルム２
９を、第一のソルダーレジスト層２８の形成された銅張
り樹脂基板２１上に貼付する。この第二のドライフィル
ム２９はカバーフィルム、フォトレジスト、キャリアフ
ィルムの３層構造となっており、カバーフィルムを剥が
しながら第一のソルダーレジスト層２８が形成された銅
張り樹脂基板２１上に貼付する。次いで、このフォトレ
ジストからなる第二のドライフィルム２９に配線パター
ン形成のためのパターンマスクを当てて、紫外線露光を
行い、その後、キャリアフィルムを剥がした後、現像を
行って、めっき用引き回し配線パターン２７が形成され
た領域以外の部分の第二のドライフィルム２９を削除す
る。残された第二のドライフィルム２９がめっき用引き
回し配線パターン２７のめっきレジスト膜（めっきレジ
ストフィルム）となる。
【００１４】（３）金属保護膜形成工程 銅張り樹脂基板２１の下面側の半田ボールパッドの部分
と、銅張り樹脂基板２１の上面側の配線パターン２６領
域のうちの半導体素子とボンディングワイヤを介して接
続されるワイヤボンドパッドの部分と、最終的に半導体
素子を外気から保護するために封止する封止樹脂を注入
するとき使用される鋳込み口の部分等（すなわち、第一
のソルダーレジスト層２８の開口部の回路配線パター
ン）にめっき用引き回し配線パターン２７に通電してＮ
ｉめっき、ＮｉＣｏめっき、Ａｕめっき、ＡｕＰｔめっ
き等の金属保護膜３０を施す。ここで、ＮｉめっきとＡ
ｕめっきとの組合せによる金属保護膜において、Ｎｉめ
っきはＡｕめっきの下地めっきであり、約２〜５μｍ形
成され、Ａｕめっきはフラッシュめっきにより０．０５
〜０．８μｍ程度の厚さに形成される。めっき浴はニッ
ケルはスルファミン酸浴、金は硬質金の各種めっき浴が
使用できる。また、Ｎｉめっきが無電解Ｎｉめっきの場
合には、次亜リン酸によるニッケル−燐めっきが用いら
れる。
と、銅張り樹脂基板２１の上面側の配線パターン２６領
域のうちの半導体素子とボンディングワイヤを介して接
続されるワイヤボンドパッドの部分と、最終的に半導体
素子を外気から保護するために封止する封止樹脂を注入
するとき使用される鋳込み口の部分等（すなわち、第一
のソルダーレジスト層２８の開口部の回路配線パター
ン）にめっき用引き回し配線パターン２７に通電してＮ
ｉめっき、ＮｉＣｏめっき、Ａｕめっき、ＡｕＰｔめっ
き等の金属保護膜３０を施す。ここで、ＮｉめっきとＡ
ｕめっきとの組合せによる金属保護膜において、Ｎｉめ
っきはＡｕめっきの下地めっきであり、約２〜５μｍ形
成され、Ａｕめっきはフラッシュめっきにより０．０５
〜０．８μｍ程度の厚さに形成される。めっき浴はニッ
ケルはスルファミン酸浴、金は硬質金の各種めっき浴が
使用できる。また、Ｎｉめっきが無電解Ｎｉめっきの場
合には、次亜リン酸によるニッケル−燐めっきが用いら
れる。
【００１５】（４）ドライフィルム剥離工程 めっき用引き回し配線パターン２７を覆っているフォト
レジストからなるめっきレジスト膜の第二のドライフィ
ルム２９は、表面に剥離液、例えば、ドライフィルムフ
ォトレジストがアルカリ可溶タイプの場合には、１〜５
％水酸化ナトリウム水溶液又は、水酸化カリウム水溶液
をスプレーで噴射し、フォトレジストを膨潤させながら
洗い流すことで、剥離、除去し、洗浄、乾燥する。これ
によって、めっき用引き回し配線パターン２７が露出す
る。
レジストからなるめっきレジスト膜の第二のドライフィ
ルム２９は、表面に剥離液、例えば、ドライフィルムフ
ォトレジストがアルカリ可溶タイプの場合には、１〜５
％水酸化ナトリウム水溶液又は、水酸化カリウム水溶液
をスプレーで噴射し、フォトレジストを膨潤させながら
洗い流すことで、剥離、除去し、洗浄、乾燥する。これ
によって、めっき用引き回し配線パターン２７が露出す
る。
【００１６】（５）めっき用引き回し配線パターンエッ
チング工程 めっき用引き回し配線パターン２７は、第一のソルダー
レジスト層２８及び、金属保護膜３０、例えば、Ｎｉめ
っき及びＡｕめっきをエッチングレジスト膜として、塩
化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アルカリエッチャン
ト、過酸化水素−硫酸系エッチャント等のエッチング液
を使用して、エッチングレジスト膜の開口部のＣｕ箔２
２及び、Ｃｕめっき層２４から成るめっき用引き回し配
線パターン２７にスプレーノズル等からエッチング液を
噴射し、銅を溶解して除去する。
チング工程 めっき用引き回し配線パターン２７は、第一のソルダー
レジスト層２８及び、金属保護膜３０、例えば、Ｎｉめ
っき及びＡｕめっきをエッチングレジスト膜として、塩
化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アルカリエッチャン
ト、過酸化水素−硫酸系エッチャント等のエッチング液
を使用して、エッチングレジスト膜の開口部のＣｕ箔２
２及び、Ｃｕめっき層２４から成るめっき用引き回し配
線パターン２７にスプレーノズル等からエッチング液を
噴射し、銅を溶解して除去する。
【００１７】（６）第二のソルダーレジスト層形成工程 第二のソルダーレジスト層３１は、めっき用引き回し配
線パターン２７が除去された領域上、及び第一のソルダ
ーレジスト層２８のパターン上ににソルダーフォトレジ
ストペーストをスクリーン印刷法で全面印刷し、パター
ンマスクを載置し、フォトリソグラフィ法で露光、現像
して形成する。この第二のソルダーレジスト層３１の印
刷でめっき用引き回し配線パターン２７をエッチング除
去したあとの開口部２７ａを印刷で充填できる。また、
第二のソルダーレジスト層３１のパターン寸法は第一の
ソルダーレジスト層２８のパターン寸法より小さくして
パターンマスクずれ等の寸法ずれを吸収することで、さ
らに精度の良いソルダーレジスト層（第一のソルダーレ
ジスト層２８及び、第二のソルダーレジスト層３１）が
形成することができる。
線パターン２７が除去された領域上、及び第一のソルダ
ーレジスト層２８のパターン上ににソルダーフォトレジ
ストペーストをスクリーン印刷法で全面印刷し、パター
ンマスクを載置し、フォトリソグラフィ法で露光、現像
して形成する。この第二のソルダーレジスト層３１の印
刷でめっき用引き回し配線パターン２７をエッチング除
去したあとの開口部２７ａを印刷で充填できる。また、
第二のソルダーレジスト層３１のパターン寸法は第一の
ソルダーレジスト層２８のパターン寸法より小さくして
パターンマスクずれ等の寸法ずれを吸収することで、さ
らに精度の良いソルダーレジスト層（第一のソルダーレ
ジスト層２８及び、第二のソルダーレジスト層３１）が
形成することができる。
【００１８】
【発明の効果】請求項１及び２記載のプラスチックパッ
ケージの製造方法においては、めっき用引き回し配線パ
ターンを除く回路配線パターンの必要箇所の上部領域に
第一のソルダーレジスト層を形成する工程と、めっき用
引き回し配線パターンが形成された領域にドライフィル
ムを貼着し、パターンマスクを装着して露光し、現像し
てレジストフィルムを形成する工程と、第一のソルダー
レジスト層の開口部の回路配線パターンに金属保護膜を
形成する工程と、レジストフィルムを剥離して除去する
工程と、めっき用引き回し配線パターンをエッチングし
て除去する工程と、めっき用引き回し配線パターンが除
去された領域及び第一のソルダーレジスト層に第二のソ
ルダーレジスト層を形成する工程とを有するので、ソル
ダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線パターン厚
みとの段差を小さくすることができ、ドライフィルムを
貼着した時にドライフィルムを破ったり、亀裂を入れる
ことがない。これによって、ドライフィルムの破れや、
亀裂による、ＮｉめっきやＡｕめっき工程でのめっき液
のしみ込みが起こらないので、めっき用引き回し配線パ
ターンにＮｉめっきやＡｕめっきが形成されることがな
く、めっき用引き回し配線パターンがエッチングで除去
できなくて残ってしまうという問題は発生しない。ま
た、ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるために、ド
ライフィルムの厚みを厚くして対応する必要がなく、フ
ォトレジストからなるドライフィルムの現像時のパター
ン解像度を低下させる問題がなく、正確なめっきレジス
トパターンが形成できる。従って、プラスチックパッケ
ージとしての特性検査である導通配線のショート検査や
断線検査を確実に行うことができる。特に、請求項２記
載のプラスチックパッケージの製造方法においては、第
一のソルダーレジスト層のパターン寸法より、第二のソ
ルダーレジスト層のパターン寸法を小さくするので、第
一と第二のソルダーレジスト層の間にパターンズレが発
生した場合でも、そのズレを吸収でき、精巧なパターン
が形成できる。
ケージの製造方法においては、めっき用引き回し配線パ
ターンを除く回路配線パターンの必要箇所の上部領域に
第一のソルダーレジスト層を形成する工程と、めっき用
引き回し配線パターンが形成された領域にドライフィル
ムを貼着し、パターンマスクを装着して露光し、現像し
てレジストフィルムを形成する工程と、第一のソルダー
レジスト層の開口部の回路配線パターンに金属保護膜を
形成する工程と、レジストフィルムを剥離して除去する
工程と、めっき用引き回し配線パターンをエッチングし
て除去する工程と、めっき用引き回し配線パターンが除
去された領域及び第一のソルダーレジスト層に第二のソ
ルダーレジスト層を形成する工程とを有するので、ソル
ダーレジスト厚みと、めっき用引き回し配線パターン厚
みとの段差を小さくすることができ、ドライフィルムを
貼着した時にドライフィルムを破ったり、亀裂を入れる
ことがない。これによって、ドライフィルムの破れや、
亀裂による、ＮｉめっきやＡｕめっき工程でのめっき液
のしみ込みが起こらないので、めっき用引き回し配線パ
ターンにＮｉめっきやＡｕめっきが形成されることがな
く、めっき用引き回し配線パターンがエッチングで除去
できなくて残ってしまうという問題は発生しない。ま
た、ドライフィルムの破れや、亀裂を避けるために、ド
ライフィルムの厚みを厚くして対応する必要がなく、フ
ォトレジストからなるドライフィルムの現像時のパター
ン解像度を低下させる問題がなく、正確なめっきレジス
トパターンが形成できる。従って、プラスチックパッケ
ージとしての特性検査である導通配線のショート検査や
断線検査を確実に行うことができる。特に、請求項２記
載のプラスチックパッケージの製造方法においては、第
一のソルダーレジスト層のパターン寸法より、第二のソ
ルダーレジスト層のパターン寸法を小さくするので、第
一と第二のソルダーレジスト層の間にパターンズレが発
生した場合でも、そのズレを吸収でき、精巧なパターン
が形成できる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッ
ケージの製造方法を適用して製造されたプラスチックパ
ッケージの側断面図である。
ケージの製造方法を適用して製造されたプラスチックパ
ッケージの側断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るプラスチックパッ
ケージの製造方法を説明するための部分拡大側断面図で
ある。
ケージの製造方法を説明するための部分拡大側断面図で
ある。
【図３】従来例のプラスチックパッケージの製造方法を
説明するための部分拡大側断面図である。
説明するための部分拡大側断面図である。
１１：銅張り樹脂基板、１２：半田ボール、１３：ソル
ダーレジスト、１４：半導体素子、１５：ボンディング
ワイヤ、１６：封止樹脂、１７：ソルダーレジスト、１
８：ソルダーレジスト、２１：銅張り樹脂基板、２２：
Ｃｕ箔、２３：スルーホール、２４：Ｃｕめっき層、２
５：第一のドライフィルム、２５ａ：開口部、２６：配
線パターン、２７：めっき用引き回し配線パターン、２
７ａ：開口部、２８：第一のソルダーレジスト層、２
９：第二のドライフィルム、３０：金属保護膜、３１：
第二のソルダーレジスト層
ダーレジスト、１４：半導体素子、１５：ボンディング
ワイヤ、１６：封止樹脂、１７：ソルダーレジスト、１
８：ソルダーレジスト、２１：銅張り樹脂基板、２２：
Ｃｕ箔、２３：スルーホール、２４：Ｃｕめっき層、２
５：第一のドライフィルム、２５ａ：開口部、２６：配
線パターン、２７：めっき用引き回し配線パターン、２
７ａ：開口部、２８：第一のソルダーレジスト層、２
９：第二のドライフィルム、３０：金属保護膜、３１：
第二のソルダーレジスト層
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂基板の表層部に表出しているめっき
用引き回し配線パターンを備え、めっき処理した後に、
該めっき用引き回し配線パターンをエッチングで除去す
るプラスチックパッケージの製造方法において、前記め
っき用引き回し配線パターンを除く回路配線パターンの
必要箇所の上部領域に第一のソルダーレジスト層を形成
する工程と、前記めっき用引き回し配線パターンが形成
された領域にドライフィルムを貼着し、パターンマスク
を装着して露光し、現像してレジストフィルムを形成す
る工程と、前記第一のソルダーレジスト層の開口部の前
記回路配線パターンに金属保護膜を形成する工程と、前
記レジストフィルムを剥離して除去する工程と、前記め
っき用引き回し配線パターンをエッチングして除去する
工程と、前記めっき用引き回し配線パターンが除去され
た領域及び前記第一のソルダーレジスト層に第二のソル
ダーレジスト層を形成する工程と、を有することを特徴
とするプラスチックパッケージの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラスチックパッケージ
の製造方法において、前記第一のソルダーレジスト層の
パターン寸法より、前記第二のソルダーレジスト層のパ
ターン寸法を小さくすることを特徴とするプラスチック
パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058567A JP2001250877A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プラスチックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058567A JP2001250877A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プラスチックパッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250877A true JP2001250877A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18579148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000058567A Pending JP2001250877A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | プラスチックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001250877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482271B2 (en) | 2005-07-20 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000058567A patent/JP2001250877A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482271B2 (en) | 2005-07-20 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for electronic substrate, manufacturing method for electro-optical device, and manufacturing method for electronic device |
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