KR20140103681A - 보호 전압 가변 기능을 갖는 고주파 증폭 장치 - Google Patents

보호 전압 가변 기능을 갖는 고주파 증폭 장치 Download PDF

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KR20140103681A
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Abstract

본 발명은 보호 전압 가변 기능을 갖는 고주파 증폭 장치에 관한 것으로, 고주파 신호를 증폭하는 고주파 증폭부와, 상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 연결되어, 상기 출력노드의 전압이 사전에 설정된 보호 전압보다 높으면 상기 출력노드의 전압을 상기 보호 전압 이하로 제한하는 보호 회로부를 포함하고, 제어신호를 이용하여 상기 보호 전압을 가변할 수 있다.

Description

보호 전압 가변 기능을 갖는 고주파 증폭 장치{APPARATUS FOR AMPLIFYING RADIO FREQUENCY WITH VARIATION FUNCTION OF PROTECTION VOLTAGE}
본 발명은 통신 시스템 등의 파워 증폭 모듈에 적용될 수 있으며, 보호 전압 가변 기능을 갖는 고주파 증폭 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 무선 통신 방식은 디지털 변복조 방식이고, 주파수 이용 효율 향상의 관점에서 적합한 방식이 채용되고 있다. 예를 들어, CDMA (Code Division Multiple Access)방식의 휴대 전화에서는 QPSK (Quadrature Phase Shift Keying) 방식이 채용되고 있고, IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)의 통신 규격 [802.11]에 따르는 무선랜(Wireless LAN)에서는 OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing)의 디지털 변조 방식이 채용되고 있다.
이러한 무선 통신 방식이 채용되는 무선 통신 시스템은 고주파 신호를 증폭하기 위해서 전력 증폭 장치를 포함한다.
이때, 선형 증폭이 요구되는 시스템에서는, 송신신호를 왜곡 없이 증폭할 수 있도록 선형성을 갖는 전력 증폭장치가 요구된다. 여기서, 선형성이란 입력신호의 전력이 변동되는 경우에도 출력신호의 전력이 일정한 비율로 증폭되는 것과 동시에, 위상이 변하지 않는 것을 의미한다.
또한, 무선 통신 장치에 있어서 주변의 온도 변화에도 전력 증폭율이 크게 변동되지 않도록 온도를 보상하는 기술을 필요로 한다.
게다가, 고주파 증폭 장치는 통신 시스템에서 미약한 신호를 증폭하기 위해 사용된다. 특히 송신기에서의 고주파 증폭 장치는, 송신신호의 전력을 증폭하기 위해 사용될 수 있다.
이와 같은 고주파 증폭장치에서는, 적어도 하나의 증폭용 트랜지스터를 포함한다. 견딜 수 있는 내전압보다 높은 전압이 증폭용 트랜지스터에 유입되는 경우에는 증폭용 트랜지스터가 파괴될 수 있다.
이와 같이 증폭용 트랜지스터가 파괴되는 것을 방지하기 위해서, 과전압에 대해 보호 기능을 수행할 수 있는 보호 회로가 추가될 수 있다.
이와 같은 보호 회로는 사전에 미리 정해진 전압보다 높은 과전압이 유입되는 경우에는 보호 기능을 수행하여 과전압을 차단하는 기능을 수행한다.
기존의 고주파 증폭 장치에 적용되는 보호 회로는, 과전압을 판단하기 위한 기준전압이 제작시 한번 정해지면 조절할 수 없다.
이에 따라, 일단 고주파 증폭 장치가 제작되면, 보호 전압이 미리 정해져 있어서, 보호 전압을 변경할 수 없으므로, 시스템에서는 적용하기 어렵고, 이에 따라 적용 가능한 시스템에 제약이 따르는 문제점이 있다.
하기 선행기술문헌에 기재된 특허문헌 1은, 반도체 집적회로 장치에 관한 것으로, 보호 전압을 가변할 수 있는 사항을 개시하고 있지 않다.
한국 공개특허공보 제10-2001-0083225호
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 제작 이후에 적용 시스템의 사용 환경에 따라 적절히 보호 전압을 가변할 수 있는 고주파 증폭 장치를 제공한다.
본 발명의 제1 기술적인 측면으로써, 본 발명은, 고주파 신호를 증폭하는 고주파 증폭부; 및 상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 연결되어, 상기 출력노드의 전압이 사전에 설정된 보호 전압보다 높으면 상기 출력노드의 전압을 상기 보호 전압 이하로 제한하는 보호 회로부; 를 포함하고, 제어신호를 이용하여 상기 보호 전압을 가변하는 고주파 증폭 장치를 제안한다.
본 발명의 제1 기술적인 측면에서, 상기 보호 전압은, 상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압 및 입력 신호의 최대 전압에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 보호 회로부는, 상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제n 트랜지스터를 포함하고, 상기 제어신호는 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제n 제어신호를 포함하고, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각은 상기 제1 내지 제n 제어신호 각각에 의해서 턴온 또는 턴오프되도록 이루어질 수 있다.
상기 보호 전압은, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태의 트랜지스터 개수에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수는, 상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압, 입력 신호의 최대 전압 및 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각의 문턱전압에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 고주파 증폭부는, 고주파 신호의 파워를 증폭하는 파워 증폭기를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 기술적인 측면으로써, 본 발명은 고주파 신호를 증폭하는 고주파 증폭부; 상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 연결되어, 상기 출력노드의 전압이 사전에 설정된 보호 전압 보다 높으면 상기 출력노드의 전압을 상기 보호 전압 이하로 제한하는 보호 회로부; 및 제어신호를 이용하여 상기 보호 전압을 제어하는 제어부; 를 포함하는 고주파 증폭 장치를 제안한다.
본 발명의 제2 기술적인 측면에서, 상기 보호 전압은, 상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압 및 입력 신호의 최대 전압에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 보호 회로부는, 상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제n 트랜지스터를 포함하고, 상기 제어부는 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제n 제어신호를 포함하는 상기 제어신호를 생성하며, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각은 상기 제1 내지 제n 제어신호 각각에 의해 턴온 또는 턴오프되도록 이루어질 수 있다.
상기 보호 전압은, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태의 트랜지스터 개수에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수는, 상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압, 입력 신호의 최대 전압 및 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각의 문턱전압에 따라 결정되도록 이루어질 수 있다.
상기 고주파 증폭부는, 고주파 신호의 파워를 증폭하는 파워 증폭기를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 제작 이후에 적용 시스템의 환경에 따라 적절히 보호 전압을 가변할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치의 회로 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치의 상세 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 보호 회로부의 구현 예시도이다.
도 4는 도 3의 보호 회로부 및 제어부의 제1 동작 예시도이다.
도 5는 도 3의 보호 회로부 및 제어부의 제2 동작 예시도이다.
이하에서는, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시 예를 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 일 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 하나의 예시에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치의 회로 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치는, 고주파 증폭부(100) 및 보호 회로부(200)를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치는 제어부(300)를 더 포함할 수 있다.
상기 고주파 증폭부(100)는, 저항(R1)을 통해 제1 바이어스 전압(Vbias1) 및 제1 초크 코일(Lck1)을 통해 제1 동작 전압(Vcc1)을 공급받고, 입력되는 고주파 신호를 증폭할 수 있다.
상기 고주파 증폭부(100)는, 고주파 신호의 파워를 증폭하는 파워 증폭기를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치는, 제1 매칭 회로부(50) 및 제2 매칭 회로부(60)를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 매칭 회로부(50)는, 입력단(IN)을 통한 입력되는 고주파 신호를 상기 고주파 증폭부(100)에 전달할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 매칭 회로부(50)는 상기 입력단(IN)의 임피던스와 상기 고주파 증폭부(100)의 입력 임피던스를 매칭시키고, 이에 따라 고주파 신호의 손실을 줄일 수 있다.
또한, 상기 제2 매칭 회로부(60)는, 상기 고주파 증폭부(100)에서 출력되는 고주파 신호를 출력단(OUT)에 전달할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 매칭 회로부(60)는 상기 고주파 증폭부(100)의 출력 임피던스와 상기 출력단(OUT)의 임피던스를 매칭시키고, 이에 따라 고주파 신호의 손실을 줄일 수 있다.
상기 보호 회로부(200)는, 상기 고주파 증폭부(100)의 출력노드(No)와 접지(GND) 사이에 연결되어, 상기 출력노드(No)의 전압이 사전에 설정된 보호 전압(Vp)보다 높으면 상기 출력노드(No)의 전압을 상기 보호 전압(Vp) 이하로 제한할 수 있다.
또한, 본 발명의 의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치가 제어부(300)를 더 포함하는 경우에는, 상기 제어부(300)는 제어신호(SC)를 이용하여 상기 보호 전압(Vp)을 가변할 수 있다.
상기 보호 회로부(200) 및 제어부(300)에 대해서는 도 2 내지 도 5를 참조하여 하기 자세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치의 상세 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치는, 상기 입력단(IN)과 상기 제1 매칭 회로부(50) 사이에, 입력 매칭부(30) 및 입력 증폭부(40)를 추가로 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 입력 매칭부(30)는, 커패시터 및 인덕터중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 입력단(IN)의 임피던스와 상기 입력 증폭부(40)의 입력 임피던스를 매칭시키고, 이에 따라 고주파 신호의 손실을 줄일 수 있다.
그리고, 상기 입력 증폭부(40)는, 증폭 트랜지스터(QA2)를 포함할 수 있고, 저항(R2)을 통해 제2 바이어스 전압(Vbias) 및 제2 초크 코일(Lck2)을 통해 제2 동작 전압(Vcc2)을 공급받고, 상기 입력 매칭부(30)로부터의 고주파 신호를 증폭할 수 있다.
상기 제1 매칭 회로부(50)는 커패시터 및 인덕터중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 고주파 증폭부(100)는 상기 저항(R1)을 통해 제1 바이어스 전압(Vbias1)을 공급받고, 상기 제1 매칭 회로부(50)로부터 고주파 신호를 입력받는 베이스와, 상기 제1 초크 코일(Lck1)을 통해 제1 동작 전압(Vcc1)을 공급받는 컬렉터와, 접지에 연결된 에미터를 갖는 증폭 트랜지스터(QA1)를 포함할 수 있다.
이때, 상기 증폭 트랜지스터(QA1)의 에미터를 인쇄회로기판(PCB)의 접지면에 접속하는데, 인쇄회로기판의 접지면이 충분하지 않아서 상기 증폭 트랜지스터(QA1)의 에미터에 기생 인덕턴스(inductance)가 발생될 수 있다. 이러한 기생 인덕턴스가 등가적으로 도 2와 같이 기생 인덕터(Llk)로 도시될 수 있다.
한편, 상기 기생 인덕터(Llk)에 의해서 신호 손실이 발생될 수 있으므로, 상기 증폭 트랜지스터(QA1)에서 출력되는 고주파 신호의 레벨이 감소될 수 있다. 이를 보안하기 위해 상기 제1 초크 코일(Lck1)을 변경하여 출력을 증가시킬 수 있으나, 상기 보호 회로부(200)에서의 보호전압(Vp)이 고정되어 있으면 상기 보호 회로부(200)에 의해서 고주파 신호의 출력 레벨이 제한되는 문제점이 있을 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭 장치가 제작된 이후에도, 상기 보호 회로부(200)에서의 보호전압(Vp)을 가변시킬 필요성이 있다.
일 예로, 상기 보호 전압(Vp)은, 상기 고주파 증폭부(100)의 접지시 발생되는 기생 인덕터(Llk)에 의한 전압(Vlk) 및 입력 신호의 최대 전압(Vpeak)에 따라 결정될 수 있다.
또한, 도 2를 참조하면, 상기 보호 회로부(200)는, 상기 고주파 증폭부(100)의 출력노드(No)와 접지(GND) 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn)를 포함할 수 있다.
상기 제어부(300)는 상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn) 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제n 제어신호(SC1-SCn)를 포함하는 상기 제어신호(SC)를 생성할 수 있다.
이때, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn) 각각은 상기 제1 내지 제n 제어신호(SC1-SCn) 각각에 의해 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
이때, 상기 보호 전압(Vp)은, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn)중 턴오프 상태의 트랜지스터 개수에 따라 결정될 수 있다.
상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn)중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수는, 상기 고주파 증폭부(100)의 접지시 발생되는 기생 인덕터(Llk)에 의한 전압(Vlk), 입력 신호의 최대 전압(Vpeak) 및 상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn) 각각의 문턱전압(Vth)에 따라 결정될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터(Q1~Qn)중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수가 결정되면, 하기 수학식 1과 같이 보호전압(Vp)이 정해질 수 있다.
[수학식 1]
보호전압(Vp)
= 트랜지스터의 턴오프 개수 * 트랜지스터의 컬렉터-에미터 문턱전압(Vth)
상기 보호 회로부(200)의 일 구현 예에 대해 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 보호 회로부(200)의 구현 예시도이다. 도 3을 참조하면, 일 구현 예로써, 상기 보호 회로부(200)는, 상기 고주파 증폭부(100)의 출력노드(No)와 접지(GND) 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어부(300)는 상기 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10) 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제10 제어신호(SC1-SC10)를 포함하는 상기 제어신호(SC)를 생성할 수 있다.
상기 보호 회로부(200)에서 결정되는 보호전압(Vp)에 대해 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4는 도 3의 보호 회로부(200) 및 제어부(300)의 제1 동작 예시도이다.
도 4를 참조하면, 상기 제어부(300)가 상기 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10) 모두를 오프 상태로 제어하기 위한 제1 내지 제10 제어신호(SC1-SC10)를 상기 보호 회로부(200)에 제공할 수 있다.
이때, 상기 보호 회로부(200)의 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10) 모두가 턴오프 상태가 될 수 있다.
여기서, 상기 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10) 각각의 컬렉터-에미터간 문턱전압(Vth)이 1.2V인 경우라 하면, 상기 보호 전압은 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수(10개)에 따라 결정되므로, 상기 보호 전압은 12V(10*1.2V)가 될 수 있다.
도 5는 도 3의 보호 회로부(200) 및 제어부(300)의 제2 동작 예시도이다.
도 5를 참조하면, 상기 제어부(300)가 상기 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10)중 제1 및 제2 트랜지스터(Q1,Q2)를 온 상태로 제어하고, 제3 내지 제10 트랜지스터(Q3-Q10)를 오프 상태를 제어하기 위한 제1 내지 제10 제어신호(SC1-SC10)를 상기 보호 회로부(200)에 제공할 수 있다.
이때, 상기 보호 회로부(200)의 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10)중 제1 및 제2 트랜지스터(Q1,Q2)가 온 상태가 되고, 제3 내지 제10 트랜지스터(Q3-Q10)는 오프 상태가 될 수 있다.
여기서, 상기 제1 내지 제10 트랜지스터(Q1~Q10) 각각의 컬렉터-에미터간 문턱전압(Vth)이 1.2V인 경우라 하면, 상기 보호 전압은 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수(8개)에 따라 결정되므로, 상기 보호 전압은 9.6V(8*1.2V)가 될 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에서는, 상기 보호 회로부(200)의 보호전압(Vp)을 가변시킬 수 있고, 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 증폭장치가 적용되는 시스템의 환경에 적절히 대응할 수 있다.
100: 고주파 증폭부
200: 보호 회로부
300: 제어부
Q1~Qn: 제1 내지 제n 트랜지스터
SC1-SCn: 제1 내지 제n 제어신호
Llk: 기생 인덕터
No: 출력노드
Vp: 보호 전압
SC: 제어신호
Vp: 보호 전압

Claims (12)

  1. 고주파 신호를 증폭하는 고주파 증폭부; 및
    상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 연결되어, 상기 출력노드의 전압이 사전에 설정된 보호 전압보다 높으면 상기 출력노드의 전압을 상기 보호 전압 이하로 제한하는 보호 회로부; 를 포함하고,
    제어신호를 이용하여 상기 보호 전압을 가변하는 고주파 증폭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 전압은,
    상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압 및 입력 신호의 최대 전압에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호 회로부는,
    상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제n 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제어신호는 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제n 제어신호를 포함하고,
    상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각은 상기 제1 내지 제n 제어신호 각각에 의해서 턴온 또는 턴오프되는 고주파 증폭 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보호 전압은,
    상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태의 트랜지스터 개수에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수는,
    상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압, 입력 신호의 최대 전압 및 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각의 문턱전압에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고주파 증폭부는,
    고주파 신호의 파워를 증폭하는 파워 증폭기를 포함하는 고주파 증폭 장치.
  7. 고주파 신호를 증폭하는 고주파 증폭부;
    상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 연결되어, 상기 출력노드의 전압이 사전에 설정된 보호 전압 보다 높으면 상기 출력노드의 전압을 상기 보호 전압 이하로 제한하는 보호 회로부; 및
    제어신호를 이용하여 상기 보호 전압을 제어하는 제어부;
    를 포함하는 고주파 증폭 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보호 전압은,
    상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압 및 입력 신호의 최대 전압에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 보호 회로부는,
    상기 고주파 증폭부의 출력노드와 접지 사이에 직렬로 접속된 제1 내지 제n 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각을 제어하기 위한 제1 내지 제n 제어신호를 포함하는 상기 제어신호를 생성하며,
    상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각은 상기 제1 내지 제n 제어신호 각각에 의해 턴온 또는 턴오프되는 고주파 증폭 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호 전압은,
    상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태의 트랜지스터 개수에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 트랜지스터중 턴오프 상태인 트랜지스터의 개수는,
    상기 고주파 증폭부의 접지시 발생되는 기생 인덕터에 의한 전압, 입력 신호의 최대 전압 및 상기 제1 내지 제n 트랜지스터 각각의 문턱전압에 따라 결정되는 고주파 증폭 장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 고주파 증폭부는,
    고주파 신호의 파워를 증폭하는 파워 증폭기를 포함하는 고주파 증폭 장치.
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JP2017092526A (ja) * 2015-11-02 2017-05-25 株式会社村田製作所 電力増幅回路
JP2022036687A (ja) * 2020-08-24 2022-03-08 株式会社村田製作所 無線周波数増幅回路
JP7547987B2 (ja) 2020-12-18 2024-09-10 株式会社村田製作所 電力増幅器
US11736071B2 (en) * 2021-03-22 2023-08-22 Qualcomm Incorporated Wideband amplifier
US11888454B2 (en) * 2021-07-20 2024-01-30 The Chinese University Of Hong Kong, Shenzhen Blocking signal cancellation low noise amplifier system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636118B1 (en) * 1999-09-06 2003-10-21 Hitachi, Ltd. High-frequency power amplification module and radio communication device
JP4037029B2 (ja) 2000-02-21 2008-01-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP3729082B2 (ja) 2001-04-25 2005-12-21 日本電信電話株式会社 半導体保護回路
US6621351B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-16 Motorola, Inc. RF amplifier and method therefor
US6580321B1 (en) * 2001-08-24 2003-06-17 Anadigics, Inc. Active clamping circuit for power amplifiers
EP1440506A1 (en) * 2001-10-16 2004-07-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rf power amplifier circuit
WO2004013957A2 (en) * 2002-08-01 2004-02-12 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Circuit for power amplification
JP2007104280A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Nec Electronics Corp 高周波電力増幅回路

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