JPH10133157A - 光可変減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光の光出力を変化させても波長が変化
することがなく、また小型で信頼性の高い光可変減衰器
を提供する。 【解決手段】 光ファイバ１０５によって入射された単
一波長のレーザ光を、可変手段によって光学長の変化す
るエタロン１０２を通過させ、このレーザ光を光ファイ
バ１０８によって出射させる。この可変手段は、エタロ
ン１０２の温度を検出する温度検出器１０３と、エタロ
ン１０２の温度を上昇または下降させるペルチェ素子１
０４と、温度検出器１０３の検出結果に基づいてペルチ
ェ素子１０４を制御する温度制御手段とから構成され
る。または可変手段は、エタロン１０２に対するレーザ
光の入射角度を制御する入射角度制御手段から構成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、単一波長のレー
ザ光の光出力に任意の量の減衰を与える光可変減衰器に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、単一波長のレーザ光の光出力
を制御する方法として２つの方法が用いられている。第
１の方法は、ＤＦＢ−ＬＤ（Ｄistributed ＦeedＢack
−Ｌaser Ｄiode）、ＤＢＲ（Ｄistributed ＢraggＲef
lector)−ＬＤを光源とした場合に、それら半導体レー
ザの駆動電流を変化させることによって光出力を調整す
る方法である。また、第２の方法は、光減衰板をレーザ
光が通過するように構成された光可変減衰器を用いてレ
ーザ光の光出力を可変する方法である。

【０００３】ここで、従来の技術の第１の方法につい
て、ＤＦＢ−ＬＤを例に挙げて説明する。図１１はＤＦ
Ｂ−ＬＤ３００の概略構成を示す構成図である。図１１
において、３０１はＰ型の電極であり、３０２はＰ型ク
ラッド層、３０３は活性層、３０４は導波層、また３０
５は回折格子である。

【０００４】また、３０６はＮ型バッファ層であり、３
０７はＮ型基板、３０８はＮ型電極、３０９はこのＤＦ
Ｂ−ＬＤ３００に注入される電流、そして３１０はこの
ＤＦＢ−ＬＤ３００から出射されるレーザ光である。

【０００５】このＤＦＢ−ＬＤ３００のように、半導体
レーザ内に回折格子が作り付けられた構造の半導体レー
ザでは、出射されるレーザ光３１０の波長は、活性層３
０３および導波層３０４の実行屈折率、またこれにより
決定される回折格子の波長損失特性によって決定され
る。

【０００６】実行屈折率は、注入電流３０９による電流
密度と、ＤＦＢ−ＬＤ３００自体の温度により決定され
る。また、ＤＦＢ−ＬＤ３００の温度は注入電流３０９
によるＤＦＢ−ＬＤ３００自身の発熱に大きく依存す
る。

【０００７】ＤＦＢ−ＬＤ３００から出射されるレーザ
光３１０の光出力は、注入電流３０９を調整することに
より簡単に調整することができる。しかし、ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ３００から出射されるレーザ光３１０の光出力を注入
電流３０９により調整する場合には、ＤＦＢ−ＬＤ３０
０の電流密度とＤＦＢ−ＬＤ３００自身の温度が変化す
る。

【０００８】このように、ＤＦＢ−ＬＤ３００の電流密
度と温度とが変化することにより実行屈折率が変化し、
それに伴い回折格子による波長損失特性が変化する。こ
のため、レーザ光３１０の波長が変化する。

【０００９】次に、従来の技術の第２の方法について説
明する。従来の光可変減衰器は、広い波長幅を持つ光ま
たは、いくつかの異なった波長の光の光出力を均一に減
衰させるために使用されている。

【００１０】そのために、従来の光可変減衰器はガラス
板上に波長特性が平坦であり、且つ光の減衰量が段階
的、または徐々に変化する膜を、蒸着等により付着させ
た光減衰板を用いる。そして、それらを単体で、または
組み合わせて使用し、所定の光減衰量を得ることで、そ
れを通過する光の光出力を制御している。光減衰板はガ
ラス円板上に、ガラス円板の中心からの角度と光の減衰
量とが段階的、または線形に変化するように構成されて
いる。

【００１１】図１２は、従来の光可変減衰器の概略構成
を示す構成図である。図１２において５０１と５０２は
モータであり、フレーム５０３に固定されている。また
５０４は、光の減衰量がガラス円板の中心軸の回転角度
に対して段階的に変化する光減衰板であり、この光減衰
板５０４の中心は、モータ５０１に取り付けられてい
る。

【００１２】５０５は、光の減衰量がガラス円板の中心
軸の回転角度にたいして徐々に変化する光減衰板であ
り、この光減衰板５０５の中心は、モータ５０２に取り
付けられている。この光減衰板５０５が１回転した時の
光減衰量は、光減衰板５０４の１段階の光減衰量に等し
いか、もしくは１割程度大きくなるように設定されてい
る。

【００１３】５０６はレンズであり、光可変減衰器に入
射された光を平行光５０８に変換し、光減衰板５０４お
よび５０５に入射させる。光減衰板５０４および５０５
に入射した平行光５０８は、ここで所定量の光の減衰が
与えられ、平行光５０９としてレンズ５０７から出射さ
れる。なお通常、平行光５０９の入出射は光ファイバに
よって行われる。

【００１４】従来の光可変減衰器では、光可変減衰板５
０４および５０５を、各々モータ５０１あるいは５０２
で回転させて所望の光減衰量を得ている。この光減衰板
５０５（５０４）は、通常は回転分解能の高いモータに
取り付けられる。このため光減衰量の分解能は、モータ
５０２（５０１）の分解能と光減衰板５０５（５０４）
の回転方向に対する減衰量の変化率で決定される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従来技術の第１の方法
においては、レーザ光３１０の光出力を注入電流３０９
によって調整すると、レーザ光３１０の波長が変化して
しまうという問題がある。

【００１６】一方従来技術の第２の方法においては、モ
ータにより光減衰板を回転する構成であるため、外観が
大きくなり、また機械的な駆動部分があるために、長期
的な信頼性に欠けるという問題があった。

【００１７】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、レーザ光の光出力を変化させても波長が変化
することがなく、また小型で信頼性の高い光可変減衰器
を提供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の発明にあっては、単一波長の
レーザ光を入射させる入射手段と、前記レーザ光が通過
するエタロンと、前記レーザ光に対する前記エタロンの
光学長を変化させる可変手段と、前記エタロンを通過し
たレーザ光を出射させる出射手段とを具備することを特
徴とする。また、請求項２に記載の発明にあっては、請
求項１に記載の光可変減衰器では、前記可変手段は、前
記エタロンの温度を検出する温度検出手段と、前記エタ
ロンの温度を上昇または下降させる熱移動手段と、前記
温度検出手段の検出結果に基づいて前記熱移動手段を制
御する温度制御手段とから構成されることを特徴とす
る。また、請求項３に記載の発明にあっては、請求項１
に記載の光可変減衰器では、前記可変手段は、前記エタ
ロンに対する前記レーザ光の入射角度を制御する入射角
度制御手段から構成されることを特徴とする。また、請
求項４に記載の発明にあっては、単一波長のレーザ光を
入射させる入射手段と、前記レーザ光が通過するエタロ
ンと、前記エタロンを通過したレーザ光を出射させる出
射手段とを具備し、前記エタロンは、間隙をもって対向
する１対の光学素子と、前記１対の光学素子の間に挟持
されるピエゾ素子と、前記ピエゾ素子に任意の強度の電
気信号を供給して前記間隙長を可変させる電気信号供給
手段とから構成されることを特徴とする。また、請求項
５に記載の発明にあっては、単一波長のレーザ光を入射
させる入射手段と、前記レーザ光が通過するエタロン
と、前記エタロンを通過したレーザ光を出射させる出射
手段とを具備し、前記エタロンは、対向する１対の光学
素子と、前記１対の光学素子の間に挟持される液晶と、
前記液晶に任意の強度の電気信号を供給して前記液晶の
屈折率を可変させる電気信号供給手段とから構成される
ことを特徴とする。また、請求項６に記載の発明にあっ
ては、請求項１ないし請求項５の何れかに記載の光可変
減衰器では、前記入射手段と前記エタロンとの間に、前
記エタロンの入射面における反射光の通過を阻止するア
イソレータが挿入されてなることを特徴とする。

【００１９】この発明によれば、入射手段によって入射
された単一波長のレーザ光を、可変手段によって光学長
の変化するエタロンを通過させ、このレーザ光を出射手
段によって出射させる。この可変手段は、エタロンの温
度を検出する温度検出手段と、エタロンの温度を上昇ま
たは下降させる熱移動手段と、温度検出手段の検出結果
に基づいて熱移動手段を制御する温度制御手段とから構
成される。または可変手段は、エタロンに対するレーザ
光の入射角度を制御する入射角度制御手段から構成され
る。あるいは、入射手段によって入射された単一波長の
レーザ光を、１対の光学素子の間に、電気信号の強度に
応じた長さの間隙を形成するピエゾ素子が挟持されたエ
タロンを通過させ、このレーザ光を出射手段によって出
射させる。もしくは、入射手段によって入射された単一
波長のレーザ光を、１対の光学素子の間に、電気信号の
強度に応じた屈折率を有する液晶素子が挟持されたエタ
ロンを通過させ、このレーザ光を出射手段によって出射
させる。さらに、入射手段とエタロンとの間に、エタロ
ンの入射面における反射光の通過を阻止するアイソレー
タを挿入し、入射手段に入射する反射光を阻止する。

【００２０】

【発明の実施の形態】

Ａ．第１の実施の形態 以下に、本発明について説明する。図１は、本発明の第
１の実施の形態にかかる光可変減衰器の概略構成を示す
斜視図である。この図において１０１はエタロン取付け
板、１０２はエタロンである。このエタロン１０２は、
固定されている。

【００２１】なお本実施の形態にあっては、エタロン取
付け板１０１に熱伝導率の高い材質である銅を用いた。
またエタロン１０２には、屈折率が１.４４４、共振器長
が５ｍｍ、反射率が５５％、そして面精度がλ／２０の
合成石英を用いた。

【００２２】１０３はエタロン取付け板１０１に固定さ
れたサーミスタ等の温度検出器であり、エタロン１０２
の温度を検出する。１０４はペルチェ素子であり、上述
のエタロン取付け板１０１は、ペルチェ素子１０４上に
固定されている。

【００２３】１０５は光ファイバであり、本実施の形態
ではシングルモード光ファイバである。１０６は光ファ
イバ１０５から出射された単一波長のレーザ光であり、
本実施の形態では波長が１５５２.５２４ｎｍ、スペクト
ル線幅が４ＭＨｚのレーザ光を用いた。

【００２４】１０７はレンズであり、一例としてセルフ
ォックレンズを用いる。このレンズ１０７は単一波長の
レーザ光１０６を平行光に変換し、エタロン１０２へ入
射させる。また１１０もレンズ１０７と同様のレンズで
あり、エタロン１０２を通過したレーザ光を集光する。

【００２５】１０９は、エタロン１０２を通過し、レン
ズ１１０で集光されたレーザ光である。１０８は光ファ
イバ１０５と同様の光ファイバであり、単一波長のレー
ザ光１０９が入射され、それを光可変減衰器の出射光と
する。

【００２６】図２は、実際に本実施の形態が適用された
光可変減衰器の構成を示す断面図である。同図におい
て、前述の図１に示す各部と対応する部分には同一の符
号を付してある。この図２において１１１は銅等の材質
により形成されたケースであり、このケース１１１には
ペルチェ素子１０４、光ファイバ１０５、光ファイバ１
０８、レンズ１０７、ならびにレンズ１１０が各々固定
されている。

【００２７】図３は、エタロン取付け板１０１の構成を
示す断面図である。同図においても、図１あるいは図２
に示す各部と対応する部分には同一の符号を付してあ
る。この図３に示すようにエタロン取付け板１０１は、
エタロン１０２に入射された単一波長のレーザ光１０６
が内部を通過できる構成となっている。

【００２８】図４は、エタロン１０２の温度を制御する
ための概略構成を示す摸式図である。同図においても、
図１ないし図３に示す各部と対応する部分には同一の符
号を付してある。図４において１１２は温度調節回路、
１１３は温度検出器１０３が出力する温度検出信号、ま
た１１４はペルチェ素子１０４へ供給する駆動電流であ
る。

【００２９】この図４によれば、温度検出器１０３はエ
タロン１０２の温度を検出する。ここで温度調節器１１
２は、温度検出器１０３が出力する温度検出信号１１３
を受け、エタロン１０２の温度が所定の温度に安定する
ようにペルチェ素子１０４に加える駆動電流１１４を制
御する。

【００３０】図５は、エタロンの光透過スペクトル特性
の一例を示す図である。この図に示すように、エタロン
はその温度を高温側に変化させた時に、矢印に示したよ
うに透過率の高い部分が短波長側へ移動する。

【００３１】ところで、ＤＦＢ−ＬＤやＤＢＲ−ＬＤ等
から出射される単一波長のレーザ光のスペクトル線幅
は、一般に数百ＭＨｚ以下であり、これを波長に換算す
ると数ｐｍ以下となる。従って、エタロンにこのように
スペクトル線幅の狭い光を通過させると、エタロンを通
過した光は、エタロンの温度とその波長に応じた損失を
受けることなる。

【００３２】具体的には、波長１５５２.５２４ｎｍのレ
ーザ光をエタロンに透過させた場合、実線で示した曲線
より透過率は最も高くなる。しかしながら、エタロンの
温度を高くするにしたがって、エタロンの透過スペクト
ル特性は矢印の方向に移動し、図５に破線で示すよう
に、波長１５５２.５２４ｎｍのレーザ光に対するエタロ
ンの透過率は１０％以下となる。

【００３３】一方図６は、図５に示す特性に基づき、透
過率が最も高い時を光減衰量０ｄＢとしてエタロンの温
度を変化させた時の光減衰量を示す図である。これら図
５ならびに図６からわかるように、エタロンの温度を変
化させることによって、ＤＦＢ−ＬＤあるいはＤＢＲ−
ＬＤ等から出射される単一波長のレーザ光の光出力に対
して、所望の光減衰量を与えることができる。

【００３４】図１から図４に示す構成において、光ファ
イバ１０５から出射されたレーザ光１０６は、レンズ１
０７によって平行光に変換された後、入射角度０度でエ
タロン１０２へ入射される。

【００３５】この場合、エタロン１０２の入射光に対す
る透過特性の波長依存性は、図５に実線で示した通りで
ある。そこで、エタロン１０２の温度を上げることによ
り透過特性は矢印方向に変化し、一例としてエタロン１
０２の温度を約８℃温度を高くすることにより、その特
性は破線のように変化する。

【００３６】上述のように、レーザ光１０６はエタロン
１０２を通過する際に、エタロン１０２の温度に応じた
光減衰量を受ける。即ち本実施の形態においては、エタ
ロン１０２により所定の減衰量を与えられたレーザ光
は、レンズ１１０により光ファイバ１０８に入射され
る。この光ファイバ１０８に入射されたレーザ光は本光
可変減衰器の出力光となる。

【００３７】上述したように本実施の形態では、エタロ
ンの透過スペクトル特性を温度で変化させている。これ
は、エタロンの熱膨張と屈折率の温度依存性により、エ
タロンの光学長が変化した結果に基づいている。

【００３８】これ故、エタロンの光学長を他の手段で変
化させても同様の作用が得られる。この他の手段として
は、例えばエタロンと単一波長のレーザ光の入射角度を
調整する方法やエタロンの共振器長が外部からの電気信
号により変化可能なエアーギャップエタロンを使用する
方法、あるいはエタロンの共振器長内部に外部からの電
気信号により屈折率が変化する液晶を封入した液晶封入
型エタロンを使用する方法等が考えられる。以下に、こ
れらについて説明する。

【００３９】Ｂ．第２の実施の形態 図７は、本発明の第２の実施の形態にかかる光可変減衰
器の構成を示す断面図である。図７において、上述の図
１ないし図４に示す各部と対応する部分には同一の符号
を付し、その詳細な説明は省略する。

【００４０】図７に示す構成において１１５は回転板で
あり、この回転板１１５の回転中心にエタロン１０２の
中心がくるように配置される。なお本実施の形態では、
上述の回転板を回転駆動するモータや、このモータに駆
動電流を供給する駆動回路、および駆動回路を制御する
制御回路等を有することで、減衰量を自動且つ任意に制
御する構成にもなるが、ここでは図示ならびに詳細な説
明は省略する。

【００４１】本実施の形態では、単一波長のレーザ光は
光ファイバ１０５から出射され、レンズ１０７により平
行光に変換された後、エタロン１０２に入射する。ここ
で、レーザ光とエタロン１０２との入射角度は、回転板
１１５を回転させることにより変えることができる。即
ち、回転板１１５を回転させることにより、レーザ光に
対するエタロン１０２の透過特性が変化し、レーザ光の
光出力を調整することが可能である。

【００４２】こうしてエタロン１０２により所定の減衰
が与えられたレーザ光は、レンズ１１０により光ファイ
バ１０８に入射される。光ファイバ１０８に入射された
レーザ光は本光可変減衰器の出力光となる。

【００４３】Ｃ．第３の実施の形態 図８は、本発明の第３の実施の形態にかかる光可変減衰
器の構成を示す断面図である。図８において、上述の図
１ないし図４、あるいは図７に示す各部と対応する部分
には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

【００４４】図８に示す構成において、１１６はピエゾ
素子１１７を利用したエアーギャップエタロンである。
また、１１８はエアーギャップエタロン１１６の共振器
長である。エアーギャップエタロン１１６はピエゾ素子
１１７に外部から電気信号を印加することにより共振器
長１１８を変化させることが可能である。

【００４５】なお本実施の形態では、上述のピエゾ素子
１１７に電気信号を供給する供給回路や、電気信号の供
給量を自動あるいは手動にて制御する制御回路等を備え
ているが、ここでは図示ならびに詳細な説明は省略す
る。

【００４６】本実施の形態では、単一波長のレーザ光は
光ファイバ１０５から出射され、レンズ１０７により平
行光に変換された後、エアーギャップエタロン１１６に
入射する。

【００４７】ここで、エアーギャップエタロン１１６の
共振器長１１８を変化させると、レーザ光に対するエア
ーギャップエタロン１１６の透過特性が変化し、レーザ
光の光出力を調整することが可能である。

【００４８】こうしてエアーギャップエタロン１１６に
より所定の減衰が与えられたレーザ光は、レンズ１１０
により光ファイバ１０８に入射される。光ファイバ１０
８に入射されたレーザ光は本光可変減衰器の出力光とな
る。

【００４９】Ｄ．第４の実施の形態 図９は、本発明の第４の実施の形態にかかる光可変減衰
器の構成を示す断面図である。図９において、上述の図
１ないし図４、あるいは図７、図８に示す各部と対応す
る部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。

【００５０】図９に示す構成において、１１９は内部に
液晶１２０を封入した液晶封入型エタロンである。ま
た、１２１ならびに１２２は電極であり、液晶１２０に
電気信号を加えることにより、液晶１２０の屈折率を変
化させることが可能である。

【００５１】なお本実施の形態では、上述の液晶１２０
に電気信号を供給する供給回路や、電気信号の供給量を
自動あるいは手動にて制御する制御回路等を備えている
が、ここでは図示ならびに詳細な説明は省略する。

【００５２】本実施の形態では、単一波長のレーザ光は
光ファイバ１０５から出射され、レンズ１０７により平
行光に変換された後、液晶封入型エタロン１１９に入射
する。ここで、液晶の屈折率を変化させると、レーザ光
に対する液晶封入型エタロン１１９の透過特性が変化
し、レーザ光の光出力を調整することが可能である。

【００５３】こうして液晶封入型エタロン１１９により
所定の減衰が与えられたレーザ光は、レンズ１１０によ
り光ファイバ１０８に入射される。光ファイバ１０８に
入射されたレーザ光は本光可変減衰器の出力光となる。

【００５４】Ｅ．第５の実施の形態図１０は、本発明の
第５の実施の形態にかかる光可変減衰器の構成を示す断
面図である。図１０において、上述の図１ないし図４、
あるいは図７ないし図９に示す各部と対応する部分には
同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

【００５５】図１０に示す構成において、１２３はアイ
ソレータであり、１２４はエタロン１０２からの反射光
である。本実施の形態では、単一波長のレーザ光は光フ
ァイバ１０５から出射され、レンズ１０７により平行光
に変換された後、アイソレータ１２３に入射される。ま
たアイソレータ１２３を通過した光は、エタロン１０２
に入射される。

【００５６】ここで、単一波長のレーザ光がエタロン１
０２を通過することにより与えられる光の減衰分は、エ
タロン１０２によりレーザ光の入射側、即ちレンズ１０
７、光ファイバ１０５側へ反射される。

【００５７】従って、アイソレータ１２３がない場合に
は、反射光１２４はレンズ１０７を介して光ファイバ１
０５に入射される。このようにして光ファイバ１０５に
入射した反射光１２４は、単一波長のレーザ光の光源に
対して悪影響を及ぼす可能性が非常に高い。

【００５８】本実施の形態では、アイソレータ１２３を
レンズ１０７とエタロン１０２の間に挿入配置すること
で、反射光１２４がレンズ１０７、光ファイバ１０５へ
入射されることがなくなる。即ち、反射光１２４がレー
ザ光の光源に対して与える悪影響を除去することが可能
である。

【００５９】上述のように、アイソレータ１２３を通過
した光は、エタロン１０２により所定の減衰が与えら
れ、レンズ１１０により光ファイバ１０８に入射され
る。光ファイバ１０８に入射されたレーザ光は本光可変
減衰器の出力光となる。

【００６０】なお、この第５の実施の形態にあっては、
上述の第１ないし第４の実施の形態と組み合わせること
によって、各々第１ないし第４の実施の形態にかかる光
可変減衰器の特性を改善させることができる。

【００６１】またこの発明は、単一波長のレーザ光の光
出力の制御に関するものであり、特にＷＤＭ（Ｗavelen
gth Ｄivision Ｍultipexing：波長分割多重）通信装置
およびその測定装置、あるいはこれらの装置に使用され
る素子の測定等において、単一波長レーザ光源の光出力
を調整する際に適用可能である。

【００６２】なお、上述の各実施の形態において説明の
ために挙げた材質、形状、波長あるいは詳細な回路構成
等は一例であって、本発明は、これ以外のものであって
もよい。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、入射手段によって入射された単一波長のレーザ光
を、可変手段によって光学長の変化するエタロンを通過
させ、このレーザ光を出射手段によって出射させる。こ
の可変手段は、エタロンの温度を検出する温度検出手段
と、エタロンの温度を上昇または下降させる熱移動手段
と、温度検出手段の検出結果に基づいて熱移動手段を制
御する温度制御手段とから構成される。または可変手段
は、エタロンに対するレーザ光の入射角度を制御する入
射角度制御手段から構成される。あるいは、入射手段に
よって入射された単一波長のレーザ光を、１対の光学素
子の間に、電気信号の強度に応じた長さの間隙を形成す
るピエゾ素子が挟持されたエタロンを通過させ、このレ
ーザ光を出射手段によって出射させる。もしくは、入射
手段によって入射された単一波長のレーザ光を、１対の
光学素子の間に、電気信号の強度に応じた屈折率を有す
る液晶素子が挟持されたエタロンを通過させ、このレー
ザ光を出射手段によって出射させる。さらに、入射手段
とエタロンとの間に、エタロンの入射面における反射光
の通過を阻止するアイソレータを挿入し、入射手段に入
射する反射光を阻止するので、レーザ光の光出力を変化
させても波長が変化することがなく、また小型で信頼性
の高い光可変減衰器が実現可能であるという効果が得ら
れる。

【００６４】即ち本発明の各実施の形態において説明し
た光可変減衰器は、エタロンの光学長をエタロンの温
度、エタロンに対する光軸の角度、あるいはその他の方
法によって変化させることにより、単一波長のレーザ光
の光出力を、そのレーザ光の波長を変化させることなく
減衰させることが可能な光可変減衰器が、小型軽量に実
現されるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる光可変減
衰器の概略構成を示す斜視図である。

【図２】 同実施の形態が適用された光可変減衰器の構
成を示す断面図である。

【図３】 エタロン取付け板１０１の構成を示す断面図
である。

【図４】 エタロン１０２の温度を制御するための概略
構成を示す摸式図である。

【図５】 エタロンの光透過スペクトル特性の一例を示
す図である。

【図６】 図５に示す特性に基づき、透過率が最も高い
時を光減衰量０ｄＢとしてエタロンの温度を変化させた
時の光減衰量を示す図である。

【図７】 本発明の第２の実施の形態にかかる光可変減
衰器の構成を示す断面図である。

【図８】 本発明の第３の実施の形態にかかる光可変減
衰器の構成を示す断面図である。

【図９】 本発明の第４の実施の形態にかかる光可変減
衰器の構成を示す断面図である。

【図１０】 本発明の第５の実施の形態にかかる光可変
減衰器の構成を示す断面図である。

【図１１】 従来の技術におけるＤＦＢ−ＬＤの概略構
成を示す構成図である。

【図１２】 従来の光可変減衰器の概略構成を示す構成
図である。

【符号の説明】

１０２ エタロン １０３ 温度検出器（温度検出手段） １０４ ペルチェ素子（熱移動手段） １０５ 光ファイバ １０８ 光ファイバ １１２ 温度調節回路（温度制御手段） １１５ 回転板（入射角度制御手段） １１７ ピエゾ素子 １２０ 液晶 １２３ 光アイソレータ（アイソレータ）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単一波長のレーザ光を入射させる入射手
   段と、 前記レーザ光が通過するエタロンと、 前記レーザ光に対する前記エタロンの光学長を変化させ
   る可変手段と、 前記エタロンを通過したレーザ光を出射させる出射手段
   とを具備することを特徴とする光可変減衰器。
2. 【請求項２】 前記可変手段は、 前記エタロンの温度を検出する温度検出手段と、 前記エタロンの温度を上昇または下降させる熱移動手段
   と、 前記温度検出手段の検出結果に基づいて前記熱移動手段
   を制御する温度制御手段とから構成されることを特徴と
   する請求項１に記載の光可変減衰器。
3. 【請求項３】 前記可変手段は、 前記エタロンに対する前記レーザ光の入射角度を制御す
   る入射角度制御手段から構成されることを特徴とする請
   求項１に記載の光可変減衰器。
4. 【請求項４】 単一波長のレーザ光を入射させる入射手
   段と、 前記レーザ光が通過するエタロンと、 前記エタロンを通過したレーザ光を出射させる出射手段
   とを具備し、前記エタロンは、 間隙をもって対向する１対の光学素子と、 前記１対の光学素子の間に挟持されるピエゾ素子と、 前記ピエゾ素子に任意の強度の電気信号を供給して前記
   間隙長を可変させる電気信号供給手段とから構成される
   ことを特徴とする光可変減衰器。
5. 【請求項５】 単一波長のレーザ光を入射させる入射手
   段と、 前記レーザ光が通過するエタロンと、 前記エタロンを通過したレーザ光を出射させる出射手段
   とを具備し、前記エタロンは、 対向する１対の光学素子と、 前記１対の光学素子の間に挟持される液晶と、 前記液晶に任意の強度の電気信号を供給して前記液晶の
   屈折率を可変させる電気信号供給手段とから構成される
   ことを特徴とする光可変減衰器。
6. 【請求項６】 前記入射手段と前記エタロンとの間に、 前記エタロンの入射面における反射光の通過を阻止する
   アイソレータ（１２３）が挿入されてなることを特徴と
   する請求項１ないし請求項５の何れかに記載の光可変減
   衰器。