JP2001244547A - 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法Info
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザチップの内部観察を簡便に行
う。 【解決手段】 内部に発光部を有する半導体レーザチッ
プ３が電極２０を介して基台６上に設けられてなる半導
体レーザ装置において、電極は開口部を設けない第１の
電極層２１と開口部を設けた第２の電極層２２とを少な
くとも一層づつ備え、第１の電極層は第２の電極層より
もエッチング速度の大きい材料からなり、第２の電極層
の開口部は半導体レーザチップの発光部７を観察可能な
形状とされている。
う。 【解決手段】 内部に発光部を有する半導体レーザチッ
プ３が電極２０を介して基台６上に設けられてなる半導
体レーザ装置において、電極は開口部を設けない第１の
電極層２１と開口部を設けた第２の電極層２２とを少な
くとも一層づつ備え、第１の電極層は第２の電極層より
もエッチング速度の大きい材料からなり、第２の電極層
の開口部は半導体レーザチップの発光部７を観察可能な
形状とされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置及
び半導体レーザ装置の発光部の観測方法に係わり、特に
半導体レーザチップの電極の構造に関するものである。
本発明は光通信機器や光情報再生機器に使用される半導
体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法
に好適に用いられる。
び半導体レーザ装置の発光部の観測方法に係わり、特に
半導体レーザチップの電極の構造に関するものである。
本発明は光通信機器や光情報再生機器に使用される半導
体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法
に好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の構成を図８及
び図９に示す。図８及び図９において、１はＡｕワイヤ
ボンディング面の電極、２はステムやフォトダイオード
等の基台側の電極、３はレーザダイオード結晶（レーザ
ダイオードチップ）、４，５はレーザダイオードチップ
３のアノード面及びカソード面、６はパッケージのステ
ムまたはフォトダイオード等の基台、７はレーザダイオ
ードチップ内部の発光（共振器）部、８はＡｕボンディ
ングワイヤ、９はレーザ光が放出される端面である。
び図９に示す。図８及び図９において、１はＡｕワイヤ
ボンディング面の電極、２はステムやフォトダイオード
等の基台側の電極、３はレーザダイオード結晶（レーザ
ダイオードチップ）、４，５はレーザダイオードチップ
３のアノード面及びカソード面、６はパッケージのステ
ムまたはフォトダイオード等の基台、７はレーザダイオ
ードチップ内部の発光（共振器）部、８はＡｕボンディ
ングワイヤ、９はレーザ光が放出される端面である。
【０００３】レーザダイオードチップ３はアノード面お
よびカソード面４，５の全面に電極が形成され、いずれ
かの面をパッケージステムまたはフォトダイオード等の
基台６に接合し、もう一方の面にはＡｕワイヤ８が接合
され、外部との電気的なコンタクトをとる構成となって
いる。
よびカソード面４，５の全面に電極が形成され、いずれ
かの面をパッケージステムまたはフォトダイオード等の
基台６に接合し、もう一方の面にはＡｕワイヤ８が接合
され、外部との電気的なコンタクトをとる構成となって
いる。
【０００４】このような構成となっているレーザダイオ
ードチップのＡｕワイヤとパッケージシステムまたはフ
ォトダイオード間に電源をつなぎ、レーザダイオードチ
ップ３に電流を流すことにより、発光（共振器）部７で
光の発振が起こり、端面９からレーザ光が得られる。
ードチップのＡｕワイヤとパッケージシステムまたはフ
ォトダイオード間に電源をつなぎ、レーザダイオードチ
ップ３に電流を流すことにより、発光（共振器）部７で
光の発振が起こり、端面９からレーザ光が得られる。
【０００５】半導体レーザ装置は外部からの静電気やサ
ージ等の電気的なストレスによってレーザーダイオード
チップの発光（共振器）部に結晶の破壊が生じたり、ま
た、レーザダイオードチップには電流の印加時間に応じ
て発光出力が減少する寿命劣化により発光（共振器）部
結晶の異常が生じることが一般に知られている。
ージ等の電気的なストレスによってレーザーダイオード
チップの発光（共振器）部に結晶の破壊が生じたり、ま
た、レーザダイオードチップには電流の印加時間に応じ
て発光出力が減少する寿命劣化により発光（共振器）部
結晶の異常が生じることが一般に知られている。
【０００６】このように、レーザダイオードチップの発
光（共振器）部に破壊もしくは異常が発生し、発光出力
が低下した場合、レーザダイオードチップ内部の発光
（共振器）部の観察を直接行うことが、発光出力低下の
原因の究明のための有効な手段となるが、上記従来例で
は図８に示すようにレーザダイオードチップの電極１が
レーザダイオードチップアノード面４のほぼ全面に設け
られ、また電極２も同様にカソード面５の全面に形成さ
れており、さらに片面（ここでは、カソード面）はステ
ム等の基台に固定されているため、レーザダイオードチ
ップの上面または下面方向から光学顕微鏡や電子顕微鏡
を使用してレーザダイオードチップ内部の発光（共振
器）部７の状態観察ができなかった。
光（共振器）部に破壊もしくは異常が発生し、発光出力
が低下した場合、レーザダイオードチップ内部の発光
（共振器）部の観察を直接行うことが、発光出力低下の
原因の究明のための有効な手段となるが、上記従来例で
は図８に示すようにレーザダイオードチップの電極１が
レーザダイオードチップアノード面４のほぼ全面に設け
られ、また電極２も同様にカソード面５の全面に形成さ
れており、さらに片面（ここでは、カソード面）はステ
ム等の基台に固定されているため、レーザダイオードチ
ップの上面または下面方向から光学顕微鏡や電子顕微鏡
を使用してレーザダイオードチップ内部の発光（共振
器）部７の状態観察ができなかった。
【０００７】実際に内部の発光（共振部）の観察を行う
場合、従来技術では電極材を薬品で全面除去し、レーザ
ダイオードチップのアノード面またはカソード面を露出
した後、レーザダイオードチップ内部の発光（共振器）
部観察に支障のない位置に再度電極を形成し、電気的な
コンタクトをとらなければ発光状態が観察できなかっ
た。
場合、従来技術では電極材を薬品で全面除去し、レーザ
ダイオードチップのアノード面またはカソード面を露出
した後、レーザダイオードチップ内部の発光（共振器）
部観察に支障のない位置に再度電極を形成し、電気的な
コンタクトをとらなければ発光状態が観察できなかっ
た。
【０００８】そこで本件出願人は、既に、電極１に開口
部を設け、内部の発光部を観察する構造を提案した（特
開平１１−２７４５６６号公報）。
部を設け、内部の発光部を観察する構造を提案した（特
開平１１−２７４５６６号公報）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
使用状態では発光部を観察することは必ずしも必要でな
いため、レーザダイオードチップの発光（共振器）部に
破壊もしくは異常が発生し、発光出力が低下した場合等
の必要が生じた場合に上記開口部を設けて内部の発光部
を観察できる構造も望まれる。
使用状態では発光部を観察することは必ずしも必要でな
いため、レーザダイオードチップの発光（共振器）部に
破壊もしくは異常が発生し、発光出力が低下した場合等
の必要が生じた場合に上記開口部を設けて内部の発光部
を観察できる構造も望まれる。
【００１０】本発明の目的は、必要に応じてレーザダイ
オードチップの内部観察を簡便に行うことができる、レ
ーザダイオードチップ電極構造を持つ半導体レーザ装置
を提供することにある。
オードチップの内部観察を簡便に行うことができる、レ
ーザダイオードチップ電極構造を持つ半導体レーザ装置
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、内部に発光部を有する半導体レーザチップが電極
を介して基台上に設けられてなる半導体レーザ装置にお
いて、前記電極は、前記半導体レーザチップ側から、開
口部を設けない第１の電極層と開口部を設けた第２の電
極層とを少なくとも一層づつ備え、該第２の電極層は該
第１の電極層のエッチング用のマスクとなっており、該
第２の電極層の開口部は前記半導体レーザチップの発光
部を観察可能な形状とされていることを特徴とする。
置は、内部に発光部を有する半導体レーザチップが電極
を介して基台上に設けられてなる半導体レーザ装置にお
いて、前記電極は、前記半導体レーザチップ側から、開
口部を設けない第１の電極層と開口部を設けた第２の電
極層とを少なくとも一層づつ備え、該第２の電極層は該
第１の電極層のエッチング用のマスクとなっており、該
第２の電極層の開口部は前記半導体レーザチップの発光
部を観察可能な形状とされていることを特徴とする。
【００１２】また本発明の半導体レーザ装置は、内部に
発光部を有し且つ対向する二面に第１及び第２の電極が
形成されてなる半導体レーザチップが、該第２の電極を
介して基台上に設けられてなる半導体レーザ装置におい
て、前記第１及び第２の電極はそれぞれ、開口部を設け
ない第１の電極層と開口部を設けた第２の電極層とを少
なくとも一層づつ備え、該第２の電極層は該第１の電極
層のエッチング用のマスクとなっており、該第２の電極
層の開口部は前記半導体レーザチップの発光部を観察可
能な形状とされていることを特徴とする。
発光部を有し且つ対向する二面に第１及び第２の電極が
形成されてなる半導体レーザチップが、該第２の電極を
介して基台上に設けられてなる半導体レーザ装置におい
て、前記第１及び第２の電極はそれぞれ、開口部を設け
ない第１の電極層と開口部を設けた第２の電極層とを少
なくとも一層づつ備え、該第２の電極層は該第１の電極
層のエッチング用のマスクとなっており、該第２の電極
層の開口部は前記半導体レーザチップの発光部を観察可
能な形状とされていることを特徴とする。
【００１３】本発明の半導体レーザ装置の発光部の観測
方法は上記半導体レーザ装置を用いたものであり、前記
第２の電極層の開口部をエッチングマスクとして、前記
第１の電極層をエッチングして開口し、前記発光部を観
測することを特徴とする。
方法は上記半導体レーザ装置を用いたものであり、前記
第２の電極層の開口部をエッチングマスクとして、前記
第１の電極層をエッチングして開口し、前記発光部を観
測することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明による半導体レーザ装
置を示す斜視図であり、図２は図１の構造を説明するた
めの断面図である。なお図１及び図２において、図８及
び図９に示した構成部材と同一構成部材には同一符号を
付する。図１において、レーザダイオードチップ３のＸ
方向の長さはＹ方向の長さよりも長くなっているが、図
１は模式的に描かれたものであり、Ｘ方向の長さがＹ方
向の長さよりも短い場合もある（以下に説明する各図に
おいても同様である。）。
図面を用いて詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明による半導体レーザ装
置を示す斜視図であり、図２は図１の構造を説明するた
めの断面図である。なお図１及び図２において、図８及
び図９に示した構成部材と同一構成部材には同一符号を
付する。図１において、レーザダイオードチップ３のＸ
方向の長さはＹ方向の長さよりも長くなっているが、図
１は模式的に描かれたものであり、Ｘ方向の長さがＹ方
向の長さよりも短い場合もある（以下に説明する各図に
おいても同様である。）。
【００１５】図１及び図２において、レーザダイオード
チップ３の電極１はレーザダイオードチップアノード面
４に形成され、電極２０はレーザダイオードチップカソ
ード面５に形成される。電極２０は開口部を持たないＡ
ｌ（アルミニウム）等の第１の電極層２１と開口部１０
を持つＡｕ（金）等の第２の電極層２２で構成されてい
る。このような電極構造とすることで、必要に応じて、
第２の電極層２２をマスクとしてエッチングを行い第１
の電極層２１を開口して、発光部７を観測できる。
チップ３の電極１はレーザダイオードチップアノード面
４に形成され、電極２０はレーザダイオードチップカソ
ード面５に形成される。電極２０は開口部を持たないＡ
ｌ（アルミニウム）等の第１の電極層２１と開口部１０
を持つＡｕ（金）等の第２の電極層２２で構成されてい
る。このような電極構造とすることで、必要に応じて、
第２の電極層２２をマスクとしてエッチングを行い第１
の電極層２１を開口して、発光部７を観測できる。
【００１６】電極１はＡｕボンディングワイヤ８により
電気的なコンタクトが取られ、電極２０はステム又はフ
ォトダイオード等の基台６に接合されることにより電流
を流し、レーザ光を得ている。レーザ光はレーザダイオ
ードチップ３内部の発光（共振器）部７にて発振し、端
面９から照射される。なお、カソード面とアノード面と
は逆に配置されてもよい。すなわち、電極１をカソード
面側とし、電極２０はアノード面側としてもよい。
電気的なコンタクトが取られ、電極２０はステム又はフ
ォトダイオード等の基台６に接合されることにより電流
を流し、レーザ光を得ている。レーザ光はレーザダイオ
ードチップ３内部の発光（共振器）部７にて発振し、端
面９から照射される。なお、カソード面とアノード面と
は逆に配置されてもよい。すなわち、電極１をカソード
面側とし、電極２０はアノード面側としてもよい。
【００１７】第２の電極層２２の開口部１０の形状は、
第２の電極層２２をマスクとしてエッチングを行い第１
の電極層２１を開口したときに（第２の電極層２２の開
口部から第１の電極層２１をエッチングして開口したと
きに）、第１及び第２の電極層２１、２２の開口部を介
して発光部７が観測できる形状であればどのような形状
であってもよいが、本実施例では図３に示すような、発
光部７の形状に合わせたスリット状の開口部を設けてい
る。図３は開口部１０を有する第２の電極層２２を示す
斜視図であり、第１の電極層２１、レーザダイオードチ
ップ３等の上部の構成部材は省略されている。
第２の電極層２２をマスクとしてエッチングを行い第１
の電極層２１を開口したときに（第２の電極層２２の開
口部から第１の電極層２１をエッチングして開口したと
きに）、第１及び第２の電極層２１、２２の開口部を介
して発光部７が観測できる形状であればどのような形状
であってもよいが、本実施例では図３に示すような、発
光部７の形状に合わせたスリット状の開口部を設けてい
る。図３は開口部１０を有する第２の電極層２２を示す
斜視図であり、第１の電極層２１、レーザダイオードチ
ップ３等の上部の構成部材は省略されている。
【００１８】第１及び第２の電極層２１，２２の電極材
料は、第１の電極層２１が第２の電極２２の電極材料よ
りもエッチング速度が大きく、選択エッチングを可能と
する材料の組み合わせを選ぶ。
料は、第１の電極層２１が第２の電極２２の電極材料よ
りもエッチング速度が大きく、選択エッチングを可能と
する材料の組み合わせを選ぶ。
【００１９】本実施例において、ステムやフォトダイオ
ード等の基台６に固定されている面側の電極に対して開
口部を設けたのは、アノード面４から発光部７までの距
離が長く、アノード面４からの光透過が難しい場合等、
電極１側からでは開口部を設けても観測が難しい場合を
考慮したものである。ただし、レーザダイオードチップ
３内の発光部７の位置や観測のしやすさ等を考慮して電
極１側から観測を行ってもよく、その場合には電極１を
電極２０と同様の２層構成とすればよい。
ード等の基台６に固定されている面側の電極に対して開
口部を設けたのは、アノード面４から発光部７までの距
離が長く、アノード面４からの光透過が難しい場合等、
電極１側からでは開口部を設けても観測が難しい場合を
考慮したものである。ただし、レーザダイオードチップ
３内の発光部７の位置や観測のしやすさ等を考慮して電
極１側から観測を行ってもよく、その場合には電極１を
電極２０と同様の２層構成とすればよい。
【００２０】また、発光部７の結晶の破壊や異常が発光
部のどの位置に生ずるかが不明な場合等、電極１、２０
のいずれから発光部の観察を行えばよいか不明な場合に
は、電極１、２０のいずれも２層構成の電極とすればよ
い。この場合の半導体レーザ装置の斜視図及び断面図を
図６、図７に示す。図１及び図２の構成と異なるのは、
電極１が電極２０と同様に、開口部を持たないＡｌ（ア
ルミニウム）等の第１の電極層１１と開口部１０′を持
つＡｕ（金）等の第２の電極層１２で構成されている点
である。
部のどの位置に生ずるかが不明な場合等、電極１、２０
のいずれから発光部の観察を行えばよいか不明な場合に
は、電極１、２０のいずれも２層構成の電極とすればよ
い。この場合の半導体レーザ装置の斜視図及び断面図を
図６、図７に示す。図１及び図２の構成と異なるのは、
電極１が電極２０と同様に、開口部を持たないＡｌ（ア
ルミニウム）等の第１の電極層１１と開口部１０′を持
つＡｕ（金）等の第２の電極層１２で構成されている点
である。
【００２１】電極２０を介して発光部を観察したい場合
は、例えばリン酸をエッチング液として選択エッチング
を行なう。このとき、開口部を設けた第２の電極層２２
がマスクとなり、第１の電極層２１が選択的に除去され
るが、その周辺の電極材はエッチングされることはな
い。そのため開口部周辺の電極およびＡｕワイヤ８は電
気的なコンタクトを保ったまま、レーザダイオードチッ
プが発光（共振器）部７に沿って露出した構造となり、
レーザダイオードの観察が可能となる。電極層２２とし
ては、Ａｕの代わりにＴｉやＷでもよい。
は、例えばリン酸をエッチング液として選択エッチング
を行なう。このとき、開口部を設けた第２の電極層２２
がマスクとなり、第１の電極層２１が選択的に除去され
るが、その周辺の電極材はエッチングされることはな
い。そのため開口部周辺の電極およびＡｕワイヤ８は電
気的なコンタクトを保ったまま、レーザダイオードチッ
プが発光（共振器）部７に沿って露出した構造となり、
レーザダイオードの観察が可能となる。電極層２２とし
ては、Ａｕの代わりにＴｉやＷでもよい。
【００２２】なお、電極２０は３層またはそれ以上の層
構造の電極層から構成してもよい。例えば、電極２０を
開口部を持つ電極層と、開口部を持たない２以上の層の
電極層とから構成してもよい。また逆に、開口部を持つ
２層以上の電極層と開口部を持たない電極層とから構成
してもよい。さらには、開口部を持つ電極層と開口部を
持たない電極層とを同数又は異なる数の複数層から構成
しても良い。開口部を持つ１又は２以上の電極層と開口
部を持たない１又は２以上の電極層の２種類の電極層が
組み合わされた構造とし、かつエッチング速度の異なる
材料を、それぞれの電極層として組み合わせることによ
り、選択的に開口部分をエッチングできる。このように
開口部を持つ電極層又は／及び開口部を持たない電極層
をエッチングレートの異なる２層以上の層から形成する
と、各層に応じてエッチング液やエッチングガス等を変
えることができ、エッチング速度の制御を行うことが可
能となる。 （第２の実施形態）次に本発明による第２の実施形態を
図４に示す。図４に示すように、第２の電極層２２の電
極材料が形成されていない部分（開口部）１３を１つ又
は複数のマス目状にして、レーザ発振のための動作電流
がカソード面５全体に均一に流れるようにした。
構造の電極層から構成してもよい。例えば、電極２０を
開口部を持つ電極層と、開口部を持たない２以上の層の
電極層とから構成してもよい。また逆に、開口部を持つ
２層以上の電極層と開口部を持たない電極層とから構成
してもよい。さらには、開口部を持つ電極層と開口部を
持たない電極層とを同数又は異なる数の複数層から構成
しても良い。開口部を持つ１又は２以上の電極層と開口
部を持たない１又は２以上の電極層の２種類の電極層が
組み合わされた構造とし、かつエッチング速度の異なる
材料を、それぞれの電極層として組み合わせることによ
り、選択的に開口部分をエッチングできる。このように
開口部を持つ電極層又は／及び開口部を持たない電極層
をエッチングレートの異なる２層以上の層から形成する
と、各層に応じてエッチング液やエッチングガス等を変
えることができ、エッチング速度の制御を行うことが可
能となる。 （第２の実施形態）次に本発明による第２の実施形態を
図４に示す。図４に示すように、第２の電極層２２の電
極材料が形成されていない部分（開口部）１３を１つ又
は複数のマス目状にして、レーザ発振のための動作電流
がカソード面５全体に均一に流れるようにした。
【００２３】なお、図６及び図７のような構造の場合に
は電極層１２に同様な開口部を設けてもよい。 （第３の実施形態）更に本発明による第３の実施形態を
図５に示す。図５に示すように、第２の電極層２２の電
極材料が形成されていない部分（開口部）１４を複数の
円形状に設けることにより、上記第２の実施形態で実施
したマス目部分の四隅の角への電界集中を緩和すること
ができる。
は電極層１２に同様な開口部を設けてもよい。 （第３の実施形態）更に本発明による第３の実施形態を
図５に示す。図５に示すように、第２の電極層２２の電
極材料が形成されていない部分（開口部）１４を複数の
円形状に設けることにより、上記第２の実施形態で実施
したマス目部分の四隅の角への電界集中を緩和すること
ができる。
【００２４】なお、図６及び図７のような構造の場合に
は電極層１２に同様な開口部を設けてもよい。
は電極層１２に同様な開口部を設けてもよい。
【００２５】以上説明した各実施形態において、発振器
が複数個ある場合も、各発光（共振器）部が観測可能な
ように電極層に１つ又は複数個の開口部を設けることに
より同様な効果を得ることができる。
が複数個ある場合も、各発光（共振器）部が観測可能な
ように電極層に１つ又は複数個の開口部を設けることに
より同様な効果を得ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザチップの電極を多層電極構造とし、開口部
を設けた電極層と開口部を設けない電極層構造をとるこ
とにより、通常使用状態では電極面は半導体レーザチッ
プ表面全体に設けることができ、そのため動作時には動
作電流を半導体レーザチップ表面全体に均一に流すこと
ができる。そして、発光部の観察が必要な場合には、半
導体レーザチップを基台から外し、チップ単体にした状
態で、化学エッチング等による選択エッチングを行い、
開口部のみをエッチングすることで、半導体レーザチッ
プの発光（共振器）部を露出し観察することが、従来例
のように、再度、電極を作成することなく、容易に行え
るようになる。
半導体レーザチップの電極を多層電極構造とし、開口部
を設けた電極層と開口部を設けない電極層構造をとるこ
とにより、通常使用状態では電極面は半導体レーザチッ
プ表面全体に設けることができ、そのため動作時には動
作電流を半導体レーザチップ表面全体に均一に流すこと
ができる。そして、発光部の観察が必要な場合には、半
導体レーザチップを基台から外し、チップ単体にした状
態で、化学エッチング等による選択エッチングを行い、
開口部のみをエッチングすることで、半導体レーザチッ
プの発光（共振器）部を露出し観察することが、従来例
のように、再度、電極を作成することなく、容易に行え
るようになる。
【００２７】このような観察を行うことにより、半導体
レーザ装置の発光出力低下等の異常の原因が、半導体レ
ーザチップ内部にある場合、原因を究明するもっとも有
効な手段である発光（共振器）部の直接観察を、容易に
実施することができ、正確な不具合原因の究明が可能と
なる。
レーザ装置の発光出力低下等の異常の原因が、半導体レ
ーザチップ内部にある場合、原因を究明するもっとも有
効な手段である発光（共振器）部の直接観察を、容易に
実施することができ、正確な不具合原因の究明が可能と
なる。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体レーザ装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザ装置の断面図である。
【図３】図１の半導体レーザ装置の第２の電極層を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の半導体レーザ装置の
第２の電極層を示す斜視図である。
第２の電極層を示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施形態の半導体レーザ装置の
第２の電極層を示す斜視図である。
第２の電極層を示す斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の半導体レーザ装置の
変形例の斜視図である。
変形例の斜視図である。
【図７】図６の半導体レーザ装置の断面図である。
【図８】従来例の半導体レーザ装置の斜視図である。
【図９】図８の半導体レーザ装置の断面図である。
１、２０ 電極 ３ レーザダイオードチップ ４ アノード面 ５ カソード面 ６ ステム又はフォトダイオード等の基台 ７ 発光部（共振基） ８ Ａｕワイヤ ９ 端面 １０，１０′ 開口部 １１，２１ 第１の電極層 １２，２２ 第２の電極層 １３ 開口部 １４ 開口部
Claims (5)
- 【請求項１】 内部に発光部を有する半導体レーザチッ
プが電極を介して基台上に設けられてなる半導体レーザ
装置において、 前記電極は、前記半導体レーザチップ側から、開口部を
設けない第１の電極層と開口部を設けた第２の電極層と
を少なくとも一層づつ備え、該第２の電極層は該第１の
電極層のエッチング用のマスクとなっており、該第２の
電極層の開口部は前記半導体レーザチップの発光部を観
察可能な形状とされていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項２】 内部に発光部を有し且つ対向する二面に
第１及び第２の電極が形成されてなる半導体レーザチッ
プが、該第２の電極を介して基台上に設けられてなる半
導体レーザ装置において、 前記第１及び第２の電極はそれぞれ、開口部を設けない
第１の電極層と開口部を設けた第２の電極層とを少なく
とも一層づつ備え、該第２の電極層は該第１の電極層の
エッチング用のマスクとなっており、該第２の電極層の
開口部は前記半導体レーザチップの発光部を観察可能な
形状とされていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記第２の電極層の開口部はスリット状
に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記第２の電極層の開口部は複数個設け
られていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの請求項に記載
の半導体レーザ装置の発光部の観測方法において、 前記第２の電極層の開口部をエッチングマスクとして、
前記第１の電極層をエッチングして開口し、前記発光部
を観測することを特徴とする半導体レーザ装置の観測方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056102A JP2001244547A (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法 |
| US09/794,355 US6870869B2 (en) | 2000-03-01 | 2001-02-28 | Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056102A JP2001244547A (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244547A true JP2001244547A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18577119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000056102A Withdrawn JP2001244547A (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の発光部の観測方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6870869B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001244547A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090309617A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-12-17 | Ye Fang | Biosensor antibody functional mapping |
| WO2011074262A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | 三菱電機株式会社 | レーザモジュール |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755036A (en) * | 1985-02-07 | 1988-07-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for deflecting light beam |
| US4747110A (en) * | 1985-02-13 | 1988-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device capable of emitting laser beams of different wavelengths |
| JP2768672B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1998-06-25 | 株式会社日立製作所 | 面発光半導体レーザ |
| JPH11274566A (ja) | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Canon Inc | 発光素子、その製造方法 |
| JP3522114B2 (ja) * | 1998-07-21 | 2004-04-26 | 株式会社村田製作所 | 半導体発光素子及びその製造方法、並びにＺｎＯ膜の形成方法 |
-
2000
- 2000-03-01 JP JP2000056102A patent/JP2001244547A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-02-28 US US09/794,355 patent/US6870869B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6870869B2 (en) | 2005-03-22 |
| US20010046770A1 (en) | 2001-11-29 |
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