JP2001237372A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JP2001237372A JP2000042893A JP2000042893A JP2001237372A JP 2001237372 A JP2001237372 A JP 2001237372A JP 2000042893 A JP2000042893 A JP 2000042893A JP 2000042893 A JP2000042893 A JP 2000042893A JP 2001237372 A JP2001237372 A JP 2001237372A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波数帯から低周波数帯に亘る信号を処理
する複数の内部回路（ＩＣ）の正・負の静電気による静
電破壊を保護する。 【解決手段】 高周波数帯で動作する内部回路には、寄
生容量が小さく、電源電圧以上の入力信号が印加されて
も誤動作しないダイオード接続した複数のトランジスタ
による多段接続の保護回路を組み込み、低周波数帯で動
作する内部回路には一つのダイオード接続のトランジス
タによる保護回路を組み込む。保護回路は正・負の静電
気によっても内部回路を保護する電流の流れる方向相互
に逆になる２系統の保護回路構成になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
に係わり、例えば、中間周波数帯から高周波帯を含む信
号の処理を行う回路を有する半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路を構成する回路素子の静電破壊を防
止する保護技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ディジタルセルラーシステム等の無線通
信装置（無線通信移動体端末機器、以下、端末機器と称
す）は、多くのディスクリートＩＣ（半導体集積回路）
によって送・受信系の回路が構成されている。ディスク
リートＩＣによって送・受信系の回路が構成された端末
機器の代表的な例を図９に示す。ディスクリートＩＣは
ＮＥＣ，RF Micro Device等の半導体部品メーカにより
提供されている。また、送受信部をワンチップ化した技
術については、例えば、日立評論社発行「日立評論」、
Vol.81,No.10(1999-10),PP.17〜20に記載されている。
一方、ＩＣの静電破壊保護回路については、例えば、特
開平1-230266号公報に開示されている。この文献には、
集積回路の端子と電源電圧線または接地線との間にダイ
オードを複数個直列に接続した静電破壊防止回路が開示
されている。また、特開平7-202583号公報には、複数電
源電圧の混在化に伴うＣＭＯＳ回路に対応したＣＭＯＳ
保護回路が開示されている。
【０００３】ここで、従来技術について図を用いて説明
する。図９は従来の端末機器に内蔵されている送受信用
回路等を示す模式的ブロック図である。ＩＣはそれぞれ
機能毎にディスクリートに作られており、それぞれ四角
で囲まれた部分がディスクリートＩＣである。
【０００４】このブロック図では、アンテナ１にデュプ
レクサ２を介して接続する送信系と、受信系とを示して
あり、送信系及び受信系はいずれも図示しないベースバ
ンドに接続されるものである。
【０００５】受信系は、アンテナ１，デュプレクサ２に
内蔵しているバンドパスフィルタ３，低雑音増幅器４，
バンドパスフィルタ５，受信ミキサ６，バンドパスフィ
ルタ７，可変利得制御増幅器８，復調器９を順次直列接
続して構成される。上記復調器９は図示しないベースバ
ンドに接続される。
【０００６】送信系は、変調器１１，可変利得制御増幅
器１２，送信ミキサ１３，バンドパスフィルタ１４，送
信前段増幅器１５，高出力増幅器１６，デュプレクサ２
に内蔵しているバンドパスフィルタ１７，アンテナ１を
順次直列接続して構成される。上記復調器９は図示しな
いベースバンドに接続される。また、復調器９及び変調
器１１はＶＣＯ１８から入力する局発信号により周波数
変換を行う。受信ミキサ６及び送信ミキサ１３も同様に
ＶＣＯ１９からの局発信号により周波数変換を行う。
【０００７】アンテナ１で受信された信号（電波）１０
は、受信系の各素子で順次処理されてベースバンドに送
られる。また、ベースバンドから送られた信号は、送信
系の各素子で順次処理されてアンテナ１から電波１０と
して放射される。
【０００８】前述のように、四角で囲まれた部分がディ
スクリートＩＣである。また、その中の小さい四角部分
が、静電破壊保護回路２０（以下、保護回路と称す）で
ある。このような従来の構成では、各半導体部品メーカ
のＩＣカタログ記載の取り扱い注意事項から、数百ＭＨ
ｚの中間周波数帯ＩＣである可変利得制御増幅器８，１
２、復調器９、変調器１１には、数１０Ｖから数１００
Ｖに及ぶ静電気帯電による回路破壊を防止するよう保護
回路２０が設けられ、高耐圧化を図っていると推察され
る。
【０００９】一方、１ＧＨｚ近傍の高周波帯ＩＣである
低雑音増幅器４，受信ミキサ６，送信ミキサ１３，送信
前段増幅器１５，高出力増幅器１６は、ユーザが静電気
に配慮して使用するよう記載されており、保護回路は設
けられていないと推察される。保護回路の一例として前
述のように特開平7-202583号公報に記載された保護回路
が知られている。図１０はこの公報に記載された保護回
路の図に、説明をし易くするために一部を追加した模式
図である。
【００１０】図１０において、４１が保護回路である。
Ｖは集積回路への入力あるいは出力信号であり、信号線
４４を経て内部回路４５へ入力あるいは、内部回路４５
より出力される。保護回路４１は、ダイオード接続され
たＮＭＯＳトランジスタ４２とＮＭＯＳトランジスタ４
３からなる。すなわち、トランジスタ４２はゲートとド
レインを短絡して信号線４４に接続し、ソースを電源電
圧ＶCCに接続する。また、トランジスタ４３はドレイン
を信号線４４に接続し、ゲートとソースを短絡してグラ
ンドに接続する。また、多段接続されたダイオードで構
成する保護回路の一例が前述のように特開平1-230266号
公報に開示されている。図１１及び図１２はこの公報に
記載された保護回路と静電破壊防止回路を形成するダイ
オードの図に、説明をし易くするために一部を追加した
模式図である。
【００１１】図１１に示すように、内部回路５４の信号
線５３と接地線５５との間に２個のダイオード５１，５
２が順方向に２段直列に接続されている。信号線５３に
より、内部回路５４に信号が伝送される。図１１では電
源側の保護回路が省略されているが、保護回路の動作
は、図１０で示したものと同じである。
【００１２】２段構成とすることにより、Ｖon電圧を上
げ、保護回路に流れる電流を抑圧している。図１２に２
段接続で構成する保護回路素子の断面構造を示す。集積
回路を形成するＰ型基板６１の一面にはＮ型エピタキシ
ャル層６２が設けられているとともに、このＮ型エピタ
キシャル層６２の表面側にはウエルとなるＰ型拡散層６
３が複数（図では２個）設けられている。また、Ｐ型拡
散層６３の表層部分にはＮ型拡散層６４が形成されてい
る。これにより、Ｐ型拡散層６３とＮ型拡散層６４によ
ってＰＮ接合ダイオード（５１，５２）が形成される。
【００１３】また、上記各Ｐ型拡散層６３とＰ型拡散層
６３との間にはチャネルストッパーとしてのＰ型分離拡
散層６５が設けられている。このＰ型分離拡散層６５は
Ｎ型エピタキシャル層６２の厚さ方向全域に亘って延在
し、その下端はＰ型基板６１に到達している。
【００１４】また、上記Ｐ型基板６１の一面側表面には
二酸化シリコン膜６６が設けられている。この二酸化シ
リコン膜６６の上記Ｐ型拡散層６３及びＮ型拡散層６４
に対面する一部は除去されてコンタクト窓が設けられて
いる。そして、これらコンタクト窓をも含み上記二酸化
シリコン膜６６上にはアルミ蒸着層６７が所定パターン
に形成されている。
【００１５】この結果、二つのダイオード５１，５２は
アルミ蒸着層６７によって順方向に直列に接続され、一
方のダイオード５１のカソード電極６８が内部回路の信
号線５３に接続され、他方のダイオード５２のアノード
電極６９が接地線５５に接続される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】近年、無線通信移動体
端末機器の小型化により、図９に示す、低雑音増幅器
４，受信ミキサ６，可変利得制御増幅器８，復調器９，
変調器１１，可変利得制御増幅器１２，送信ミキサ１３
及び送信前段増幅器１５等にあたる送受信帯の変復調回
路から高周波増幅までを統合した１チップＩＣが望まれ
開発されており、チップ全体の高耐圧化が必要である。
しかし、従来の保護回路を組み込んだワンチップＩＣで
は、以下のような問題が派生することが判明した。
【００１７】（１）低雑音増幅器４，受信ミキサ６，送
信ミキサ１３及び送信前段増幅器１５等の高周波回路に
おいては、入出力回路に容量、インダクタを含む整合回
路が用いられている。この整合回路のインピーダンス変
換効果により、集積回路入出力部での信号電圧振幅が増
幅される。更に各回路の出力端子は電源電圧直流電位を
持ち、電源電位以上の信号を出力するため、従来例のよ
うなトランジスタ一段構成による回路を保護回路として
適用すると、保護回路に電流が流れるバイアス条件が発
生し、信号が歪む問題点がある。
【００１８】（２）また従来の保護回路を付けると寄生
容量が大きく、利得が劣化する問題点もあり、従来の保
護回路を高周波部の回路に適用することはでき難い。
【００１９】（３）また、従来のトランジスタ二段構成
による保護回路では、その素子構造がサイリスタを構成
することから、高い静電気が印加されると、電源を落と
さない限り過大電流が流れ続け、ＩＣ動作が不能にな
る。
【００２０】以下、本発明者等による検討の結果判明し
た高周波回路に対する保護回路によって生じる問題点に
ついて、図１３以降を用いて説明する。まず、線形性の
劣化について回路出力の場合を説明する。
【００２１】図１３（ａ），（ｂ）は、図１０における
ＮＭＯＳトランジスタ４２，４３の静特性と高周波信号
の動作を示している。図１０に示すような回路構成にお
いて、ＩＣの電源、接地が基板上に接続されている通常
の動作状態においては、信号線４４に回路が所望する信
号電圧ＶCCが印加されると、保護回路のトランジスタに
はほとんど電流は流れず、内部回路４５に所望の信号電
圧が印加される。
【００２２】次に、ＩＣの基板実装中のような取り扱い
時にトランジスタがオンとなる電圧Ｖon＋電源電圧ＶCC
より高い正の静電気Ｖ１が信号線４４に印加されると、
ＮＭＯＳトランジスタ４２には、図１３（ａ）に示すよ
うに、ダイオード順方向電流Ｉが流れて、内部回路に過
電流が流れず、内部回路４５は保護される。負の高い静
電気も同様に、図１３（ｂ）に示すように、−Ｖon以下
の静電気電圧Ｖ２’が印加されると、トランジスタ４３
にダイオード順方向電流Ｉ’が流れて、内部回路４５は
保護される。
【００２３】ここで、まず、線形性の劣化について回路
出力の場合を説明する。上記高周波回路は、出力を大振
幅とするために、ソース端子を直接ＩＣ外に接続し、容
量、インダクタを用いて整合をとる方式が適用されてお
り、ＩＣ出力端子には電源電圧が印加される。図１０の
内部回路４５は、例えば、図９の低雑音増幅器４、また
は受信ミキサ６、送信ミキサ１３、または送信前段増幅
器１５が相当する。信号線４４に電源電圧ＶCCが印加
し、高周波信号が重畳すると、トランジスタ４２には、
図１３（ａ）のグラフ原点を中心に高周波電圧４６が印
加する。高周波電圧振幅がＶon以下であれば、トランジ
スタ４２に高周波電流はほとんど流れず、内部回路の電
流振幅が出力される。しかし、電圧振幅がＶonを越えて
大振幅となると、トランジスタ４２に流れる非線形な高
周波電流４７が流れ、内部回路の出力電流振幅に重畳し
て出力信号を歪ませる。このような動作条件において、
受信回路の希望波の入力振幅は小さいため、Ｖ on以下の
電圧振幅であり、歪みはほとんど問題とならないが、回
路前段のフィルタで除去できない近傍帯域の妨害波が大
きく、Ｖon以上の電圧振幅となると、妨害波が歪みを発
生して受信帯域内のＳ／Ｎ特性を劣化させる。また、送
信回路においては、希望波が大出力振幅となるので、希
望波による歪みの発生で同様にＳ／Ｎ劣化が起きる。次
に、入力点での場合を説明する。回路がＳｉバイポーラ
トランジスタのようなエンハンスメント型トランジスタ
入力点で、バイアス電圧＋１Ｖ前後の場合では、高周波
電圧振幅が入力しても、保護回路は通常ＯＦＦであるた
め、高周波電流は流れず、入力信号を歪ませない。しか
しながら、ＧａＡｓＦＥＴのようなディプレッション型
の場合では、図１３（ｂ）に示すように、信号線に負の
電圧Ｖ３’が印加し、高周波信号が重畳すると、トラン
ジスタ４３には、Ｖ３’を中心に高周波電圧４８が印加
する。高周波電圧が−Ｖon以下であれば、トランジスタ
４３に高周波電流はほとんど流れず、信号がそのまま内
部回路へ入力する。
【００２４】しかし、電圧が−Ｖonを越えて大振幅とな
ると、トランジスタ４３に流れる非線形な高周波電流４
９が流れ、内部回路の入力電流振幅に重畳して入力信号
を歪ませる。入力信号に歪みがあれば、内部回路で歪み
は増幅され、本来の信号で生じる歪みと重畳して線形性
は劣化する。上記出力信号の時と同様にＳ／Ｎの劣化を
もたらす。このような作用は、信号線に対して、電源
側、及び接地側に一段ずつのダイオード接続されたトラ
ンジスタの保護回路を設けているからである。この問題
を解決するために、ダイオード接続したトランジスタを
直列に接続し、Ｖonを上げて内部回路が動作すべき所望
の電圧では、ほとんど電流を流さないようにする方法
が、前述図１１の２段構成の保護回路である。また、直
列接続とすることにより、寄生容量が削減され、周波数
特性の劣化は低減される。
【００２５】しかしながら、この構造ではチャネルスト
ッパーのＰ型拡散層の挿入により、図１２の７０で示す
部分が、サイリスタ構造となる。サイリスタの動作原理
を図１４で示す。サイリスタは順方向電圧状態で、電圧
が低いときは、電流がほとんど流れず、ターンオフの状
態であるが、電圧が高くなると、ターンオンして大電流
が流れる。このため、多段接続のダイオード構成の保護
回路では、静電気の大電圧でターンオン状態になること
があり、これを解消するには電源断としなければならな
い。このため、従来のトランジスタ構造では実現が難し
い。さらに、図１０のように、接地から電源に向かって
電流が流れる構成では、ＩＣの電源、接地が取られてい
るときは問題ないが、ＩＣが組立作業等取り扱い中のと
きに帯電した場合、保護回路が機能しない場合がある。
例えば、ＩＣがフローティング状態で、接地が開放状態
でＶCCと信号線４４の間にプラス（＋），マイナス
（−）の電位差が生じたとすると、信号線のマイナス側
からプラス側のＶ CCは逆電圧となり保護回路に電流は流
れない。即ち、ＶCCに対して負の静電気に弱く、大きな
負の静電気によって内部回路が破壊される恐れがある。
本発明の目的は、正・負の静電気でもＩＣを確実に保護
できる静電破壊保護回路を有する無線通信用の半導体集
積回路装置を提供することにある。
【００２６】本発明の他の目的は、低周波回路（含む中
間周波数帯の回路）及び高周波数帯の回路を静電破壊か
ら保護できる保護回路を有する無線通信用の半導体集積
回路装置を提供することにある。
【００２７】本発明の他の目的は、高周波回路の線型性
及び利得を劣化させることのない耐静電破壊に優れた無
線通信用の半導体集積回路装置を提供することにある。
【００２８】本発明の上記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３０】（１）ＩＣの中間周波数帯の回路（低周波
回路）に対しては、電源線及び接地線に、それぞれ一段
のダイオード接続されたトランジスタからなる保護回路
を設ける。ＩＣの高周波帯の回路に対しては、寄生容量
が小さく、かつ信号の特性を劣化させない保護回路とし
て、適用する回路の動作点に応じて、電源電圧以上の出
力信号が印加されてもＶonを越えない多段の保護回路、
及び負のバイアス電位を越えて入力信号が印加されても
オンしない多段の保護回路を組み込む構成になってい
る。また、上記保護回路は、ＩＣ取り扱い中に生じる静
電気の極性に関わらず、ＩＣを保護する回路構成になっ
ている。即ち、保護回路は、静電破壊保護時に、電源線
から信号線に向かって電流が流れる第１の保護回路と、
信号線から接地線に向かって電流が流れる第２の保護回
路と、信号線から電源線に向かって電流が流れる第３の
保護回路と、接地線から信号線に向かって電流が流れる
第４の保護回路とを有する。更に、多段接続のダイオー
ド接続のトランジスタは、サイリスタ動作を防止できる
絶縁物で素子（ダイオード接続したトランジスタ）間を
分離した構造である。
【００３１】上記（１）の手段によれば、（ａ）半導体
集積回路装置において、高周波数帯の各内部回路の入出
力部分には多段構成の保護回路が設けられていることか
ら大きな正・負の静電気に起因する内部回路の静電破壊
は防止できる。また、低周波数帯の各内部回路の入出力
部分には一段構成の保護回路が設けられていることから
正・負の静電気に起因する内部回路の静電破壊は防止で
きる。
【００３２】（ｂ）高周波数帯の各内部回路の出力端子
は電源電圧直流電位を持ち、電源電位以上の信号を出力
するため、従来例のようなトランジスタ一段構成による
回路を保護回路とした場合には、保護回路に電流が流れ
るバイアス条件が発生し、信号が歪むが、本発明では多
段構造の保護回路を採用することから信号の歪みを抑止
することができる。
【００３３】（ｃ）トランジスタはそれぞれ電気的に絶
縁された半導体領域に形成されていることから、従来例
のようなトランジスタ二段構成によるサイリスタを防止
することができる。
【００３４】（ｄ）高周波数帯の各内部回路の入出力部
分に設ける保護回路は、ダイオード接続されたトランジ
スタを多段接続構成してあることから、寄生容量が小さ
くなり、高周波回路の線形性や利得を劣化させなくな
る。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３６】（実施形態１）図１乃至図７は本発明の一
実施形態（実施形態１）である半導体集積回路装置に係
わる図であり、図１乃至図５は保護回路に係わる図であ
る。
【００３７】本実施形態１では、携帯電話用の信号処理
ＩＣに本発明を適用した例について説明する。ここで、
携帯電話の構成について説明する。図５は携帯電話のシ
ステム構成の一部を示すブロック図である。
【００３８】このブロック図は、図９と同様にアンテナ
１にデュプレクサ２を介して接続する送信系と、受信系
とを示してあり、送信系及び受信系はいずれも図示しな
いベースバンドに接続されるものである。
【００３９】受信系は、アンテナ１，デュプレクサ２に
内蔵しているバンドパスフィルタ３，低雑音増幅器４，
バンドパスフィルタ５，受信ミキサ６，バンドパスフィ
ルタ７，可変利得制御増幅器８，復調器９を順次直列接
続して構成される。上記復調器９は図示しないベースバ
ンドに接続される。
【００４０】送信系は、変調器１１，可変利得制御増幅
器１２，送信ミキサ１３，バンドパスフィルタ１４，送
信前段増幅器１５，高出力増幅器１６，デュプレクサ２
に内蔵しているバンドパスフィルタ１７，アンテナ１を
順次直列接続して構成される。上記復調器９は図示しな
いベースバンドに接続される。また、復調器９及び変調
器１１はＶＣＯ１８から入力する局発信号により周波数
変換を行う。受信ミキサ６及び送信ミキサ１３も同様に
ＶＣＯ１９から入力する局発信号により周波数変換を行
う。
【００４１】アンテナ１で受信された信号（電波）１０
は、受信系の各素子で順次処理されてベースバンドに送
られる。また、ベースバンドから送られた信号は、送信
系の各素子で順次処理されてアンテナ１から電波１０と
して放射される。アンテナ１から放射される信号１０及
びアンテナ１で受信する信号１０は、例えば、１ＧＨｚ
帯の高周波数帯となり、ベースバンドと間で信号を授受
する復調器９や変調器１１等では低周波数帯の信号を処
理する。低周波数帯の信号は、例えば数百ＭＨｚの中間
周波数帯である。
【００４２】本実施形態１では、図５において実線で囲
まれる単一の半導体ＩＣチップ２５に上記低雑音増幅器
４を始めとする信号を処理する各回路素子（内部回路）
がモノリシックに組み込まれている。即ち、この半導体
ＩＣチップ２５には内部回路として、低雑音増幅器４，
受信ミキサ６，可変利得制御増幅器８，復調器９，ＶＣ
Ｏ１８，変調器１１，可変利得制御増幅器１２，送信ミ
キサ１３，送信前段増幅器１５及びＶＣＯ１９がモノリ
シックに組み込まれている。
【００４３】半導体ＩＣチップ２５の入出力部分には、
数１０Ｖから数１００Ｖに及ぶ静電気帯電（正・負の静
電気）による内部回路の静電破壊を防止するために保護
回路がそれぞれ設けられて高耐圧化されている。この保
護回路は、高周波数帯のものに対してはダイオード接続
したトランジスタを複数直列に接続した多段構造の保護
回路２６とし、低周波数帯、即ち中間周波数帯のものに
対してはダイオード接続したトランジスタを一つ使用す
る一段の保護回路２７としてある。
【００４４】多段構造の保護回路２６は、低雑音増幅器
４，受信ミキサ６及び送信前段増幅器１５の入出力部
分、可変利得制御増幅器８の入力部分、送信ミキサ１３
の出力部分にそれぞれ設けられている。一段の保護回路
２７は、復調器９の出力部分と変調器１１の入力部分に
それぞれ設けられている。次に、高周波数帯の入出力部
分に設ける多段構造の保護回路２６について、図１乃至
図４を参照しながら説明する。
【００４５】多段構造の保護回路２６は、図１及び図２
に示すように、内部回路２９に接続される信号線３０と
電源線３１及び接地線３２との間に多段構造のダイオー
ドを配置して構成されている。図１に示すＶは内部回路
２９への入力あるいは出力信号であり、信号線３０を経
て内部回路２９へ入力あるいは、内部回路２９から出力
される。
【００４６】多段構造の保護回路２６は、図２に示すよ
うに、静電破壊保護時に、電源線３１から信号線３０に
向かってのルートで電流が流れる第１の保護回路Ａ
と、信号線３０から接地線３２に向かってのルートで
電流が流れる第２の保護回路Ｂと、信号線３０から電源
線３１に向かってのルートで電流が流れる第３の保護
回路Ｃと、接地線３２から信号線３０に向かってのル
ートで電流が流れる第４の保護回路Ｄとを有する。第１
の保護回路Ａと第２の保護回路Ｂは負の静電気による内
部回路２９の静電破壊を防止し、第３の保護回路Ｃと第
４の保護回路Ｄは正の静電気による内部回路２９の静電
破壊を防止する。
【００４７】保護回路を構成するダイオードは、ダイオ
ード接続されたバイポーラトランジスタが使用されると
ともに、後述する構造によってサイリスタ現象が発生し
ないようになっている。
【００４８】第３の保護回路Ｃは、いずれもベースとエ
ミッタを短絡してダイオード接続とした複数のバイポー
ラトランジスタ１２１１〜１２１ｎを直列に接続した多
段構造になっている。１段目のトランジスタ１２１１
は、コレクタを電源ＶCC（電源線３１）に接続し、エミ
ッタを後段のトランジスタのコレクタに接続する。ｎ段
目のトランジスタ１２１ｎは、コレクタを前段のトラン
ジスタのエミッタに接続し、エミッタを信号線３０に接
続する。２段目から（ｎ−１）段目の各トランジスタ
は、コレクタを前段のトランジスタのエミッタに接続
し、エミッタを後段のトランジスタのコレクタに接続す
る構造になっている。
【００４９】第４の保護回路Ｄは、いずれもベースとエ
ミッタを短絡してダイオード接続された複数のバイポー
ラトランジスタ１２２１〜１２２ｍを直列に接続した多
段構造になっている。１段目のトランジスタ１２２１
は、コレクタを信号線３０に接続し、エミッタを後段の
トランジスタのコレクタに接続する。ｍ段目のトランジ
スタ１２２ｍは、コレクタを前段のトランジスタのエミ
ッタに接続し、エミッタをグランド（接地線３２）に接
続する。２段目から（ｍ−１）段目の各トランジスタ
は、コレクタを前段のトランジスタのエミッタに接続
し、エミッタを後段のトランジスタのコレクタに接続す
る構造になっている。
【００５０】このようにして、電源に接続されるトラン
ジスタ１２１１からトランジスタ１２１ｎのＶonを高く
することにより、内部回路２９の所望する動作電圧で
は、トランジスタをオフとして、電流を流さない様にす
る。同様にグランドに接続するトランジスタ１２２１か
ら１２２ｍの−Ｖonを低くすることにより、内部回路２
９の所望する動作電圧では、トランジスタをオフとし
て、電流を流さない様にする。
【００５１】第１の保護回路Ａは、第３の保護回路Ｃに
並列に設けられ、耐圧保護回路と多段接続構成のダイオ
ードで形成されている。即ち、第１の保護回路Ａは、電
源Ｖ CC（電源線３１）と信号線３０間に耐圧保護回路を
構成するＭＯＳトランジスタ１２３１と、このＭＯＳト
ランジスタ１２３１と信号線３０間に接続される複数の
バイポーラトランジスタ１２４１〜１２４ｉとからな
る。上記トランジスタ１２４１〜１２４ｉはいずれもベ
ースとエミッタをダイオード接続した構造であり、相互
に直列に接続され、全体で多段構成になっている。ＭＯ
Ｓトランジスタ１２３１はドレインを電源線３１に接続
し、ソースを１段目のトランジスタ１２４１のエミッタ
に接続し、ゲートを接地線３２に接続している。１段目
のトランジスタ１２４１のコレクタは後段のトランジス
タのエミッタに接続されている。ｉ段目のトランジスタ
１２４ｉは、エミッタを（ｉ−１）段目のトランジスタ
のコレクタに接続し、コレクタを信号線３０に接続して
いる。２段目から（ｉ−１）段目の各トランジスタは、
エミッタを前段のトランジスタのコレクタに接続し、コ
レクタを後段のトランジスタのエミッタに接続する構造
になっている。第２の保護回路Ｂは、第４の保護回路Ｄ
に並列に設けられ、耐圧保護回路と多段接続構成のダイ
オードで形成されている。即ち、第２の保護回路Ｂは、
信号線３０と接地線３２（グランド）間に、ベースとエ
ミッタをダイオード接続しかつ直列に多段接続した複数
のバイポーラトランジスタ１２５１〜１２５ｋと、上記
トランジスタ１２５ｋのコレクタと接地線３２間に接続
した耐圧保護回路を構成するＭＯＳトランジスタ１２６
１からなっている。ＭＯＳトランジスタ１２６１はドレ
インをトランジスタ１２５ｋのコレクタに接続し、ソー
スを接地線３２に接続している。
【００５２】このような構成の保護回路２６において、
半導体ＩＣチップ２５の取り扱い時帯電し、ＩＣの電源
線，接地線，信号線にそれぞれ電位差が生じた時の静電
気電流の経路を図２に示す。図中では、説明の便宜上、
第１の保護回路Ａ及び第２の保護回路Ｂはトランジスタ
単段構成とし、第３の保護回路Ｃ及び第４の保護回路Ｄ
はトランジスタ二段構成とし、ダイオードとして簡略的
に示した。
【００５３】図２の表が、電源（ＶCC），接地（ＧＮ
Ｄ），信号線（Ｓ）の電位関係と、そのとき回路内で、
〜のどの電流経路で電流が流れるかを示してある。
ＭＯＳトランジスタは高い静電気がかかることにより、
パンチスルーまたは、ソースフォロワにより電流が流れ
る。表から明らかなように、いかなる部分のいかなる電
位差においても電流経路があり、内部回路２９に過電流
を流さないようになっている。一方、所望する正の電圧
を内部回路２９に印加する場合を考えると、トランジス
タ１２２１〜１２２ｍ、トランジスタ１２４１〜１２４
ｉは逆バイアスとなるので、電源側への不要なリーク電
流は生じない。トランジスタ１２１１〜１２１ｎもＶCC
＋Ｖon×ｎ個以下の電圧であればオンしない。また同様
に、トランジスタ１２６１はパンチスルーを起こさずグ
ランド側へのリークも生じない。
【００５４】所望する電圧が負の場合は、トランジスタ
１２５１〜１２５ｋ、トランジスタ１２１１〜１２１ｎ
が逆バイアスとなる。トランジスタ１２２１〜１２２ｍ
も−Ｖon×ｍ個まではオンしない。またＭＯＳトランジ
スタ１２３１も電流が流れない。そのため、正しく電圧
が印加される。
【００５５】これらのバイポーラトランジスタは、図６
に示すような構造になっている。バイポーラトランジス
タは、シリコン板７２上に二酸化シリコン層７３のよう
な絶縁物を積層して作られるＳＯＩ（Silicon on Insul
ator)基板７１を基に形成されている。ＳＯＩ基板７１
上にはＮ型エピタキシャル層７４が形成されている。上
記Ｎ型エピタキシャル層７４には選択的に無端状の溝が
ドライエッチング等によって形成されている。この溝は
二酸化シリコン層７３にまで到達している。そして、こ
の溝内には絶縁体７５が充填されている。例えば、上記
溝にはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）方法によ
って二酸化シリコンが充填されている。従って絶縁体７
５によって囲まれたＮ型エピタキシャル層７４領域は電
気的に独立した領域になる。この領域内にトランジスタ
が形成される。
【００５６】上記絶縁体７５によって囲まれたＮ型エピ
タキシャル層７４の表層部分にはＰ型拡散層７６が形成
されている。この領域はベース領域として使用される。
また、上記Ｐ型拡散層７６及びＮ型エピタキシャル層７
４の表層部分にはＮ型拡散層７７，８３が形成されてい
る。７７の領域がコレクタ領域として使用される。上記
Ｐ型拡散層７６の表層部分に設けられたＮ型拡散層８３
がエミッタ領域になる。
【００５７】また、上記Ｎ型エピタキシャル層７４，絶
縁体７５，Ｐ型拡散層７６，Ｎ型拡散層７７及び８３上
には、二酸化シリコン層７８が形成されているととも
に、上記エミッタ・ベース・コレクタ領域に対面する一
部の二酸化シリコン層７８は除去されてコンタクト孔に
なっている。そして、これらコンタクト孔を含む領域に
は、配線が所定パターンに設けられている。この配線に
よって例えば、コレクタ電極８０，ベース電極８１，エ
ミッタ電極８２が形成される。
【００５８】このようにして、二酸化シリコン層７３及
び絶縁体７５を障壁とし個々に電気的に分離したトラン
ジスタが形成され、サイリスタは発生しない構造になっ
ている。図６では、エミッタ電極８２とベース電極８１
を配線７９にて接続してダイオード構成とし、多段に直
列接続して保護回路を構成する。以上、バイポーラトラ
ンジスタを例としたが、ＭＯＳＦＥＴを構成する場合で
も同様の電気的絶縁分離構造（アイソレーション構造）
を用いる。本トランジスタ構造は、ＩＣ回路全ＯＳトラ
ンジスタ１２３１で構成されている。ＭＯＳトランジス
タ１２３１はドレインを電源線３１に接続し、ソースを
信号線３０に接続し、ゲートを接地線３２に接続してい
る。
【００５９】第２の保護回路Ｂは、耐圧保護回路を構成
するＭＯＳトランジスタ１２６１で構成されている。Ｍ
ＯＳトランジスタ１２６１はドレインを信号線３０に接
続し、ソースを接地線３２に接続している。
【００６０】第３の保護回路Ｃはバイポーラトランジス
タ１２１１で構成されている。トランジスタ１２１１は
コレクタを電源線３１に接続し、エミッタを信号線３０
に接続する構造になっている。
【００６１】第４の保護回路Ｄは、バイポーラトランジ
スタ１２２１で構成されている。トランジスタ１２２１
は、コレクタを信号線３０に接続し、エミッタを接地線
３２に接続する構造になっている。
【００６２】この一段の保護回路２７も上記多段構造の
保護回路２６と同様に正・負の静電気による内部回路２
９の損傷を防止する。
【００６３】次に、本発明のより具体的な回路構成例に
ついて説明する。本実施形態は集積回路をＢｉＣＭＯＳ
で構成するときに適用可能である。図３に内部回路とし
て、図５の低雑音増幅器４に相当する高周波増幅器を適
用し、本発明の保護回路を出力段に設けた場合の一例を
示す。枠で囲まれた部分９０が、保護回路を含めたＩＣ
内の回路である。ＩＣ外の回路９５及び９６はそれぞれ
入力・出力整合回路である。増幅器は標準的なカレント
ミラー型の増幅器であり、Ｖｂに電圧を印加して、トラ
ンジスタ９３に定電流を流し、高周波入力電圧Ｖinを与
えて、増幅したＶoutの信号電圧を得るものである。回
路図の９１の部分が保護回路であり、保護回路を構成す
るトランジスタ９２ａ〜９２ｉは、図６に示した構造か
らなり、個々に電気的に分離されている。内部のトラン
ジスタ９３のコレクタ９４には、出力整合回路９６のイ
ンダクタを経て電源電圧と同じ３Ｖが印加される。保護
回路のトランジスタが９２ａの１段しかにないとする
と、バイポーラトランジスタの指数関数特性に従って、
コレクタ端子９４が電源電圧３Ｖから保護回路に順方向
電流が増幅器出力電流に重畳する。増幅器の電圧振幅が
極めて小さい時は問題とならないが、振幅が上がると、
保護回路の非線型電流が大きくなり、歪みを生じる。増
幅器のダイナミックレンジを満足できる電圧として、保
護回路のＶonを４Ｖとなるように、保護回路のトランジ
スタを３段直列接続として、回路動作点で電流を流さな
い様にした。上記例の回路は負電源は不用なため、接地
側に接続されるトランジスタは一段として、低い負の静
電気が印加されても、回路の保護がかかるようにした。
また、この保護回路により、ＩＣ取り扱い時に静電気が
生じても、上記に説明した通りＩＣは保護される。
【００６４】図４に保護回路の電源側に接続するトラン
ジスタが１段の時と３段の時の増幅器の入出力特性を示
す。図から明らかなように、１段直列接続から３段直列
接続とすると、１ｄＢ圧縮点は−１５ｄＢｍから−８ｄ
Ｂｍとなり、線形性は改善されている。さらに、各トラ
ンジスタのコレクターエミッタ間容量が直列接続となる
ため、保護回路の寄生容量は、電源及び設置にそれぞれ
一段のダイオード接続されたトランジスタからなる従来
の保護回路と比べて減少し、増幅器の利得劣化は小さ
い。中間周波数帯の回路は周波数が低いために、従来の
保護回路でも寄生容量による特性劣化は極めて小さい。
また、隣り合うトランジスタは絶縁物である二酸化シリ
コン層で分離されており、サイリスタ動作することはな
い。以上は、エンハンスメント型のトランジスタの出力
点を例としたが、ＧａＡｓＦＥＴのように、ディプレッ
ション型のトランジスタ入力の場合、接地側に接続する
トランジスタの−Ｖonがトランジスタのゲートに印加す
る電圧より高いと、入力信号に非線形電流が重畳して増
幅されることになり、同様に線形性が劣化する。そのた
め、−Ｖonを低くするように接地側に接続するトランジ
スタを直列接続とした保護回路を、入力側にも設けるこ
とが必要である。以上のように、トランジスタの直列数
は、内部回路の動作点、１ｄＢ圧縮点目標値により決め
られる。
【００６５】本実施形態１の半導体集積回路装置は、以
下の効果を有する。
【００６６】（１）半導体集積回路装置において、高周
波数帯の各内部回路２９の入出力部分には多段構造の保
護回路２６が設けられていることから大きな正・負の静
電気に起因する内部回路２９の静電破壊は防止できる。
また、低周波数帯の各内部回路の入出力部分には一段の
保護回路２７が設けられていることから正・負の静電気
に起因する内部回路の静電破壊は防止できる。
【００６７】なお、上記のように、高周波回路部の保護
回路を直列接続にすると、Ｖonが上がるため、中間周波
数帯の保護回路に比べ、電流が流れ難くなり静電気耐圧
は低くなる。しかしながら、ＩＣ（内部回路）を破壊す
る静電気電圧は数１０Ｖから数１００Ｖで、本発明を適
用するような低い電源電圧で動作するＩＣよりはるかに
高い電圧である。このため、Ｖonを上げたことによるわ
ずかな耐圧の減少は問題とならない。
【００６８】（２）高周波数帯の各内部回路２９の出力
端子は電源電圧直流電位を持ち、電源電位以上の信号を
出力するため、従来例のようなトランジスタ一段構成に
よる回路を保護回路とした場合には、保護回路に電流が
流れるバイアス条件が発生し、信号が歪むが、本発明で
は多段構造の保護回路を採用することから信号の歪みを
抑止することができる。
【００６９】（３）トランジスタはそれぞれ電気的に絶
縁された半導体領域に形成されていることから、従来例
のようなトランジスタ二段構成によるサイリスタを防止
することができる。
【００７０】（４）高周波数帯の各内部回路２９の入出
力部分に設ける保護回路は、ダイオード接続されたトラ
ンジスタを多段接続構成してあることから、寄生容量が
小さくなり、高周波回路の線形性や利得を劣化させなく
なる。
【００７１】（５）上記のように、２種類の保護回路、
即ち、多段構造の保護回路２６及び一段の保護回路２７
をワンチップＩＣに設けることにより、全体の静電破壊
に対する高耐圧化を図ることができる。
【００７２】（実施形態２）図８は本発明の他の実施形
態（実施形態２）である半導体集積回路装置の保護回路
を示す。本実施形態２は図１に示す上記実施形態１の多
段構造の保護回路において、ダイオード接続されたトラ
ンジスタとしてバイポーラトランジスタに代えてＭＯＳ
ＦＥＴとしたものである。ＭＯＳＦＥＴのゲートとソー
スは短絡されてダイオード接続されている。
【００７３】第１の保護回路Ａは、電源線３１と信号線
３０間に耐圧保護回路を構成するＭＯＳＦＥＴ（トラン
ジスタ）４３３１と、このＭＯＳＦＥＴ（トランジス
タ）４３３１と信号線３０間に接続される複数のＭＯＳ
ＦＥＴ４３４１〜４３４ｉとからなる。第２の保護回路
Ｂは、信号線３０と接地線３２間に、直列に多段接続し
た複数のＭＯＳＦＥＴ（トランジスタ）４３５１〜４３
５ｋと、上記ＭＯＳＦＥＴ４３５ｋ接続した耐圧保護回
路を構成するＭＯＳＦＥＴ（トランジスタ）４３６１か
らなっている。第３の保護回路Ｃは、直列に接続した複
数のＭＯＳＦＥＴ（トランジスタ）４３１１〜４３１ｎ
で構成されている。第４の保護回路Ｄは、直列接続され
た複数のＭＯＳＦＥＴ（トランジスタ）４３２１〜４３
２ｍで構成されている。
【００７４】このような構成の多段構造の保護回路２６
においても上記実施形態１と同様に正・負の静電気に起
因する内部回路２９の静電破壊を防止することができ
る。
【００７５】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である無線通
信装置に組み込む半導体集積回路装置に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではない。本
発明は信号を処理する半導体集積回路装置には適用でき
る。
【００７７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、高周波数帯と中間周波数帯を統
合したワンチップＩＣにおいて、中間周波数帯に適用す
る従来の一段のダイオード接続されたトランジスタから
なる保護回路とは別に、高周波部回路に多段に直列接続
された保護回路を設けることで、寄生容量が少なくな
り、かつＶonが上がり利得や線形性の劣化を防止でき
る。
【００７８】（２）また、このように１チップＩＣ内の
各回路に構造の違う２種類の保護回路を設けることによ
り、多段接続の保護回路をＩＣ内の全回路に適用するよ
りもチップ内で保護回路のトータル面積を小さくでき
る。 （３）以上のようにしてＩＣ全体の静電気に対する高耐
圧化を実現できる。
【００７９】（４）正・負の静電気でもＩＣを確実に保
護できる静電破壊保護回路を有する無線通信用の半導体
集積回路装置を提供することができる。
【００８０】（５）低周波回路（含む中間周波数帯の回
路）及び高周波数帯の回路を静電破壊から保護できる保
護回路を有する無線通信用の半導体集積回路装置を提供
することができる。
【００８１】（６）高周波回路の線型性及び利得を劣化
させることのない耐静電破壊に優れた無線通信用の半導
体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体集積回路装置における内部回路に組み込まれる保護回
路を示す回路図である。
【図２】上記保護回路の正・負の静電気に起因する静電
破壊保護時の各電流経路を示す図表である。
【図３】上記保護回路を内部回路としての増幅器に組み
込んだ回路図である。
【図４】上記増幅器の特性図である。
【図５】本実施形態１の半導体集積回路装置を組み込ん
だ無線通信装置の構成を示すブロック図である。
【図６】上記半導体集積回路装置における保護回路を構
成するダイオード接続したトランジスタを示す断面図で
ある。
【図７】上記無線通信装置の低周波用内部回路に組み込
む保護回路を示す回路図である。
【図８】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半
導体集積回路装置の内部回路に組み込まれる保護回路を
示す回路図である。
【図９】従来の半導体集積回路装置を組み込んだ無線通
信装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】従来の保護回路を示す回路図である。
【図１１】従来の他の保護回路を示す回路図である。
【図１２】従来の保護回路に用いるトランジスタ構造を
示す模式的断面図である。
【図１３】従来の保護回路に用いるトランジスタの静特
性と高周波信号の動作を示す特性図である。
【図１４】サイリスタの構造と動作原理を示す模式図で
ある。
【符号の説明】
１…アンテナ、２…デュプレクサ、３…バンドパスフィ
ルタ、４…低雑音増幅器、５…バンドパスフィルタ、６
…受信ミキサ、７…バンドパスフィルタ、８…可変利得
制御増幅器、９…復調器、１０…電波（信号）、１１…
変調器、１２…可変利得制御増幅器、１３…送信ミキ
サ、１４…バンドパスフィルタ、１５…送信前段増幅
器、１６…高出力増幅器、１７…バンドパスフィルタ、
１８，１９…ＶＣＯ、２０…保護回路（静電破壊保護回
路）、２５…半導体ＩＣチップ、２６…多段構造の保護
回路、２７…一段の保護回路、２９…内部回路、３０…
信号線、３１…電源線、３２…接地線、４１…保護回
路、４２…ＮＭＯＳトランジスタ（トランジスタ）、４
３…ＮＭＯＳトランジスタ（トランジスタ）、４４…信
号線、４５…内部回路、４６…高周波電圧、４７…高周
波電流、４８…高周波電圧、４９…高周波電流、５１，
５２…ダイオード、５３…信号線、５４…内部回路、５
５…接地線、６１…Ｐ型基板、６２…Ｎ型エピタキシャ
ル層、６３…Ｐ型拡散層、６４…Ｎ型拡散層、６５…Ｐ
型分離拡散層、６６…二酸化シリコン膜、６７…アルミ
蒸着層、６８…カソード電極、６９…アノード電極、７
０…サイリスタ、７１…ＳＯＩ基板、７２…シリコン
板、７３…二酸化シリコン層、７４…Ｎ型エピタキシャ
ル層、７５…絶縁体、７６…Ｐ型拡散層、７７…Ｎ型拡
散層、７８…二酸化シリコン層、７９…配線、８０…コ
レクタ電極、８１…ベース電極、８２…エミッタ電極、
８３…Ｎ型拡散層、９０…回路、９１…保護回路，９２
ａ〜９２i …ダイオード接続されたバイポーラトランジ
スタ、９３…トランジスタ、９４…コレクタ、９５…入
力整合回路、９６…出力整合回路、１２１１〜１２１
ｎ，１２２１〜１２２ｍ，１２４１〜１２４ｉ，１２５
１〜１２５ｋ…ダイオード接続されたトランジスタ（バ
イポーラトランジスタ）、１２３１，１２６１…ＭＯＳ
トランジスタ（耐圧保護回路）、４３１１〜４３１ｎ，
４３２１〜４３２ｍ，４３４１〜４３４ｉ，４３５１〜
４３５ｋ…ダイオード接続されたトランジスタ（ＭＯＳ
ＦＥＴ）、４３３１，４３６１…ＭＯＳトランジスタ
（耐圧保護回路）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠原 真澄 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 5F038 BH04 BH06 BH07 BH13 EZ20

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】信号をそれぞれ処理する複数の内部回路を
    有し、上記各内部回路にそれぞれ接続される信号線及び
    電源線並びに接地線を有する半導体集積回路装置であっ
    て、上記各内部回路の上記信号線と上記電源線間に接続
    され、静電破壊保護時に上記電源線から上記信号線に向
    かって電流が流れる第１の保護回路と、上記各内部回路
    の上記信号線と上記接地線間に接続され、静電破壊保護
    時に上記信号線から上記接地線に向かって電流が流れる
    第２の保護回路と、上記各内部回路の上記信号線と上記
    電源線間に接続され、静電破壊保護時に上記信号線から
    上記電源線に向かって電流が流れる第３の保護回路と、
    上記各内部回路の上記信号線と上記接地線間に接続さ
    れ、静電破壊保護時に上記接地線から上記信号線に向か
    って電流が流れる第４の保護回路とを有することを特徴
    とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】上記第１の保護回路、上記第２の保護回
    路、上記第３の保護回路及び上記第４の保護回路は上記
    内部回路の動作時、電流が流れない電位を有する構成に
    なっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集
    積回路装置。
  3. 【請求項３】上記第１の保護回路，上記第２の保護回
    路，上記第３の保護回路及び上記第４の保護回路のうち
    いずれかの保護回路はダイオードを順方向に直列に複数
    接続した構成になっていることを特徴とする請求項２に
    記載の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項４】上記第３の保護回路及び上記第４の保護回
    路はダイオードを順方向に直列に複数接続した構成にな
    っていることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積
    回路装置。
  5. 【請求項５】上記第１の保護回路及び上記第２の保護回
    路はサーフェスブレイクダウンによる耐圧保護回路と、
    ソースフォロワトランジスタによる耐圧保護回路を有す
    ることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装
    置。
  6. 【請求項６】上記第１の保護回路及び上記第２の保護回
    路は耐圧保護回路とダイオードとを直列に接続した保護
    回路からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体
    集積回路装置。
  7. 【請求項７】上記内部回路のうちの第１の内部回路は高
    周波回路であり、上記内部回路のうちの第２の内部回路
    は低周波回路であることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体集積回路装置。
  8. 【請求項８】上記高周波回路の信号線に接続されるとこ
    ろの上記第３の保護回路及び上記第４の保護回路はダイ
    オードを順方向に直列に複数接続した構成であり、上記
    低周波回路の信号線に接続されるところの上記第３の保
    護回路及び上記第４の保護回路は一つのダイオードで構
    成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体
    集積回路装置。
  9. 【請求項９】上記ダイオードはダイオード接続されたト
    ランジスタで形成されていることを特徴とする半導体集
    積回路装置。
  10. 【請求項１０】上記ダイオード接続されたトランジスタ
    の個々は絶縁物の障壁で電気的に分離されていることを
    特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路装置。
  11. 【請求項１１】上記半導体集積回路装置は無線通信装置
    用の半導体集積回路装置であることを特徴とする請求項
    １に記載の半導体集積回路装置。
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