JP2001220404A - 遷移金属化合物、オレフィン重合触媒、オレフィン系重合体の製造方法及びオレフィン系重合体 - Google Patents

遷移金属化合物、オレフィン重合触媒、オレフィン系重合体の製造方法及びオレフィン系重合体

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JP2001220404A JP2000030334A JP2000030334A JP2001220404A JP 2001220404 A JP2001220404 A JP 2001220404A JP 2000030334 A JP2000030334 A JP 2000030334A JP 2000030334 A JP2000030334 A JP 2000030334A JP 2001220404 A JP2001220404 A JP 2001220404A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オレフィン重合用触媒成分として有用な
遷移金属化合物、それを含有するオレフィン重合用触媒
を提供する。 【解決手段】 (A)下記一般式(I)で表わされる
遷移金属化合物、及び(B)該(A)成分の遷移金属化
合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる活性化助触
媒を主成分として含有するオレフィン用重合触媒。 【化1】 (式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系
列の金属元素、Xはσ結合性の配位子、Yはルイス酸、
1はハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基等、
2〜R6は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20
の炭化水素基等を示す。(A)pは架橋基を示し、pは
1〜20の整数、qは1〜5の整数、rは0〜3の整数
を示す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オレフィン重合用
触媒成分として有用な新規な遷移金属化合物、それを含
有するオレフィン重合用触媒、該触媒を用いるオレフィ
ン系重合体の製造方法及び該製造方法により得られるオ
レフィン系重合体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、可溶系オレフィン重合用触媒とし
ては、遷移金属化合物とアルミノキサンとの組み合わせ
からなるものが知られている。(特開昭58−1930
9号公報、特開昭60−217209号公報)。また、
可溶系オレフィン重合用触媒の活性種としては、カチオ
ン種が有用であることが報告されている[(ジャーナル
・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー(J.A
m.Chem.Soc.)第81巻、第81ページ(1
959年)、第82巻、第1953ページ(1960
年)、第107巻、第7219ページ(1985
年))。また、この活性種を単離し、オレフィン重合に
適用した例としては、「ジャーナル・オブ・アメリカン
・ケミカル・ソサエティー(J.Am.Chem.So
c.)」第108巻、第7410ページ(1986
年)、特表平1−502636号公報、特開平3−13
9504号公報、ヨーロッパ公開特許第468651号
などを挙げることができる。
【0003】しかしながら、これらの重合用触媒は、触
媒活性、共重合性、また、得られる重合体の組成の均一
性や分子量分布などについては、必ずしも満足しうるも
のではなかった。共重合に関しては、例えばプロピレン
とエチレンを共重合した場合、これらの重合触媒ではエ
チレン含量を増加すると分子量が低下してしまう問題が
あり高分子量の共重合体を得ることが難しかった。ま
た、アイソタクティックポリプロピレンを得る触媒に関
しては、たとえばMe2Si(2,3,5−Me3
5H)(2’,4’,5’− Me35H)ZrCl2
ようなC2対称をその分子内に持っており、構造上ラセ
ミ体とメソ体の2つの立体異性体が存在し、組成の均一
な分子量の狭いアイソタクティックポリプロピレンを得
る場合にはラセミ体を分割し不要なメソ体を完全に除去
する必要がある。この為コスト高とならざるをえなかっ
たという欠点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、オレフィン
重合用触媒成分として有用な新規な遷移金属化合物、そ
れを含有するオレフィン重合用触媒、さらには共重合時
に分子量が低下せず、均一な組成で狭い分子量分布を有
するオレフィン系重合体の効率良い製造方法並びに該重
合体を提供するこを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述問題に鑑
みなされたものであり、特定の遷移金属化合物、それを
含有するオレフィン重合用触媒、該触媒を用いるオレフ
ィン系重合体の製造方法及び該製造方法により得られる
オレフィン系重合体により、本目的を達成できることを
見出し、これに基づき本発明を完成させるに至った。即
ち、本発明は、以下の遷移金属化合物、それを含有する
オレフィン重合用触媒、該触媒を用いるオレフィン系重
合体の製造方法及び該製造方法により得られるオレフィ
ン系重合体を提供するものである。 1. 下記一般式(I)で表わされる遷移金属化合物。
【0006】
【化3】
【0007】(式中、Mは周期律表第3〜10族又はラ
ンタノイド系列の金属元素、XはMと結合するσ結合性
の配位子を示し、Xが複数ある場合は複数のXは同じで
も異なっていてもよいし、インデニル環又はYと架橋し
ていてもよい。Yはルイス酸を示しYが複数ある場合は
複数のYは同じでも異なってよいし、インデニル環又は
Xと架橋していてもよい。R1はハロゲン原子、炭素数
1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有
炭化水素基、又は炭素数1〜20のヘテロ含有基を示
す。R2〜R6は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜
20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化
水素基、又は炭素数1〜20のヘテロ含有基を示す。ま
た、R1〜R6は互いに同じでも異なってもよく、R2
6は隣接する基と環を形成してもよい。(A)pは二価
の架橋基を示し、pは1〜20の整数を示す。qは1〜
5の整数で、[(Mの原子価)−2]を示し、rは0〜
3の整数を示す。) 2. (I)式におけるMが周期律表第4族の遷移金属
である上記1記載の遷移金属化合物。 3.(I)式におけるR1が炭素数1〜20の炭化水素
基である上記1又は2に記載の遷移金属化合物。 4. (I)式におけるAが、下記一般式
【0008】
【化4】
【0009】(式中、Qは周期律表第13族〜16族か
ら選ばれる原子を示す。R7は水素原子、ハロゲン原
子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハ
ロゲン含有炭化水素基、又は炭素数1〜20のヘテロ原
子含有基を示し、R7が複数あるときは互いに同じであ
っても異なっていてもよい。nは0〜2の整数を示す)
で表わされる上記1〜3のいずれかに記載の遷移金属化
合物。 5. (I)式における(A)pがメチレン基、エチレ
ン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、テトラメチ
ルエチレン基、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレ
ン基のいずれかである上記1〜4のいずれかに記載の遷
移金属化合物。 6. (a)上記1〜5のいずれかに記載の遷移金属化
合物、及び(b)該(a)成分の遷移金属化合物と反応
してイオン性の錯体を形成しうる活性化助触媒を主成分
として含有するオレフィン用重合触媒。 7. (a)上記1〜5のいずれかに記載の遷移金属化
合物、(b)該(a)成分の遷移金属化合物と反応して
イオン性の錯体を形成しうる活性化助触媒及び、(c)
有機アルミニウムを主成分として含有するオレフィン用
重合触媒。 8. (b)活性化助触媒が、(b−1)前記(a)成
分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成す
るイオン性化合物、(b−2)アルミノキサン、(b−
3)ルイス酸及び(b−4)粘土、粘土鉱物又はイオン
交換性化合物から選ばれるいずれかである上記6又は7
記載のオレフィン重合用触媒。 9. 上記6〜8のいずれかに記載のオレフィン重合
用触媒の存在下、オレフィン類を単独重合、又はオレフ
ィン類と他のオレフィン類及び/又は他の単量体とを共
重合させることを特徴とするオレフィン系重合体の製造
方法。 10. 上記9記載のオレフィン系重合体の製造方法に
より得られるオレフィン系重合体。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の遷移金属化合物
[I]、オレフィン重合用触媒[II]、オレフィン系
重合体の製造方法[III]及びオレフィン系重合体
[IV]について詳細に説明する。 [I]遷移金属化合物 本発明の遷移金属化合物は、前記一般式(I)で表わさ
れる構造を有する新規な化合物である。すなわち、前記
一般式(I)において、Mは周期表第3〜10族又はラ
ンタノイド系列の金属を示し、具体例としてはチタニウ
ム、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、バナジ
ウム、クロム、マンガン、ニッケル、コバルト、パラジ
ウム又はランタノイド系金属などが挙げられるが、これ
らの中でオレフィン類の重合触媒用としては、周期律表
第4族元素であるチタニウム、ジルコニウム又はハフニ
ウムが好適である。
【0011】XはMと結合するσ結合性の配位子を示
し、Xが複数ある場合、複数のXは同じでも異なってい
てもよく、またインデニル環又はYと架橋していてもよ
い。このXの具体例としては、水素原子、ハロゲン原
子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のア
ルコキシ基、炭素数6〜20のアリールオキシ基、炭素
数1〜20のアミド基、炭素数1〜20の珪素含有基、
炭素数1〜20のホスフィド基、炭素数1〜20のスル
フィド基、炭素数1〜20のスルホキシド基又は炭素数
1〜20のアシル基などが挙げられる。ハロゲン原子と
しては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子
が挙げられる。炭素数1〜20の炭化水素基としては、
具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などの
アルキル基や、ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセ
ニル基などのアルケニル基;ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基;
フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチ
ルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、ア
ントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基が
挙げられる。炭素数1〜20のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキ
シ基等が挙げられる。炭素数6〜20のアリールオキシ
基としては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメ
チルフェノキシ基等が挙げられる。炭素数1〜20のア
ミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド
基、ジプロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロ
ヘキシルアミド基、メチルエチルアミド基等のアルキル
アミド基や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド
基、ジシクロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミ
ド基;ジベンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、
フェニルプロピルアミド基などのアリールアルキルアミ
ド基;ジフェニルアミド基、ジナフチルアミド基などの
アリールアミド基が挙げられる。炭素数1〜20の珪素
含有基としては、メチルシリル基、フェニルシリル基な
どのモノ炭化水素置換シリル基;ジメチルシリル基、ジ
フェニルシリル基などのジ炭化水素置換シリル基;トリ
メチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシ
リル基、ジメチル(t−ブチル)シリル基、トリシクロ
ヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフ
ェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリ
ルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ炭化水素
置換シリル基;トリメチルシリルエーテル基などの炭化
水素置換シリルエーテル基;トリメチルシリルメチル基
などのケイ素置換アルキル基;トリメチルシリルフェニ
ル基などのケイ素置換アリール基などやジメチルヒドロ
シリル基、メチルジヒドロシリル基等が挙げられる。な
かでもトリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシ
リルエチル基などが好ましい。炭素数1〜20のスルフ
ィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィ
ド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘ
キシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オ
クチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基や、ビ
ニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘ
キセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基;
ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、
フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキル
スルフィド基;フェニルスルフィド基、トリルスルフィ
ド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェ
ニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロ
ピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、
ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、
アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィ
ド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。炭素数
1〜20のスルホキシド基としては、メチルスルホキシ
ド基、エチルスルホキシド基、プロピルスルホキシド
基、ブチルスルホキシド基、ヘキシルスルホキシド基、
シクロヘキシルスルホキシド基、オクチルスルホキシド
基などのアルキルスルホキシド基や、ビニルスルホキシ
ド基、プロペニルスルホキシド基、シクロヘキセニルス
ルホキシド基などのアルケニルスルホキシド基;ベンジ
ルスルホキシド基、フェニルエチルスルホキシド基、フ
ェニルプロピルスルホキシド基などのアリールアルキル
スルホキシド基;フェニルスルホキシド基、トリルスル
ホキシド基、ジメチルフェニルスルホキシド基、トリメ
チルフェニルスルホキシド基、エチルフェニルスルホキ
シド基、プロピルフェニルスルホキシド基、ビフェニル
スルホキシド基、ナフチルスルホキシド基、メチルナフ
チルスルホキシド基、アントラセニルスルホキシド基、
フェナントニルスルホキシド基などのアリールスルホキ
シド基が挙げられる。炭素数1〜20のアシル基として
は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリ
ル基、バレリル基、パルミトイル基、テアロイル基、オ
レオイル基等のアルキルアシル基、ベンゾイル基、トル
オイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、ナフトイ
ル基、フタロイル基等のアリールアシル基、シュウ酸、
マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸からそれぞれ誘導
されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル基等が挙
げられる。Xとしては、メチル基、エチル基、プロピル
基などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好
ましい。
【0012】qは[(Mの原子価)−2]を示し、1〜
5の整数である。Yはルイス塩基を示し、Yが複数ある
場合、複数のYは同じでも異なっていてもよく、またイ
ンデニル環又はXと架橋していてもよい。このYとして
はアミン類、エーテル類、エステル類、ホスフィン類、
チオエーテル類、ニトリル類などが挙げられる。アミン
類としては、炭素数1〜20のアミン類が挙げられ、具
体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミ
ン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルエチ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、
メチルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、トリ−n−ブチルアミン等のアルキルアミンや、
ビニルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルア
ミン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロ
ヘキセニルアミンなどのアルケニルアミン;フェニルア
ミン、フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミン
などのアリールアルキルアミン;ジフェニルアミン、ジ
ナフチルアミンなどのアリールアミン、又はアンモニ
ア、アニリン、N−メチルアニリンジフェニルアミン、
N,N−ジメチルアニリン、メチルジフェニルアミン、
ピリジン、p−ブロモ−N,N−ジメチルアニリンなど
が挙げられる。エーテル類としては、メチルエーテル、
エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエー
テル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、n−アミ
ルエーテル、イソアミルエーテル等の脂肪族単一エーテ
ル化合物;メチルエチルエーテル、メチルプロピルエー
テル、メチルイソプロピルエーテル、メチル−n−アミ
ルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピ
ルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチル−n−
アミルエーテル、エチルイソアミルエーテル等の脂肪族
混成エーテル化合物;ビニルエーテル、アリルエーテ
ル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エ
チルビニルエーテル、エチルアリルエーテル等の脂肪族
不飽和エーテル化合物;アニソール、フェネトール、フ
ェニルエーテル、ベンジルエーテル、フェニルベンジル
エーテル、α−ナフチルエーテル、β−ナフチルエーテ
ル等の芳香族エーテル化合物、酸化エチレン、酸化プロ
ピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テト
ラヒドロピラン、ジオキサン等の環式エーテル化合物が
挙げられる。エステル類としては、安息香酸エチル等が
挙げられる。ホスフィン類としては、炭素数1〜20の
ホスフィンが挙げられる。具体的には、メチルホスフィ
ン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホ
スフィン、ヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスフ
ィン、オクチルホスフィンなどのモノ炭化水素置換ホス
フィン;ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジ
プロピルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジヘキシル
ホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジオクチル
ホスフィンなどのジ炭化水素置換ホスフィン;トリメチ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホ
スフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリオクチルホ
スフィンなどのトリ炭化水素置換ホスフィン等のアルキ
ルホスフィンや、ビニルホスフィン、プロペニルホスフ
ィン、シクロヘキセニルホスフィンなどのモノアルケニ
ルホスフィンやホスフィンの水素原子をアルケニルが2
個置換したジアルケニルホスフィン;ホスフィンの水素
原子をアルケニルが3個置換したトリアルケニルホスフ
ィン;ベンジルホスフィン、フェニルエチルホスフィ
ン、フェニルプロピルホスフィンなどのアリールアルキ
ルホスフィン;ホスフィンの水素原子をアリールまたは
アルケニルが3個置換したジアリールアルキルホスフィ
ンまたはアリールジアルキルホスフィン;フェニルホス
フィン、トリルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィ
ン、トリメチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホ
スフィン、プロピルフェニルホスフィン、ビフェニルホ
スフィン、ナフチルホスフィン、メチルナフチルホスフ
ィン、アントラセニルホスフィン、フェナントニルホス
フィン;ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが2
個置換したジ(アルキルアリール)ホスフィン;ホスフ
ィンの水素原子をアルキルアリールが3個置換したトリ
(アルキルアリール)ホスフィンなどのアリールホスフ
ィン等が挙げられる。チオエーテル類としては、前記の
スルフィドが挙げられる。ニトリル類としては、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。
【0013】rは0〜3の整数を示す。R1はハロゲン
原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20の
ハロゲン含有炭化水素基、又はヘテロ含有基を示す。R
2〜R6は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数1
〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭
化水素基、又はヘテロ含有基を示す。また、R1〜R6
互いに同じでも異なってもよく隣接する基と環を形成し
てもよい。
【0014】R1〜R6におけるハロゲン原子としては、
塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げら
れる。また、炭素数1〜20の炭化水素基としては、具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などの
アルキル基や、ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセ
ニル基などのアルケニル基;ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基;
フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチ
ルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、ア
ントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基が
挙げられる。また、炭素数1〜20のハロゲン化炭化水
素基としては、前記炭素数1〜20の炭化水素基にハロ
ゲン原子が置換したハロゲン化炭化水素基が挙げられ
る。炭素数1〜20のヘテロ原子含有基としては、具体
的には、トリメチルシリル基、トリメチルシリルメチル
基、トリフェニルシリル基等の炭素数1〜20の珪素含
有基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニ
ルアミノ基等の炭素数1〜20の窒素含有基や、フェニ
ルスルフィド基、メチルスルフィド基等の硫黄含有基;
ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基等の炭
素数1〜20の燐含有基;メトキシ基、エトキシ基、フ
ェノキシ基等の炭素数1〜20の酸素含有基などが挙げ
られる。なかでも、R1としては炭素数1〜20の炭化
水素基が好ましい。
【0015】次に、(A)pは架橋基を示し、その構成
単位のAとしては下記一般式
【0016】
【化5】
【0017】で表わされるものが挙げられる。ここで、
Qは周期律表第13族〜16族から選ばれる原子を示
す。R7は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の
炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素
基、又は炭素数1〜20のヘテロ原子含有基であり、R
7が複数あるときは互いに同じであっても異なっていて
もよい。ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、
炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、炭素数1〜
20のヘテロ原子含有基としては、R1〜R6において例
示したものと同様なものが挙げられる。nは0〜2の整
数を示し、Qが周期律表第14族の原子であるとき2、
周期律表第13族及び15族の原子であるとき1、周期
律表第16族の原子であるのとき0である。前記一般式
で表わされるAとしては、具体的には、R7 2C、R7 2
i、R7 2Ge、R7 2Sn、R7B、R7Al、R7P、R7
N、酸素(−O−)、硫黄(―S−)、セレン(−Se
−)等が挙げられる。架橋基(A)pとしては、Aが複
数結合したものであってもよい。例えば、(A)p[p
は1〜20の整数を示す。]のようなものであってもよ
い。架橋基(A)pの具体例としては、メチレン基、エ
チレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、テトラ
メチルエチレン基、シクロヘキシリデン基、1,2−シ
クロヘキシレン基、ジメチルシリレン基、ジフェニルシ
リレン基、テトラメチルジシリレン基、ジメチルゲルミ
レン基、ジメチルスタニレン基、メチルボリリデン基
(CH3−B=)、メチルアルミリデン基(CH3−Al
=)、フェニルホスフィリデン基(Ph−P=)、フェ
ニルホスフォリデン基(Ph−PO=)、エチレン基
(−CH=CH−)、1,2−フェニレン基、ビニレン
基、ビニリデン基、エテニリデン基(CH2=C=)、
メチルイミド、酸素(−O−)、硫黄(−S−)、セレ
ン(−Se−)などが挙げられ、これらの中でも、メチ
レン基、エチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン
基、テトラメチルエチレン基、ジメチルシリレン基、ジ
フェニルシリレン基が、合成の容易さ、収率の点で好ま
しい。
【0018】前記一般式(I)で示される遷移金属化合
物の具体例としては、1,2−エタンジイル(1−(2
−メチルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウ
ムジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−エチ
ルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジク
ロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−イソプロピ
ルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジク
ロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−フェニルイ
ンデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド、1,2−エタンジイル(1−(2−ベンジルインデ
ニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、
1,2−エタンジイル(1−(2−トリメチルシリルメ
チルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジ
クロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−シクロヘ
キシルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウム
ジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−イソプ
ロピル−4,5−ベンゾインデニル))(2−インデニ
ル))ジルコニウムジクロリド、1,2−エタンジイル
(1−(2−イソプロピル−5,6−ベンゾインデニ
ル)(2−(5,6ベンゾインデニル))ジルコニウム
ジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−トリメ
チルシリルインデニル))(2−インデニル)ジルコニ
ウムジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−t
ert−ブチルインデニル))(2−インデニル)ジル
コニウムジクロリド、ジメチルシリレン(1−(2−メ
チルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジ
クロリド、ジメチルシリレン(1−(2−エチルインデ
ニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリレン(1−(2−イソプロピルインデニ
ル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジ
メチルシリレン(1−(2−フェニルインデニル))
(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シリレン(1−(2−ベンジルインデニル))(2−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン
(1−(2−トリメチルシリルメチルインデニル))
(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シリレン(1−(2−シクロヘキシルインデニル))
(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチル
シリレン(1−(2−イソプロピル−4,5−ベンゾイ
ンデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド、ジメチルシリレン(1−(2−イソプロピル−5,
6−ベンゾインデニル))(2−(5,6−ベンゾイン
デニル))ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン
(1−(2−トリメチルシリルインデニル))(2−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン
(1−(2−tert−ブチルインデニル))(2−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン
(1−(2−メチルインデニル))(2−インデニル)
ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン(1−(2
−エチルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウ
ムジクロリド、イソプロピリデン(1−(2−イソプロ
ピルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジ
クロリド、イソプロピリデン(1−(2−フェニルイン
デニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン(1−(2−ベンジルインデニ
ル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、イ
ソプロピリデン(1−(2−トリメチルシリルメチルイ
ンデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン(1−(2−シクロヘキシルイン
デニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン(1−(2−イソプロピル−4,
5−ベンゾインデニル))(2−インデニル)ジルコニ
ウムジクロリド、イソプロピリデン(1−(2−イソプ
ロピル−5,6−ベンゾインデニル))(2−(5,6
−ベンゾインデニル))ジルコニウムジクロリド、イソ
プロピリデン(1−(2−トリメチルシリルインデニ
ル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、イ
ソプロピリデン(1−(2−tert−ブチルインデニ
ル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、メ
チレン(1−(2−メチルインデニル))(2−インデ
ニル)ジルコニウムジクロリド、メチレン(1−(2−
エチルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウム
ジクロリド、メチレン(1−(2−イソプロピルインデ
ニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、
メチレン(1−(2−フェニルインデニル))(2−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド、メチレン(1−
(2−ベンジルインデニル))(2−インデニル)ジル
コニウムジクロリド、メチレン(1−(2−トリメチル
シリルメチルインデニル))(2−インデニル)ジルコ
ニウムジクロリド、メチレン(1−(2−シクロヘキシ
ルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウムジク
ロリド、メチレン(1−(2−トリメチルシリルインデ
ニル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロリド、
メチレン(1−(2−tert−ブチルインデニル))
(2−インデニル)ジルコニウムジクロリドなど、及び
これらの化合物におけるジルコニウムをチタニウム又は
ハフニウムに置換したものを挙げることができる。もち
ろん、これらに限定されるものではない。また、他の族
又はランタノイド系列の金属元素の類似化合物でもよ
い。
【0019】これらの遷移金属化合物は、例えば、「ジ
ャーナル・オブ・オルガノメタリックケミストリー
(J.Organomet.Chem)」第369巻、
第359ページ(1989年)に記載された方法等によ
り合成される。すなわち、対応する置換されたシクロア
ルケニル陰イオンと前記のMのハライドとを反応させる
方法が好ましく挙げられる。 [II]オレフィン重合用触媒 本発明のオレフィン重合用触媒は、(a)前記の一般式
(I)で表される遷移金属化合物及び(b)該(a)成
分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成し
うる活性化助触媒及び必要に応じて(c)有機アルミニ
ウム化合物を含有する。本発明のオレフィン重合用触媒
は、プロピレンの立体規則性重合の際、不要な異性体が
生成しないことが特徴である。
【0020】(b)成分としては、特に制限はないが、
(b−1)(a)成分の遷移金属化合物と反応してイオ
ン性の錯体を形成するイオン性化合物、(b−2)アル
ミノキサン、(b−3)ルイス酸又は(b−4)粘土、
粘土鉱物又はイオン交換性化合物を、重合活性が高く、
触媒コストを低減できる点から好ましく挙げることがで
きる。
【0021】上記(b−1)成分としては、前記(a)
成分の遷移金属化合物と反応して、イオン性の錯体を形
成するイオン性化合物であれば、いずれのものでも使用
できるが、特に効率的に重合活性点を形成できるなどの
点から、次の一般式(II),(III)で表わされる
ものが好ましい。
【0022】 (〔L1−R8h+a(〔Z〕-b ・・・(II) (〔L2h+a(〔Z〕-b ・・・(III) (ただし、L2はM1,R9102,R11 3C又はR122
である。) 〔(II),(III)式中、L1はルイス塩基、
〔Z〕-は、非配位性アニオン〔Z1-又は〔Z2-
ここで〔Z1-は複数の基が元素に結合したアニオンす
なわち〔M312・・・Gf〕(ここで、M3は周期律
表第5〜15族元素、好ましくは周期律表第13〜15
族元素を示す。G1〜Gfはそれぞれ水素原子,ハロゲン
原子,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数2〜40の
ジアルキルアミノ基,炭素数1〜20のアルコキシ基,
炭素数6〜20のアリール基,炭素数6〜20のアリー
ルオキシ基,炭素数7〜40のアルキルアリール基,炭
素数7〜40のアリールアルキル基,炭素数1〜20の
ハロゲン置換炭化水素基,炭素数1〜20のアシルオキ
シ基,有機メタロイド基、又は炭素数2〜20のヘテロ
原子含有炭化水素基を示す。G1〜Gfのうち2つ以上が
環を形成していてもよい。fは〔(中心金属M3の原子
価)+1〕の整数を示す。)、〔Z2-は、酸解離定数
の逆数の対数(pKa)が−10以下のブレンステッド
酸単独又はブレンステッド酸及びルイス酸を組合わせた
共役塩基、あるいは一般的に超強酸と定義される共役塩
基を示す。また、ルイス塩基が配位していてもよい。
また、R8は水素原子,炭素数1〜20のアルキル基,
炭素数6〜20のアリール基,アルキルアリール基又は
アリールアルキル基を示し、R9及びR10はそれぞれシ
クロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,
インデニル基、置換インデニル基、フルオレニル基又は
置換フルオレニル基、R11は炭素数1〜20のアルキル
基,アリール基,アルキルアリール基又はアリールアル
キル基を示す。R12はテトラフェニルポルフィリン,フ
タロシアニンなどの大環状配位子を示す。hは〔L1
8〕,〔L2〕のイオン価数で1〜3の整数、aは1以
上の整数、b=(h×a)である。M1は、周期律表第
1〜3、11〜13、17族元素を含むものであり、M
2は、周期律表第7〜12族元素を示す。〕で表される
ものを好適に使用することができる。
【0023】ここで、L1の具体例としては、アンモニ
ア,メチルアミン,アニリン,ジメチルアミン,ジエチ
ルアミン,N−メチルアニリン,ジフェニルアミン,
N,N−ジメチルアニリン,トリメチルアミン,トリエ
チルアミン,トリ−n−ブチルアミン,メチルジフェニ
ルアミン,ピリジン,p−ブロモ−N,N−ジメチルア
ニリン,p−ニトロ−N,N−ジメチルアニリンなどの
アミン類、トリエチルホスフィン,トリフェニルホスフ
ィン,ジフェニルホスフィンなどのホスフィン類、テト
ラヒドロチオフェンなどのチオエーテル類、安息香酸エ
チルなどのエステル類、アセトニトリル,ベンゾニトリ
ルなどのニトリル類などを挙げることができる。
【0024】R8の具体例としては水素,メチル基,エ
チル基,ベンジル基,トリチル基などを挙げることがで
き、R9,R10の具体例としては、シクロペンタジエニ
ル基,メチルシクロペンタジエニル基,エチルシクロペ
ンタジエニル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基
などを挙げることができる。R11の具体例としては、フ
ェニル基,p−トリル基,p−メトキシフェニル基など
を挙げることができ、R12の具体例としてはテトラフェ
ニルポルフィン,フタロシアニン,アリル,メタリルな
どを挙げることができる。また、M1の具体例として
は、Li,Na,K,Ag,Cu,Br,I,I3など
を挙げることができ、M2の具体例としては、Mn,F
e,Co,Ni,Znなどを挙げることができる。
【0025】また、〔Z1-、すなわち〔M312
・・Gf〕において、M3の具体例としてはB,Al,S
i,P,As,Sbなど、好ましくはB又はAlが挙げ
られる。また、G1,G2〜Gfの具体例としては、ジア
ルキルアミノ基としてジメチルアミノ基,ジエチルアミ
ノ基など、アルコキシ基若しくはアリールオキシ基とし
てメトキシ基,エトキシ基,n−ブトキシ基,フェノキ
シ基など、炭化水素基としてメチル基,エチル基,n−
プロピル基,イソプロピル基,n−ブチル基,イソブチ
ル基,n−オクチル基,n−エイコシル基,フェニル
基,p−トリル基,ベンジル基,4−t−ブチルフェニ
ル基,3,5−ジメチルフェニル基など、ハロゲン原子
としてフッ素,塩素,臭素,ヨウ素,ヘテロ原子含有炭
化水素基としてp−フルオロフェニル基,3,5−ジフ
ルオロフェニル基,ペンタクロロフェニル基,3,4,
5−トリフルオロフェニル基,ペンタフルオロフェニル
基,3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基,
ビス(トリメチルシリル)メチル基など、有機メタロイ
ド基としてペンタメチルアンチモン基,トリメチルシリ
ル基,トリメチルゲルミル基,ジフェニルアルシン基,
ジシクロヘキシルアンチモン基,ジフェニル硼素などが
挙げられる。
【0026】また、非配位性のアニオンすなわちpKa
が−10以下のブレンステッド酸単独又はブレンステッ
ド酸及びルイス酸を組合わせた共役塩基〔Z2-の具体
例としてはトリフルオロメタンスルホン酸アニオン(C
3SO3-,ビス(トリフルオロメタンスルホニル)
メチルアニオン,ビス(トリフルオロメタンスルホニ
ル)ベンジルアニオン,ビス(トリフルオロメタンスル
ホニル)アミド,過塩素酸アニオン(ClO4-,トリ
フルオロ酢酸アニオン(CF3CO2-,ヘキサフルオ
ロアンチモンアニオン(SbF6-,フルオロスルホン
酸アニオン(FSO3-,クロロスルホン酸アニオン
(ClSO3-,フルオロスルホン酸アニオン/5−フ
ッ化アンチモン(FSO3/SbF5-,フルオロスル
ホン酸アニオン/5−フッ化砒素(FSO3/AsF5
-,トリフルオロメタンスルホン酸/5−フッ化アンチ
モン(CF3SO3/SbF5-などを挙げることができ
る。
【0027】このような前記(a)成分の遷移金属化合
物と反応してイオン性の錯体を形成するイオン性化合
物、すなわち(b−1)成分化合物の具体例としては、
テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリ−n−ブチルアンモニウム,テトラフェ
ニル硼酸トリメチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸
テトラエチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸メチル
(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラフェニル硼
酸ベンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラ
フェニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム,テトラ
フェニル硼酸トリフェニル(メチル)アンモニウム,テ
トラフェニル硼酸トリメチルアニリニウム,テトラフェ
ニル硼酸メチルピリジニウム,テトラフェニル硼酸ベン
ジルピリジニウム,テトラフェニル硼酸メチル(2−シ
アノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸トリエチルアンモニウム,テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)硼酸トリ−n−ブチルアンモニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリフ
ェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸テトラ−n−ブチルアンモニウム,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラエチルアンモ
ニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ベ
ンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチルジフェニルアン
モニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
トリフェニル(メチル)アンモニウム,テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸メチルアニリニウム,テト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリ
ニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ト
リメチルアニリニウム,テトラキス(ペンタフルオロフ
ェニル)硼酸メチルピリジニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸ベンジルピリジニウム,テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(2−シア
ノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ベンジル(2−シアノピリジニウム),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(4−シア
ノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸トリフェニルホスホニウム,テトラキス(3,
5−ジトリフルオロメチル)フェニル硼酸ジメチルアニ
リニウム,テトラフェニル硼酸フェロセニウム,テトラ
フェニル硼酸銀,テトラフェニル硼酸トリチル,テトラ
フェニル硼酸テトラフェニルポルフィリンマンガン,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸フェロセニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(1,
1’−ジメチルフェロセニウム),テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸デカメチルフェロセニウム,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸銀、テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリチル,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸リチウム,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ナトリウム,テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラフェニルポ
ルフィリンマンガン,テトラフルオロ硼酸銀,ヘキサフ
ルオロ燐酸銀,ヘキサフルオロ砒素酸銀,過塩素酸銀,
トリフルオロ酢酸銀,トリフルオロメタンスルホン酸銀
などを挙げることができる。
【0028】この(b−1)成分である、該(a)成分
の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成する
イオン性化合物は一種用いてもよく、また二種以上を組
み合わせて用いてもよい。
【0029】一方、(b−2)成分のアルミノキサンと
しては、下記一般式(IV)で示される鎖状アルミノキ
サン、及び一般式(V)で示される環状アルミノキサン
を挙げることができる。
【0030】
【化6】
【0031】(式中、R13は、それぞれ炭素数1〜2
0、好ましくは1〜8のアルキル基を示し、それらは同
じであっても異なっていてもよい。また、mは2<m≦
40、nは1<n≦50の整数である。) 具体的には、メチルアルミノキサン、エチルアルミノキ
サン、イソブチルアルミノキサン等のアルミノキサン等
が挙げられる。
【0032】前記アルミノキサンの製造法としては、ア
ルキルアルミニウムと水などの縮合剤とを接触させる方
法が挙げられるが、その手段については特に限定はな
く、公知の方法に準じて反応させればよい。例えば有機
アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、これを
水と接触させる方法、重合時に当初有機アルミニウム化
合物を加えておき、後に水を添加する方法、金属塩など
に含有されている結晶水、無機物や有機物への吸着水を
有機アルミニウム化合物と反応させる方法、テトラアル
キルジアルミノキサンにトリアルキルアルミニウムを反
応させ、さらに水を反応させる方法などがある。なお、
アルミノキサンとしては、トルエン不溶性のものであっ
てもよい。
【0033】これらのアルミノキサンは一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。(b−3)
成分のルイス酸については特に制限はなく、有機化合物
でも固体状無機化合物でもよい。有機化合物としては、
硼素化合物やアルミニウム化合物などが、無機化合物と
してはマグネシウム化合物,アルミニウム化合物などが
効率的に活性点を形成できる点から好ましく用いられ
る。該アルミニウム化合物としては例えばビス(2,6
−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシ)アルミニウ
ムメチル,(1,1−ビ−2−ナフトキシ)アルミニウ
ムメチルなどが、マグネシウム化合物としては例えば塩
化マグネシウム,ジエトキシマグネシウムなどが、アル
ミニウム化合物としては酸化アルミニウム,塩化アルミ
ニウムなどが、硼素化合物としては例えばトリフェニル
硼素,トリス(ペンタフルオロフェニル)硼素,トリス
〔3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル〕硼
素,トリス〔(4−フルオロメチル)フェニル〕硼素,
トリメチル硼素,トリエチル硼素,トリ−n−ブチル硼
素,トリス(フルオロメチル)硼素,トリス(ペンタフ
ルオロエチル)硼素,トリス(ノナフルオロブチル)硼
素,トリス(2,4,6−トリフルオロフェニル)硼
素,トリス(3,5−ジフルオロ)硼素,トリス〔3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル〕硼素,ビス
(ペンタフルオロフェニル)フルオロ硼素,ジフェニル
フルオロ硼素,ビス(ペンタフルオロフェニル)クロロ
硼素,ジメチルフルオロ硼素,ジエチルフルオロ硼素,
ジ−n−ブチルフルオロ硼素,ペンタフルオロフェニル
ジフルオロ硼素,フェニルジフルオロ硼素,ペンタフル
オロフェニルジクロロ硼素,メチルジフルオロ硼素,エ
チルジフルオロ硼素,n−ブチルジフルオロ硼素などが
挙げられる。
【0034】これらのルイス酸は一種用いてもよく、ま
た二種以上を組み合わせて用いてもよい。(b−4)成
分の一つとして、粘土または粘土鉱物が用いられる。粘
土は、細かい含水ケイ酸塩鉱物の集合体であって、適当
量の水を混ぜてこねると可塑性を生じ、乾かすと剛性を
示し、高温度で焼くと焼結するような物質であり、ま
た、粘土鉱物は、粘土の主成分をなす含水ケイ酸塩であ
る。前記オレフィン重合触媒成分の調製には、粘土、粘
土鉱物のいずれを用いてもよく、これらは、天然産のも
のでも、人工合成したものであってもよい。
【0035】また、(b−4)成分として、イオン交換
性層状化合物を用いることができる。このイオン交換性
層状化合物は、イオン結合等によって構成される面が互
いに弱い結合力で、平行に積み重なった結晶構造をとる
化合物であり、これに含有されるイオンが交換可能なも
のである。粘土鉱物の中には、イオン交換性層状化合物
であるものもある。
【0036】これら(b−4)成分について、その具体
例を示すと、例えば粘土鉱物としてフィロ珪酸類を挙げ
ることができる。フィロ珪酸類としては、フィロ珪酸や
フィロ珪酸塩がある。フィロ珪酸塩には、天然品とし
て、スメクタイト族に属するモンモリロナイト、サポナ
イト、ヘクトライト、雲母族に属するイライト、セリサ
イト及びスメクタイト族と雲母族または雲母族とバーミ
クキュライト族との混合層鉱物等を挙げることができ
る。また、合成品として、フッ素四珪素雲母、ラポナイ
ト、スメクトン等を挙げることができる。この他、α−
Zr(HPO42、γ−Zr(HPO42、α−Ti
(HPO42 及びγ−Ti(HPO42等の粘土鉱物
ではない層状の結晶構造を有するイオン結晶性化合物を
用いることができる。
【0037】また、イオン交換性層状化合物に属さない
粘土および粘土鉱物としては、モンモリロナイト含量が
低いためベントナイトと呼ばれる粘土、モンモリロナイ
トに他の成分が多く含まれる木節粘土、ガイロメ粘土、
繊維状の形態を示すセピオライト、パリゴルスカイト、
また、非結晶質あるいは低結晶質のアロフェン、イモゴ
ライト等がある。
【0038】さらに(b−4)成分としては、体積平均
粒子径が10μm以下である粒子が好ましく、体積平均
粒子径が3μm以下である粒子がさらに好ましい。ま
た、一般に粒子の粒子形状は粒径分布を有するが、(b
−4)成分としては、体積平均粒子径が10μm以下で
あって、体積平均粒子径が3.0μm以下の含有割合が
10質量%以上である粒径分布を有することが好まし
く、体積平均粒子径が10μm以下であって、体積平均
粒子径が1.5μm以下の含有割合が10質量%以上で
ある粒径分布を有することがさらに好ましい。体積平均
粒子径及び含有割合の測定方法としては、例えば、レー
ザー光による光透過性で粒径を測定する機器(GALA
I Production Ltd.製のCIS−1)
を用いる測定方法が挙げられる。また、(b−4)成分
としては、酸処理、アルカリ処理、塩類処理、又は有機
物処理されたものであってもよい。なかでも有機ケイ素
化合物や有機アルミニウム化合物で前処理されたもの
が、重合活性が向上し好ましい。
【0039】これら(b−4)成分の中でも、四級アン
モニウム塩(特に制限はないが、四級アルキルアンモニ
ウム塩、四級アリ−ルアンモニウム塩、四級アリ−ルア
ルキルアンモニウム塩、四級ベンジルアンモニウム塩、
複素芳香族アンモニウム塩等)を吸着ないし粘土等と反
応し層間化合物を生成(インターカレーションともい
う)する能力の高いものが好ましい。例えば、粘土また
は粘土鉱物が好ましく、具体的には、フィロ珪酸類が好
ましく、さらにスメクタイトが好ましく、特に好ましい
のはモンモリロナイトである。また、合成品としてはフ
ッ素四珪素雲母が好ましい。
【0040】本発明の重合用触媒における(a)触媒成
分と(b)触媒成分との使用割合は、(b)触媒成分と
して(b−1)化合物を用いた場合には、モル比で好ま
しくは10:1〜1:100、より好ましくは2:1〜
1:10の範囲が望ましく、上記範囲を逸脱する場合
は、単位重量ポリマーあたりの触媒コストが高くなり、
実用的でない。また(b−2)化合物を用いた場合に
は、モル比で好ましくは1:1〜1:1,000,00
0、より好ましくは1:10〜1:10,000の範囲
が望ましい。この範囲を逸脱する場合は単位重量ポリマ
ーあたりの触媒コストが高くなり、実用的でない。前記
(a)触媒成分と(b−3)触媒成分との使用割合は、
モル比で、好ましくは10:1〜1:2,000、より
好ましくは5:1〜1:1,000、さらに好ましくは
2:1〜1:500の範囲が望ましく、この範囲を逸脱
する場合は単位重量ポリマーあたりの触媒コストが高く
なり、実用的でない。(a)成分と(b−4)成分との
割合は、(b−4)成分の粘土等の単位質量[g]に対
し、(a)成分の遷移金属錯体0.1〜1,000マイ
クロモル、好ましくは1〜100マイクロモルの範囲で
ある。
【0041】また、触媒成分(b)としては(b−
1),(b−2),(b−3)などを単独又は二種以上
組み合わせて用いることもできる。本発明の重合用触媒
は、前記の(a)成分及び(b)成分を主成分として含
有するものであってもよいし、また、(a)成分、
(b)成分及び(c)有機アルミニウム化合物を主成分
として含有するものであってもよい。
【0042】ここで、(c)成分の有機アルミニウム化
合物としては、一般式(VI) R14 vAlP3-v ・・・(VI) (式中、R14は炭素数1〜10のアルキル基、Pは水素
原子、炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6〜20
のアリール基又はハロゲン原子を示し、vは1〜3の実
数である)で示される化合物が用いられる。
【0043】前記一般式(VI)で示される化合物の具
体例としては、トリメチルアルミニウム,トリエチルア
ルミニウム,トリイソプロピルアルミニウム,トリイソ
ブチルアルミニウム,ジメチルアルミニウムクロリド,
ジエチルアルミニウムクロリド,メチルアルミニウムジ
クロリド,エチルアルミニウムジクロリド,ジメチルア
ルミニウムフルオリド,ジイソブチルアルミニウムヒド
リド,ジエチルアルミニウムヒドリド,エチルアルミニ
ウムセスキクロリド等が挙げられる。
【0044】これらの有機アルミニウム化合物は一種用
いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。前記
(a)触媒成分と(c)触媒成分との使用割合は、モル
比で好ましくは1:1〜1:10,000、より好まし
くは1:5〜1:2,000、さらに好ましくは1:1
0ないし1:1,000の範囲が望ましい。該(c)触
媒成分を用いることにより、遷移金属当たりの重合活性
を向上させることができるが、あまり多い場合、特に上
記範囲を逸脱する時は有機アルミニウム化合物が無駄に
なるとともに、重合体中に多量に残存し、また少ない場
合は充分な触媒活性が得られず、好ましくない場合があ
る。
【0045】また、本発明においては各成分の接触に際
し、または接触後、ポリエチレン、ポリプロピレン等の
重合体、シリカ、アルミナ等の無機酸化物(いわゆる担
体)を共存または接触させてもよい。担体に担持するに
あたっては、ポリマー上に担持するのが好ましく、この
ような担体ポリマーとしては、その粒径は1〜300μ
m、好ましくは10〜200μm、より好ましくは20
〜100μmである。この粒径が1μmよりも小さいと
重合体中の微紛が増大し、300μmを超えるものであ
ると重合体中の粗大粒子が増大し、嵩密度の低下や製造
工程におけるホッパーのつまりの原因となる。この場合
の担体の比表面積は、1〜1,000m 2/g、好まし
くは50〜500m2/gであり、細孔容積は0.1〜
5m3/g、好ましくは0.3〜3m3/gである。
【0046】接触は、窒素等の不活性気体中、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン等の炭化
水素中で行なってもよい。各成分の添加または接触は、
重合温度下で行うことができることはもちろん、−30
℃〜各溶媒の沸点、特に室温から溶媒の沸点の間で行な
うのが好ましい。 [III]オレフィン重合体の製造方法 本発明のオレフィン重合体の製造方法は前記(a)成分
の一般式(I)で表される周期律表第3〜10族または
ランタノイド系列の遷移金属化合物、(b)該(a)成
分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成し
うる化合物及び必要に応じて(c)有機アルミニウム化
合物を接触してなるオレフィン重合用触媒の存在下、オ
レフィンを単独重合または共重合させることを特徴とす
る重合体の製造方法である。本発明の製造方法によれ
ば、特に共重合時に分子量が低下せず、均一な組成で狭
い分子量分布を有する共重合体が得られる。
【0047】なお、(c)有機アルミニウム化合物とし
ては、前記一般式(VI)で表される化合物が用いられ
るが、好ましくは、トリアルキルアルミニウム化合物で
ある。中でも、トリメチルアルミニウム、トリイソブチ
ルアルミニウムが好ましい。本発明のオレフィン重合体
の製造方法においては、(c)有機アルミニウム化合物
は予め(a)成分及び/又は(b)成分と接触させて用
いてもよいし、反応器中に(c)成分を投入しておき
(a)成分、(b)成分と接触させて用いてもよい。
(c)成分の用いる量は前記のオレフィン重合用触媒と
同様である。本発明のオレフィン重合体の製造方法によ
ると、上述した重合用触媒を用いて、オレフィン類の単
独重合、またはオレフィンと他のオレフィン類及び/ま
たは他の単量体との共重合(つまり、異種のオレフィン
類相互との共重合、オレフィン類と他の単量体との共重
合、或いは異種のオレフィン類相互と他の単量体との共
重合)を好適に行うことができる。
【0048】該オレフィン類については特に制限はない
が、エチレン、炭素数3〜20のα−オレフィンが好ま
しい。このα−オレフィンとしては、例えば、プロピレ
ン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−ヘ
プテン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、4−
フェニル−1−ブテン、6−フェニル−1−ヘキセン、
3−メチル−1−ブテン、4−メチル−1−ブテン、3
−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ヘキセン、
5−メチル−1−ヘキセン、3,3−ジメチル−1−ペ
ンテン、3,4−ジメチル−1−ペンテン、4,4−ジ
メチル−1−ペンテン、ビニルシクロヘキサン等のα−
オレフィン類、1,3−ブタジエン、1,4−ペンタジ
エン、1,5−ヘキサジエン等のジエン類、ヘキサフル
オロプロペン、テトラフルオロエチレン、2−フルオロ
プロペン、フルオロエチレン、1,1−ジフルオロエチ
レン、3−フルオロプロペン、トリフルオロエチレン、
3,4−ジクロロ−1−ブテン等のハロゲン置換α−オ
レフィン、シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボル
ネン、5−メチルノルボルネン、5−エチルノルボルネ
ン、5−プロピルノルボルネン、5,6−ジメチルノル
ボルネン、5−ベンジルノルボルネン等の環状オレフィ
ン類、スチレン系としては、スチレン、p−メチルスチ
レン、p−エチルスチレン、p−プロピルスチレン、p
−イソプロピルスチレン、p−ブチルスチレン、p−t
ert−ブチルスチレン、p−フェニルスチレン、o−
メチルスチレン、o−エチルスチレン、o−プロピルス
チレン、o−イソプロピルスチレン、m−メチルスチレ
ン、m−エチルスチレン、m−イソプロピルスチレン、
m−ブチルスチレン、メシチルスチレン、2,4−ジメ
チルスチレン、2,5−ジメチルスチレン、3,5−ジ
メチルスチレン等のアルキルスチレン類、p−メトキシ
スチレン、o−メトキシスチレン、m−メトキシスチレ
ン等のアルコキシスチレン類、p−クロロスチレン、m
−クロロスチレン、o−クロロスチレン、p−ブロモス
チレン、m−ブロモスチレン、o−ブロモスチレン、p
−フルオロスチレン、m−フルオロスチレン、o−フル
オロスチレン、o−メチル−p−フルオロスチレン等の
ハロゲン化スチレン、更にはトリメチルシリルスチレ
ン、ビニル安息香酸エステル、ジビニルベンゼン等が挙
げられる。また、上述した他のオレフィン類について
も、上記オレフィン類の中から適宜選定すれば良い。
【0049】本発明においては、上記オレフィン類は一
種用いてもよいし、二種以上を組み合わせてもよい。二
種以上のオレフィンの共重合を行う場合、上記オレフィ
ン類を任意に組み合わせることができる。
【0050】また、本発明においては、上記オレフィン
類と他の単量体とを共重合させてもよく、この際用いら
れる他の単量体としては、例えばブタジエン、イソプレ
ン、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエンなど
の鎖状ジオレフィン類、ノルボルネン、1,4,5,8
−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オ
クタヒドロナフタレン、2−ノルボルネン等の多環状オ
レフィン類、ノルボルナジエン、5−エチリデンノルボ
ルネン、5−ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエ
ンなどの環状ジオレフィン類、アクリル酸エチル、メタ
クリル酸メチルなどの不飽和エステル類などを挙げる事
ができる。
【0051】本発明においては、このオレフィン類とし
て、特にプロピレンが好適である。また、オレフィン類
を重合させる方法については特に制限はなく、スラリー
重合法、溶液重合法、気相重合法、塊状重合法、懸濁重
合法など、任意の重合法を採用する事ができる。
【0052】重合溶媒を用いる場合には、その溶媒とし
ては、ベンゼン、トルエン、キシレン、n−ヘキサン、
n−ヘプタン、シクロヘキサン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、1,2−ジクロロエタン、クロロベンセン等の
炭化水素類やハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
これらは一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用
いてもよい。また、重合に用いるモノマーもその種類に
よっては使用することができる。
【0053】また、重合反応における触媒の使用量は、
溶媒1リットル当たり、(a)成分が、通常0.5〜1
00マイクロモル、好ましくは2〜25マイクロモルの
範囲になるように選ぶのが重合活性および反応器効率の
面から有利である。
【0054】重合条件については、圧力は、通常、常圧
〜200MPa(gauge)の範囲が選択される。ま
た、反応温度は、通常−50℃〜250℃の範囲であ
る。重合体の分子量の調節方法としては、各触媒成分の
種類、使用量、重合温度の選択および水素の導入などが
挙げられる。
【0055】さらに、本発明におけるオレフィンの重合
時には、上記触媒を用いて予備重合を行うことができ
る。この予備重合は、固体触媒成分に少量のオレフィン
を接触させて行うことができ、この場合の反応温度は、
−20〜100℃、好ましくは−10〜70℃、特に好
ましくは0〜50℃である。また、この予備重合に際し
て用いる溶媒としては、不活性炭化水素、脂肪族炭化水
素、芳香族炭化水素、モノマーが用いられるが、特に脂
肪族炭化水素が好ましい。この予備重合を無溶媒で行う
こともできる。また、予備重合生成物は、その極限粘度
〔η〕(135℃、デカリン中での測定)が0.2デシ
リットル/g、好ましくは0,5デシリットル/g以上
となるように行うのがよく、触媒中の遷移金属成分1ミ
リモルあたり予備重合生成物の量が、1〜10,000
g、好ましくは10〜1,000gとなるように条件を
調整することが好ましい。[IV]オレフィン系重合体
本発明のオレフィン系重合体は、前記のオレフィン系重
合体の製造方法により得られるものである。前記の製造
方法によれば、特に共重合時に分子量が低下せず、均一
な組成で狭い分子量分布を有するものが得られる。本発
明のオレフィン系重合体は、特に共重合体は高分子量で
あり、均一な組成で狭い分子量分布を有する。
【0056】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例により何ら制限される
ものではない。 〔実施例1〕 1,2−エタンジイル{1−(2−イソ
プロピルインデニル)}(2−インデニル)ジルコニウ
ムジクロリドの合成 A)エチル(2−インデニル)アセテートの合成 窒素気流下、水素化ナトリウム3.3g(0.14mo
l)を300mlテトラヒドロフランに懸濁させ10℃
冷却した。この懸濁液にエチルジエチルホスホノアセテ
ート28.3g(0.11mol)のテトラヒドロフラ
ン溶液(200ml)を滴下した。滴下終了後30分室
温で攪拌した後、氷冷した。これに、2−インダノン1
6.33g(0.21mol)のテトラヒドロフラン溶
液(75ml)を1時間で滴下した。滴下後室温で30
分攪拌した後、水を加え加水分解した。ジエチルエーテ
ル500mlにより抽出を行ない、有機層を減圧蒸留
し、エチル(2−インデニル)アセテートを11.06
g得た。(収率 49.5%)1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 1.23
(t,3H)、3.40(s,2H)、3.45(s,
2H)、4.16(q,2H)、6.65(s,1
H)、6.94〜7.50(m,4H) B)2−(2−インデニル)−エタノールの合成 窒素気流下、水素化リチウムアルミニウム2.2g(5
8.49mmol)を100mlジエチルエーテルに懸
濁させた。この懸濁液にエチル(2−インデニル)アセ
テート11g(59.06mmol)のジエチルエーテ
ル溶液50mlを1時間で滴下した。滴下後30分室温
で攪拌した後、氷冷し、水50mlを徐々に加え、さら
に希塩酸を加え不溶物を溶解した。有機層を分離し減圧
下溶媒を留去し、2−(2−インデニル)−エタノール
を7.89g得た。1H−NMR(90MHz:CDC
3)δ 1.56(s,1H)、2.76(t,2
H)、3.37(s,2H)、3.83(t,2H)、
6.62(s,1H)6.95〜7.62(m,4H) C)1−ブロモ−2−(2−インデニル)エタン 窒素気流下、2−(2−インデニル)−エタノール4.
61g(28.77mmol)とトリフェニルホスフィ
ン7.66g(29.20mmol)をジクロロメタン
65mlに溶解した。この溶液にN−ブロモコハク酸イ
ミド5.19g(29.20mmol)を徐々に加え
た。室温で30分攪拌した後、反応混合物を水に加え有
機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶
媒を留去し、残さをシリカゲルカラムで分離することに
より1−ブロモ−2−(2−インデニル)エタンを5.
07g得た。(収率80.8%)1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 3.02
(t,2H)、3.32(s,2H)、3.52(t,
2H)、6.60(s,1H)、6.93〜7.53
(m,4H) D)1−{1−(2−イソプロピルインデニ)}−2−
(2−インデニル)エタンの合成 2−イソプロピルインデン2g(12.64mmol)
脱水へキサン30mlに溶解し−78℃に冷却した。こ
れに、n−ブチルリチウムへキサン溶液8.50ml
(12.64mmol,1.57mol/l)を加え、
室温で8時間攪拌した。生成した沈殿をヘキサンで洗浄
し、2−イソプロピルインデンのリチウム塩を1.64
g(9.99mmol)得た。これを、テトラヒドロフ
ラン50mlに溶解し、氷冷しヘキサメチルフォスフォ
ラアミド(以下、HMPAとも記す)1.74mlを加
えた。これに、1−ブロモ−2−(2−インデニル)エ
タン2g(8.96mmol)のテトラヒドロフラン溶
液20mlを加えた後、室温で8時間攪拌した。反応溶
液に水50mlを加え有機層を洗浄した。有機層を飽和
硫酸銅水溶液で洗浄しHMPAを除いた。有機層を硫酸
マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去し、残さをシリカ
ゲルカラムで精製し1−{1−(2−イソプロピルイン
デニ)}−2−(2−インデニル)エタン1.67gを
得た。(収率62.5%)1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 1.15
(d,6H)、2.80(bs,4H)、3.03(1
H)、3.31(s,2H)、3.41(s,2H)、
6.63(s,1H)、7.0〜7.5(m,8H) E)1−{1−(2−イソプロピルインデニ)}−2−
(2−インデニル)エタンのジリチウム塩の合成 窒素気流下、1−{1−(2−イソプロピルインデ
ニ)}−2−(2−インデニルエタン)1.67g
(5.53mmol)を脱水エーテル70mlに溶解し
−78℃に冷却した。この溶液に、n−ブチルリチウム
1.57mol/lへキサン溶液を7.1ml(11.
12mmol)を30分で滴下した。この反応溶液を室
温まで昇温し、室温で8時間攪拌した。減圧下溶媒を留
去し残さをへキサンで洗浄し1−{1−(2−イソプロ
ピルインデニ)}−2−(2−インデニル)エタンのジ
リチウム塩をエーテル付加体として2.02g得た。1
H−NMR(90MHz:THF−d8)δ 1.24
(d,6H)、3.21(s,4H)、5.56(s,
1H)、5.66(s,2H)、6.1〜6.5,6.
9〜7.2,7.3〜7.5(m) F)1,2−エタンジイル{1−(2−イソプロピルイ
ンデニル)}(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ドの合成 窒素気流下、1,2−エタンジイル{1−(2−イソプ
ロピル)}(2−インデニル)のジリチウム塩の2.0
2g(5.56mmol)をトルエン50mlに懸濁さ
せ−78℃に冷却した。これに四塩化ジルコニウム1.
29g(5.56mmol)のトルエン懸濁液20ml
を20分かけて滴下した。室温まで昇温後、8時間攪拌
を行なった。上澄みを濾過し減圧下溶媒を留去し、残さ
をジクロロメタン/ヘキサンで再結晶することにより、
1,2−エタンジイル{1−(2−イソプロピルインデ
ニル)}(2−インデニル)ジルコニウムジクロリドを
0.65g得た。(収率 26.3%)1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 1.18
(d,3H)、1.42(d,3H)、3.23(se
ptet,1H)、3.52(m,4H)、6.02
(d,1H)、6.20(d,1H)、6.55(s,
1H)、7.0〜7.8(m,8H)
【0057】〔実施例2〕 1,2−エタンジイル{1
−(2−イソプロピルインデニル)}(2−インデニ
ル)ハフニウムジクロリドの合成 窒素気流下、1,2−エタンジイル{1−(2−イソプ
ロピル)}(2−インデニル)のジリチウム塩の1.1
5g(3.18mmol)をトルエン10mlに懸濁さ
せ、−78℃に冷却した。これに、四塩化ハフニウム
1.02g(3.18mmol)のトルエン懸濁液を滴
下した。滴下終了後室温まで昇温し、8時間攪拌した。
上澄みを濾過し、減圧下溶媒を留去し、残さをジクロロ
メタン/ヘキサンで再結晶することにより、1,2−エ
タンジイル{1−(2−イソプロピルインデニル)}
(2−インデニル)ハフニウムジクロリドを0.45g
得た。(収率26.3%)1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 1.22
(d,3H)、1.49(d,3H)、3.33(se
ptet,1H)、5.91(d,1H)、6.12
(d,1H)、6.50(s,1H)、7.0〜7.8
(m,8H)
【0058】〔実施例3〕 1,2−エタンジイル{1
−(2−トリメチルシリルインデニル)}(2−インデ
ニル)ジルコニウムジクロリドの合成 A)1−{1−(2−トリメチルシリルインデニル)}
−2−(2−インデニル)エタン 窒素気流下、2−トリメチルシリルインデニルのリチウ
ム塩2.40g(8.96mmol)をてとらヒドロフ
ラン20mlに溶解し−78℃に冷却し、HMPA1.
56mlを加えた。これに、1−ブロモ−2−(2−イ
ンデニル)エタン2g(8.96mmol)のテトラヒ
ドロフラン20ml溶液を滴下した。滴下終了後、室温
まで昇温し、8時間攪拌を行なった。反応混合物に水を
加え有機層を洗浄後、飽和硫酸銅水溶液で有機層のHM
PAを除いた。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し減圧
下溶媒を留去し、1−{1−(2−トリメチルシリルイ
ンデニル)}−2−(2−インデニル)エタン1.88
gを得た。1H−NMR(90MHz:CDCl3)δ
0.29(s,9H)、2.7〜3.0(m,4H)、
3.43(4H)、6.69(s,1H)、7.1〜
7.6(m,8H) B)1−{1−(2−トリメチルシリルインデニル)}
−2−(2−インデニル)エタンのジリチウム塩の合成 窒素気流下、1−{1−(2−トリメチルシリルインデ
ニル)}−2−(2−インデニル)エタン1.88g
(5.68mmol)をエーテル20mlに溶解し−7
8℃に冷却した。これにn−ブチルリチウムのヘキサン
溶液(1.61mol/l)7.7ml(12.5mm
ol)を滴下した。室温まで昇温後、8時間攪拌し、減
圧下溶媒を留去した。残さをへキサンで洗浄することに
より1−{1−(2−トリメチルシリルインデニル)}
−2−(2−インデニル)エタンのジリチウム塩をエー
テル付加体として2.3gを定量的に得た。1H−NM
R(90MHz:THF−d8)δ 0.30(s,9
H)、3.1〜3.5(m,4H)、5.75(s,2
H)、5.91(s,1H)、6.2〜6.6、6.9
〜7.2、7.3〜7.5(8H) C)1,2−エタンジイル{1−(2−トリメチルシリ
ルインデニル)}(2−インデニル)ジルコニウムジク
ロリドの合成 窒素気流下、1−{1−(2−トリメチルシリルインデ
ニル)}−2−(2−インデニル)エタンのジリチウム
塩の1.2g(2.88mmol)をトルエン10ml
に懸濁させ、−78℃に冷却した。これに、四塩化ジル
コニウム0.67g(2.87mmol)のトルエン懸
濁液5mlを滴下し、室温まで昇温した後、8時間攪拌
を行なった。上澄みを濾過し減圧下溶媒を留去し、残さ
をジクロロメタン/へキサンで再結晶することにより
1,2−エタンジイル{1−(2−トリメチルシリルイ
ンデニル)}(2−インデニル)ジルコニウムジクロリ
ドを0.16g得た。1H−NMR(90MHz:CD
Cl3)δ 0.50(s,9H)、3.6〜3.8
(m,4H)、6.0(d,1H)、6.35(d,1
H)、6.70(s,1H)、7.1〜7.6(m,8
H) 〔実施例4〕 1,2−エタンジイル{1−(2−トリ
メチルシリルインデニル)}(2−インデニル)ハフニ
ウムジクロリドの合成 窒素気流下、1−{1−(2−トリメチルシリルインデ
ニル)}−2−(2−インデニル)エタンのジリチウム
塩の1.22g(2.92mmol)をトルエン10m
lに懸濁させ、−78℃に冷却した。これに、四塩化ハ
フニウム0.93g(2.92mmol)のトルエン懸
濁液5mlを滴下し、室温まで昇温した後、8時間攪拌
を行なった。上澄みを濾過し減圧下溶媒を留去し、残さ
をジクロロメタン/へキサンで再結晶することにより
1,2−エタンジイル{1−(2−トリメチルシリルイ
ンデニル)}(2−インデニル)ハフニウムジクロリド
を0.18g得た。1 H−NMR(90MHz:CDCl3)δ 0.48
(s,9H)、3.6〜3.8(m,4H)5.80
(d,1H)、6.20(d,1H)、6.55(s,
1H)、7.0〜7.8(m,8H)
【0059】〔実施例5〕 ジメチルシリレン−(1−
(2−イソプロピルインデニル))(2−インデニル)
ジルコニウムジクロライドの合成 窒素気流下、1L三つ口フラスコにエーテル 50mL
と2−イソプロピルインデン 2.0 g(12.6
mmol)を加える。ここにn−ブチルリチウムのヘキ
サン溶液(1.61 M) 7.9 mL(12.6
mmol)を0℃で加え攪拌しさらに室温で8時間攪拌
する。溶媒を留去し、得られた固体をヘキサン20mL
で洗浄し減圧乾燥する。これをTHF 50mLに溶解
し、THF20mLに溶解した2−クロロジメチルシリ
ルインデンを滴下する。 滴下終了後、室温で2時間攪
拌した後、溶媒を留去する。残渣をヘキサン200mL
で抽出した後、溶媒を留去することにより(1−(2−
イソプロピルインデニル))(2−インデニル)ジメチ
ルシランを3.5g(10.6 mmol)得る(収率
84%) 窒素気流下、300mL三つ口フラスコにエーテル 8
0 mLと3.5gを加え−78℃に冷却する。ここへ
n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.61M)を1
3.2 mL(21.2 mmol)滴下する。室温に
上げ15時間攪拌後溶媒を留去しヘキサン100mLで
洗浄する。減圧乾燥することによりエーテル付加物とし
てリチウム塩を1.6g(3.8mmol)得た。
【0060】シュレンク瓶に((ジメチルシリレン)
(1−(2−イソプロピルインデニル))(2−インデ
ニル))(リチウム)2を1.0 g(2.4 mmo
l)とトルエン20mLを入れる。−78℃に冷却し、
ここへ予め−78℃に冷却した四塩化ジルコニウム0.
56 g(2.4 mmol)のトルエン(20 m
L)懸濁液を滴下する。滴下後室温で6時間攪拌する。
その後ろ過しろ液の溶媒を留去していくとジメチルシリ
レン−(1−(2−イソプロピルインデニル)(2−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロライドが0.21 g得
られる。(収率18%)1 H−NMR(90MHz,CDCl3)δ1.01
(d,6H,−CH3),1.17,1.39(d,6
H,SiCH3),3.01(septet,1H,C
H),6.00(m,2H,−CH=),6.86
(s,1H,−CH=),6.95−7.65(m,8
H,ArH)
【0061】〔実施例6〕 ジメチルシリレン−(1−
(2−イソプロピルインデニル))(2−インデニル)
ハフニウムジクロライドの合成 シュレンク瓶に実施例1で合成した((ジメチルシリレ
ン)(1−インデニル)(2−(2−イソプロピルイン
デニル))(リチウム)2を0.6 g(1.4 mm
ol)とトルエン20mLを入れる。−78℃に冷却
し、ここへ予め−78℃に冷却した四塩化ハフニウム
0.46 g(1.4 mmol)のトルエン(20
mL)懸濁液を滴下する。滴下後室温で6時間攪拌す
る。その後ろ過し、ろ液の溶媒を留去していくとジメチ
ルシリレン−(1−インデニル)(2−(2−イソプロ
ピルインデニル)ハフニウムジクロライドが0.15
g得られる。(収率19%)1 H−NMR(90MHz,CDCl3)δ1.00
(d,6H,−CH3),1.20,1.39(d,6
H,SiCH3),3.13(septet,1H,C
H),5.90(s,2H,−CH=),6.77
(s,1H,−CH=),6.90−7.65(m,8
H,ArH)
【0062】〔実施例7〕 プロピレンの重合 加熱乾燥した1リットルオートクレーブに、窒素気流
下、トルエン400mlとトリイソブチルアルミニウム
(TIBA)0.5mmolを加え、この混合物を50
℃まで昇温させ5分攪拌したた。その後、メチルアルミ
ノキサン1mmol(Al換算)、触媒として実施例1
で得た1,2−エタンジイル{1−(2−イソプロピル
インデニル)}(2−インデニル)ジルコニウムジクロ
リド1μmolを加えプロピレン圧力を7kg/cm2
(0.68MPa(gauge))まであげた。この状
態で1時間重合を行なった。反応終了後、反応物をメタ
ノールに投入し、得られたポリマーを濾別した後、メタ
ノールで洗浄した。洗浄後、加熱減圧下で乾燥を行な
い、13.6gのポリプロピレンを得た。また、ペンタ
ッドメソ分率[mmmm]は、0.664、融点[T
m]は 107℃、極限粘度は0.7dl/g、質量平
均分子量[Mw]は87400、分子量分布[Mw/M
n]は 1.66であった。なお、ペンタッドメソ分率
[mmmm]は、ポリマーの13C−NMRの内、19か
ら22ppmの間に現れる9つのシグナルの総面積のう
ち、ペンタッドメソに帰属される21.8ppmのシグ
ナルのしめる面積の割合として測定した。コモノマー含
量は13C−NMR測定を用い、A.Zambelliら
により「Macromolecules,,687
(1975)」で提案されたピークの帰属に従い、下記
の装置及び条件にて行った。
【0063】装置:日本電子(株)製JNM−EX40
0型NMR装置 観測核:13C(100.4MHz) 方法:1H完全デカップリング法 濃度:約200mg/3ml(6.7×10kg/
3)(10φ試験管) 溶媒:1,2,4−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの
90:10(容量比)混合溶媒 温度:130℃ パルス幅:45° パルス繰り返し時間:4秒 積算:1,000回 また、融点[Tm]は、測定装置としてパーキンエルマ
ー社製DSC7を用い、試料10mgにて行った。測定
条件は40℃から220℃まで320℃/分で昇温し、
3分間保持した。続いて、0℃まで10℃/分で降温
し、0℃で3分間保持した。更に、10℃/分で220
℃まで昇温し、そのときの融解ピークのピーク頂点を融
点(Tm)とした。
【0064】また、極限粘度([η])の測定は、
(株)離合社製VMR−053型自動粘度計を用い、1
35℃、デカリン中で測定した。さらに、分子量及び分
子量分布の測定条件は下記に従った。重合体の質量平均
分子量(Mw)は、下記の条件で測定を行ない、ポリエ
チレン換算の分子量とした。 測 <測定装置> 本体 :Waters ALC/GPC 150C カラム:東ソー製 GMHHR−H(S)HT×2本 測 <測定条件> 温度 :145℃ 溶媒 :1,2,4−トリクロロベンゼン 流速 :1.0ミリリットル/min
【0065】〔実施例8〕 プロピレンの重合 触媒として、実施例2で得た1,2−エタンジイル{1
−(2−イソプロピルインデニル)}(2−インデニ
ル)ハフニウムジクロリドを用いた以外は実施例7と同
様に重合を行なった。反応終了後、反応物をメタノール
に投入し、得られたポリマーを濾別した後、メタノール
で洗浄した。洗浄後、加熱減圧下で乾燥を行ない、1
6.7gのポリプロピレンを得た。また、ペンタッドメ
ソ分率[mmmm]は、0.768、融点[Tm]は
124℃、極限粘度は 1.44dl/g、質量平均分
子量[Mw]は 200,000、分子量分布[Mw/
Mn]は1.82であった。 〔実施例9〕 プロピレンの重合 触媒として、実施例3で得た1,2−エタンジイル{1
−(2−トリメチルシリルインデニル)}(2−インデ
ニル)ジルコニウムジクロリドを用いた以外は実施例7
と同様に重合を行なった。反応終了後、反応物をメタノ
ールに投入し、得られたポリマーを濾別した後、メタノ
ールで洗浄した。洗浄後、加熱減圧下で乾燥を行ない、
12.41gのポリプロピレンを得た。また、ペンタッ
ドメソ分率[mmmm]は、0.504、融点[Tm]
は 73.4℃、極限粘度は 0.51dl/g、質量
平均分子量[Mw]は 57,000、分子量分布[M
w/Mn]は1.72であった。
【0066】〔実施例10〕 プロピレンの重合 触媒として、実施例4で得た1,2−エタンジイル{1
−(2−トリメチルシリルインデニル)}(2−インデ
ニル)ハフニウムジクロリドを用いた以外は実施例7と
同様に重合を行なった。反応終了後、反応物をメタノー
ルに投入し、得られたポリマーを濾別した後、メタノー
ルで洗浄した。洗浄後、加熱減圧下で乾燥を行ない、
9.85gのポリプロピレンを得た。また、ペンタッド
メソ分率[mmmm]は、0.529、融点[Tm]は
73.4℃、極限粘度は1.61dl/g、質量平均
分子量[Mw]は 218,000、分子量分布[Mw
/Mn]は1.75であった。
【0067】〔実施例11〕 プロピレンの重合 加熱乾燥した1リットルオートクレーブに、窒素雰囲気
下、室温でトルエン400mL及びトリイソブチルアル
ミニウム0.5ミリモルを加えた。攪拌しながら温度を
50℃にした後、メチルアルミノキサン1ミリモルと実
施例5で得られたジメチルシリレン−(1−(2−イソ
プロピルインデニル))(2−インデニル)ジルコニウ
ムジクロライドを1マイクロモル加えた。続いてプロピ
レンで圧力を7kg/cm2(0.68MPa(gau
ge))に保ちながら1時間重合した。重合反応終了
後、反応生成物をメタノール−塩酸溶液中に投入し、充
分攪拌した後ろ別し、さらにメタノールで充分洗浄後、
乾燥しアイソタクチックポリプロピレン41.0gを得
た、得られたポリマーの融点は80.4℃、極限粘度は
0.55dl/g、質量平均分子量Mwは65,60
0、分子量分布Mw/Mnは1.74、ペンタッドメソ
分率[mmmm]は0.531であった。
【0068】〔実施例12〕 プロピレンの重合 ジメチルシリレン−(1−(2−イソプロピルインデニ
ル))(2−インデニル)ジルコニウムジクロライドの
かわりにジメチルシリレン−(1−(2−イソプロピル
インデニル))(2−インデニル)ハフニウムジクロラ
イドを用いた以外は実施例7と全く同様に実験を行った
ところ、アイソタクチックポリプロピレン3.8gを得
た、得られたポリマーの融点は88.5℃、極限粘度は
1.21dl/g、質量平均分子量Mwは167,00
0、分子量分布Mw/Mnは1.83、ペンタッドメソ
分率[mmmm]は0.576であった。
【0069】〔実施例13〕 プロピレンの重合 攪拌装置付き1リットルステレンレス製耐圧オートクレ
ーブを80℃に加熱し、充分減圧乾燥した後、乾燥窒素
で大気圧に戻し室温まで冷却した。乾燥窒素気流下、乾
燥ヘプタン4×10-43、TIBAを1×10-3モル
投入し、しばらく攪拌した。続いて、MAO(メチルア
ルミノキサン)2×10-3モル、1,2−エタンジイル
(1−(2−イソプロピルインデニル))(2−インデ
ニル)ハフニウムジクロリド[1,2−Et(1−(2
−iPrInd))(2−Ind)HfCl2]のヘプ
タンスラリー 2.0×10-6モルを加え、温度を50
℃に昇温した後、全圧が6.0kg/cm2(0.58
MPa(gauge))となるようにプロピレンを連続
的に供給して60分間重合を実施した。
【0070】反応終了後、未反応のプロピレンを脱圧に
より除去し、オートクレーブを室温まで冷却した。反応
混合物を2リットル(2×10-33)のメタノールに
投入して、濾過分離後、80℃で8時間減圧乾燥するこ
とにより、プロピレン重合体16.5gを得た。
【0071】得られた重合体の固有粘度[η]は0.9
5dl/g(×10-43/g)、GPC測定からのM
wは138082、Mw/Mnは1.78、DSC測定
からのTmは129.8℃であった。
【0072】〔実施例14〕 プロピレンとエチレ
ンの共重合 攪拌装置付き1リットルステレンレス製耐圧オートクレ
ーブを80℃に加熱し、充分減圧乾燥した後、乾燥窒素
で大気圧に戻し室温まで冷却した。乾燥窒素気流下、乾
燥ヘプタン4×10-43、TIBAを1×10-3モル
投入し、しばらく攪拌した。続いて、MAO(メチルア
ルミノキサン)2×10-3モル、1,2−エタンジイル
(1−(2−イソプロピルインデニル))(2−インデ
ニル)ハフニウムジクロリドのヘプタンスラリー 2.
0×10-6モルを加え、温度を50℃に昇温した後、全
圧が0.68MPa(gauge)となるようにエチレ
ン0.5L/分(0.5×10-33/分)、プロピレ
ン5.0L/分(5.0×10-33/分)の混合ガス
を流通して60分間重合を実施した。
【0073】反応終了後、未反応のエチレンとプロピレ
ンの混合ガスを脱圧により除去し、オートクレーブを室
温まで冷却した。反応混合物を2リットル(2×10-3
3)のメタノールに投入して、濾過分離後、80℃で
8時間減圧乾燥することにより、エチレン−プロピレン
共重合体19.1gを得た。
【0074】得られた重合体の固有粘度[η]は1.1
6dl/g(×10-43/g)、GPC測定からのM
wは168207、Mw/Mnは1.82、13C−NM
R測定からのエチレン含量は3.0mol%、DSC測
定からのTmは108.6℃であった。
【0075】〔実施例15〕 プロピレンとエチレ
ンの共重合 混合ガスの比率をエチレン1.0L/分、プロピレン5
L/分に変えた以外は実施例14と同じにして、エチレ
ン−プロピレン共重合体27.0gを得た。得られた重
合体の固有粘度[η]は1.42dl/g(×10-4
3/g)、1 3C−NMR測定からのエチレン含量は6.
5mol%、DSC測定からのTmは83.5℃であっ
た。 〔比較例1〕 プロピレンとエチレンの共重合 攪拌装置付き1リットルステレンレス製耐圧オートクレ
ーブを80℃に加熱し、充分減圧乾燥した後、乾燥窒素
で大気圧に戻し室温まで冷却した。乾燥窒素気流下、乾
燥ヘプタン4×10-43、TIBAを1×10-3モル
投入し、しばらく攪拌した。続いて、MAO(メチルア
ルミノキサン)2.5×10-3モル、ラセミ−ジメチル
シリレンビス(1,1'−(2−メチル−4−フェニル
インデニル))ジルコニウムジクロリド[Me2Si
(2−Me−4PhInd)2ZrCl2]0.25×1
-6モルを加え、温度を50℃にした後、全圧が0.6
8MPa(gauge)となるようにエチレン0.5L
/分(0.5×10-43/分)、プロピレン5.0L
/分(5.0×10-33/分)の混合ガスを流通して
60分間重合を実施した。
【0076】反応終了後、未反応のエチレンとプロピレ
ンの混合ガスを脱圧により除去し、オートクレーブを室
温まで冷却した。反応混合物を2リットル(2×10-3
3)のメタノールに投入して、濾過分離後、80℃で
8時間減圧乾燥することにより、エチレン−プロピレン
共重合体41.7gを得た。
【0077】得られた重合体の固有粘度[η]は1.0
3dl/g(×10-43/g)、1 3C−NMR測定か
らのエチレン含量は7.2mol%、DSC測定からの
Tmは102.6℃であった。〔比較例2〕 プロピ
レンとエチレンの共重合 触媒として、1,2−エタンジイル{1−(4,7−ジ
イソプロピルインデニル)}{2−(4,7−ジイソプ
ロピルインデニル)}ジルコニウムジクロリドを用いた
こと以外は実施例14と同様に重合を行なった。反応終
了後、反応物をメタノールに投入し5.2gの油状物を
得たが固体状のポリマーは得られなかった。
【0078】
【発明の効果】本発明の遷移金属化合物は、オレフィン
重合用触媒成分として有用であり、それを含有するオレ
フィン重合用触媒を用いると、共重合時に分子量が低下
せず、均一な組成で狭い分子量分布を有するオレフィン
系重合体が効率良く得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J028 AC01A AC19A AC27A AC49A BA00A BA01B BB00A BB01B BC12B BC25B CA30C EB01 EB02 EB03 EB11 EB12 EB18 EB21 EB22 EC01 EC02 FA02 GA01 GA06

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)で表わされる遷移金属
    化合物。 【化1】 (式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系
    列の金属元素、XはMと結合するσ結合性の配位子を示
    し、Xが複数ある場合は複数のXは同じでも異なってい
    てもよいし、インデニル環又はYと架橋していてもよ
    い。Yはルイス酸を示しYが複数ある場合は複数のYは
    同じでも異なってよいし、インデニル環又はXと架橋し
    ていてもよい。R1はハロゲン原子、炭素数1〜20の
    炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素
    基、又は炭素数1〜20のヘテロ含有基を示す。R2
    6は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭
    化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、
    又は炭素数1〜20のヘテロ含有基を示す。また、R1
    〜R6は互いに同じでも異なってもよく、R2〜R6は隣
    接する基と環を形成してもよい。(A)pは二価の架橋
    基を示し、pは1〜20の整数を示す。qは1〜5の整
    数で、[(Mの原子価)−2]を示し、rは0〜3の整
    数を示す。)
  2. 【請求項2】 (I)式におけるMが周期律表第4族の
    遷移金属である請求項1記載の遷移金属化合物。
  3. 【請求項3】 (I)式におけるR1が炭素数1〜20
    の炭化水素基である請求項1又は2に記載の遷移金属化
    合物。
  4. 【請求項4】 (I)式におけるAが、下記一般式 【化2】 (式中、Qは周期律表第13族〜16族から選ばれる原
    子を示す。R7は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜
    20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化
    水素基、又は炭素数1〜20のヘテロ原子含有基を示
    し、R7が複数あるときは互いに同じであっても異なっ
    ていてもよい。nは0〜2の整数を示す)で表わされる
    請求項1〜3のいずれかに記載の遷移金属化合物。
  5. 【請求項5】 (I)式における(A)pがメチレン
    基、エチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、
    テトラメチルエチレン基、ジメチルシリレン基、ジフェ
    ニルシリレン基のいずれかである請求項1〜4のいずれ
    かに記載の遷移金属化合物。
  6. 【請求項6】 (a)請求項1〜5のいずれかに記載の
    遷移金属化合物、及び(b)該(a)成分の遷移金属化
    合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる活性化助触
    媒を主成分として含有するオレフィン用重合触媒。
  7. 【請求項7】 (a)請求項1〜5のいずれかに記載の
    遷移金属化合物、(b)該(a)成分の遷移金属化合物
    と反応してイオン性の錯体を形成しうる活性化助触媒及
    び、(c)有機アルミニウムを主成分として含有するオ
    レフィン用重合触媒。
  8. 【請求項8】 (b)活性化助触媒が、(b−1)前記
    (a)成分の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体
    を形成するイオン性化合物、(b−2)アルミノキサ
    ン、(b−3)ルイス酸及び(b−4)粘土、粘土鉱物
    又はイオン交換性化合物から選ばれるいずれかである請
    求項6又は7記載のオレフィン重合用触媒。
  9. 【請求項9】 請求項6〜8のいずれかに記載のオレ
    フィン重合用触媒の存在下、オレフィン類を単独重合、
    又はオレフィン類と他のオレフィン類及び/又は他の単
    量体とを共重合させることを特徴とするオレフィン系重
    合体の製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項9記載のオレフィン系重合体の
    製造方法により得られるオレフィン系重合体。
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