ITPI20070073A1 - Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore rf e l'amplificatore cosi ottenuto - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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Description
Descrizione a corredo della domanda di brevetto per invenzione industriale dal titolo
SISTEMA. PER MIGLIORARE IL RENDIMENTO DI UN AMPLIFICATORE E L'AMPLIFICATORE COSI' OTTENUTO
DESCRIZIONE
L'invenzione riguarda il settore tecnico relativo ai dispositivi elettronici per telecomunicazioni ed in particolare gli amplificatori a radiofrequenza.
Le apparecchiature per la trasmissione e la ricezione dei segnali televisivi utilizzano amplificatori a radiofrequenza, cioè dispositivi che permettono di aumentare la potenza del segnale trasmesso o ricevuto, le frequenze di questo segnale sono comprese tra 40 e 860 Mhz. Con tali segnali, comunemente detti segnali in banda VHF-UHF, si lavora in classe A (ultralineare), dove il guadagno e la potenza d'uscita vengono ridotte notevolmente .
Questi amplificatori sono caratterizzati principalmente dai fattori guadagno e banda passante, cioè il rapporto tra la potenza in ingresso e la potenza in uscita espresso in decibel, e l'intervallo di frequenze entro le quali tale guadagno non scende al di sotto di un certo valore, altre caratteristiche di tali amplificatori, quale ad esempio la cifra di rumore, forniscono una misura dell'inevitabile alterazione del segnale che accompagna l'amplificazione.
Per tutti gli amplificatori il guadagno, oltre che dipendere dalle caratteristiche degli elementi attivi impiegati ed in parte dalla qualità del segnale applicato in ingresso, è strettamente legato alla larghezza della banda passante, dunque se si desidera che l'amplificatore funzioni su una banda di frequenze più larga (corrispondente ad esempio ad un maggior numero di canali televisivi) occorre accettare un guadagno minore e viceversa.
La banda, il guadagno e la fedeltà del segnale amplificato rispetto a quello d'ingresso dipendono oltre che dagli elementi attivi usati, dallo schema dell'amplificatore, ed in particolare da alcuni componenti che hanno la funzione di filtrare e stabilizzare i segnali all'interno del circuito.
Il segnale in uscita di maggiore potenza, rispetto al segnale in ingresso è ottenuto grazie alla potenza fornita per mezzo dell'alimentazione. Ovviamente solo parte della potenza fornita dall'alimentazione è conferita al segnale in uscita, mentre gran parte di essa è dispersa in calore. Il rendimento, cioè il rapporto percentuale tra la potenza del segnale in uscita e la potenza fornita per mezzo dell'alimentazione, degli amplificatori TV canalizzati disponibili in commercio, impiegati nei ripetitori TV come finali di potenza, è del 25-30%
Oggetto dell'invenzione è una particolare configurazione circuitale che permette di migliorare il rendimento di questo tipo di amplificatori (anche per frequenze diverse dalla banda VHF-UHF e per applicazioni diverse quali ad esempio radio, telefonia, trasmissione dati, ecc.) rispetto a quanto oggi disponibile in commercio, incrementando notevolmente la potenza d'uscita a parità di consumo energetico. Il guadagno rimane invariato nonostante l'aumento di potenza, ma l'amplificatore può accettare in ingresso un segnale più alto con un conseguente maggiore livello d'uscita.
Il sistema si basa sul principio del filtraggio e della stabilizzazione delle tensioni e delle correnti di alimentazione fornite al componente attivo che amplifica il segnale (ad esempio un transistor), tramite i circuiti di polarizzazione di ingresso ed uscita, ponendo particolare attenzione ai circuiti d'ingresso. Questo viene ottenuto attraverso una serie di diodi ed elementi reattivi inseriti in alcuni punti strategici del circuito, essendo gli elementi reattivi dimensionati secondo precisi rapporti, ciò associato all'utilizzo di un ottimo alimentatore.
Il sistema, oggetto dell'invenzione si applica ad amplificatori RF che possono essere rappresentati secondo lo schema descritto in fig.l.
Nello schema circuitale di un amplificatore RF (10) si possono distinguere:
un elemento attivo (1)
uno stadio del circuito (2) adibito al condizionamento e filtraggio del segnale di ingresso e adattamento dell'impedenza di ingresso. una sezione del circuito adibita al condizionamento e filtraggio del segnale di uscita e adattamento dell'impedenza di uscita (3) circuiti di polarizzazione dell'elemento attivo (4), posti tra l'ingresso dell'elemento attivo e la massa ed eventualmente tra l'ingresso dell'elemento attivo e l'alimentazione (8), e collegati all' ingresso dell'elemento attivo per mezzo di una induttanza (6), e circuiti di polarizzazione dell'elemento attivo posti tra l'uscita di questo e l'alimentazione, collegati alla detta uscita anche in questo caso per mezzo di una induttanza (7).
La maggior parte degli amplificatori RF è progettata secondo uno schema di questo tipo, salvo in alcuni casi non essere presente uno o entrambi i circuiti di condizionamento e adattamento del segnale (2 e 3) o il collegamento dell'ingresso dell'elemento attivo al circuito di polarizzazione.
L'elemento attivo può essere nei diversi casi un transistor bipolare, un mosfet, un circuito integrato, oppure un tubo catodico (con i mosfet i risultati sono minori, ma si ottengono dei miglioramenti dotando con questo circuito gli amplificatori che li pilotano, i quali solitamente sono a transistor).
Nel caso l'elemento attivo sia un transistor bipolare si intendono come ingresso e uscita rispettivamente la base e il collettore, nel caso l'elemento attivo sia un mosfet si intendono come ingresso e uscita rispettivamente il gate e il drain, nel caso del tubo catodico ingresso ed uscita corrispondono alla griglia di controllo ed all'anodo.
I circuiti di polarizzazione possono a loro volta comprendere elementi attivi con la funzione di stabilizzatori e regolatori della corrente e tensione di alimentazione.
Tipici amplificatori del tipo descritto sono rappresentati in fig. 2, 3 e 4.
Il primo circuito (30) è relativo ad un amplificatore RF, a transistor (banda VHF-UHF, e potenza in uscita minore o uguale ad 1W) che utilizza un transistor in classe A molto comune, con denominazione commerciale BFQ68.
Il secondo circuito (31) è simile al precedente, ma in versione più completa e molto più potente, utilizza il transistor TPV598 (banda UHF, con potenza in uscita 5W in versione canalizzata), ed il circuito di polarizzazione prevede un secondo elemento attivo.
Il terzo circuito (32) è relativo ad un amplificatore RF, a MMIC (banda UHF) che utilizza il circuito integrato con denominazione commerciale MSA 0886.
L'amplificatore (31) ad esempio, fornisce in uscita una potenza di 5 W a fronte di una potenza assorbita di 24 W, dunque ha un rendimento all'incirca del 21%.
Il sistema di incremento del rendimento secondo la presente invenzione consiste nell'inserire sullo schema (10) di fig. 1 una serie di elementi discreti dimensionati secondo precisi rapporti.
Fondamentale è la presenza dell'induttore (6) nel circuito. Qualora un amplificatore preveda in questa posizione una resistenza, essa deve essere preventivamente sostituita con una induttanza per poter applicare correttamente la modifica.
Un amplificatore rappresentabile secondo lo schema proposto (10) può essere modificato secondo l'invenzione, e l'amplificatore ottenuto risponde allo schema (100) descritto in fig.5.
In pratica l'invenzione prevede l'inserimento nel circuito dei seguenti componenti:
- Qualora non presente, una induttanza Lin (6) sull'ingresso dell'elemento attivo
- Un condensatore elettrolitico (12) e un diodo (il) inseriti sul terminale dell'induttanza Lin (6) non collegato all'ingresso dell'elemento attivo, il polo positivo del diodo e l'armatura del condensatore sono collegati a massa. Il condensatore (12) ha una capacità espressa in microfarad pari alla potenza dell'amplificatore dichiarata prima della modifica ed espressa in watt, moltiplicata per 100, con una tolleranza del 20% e tensione di lavoro uguale o superiore a 25 Volt, (con questo dimensionamento si ottiene il massimo delle prestazioni, ma i benefici si hanno a partire dal 10% del valore calcolato, il condensatore che a volte si trova su alcuni amplificatori, ad esempio C9 nel circuito (35) varia da 4,7 a 10 microfarad e serve per eliminare il rumore aggiunto dal circuito di polarizzazione, con la potenza d'uscita che rimane uguale a 5W). - Un condensatore elettrolitico (15) e un diodo (14) inseriti sul terminale dell'induttanza Lout (7) non collegato all'uscita dell'elemento attivo, il polo positivo del diodo e l'armatura del condensatore sono collegati a massa. Il condensatore (15) ha una capacità espressa in microfarad pari ad un quinto della potenza dell'amplificatore dichiarata prima della modifica ed espressa in watt, moltiplicata per 100, con una tolleranza del 20%.
- Qualora siano presenti circuiti di polarizzazione (4) sull'ingresso dell'elemento attivo, un diodo (13) inserito a valle di questo circuito, prima del suo collegamento con Lin (6). Il polo positivo del diodo è collegato al circuito di polarizzazione (4).
- Un diodo (16) inserito sul collegamento all'alimentazione (8), eventualmente tra il condensatore passante (18) e 1 circuiti di polarizzazione (4). Il polo positivo del diodo collegato a massa.
Altri componenti possono essere aggiunti per avere un ulteriore miglioramento, ma essi non risultano decisivi ai fini del maggior rendimento. Questi componenti sono:
- Un diodo Zener (17) di protezione inserito sul collegamento all'alimentazione (8), in parallelo al diodo (16),
- Qualora non presenti, due condensatori ceramici (19) (20) di piccola capacità, (nanofarad) inseriti in parallelo al condensatore elettrolitico (12),
- Qualora non presenti, due condensatori ceramici (21) (22) di piccola capacità, (nanofarad) inseriti in parallelo al condensatore elettrolitico (15),
Esempi pratici di amplificatori modificati secondo quanto descritto, sono rappresentati nelle fig.6 e fig.7. Gli amplificatori in questione (33) (34) sono quelli descritti precedentemente.
Nel caso di un amplificatore più complesso, con un elemento attivo anche all'interno del circuito di polarizzazione (40), possono essere inseriti ulteriori componenti, ancora non decisivi per il miglioramento, ma utili al buon funzionamento. Con riferimento al circuito 101 in fig. 8 questi componenti sono:
- una seconda induttanza (5) di valore maggiore o uguale a Lin (6) inserita in serie a Lin, tra questa e il diodo di collegamento al circuito di polarizzazione (13).
- Qualora non presente un resistore (23) inserito tra l'induttanza (5) ed il condensatore ceramico (20).
- Un condensatore elettrolitico (27) e un condensatore ceramico (28) inseriti sul collegamento tra la detta seconda induttanza (5) e il diodo D3A (13), e collegati a massa
- Un condensatore elettrolitico (41) inserito sulla base dell'elemento attivo del circuito di polarizzazione. L'armatura del condensatore è collegata a massa.
- Un diodo (42) inserito sul collettore dell'elemento attivo del circuito di polarizzazione. Il polo positivo del diodo collegato a massa.
L'amplificatore (35) in fig.9 rappresenta un esempio pratico di quanto descritto.
Con riferimento a quest'ultimo circuito (35), le caratteristiche dell'elemento attivo, nello specifico il transistor denominato TPV598, fornite dal costruttore sono le seguenti:
- banda IV - V (470 - 860 MHz)
- VCE= 25V, Ic= 850 mA
- Guadagno min 7.0 dB in classe A , f= 860 MHz - P out= 4.0W, f= 860 MHz.
- Potenza assorbita = VCE x IC = 25 x 850= 21250 mW (21,25 W)
- Potenza fornita = 4000 mW (4W)
- Rendimento = 100 x 4000 / 21250 = 18,82% Prendendo in considerazione i valori reali di un amplificatore canalizzato fra i migliori in commercio, dove normalmente viene utilizzato un alimentatore con uscita a 24 V, con la presenza della resistenza sul collettore (Re) si ha una VCE di circa 21V ed una le di circa 1A. Usando per il calcolo direttamente i 24V dell'alimentatore otteniamo:
- Livello d'uscita in dBpV 146 (+37,2dBm)
- Potenza assorbita = 24 x 1000 = 24000 mW (24 W)
- Potenza fornita = 5000 mW (5W)
- Rendimento percentuale = 100 x 5000 / 24000 = 20,83 %
Con alcuni transistori più moderni aventi caratteristiche particolari e supportati da ottimi circuiti elettronici si arriva in prossimità del 25-28%
Nel caso del circuito modificato secondo l'invenzione otteniamo:
- Livello d'uscita in dBpV >= 150 (>= 41,2dBm)
- Potenza assorbita = VCE x IC = 24 x 1000= 24000 mW (24 W)
- Potenza fornita = 13300 mW (13,3 W)
- Rendimento = 100 x 13300 / 24000 = 55,42 %
Il grafico (102) in fig. 10 mostra graficamente l'incremento del rendimento ottenuto.
(Le misure del livello d'uscita in dBpV, sono state effettuate con il misuratore di campo ROVERSAT HP4-TS con l'aggiunta di un attenuatore esterno da 10 dB).
Nel circuito in esame (35) sono impiegati i seguenti componenti:
- DIA, serve come filtro non essendo attraversato da corrente, è sufficiente il diodo BYV10-40 oppure un diodo equivalente.
- D2A, per potenza fino a 15 W è uguale a DIA, mentre per potenze superiori conviene usare il 1N5061 o un diodo equivalente.
- D3A è sufficiente il BYV10-40 con potenza fino a 20W, qualora la potenza in gioco fosse più alta si usa un diodo da 2A 1000V, per valori diversi si rende proporzionato agli altri componenti del circuito.
- D4A viene utilizzato con una doppia funzione, oltre a scaricare a massa eventuale componente negativa, serve contro l'inversione di polarità, infatti se ciò dovesse accadere mette in corto circuito l'alimentazione salvando l'amplificatore per questo motivo conviene un diodo con amperaggio almeno uguale all'alimentatore, in questo caso si tratta di un BY399.
- D5A è uno zener, anche in questo caso oltre a controllare il valore della tensione, se ci fosse un aumento anomalo andrebbe in corto proteggendo l'amplificatore, il suo valore in V deve essere uguale alla tensione d'alimentazione e la potenza proporzionata a quella dell'assorbimento dell'amplificatore.
- D6A serve come filtro, stesso tipo del DIA e D2A il BYV10-40.
- CIA: il valore di questo condensatore elettrolitico è ricavato come già detto in riferimento alla potenza d'uscita del transistor in Watt prima della modifica, In questo caso 5W. Il condensatore occorrente è il 470pF 25V, la tensione di lavoro non deve essere inferiore a 25V altrimenti occorre una capacità maggiore.
- C2A condensatore elettrolitico, il suo valore è circa 1/5 rispetto a CIA, otteniamo in questo caso 100pF con tensione di lavoro di 50V o 63V.
- C3A, se usiamo lo stesso valore di CIA si ha l'impressione d'equilibrio del circuito, ma è sufficiente una capacità del 40% rispetto al primo.
- C4A è un condensatore ceramico da InF preferibilmente a disco.
- C5A è un condensatore elettrolitico di filtro, perfeziona le caratteristiche del transistor di controllo Q2.
- LIA induttanza (HF choke) di valore uguale o maggiore di L2A.
Logicamente si possono usare anche componenti smd.
Con riferimento alle figure degli allegati disegni, un sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore, applicabile ad un dispositivo il cui schema elettronico comprenda:
a.Almeno un elemento attivo (transistor o circuito integrato)(1)
b.Circuiti di polarizzazione dell'elemento attivo collegati all'uscita e preferibilmente all'ingresso dell'elemento attivo (4) c.Almeno una induttanza di collegamento tra il punto di uscita del segnale dall'elemento attivo (1) ed i circuiti di polarizzazione (4), nel seguito identificata come Lout (7) d.Preferibilmente una induttanza di collegamento tra il punto di ingresso del segnale nell'elemento attivo (1) ed i circuiti di polarizzazione (4), nel seguito identificata come Lin (6).
e.Almeno un alimentatore (8)
è caratterizzato dal fatto che comprende almeno i seguenti componenti:
nel caso in cui non sia già prevista dallo schema dell'amplificatore, una induttanza Lin (6) inserita sull'ingresso dell'elemento attivo (1) un condensatore elettrolitico, nel seguito identificato come CIA (12), e un diodo (11), nel seguito identificato come DIA, inseriti entrambi tra il polo dell'induttanza Lin (6) non collegato all'elemento attivo, e massa.
un condensatore elettrolitico, nel seguito identificato come C2A (15), e un diodo (14), nel seguito identificato come D2A, inseriti entrambi tra il punto di collegamento dell'induttanza Lout (7) e i circuiti di polarizzazione (4), e la massa.
Un diodo nel seguito identificato come D4A (16), inserito tra il punto di collegamento dei circuiti di polarizzazione (4) all'alimentazione (8), o al condensatore passante dell'alimentazione, e la massa
Preferibilmente un diodo, nel seguito identificato come D3A (13) inserito a valle del circuito di polarizzazione (4), prima del suo collegamento con Lin (6)
Preferibilmente un diodo zener (17), nel seguito identificato come D5A, inserito in parallelo a D4A (16)
Il condensatore elettrolitico aggiunto CIA (12) è dimensionato secondo la relazione: capacità in microfarad pari alla potenza di uscita dell'amplificatore prima della modifica espressa in watt moltiplicata per un valore maggiore o uguale a 4 e tensione di lavoro a partire da 3 volt.
Il condensatore elettrolitico aggiunto C2A (15) è dimensionato in modo che la sua capacità in microfarad sia pari alla potenza di uscita dell'amplificatore prima della modifica espressa in watt, moltiplicata per un valore maggiore o uguale a 5 e tensione di lavoro non inferiore alla tensione di alimentazione dell'amplificatore .
I diodi DIA (11), D2A (14) e D3A (13) sono componenti di caratteristiche adeguate ai valori di tensione e corrente presenti nel circuito e il diodo zener D5A (17) è dimensionato in modo da garantire una tensione uguale alla tensione di alimentazione dell'amplificatore .
Vantaggiosamente il sistema comprende anche i seguenti elementi:
Uno o più condensatori ceramici di capacità compresa tra qualche nanofarad e qualche centinaio d nanofarad (19) (20), inseriti in parallelo a CIA (12).
Uno o più condensatori ceramici di capacità compresa tra qualche nanofarad e qualche centinaio (21) (22), inseriti in parallelo a C2A (15).
Vantaggiosamente l'elemento attivo è un transistor Bjt a emettitore comune, per il quale la base costituisce l'ingresso del segnale e il collettore l'uscita, oppure l'elemento attivo è un transistor ad effetto di campo common source, per il quale il Gate costituisce l'ingresso del segnale e il Drain l'uscita oppure l'elemento attivo è un circuito integrato con i pin di ingresso e uscita utilizzati nel modo previsto oppure l'elemento attivo è un tubo catodico in cui ingresso ed uscita corrispondono alla griglia di controllo ed all'anodo.
Vantaggiosamente il sistema comprende:
- una induttanza Hf chocke LIA (5) inserita tra l'induttanza Lin (6) e il diodo D3A (13), di valore maggiore o uguale a Lin,
Un condensatore elettrolitico (27) di capacità pari al 40% della detta capacità CIA (12), e un condensatore ceramico (28), preferibilmente a disco, entrambi tali condensatori inseriti tra il polo di collegamento di D3A con la nuova induttanza LIA e massa
Vantaggiosamente l'elemento attivo è un transistor polarizzato attraverso circuiti che comprendono un secondo elemento attivo (40) e il sistema comprende anche un diodo (42) inserito tra il collettore del transistor (40) del circuito di polarizzazione e massa, comprende anche un condensatore elettrolitico (41) inserito tra la base del transistor del circuito di polarizzazione (40) e la massa ed eventualmente un resistore (23) inserito tra l'induttanza (5) ed il condensatore ceramico (20).
Un Amplificatore conforme alla presente invenzione è realizzato secondo lo schema di fig.6, oppure secondo lo schema di fig.7 oppure secondo lo schema di fig.9 L'invenzione sarà meglio compresa da ogni tecnico del ramo con l'aiuto degli annessi disegni nei quali:
La fig.l mostra uno schema a blocchi dei dispositivi ai quali è applicabile l'invenzione.
Le fig. 2, fig.3 e fig.4 mostrano esempi circuitali di dispositivi ai quali è applicabile l'invenzione.
Le fig.5 e fig.6 mostrano gli schemi a blocchi di dispositivi modificati secondo l'invenzione.
La fig.6, fig.7 e fig.9 mostrano esempi circuitali di dispositivi modificati secondo l'invenzione
La fig. 10 mostra una rappresentazione grafica del vantaggio ottenuto per mezzo dell'invenzione.
Claims (1)
- RIVENDICAZIONI 1. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore applicabile ad un amplificatore il cui schema elettronico comprende: f.Almeno un elemento attivo (transistor o circuito integrato)(1) g.Circuiti di polarizzazione dell'elemento attivo collegati all'uscita e preferibilmente all'ingresso dell'elemento attivo (4) h.Almeno una induttanza di collegamento tra il punto di uscita del segnale dall'elemento attivo (1) ed i circuiti di polarizzazione (4), nel seguito identificata come Lout (7) i.Preferibilmente una induttanza di collegamento tra il punto di ingresso del segnale nell'elemento attivo (1) ed i circuiti di polarizzazione (4), nel seguito identificata come Lin (6). j.Almeno un alimentatore (8) tale sistema caratterizzato dal fatto che comprende almeno i seguenti componenti: nel caso in cui non sia già prevista dallo schema dell'amplificatore, una induttanza Lin (6) inserita sull'ingresso dell'elemento attivo (1). un condensatore elettrolitico, nel seguito identificato come CIA (12), e un diodo (11), nel seguito identificato come DIA, inseriti entrambi tra il polo dell'induttanza Lin (6) non collegato all'elemento attivo, e massa. un condensatore elettrolitico, nel seguito identificato come C2A (15), e un diodo (14), nel seguito identificato come D2A, inseriti entrambi tra il punto di collegamento dell'induttanza Lout (7) e i circuiti di polarizzazione (4), e la massa. Un diodo nel seguito identificato come D4A (16), inserito tra il punto di collegamento dei circuiti di polarizzazione (4) all'alimentazione (8), o al condensatore passante dell'alimentazione, e la massa Preferibilmente un diodo, nel seguito identificato come D3A (13) inserito a valle del circuito di polarizzazione (4), prima del suo collegamento con Lin (6) Preferibilmente un diodo zener (17), nel seguito identificato come D5A, inserito in parallelo a D4A (16) 2. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alla precedente rivendicazione caratterizzato dal fatto che il condensatore elettrolitico aggiunto CIA (12) è dimensionato secondo la relazione: capacità in microfarad pari alla potenza di uscita dell'amplificatore prima della modifica espressa in watt moltiplicata per un valore maggiore o uguale a 4 e tensione di lavoro compatibile. 3. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che il condensatore elettrolitico aggiunto C2A (15) è dimensionato in modo che la sua capacità in microfarad sia sia pari alla potenza di uscita dell'amplificatore prima della modifica espressa in watt, moltiplicata per un valore maggiore o uguale a 5 e tensione di lavoro compatibile. 4. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che i diodi DIA (11), D2A (14) e D3A (13) sono componenti di caratteristiche adeguate ai valori di tensione e corrente presenti nel circuito. 5. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che il diodo zener D5A (17) è dimensionato in modo da garantire una tensione uguale alla tensione di alimentazione dell'amplificatore. 6. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che comprende anche i seguenti elementi: Uno o più condensatori ceramici di capacità compresa tra qualche nanofarad e qualche centinaio d nanofarad (19) (20), inseriti in parallelo a CIA (12). Uno o più condensatori ceramici di capacità compresa tra qualche nanofarad e qualche centinaio (21) (22), inseriti in parallelo a C2A (15). 7. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che l'elemento attivo è un transistor Bjt a emettitore comune, per il quale la base costituisce l'ingresso del segnale e il collettore l'uscita. 8. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che l'elemento attivo è un transistor ad effetto di campo common source, per il quale il Gate costituisce l'ingresso del segnale e il Drain l'uscita 9. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che l'elemento attivo è un circuito integrato con i pin di ingresso e uscita utilizzati nel modo previsto 10. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che l'elemento attivo è un tubo catodico in cui ingresso ed uscita corrispondono alla griglia controllo ed all'anodo. 11. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che comprende una induttanza Hf chocke LIA (5) inserita tra l'induttanza Lin (6) e il diodo D3A (13), di valore maggiore o uguale a Lin, Un condensatore elettrolitico (27) di capacità pari al 40% della detta capacità CIA (12), e un condensatore ceramico (28), preferibilmente a disco, entrambi tali condensatori inseriti tra il polo di collegamento di D3A con la nuova induttanza LIA e massa 12. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui a una o più delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che l'elemento attivo è un transistor polarizzato attraverso circuiti che comprendono un secondo elemento attivo (40) 13. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alla precedente rivendicazione caratterizzato dal fatto che il sistema comprende anche un diodo (42) inserito tra il collettore del transistor (40) del circuito di polarizzazione e massa 14. Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore di cui alle rivendicazioni 13 e 14 caratterizzato dal fatto che il sistema comprende anche un condensatore elettrolitico (41) inserito tra la base del transistor del circuito di polarizzazione (40) e la massa ed eventualmente un resistore (23) inserito tra l'induttanza (5) ed il condensatore ceramico (20). 15. Amplificatore secondo una o più delle rivendicazioni precedenti caratterizzato dal fatto che è realizzato secondo lo schema di fig.6 16. Amplificatore secondo una o più delle rivendicazioni precedenti caratterizzato dal fatto che è realizzato secondo lo schema di fig.7 17. Amplificatore secondo una o più delle rivendicazioni precedenti caratterizzato dal fatto che è realizzato secondo lo schema di fig.9
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITPI20070073 ITPI20070073A1 (it) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore rf e l'amplificatore cosi ottenuto |
| PCT/IB2008/052286 WO2008152579A1 (en) | 2007-06-13 | 2008-06-10 | System to increase the efficiency of an amplifier and the amplifier so obtained |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITPI20070073 ITPI20070073A1 (it) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore rf e l'amplificatore cosi ottenuto |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ITPI20070073A1 true ITPI20070073A1 (it) | 2008-12-14 |
Family
ID=39874875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ITPI20070073 ITPI20070073A1 (it) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | Sistema per migliorare il rendimento di un amplificatore rf e l'amplificatore cosi ottenuto |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| IT (1) | ITPI20070073A1 (it) |
| WO (1) | WO2008152579A1 (it) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590436A (en) * | 1984-04-27 | 1986-05-20 | Gte Laboratories Incorporated | High voltage, high frequency amplifier circuit |
| JPH0742577U (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | ミツミ電機株式会社 | 増幅器 |
| JP2882329B2 (ja) * | 1995-12-15 | 1999-04-12 | 日本電気株式会社 | 増幅回路 |
| JP3631060B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2005-03-23 | 株式会社東芝 | 線形増幅器及びこれを用いた無線通信装置 |
| US6429746B1 (en) * | 1999-12-07 | 2002-08-06 | Nokia Networks Oy | System and method for auto-bias of an amplifier |
| JP4037029B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2008-01-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
| JP2003347870A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| US6750722B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-06-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bias control for HBT power amplifiers |
-
2007
- 2007-06-13 IT ITPI20070073 patent/ITPI20070073A1/it unknown
-
2008
- 2008-06-10 WO PCT/IB2008/052286 patent/WO2008152579A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008152579A1 (en) | 2008-12-18 |
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