JP2001237518A - 立体回路基板の製造方法及び立体回路基板 - Google Patents
立体回路基板の製造方法及び立体回路基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 触媒処理を不要にして製造工程を簡略化し、
導体層の周辺の輪郭が明確であり、誘電体基体から樹脂
マスクを容易かつ敏速に除去することにある。 【解決手段】 パラジウムを混入した熱可塑性の液晶ポ
リマーで誘電体基板１を成形（Ａ）した後、この誘電体
基体の表面のうち、所定パターンの導体層４が形成され
るべき表面部分を露出させ、これ以外の表面部分を覆う
ように樹脂マスク２を形成（Ｂ）し、この樹脂マスク及
びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体１の全表
面を粗面化処理３する（Ｃ）。次に、誘電体基体１から
樹脂マスク２を除去する（Ｄ）。最後に、誘電体基体１
の表面に所定パターンのエッチング処理面３の上に導電
層４を無電解めっきにより形成する（Ｅ）。
導体層の周辺の輪郭が明確であり、誘電体基体から樹脂
マスクを容易かつ敏速に除去することにある。 【解決手段】 パラジウムを混入した熱可塑性の液晶ポ
リマーで誘電体基板１を成形（Ａ）した後、この誘電体
基体の表面のうち、所定パターンの導体層４が形成され
るべき表面部分を露出させ、これ以外の表面部分を覆う
ように樹脂マスク２を形成（Ｂ）し、この樹脂マスク及
びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体１の全表
面を粗面化処理３する（Ｃ）。次に、誘電体基体１から
樹脂マスク２を除去する（Ｄ）。最後に、誘電体基体１
の表面に所定パターンのエッチング処理面３の上に導電
層４を無電解めっきにより形成する（Ｅ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話の
移動通信装置やＧＰＳ装置に使用される誘電体アンテナ
等のような立体回路基板の製造方法及びこの製造方法に
より製造された立体回路基板に関する。
移動通信装置やＧＰＳ装置に使用される誘電体アンテナ
等のような立体回路基板の製造方法及びこの製造方法に
より製造された立体回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から誘電体アンテナなどのような立
体回路基板の製造方法として、誘電体材料から所定形状
の誘電体基板を成形し、この所定形状に成形された誘電
体基板の表面のうち、この所定パターンの導電層が形成
されるべき表面部分を露出させて、この部分以外の表面
部分を覆うように、この誘電体基板に樹脂マスクを一体
的に成形し、無電解メッキを施す表面に金属微粒子を付
着させるための触媒を付与した後、樹脂マスクの表面及
びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表面
上に無電解めっきにより導体層を形成し、このめっきさ
れた誘電体基板とこの樹脂マスクとの一体品から樹脂マ
スクを除去して、この誘電体基体の表面上に所定パター
ンの導体層を形成するものである（例えば、特開平１１
-１７４４２号公報）。
体回路基板の製造方法として、誘電体材料から所定形状
の誘電体基板を成形し、この所定形状に成形された誘電
体基板の表面のうち、この所定パターンの導電層が形成
されるべき表面部分を露出させて、この部分以外の表面
部分を覆うように、この誘電体基板に樹脂マスクを一体
的に成形し、無電解メッキを施す表面に金属微粒子を付
着させるための触媒を付与した後、樹脂マスクの表面及
びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表面
上に無電解めっきにより導体層を形成し、このめっきさ
れた誘電体基板とこの樹脂マスクとの一体品から樹脂マ
スクを除去して、この誘電体基体の表面上に所定パター
ンの導体層を形成するものである（例えば、特開平１１
-１７４４２号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、無電解め
っきのための触媒処理が必要であり、さらに、無電解め
っきにより導体層を形成した後、即ち、樹脂マスクの表
面とこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表
面に導体層を形成した後で樹脂マスクを除去するもので
あるため、この樹脂マスクを除去するとき、一連に連続
している樹脂マスク表面の導電層と誘電体基体の導体層
とは、強制的な剥離作業により、この誘電体基体の導体
層の周辺が凹凸形状、つまりジグザグの状態になった
り、使用上支障になる残査が残ったり、疵がついたりす
る。そのため、誘電体アンテナの面積が設計通りでなく
なり、アンテナとしての機能が落ちる。
っきのための触媒処理が必要であり、さらに、無電解め
っきにより導体層を形成した後、即ち、樹脂マスクの表
面とこの樹脂マスクから露出している誘電体基体の全表
面に導体層を形成した後で樹脂マスクを除去するもので
あるため、この樹脂マスクを除去するとき、一連に連続
している樹脂マスク表面の導電層と誘電体基体の導体層
とは、強制的な剥離作業により、この誘電体基体の導体
層の周辺が凹凸形状、つまりジグザグの状態になった
り、使用上支障になる残査が残ったり、疵がついたりす
る。そのため、誘電体アンテナの面積が設計通りでなく
なり、アンテナとしての機能が落ちる。
【０００４】そこで、本発明の目的は無電解めっきのた
めの触媒処理を不要にすることにより、製造工程を簡略
化することのできる立体回路基板の製造方法を提供する
ことにある。
めの触媒処理を不要にすることにより、製造工程を簡略
化することのできる立体回路基板の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】また、本発明の他の目的は導電体基体の導
体層の周辺の輪郭が明確である立体回路基板及びその製
造方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は誘電体基体から樹脂マスクを容易かつ敏速に除去する
ことのできる立体回路基板の製造方法を提供することに
ある。
体層の周辺の輪郭が明確である立体回路基板及びその製
造方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は誘電体基体から樹脂マスクを容易かつ敏速に除去する
ことのできる立体回路基板の製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した本発
明の特徴は、触媒が混入してある触媒入り合成樹脂材料
により前記所定形状の誘電体基体を形成する第一の工程
と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの
導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以
外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスク
を形成する第２の工程と、この樹脂マスク及びこの樹脂
マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面
化処理する第３の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂
マスクを除去する第４の工程と、上記誘電体基体の表面
に所定パターンの導電層を無電解めっきにより形成する
第５の工程とを含むところにある。
明の特徴は、触媒が混入してある触媒入り合成樹脂材料
により前記所定形状の誘電体基体を形成する第一の工程
と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの
導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以
外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスク
を形成する第２の工程と、この樹脂マスク及びこの樹脂
マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面
化処理する第３の工程と、上記誘電体基体から上記樹脂
マスクを除去する第４の工程と、上記誘電体基体の表面
に所定パターンの導電層を無電解めっきにより形成する
第５の工程とを含むところにある。
【０００７】この発明の特徴は、第１の工程において形
成する導電体基体の材料は無電解に対する触媒が混入し
てあり、 第４の工程の樹脂マスクを除去した後で、第
５の導電層を形成するものである。
成する導電体基体の材料は無電解に対する触媒が混入し
てあり、 第４の工程の樹脂マスクを除去した後で、第
５の導電層を形成するものである。
【０００８】誘電体基体の材料の合成樹脂は耐熱性と強
度において優れ、例えば金型を閉じた状態でキャビティ
内にめっきグレードの熱可塑性の液晶ポリマーを射出し
て成形するものである。この熱可塑性の液晶ポリマーは
熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂であって、これは
「ベクトラ」（ポリプラスチック株式会社製の商品名）
のめっきグレードＣ８１０を用いる。その他、この誘電
体基体１の材料の合成樹脂としてポリフェニルサルファ
イド樹脂、ポリフェニンエーテル樹脂、ポリエーテルイ
ミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬
化性樹脂が選択適用できる。そこで、このような合成樹
脂にパラジウム、金などの触媒を混入し、この触媒入り
合成樹脂材料を射出成形することにより所定形状の立方
体の一次基体である誘電体基体を形成する。
度において優れ、例えば金型を閉じた状態でキャビティ
内にめっきグレードの熱可塑性の液晶ポリマーを射出し
て成形するものである。この熱可塑性の液晶ポリマーは
熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂であって、これは
「ベクトラ」（ポリプラスチック株式会社製の商品名）
のめっきグレードＣ８１０を用いる。その他、この誘電
体基体１の材料の合成樹脂としてポリフェニルサルファ
イド樹脂、ポリフェニンエーテル樹脂、ポリエーテルイ
ミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬
化性樹脂が選択適用できる。そこで、このような合成樹
脂にパラジウム、金などの触媒を混入し、この触媒入り
合成樹脂材料を射出成形することにより所定形状の立方
体の一次基体である誘電体基体を形成する。
【０００９】樹脂マスクの材料の合成樹脂は、容易に曲
げることのできるエラストマーで、このエラストマーと
しては、常温で弾性を有するもので、有機物、無機物、
天然のもの、合成されたものから適宜選択されるもの
で、天然ゴム系エラストマーとしては、塩化ゴム、塩酸
ゴム、マレイン酸化ゴム、水素化ゴムなどである。この
ようなエラストマーとして用いることのできる合成ゴム
としては、ＶＤＦ（ビニリデンフルオライト）−ＨＦＰ
（ヘキサフロオロプロピレン）、ＶＤＦ−ＣＴＦＥ（ク
ロロトリフルオロエチレン）、ＶＤＦ−ＰＦＶＥ（パー
フルオロメチルビニルイーテル）、フルオロシリコーン
ゴム、ＴＦＥ（テトラフルオロイチレン）−ＰＦＶＥ、
ＰＴＦＥ−Ｐ（ポリテトラフルオロエチレン−プロピレ
ン）ルオロアルコキシポリフォスファンゼンなどのフッ
素ゴム、イソブチレンゴム、エチレンプロピレンジエン
ゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴムなどのポリオ
レフィン系エラストマー、スチレン−イソプレン−スチ
レンブロックコポリマ−、スチレン−ブタジェン−スチ
レンコポリマー、スチレン−エチレン−ブチレン−スチ
レンブロックコポリマーなどのスチレン系エラストマ
ー、その他ポリエステル系エラストマー、イソプレンゴ
ム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロプ
レンゴム、シリコーンゴム、ナイロン１２、ブチルゴ
ム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリノルボルネンゴ
ムなどである。
げることのできるエラストマーで、このエラストマーと
しては、常温で弾性を有するもので、有機物、無機物、
天然のもの、合成されたものから適宜選択されるもの
で、天然ゴム系エラストマーとしては、塩化ゴム、塩酸
ゴム、マレイン酸化ゴム、水素化ゴムなどである。この
ようなエラストマーとして用いることのできる合成ゴム
としては、ＶＤＦ（ビニリデンフルオライト）−ＨＦＰ
（ヘキサフロオロプロピレン）、ＶＤＦ−ＣＴＦＥ（ク
ロロトリフルオロエチレン）、ＶＤＦ−ＰＦＶＥ（パー
フルオロメチルビニルイーテル）、フルオロシリコーン
ゴム、ＴＦＥ（テトラフルオロイチレン）−ＰＦＶＥ、
ＰＴＦＥ−Ｐ（ポリテトラフルオロエチレン−プロピレ
ン）ルオロアルコキシポリフォスファンゼンなどのフッ
素ゴム、イソブチレンゴム、エチレンプロピレンジエン
ゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴムなどのポリオ
レフィン系エラストマー、スチレン−イソプレン−スチ
レンブロックコポリマ−、スチレン−ブタジェン−スチ
レンコポリマー、スチレン−エチレン−ブチレン−スチ
レンブロックコポリマーなどのスチレン系エラストマ
ー、その他ポリエステル系エラストマー、イソプレンゴ
ム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、クロロプ
レンゴム、シリコーンゴム、ナイロン１２、ブチルゴ
ム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリノルボルネンゴ
ムなどである。
【００１０】これらのエラストマーは一種又は二種以上
を混合してもよい。エラストマーの有する弾力性を損な
わない限度で熱可塑性樹脂を混合して用いてもよい。
を混合してもよい。エラストマーの有する弾力性を損な
わない限度で熱可塑性樹脂を混合して用いてもよい。
【００１１】樹脂マスク２用の樹脂材料には、寸法精度
や硬度を調整するためタルク、ベントナイト、マイカ、
ワラストナイト、ガラスフィラーなどの無機フィラーな
どを複合させるように添加してもよい。さらに、接着性
改良剤を添加してもよい。
や硬度を調整するためタルク、ベントナイト、マイカ、
ワラストナイト、ガラスフィラーなどの無機フィラーな
どを複合させるように添加してもよい。さらに、接着性
改良剤を添加してもよい。
【００１２】請求項２に記載した本発明の特徴は、無電
解めっきに対する触媒が混入してある触媒入り合成樹脂
材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する第１の
工程と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パター
ンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、こ
れ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マ
スクを形成する第２の工程と、上記樹脂マスク及びこの
樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を
粗面化処理する第３の工程と、上記誘電体基体の粗面化
処理された面と上記樹脂マスクの全表面に導電層を無電
解めっきにより形成する第４の工程と、上記誘電体基体
から上記樹脂マスクを除去する第５の工程とを含み、さ
らに、上記誘電体基体と上記樹脂マスクとの材料は相互
に弱相溶性のものであるところにある。
解めっきに対する触媒が混入してある触媒入り合成樹脂
材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する第１の
工程と、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パター
ンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、こ
れ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マ
スクを形成する第２の工程と、上記樹脂マスク及びこの
樹脂マスクから露出している上記誘電体基体の全表面を
粗面化処理する第３の工程と、上記誘電体基体の粗面化
処理された面と上記樹脂マスクの全表面に導電層を無電
解めっきにより形成する第４の工程と、上記誘電体基体
から上記樹脂マスクを除去する第５の工程とを含み、さ
らに、上記誘電体基体と上記樹脂マスクとの材料は相互
に弱相溶性のものであるところにある。
【００１３】この弱相溶性とは、相溶性と非相溶性との
中間のもので、具体的には誘電体基体と樹脂マスクの界
面を機械的に剥離する場合、この誘電体基体の表面に使
用上支障になる残査、疵が残らず、かつ湿式工程でのエ
ッチング液が界面へ浸透することを防止できる範囲の温
度で溶着している状態を言う。
中間のもので、具体的には誘電体基体と樹脂マスクの界
面を機械的に剥離する場合、この誘電体基体の表面に使
用上支障になる残査、疵が残らず、かつ湿式工程でのエ
ッチング液が界面へ浸透することを防止できる範囲の温
度で溶着している状態を言う。
【００１４】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明に係る立体
回路基板の製造方法の実施の形態を説明すると、まず第
１の形態は図１（Ａ）〜（Ｅ）に示すものである。第１
の工程は図１（Ａ）に示すように、第１の成形物である
誘電体基板１を成形するもので、この誘電体基体の材料
の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金型を
閉じた状態でキャビティ内にめっきグレードの熱可塑性
の液晶ポリマーを射出して成形するものである。この熱
可塑性の液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル
樹脂であって、これは「ベクトラ」（ポリプラスチック
株式会社製の商品名）のめっきグレードＣ８１０を用
い、これは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があり
成形回路部品としての性能を有している。そこで、この
合成樹脂に無電解めっきに対する触媒のパラジウムを混
入し、この触媒入り合成樹脂材料を射出成形することに
より所定形状の立方体の一次基体である誘電体基体１を
形成する。
回路基板の製造方法の実施の形態を説明すると、まず第
１の形態は図１（Ａ）〜（Ｅ）に示すものである。第１
の工程は図１（Ａ）に示すように、第１の成形物である
誘電体基板１を成形するもので、この誘電体基体の材料
の合成樹脂は耐熱性と強度において優れ、例えば金型を
閉じた状態でキャビティ内にめっきグレードの熱可塑性
の液晶ポリマーを射出して成形するものである。この熱
可塑性の液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル
樹脂であって、これは「ベクトラ」（ポリプラスチック
株式会社製の商品名）のめっきグレードＣ８１０を用
い、これは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があり
成形回路部品としての性能を有している。そこで、この
合成樹脂に無電解めっきに対する触媒のパラジウムを混
入し、この触媒入り合成樹脂材料を射出成形することに
より所定形状の立方体の一次基体である誘電体基体１を
形成する。
【００１５】次に、第２の工程は図１（Ｂ）に示すよう
に、第１の工程の後、誘電体基体１の表面のうち、所定
パターンの導体層４（図１（Ｅ）参照）が形成されるべ
き表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うよ
うにこの誘電体基体に樹脂マスク２を形成するものであ
る。この樹脂マスク２の材料としては、容易に曲げるこ
とのできるエラストマーで、このエラストマーとして
は、常温で弾性を有するもので、熱可塑性ポリエステル
系エラストマーである「ハイトレル＃ＳＢ７０４東レ・
デュポン社製の商品名」を使用した。なお、誘電体基体
１の材料を前記したベクトラを使用し、この樹脂マスク
２の材料としてハイトレル＃ＳＢ７０４を使用している
場合は、この誘電体基体１と樹脂マスク２とは弱相溶性
の範囲の接着強度を有するようになり、そのため、後で
説明する第４の工程の樹脂マスク２の除去作業が簡単に
なる。樹脂マスク２の成形条件としては、成形機（東洋
機械金属（株）の型式：ＴＩ３０Ｇ２）において、シリ
ンダ温度：２３０℃、射出圧力：７１７ｋｇ/ｃｍ２、
成形サイクル：２５秒、金型温度：４０℃に設定したも
のである。
に、第１の工程の後、誘電体基体１の表面のうち、所定
パターンの導体層４（図１（Ｅ）参照）が形成されるべ
き表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆うよ
うにこの誘電体基体に樹脂マスク２を形成するものであ
る。この樹脂マスク２の材料としては、容易に曲げるこ
とのできるエラストマーで、このエラストマーとして
は、常温で弾性を有するもので、熱可塑性ポリエステル
系エラストマーである「ハイトレル＃ＳＢ７０４東レ・
デュポン社製の商品名」を使用した。なお、誘電体基体
１の材料を前記したベクトラを使用し、この樹脂マスク
２の材料としてハイトレル＃ＳＢ７０４を使用している
場合は、この誘電体基体１と樹脂マスク２とは弱相溶性
の範囲の接着強度を有するようになり、そのため、後で
説明する第４の工程の樹脂マスク２の除去作業が簡単に
なる。樹脂マスク２の成形条件としては、成形機（東洋
機械金属（株）の型式：ＴＩ３０Ｇ２）において、シリ
ンダ温度：２３０℃、射出圧力：７１７ｋｇ/ｃｍ２、
成形サイクル：２５秒、金型温度：４０℃に設定したも
のである。
【００１６】次に、第３の工程の化学エッチング工程を
図１（Ｃ）を参照して説明すると、このエッチング処理
面３は、樹脂マスク２及びこの樹脂マスクから露出して
いる誘電体基体１の全表面を粗面化処理するものであ
る。このエッチング処理の例として、苛性ソーダ又は苛
性カリを所定濃度、例えば、４５ｗｔ％に溶解したアル
カリ性水溶液を所定温度、例えば５０〜９０℃に加熱
し、一次成形品の誘電体基体１、二次成形品の樹脂マス
ク２を所定時間、例えば３０分浸漬して行う。このエッ
チング処理により全表面が粗面化となる。
図１（Ｃ）を参照して説明すると、このエッチング処理
面３は、樹脂マスク２及びこの樹脂マスクから露出して
いる誘電体基体１の全表面を粗面化処理するものであ
る。このエッチング処理の例として、苛性ソーダ又は苛
性カリを所定濃度、例えば、４５ｗｔ％に溶解したアル
カリ性水溶液を所定温度、例えば５０〜９０℃に加熱
し、一次成形品の誘電体基体１、二次成形品の樹脂マス
ク２を所定時間、例えば３０分浸漬して行う。このエッ
チング処理により全表面が粗面化となる。
【００１７】次に、図１（Ｄ）により第４の工程を説明
すると、これはエッチングされた誘電体基板１や樹脂マ
スク２を乾燥させた後、この誘電体基体１から樹脂マス
ク２を除去する工程であって、これは手作業で行うこと
ができるが、この除去作業を容易にするため、樹脂マス
ク２除去用の機器を使用してもよく、また、化学的に、
例えばキシレン系の有機用材を用いてこの樹脂マスクの
みを溶解することにより除去してもよい。なお、樹脂マ
スク２の材料と誘電体基体１の材料を弱相溶性の合成樹
脂から選択することにより、この樹脂マスクの除去作業
が簡単になることは前述した通りである。
すると、これはエッチングされた誘電体基板１や樹脂マ
スク２を乾燥させた後、この誘電体基体１から樹脂マス
ク２を除去する工程であって、これは手作業で行うこと
ができるが、この除去作業を容易にするため、樹脂マス
ク２除去用の機器を使用してもよく、また、化学的に、
例えばキシレン系の有機用材を用いてこの樹脂マスクの
みを溶解することにより除去してもよい。なお、樹脂マ
スク２の材料と誘電体基体１の材料を弱相溶性の合成樹
脂から選択することにより、この樹脂マスクの除去作業
が簡単になることは前述した通りである。
【００１８】最後に、図１（Ｅ）により第５の工程を説
明すると、誘電体基体１の表面に所定パターンのエッチ
ング処理面３の上に導電層４を無電解めっきにより形成
するものである。
明すると、誘電体基体１の表面に所定パターンのエッチ
ング処理面３の上に導電層４を無電解めっきにより形成
するものである。
【００１９】次に、本発明の他の実施の形態を、図２
（Ａ）〜（Ｅ）を参照して説明すると、第１の工程は図
２（Ａ）に示すように、第１の成形物である誘電体基板
１を成形するもので、この誘電体基体の材料の合成樹脂
は、第１の実施例と同じめっきグレードの熱可塑性の液
晶ポリマーを射出して成形するもので、この熱可塑性の
液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂であ
る「ベクトラ」（ポリプラスチック株式会社製の商品
名）のめっきグレードＣ８１０を用いる。この液晶ポリ
マーは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があること
は前述した。そこで、この合成樹脂に無電解めっきに対
する触媒のパラジウムを混入し、この触媒入り合成樹脂
材料を射出成形することにより所定形状の立方体の一次
基体である誘電体基体１を形成する。
（Ａ）〜（Ｅ）を参照して説明すると、第１の工程は図
２（Ａ）に示すように、第１の成形物である誘電体基板
１を成形するもので、この誘電体基体の材料の合成樹脂
は、第１の実施例と同じめっきグレードの熱可塑性の液
晶ポリマーを射出して成形するもので、この熱可塑性の
液晶ポリマーは熱可塑性芳香族系ポリエステル樹脂であ
る「ベクトラ」（ポリプラスチック株式会社製の商品
名）のめっきグレードＣ８１０を用いる。この液晶ポリ
マーは熱可塑性でありながら半田実装耐熱性があること
は前述した。そこで、この合成樹脂に無電解めっきに対
する触媒のパラジウムを混入し、この触媒入り合成樹脂
材料を射出成形することにより所定形状の立方体の一次
基体である誘電体基体１を形成する。
【００２０】次に、第２の工程は図２（Ｂ）に示すよう
に、第１の工程の後、誘電体基体１の表面のうち、所定
パターンの導体層４１（図２（Ｅ）参照）が形成される
べき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆う
ようにこの誘電体基体に樹脂マスク２を形成するもので
ある。この樹脂マスク２の材料としては、容易に曲げる
ことのできるエラストマーで、このエラストマーとして
は、常温で弾性を有するもので、ポリエステル系エラス
トマーである「ハイトレル＃ＳＢ７０４ 東レ・デュポ
ン社製の商品名」を使用した。
に、第１の工程の後、誘電体基体１の表面のうち、所定
パターンの導体層４１（図２（Ｅ）参照）が形成される
べき表面部分を露出させて、これ以外の表面部分を覆う
ようにこの誘電体基体に樹脂マスク２を形成するもので
ある。この樹脂マスク２の材料としては、容易に曲げる
ことのできるエラストマーで、このエラストマーとして
は、常温で弾性を有するもので、ポリエステル系エラス
トマーである「ハイトレル＃ＳＢ７０４ 東レ・デュポ
ン社製の商品名」を使用した。
【００２１】樹脂マスク２は熱可塑性エラストマーで、
誘電体基体１に対して弱相溶性であることが必要であ
る。そのため、図２（Ｂ）の状態において誘電体基体１
と樹脂マスク２との間の界面には、この後に行われる化
学エッチング液、無電解（化学）めっき液が浸透するこ
とがなく、樹脂マスク２の除去、つまり機械的剥離もき
わめて容易かつ敏速に行うことができる。
誘電体基体１に対して弱相溶性であることが必要であ
る。そのため、図２（Ｂ）の状態において誘電体基体１
と樹脂マスク２との間の界面には、この後に行われる化
学エッチング液、無電解（化学）めっき液が浸透するこ
とがなく、樹脂マスク２の除去、つまり機械的剥離もき
わめて容易かつ敏速に行うことができる。
【００２２】次に、第３の工程の化学エッチング工程を
図２（Ｃ）を参照して説明すると、このエッチング処理
面３は、樹脂マスク２及びこの樹脂マスクから露出して
いる誘電体基体１の全表面を粗面化処理するものであ
る。このエッチング処理の例として、前記した実施例と
同様に、苛性ソーダ又は苛性カリを所定濃度、例えば、
４５ｗｔ％に溶解したアルカリ性水溶液を所定温度、例
えば５０〜９０℃に加熱し、一次成形品の誘電体基体
１、二次成形品の樹脂マスク２を所定時間、例えば３０
分浸漬して行う。このエッチング処理により全表面が粗
面化となる。
図２（Ｃ）を参照して説明すると、このエッチング処理
面３は、樹脂マスク２及びこの樹脂マスクから露出して
いる誘電体基体１の全表面を粗面化処理するものであ
る。このエッチング処理の例として、前記した実施例と
同様に、苛性ソーダ又は苛性カリを所定濃度、例えば、
４５ｗｔ％に溶解したアルカリ性水溶液を所定温度、例
えば５０〜９０℃に加熱し、一次成形品の誘電体基体
１、二次成形品の樹脂マスク２を所定時間、例えば３０
分浸漬して行う。このエッチング処理により全表面が粗
面化となる。
【００２３】このように、この実施の形態における第１
の工程から第３の工程までは、前記した実施の形態にお
ける第１の工程から第３の工程と実質的に同じで、同一
図面に同一符号を付している。しかし、前記した実施例
では、第３の工程の樹脂マスク２及びこの樹脂マスクか
ら露出している誘電体基体１の全表面を粗面化処理した
後、樹脂マスクの除去を行うが、この実施例では、第４
の工程として誘電体基体１のエッチングされた面３と樹
脂マスク２の全表面に導電層４１、４２を無電解めっき
で形成するものである。
の工程から第３の工程までは、前記した実施の形態にお
ける第１の工程から第３の工程と実質的に同じで、同一
図面に同一符号を付している。しかし、前記した実施例
では、第３の工程の樹脂マスク２及びこの樹脂マスクか
ら露出している誘電体基体１の全表面を粗面化処理した
後、樹脂マスクの除去を行うが、この実施例では、第４
の工程として誘電体基体１のエッチングされた面３と樹
脂マスク２の全表面に導電層４１、４２を無電解めっき
で形成するものである。
【００２４】最後に、第５の工程は誘電体基体１から樹
脂マスク２を除去するが、この除去作業において、前記
したように、誘電体基体１と樹脂マスク２との材料は相
互に弱相溶性のものであるため、この樹脂マスクを除去
するためにこの樹脂マスクの界面を剥離させる場合、こ
の剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さらに、
誘電体基体１の表面に使用上支障となる残査や疵が残ら
ない。
脂マスク２を除去するが、この除去作業において、前記
したように、誘電体基体１と樹脂マスク２との材料は相
互に弱相溶性のものであるため、この樹脂マスクを除去
するためにこの樹脂マスクの界面を剥離させる場合、こ
の剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さらに、
誘電体基体１の表面に使用上支障となる残査や疵が残ら
ない。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の本発明によると、従来のよう
に触媒付与工程が不要であり、無電解めっきによる導体
層が設計通りの正確な輪郭を有するため、例えば、誘電
体アンテナを製造した場合、アンテナとしての機能が十
分に発揮するものであり、請求項２記載の発明による
と、触媒付与工程が不要になり、誘電体基体と樹脂マス
クとの間に化学エッチング液や無電解めっき液が浸透す
ることがなく、この樹脂マスクの界面を剥離させる場
合、この剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さ
らに、誘電体基体１の表面に使用上支障となる残査や疵
が残らない。
に触媒付与工程が不要であり、無電解めっきによる導体
層が設計通りの正確な輪郭を有するため、例えば、誘電
体アンテナを製造した場合、アンテナとしての機能が十
分に発揮するものであり、請求項２記載の発明による
と、触媒付与工程が不要になり、誘電体基体と樹脂マス
クとの間に化学エッチング液や無電解めっき液が浸透す
ることがなく、この樹脂マスクの界面を剥離させる場
合、この剥離作業が容易かつ敏速に行うことができ、さ
らに、誘電体基体１の表面に使用上支障となる残査や疵
が残らない。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）
は、それぞれ本発明の第１の実施の形態による製造の各
工程を段階的に示す概略図である。
は、それぞれ本発明の第１の実施の形態による製造の各
工程を段階的に示す概略図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）
は、それぞれ本発明の第２の実施の形態による製造の各
工程を段階的に示す概略図である。
は、それぞれ本発明の第２の実施の形態による製造の各
工程を段階的に示す概略図である。
１ 誘電体基体 ２ 樹脂マスク ３ エッチング処理面 ４ 導電層 ４１，４２ 導電層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年５月１０日（２０００．５．１
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】次に、図１（Ｄ）により第４の工程を説明
すると、これはエッチングされた誘電体基板１や樹脂マ
スク２を乾燥させた後、この誘電体基体１から樹脂マス
ク２を除去する工程であって、これは手作業で行うこと
ができるが、この除去作業を容易にするため、樹脂マス
ク２除去用の機器を使用してもよく、また、化学的に、
例えばキシレン系の有機用材を用いてこの樹脂マスクの
みを溶解することにより除去してもよい。そして、エッ
チング処理面３の表面には基体１に混入されている触媒
が露出して無電解めっきが析出可能となる。しかし、エ
ッチングされていない面には、基体１の成形時に樹脂ス
キン層が形成されているので、この基体の表面に触媒の
露出が無く、そのため無電解めっきが析出しない。この
ように、エッチング処理されていない面、即ち、絶縁面
には触媒が露出しないので表面固定抵抗が高く、信頼性
の高い製品を得ることができる。なお、樹脂マスク２の
材料と誘電体基体１の材料を弱相溶性の合成樹脂から選
択することにより、この樹脂マスクの除去作業が簡単に
なることは前述した通りである。
すると、これはエッチングされた誘電体基板１や樹脂マ
スク２を乾燥させた後、この誘電体基体１から樹脂マス
ク２を除去する工程であって、これは手作業で行うこと
ができるが、この除去作業を容易にするため、樹脂マス
ク２除去用の機器を使用してもよく、また、化学的に、
例えばキシレン系の有機用材を用いてこの樹脂マスクの
みを溶解することにより除去してもよい。そして、エッ
チング処理面３の表面には基体１に混入されている触媒
が露出して無電解めっきが析出可能となる。しかし、エ
ッチングされていない面には、基体１の成形時に樹脂ス
キン層が形成されているので、この基体の表面に触媒の
露出が無く、そのため無電解めっきが析出しない。この
ように、エッチング処理されていない面、即ち、絶縁面
には触媒が露出しないので表面固定抵抗が高く、信頼性
の高い製品を得ることができる。なお、樹脂マスク２の
材料と誘電体基体１の材料を弱相溶性の合成樹脂から選
択することにより、この樹脂マスクの除去作業が簡単に
なることは前述した通りである。
Claims (5)
- 【請求項１】 合成樹脂材料からなる所定形状の誘電体
基体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導
体層が形成されている立体回路基板の製造方法におい
て、無電解めっきに対する触媒が混入してある触媒入り
合成樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成す
る工程、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パター
ンの導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、こ
れ以外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マ
スクを形成する工程、この樹脂マスク及びこの樹脂マス
クから露出している上記誘電体基体の全表面を粗面化処
理する工程、上記誘電体基体から上記樹脂マスクを除去
する工程、上記誘電体基体の表面に所定パターンの導電
層を無電解めっきにより形成する工程を含むことを特徴
とする立体回路基板の製造方法。 - 【請求項２】合成樹脂材料からなる所定形状の誘電体基
体の表面上に、導電性材料からなる所定パターンの導体
層が形成されている立体回路基板の製造方法において、
無電解めっきに対する触媒が混入してある触媒入り合成
樹脂材料により前記所定形状の誘電体基体を形成する工
程、この誘電体基体の表面のうち、前記所定パターンの
導体層が形成されるべき表面部分を露出させて、これ以
外の表面部分を覆うようにこの誘電体基体に樹脂マスク
を形成する工程、上記樹脂マスク及びこの樹脂マスクか
ら露出している上記誘電体基体の全表面を粗面化処理す
る工程、上記誘電体基体の粗面化処理された面と上記樹
脂マスクの全表面に導電層を無電解めっきにより形成す
る工程、上記誘電体基体から上記樹脂マスクを除去する
工程を含み、さらに、上記誘電体基体と上記樹脂マスク
との材料は相互に弱相溶性のものであることを特徴とす
る立体回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、誘電体基体
は熱可塑性材料または熱硬化性材料から選択されたもの
であることを特徴とする立体回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２において、樹脂マスク
はエラストマーであることを特徴とする立体回路基板の
製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１つの製造方法
により製造された立体回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045708A JP4426686B2 (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 立体回路基板の製造方法及び立体回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045708A JP4426686B2 (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 立体回路基板の製造方法及び立体回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237518A true JP2001237518A (ja) | 2001-08-31 |
| JP4426686B2 JP4426686B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=18568247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000045708A Expired - Fee Related JP4426686B2 (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 立体回路基板の製造方法及び立体回路基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4426686B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211207B2 (en) | 2002-05-22 | 2007-05-01 | Hitachi Maxell, Ltd. | Injection molding method with surface modification |
| JP2009293121A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-12-17 | Iris Co Ltd | めっき面を有する複合成形体とその製造方法 |
| JP2010516899A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | マクダーミッド インコーポレーテッド | 裏面金属化方法 |
| JP2010159468A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Achilles Corp | 成形回路部品の製造方法 |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000045708A patent/JP4426686B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211207B2 (en) | 2002-05-22 | 2007-05-01 | Hitachi Maxell, Ltd. | Injection molding method with surface modification |
| US7763195B2 (en) | 2002-05-22 | 2010-07-27 | Hitachi Maxell, Ltd. | Injection molding method with surface modification |
| JP2010516899A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | マクダーミッド インコーポレーテッド | 裏面金属化方法 |
| JP2009293121A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-12-17 | Iris Co Ltd | めっき面を有する複合成形体とその製造方法 |
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|---|---|
| JP4426686B2 (ja) | 2010-03-03 |
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