JP2001242499A

JP2001242499A - 第二高調波発生装置

Info

Publication number: JP2001242499A
Application number: JP2000050739A
Authority: JP
Inventors: Shoei Ri; 少栄李; Jungo Kondo; 順悟近藤; Yoshinari Kozuka; 義成小塚
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2000-02-28
Filing date: 2000-02-28
Publication date: 2001-09-07
Anticipated expiration: 2020-02-28
Also published as: JP4565690B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基本波を発振する半導体レーザーと、基本波を
第二高調波へと変換する光導波路を備えた変換用基板
と、光導波路の温度を制御する手段とを備えたデバイス
において、第二高調波の出力の経時的な減少を防止す
る。【解決手段】第二高調波発生装置１１Ａは、ヒートシン
ク６、ヒートシンク６の上に支持されているマウント、
マウントに支持されている、基本波を発振する半導体レ
ーザー１、マウントに支持されている、基本波を第二高
調波へと変換する光導波路を備えた変換用基板２、およ
び光導波路の温度を制御するための温度制御手段８を備
えている。マウントは熱伝導部４、５と断熱部３Ａとを
備えている。半導体レーザー１が熱伝導部４、５を介し
てヒートシンク６上に支持されている。変換用基板２と
ヒートシンク６との間に少なくとも断熱部３Ａが介在し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、青色光源デバイス
等に好適に使用できる第二高調波発生装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】第二高調波発生装置においては、「OPTI
CAL REVIEW」 Vol. 3 ，No. 6B(1996) 481-483 頁に記
載されているように、ニオブ酸リチウムやニオブ酸カリ
ウムリチウムのような非線形光学結晶からなる基板に光
導波路を形成し、この光導波路と半導体レーザーとを結
合し、高出力の青色レーザーを得ようとしている。非線
形光学結晶の第二高調波の位相整合波長の許容幅は、一
般に１ｎｍ以下と狭く、第二高調波の位相整合波長の温
度特性は、半導体レーザーの波長の温度特性とは異なっ
ている。このため、半導体レーザーから出力される基本
波の波長を安定化し、コントロールする技術が重要な課
題となっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、こうした第二
高調波発生装置の具体的な制御方式を検討していく過程
で、更に次の改善点を見出した。即ち、最初に半導体レ
ーザーからの出力と波長とを一定値にロックし、更に波
長変換用光導波路における位相整合波長をロックし、第
二高調波の出力を一定値に設定する。ところが、半導体
レーザーの発振を継続すると、第二高調波の出力が徐々
に低下してくることが分かった。通常、半導体レーザー
からの基本波の発振出力は、発振を始めてから時間が経
過してもほぼ一定に保持されているはずなので、第二高
調波の経時的な出力低下は問題であり、その解決が望ま
れていた。

【０００４】本発明の課題は、基本波を発振する半導体
レーザーと、基本波を第二高調波へと変換するための波
長変換用光導波路を備えた変換用基板と、光導波路の温
度を制御するための温度制御手段とを備えたデバイスに
おいて、第二高調波の出力の経時的な減少を防止するこ
とである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ヒートシン
ク、このヒートシンクの上に支持されているマウント、
マウントに支持されている、基本波を発振するための半
導体レーザー、マウントに支持されている、基本波を第
二高調波へと変換するための波長変換用光導波路を備え
た変換用基板、および波長変換用光導波路の温度を制御
するための温度制御手段を備えており、マウントが熱伝
導部と断熱部とを備えており、半導体レーザーが熱伝導
部を介してヒートシンク上に支持されており、変換用基
板とヒートシンクとの間に少なくとも断熱部が介在して
いることを特徴とする、第二高調波発生装置に係るもの
である。

【０００６】主として図１を参照しつつ、本発明の作用
効果について述べる。

【０００７】本発明者は、前述した第二高調波の出力の
経時的減少の原因について検討した結果、次の発見に至
った。即ち、第二高調波発生装置を駆動させると、半導
体レーザー１から多量の熱量が定常的に発生する。半導
体レーザー１から発生する熱量によってその温度が上昇
すると、半導体レーザー１の発振出力が低下する。

【０００８】この理由は以下のとおりである。半導体レ
ーザーの出力特性は、利得条件によって決定される。利
得は、下記式によって表される。利得＝ξａ（Ｔ）［（ｎ−ｎｇ）−ｂ（λ−λＯ
（Ｔ）］（ｎ：キャリア密度 λ：発振波長 ξ：
閉じ込め係数ａ（Ｔ）：微分利得係数ｎｇ：自然放出キャリア密
度ｂ：材料定数 λＯ（Ｔ）：波長オフセット値）

【０００９】従って、注入電流が一定であるものとする
と、温度が上昇するとゲインが小さくなり、出力が低下
する。このように半導体レーザーの出力が変化すると、
第二高調波の出力もそれに比例して低下する。このた
め、第二高調波を安定して発振させるためには、半導体
レーザーを継続して稼働させたときにその温度の上昇を
防止する必要がある。このため、通常は半導体レーザー
の下にステンレス等の金属からなる支持台４を設置し、
その下に放熱用のヒートシンク６を設置することによっ
て、半導体レーザー１から発生する熱量をヒートシンク
６へと逃がしている。これによって半導体レーザー１の
温度上昇は抑制されていたはずであった。

【００１０】ところが、前述のような型の第二高調波発
生装置においては、薄膜ヒーター８などによって変換用
基板２を温度制御して、光導波路の屈折率を変化させ、
光導波路における位相整合波長を半導体レーザー１の発
振波長に合わせている。この位相整合波長は、特に温度
による影響を受けやすい。また、薄膜ヒーター８から変
換用基板２へと入熱する熱量が一定であったとしても、
支持台５を通してヒートシンク６へと逃げる熱量が比較
的に大きく、このため光導波路の温度を一定値に留めて
おくためには、定常的に比較的に大きな熱量を薄膜ヒー
ター８から変換用基板２へと投入する必要がある。この
ように、変換用基板２の下側の支持台５には、定常的に
大きな熱量が出入りしており、このため光導波路の温度
が変化しやすい状態にあった。

【００１１】こうした状態で、半導体レーザー１からの
熱量が、支持台４、５を通過してヒートシンク６に逃げ
ずに変換用基板へと伝搬すると、薄膜ヒーター８から継
続的に変換用基板２へと入熱される熱量と相まって熱量
が過剰となり、変換用基板２の温度が徐々に上昇する傾
向があった。更に、薄膜ヒーター８からの熱量が支持台
５を通過してヒートシンク６に逃げずに半導体レーザー
１の下側の支持台４へと伝わり、半導体レーザー１へと
入熱することで、その発振状態を不安定するさせるとい
う現象もあった。これらの原因が相まって、第二高調波
の出力の経時的低下を生じていたものと思われる。

【００１２】これに対して、本発明によれば、支持台５
の支持面５ａと変換用基板２の底面２ｂとの間に、断熱
部として断熱層３Ａを介在させている。

【００１３】こうした装置によれば、半導体レーザー１
から発生する熱量は、支持台４、５の底面４ｂ、５ｄか
らヒートシンク６へと逃げるので、半導体レーザー１を
稼働させたときの温度上昇を防止できる。つまり、半導
体レーザー１の方は、稼働に伴って不可避的に発生する
熱量を効果的に逃がすことが必要だからである。

【００１４】これと同時に、温度制御手段である薄膜ヒ
ーター８によって加熱される変換用基板２の下側には、
断熱層３Ａを設けて、熱量の出入りを遮蔽することにし
た。これによって、変換用基板２から支持台５、ヒート
シンク６へと逃げる熱量が著しく減少することから、支
持台５、ヒートシンク６へと逃げる熱量による変換用基
板２の温度の変化が少なくなる。これと同時に、半導体
レーザー１から支持台４、５を伝搬してきた熱量は、断
熱層３Ａで遮蔽され、そのほとんどがヒートシンク６へ
と逃げる。また、薄膜ヒーター８から発生した熱量は、
支持台４へと伝達しにくいので、半導体レーザー１へと
この熱量が到達して相乗的に半導体レーザー１へと悪影
響を与えることもない。

【００１５】このように、本発明の装置は、半導体レー
ザー１の稼働に伴って継続的に半導体レーザー１から発
生する熱量は、ヒートシンク６へと効果的に逃がし、同
時に薄膜ヒーターによって加熱される変換用基板２と支
持台４、５との間の熱量の出入りは、半導体レーザー１
とは反対に遮断することで、変換用基板２の温度変化を
防止し、かつ半導体レーザー１への悪影響を防止した。

【００１６】本発明の一実施形態においては、断熱部
が、変換用基板の底面を支持する断熱層である。また、
特に図１−図２においては、熱伝導部が、半導体レーザ
ーを支持する第一の支持台と、第一の支持台と別体の断
熱層を支持する第二の支持台とを備えている。

【００１７】図１の装置について、更に詳細に述べる。

【００１８】ヒートシンク６は、熱伝導率の大きい材
料、例えばアルミニウム、銅、コバールからなる。この
上に、第一の支持台４と第二の支持台５とが載置されて
いる。支持台４の支持面４ｃに半導体レーザー１が載置
されている。また、支持台５の支持面５ａに断熱層３Ａ
が載置されており、断熱層の上に変換用基板２が載置さ
れている。本例では、別体の支持台４の側面４ａと支持
台５の突出部５ｂの側面５ｃとが互いに接触している。
第一の支持面４ｃと第二の支持面５ａとの間には溝１６
が形成されている。変換用基板２の上面２ａの上に薄膜
ヒーター８が形成されている。

【００１９】半導体レーザー１を稼働させると、発生し
た熱量は支持台４から底面４ｂを通過してヒートシンク
６へと流れると共に、側面４ａ、５ｃを通過して支持台
５へと流れる。ここで、支持台５に入熱した熱量のほと
んどは、断熱層３Ａの作用によって変換用基板２へは至
らず、ヒートシンク６へと入熱する。この際、支持台４
の底面４ｂと支持台５の底面５ｄとの合計面積は大きい
ので、半導体レーザー１で発生した熱量を効果的にヒー
トシンク６へと逃がすことができる。

【００２０】一方、薄膜ヒーター８から発生した熱量
は、変換用基板２へと流れ、断熱層３Ａによって遮蔽さ
れる。この際、変換用基板２の温度を監視し、その温度
が一定になるように薄膜ヒーターへの投入電力を制御す
る。この投入電力をいったん制御し終わった後は、前述
した理由から変換用基板２の温度はほとんど変動しな
い。このため、光導波路における位相整合波長の変化を
防止できる。

【００２１】本発明における断熱部（例えば断熱層３
Ａ）の材質の熱伝導率は、マウントの熱伝導部（例えば
支持台４、５）を構成する材質の熱伝導率の１／５以下
であることが好ましく、１／１０以下であることが更に
好ましい。こうした材質としては、熱伝導率が低いと共
に、熱膨張が変換用基板と合致することが必要であり、
ソーダガラス、石英ガラス、低熱伝導セラミック、ＢＫ
Ｔ、ニオブ酸カリウムリチウム−タンタル酸カリウムリ
チウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、ニオブ酸リ
チウムが好ましく、ソーダガラスが特に好ましい。

【００２２】本実施形態では、半導体レーザー１の下側
の第一の支持面４ｃと変換用基板２の下側の第二の支持
面との間に溝１６を設けることによって、更に次の作用
効果が得られる。即ち、各支持台の各支持面に近い側面
が互いに接触していると、この領域を通って熱量が流
れ、断熱層３Ａおよび変換用基板２へと伝達しやすい。
これに対して、溝１６を設けることで、こうした支持台
の支持面に近い側面における熱伝導を遮断できるので、
変換用基板２の温度上昇を更に抑制できる。その上、各
支持台のヒートシンク６（底面４ｂ、５ｄ）に近い領域
は互いに接触しているので、ヒートシンク６への熱の流
入はほとんど妨げられることはない。

【００２３】また、断熱層に空隙部分を設けることによ
っても、断熱層における熱抵抗を上昇させることができ
る。図２は、こうした実施形態に係る第二高調波発生装
置１１Ｂを模式的に示す断面図である。図１において既
に説明した構成部分には、図１と同じ符号を付け、その
説明は省略する。

【００２４】図２に装置においては、断熱層３Ｂの上面
側は平坦であるが、下側には複数の凹部１２が空隙部分
として形成されている。このため、凹部１２の間の突出
部分１３のみが支持台５に対して接触している。従っ
て、断熱層３Ｂの支持台５への接触面積が小さくなる。

【００２５】この実施形態においては、断熱層の３Ｂの
凹部の面積と突出部分の面積との合計に対する、突出部
分１３の面積の比率は、５０％以下であることが好まし
く、２０％以下であることが更に好ましい。また、安定
支持の観点からは、１０％以上であることが好ましい。
また、この断熱層３Ｂの材質の熱伝導率は、支持台５の
熱伝導率の１／５以下であることが好ましく、１／１０
以下であることが更に好ましい。

【００２６】断熱層３Ａ、３Ｂの厚さは、断熱効果を発
揮するという観点からは１ｍｍ以上であることが好まし
い。

【００２７】図３、図４は、それぞれ本発明の一実施形
態に係る装置１１Ｃ、１Ｄを模式的に示す断面図であ
る。

【００２８】図３の装置１１Ｃにおいては、一体の支持
台１５を使用している。支持台１５は、第一の部分１５
ａと第二の部分１５ｄとからなっている。ヒートシンク
６上に支持台１５の底面１５ｃが載置されている。第一
の部分１５ａの支持面１５ｂ上に半導体レーザー１が載
置されている。第二の部分１５ｄの支持面１５ｅの上に
断熱層３Ａが載置されており、断熱層３Ａの上に変換用
基板２が載置されている。第一の部分１５ａの支持面１
５ｂは、第二の部分１５ｄの支持面１５ｅよりも高い位
置にある。

【００２９】図４の装置１１Ｄにおいては、図３と同様
に一体の支持台１５を使用している。そして、断熱層３
Ｂは、図２の断熱層と同様である。

【００３０】本発明においては、断熱部は上記のように
層状でなくともよく、断熱部それ自体が変換用基板を支
持する支持台であってもよい。この場合には、熱伝導性
材料からなる支持台が変換用基板に接触していないこと
が好ましい。この実施形態において特に好ましくは、熱
伝導部が、半導体レーザーを支持する第一の支持台と、
第一の支持台に連結されており、かつヒートシンク上に
設置されている第二の支持台とを備えている。更に、断
熱部が、ヒートシンク上に設置された第三の支持台を備
えており、これが変換用基板の底面を支持している、第
一の支持台とヒートシンクとの間に隙間が設けられてい
る。

【００３１】図５は、この実施形態に係る装置１１Ｅを
示す概略断面図である。第一の支持台４Ａの底面４ｂは
ヒートシンク６に接触しておらず、両者の間に隙間１９
が設けられている。そして、第一の支持台４Ａは、やは
り熱伝導材料製の第二の支持台１８の突出部１８ｂの側
面１８ｃに接合されている。支持台１８の底面１８ｄは
樹脂等によってヒートシンク６に接着されている。支持
第１８の上面１８ａと変換用基板の底面２ｂとの間には
隙間２０が形成されている。

【００３２】こうした装置においては、半導体レーザー
１を支持台４Ａに取り付けた状態で、半導体レーザーと
変換用基板の光導波路との間で調芯を行う。そして、調
芯が終了した時点で、支持台４Ａを支持台１８に対して
樹脂等で接着し、固定できる。この際、支持台４Ａの底
面４ｂとヒートシンク６とに隙間があり、接着されてい
ると、調芯が容易になる。更に、ヒートシンクおよび支
持台４Ａ、１８、１７の熱膨張による応力が側面４ａに
作用するのを低減できる。

【００３３】半導体レーザー１からの熱は、支持台４
Ａ、１８を介して、ヒートシンク６へと逃がすことがで
きる。一方、ヒートシンク６上に、第三の支持台１７の
底面１７ｃが載っており、支持台１７の上面１７ａが変
換用基板の底面に接着されている。なお、本例では支持
台１７の側面１７ｂと支持台１８の側面とが接着されて
いるが、両者は離れていても良い。支持台１７は、断熱
部であり、即ち断熱性材料によって形成されている。更
に、変換用基板２の底面２ｂと熱伝導性の支持台１８と
の間には隙間２０が設けられており、熱伝導が生じな
い。

【００３４】温度制御手段としては、薄膜ヒーターが好
ましいが、外部ヒーターを使用することもできる。しか
し、薄膜ヒーターを波長変換用光導波路上に設けること
によって、光導波路の全体にわたって小さい電力でムラ
なく加熱できる。薄膜ヒーターの代りに、ペルチエ素子
を設けることができる。

【００３５】変換用基板の材質は、ニオブ酸リチウム、
ニオブ酸カリウムリチウム、ニオブ酸カリウムリチウム
−タンタル酸カリウムリチウム固溶体、ニオブ酸カリウ
ム、チタニルリン酸カリウムが好ましい。

【００３６】薄膜ヒーターの材質は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｐｔ、Ｃｒが好ましい。

【００３７】本発明の第二高調波発生装置によれば、例
えば３９０ｎｍ−４７０ｎｍの紫外光領域まで発生させ
ることが可能である。従って、こうした短波長の光を利
用することで、光ディスクメモリー用、医学用、光化学
用、各種光計測用等の幅広い応用が可能である。

【００３８】

【実施例】（第二高調波発生装置の作製）図１に示すよ
うな装置１１Ａを作製した。

【００３９】マウント４、５をＳＵＳ４３０合金によっ
て形成した（熱伝導率２６．４Ｗ／ｍ・Ｋ）。ヒートシ
ンク６をアルミニウム金属によって形成した。マウント
４、５をヒートシンク６に対してハンダによって接着し
た。マウント４の支持面４ｃに半導体レーザー１をハン
ダによって接着した。断熱層３Ａを、厚さ１ｍｍのソー
ダライムガラス板（熱伝導率１．４Ｗ／ｍ・Ｋ）によっ
て形成した。断熱層３Ａをマウント５の支持面５ａに紫
外線硬化型樹脂によって接着した。断熱層３Ａの上に変
換用基板２（熱伝導率４．６Ｗ／ｍ・Ｋ）を紫外線硬化
型樹脂によって接着した。

【００４０】半導体レーザー光を、レンズを介すること
なく、光導波路に対して直接に入射させた。１００ｍＷ
の出力で、光導波路入力は８０ｍＷであった。半導体レ
ーザー光の発振波長は、波長変換用光導波路の反射波長
にロックされ、８４０ｎｍで安定に発振した。

【００４１】次に、薄膜ヒーターに１ボルトの電圧を加
え、電流を流して発熱させ、波長変換用光導波路の位相
整合波長を発振波長に合わせることに成功した。４２０
ｎｍの第二高調波が得られた。この出力は５ｍＷであっ
た。

【００４２】次いで、１０００時間継続して第二高調波
を発生させた。この間、薄膜ヒーターに対する供給電力
を変更しなかった。この結果、第二高調波の出力の変化
は、最大５％程度であった。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
本波を発振する半導体レーザーと、基本波を第二高調波
へと変換するための波長変換用光導波路を備えた変換用
基板と、光導波路の温度を制御するための温度制御手段
とを備えたデバイスにおいて、第二高調波の出力の経時
的な減少を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る第二高調波発生装置
１１Ａを模式的に示す断面図である。断熱層３Ａを支持
台５の支持面５ａと変換用基板２の底面２ｂとの間に介
在させている。

【図２】他の実施形態に係る装置１１Ｂを模式的に示す
断面図であり、空隙部分１２を有する断熱層３Ｂを使用
している。

【図３】更に他の実施形態に係る装置１１Ｃを模式的に
示す断面図であり、一体の支持台１５を使用している。

【図４】更に他の実施形態に係る装置１１Ｄを模式的に
示す断面図であり、一体の支持台１５を使用しており、
空隙部分１２を有する断熱層３Ｂを使用している。

【図５】更に他の実施形態に係る装置１１Ｅを模式的に
示す断面図であり、第一の支持台４Ａ（熱伝導部）、第
二の支持台１８（熱伝導部）および第三の支持台１７
（断熱部）を備えている。

【符号の説明】

１半導体レーザー２変換用基板２
ｂ変換用基板２の底面３Ａ断熱層（断熱
部）３Ｂ空隙部分１２が形成されている断熱
層（断熱部）４第一の支持台（熱伝導部）４ａ第一の支持台４の側面（第二の支持台との接触
面）４ｂ第一の支持台４の底面４ｃ
第一の支持台４の支持面４Ａヒートシンク
から離れている第一の支持台（熱伝導部）５、
１８第二の支持台（熱伝導部）５ａ、１８ａ
第二の支持台の支持面５ｃ、１８ｃ第二の
支持台の側面（第一の支持台との接触面）５
ｄ、１８ｄ第二の支持台の底面６ヒートシン
ク８薄膜ヒーター（温度制御手段）
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ第二高調波
発生装置１２凹部（空隙部分）１３
突出部分（接触部分）１５一体型の支持台１５ａ第一の部分
１５ｂ第一の部分の支持面１５ｃ支持
台１５の底面１５ｄ第二の部分１５ｅ第二の部分の支持面１６溝
１７第三の支持台（断熱部）１９第一の支
持台とヒートシンクとの隙間２０第二の支持台
と変換用基板との隙間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小塚義成愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内Ｆターム(参考） 2K002 AB12 CA03 DA03 EA22 EA30 EB15 HA20 5F073 AB21 AB23 EA03 FA06 FA15 FA22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ヒートシンク、このヒートシンクの上に支持されているマウント、前記マウントに支持されている、基本波を発振するため
の半導体レーザー、前記マウントに支持されている、前記基本波を第二高調
波へと変換するための波長変換用光導波路を備えた変換
用基板、および前記波長変換用光導波路の温度を制御す
るための温度制御手段を備えており、前記マウントが熱
伝導部と断熱部とを備えており、前記半導体レーザーが
前記熱伝導部を介して前記ヒートシンク上に支持されて
おり、前記変換用基板と前記ヒートシンクとの間に少な
くとも前記断熱部が介在していることを特徴とする、第
二高調波発生装置。
【請求項２】前記断熱部の材質の熱伝導率が、前記熱伝
導部の材質の熱伝導率の１／５以下であることを特徴と
する、請求項１記載の第二高調波発生装置。
【請求項３】前記断熱部が、前記変換用基板の底面を支
持する断熱層であることを特徴とする、請求項１または
２記載の第二高調波発生装置。
【請求項４】前記断熱層に空隙部分が設けられているこ
とを特徴とする、請求項３記載の第二高調波発生装置。
【請求項５】前記熱伝導部が、前記半導体レーザーを支
持する第一の支持台と、第一の支持台と別体の前記断熱
層を支持する第二の支持台とを備えていることを特徴と
する、請求項３または４記載の第二高調波発生装置。
【請求項６】前記熱伝導部が、前記半導体レーザーを支
持する第一の支持台と、前記第一の支持台に連結されて
おり、かつ前記ヒートシンク上に設置されている第二の
支持台とを備えており、前記断熱部が、前記ヒートシン
ク上に設置されており、かつ前記変換用基板の底面を支
持している第三の支持台を備えており、前記第一の支持
台と前記ヒートシンクとの間に隙間が設けられているこ
とを特徴とする、請求項１または２記載の第二高調波発
生装置。
【請求項７】前記第二の支持台の上面の上方に前記変換
用基板が設置されており、かつ前記第二の支持台と前記
変換用基板の底面との間に隙間が設けられていることを
特徴とする、請求項６記載の第二高調波発生装置。
【請求項８】前記マウントの前記半導体レーザーを支持
する第一の支持面と、前記マウントの前記変換用基板を
支持する第二の支持面との間に溝が形成されていること
を特徴とする、請求項１−７のいずれか一つの請求項に
記載の第二高調波発生装置。
【請求項９】前記温度制御手段が前記波長変換用光導波
路上の薄膜ヒーターであることを特徴とする、請求項１
−８のいずれか一つの請求項に記載の第二高調波発生装
置。