JP2001223505A - 非放射性誘電体線路およびその製造方法並びにミリ波送受信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】精度良く作製できるとともに、安定した特性を
有し、容易に製造することができる導体層付セラミック
誘電体線路を具備する非放射性誘電体線路を提供する。 【解決手段】一対の平行平板導体１、２間に誘電体スト
リップ３を配設してなる非放射性誘電体線路４の一端に
接続され、一対の平行平板導体１、２間にセラミック誘
電体ストリップ６を配設するとともに、セラミック誘電
体ストリップ６の中心に導体層７を介層し、セラミック
誘電体ストリップ６と導体層７とを同時焼成によって一
体的に形成した非放射性誘電体線路用モードサプレッサ
９を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波、ミリ波集積回路等に組み込まれ、高周波信号のガイ
ドとして用いられる非放射性誘電体線路の回路素子であ
る非放射性誘電体線路用モードサプレッサ等の導体層付
非放射性誘電体線路を具備する非放射性誘電体線路およ
びその製造方法並びにミリ波送受信器に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術】 非放射性誘電体線路（Nonradiative Die
lectric Waveguide，以下、単にＮＲＤガイドとい
う。）は、間隔ｄの平行平板導体間に誘電体ストリップ
を介装し、平行平板導体間の間隔ｄを、ｄ＜λ／２
（λ：信号波長）となるように設計することによって、
外部からＮＲＤガイドへのノイズの侵入をなくし、かつ
外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送できる
ものである。

【０００３】従来、この種のＮＲＤガイドにおいては、
線路を形成する誘電体ストリップの材料として、テフロ
ン（登録商標）、ポリスチレンなど比誘電率が２〜４の
樹脂系の材料が多用され、また比誘電率が比較的低いセ
ラミック材料も検討されている。

【０００４】かかるＮＲＤガイドにおいては、上記誘電
体材料と導体層との複合材料からなる導体層付セラミッ
ク誘電体ストリップが形成され、これが一対の平行平板
導体間に配設されて、非放射性誘電体線路用モードサプ
レッサ（以下、サプレッサと略す。）、非放射性誘電体
線路用終端器（以下、ターミネータと称す。）、非放射
性誘電体線路用減衰器（以下、アッテネータと称す。）
等として広く用いられている。

【０００５】なお、一般に、ＮＲＤガイドの動作モード
はＬＳＭモードであるが、回路を設計する上で、ＮＲＤ
ガイドを他の回路素子であるサーキュレータや発信器等
に接続する場合があり、かかるサーキュレータや発振器
等との接続部では不要モードであるＬＳＥモードが発生
する。このＬＳＥモードの伝播を抑制するために、ＮＲ
Ｄガイドと他の回路素子との間にＬＳＥモードサプレッ
サが配設される。

【０００６】従来、モードサプレッサは誘電体ストリッ
プを半割とし、一方の半割誘電体ストリップの一面に所
定形状の導体層を印刷して導体層表面に他方の半割誘電
体ストリップを並列に配置したものや、前記導体層表面
と前記他方の半割誘電体ストリップとを接着剤を用いて
固着したものが知られている。

【０００７】また、特開昭６３−１８５１０１号公報で
は、所定形状の金属板を作製し、ポリスチレン等の誘電
体ストリップと一体形成したモードサプレッサが開示さ
れている。

【０００８】さらに、ターミネータやアッテネータとし
ては、誘電体ストリップをなす誘電体中に金属抵抗体粉
や電波吸収粉を分散混合したもの（特開平７−９４９１
６号公報）や、誘電体ストリップの側面に金属抵抗体層
や電波吸収体層を貼り付けたもの（特開平９−１８１５
０５号公報）が知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半割誘電体ストリップを並列に配置したモードサプレッ
サでは、製造上、両者間に制御できない隙間ができてし
まい、また両者間を接着剤によって固着したモードサプ
レッサでも、半割誘電体ストリップ間に誘電率の異なる
領域が存在するために、モードサプレッサの動作帯域が
ずれてしまい、モードサプレッサによって抑制できる帯
域をはずれる場合、モードサプレッサが効果的に機能し
ないという問題があった。また、上記半割誘電体ストリ
ップ同士の位置ずれが生じて、例えば、サーキュレータ
と前記金属板との配設位置精度がずれてしまうと、サー
キュレータの動作帯域が変化してしまい、サーキュレー
タとして正常に機能しない恐れがあった。

【００１０】さらに、特開昭６３−１８５１０１号公報
の所定形状の金属板を作製し、ポリスチレン等の誘電体
ストリップと一体形成したモードサプレッサでは、金属
板の形成位置を制御することが困難であり、金属板の形
成位置がずれてしまい、モードサプレッサとしての機能
が損なわれたり、また、誘電体ストリップの線路幅が狭
い場合には、金属板の取り扱いが難しく、金属板を所定
位置に正確に配置することができないという問題があっ
た。

【００１１】また、誘電体ストリップがテフロンからな
る場合には、テフロンを接着剤によって接着することが
難しいために、取扱により誘電体ストリップの設置位置
がずれたりして不具合が生じる場合があった。

【００１２】さらにまた、特開平７−９４９１６号公報
等の金属抵抗体粉等を誘電体中に分散混合したものでは
抵抗体粉の分散状態を制御することが困難であり、信号
の反射が大きくなったりターミネータをなす誘電体スト
リップの長さが長くなったりするという問題があり、ま
た、特開平９−１８１５０５号公報等の金属抵抗体層等
を誘電体ストリップの側面に貼り付けたものは、上述し
たようにテフロン等は接着性の点で使用できず、さら
に、接着性のよいセラミックやポリスチレン等について
も、金属抵抗体層の形成位置がずれてしまうために動作
特性の精度が低下するという問題があった。

【００１３】したがって、本発明は、容易にかつ精度良
く作製できるとともに、安定した特性を有する非放射性
誘電体線路用モードサプレッサ、ターミネータおよびア
ッテネータ等の導体付セラミック誘電体ストリップを具
備する非放射性誘電体線路およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
に対して検討した結果、非放射性誘電体線路用モードサ
プレッサ等を構成する誘電体ストリップをセラミックス
にて形成し、かつストリップの内部および／または表面
に形成される導体層をセラミック誘電体の成形体表面に
印刷法、薄膜形成法、転写法等によって被着形成した
後、同時焼成することによって導体層をセラミック誘電
体ストリップと一体的に形成できる結果、導体層付セラ
ミック誘電体ストリップ内を均一な誘電率とすることが
でき、かつ該ストリップの寸法精度および導体層の位置
精度を向上できるとともに、容易に形成でき、安定した
機能を有する導体層付セラミック誘電体ストリップとな
ることを見いだした。

【００１５】すなわち、本発明の非放射性誘電体線路
は、一対の平行平板導体間に誘電体ストリップを配設し
てなる非放射性誘電体線路において、前記誘電体ストリ
ップの一端に、セラミック誘電体ストリップの表面およ
び／または内部に導体層を形成するとともに、前記セラ
ミック誘電体ストリップと前記導体層とを焼成によって
一体的に形成した導体層付セラミック誘電体ストリップ
を接続してなることを特徴とするものである。

【００１６】ここで、前記導体層付セラミック誘電体ス
トリップが、前記セラミック誘電体ストリップの内部に
導体層を形成した非放射性誘電体線路用モードサプレッ
サであること、または前記導体層付セラミック誘電体ス
トリップが、前記セラミック誘電体ストリップの表面お
よび／または内部に導体層を形成した非放射性誘電体線
路用終端器または非放射性誘電体線路用減衰器であるこ
とが望ましい。

【００１７】また、前記導体層が低抵抗金属導体からな
り、かつ前記セラミック誘電体ストリップがガラスセラ
ミックスからなることが望ましい。

【００１８】さらに、本発明の誘電体線路の製造方法
は、（ａ）誘電体ストリップを作製する工程と、（ｂ）
セラミック粉末および／またはガラス粉末を主成分とす
る誘電体シートを作製する工程と、（ｃ）該誘電体シー
トの一方の表面に導体層を被着形成する工程と、（ｄ）
該導体層を被着形成した誘電体シートを焼成する工程
と、（ｅ）一対の平行平板導体間に前記（ａ）工程で得
られた誘電体ストリップと前記（ｄ）工程で得られた導
体層付セラミック誘電体ストリップとを配設するととも
に、前記（ａ）工程で得られた誘電体ストリップの一端
に前記（ｄ）工程で得られた導体層付セラミック誘電体
ストリップを接続したことを特徴とするものである。

【００１９】ここで、前記導体層の被着形成法が印刷
法、薄膜形成法、転写法から選ばれる１種であることが
望ましく、また、前記導体層がモードサプレッサの場合
は低抵抗金属導体、ターミネータおよびアッテネータの
場合は低抵抗金属導体からなり、かつ前記セラミック誘
電体ストリップがガラスセラミックスからなることが望
ましい。

【００２０】また、本発明のミリ波送受信器は、ミリ波
信号の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導
体間に、高周波ダイオードにて発振した送信信号を第１
の誘電体線路に伝搬し、サーキュレータを介して第２の
誘電体線路およびその終端に設けられた送信アンテナに
伝搬し、かつ受信アンテナにて受信した受信信号を前記
第２の誘電体線路および前記サーキュレータを介して第
３の誘電体線路に伝搬するとともに、前記第１の誘電体
線路に伝搬された送信信号の一部を該第１の誘電体線路
と結合された第４の誘電体線路に伝搬して、前記第３の
誘電体線路に伝搬された受信信号と混合して出力信号を
発生するミリ波送受信器であって、前記誘電体線路が上
述した非放射性誘電体線路からなることを特徴とするも
のである。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１に本発明の非放射性誘電体線
路の好適例である非放射性誘電体線路の一端に非放射性
誘電体線路用モードサプレッサを接続した一例について
の一部切り欠き斜視図を示す。図１によれば、一対の平
行平板導体１、２間に誘電体ストリップ３が配設され、
平行平板導体１、２と誘電体ストリップ３とによって非
放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）４が形成されてい
る。

【００２２】平行平板導体１、２は、高い電気伝導度を
有すること、および加工性の点で、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、
ＳＵＳ（ステンレス）、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体板、
あるいはこれらの材料からなる導体層を表面に形成した
セラミックス、樹脂等の絶縁体により形成される。

【００２３】一方、誘電体ストリップ３は、テフロン、
ポリスチレン、ガラスエポキシ等の樹脂系誘電体やコー
ディライト、アルミナ、ガラスセラミックス、フォルス
テライト等のセラミックスによって形成されるものであ
るが、誘電特性、加工性、強度、小型化、信頼性等の点
で、コーディライト質セラミックスからなることが望ま
しい。さらに、このコーディライト質セラミックスに対
し、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも
１種を含有せしめることにより、Ｑ値等の誘電特性を向
上させ、低損失で信号を伝送できる。

【００２４】また、図１によれば、誘電体ストリップ３
の一端にセラミック誘電体ストリップ６が連続して、ま
たは所定間隔離間して配置されている。そして、このセ
ラミック誘電体ストリップ６の内部、特に中心部には所
定のパターンからなる導体層７が平行平板導体１，２に
対して垂直となるように形成されて導体層付セラミック
誘電体ストリップが形成されており、これら平行平板導
体１，２とセラミック誘電体ストリップ６と導体層７と
によって非放射性誘電体線路（ＮＲＤガイド）用モード
サプレッサ（以下、単にサプレッサと略す。）９が形成
されている。

【００２５】なお、図１では導体層７が平行平板導体
１，２に対して垂直となるように配置され、ＬＳＥモー
ドの伝搬を抑制するサプレッサであったが、本発明はこ
れに限られるものではなく、導体層７を平行平板導体
１，２に対して平行に配置し、ＬＳＭモードの伝搬を抑
制するサプレッサとすることもできる。

【００２６】本発明によれば、このサプレッサ９におけ
るセラミック誘電体ストリップ６と導体層７とが同時焼
成によって一体的に形成されてなることが大きな特徴で
あり、これによってセラミック誘電体ストリップ６と導
体層７の間に隙間等が生じ誘電率の異なる部分が生じる
ことがなく、またサプレッサ９の寸法精度および導体層
７の位置精度を向上できることから、動作帯域が設計通
りのばらつきの少ない安定した動作を有するのために安
定した機能を有するサプレッサとなる。

【００２７】セラミック誘電体ストリップ６としては、
コーディライト、アルミナ、ガラスセラミックス、フォ
ルステライト等が使用可能であるが、特に、導体層付セ
ラミック誘電体ストリップがサプレッサとして機能する
場合には、導体層７が銅、銀、金等の低抵抗金属からな
ることが望ましく、そのためにセラミック誘電体ストリ
ップ６は、この低抵抗金属と同時焼成が可能なガラスセ
ラミックスからなることが望ましい。

【００２８】また、この場合、ガラスセラミックスとし
ては、結晶相として、誘電損失が小さいＳｉＯ₂結晶
相、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄等のスピネル型結晶
相、Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）₂Ｏ₆等のディオ
プサイド型酸化物結晶相およびそれ以外のＣａ₂ＭｇＳ
ｉ₂Ｏ₇（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、ＣａＭｇＳｉＯ
₄（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ
₈（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）等の類似の結晶相、ＭｇＴｉ
Ｏ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、（Ｍ
ｇ，Ｚｎ）ＴｉＯ₃等のイルメナイト結晶相、Ｚｎ₂Ｓｉ
Ｏ₄等のウイレマイト型結晶相、ＭｇＳｉＯ₃、３Ａｌ₂
Ｏ₃・２ＳｉＯ₂、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈から選ばれる少
なくとも１種が析出することが望ましく、また、ガラス
中には誘電損失が小さいシリカを主成分とすることが望
ましい。

【００２９】また、上記ガラスセラミックス中には、フ
ィラーとして、上述した結晶相に加えてＺｎＯ、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｃａ
ＺｒＯ ₃等を分散させることもできる。

【００３０】さらに、誘電体ストリップ３と誘電体スト
リップ６とを、例えば上記ガラスセラミックス等の同一
材料で一体的に形成してもよい。

【００３１】なお、導体層付セラミック誘電体線路をタ
ーミネータやアッテネータとして機能させる場合には、
導体層としては高抵抗金属を主とすることが望ましく、
例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅおよびその合金等が好適であ
る。また、この場合には、セラミック誘電体ストリップ
の誘電損失が高い方が望ましい。

【００３２】さらに、セラミック誘電体ストリップ６と
誘電体ストリップ３との接続部での反射を小さくするた
め、両者の誘電率に近似すること、特にその差が±１以
内であることが望ましく、例えば誘電体ストリップ３が
誘電率４．８のコーディライト質セラミックスである場
合、セラミック誘電体ストリップ６はシリカガラス相
と、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄あるいはＭｇＳｉＯ₃の結晶相等を含
有する誘電率４．７〜４．９のガラスセラミックスが最
適である。

【００３３】また、導体層７はセラミック誘電体ストリ
ップ６の中心に沿って信号の進行方向に配設され、その
形状は、例えば、図２に示すように、ＴＥＭ波に対して
１／４波長Ｌで異なる２種の幅Ｗ₁、Ｗ₂を繰り返したパ
ターン等が好適に適応できる。

【００３４】さらに、サプレッサ９の他端は、サーキュ
レータ、発振器、モード変換部等（図示せず）のＬＳＥ
モードが発生する部分に接続され、場合によっては屈曲
したＮＲＤガイドに接続してもよい。

【００３５】また、図１では導体層付セラミック誘電体
線路をモードサプレッサ用として用いたものであった
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
導体層付誘電体ストリップをセラミック誘電体線路の表
面および／または内部に所定パターンの導体層を形成し
てターミネータ用やアッテネータ用として用いてもよ
い。

【００３６】そこで、図３に本発明の非放射性誘電体線
路の導体層付セラミック誘電体ストリップをターミネー
タとして用いた一例についての概略斜視図を示す。図３
によれば、平行平板１，２、誘電体ストリップ３は、図
１と同様の構成からなっており、誘電体ストリップ３の
一端に終端器（ターミネータ）１１をなすセラミック誘
電体ストリップ１２が連結され、または所定間隔離間し
て配設されている。

【００３７】また、図３によれば、セラミック誘電体ス
トリップ１２の信号が伝送する方向の内部、特に中心部
には誘電体ストリップ３を接続する側にＶ字（凹状）の
切り込みパターンを設けた導体層１３が平行平板導体
１，２に対して平行な方向（厚み方向）に形成されて導
体層付セラミック誘電体ストリップが形成されており、
これら平行平板導体１，２とセラミック誘電体ストリッ
プ１２と導体層１３とによってターミネータ１１が形成
されている。

【００３８】本発明によれば、このターミネータ１１を
なすセラミック誘電体ストリップ１２と導体層１３とが
同時焼成によって一体的に形成されていることが大きな
特徴であり、これによってセラミック誘電体ストリップ
１２と導体層１３の間に隙間等が生じ誘電率の異なる部
分が生じることがなく、また導体層１３の寸法精度およ
び位置精度を向上できることから、動作帯域が設計通り
のばらつきの少ない安定した機能を有するターミネータ
となる。

【００３９】また、図３は導体層付セラミック誘電体ス
トリップを無反射終端器（ターミネータ）として用いた
ものであるが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えば、図３の導体層１３の形状に対して、他端部
にも同様のＶ字切り込みを設けた形状とし、減衰器（ア
ッテネータ）として機能させることもできる。

【００４０】次に、上記導体層付セラミック誘電体線路
を製造する方法について、誘電体ストリップをコーディ
ライト質セラミックスにて、導体層付セラミック誘電体
ストリップをガラスセラミックスにて作製した一例につ
いて説明する。 まず、線路用誘電体ストリップ３を作
製する方法としては、例えば、ＭｇＣＯ₃粉末（純度９
９％以上）、Ａｌ₂Ｏ₃粉末（純度９９％以上）、ＳｉＯ
₂粉末（純度９９％以上）を用いてコーディライト組成
となるように秤量し、混合する。また、この混合粉末
に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも
１種の酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の粉末（純度９９％以
上）を添加することにより、焼結温度範囲を広げ、緻密
化しやすくすることができる。

【００４１】この混合粉末を、所望により大気中１１０
０℃〜１３００℃にて仮焼した後、粉砕し、適量の有機
バインダを添加して、例えば、プレス成形法や、ＣＩＰ
成形法、ドクターブレード法、圧延法等のテープ成形
法、押し出し成形法、射出成形法等の周知の成形方法に
よりストリップ形状の成形体を作製する。その後、該成
形体を大気中、所定温度で脱バインダ処理し、大気中１
３００℃〜１５００℃で焼成し、所望により表面を研磨
することにより、ストリップ形状のセラミックスを形成
することができる。

【００４２】次に、導体層付セラミック誘電体ストリッ
プの作製方法について説明する。まず、上述したフィラ
ーを形成するためのセラミック粉末および／またはＳ
ｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂ、Ｃａ等を含むガラス粉末に
対して、所定の有機バインダ、溶媒等を添加、混合した
後、例えば、プレス成形法や、ＣＩＰ成形法、ドクター
ブレード法、圧延法等のテープ成形法、押し出し成形
法、射出成形法等の周知の成形方法により柱状またはシ
ート状に成形する。

【００４３】一方、導電性粉末に、所定の有機バイン
ダ、溶媒等を添加、混練した導電性ペーストを作製し、
スクリーン印刷法、グラビア印刷法等の公知の印刷法に
よって前記成形体表面に例えば導体層の厚みが５〜３０
μｍの所定パターンの導体層を塗布する。

【００４４】そして、所望により、前記成形体と同様に
他の成形体を作製して前記成形体の導体層形成面を覆う
ように積層して重ね合わせるか、または従来公知のセラ
ミックグリーンシートの多層化法により、前記成形体の
導体層形成面に前記成形体と同様にして他のシートを積
層する。

【００４５】その後、該積層体を所定温度で焼成し、所
定形状にカットまたは研削して導体層付セラミック誘電
体ストリップを形成することができる。

【００４６】また、前記導体層の形成方法としては、上
述の印刷法に限定されるものではなく、例えば、所定パ
ターンのマスクを用いて、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等の薄膜形成法によって形成すれば導体層パターンの
寸法精度を高めることができ、さらに、樹脂からなる転
写シート表面に金属箔を被着形成した後、金属箔を所定
の導体層パターンにエッチングした後、該金属箔パター
ンを前記成形体表面に転写する方法も適応可能であり、
この方法によれば、後述の焼成によっても導体層の寸法
変化がほとんどなく、かつ寸法精度の高い導体層パター
ンを形成することができる。

【００４７】そして、上記のようにして得られたサプレ
ッサ用ストリップ等の導体層付セラミック誘電体ストリ
ップを、一対の平行平板導体間の例えば誘電体ストリッ
プに連続的または所定間隔離間した隣接する位置に配設
することにより、容易にかつ優れた特性を有するサプレ
ッサ、ターミネータまたはアッテネータ等を作製するこ
とができる。

【００４８】なお、セラミック誘電体ストリップをコー
ディライト質セラミックスやアルミナ質セラミックスに
よって形成する場合には、導体層をタングステン（Ｗ）
やモリブデン（Ｍｏ）、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金
属にて形成するか、または銅にタングステン（Ｗ）やモ
リブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を添加してもよい。

【００４９】このようなサプレッサ、ターミネータ、ア
ッテネータ等の導体層付非放射性誘電体線路は、５０Ｇ
Ｈｚ以上、特に６０ＧＨｚ以上、さらには７０ＧＨｚ以
上の高周波帯で好適に使用可能であり、一対の平行平板
１、２の間隔が波長の２分の１以下となる周波数のミリ
波信号を伝送することができる。

【００５０】（ミリ波送受信器）また、上述したＮＲＤ
ガイドを具備する本発明のミリ波送受信器の好適例につ
いて、以下図面に基づいて説明する。図４は送信アンテ
ナと受信アンテナが一体化されたミリ波送受信器の平面
図、図５は送信アンテナと受信アンテナを別体として形
成したミリ波送受信器の平面図、図６はミリ波信号発振
部近傍の一対の平行平板を省略した概略斜視図、図７は
ミリ波信号発振部用の可変容量ダイオード（バラクタダ
イオード）を備えた配線基板の斜視図である。

【００５１】図４において、５１は一方の平行平板導体
（他方は省略する）、５２は第１の誘電体線路５３の一
端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部である。
このミリ波信号発振部５２は、高周波発生素子としての
ガンダイオード等の高周波ダイオードと可変容量ダイオ
ードを具備しており、バイアス電圧印加方向がミリ波信
号の電界方向に合致するように、第１の誘電体線路５３
の高周波ダイオード近傍に可変容量ダイオードが配置さ
れ、その可変容量ダイオードの入出力電極間に印加する
バイアス電圧を制御して、高周波ダイオードからのミリ
波信号を三角波，正弦波等で周波数変調した送信信号と
して出力する。

【００５２】一方、５３は、高周波ダイオードから出力
された高周波信号が変調された送信信号を伝搬させる第
１の誘電体線路、５４は、第１、第２、第３の誘電体線
路にそれぞれ接続される第１、第２、第３の接続部（図
示せず）を有する、フェライト円板等から成るサーキュ
レータ、５５は、サーキュレータ５４の第２の接続部に
接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送
受信アンテナ５６を有する第２の誘電体線路、５６は第
２の誘電体線路５５の先端をテーパ状とすることにより
構成され、ミリ波送受信器の外部とミリ波信号の送信お
よび受信を行うための送受信アンテナである。

【００５３】なお、サーキュレータ５４は、平行平板導
体に平行に配設されたフェライト円板の周縁部に所定間
隔で配置されかつそれぞれミリ波信号の入出力端とされ
た第１の接続部、第２の接続部および第３の接続部を有
し、一つの接続部から入力されたミリ波信号をフェライ
ト円板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他
の接続部より出力させるものである。

【００５４】また、５７は、送受信アンテナ５６で受信
され第２の誘電体線路５５を伝搬してサーキュレータ５
４の第３の接続部より出力した受信波をショットキーバ
リアダイオード５９側へ伝搬させる第３の誘電体線路、
５８は、第１の誘電体線路５３に一端側が電磁結合する
ように近接配置されるか、または第１の誘電体線路５３
に一端が接合されて、ミリ波信号の一部をショットキー
バリアダイオード５９側へカップリング（結合）させて
伝搬させる第４の誘電体線路であり、第１の誘電体線路
５３と第４の誘電体線路５５とによって方向性結合器
（カプラ）が形成されている。

【００５５】さらに、５８ａは、第４の誘電体線路５８
のショットキーバリアダイオード５９接続端とは反対側
の端部に設けられた（無反射）終端器（ターミネータ）
であり、本発明によれば、ターミネータ５８ａを上述し
た導体層付非放射性誘電体線路にて形成することによっ
て、周波数特性および動作精度の高いターミネータを形
成できることから、不要なモードの信号を良好に除去す
ることができる。

【００５６】また、第４の誘電体線路５８の中途と第３
の誘電体線路５７の中途とを近接させて電磁結合させる
か、または接合させてカプラを形成し、該カプラと第４
の誘電体線路５８および第３の誘電体線路５７との終端
部にそれぞれ形成されたショットキーバリアダイオード
５９、５９とによってミキサーＭ１が形成されている。

【００５７】このミキサーＭ１にて第３の誘電体線路５
７に伝搬される受信信号と第４の誘電体線路５８に伝搬
される送信信号の一部とが混合されて中間周波信号（出
力信号）を発生させる。

【００５８】なお、第１の誘電体線路５３と第４の誘電
体線路５８とを接合する場合、これらの誘電体線路５
３，５８のうちいずれか一方の接合部を円弧状となし、
その円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以上と
してもよい。これにより、高周波信号を低損失に、かつ
出力電力を均等に分岐させることができる。また、第４
の誘電体線路５８と第３の誘電体線路５７とを接合する
場合、上記と同様に、これらの誘電体線路５８，５７の
うちいずれか一方の接合部を円弧状となし、その円弧状
部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以上とするのがよ
い。

【００５９】本発明によれば、上述したミリ波送受信器
の構成において、ミリ波信号発振部５２と第１の誘電体
線路５３との接続部、第１の誘電体線路５３、第２の誘
電体線路５５および第３の誘電体線路５７と、サーキュ
レータ５４との接続部それぞれに、上述したモードサプ
レッサ６０を設けており、これによって安定した機能を
有するサプレッサとなり、ミリ波信号発信部５２や、サ
ーキュレータ５４と各誘電体線路との接続部に発生する
ＬＳＥモード等の不要モードの伝搬を効率よく抑制する
ことができる。

【００６０】さらに、図４のミリ波送受信器において、
サプレッサ６０と第１の誘電体線路５３との間や、第１
の誘電体線路５３の中途に、図７に示した構成からなり
振幅変調器として機能するスイッチを設け、ミリ波信号
を振幅変調することもできる。

【００６１】図７のスイッチは、配線基板３８の一主面
に第２のチョーク型バイアス供給線路４０を形成し、そ
の中途に実装されたＰＩＮダイオード３０を設けた構成
からなり、このスイッチ（配線基板３８）は、ＰＩＮダ
イオードなどの振幅変調用ダイオードの入出力電極に印
加されるバイアス電圧印加方向が高周波ダイオードから
出力された高周波信号の電界方向に合致するように、図
６に示すように第１の誘電体線路５３とサプレッサ６０
との間、あるいは第１の誘電体線路５３の途中に配置さ
せる。なお、第２のチョーク型バイアス供給線路４０と
ＰＩＮダイオード３０との接続部には接続用の電極３１
が形成されている。

【００６２】さらに、第１の誘電体線路５３にもう一つ
のサーキュレータを介在させ、その第１，第３の接続部
に第１の誘電体線路５３を接続し、第２の接続部に他の
誘電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面
に、図７のようなショットキーバリアダイオードを設け
たスイッチを設置してもよい。

【００６３】そして、図７の構成からなるスイッチは、
例えば、図４のミリ波信号発振部５２の近傍の構成につ
いて、一対の平行平板を省略した概略斜視図である図６
に示すように、これら振幅変調用ダイオードの入出力電
極に印加されるバイアス電圧印加方向が高周波信号の電
界方向に合致するように、サプレッサ６０と第１の誘電
体線路５３との間に配設させ、高周波ダイオードから発
振される高周波信号とダイオードとを電磁結合させ、バ
イアス電圧を制御してダイオードの静電容量を変化させ
ることによって、高周波信号の周波数を制御できる。

【００６４】また、図６によれば、ミリ波信号発振部５
２は、ガンダイオード３３を設置するための金属ブロッ
ク等の金属基体３２と、ガンダイオード３３と、金属基
体３２の一側面に設置され、ガンダイオード３３にバイ
アス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐロ
ーパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給
線路３４ａを形成した配線基板３４と、チョーク型バイ
アス供給線路３４ａとガンダイオード３３の上部導体と
を接続する金属箔リボン等の帯状導体３５と、誘電体基
板に共振用の金属ストリップ線路３６ａを設けた金属ス
トリップ共振器３６とによって形成されている。

【００６５】また、６０は、金属ストリップ共振器３６
により共振した高周波信号をミリ波信号発振部外へ導
き、ガンダイオード３３から発振された信号の不要モー
ドを除去するためのサプレッサである。

【００６６】そして、図６によれば、サプレッサ６０と
第１の誘電体線路５３の間には、上述したスイッチ（配
線基板３８）が設置されるとともに、配線基板３８の表
面に形成されるバラクタダイオード３０（図示せず。）
の入出力電極は、サプレッサ６０または誘電体線路５３
での高周波信号の伝搬方向に垂直かつ平行平板導体の主
面に平行な方向（電界方向）に形成される。また、バラ
クタダイオード３０とサプレッサ６０または誘電体線路
５３とのインピーダンス整合をとるため、配線基板３８
と第１の誘電体線路５３との間には高比誘電率の誘電体
板３９が形成される。

【００６７】なお、ガンダイオード３３から発振された
高周波信号は、金属ストリップ共振器３６を通してサプ
レッサ６０または第１の誘電体線路５３に導出され、次
いで、高周波信号の一部はバラクタダイオード３０部で
反射されてガンダイオード３３側へ戻る。この反射信号
がバラクタダイオード３０の静電容量の変化に伴って変
化し、発振周波数が変化する。

【００６８】ここで、ミリ波信号発振部５２において、
チョーク型バイアス供給線路３４ａおよび帯状導体３５
の材料は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成り、特にＣｕ，Ａｇが、電気
伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きく
なるといった点で好ましい。

【００６９】また、帯状導体３５は金属部材３２の表面
から所定間隔をあけて金属部材３２と電磁結合してお
り、チョーク型バイアス供給線路３４ａとガンダイオー
ド３３間に架け渡されている。即ち、帯状導体３５の一
端はチョーク型バイアス供給線路３４ａの一端に半田付
け等により接続され、帯状導体３５の他端はガンダイオ
ード３３の上部導体に半田付け等により接続されてお
り、帯状導体３５の接続部を除く中途部分は宙に浮いた
状態となっている。

【００７０】そして、金属部材３２は、ガンダイオード
３３の電気的な接地（アース）を兼ねているため金属導
体であれば良く、その材料は金属（合金を含む）導体で
あれば特に限定するものではなく、真鍮（黄銅：Ｃｕ−
Ｚｎ合金），Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ステンレススチー
ル），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等から成る。また金属部材３２
は、全体が金属から成る金属ブロック、セラミックスや
プラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金
属メッキしたもの、絶縁基体の表面全体または部分的に
導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。

【００７１】また、本発明のミリ波送受信器の他の実施
形態として、送信アンテナと受信アンテナを別体として
形成してもよく、図５にその一例についての平面図を示
す。図５において、６１は本発明の一方の平行平板導体
（他方は省略する）、６２は第１の誘電体線路６３の一
端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部である。
このミリ波信号発振部６２は、上述したように、ガンダ
イオード等の高周波ダイオードと可変容量ダイオードを
具備しており、高周波ダイオードからのミリ波信号を三
角波，正弦波等で周波数変調した送信信号を出力する。

【００７２】６３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調された送信信号を伝搬させる第１の誘
電体線路、６４は、第１、第２、第３の誘電体線路６
３，６５，６７にそれぞれ接続される第１、第２、第３
の接続部（図示せず）を有し、フェライト円板等からな
るサーキュレータ、６５は、サーキュレータ６４の第２
の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに
先端部に送信アンテナ６６を有する第２の誘電体線路、
６６は、第２の誘電体線路６５に金属導波管を介して接
続される送信アンテナ、６７は、サーキュレータ６４の
第３の接続部に接続され、第２の誘電体線路から反射さ
れた不要な送信信号を減衰、除去させるターミネータ６
７ａが先端に設けられた第３の誘電体線路である。

【００７３】また６８は、第１の誘電体線路６３に一端
側が電磁結合するように近接配置されるかまたは第１の
誘電体線路６３に一端が接合されて、ミリ波信号の一部
をミキサー７１側へ伝搬させる第４の誘電体線路、６８
ａは、第４の誘電体線路６８のミキサー７１と反対側の
一端部に設けられたターミネータ、６９は、受信アンテ
ナ７０で受信された受信信号をミキサー７１側へ伝搬さ
せる第５の誘電体線路である。また、図中Ｍ２は、第４
の誘電体線路６８の中途と第５の誘電体線路６９の中途
とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させること
により、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間
周波信号を発生させるミキサー部である。

【００７４】なお、上述したとおり、第１の誘電体線路
６３と第４の誘電体線路６８とを接合する場合、これら
の誘電体線路６３，６８のうちいずれか一方の接合部を
円弧状となし、その円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号
の波長λ以上とするのがよい。これにより、高周波信号
を低損失で、かつ出力電力を均等に分岐させることがで
きる。また、第４の誘電体線路６８と第５の誘電体線路
６９とを接合する場合、上記と同様に、これらの誘電体
線路６８，６９のうちいずれか一方の接合部を円弧状と
なし、その円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ
以上とするのがよい。

【００７５】そして、これらの各種部品は、送受信する
ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行
平板導体間にて設けられており、第２の誘電体線路６５
と第５の誘電体線路６９のそれぞれについて、それぞれ
の短絡状態の終端部からの反射波によって生じるＬＳＭ
₀₁モードの定在波の電界が最大になる箇所に対応して少
なくとも一方の平行平板導体に開口が形成され、その開
口に、一端に送信アンテナ６６または受信アンテナ７０
が設けられた金属導波管の他端の開放終端部が接続され
ている。この金属導波管，送受信アンテナの構成、金属
導波管と第２の誘電体線路６５，第５の誘電体線路６９
との接続構造、および各誘電体線路の詳細な構成、材
料、電磁遮蔽部材等については、上述した本発明のもの
と同様である。

【００７６】図５の構成においても、図４と同様に、ミ
リ波信号発振部６２と第１の誘電体線路６３との間、第
１の誘電体線路６３、第２の誘電体線路６５、第３の誘
電体線路６７とサーキュレータ６４との間に、上述した
導体層付セラミック誘電体線路からなるサプレッサ６０
が配設され、動作特性よく不要モードの信号を除去する
ことができる。また、上記ターミネータ６７ａ、６８ａ
を上述した導体層付セラミック誘電体線路にて形成する
ことにより、動作特性よく信号を減衰、消去することが
できる。

【００７７】図５のミリ波送受信器において、サーキュ
レータ６４をなくし、第１の誘電体線路６３の先端部に
送信アンテナ６６を接続した構成とすることもできる。
この場合、小型化されたものとなるが、受信波の一部が
ミリ波信号発振部６２に混入しノイズ等の原因となり易
いため、サーキュレータ６４を配設することが好まし
い。

【００７８】図５のタイプにおいて、第４の誘電体線路
６８が、第２の誘電体線路６５に一端側が電磁結合する
ように近接配置されるかまたは第２の誘電体線路６５に
一端が接合されて、ミリ波信号の一部をミキサー７１側
へ伝搬させるように配置されていてもよい。

【００７９】また、これらのミリ波送受信器において、
一対の平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気中で
の波長であって、使用周波数での波長の２分の１以下と
なる。

【００８０】なお、図４，図５のミリ波送受信器は、Ｆ
ＭＣＷ（Frequency Modulation Continuous Waves）
方式のミリ波送受信器であり、以下のような動作原理に
基づく。すなわち、ミリ波信号発振部の変調信号入力用
のＭＯＤＩＮ端子に、電圧振幅の時間変化が三角波等と
なる入力信号を入力し、その出力信号を周波数変調し、
ミリ波信号発振部の出力周波数偏移を三角波等になるよ
うに偏移させる。そして、送受信アンテナ５６，送信ア
ンテナ６６より出力信号（送信波）を放射した場合、送
受信アンテナ５６，送信アンテナ６６の前方にターゲッ
トが存在すると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をと
もなって、反射波（受信波）が戻ってくる。この時、ミ
キサー５９，７１の出力側のＩＦＯＵＴ端子には、送信
波と受信波の周波数差が出力される。

【００８１】このＩＦＯＵＴ端子の出力周波数等の周波
数成分を解析することで、Ｆif＝４Ｒ・ｆｍ・Δｆ／ｃ
｛Fif：ＩＦ（Intermediate Frequency）出力周波数，
Ｒ：距離，ｆｍ：変調周波数，Δｆ：周波数偏移幅，
ｃ：光速｝という関係式から距離を求めることができ
る。

【００８２】上述した構成からなる本発明のミリ波送受
信器は、ミリ波信号の伝送特性に優れ、ミリ波レーダー
の探知距離を増大し得るものとなり（図４のもの）、ま
た送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサ
ーへ混入することがなく、その結果受信信号のノイズが
低減し探知距離が増大するものであって（図５のも
の）、ミリ波信号の伝送特性に優れ、ミリ波レーダーの
探知距離をさらに増大し得るものとなる。

【００８３】

【実施例】（実施例１） ＭｇＣＯ₃粉末（純度９９重
量％）、Ａｌ₂Ｏ₃粉末（純度９９．７重量％）、ＳｉＯ
₂粉末（純度９９．４重量％）を、秤量混合し、この混
合物を大気中１２００℃で２時間仮焼した後、粉砕し、
適量のバインダを加えて造粒した造粒粉を作製した。こ
れを１００ＭＰａの圧力でプレス成形して直径１２ｍｍ
×厚み８ｍｍの成形体を作製し、この成形体に対し、所
定の温度で脱バインダ処理を行った後、１４５５℃で２
時間焼成した。

【００８４】得られた焼結体について、６０ＧＨｚにお
ける誘電率および誘電損失をネットワークアナライザ、
シンセサイズドスイーパを用いて誘電体共振器法により
測定した。結果は、表１に示した。

【００８５】また、上記の造粒粉を用いて、幅３ｍｍ×
厚み２ｍｍ×長さ１２０ｍｍの成形体を作製し、所定の
温度で脱バインダ処理を行った後、１４５５℃で２時間
焼成して線路用ストリップを作製した。

【００８６】一方、平均粒径１．５〜２．５μｍの下記
に示す組成のガラスに対して平均粒径１．５〜２．５μ
ｍのセラミックフィラーを添加したガラスセラミックス
Ａ、Ｂの原料を準備した。 ガラスセラミックスＡ ガラス：（ＳｉＯ₂４４重量％−Ａｌ₂Ｏ₃２９重量％−ＭｇＯ１１重量％ −ＺｎＯ７重量％−Ｂ₂Ｏ₃９重量％） ７５重量％ セラミックフィラー：ＳｉＯ₂１５重量％、ＺｎＯ１０重量％ ガラスセラミックスＢ ガラス：（ＳｉＯ₂４４重量％−Ａｌ₂Ｏ₃２９重量％−ＭｇＯ１１重量％ −ＺｎＯ７重量％−Ｂ₂Ｏ₃９重量％） ７５重量％ セラミックフィラー：ＺｎＯ２５重量％ 上記混合粉末に対して、適量のバインダを加えて１００
ＭＰａの圧力でプレス成形して直径１２ｍｍ×厚み８ｍ
ｍの成形体を作製し、この成形体に対し、所定の温度で
脱バインダ処理を行った後、８５０〜１０００℃で２時
間焼成して、ガラスセラミックスＡ、Ｂを作製し、上記
同様に６０ＧＨｚにおける誘電率および誘電損失を測定
した。結果は、表１に示した。

【００８７】また、上記混合粉末に対して、有機バイン
ダ、溶剤を添加、混合してスラリーを作製した後、ドク
ターブレード法によってシート状に作製した後、該シー
ト表面に図２のような７６．５ＧＨｚで３０ｄＢ以上の
減衰特性を有する所定パターンの導体層を表１に示す手
法により被着形成し、さらにその表面に上記同様の他の
シートを積層した。

【００８８】そして、得られた積層体を非酸化性雰囲気
中、８５０〜１０００℃にて焼成した後、所定形状にカ
ットして導体層付セラミック誘電体ストリップ（サプレ
ッサ用ストリップ）を作製した。

【００８９】得られた誘電体ストリップおよびサプレッ
サ用ストリップを高さ１．８ｍｍ×幅０．８ｍｍにそれ
ぞれ切り出し、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み８ｍ
ｍの２枚の銅からなる平行平板導体間に配置し、ＬＳＭ
モードで励振された電磁波をＬＳＥモードに変換してサ
プレッサ内に挿入し、サプレッサから出力されたＬＳＥ
モードをさらにＬＳＭモードに変換して透過損失（７
６．５ＧＨｚにおける透過損失）をネットワークアナラ
イザにて測定し、ＬＳＥモードの減衰特性を求めた。結
果は表１に示した。

【００９０】（実施例２）誘電体ストリップを実施例１
のサプレッサ用ストリップとして用いたガラスセラミッ
クスに変えるか（試料Ｎｏ．５）、サプレッサ用ストリ
ップを実施例１で誘電体ストリップ用として用いたコー
ディライト質セラミックスを用い、内部の導体層をタン
グステン（Ｗ）にて作製する（試料Ｎｏ．６）以外は実
施例１と同様に作製し、評価した。結果は表１に示し
た。

【００９１】（比較例１）実施例１の試料Ｎｏ．６のコ
ーディライト質セラミックからなるサプレッサ用ストリ
ップに対して、線路方向に縦半割形状のほぼ同一形状の
焼結体を２つ作製し、その一方の焼結体表面に銅の導体
層パターンを蒸着にて形成した後、この導体層を覆うよ
うに２つの焼結体を並列に配置またはポリビニールアル
コール系接着剤によって接着する以外は実施例１と同様
に作製し、評価した（試料Ｎｏ．７、８）。なお、この
場合、導体層が中心に位置するように配置した。結果は
表１に示した。

【００９２】（比較例２）比較例１の試料Ｎｏ．８のコ
ーディライト質セラミックスをガラス−エポキシ樹脂複
合体に変えて半割のものを接着剤で接着する以外は試料
Ｎｏ．８と同様に作製し評価した（試料Ｎｏ．９）。結
果は表１に示した。

【００９３】

【表１】

【００９４】表１の結果から明らかなように、サプレッ
サの形成方法として２つの半割焼結体を並列に配置した
り（試料Ｎｏ．７）、それらを接着剤で貼り合わせた
（試料Ｎｏ．８、９）ものは、半割焼結体間に隙間が入
ったり、接着剤が介在するためにいずれもＬＳＥモード
の減衰特性が１５ｄＢ以下とサプレッサとしての性能が
低いものであった。なお、接着剤内には顕微鏡での観察
から気泡が存在することが確認された。

【００９５】これに対して、本発明の同時焼成により一
体的に形成したサプレッサ（試料Ｎｏ．１〜６）では、
ＬＳＥモードの減衰特性が２５ｄＢ以上の良好なサプレ
ッサ特性を示した。

【００９６】（実施例３）実施例１の試料Ｎｏ．１に対
して、導体層をＮｉＣｒとし、導体層付セラミック誘電
体ストリップ（表１ではサプレッサ用ストリップと記
載。）をホウケイ酸ガラスとアルミナとを混合し、成形
後、焼成したガラスセラミックスに代えるとともに、セ
ラミック誘電体ストリップの中心部に導体層を図３に示
すような形状にて形成する以外は実施例１と同様に線路
用ストリップおよび導体層付セラミック誘電体ストリッ
プを作製し、両者を連結してＬＳＭモードの反射特性
（７６．５ＧＨｚにおける反射損失）を測定した。５本
について評価したところ、反射損失２０±５ｄＢであっ
た。

【００９７】（比較例３）実施例１の試料Ｎｏ．８に対
して、導体層をＮｉＣｒとして印刷法により形成する以
外は実施例３と同様に誘電体ストリップおよび導体層付
セラミック誘電体ストリップを作製し、評価したとこ
ろ、反射損失１７±８ｄＢと動作特性のばらつきが大き
いものであった。

【００９８】

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の非放射性
誘電体線路によれば、サプレッサ、終端器、減衰器等と
して機能する導体層付セラミック誘電体線路を、セラミ
ック成形体に対して、印刷法、薄膜形成法、転写法等に
よって導体層を被着形成するとともに同時焼成すること
によって、導体層をセラミック誘電体ストリップと一体
的に形成できることにより、導体層付セラミック誘電体
線路の寸法精度および導体層の位置精度を向上できると
ともに、容易に形成でき、安定した機能を有するものを
作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の非放射性誘電体線路において、導体層
付セラミック誘電体線路をモードサプレッサとして用い
た一例を示す一部切り欠き斜視図である。

【図２】本発明の非放射性誘電体線路用サプレッサにつ
いて導体層のパターンの一例を示す図である。

【図３】本発明の非放射性誘電体線路において、導体層
付セラミック誘電体線路を非放射性誘電体線路用終端器
（ターミネータ）として用いた一例を示す一部切り欠き
斜視図である。

【図４】本発明のミリ波送受信器の一例を示す平面図で
ある。

【図５】本発明のミリ波受信機の他の一例を示す平面図
である。

【図６】図４および図５の電圧制御型のミリ波信号発振
部の斜視図である。

【図７】図６のサプレッサと第１の誘電体線路との間に
配設される配線基板の構成を説明するための斜視図であ
る。

【符号の説明】

１、２ 平行平板導体 ３ 誘電体ストリップ ４ 非放射性誘電体線路 ６、１２ セラミック誘電体ストリップ ７、１３ 導体層 ９ 非放射性誘電体線路用モードサプレッサ １１ 非放射性誘電体線路用終端器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺師 吉健 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5J012 CA01 5J013 AA00 BA00 5J014 HA06

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で
   配置した一対の平行平板導体間に誘電体ストリップを配
   設してなる非放射性誘電体線路において、前記誘電体ス
   トリップの一端に、セラミック誘電体ストリップの表面
   および／または内部に導体層を形成するとともに、前記
   セラミック誘電体ストリップと前記導体層とを焼成によ
   って一体的に形成した導体層付セラミック誘電体ストリ
   ップを接続してなることを特徴とする非放射性誘電体線
   路。
2. 【請求項２】前記導体層付セラミック誘電体ストリップ
   が、前記セラミック誘電体ストリップの内部に導体層が
   形成され、前記一対の平行平板導体間に配設されて非放
   射性誘電体線路用モードサプレッサをなすことを特徴と
   する請求項１記載の非放射性誘電体線路。
3. 【請求項３】前記導体層が低抵抗金属導体からなり、か
   つ前記セラミック誘電体ストリップがガラスセラミック
   スからなることを特徴とする請求項１または２記載の非
   放射性誘電体線路。
4. 【請求項４】前記導体層付セラミック誘電体ストリップ
   が、前記セラミック誘電体ストリップの表面および／ま
   たは内部に導体層が形成され、前記一対の平行平板導体
   間に配設されて非放射性誘電体線路用終端器または非放
   射性誘電体線路用減衰器をなすことを特徴とする請求項
   １記載の非放射性誘電体線路。
5. 【請求項５】（ａ）誘電体ストリップを作製する工程
   と、（ｂ）セラミック粉末および／またはガラス粉末を
   混合、成形してセラミック誘電体ストリップ用成形体を
   作製する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程で得られたセラ
   ミック誘電体ストリップ用成形体の表面に導体層を被着
   形成する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程で得られた導体
   層を被着形成したセラミック誘電体ストリップ用成形体
   を焼成する工程と、（ｅ）一対の平行平板導体間に前記
   （ａ）工程で得られた誘電体ストリップと前記（ｄ）工
   程で得られた導体層付セラミック誘電体ストリップとを
   配設するとともに、前記（ａ）工程で得られた誘電体ス
   トリップの一端に前記（ｄ）工程で得られた導体層付セ
   ラミック誘電体ストリップを接続したことを特徴とする
   非放射性誘電体線路の製造方法。
6. 【請求項６】（ａ）誘電体ストリップを作製する工程
   と、（ｂ）セラミック粉末および／またはガラス粉末を
   混合、成形して誘電体シートを作製する工程と、（ｃ）
   前記（ｂ）工程で得られた誘電体シートの一方の表面に
   導体層を被着形成する工程と、（ｄ）該誘電体シートの
   導体層形成面に前記誘電体シートと同じ材質からなる他
   の誘電体シートを積層する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工
   程で得られた積層体を焼成して導体層付セラミック誘電
   体ストリップを作製する工程と、（ｆ）一対の平行平板
   導体間に前記（ａ）工程で得られた誘電体ストリップと
   前記（ｅ）工程で得られた導体層付セラミック誘電体ス
   トリップとを配設するとともに、前記（ａ）工程で得ら
   れた誘電体ストリップの一端に前記（ｅ）工程で得られ
   た導体層付セラミック誘電体ストリップを接続したこと
   を特徴とする非放射性誘電体線路の製造方法。
7. 【請求項７】前記導体層の被着形成法が印刷法、薄膜形
   成法、転写法から選ばれる１種であることを特徴とする
   請求項５または６記載の非放射性誘電体線路の製造方
   法。
8. 【請求項８】前記導体層が低抵抗金属導体からなり、か
   つ前記セラミック誘電体ストリップがガラスセラミック
   スからなることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか
   記載の非放射性誘電体線路の製造方法。
9. 【請求項９】ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔で
   配置した平行平板導体間に、 ミリ波信号発振部にて発振した送信信号を第１の誘電体
   線路に伝搬し、サーキュレータを介して第２の誘電体線
   路およびその終端に設けられた送受信アンテナに伝搬
   し、かつ該送受信アンテナにて受信した受信信号を前記
   第２の誘電体線路および前記サーキュレータを介して第
   ３の誘電体線路に伝搬するとともに、 前記第１の誘電体線路に伝搬された送信信号の一部を該
   第１の誘電体線路と結合された第４の誘電体線路に伝搬
   し、かつ前記第３の誘電体線路に伝搬された受信信号と
   混合して出力信号を発生するミリ波送受信器であって、 前記誘電体線路のうちの少なくとも１つが請求項１乃至
   ４のいずれか記載の非放射性誘電体線路からなることを
   特徴とするミリ波送受信器。
10. 【請求項１０】ミリ波信号の波長の２分の１以下の間隔
    で配置した平行平板導体間に、 ミリ波信号発振部にて発振した送信信号を第１の誘電体
    線路に伝搬し、サーキュレータを介して第２の誘電体線
    路およびその終端に設けられた送信アンテナに伝搬し、
    かつ受信アンテナにて受信した受信信号を第５の誘電体
    線路に伝搬するとともに、 前記第１の誘電体線路に伝搬された送信信号の一部を該
    第１の誘電体線路と結合された第４の誘電体線路に伝搬
    し、かつ前記第５の誘電体線路に伝搬された受信信号と
    混合して出力信号を発生するミリ波送受信器であって、 前記誘電体線路のうちの少なくとも１つが請求項１乃至
    ４のいずれか記載の非放射性誘電体線路からなることを
    特徴とするミリ波送受信器。
11. 【請求項１１】前記ミリ波信号発振部および前記サーキ
    ュレータと接続される誘電体線路が請求項２または３記
    載の非放射性誘電体線路用モードサプレッサを具備する
    非放射性誘電体線路であることを特徴とする請求項９ま
    たは１０記載のミリ波送受信器。