JP2018145147A - 遷移金属化合物及びオレフィン系重合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】触媒活性が高く、より立体規則性の低い軟質なオレフィン系重合体を合成し得る遷移金属化合物触媒とオレフィン系重合体の製造方法の提供。【解決手段】式（ＩＶ）で表される化合物。（Ｘはσ結合性又はπ結合性の配位子；Ｙはルイス塩基；Ｙは他のＹやＸと架橋していてもよい；ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］；ｒは０〜３の整数；Ｒ１及びＲ２は夫々独立にＨ又ハロゲン、アルキル等；Ｒ３〜Ｒ１０はアルキル基。Ｍは周期表第３〜１０族又はランタノイド系列の金属元素；Ａ１〜Ａ４は夫々独立に第１４族（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ）からなる架橋基）【選択図】なし

Description

本発明は、遷移金属化合物及び該遷移金属化合物を触媒として用いたオレフィン系重合体の製造方法に関する。

従来、オレフィン系重合体の重合反応においては、遷移金属化合物および助触媒成分等を含有する重合触媒（例えばメタロセン触媒やチーグラー触媒等）が通常用いられてきた。
例えば、特許文献１には、特定の構造を有する遷移金属化合物、該遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、及び有機アルミニウム化合物を接触させてなるオレフィン類重合用触媒が開示されている。また、特許文献２には、特定の構造を有する遷移金属化合物、及び有機ホウ素化合物を含有する重合用触媒が開示されている。

特開２０００−２５６４１１号公報 国際公開第２００３／０９１２８９号

近年、立体規則性が従来よりも低く、軟質なポリオレフィン樹脂を得るための活性の高い触媒が求められている。しかし、特許文献１および２に記載の重合用触媒では、十分な触媒活性を示しつつ、さらにより立体規則性の低い重合体を与えるのは困難であった。

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、触媒活性が高く、より立体規則性の低いオレフィン系重合体を合成し得る遷移金属化合物、及び該遷移金属化合物を触媒として用いたオレフィン系重合体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、特定の構造を有する遷移金属化合物を用いることにより、上記課題を解決することを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。

すなわち、本願開示は、以下に関する。
［１］下記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の遷移金属化合物。




（式中、Ｘはσ結合性またはπ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合には複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙはルイス塩基を示しＹが複数ある場合、複数のＹは同一でも異なっていてもよい。また、Ｙは他のＹやＸと架橋していてもよい。ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、珪素含有基またはヘテロ原子含有基である。Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が水素原子である組み合わせ、又はＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である組み合わせである。なお、Ｒ^４とＲ^５、及びＲ^８とＲ^９は、それぞれ互いに結合して炭素数５〜８の置換もしくは無置換の環状構造を形成してもよい。Ｍは周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の金属元素である。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である。Ａ^１〜Ａ^４はそれぞれ独立に第１４族（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ）からなる架橋基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。）
［２］前記一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる、上記［１］に記載の遷移金属化合物。
［３］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である上記［１］又は［２］に記載の遷移金属化合物。
［４］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖のアルキル基である請求項上記［１］〜［３］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［５］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜４の直鎖のアルキル基である上記［１］〜［４］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［６］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜２のアルキル基である上記［１］〜［５］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［７］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９の少なくとも１つがメチル基である上記［１］〜［６］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［８］前記Ｒ^４とＲ^５、及び／又は前記Ｒ^８とＲ^９が同一の基である上記［１］〜［７］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［９］前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９がメチル基であり、前記Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、及びＲ^１０が水素原子である上記［１］〜［８］のいずれかに記載の遷移金属化合物。
［１０］上記［１］〜［９］のいずれかに記載の遷移金属化合物を用いることを特徴とするオレフィン系重合体の製造方法。
［１１］上記［１］〜［９］のいずれかに記載の遷移金属化合物、及び該遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうるホウ素化合物を含有する重合用触媒の存在下、オレフィン類を重合することを特徴とするオレフィン系重合体の製造方法。

本発明によれば、触媒活性が高く、より立体規則性の低いオレフィン系重合体を合成し得る遷移金属化合物、及び該遷移金属化合物を触媒として用いたオレフィン系重合体の製造方法を提供することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において、数値の記載に関する「Ａ〜Ｂ」という用語は、「Ａ以上Ｂ以下」（Ａ＜Ｂの場合）又は「Ａ以下Ｂ以上」（Ａ＞Ｂの場合）を意味する。また、本発明において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。

［遷移金属化合物］
本発明の遷移金属化合物は、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の遷移金属化合物である。当該遷移金属化合物は、後述するオレフィン系重合体の製造方法において特定の助触媒と組み合わせて用いることにより、触媒の活性を高く保ちつつ、より立体規則性の低いオレフィン系重合体を合成することができる。

式中、Ｘはσ結合性またはπ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合には複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙはルイス塩基を示しＹが複数ある場合、複数のＹは同一でも異なっていてもよい。また、Ｙは他のＹやＸと架橋していてもよい。ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、珪素含有基またはヘテロ原子含有基である。Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が水素原子である組み合わせ、又はＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である組み合わせである。なお、Ｒ^４とＲ^５、及びＲ^８とＲ^９は、それぞれ互いに結合して炭素数５〜８の置換もしくは無置換の環状構造を形成してもよい。Ｍは周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の金属元素である。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である。Ａ^１〜Ａ^４はそれぞれ独立に第１４族（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ）からなる架橋基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）においてＡ^１〜Ａ^４はそれぞれ第１４族（Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ）からなる架橋基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ^１〜Ａ^４としては、例えば、下記一般式（Ｖ）で表される架橋基が挙げられる。

（式中、ＥはＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを示し、Ｒ^１５及びＲ^１６はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基または炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水素基でそれらは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに結合して環を形成していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）

一般式（Ｖ）におけるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭素数１〜２０の炭化水素基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などのアルキル基や、ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセニル基などのアルケニル基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基；フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基などのアリール基が挙げられる。なかでもメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好ましい。炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水素基としては、前記炭化水素基にハロゲン原子が置換したハロゲン化炭化水素基が挙げられる。なかでもトリフルオロメチル基、トリクロロメチル基などハロゲン化アルキル基が好ましい。

一般式（Ｖ）における炭素原子からなる架橋基の具体例としては、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基、シクロヘキシリデン基等のアルキリデン基；１，１−シクロヘキシレン基、ビニリデン基が挙げられる。珪素原子からなる架橋基の具体例としては、メチルシリレン基、ジメチルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジ（ｎ−プロピル）シリレン基、ジ（ｉ−プロピル）シリレン基、ジ（シクロヘキシル）シリレン等のアルキルシリレン基；メチルフェニルシリレン基、エチルフェニルシリレン基等のアルキルアリールシリレン基；ジフェニルシリレン基、ジ（ｐ−トリル）シリレン基、ジ（ｐ−クロロフェニル）シリレン基等のアリールシリレン基が挙げられる。ゲルマニウム原子からなる架橋基の具体例としては、前記珪素原子からなる架橋基の珪素原子をゲルマニウム原子に置換したゲルミレン基が挙げられる。錫原子からなる架橋基の具体例としては、前記珪素原子からなる架橋基の珪素原子を錫原子に置換したスタニレン基が挙げられる。Ａ^１〜Ａ^４としては、炭素原子からなる架橋基または珪素原子からなる架橋基が好ましい。

Ｘはσ結合性またはπ結合性の配位子であり、Ｘが複数ある場合には複数のＸは同じでも異なっていてもよい。
σ結合性の配位子としては、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアミド基、炭素数１〜２０の珪素含有基、炭素数１〜２０のホスフィド基、炭素数１〜２０のスルフィド基、炭素数１〜２０のスルホキシド基及び炭素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。なかでもハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましい。ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基の具体例としては、前記と同様である。

炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基等が挙げられる。炭素数１〜２０のアミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロヘキシルアミド基、メチルエチルアミド基等のアルキルアミド基や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド基、ジシクロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミド基；ジベンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、フェニルプロピルアミド基などのアリールアルキルアミド基；ジフェニルアミド基、ジナフチルアミド基などのアリールアミド基が挙げられる。

炭素数１〜２０の珪素含有基としては、メチルシリル基、フェニルシリル基などのモノ炭化水素置換シリル基；ジメチルシリル基、ジフェニルシリル基などのジ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリルエーテル基などの炭化水素置換シリルエーテル基；トリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシリルエチル基などのケイ素置換アルキル基；トリメチルシリルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げられる。なかでもトリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシリルエチル基などが好ましい。

炭素数１〜２０のスルフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基や、ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントリルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。

炭素数１〜２０のスルホキシド基としては、メチルスルホキシド基、エチルスルホキシド基、プロピルスルホキシド基、ブチルスルホキシド基、ヘキシルスルホキシド基、シクロヘキシルスルホキシド基、オクチルスルホキシド基などのアルキルスルホキシド基や、ビニルスルホキシド基、プロペニルスルホキシド基、シクロヘキセニルスルホキシド基などのアルケニルスルホキシド基；ベンジルスルホキシド基、フェニルエチルスルホキシド基、フェニルプロピルスルホキシド基などのアリールアルキルスルホキシド基；フェニルスルホキシド基、トリルスルホキシド基、ジメチルフェニルスルホキシド基、トリメチルフェニルスルホキシド基、エチルフェニルスルホキシド基、プロピルフェニルスルホキシド基、ビフェニルスルホキシド基、ナフチルスルホキシド基、メチルナフチルスルホキシド基、アントラセニルスルホキシド基、フェナントリルスルホキシド基などのアリールスルホキシド基が挙げられる。

炭素数１〜２０のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オレオイル基等のアルキルアシル基、ベンゾイル基、トルオイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、ナフトイル基、フタロイル基等のアリールアシル基、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸からそれぞれ誘導されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル基等が挙げられる。

π結合性の配位子の具体例としては、炭素数４〜２０の共役ジエン結合を有する化合物、炭素数５〜２０の非共役ジエン結合を有する化合物などが挙げられる。炭素数４〜２０の共役ジエン結合を有する化合物としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、クロロプレン、１，３−ヘプタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３，５−ヘキサトリエン、１，３，６−ヘプタトリエン、ジフェニルブタジエン等が挙げられる。炭素数５〜２０の非共役ジエン結合を有する化合物としては、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘキサジエン等が挙げられる。

Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよい。また、Ｙは他のＹやＸと架橋していてもよい。また場合によっては、Ｙは前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）のシクロペンタジエニル環と架橋していてもよい。Ｙとしてはアミン、エーテル、ホスフィン、チオエーテルなどが挙げられる。
アミンとしては、炭素数１〜２０のアミンが挙げられ、具体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン等のアルキルアミンや、ビニルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルアミン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロヘキセニルアミンなどのアルケニルアミン；フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミンなどのアリールアルキルアミン；フェニルアミン、ジフェニルアミン、ジナフチルアミンなどのアリールアミンが挙げられる。

エーテルとしては、メチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、イソアミルエーテル等の脂肪族単一エーテル化合物；メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、メチル−ｎ−アミルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチル−ｎ−アミルエーテル、エチルイソアミルエーテル等の脂肪族混成エーテル化合物；ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエーテル等の脂肪族不飽和エーテル化合物；アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、α−ナフチルエーテル、β−ナフチルエーテル等の芳香族エーテル化合物、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等の環式エーテル化合物が挙げられる。

ホスフィンとしては、炭素数１〜２０のホスフィンが挙げられる。具体的には、メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、オクチルホスフィンなどのモノ炭化水素置換ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジオクチルホスフィンなどのジ炭化水素置換ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィンなどのトリ炭化水素置換ホスフィン等のアルキルホスフィンや、ビニルホスフィン、プロペニルホスフィン、シクロヘキセニルホスフィンなどのモノアルケニルホスフィンやホスフィンの水素原子をアルケニルが２個置換したジアルケニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルケニルが３個置換したトリアルケニルホスフィン；ベンジルホスフィン、フェニルエチルホスフィン、フェニルプロピルホスフィンなどのアリールアルキルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアリールまたはアルケニルが３個置換したジアリールアルキルホスフィンまたはアリールジアルキルホスフィン；フェニルホスフィン、トリルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、プロピルフェニルホスフィン、ビフェニルホスフィン、ナフチルホスフィン、メチルナフチルホスフィン、アントラセニルホスフィン、フェナントリルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが２個置換したジ（アルキルアリール）ホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが３個置換したトリ（アルキルアリール）ホスフィンなどのアリールホスフィンが挙げられる。チオエーテルとしては、前記のスルフィドが挙げられる。

ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数である。

Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、珪素含有基またはヘテロ原子含有基を示す。
ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭素数１〜２０の炭化水素基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、オクチル基などのアルキル基や、フェニル基、ナフチル基などのアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基；トリル基、キシリル基などのアルキルアリール基などが挙げられる。
炭素数１〜２０の炭化水素基が有することのある置換基としては、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

珪素含有基としては、炭素数１〜２０の珪素含有基が挙げられ、具体的には、トリメチルシリル基、トリメチルシリルメチル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。ヘテロ原子含有基としては、炭素数１〜２０のヘテロ原子含有基が挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの窒素含有基や、フェニルスルフィド基、メチルスルフィド基等の硫黄含有基；ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基などの燐含有基；メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などの酸素含有基などが挙げられる。なかでも、ハロゲン、酸素、珪素等のヘテロ原子を含有する基が、重合活性が高く好ましい。

Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が水素原子である組み合わせ、又はＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である組み合わせである。
なお、活性と規則性制御の観点から、Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖のアルキル基であることがより好ましい。
また、Ｒ^４とＲ^５、及びＲ^８とＲ^９は、それぞれ互いに結合して炭素数５〜８の置換もしくは無置換の環状構造を形成してもよい。

置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、イソオクチル基、ｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル等が挙げられる。
炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基が有することのある置換基としては、メチル基、エチル基、ブチル基等が挙げられる。

前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）において、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９は、触媒活性を高め、規則性を低下させる観点から、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であることが好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖のアルキル基であることがより好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜４の直鎖のアルキル基であることが更に好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜２のアルキル基であることがより更に好ましい。
また、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９の少なくとも１つがメチル基であることが触媒活性を高める観点から好ましい。

また、Ｒ^４とＲ^５、及び／又はＲ^８とＲ^９が同一の基であることが規則性を均一に制御する観点から好ましい。

前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）において、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９がメチル基であり、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、及びＲ^１０が水素原子である遷移金属化合物は、後述するオレフィン系重合体の製造方法において特定の助触媒と組み合わせて用いた場合、触媒活性が高く、より立体規則性の低いオレフィン系重合体を合成することができ好ましい。

Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である。具体例としては、前記Ｒ^３〜Ｒ^１０の置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基として挙げたものと同じものが挙げられる。

Ｍは周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の金属元素を示し、具体例を例示すれば、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、クロム、マンガン、ニッケル、コバルト、パラジウムおよびランタノイド系金属などが挙げられる。Ｍとしては、周期律表第４族の金属元素が、活性が高くなるので好ましい。

本発明の遷移金属化合物としては、前記一般式（ＩＶ）で表される二重架橋型の遷移金属化合物が好ましく、一典型例を挙げれば、〔式中、Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ炭素原子または珪素原子からなる架橋基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｘはσ結合性またはπ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合には複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙはルイス塩基を示しＹが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよい。またＹは他のＹやＸと架橋していてもよい。ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はハロゲン、酸素、珪素等のヘテロ原子を含有する基を示す。Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が水素原子である組み合わせ、又はＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である組み合わせである。なお、Ｒ^４とＲ^５、及びＲ^８とＲ^９は、それぞれ互いに結合して炭素数５〜８の置換もしくは無置換の環状構造を形成してもよい。Ｍは周期律表第４族の金属元素である。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である。〕が挙げられる。

前記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物の具体例として周期律表第４族の例を示せば、ビス（２−フェニル−１，４，７−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−フェニル−１，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−フェニル−１，３，４，７−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（２−フェニル−１，３，５，６−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１，２，３，４，７−ペンタメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１，２，３，５，６−ペンタメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２，３，４，７−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２，３，５，６−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２−フェニル−４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２−フェニル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２−フェニル−３，４，７−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−トリメチルシリルメチル−２−フェニル−３，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−エチル−２−フェニル−４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ビス（１−エチル−２−フェニル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド等が挙げられる。

前記一般式（ＩＩ）で表される遷移金属化合物の具体例として周期律表第４族の例を示せば、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，５，６−トリメチルインデニル）（１’，５’，６’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，３，４，７−テトラメチルインデニル）（１’，３’，４’，７’−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）ビス（２−トリメチルシリルメチル−３，４，７−トリメチルインデニル）（１’−トリメチルシリルメチル−３’，４’，７’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（３−トリメチルシリルメチル−２，５，６−トリメチルインデニル）（１’−トリメチルシリルメチル−３’，５’，６’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（３−トリメチルシリルメチル−２，５，６−トリメチルインデニル）（３’−トリメチルシリルメチル−１’，５’，６’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，３，５，６−テトラメチルインデニル）（１’，３’，５’，６’−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，４，７−トリメチルインデニル）（３’，４’，７’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（３−エチル−２，４，７−トリメチルインデニル）（１’−エチル−３’，４’，７’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（３−エチル−２，５，６−トリメチルインデニル）（１’−エチル−３’，５’，６’−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド等が挙げられる。

前記一般式（ＩＩＩ）で表される遷移金属化合物の具体例として周期律表第４族の例を示せば、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（２，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−２，４，７−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（２−トリメチルシリルメチル−３，４，７−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−２，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（２−トリメチルシリルメチル−３，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（２，３，５，６−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（２，３，４，７−テトラメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−２，４，７−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ｒａｃ−（１，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−２，５，６−トリメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド等が挙げられる。

前記一般式（ＩＶ）で表される遷移金属化合物の具体例として周期律表第４族の例を示せば、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−エチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−プロピル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−ｎ−ブチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ネオペンチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロペンチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロペンチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド等が挙げられる。中でも、触媒活性を高める観点から、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロペンチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、(１，２’−ジメチルシリレン)(１，２’−ジメチルシリレン)ビス(３−エチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリドが好ましく、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリドがより好ましい。

［オレフィン系重合体の製造方法］
本発明のオレフィン系重合体の製造方法は、前述の遷移金属化合物（（Ａ）成分）を用いることを特徴とする。特に、前述の遷移金属化合物（（Ａ）成分）、及び該遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうるホウ素化合物（（Ｂ）成分）を含有する重合用触媒の存在下、オレフィン類を重合することを特徴とする。
本発明では、重合用触媒として、上記（Ａ）成分と上記（Ｂ）成分とを組み合わせて用いることにより、触媒活性を好ましくは３０００ｋｇＰＰ／ｇＺｒ以上、より好ましくは５０００ｋｇＰＰ／ｇＺｒ以上、更に好ましくは６０００ｋｇＰＰ／ｇＺｒ以上とすることができる。

遷移金属化合物としては、［遷移金属化合物］の項で説明したものを用いることができる。
前述の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうるホウ素化合物としては、複数の基がホウ素に結合したアニオンとカチオンとからなる配位錯化合物を挙げることができる。
複数の基がホウ素に結合したアニオンとカチオンとからなる配位錯化合物としては様々なものがあるが、例えば、一般式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される化合物を好ましく用いることができる。
（［Ｌ^１−Ｈ］^ｓ＋）_ｔ（［ＢＺ^１Ｚ^２Ｚ^３Ｚ^４］⁻）_１・・・（ＶＩ）
（［Ｌ^２］^ｓ＋）_ｔ（［ＢＺ^１Ｚ^２Ｚ^３Ｚ^４］⁻）_１・・・（ＶＩＩ）
〔式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）中、Ｌ^２は後述のＭ^１、Ｒ^１７Ｒ^１８Ｍ^２又はＲ^１９ _３Ｃであり、Ｌ^１はルイス塩基、Ｍ^１は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれる金属、Ｍ^２は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金属、Ｚ^１〜Ｚ^４はそれぞれ水素原子、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、置換アルキル基、有機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。
Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれシクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ^１９はアルキル基を示す。
ｓはＬ^１−Ｈ、Ｌ^２のイオン価数で１〜７の整数、ｔは１以上の整数、ｌ＝ｔ×ｓ）である。〕

Ｍ^１は周期律表の１族及び８族〜１２族から選ばれる金属、具体例としてはＡｇ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｌｉなどの各原子、Ｍ^２は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金属、具体例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの各原子が挙げられる。
Ｚ^１〜Ｚ^４の具体例としては、例えば、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基など、アルコキシ基としてメトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基など、アリールオキシ基としてフェノキシ基、２，６−ジメチルフェノキシ基、ナフチルオキシ基など、炭素数１〜２０のアルキル基としてメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基など、炭素数６〜２０のアリール基、アルキルアリール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基、ｐ−トリル基、ベンジル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基、４−ターシャリ−ブチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、１，２−ジメチルフェニル基など、ハロゲンとしてＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、有機メタロイド基としてテトラメチルアンチモン基、トリメチルシリル基、トリメチルゲルミル基、ジフェニルアルシン基、ジシクロヘキシルアンチモン基、ジフェニル硼素基などが挙げられる。
Ｒ^１７及びＲ^１８のそれぞれで表される置換シクロペンタジエニル基の具体例としては、メチルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基などが挙げられる。

本発明において、複数の基がホウ素に結合したアニオンとしては、具体的には、Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６ＨＦ_４）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_２Ｆ_３）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_３Ｆ_２）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_４Ｆ）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６ＣＦ_３Ｆ_４）_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_４ ⁻、ＢＦ_４ ⁻などが挙げられる。
また、金属カチオンとしては、Ｃｐ_２Ｆｅ^＋、（ＭｅＣｐ）_２Ｆｅ^＋、（ｔＢｕＣｐ）_２Ｆｅ^＋、（Ｍｅ_２Ｃｐ）_２Ｆｅ^＋、（Ｍｅ_３Ｃｐ）_２Ｆｅ^＋、（Ｍｅ_４Ｃｐ）_２Ｆｅ^＋、（Ｍｅ_５Ｃｐ）_２Ｆｅ^＋、Ａｇ^＋、Ｎａ^＋、Ｌｉ^＋などが挙げられ、又、その他カチオンとしては、ピリジニウム、２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウム、ジフェニルアンモニウム、ｐ−ニトロアニリニウム、２，５−ジクロロアニリニウム、ｐ−ニトロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム、キノリニウム、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムなどの窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウム、トリ（４−メチルフェニル）カルベニウム、トリ（４−メトキシフェニル）カルベニウムなどのカルベニウム化合物、ＣＨ_３ＰＨ_３ ^＋、Ｃ_２Ｈ_５ＰＨ_３ ^＋、Ｃ_３Ｈ_７ＰＨ_３ ^＋、（ＣＨ_３）_２ＰＨ_２ ^＋、（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＰＨ_２ ^＋、（Ｃ_３Ｈ_７）_２ＰＨ_２ ^＋、（ＣＨ_３）_３ＰＨ^＋、（Ｃ_２Ｈ_５）_３ＰＨ^＋、（Ｃ_３Ｈ_７）_３ＰＨ^＋、（ＣＦ_３）_３ＰＨ^＋、（ＣＨ_３）_４Ｐ^＋、（Ｃ_２Ｈ_５）_４Ｐ^＋、（Ｃ_３Ｈ_７）_４Ｐ^＋などのアルキルフォスフォニウムイオン、及びＣ_６Ｈ_５ＰＨ_３ ^＋、（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＰＨ_２ ^＋、（Ｃ_６Ｈ_５）_３ＰＨ^＋、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｐ^＋、（Ｃ_２Ｈ_５）_２（Ｃ_６Ｈ_５）ＰＨ^＋、（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＰＨ_２ ^＋、（ＣＨ_３）_２（Ｃ_６Ｈ_５）ＰＨ^＋、（Ｃ_２Ｈ_５）_２（Ｃ_６Ｈ_５）_２Ｐ^＋などのアリールフォスフォニウムイオンなどが挙げられる。
本発明においては、上記金属カチオンとアニオンの任意の組み合わせによる配位錯化合物が挙げられる。

一般式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）の化合物の中で、具体的には、下記のものを特に好ましく用いることができる。
一般式（ＶＩ）の化合物としては、例えば、テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム、テトラフェニル硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウム、テトラフェニル硼酸トリメチルアンモニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリエチルアンモニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウム、ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムなどが挙げられる。
一方、一般式（ＶＩＩ）の化合物としては、例えば、テトラフェニル硼酸フェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸デカメチルフェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸アセチルフェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフェロセニウム、テトラフェニル硼酸銀、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸銀、テトラフェニル硼酸トリチル、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリチル、テトラフルオロ硼酸銀などが挙げられる。
好ましい配位錯化合物としては、非配位性アニオンと置換トリアリールカルベニウムとからなるものであって、該非配位性アニオンとしては、例えば、一般式（ＶＩＩＩ）
（ＢＺ^１Ｚ^２Ｚ^３Ｚ^４）⁻ ・・・（ＶＩＩＩ）
［式中、Ｚ^１〜Ｚ^４はそれぞれ水素原子、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基（ハロゲン置換アリール基を含む）、アルキルアリール基、アリールアルキル基、置換アルキル基及び有機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。］
で表される化合物を挙げることができる。

一方、置換トリアリールカルベニウムとしては、例えば一般式（ＩＸ）
〔ＣＲ^２０Ｒ^２１Ｒ^２２〕^＋・・・（ＩＸ）
で表わされる化合物を挙げることができる。
一般式（ＩＸ）におけるＲ^２０、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれフェニル基、置換フェニル基、ナフチル基及びアントラセニル基などのアリール基であって、それらは互いに同一であっても、異なっていてもよいが、その中の少なくとも一つは、置換フェニル基、ナフチル基又はアントラセニル基である。

該置換フェニル基は、例えば、一般式（Ｘ）
Ｃ_６Ｈ_５−ｋＲ^２３ _ｋ・・・（Ｘ）
で表わすことができる。
一般式（Ｘ）におけるＲ^２３は、炭素数１〜１０のヒドロカルビル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、チオアルコキシ基、チオアリーロキシ基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基及びハロゲン原子を示し、ｋは１〜５の整数である。
ｋが２以上の場合、複数のＲ^２３は同一であってもよく、異なっていてもよい。

一般式（ＶＩＩＩ）で表される非配位性アニオンの具体例としては、テトラ（フルオロフェニル）ボレート、テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラ（トルイル）ボレート、テトラ（キシリル）ボレート、（トリフェニル，ペンタフルオロフェニル）ボレート、〔トリス（ペンタフルオロフェニル），フェニル〕ボレート、トリデカハイドライド−７，８−ジカルバウンデカボレートなどを挙げることができる。

また、一般式（ＩＸ）で表される置換トリアリールカルベニウムの具体例としては、トリ（トルイル）カルベニウム、トリ（メトキシフェニル）カルベニウム、トリ（クロロフェニル）カルベニウム、トリ（フルオロフェニル）カルベニウム、トリ（キシリル）カルベニウム、〔ジ（トルイル），フェニル〕カルベニウム、〔ジ（メトキシフェニル），フェニル〕カルベニウム、〔ジ（クロロフェニル），フェニル〕カルベニウム、〔トルイル，ジ（フェニル）〕カルベニウム、〔メトキシフェニル，ジ（フェニル）〕カルベニウム、〔クロロフェニル，ジ（フェニル）〕カルベニウムなどが挙げられる。
前記（Ａ）成分／（Ｂ）成分の使用割合（モル比）は、好ましくは１／１００〜１／１、より好ましくは１／１０〜１／１である。

重合用触媒の調製方法としては、特に制限はなく、従来公知の方法を利用することができる。例えば、重合溶媒に前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分を同時に加えて混合してもよいし、重合溶媒に前記（Ａ）成分を加えた後、前記（Ｂ）成分を加えて混合してもよい。また、上記重合用触媒は、重合反応容器中に各成分を加えてそこで調製してもよく、あらかじめ別の容器中で各成分を混合して触媒溶液を調製し、得られた触媒溶液を重合反応容器に加えて重合反応を行ってもよい。

重合溶媒としては、特に制限はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン及びエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリン、テトラリンなどの脂環式炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン及びオクタンなどの脂肪族炭化水素、クロロホルム及びジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素などが挙げられ、トルエン、キシレン、デカリンが好ましい。
これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。また、重合に用いるα−オレフィン等の単量体を溶媒として用いてもよい。

本発明で用いるオレフィン類としては、特に制限はないが、炭素数２〜２０のα−オレフィンが好ましい。該α−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、４−フェニル−１−ブテン、６−フェニル−１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、４−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、５−メチル−１−ヘキセン、３,３−ジメチル−１−ペンテン、３,４−ジメチル−１−ペンテン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、ビニルシクロヘキサン等のα−オレフィン類、１,３−ブタジエン、１,４−ペンタジエン、１,５−ヘキサジエン等のジエン類、ヘキサフルオロプロペン、テトラフルオロエチレン、２−フルオロプロペン、フルオロエチレン、１,１−ジフルオロエチレン、３−フルオロプロペン、トリフルオロエチレン、３，４−ジクロロ−１−ブテン等のハロゲン置換α−オレフィン、シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５,６−ジメチルノルボルネン、５−ベンジルノルボルネン等の環状オレフィン類、スチレン系としては、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−プロピルスチレン、ｐ−イソプロピルスチレン、ｐ−ブチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−フェニルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｏ−プロピルスチレン、ｏ−イソプロピルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｍ−イソプロピルスチレン、ｍ−ブチルスチレン、メシチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン等のアルキルスチレン類、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン等のアルコキシスチレン類、p−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｐ−フルオロスチレン、ｍ−フルオロスチレン、ｏ−フルオロスチレン、ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチレン等のハロゲン化スチレン、更にはトリメチルシリルスチレン、ビニル安息香酸エステル、ジビニルベンゼン等が挙げられる。中でも、プロピレンが好ましく用いられる。
また、上述した他のオレフィン類についても、上記オレフィン類の中から適宜選定すればよい。

本発明においては、上記オレフィン類は単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。２種以上のオレフィンの共重合を行う場合、上記オレフィン類を任意に組み合わせることができる。

また、本発明においては、上記オレフィン類と他の単量体とを共重合させてもよく、この際用いられる他の単量体としては、例えばブタジエン、イソプレン、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘキサジエンなどの鎖状ジオレフィン類、ノルボルネン、１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ノルボルネン等の多環状オレフィン類、ノルボルナジエン、５−エチリデンノルボルネン、５−ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエンなどの環状ジオレフィン類、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチルなどの不飽和エステル類などを挙げることができる。

オレフィン類を重合させる方法については特に制限はなく、スラリー重合法、溶液重合法、気相重合法、塊状重合法、懸濁重合法など、任意の重合法を採用することができる。

重合温度は、通常、−１００〜２５０℃であり、−５０〜２００℃が好ましく、０〜１３０℃がより好ましい。
重合圧力は、常圧〜２０ＭＰａ（ｇａｕｇｅ）が好ましく、常圧〜１０ＭＰａ（ｇａｕｇｅ）がより好ましい。
重合時間は、５分〜１５時間が好ましい。

さらに、オレフィン系重合体の分子量の調節方法としては、各成分の種類、使用量及び重合温度の選択、更には、水素存在下での重合などが挙げられる。

本発明のオレフィン系重合体の製造方法では、前記（Ａ）成分の濃度は０．００１〜５００μｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。この範囲内であることで良好な活性が得られる。当該観点から（Ａ）成分の濃度は０．００５〜２５０μｍｏｌ／Ｌがより好ましく０．０１〜１００μｍｏｌ／Ｌがさらに好ましい。なお、ここで（Ａ）成分の濃度とは、重合液中の（Ａ）成分の濃度のことをいう。したがって、溶媒と液体の単量体を用いる反応系の場合はこれらの合計量に対する（Ａ）成分の量であり、溶媒を用いずに液体の単量体を反応させるときは液体の単量体に対する（Ａ）成分の量であり、溶媒を用いて気体の単量体を反応させるときは溶媒に対する（Ａ）成分の量を表す。

さらに、本発明のオレフィン系重合体の製造方法では、上記重合用触媒を用いた予備重合又は該触媒を調製する過程で予備重合を行うことが好ましい。この予備重合は、該触媒又は調製中の該触媒に少量のオレフィンを接触させて行うことができ、この場合の反応温度は、−２０〜１００℃が好ましく、−１０〜７０℃がより好ましく、０〜５０℃が更に好ましい。また、この予備重合に際して用いる溶媒としては、前記重合溶媒から選ばれる溶媒を用いるのが好ましく、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素がより好ましい。この予備重合を無溶媒で行うこともできる。該触媒中の遷移金属成分１ミリモルあたり予備重合生成物の量が、１〜１００００ｇが好ましく、１０〜１０００ｇとなるように条件を調整することがより好ましい。

本発明のオレフィン系重合体の製造方法によれば、立体規則性を下げることができるため、引張弾性率の低い柔らかいオレフィン系重合体を高収率で得ることができる。なお、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］を、好ましくは２２％以上、より好ましくは２５％以上、更に好ましくは２８％以上、そして好ましくは４４％以下、より好ましくは４３％以下、更に好ましくは４２％以下とすることで、弾性回復率に優れたオレフィン系重合体を得るができる。また、得られるオレフィン系重合体のデカリン中１３５℃にて測定した極限粘度[η]は、好ましくは０．０８〜１．５ｄＬ／ｇ、より好ましくは０．３〜１．２ｄＬ／ｇ、さらに好ましくは０．３〜１．０ｄＬ／ｇである。
なお、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］及び極限粘度[η]は、実施例に記載の方法により測定することができる。

次に実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

［測定方法］
下記実施例及び比較例における各測定値は、下記の方法を用いて測定した。なお、結果を表１−１及び表１−２に示す。
〔極限粘度 [η]〕
株式会社離合社製ＶＭＲ−０５３型自動粘度計を用い、デカリン溶媒中１３５℃において測定した。

〔ＮＭＲ測定〕
以下に示す装置および条件で、^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルの測定を行った。なお、ピークの帰属は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）等により「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）」で提案された方法に従った。
装置：日本電子（株）製、「ＪＮＭ−ＥＸ４００型^１３Ｃ−ＮＭＲ装置」
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２２０ｍｇ／ｍＬ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回

＜計算式＞
Ｍ＝ｍ／Ｓ×１００
Ｒ＝γ／Ｓ×１００
Ｓ＝Ｐββ＋Ｐαβ＋Ｐαγ
Ｓ：全プロピレン単位の側鎖メチル炭素原子のシグナル強度
Ｐββ：１９．８〜２２．５ｐｐｍ
Ｐαβ：１８．０〜１７．５ｐｐｍ
Ｐαγ：１７．５〜１７．１ｐｐｍ
γ：ラセミペンタッド連鎖：２０．７〜２０．３ｐｐｍ
ｍ：メソペンタッド連鎖：２１．７〜２２．５ｐｐｍ

メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）等により「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，６，９２５（１９７３）」で提案された方法に準拠して求めたものであり、^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルのメチル基のシグナルにより測定されるポリプロピレン分子鎖中のペンタッド単位でのメソ分率である。なお、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が大きくなると、立体規則性が高くなる。

さらに、上記の^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルの測定結果から、下記式にて２，１−結合分率、及び３，１−結合分率を算出した。
＜プロピレン系重合体＞
２，１−結合分率＝［（Ａ＋Ｂ）／２］／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）×１００（モル％）
３，１−結合分率＝（Ｄ／２）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）×１００（モル％）
Ａ：１５〜１５．５ｐｐｍの積分値
Ｂ：１７〜１８ｐｐｍの積分値
Ｃ：１９．５〜２２．５ｐｐｍの積分値
Ｄ：２７．６〜２７．８ｐｐｍの積分値

［実施例１：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１〕の合成］
２−ブロモ−４，７−ジメチルインデンは文献（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ 2000， 19， 5464-5470）に従って合成した。
３００ｍＬ二口フラスコにマグネシウム片１．７０ｇ（６９．８ｍｍｏｌ)及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍＬを投入し、次いで、１，２−ジブロモエタン０．２ｍＬを滴下し、５分間撹拌した。ここにＴＨＦ６０ｍＬに溶解させた２−ブロモ−４，７−ジメチルインデン７．４ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を室温（２５℃）で終夜撹拌した後、溶媒を留去し、ヘキサン５００ｍＬを用いて２回抽出する事でジメチルビス（４，７−ジメチルインデン−２−イル）シランを黄白色固体として得た（１０．８ｇ，３１．２ｍｍｏｌ，収率９４％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．５１（６Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２），２．３５，２．４７（６Ｈ，−ＣＨ_３），３．３９（４Ｈ，−ＣＨ_２−），７．３２（２Ｈ，−ＣＨ＝），６．９４，７．０３（４Ｈ，−ＡｒＨ）であった。

ジメチルビス（４，７−ジメチルインデン−２−イル）シラン６．６ｇ(２０．６ｍｍｏｌ)をジエチルエーテル１００ｍＬに溶解させ、氷浴で冷却し、次いで、ｎ−ブチルリチウム（ヘキサン溶液２．６５Ｍ，１６．３ｍＬ，４３．２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温（２５℃）で６時間撹拌後、沈殿物を濾別し、減圧乾燥した。減圧乾燥後の沈殿物にＴＨＦ１００ｍＬを加え氷浴で冷却し、ジクロロジメチルシラン２．５ｍＬ(２０．６ｍｍｏｌ)を添加した。次いで、８０℃で２時間加熱し、溶媒を留去後、ジクロロメタン１００ｍＬを加え有機層を水５０ｍＬで洗浄した。有機層を乾燥後、溶媒を留去することで(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(４，７-ジメチルインデン)４．０ｇを白色固体として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ−０．６４（６Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２），−０．７６（６Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２），２．５２,２．４７（１２Ｈ，−ＣＨ_３），３．８３（２Ｈ，−ＣＨ−），６．９６，６．９９（４Ｈ，−ＡｒＨ），７．４２（２Ｈ，−ＣＨ＝）であった。

この固体４．０ｇにジエチルエーテル８０ｍＬを加え、氷浴で冷却し、次いで、ｎ−ブチルリチウム（２．６５Ｍ，８．０ｍＬ，２１．２ｍｍｏｌ）を滴下した。生成した黄白色沈殿を濾別し、減圧下乾燥後トルエン３０ｍＬに懸濁させた。ここに四塩化ジルコニウム２．３ｇ(９．９ｍｍｏｌ)のトルエン２０ｍＬ懸濁液を０℃で添加し、室温（２５℃）で４時間撹拌後、溶媒を留去しジクロロメタン５０ｍＬで抽出した。得られた黄色溶液を濃縮後−２０℃に冷やすと黄色固体として(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(４，７-ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリドを１．５５ｇ得た（収率２８％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９２，１．０７（６Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２），２.２７，２．５２（６Ｈ，−ＣＨ_３），７．１９（２Ｈ，−ＣＨ＝），６．８７，６．９９（４Ｈ，−ＡｒＨ）であった。

［実施例２：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ２〕の合成］
(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(４，７−ジメチルインデン)４．０ｇ(１０．１ｍｍｏｌ)にジエチルエーテル８０ｍＬを加え、氷浴で冷却し、次いで、ｎ−ブチルリチウム（２．６５Ｍ，８．０ｍＬ，２１．２ｍｍｏｌ）を滴下した。生成した黄白色沈殿を濾別し減圧乾燥後、この固体をＴＨＦ７０ｍＬに溶解させた。この溶液にヨウ化メチルトリメチルシラン３．０ｍＬ(２０．２ｍｍｏｌ)を滴下し室温（２５℃）で４時間撹拌した。反応混合物から溶媒を留去後、該反応混合物にジエチルエーテル２００ｍＬを加えて抽出し、有機層を水５０ｍＬで洗浄した。有機層を乾燥後、溶媒を留去することで、(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−４，７−ジメチルインデン)５．１２ｇを白色固体として得た（収率８８％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ−０．５０（１８Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３），０．５５，０．６３（１２Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−），２．４３，２．６４（１２Ｈ，−ＣＨ_３），３．７５（２Ｈ，−ＣＨ−），６．８９，７．０３（４Ｈ，−ＡｒＨ）であった。

(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−４，７−ジメチルインデン)５．１２ｇ(８．９ｍｍｏｌ)にジエチルエーテル８０ｍＬを加え、−２０℃でｎ−ブチルリチウム(２．６５Ｍ，８．１ｍＬ、ジメチルシリレンビス（４，７−ジメチルインデン）２１．５ｍｍｏｌ)を滴下した。室温（２５℃）で３時間撹拌後、沈殿を濾別、減圧下で乾燥した。この固体をトルエン４０ｍＬに懸濁させ、トルエン１５ｍＬに懸濁させた四塩化ジルコニウム１．１ｇ(４．７ｍｍｏｌ)を０℃で添加した。次いで、室温（２５℃）で４時間撹拌後溶媒を留去し、ヘキサン５０ｍＬを用いて２回抽出した。抽出液の溶媒を留去すると黄橙色の固体が１．０ｇ得られた（収率２９％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ−０．１６（１８Ｈ，−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３），０．９４，１．０５（１２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ_３），２．３０，２．６０（１２Ｈ，−ＣＨ_３），２．４４，３.０５（４Ｈ，−ＣＨ_２−Ｓｉ），６．７６，６．９３（４Ｈ，−ＡｒＨ）であった。

［実施例３：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ３〕の合成］
（３−０）５，６−ジメチル−１−インダノンの合成
５００ｍＬ三口フラスコに塩化アルミニウム１５０ｇ（１１２５ｍｏｌ）とジクロロメタン４５０ｍＬを入れ、次いで、ｏ−キシレン６０．３ｍＬ（５００ｍｍｏｌ）と３−クロロプロピオニルクロリド４７．７ｍＬ（５００ｍｍｏｌ）の混合物を室温（２５℃）で1時間かけて滴下した。反応混合物を室温（２５℃）で３時間撹拌した後、該反応混合物を氷水５００ｇと濃塩酸５０ｍＬの混合液に投入した。次いで、反応混合物をジクロロメタン５００ｍＬで抽出し、水、ブラインで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、（３−クロロ−１−（３，４−ジメチルフェニル）−プロパン−１−オン（９４．４ｇ，４８０ｍｍｏｌ）を得た（収率９６％）。
三口フラスコに濃硫酸４８０ｍＬをとり、室温（２５℃）で３−クロロ−１−（３，４−ジメチルフェニル）−プロパン−１−オン（９４．４ｇ，４８０ｍｍｏｌ）を滴下した。９０℃で４時間撹拌した後、反応混合物を冷却し、次いで、氷水１０００ｇに投入した。反応混合物をトルエン５００ｍＬで抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、ブラインで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで、濾過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をヘキサン２５００ｍＬに溶解、濾過し、４℃で結晶化することにより５，６−ジメチル−１−インダノン１４．２ｇを得た（収率１９％）。

（３−１）５，６−ジメチルインデンの合成
５，６−ジメチル−１−インダノン２５．０ｇ(１５６．０ｍｍｏｌ)を脱水メタノール２００ｍＬに溶解させ、ウォーターバスで３５℃に温めた後、ここに水素化ホウ素ナトリウム５．９ｇ(１５６．０ｍｍｏｌ)を固体のまま少しずつ添加した。添加終了後、６０℃で２時間撹拌し、室温（２５℃）まで冷却した後５％塩酸３５０ｍＬを加え加水分解した。次いで、反応混合物をジエチルエーテル５００ｍＬで抽出後、分液し有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに、溶媒を留去することにより、５，６−ジメチル−１−インダノールをベージュ色固体として２４．６６ｇ得た（収率９９％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ１．９１,２．４４，２．７４，２．９８（ｍ，−ＣＨ_２ＣＨ_２−，４Ｈ）；２．２６（ｓ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；５．１８（ｓ，−ＣＨ−，１Ｈ），７．０３，７．１８（ｓ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。
得られた５，６−ジメチル−１−インダノール２４．６６ｇにトルエン２２５ｍＬを加え、ｐ−トルエンスルホン酸・ピリジニウム塩１．６ｇを加え、この混合物を２．５時間加熱還流し、放冷後、水洗し有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、トルエンを留去することで、５，６−ジメチルインデンを褐色オイルとして１８．３９ｇ得た（収率８１％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ２．３０（ｓ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；３．３３（ｓ，−ＣＨ_２−，２Ｈ），６．４６，６．８１（ｍ，−ＣＨ＝，２Ｈ），７．１９，７．２４（ｓ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。

（３−２）５，６−ジメチル−２−ブロモインデンの合成
５，６−ジメチルインデン３７．０２ｇ(２５６．７ｍｍｏｌ)にジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２００ｍＬと水９．４ｍＬを加えた。この混合物にＮ−ブロモスクシンイミド４５．８ｇを固体のまま少しずつ添加し、終夜撹拌した後、水２００ｍＬを加えジエチルエーテル５００ｍＬで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを留去することで５，６−ジメチル−２−ブロモ−１−インダノールを褐色固体として５６．０４ｇ(２３２．４ｍｍｏｌ)得た(収率９１％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ２．２８（ｓ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；３．１４，３.４９（ｍ，−ＣＨ_２ＣＨ_２−，４Ｈ），４．２４（ｍ，−ＣＨ（Ｂｒ）−，１Ｈ）；５．２５（ｍ，−ＣＨ−，１Ｈ），６．９９，７．１１（ｓ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。
得られた５，６−ジメチル−２−ブロモ−１−インダノール５６．０４ｇ（２３２．４ｍｍｏｌ）をトルエン６００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸４．５ｇを加えて加熱還流し、次いで、３時間加熱後トルエンを減圧下で留去すると、黒褐色の固体が得られた。この固体をヘキサンから再結晶化することにより５，６−ジメチル−２−ブロモインデンを褐色粉末として２４．８９ｇ得た（収率４６％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ２．２６（ｓ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；３．５２（ｓ，−ＣＨ_２−，２Ｈ），６．８３（ｓ，−ＣＨ＝，１Ｈ），７．０７，７．１３（ｓ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。

（３−３）（１，２’−ジメチルシリレン）(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(５，６−ジメチルインデン)の合成
ＴＨＦ１００ｍＬに懸濁させたマグネシウム片５．３ｇを１，２−ジブロモエタン０．２ｍＬで活性化した。ここに５，６−ジメチル−２−ブロモインデン２４．８９ｇ(１０６．８ｍｍｏｌ)のＴＨＦ１００ｍＬ溶液をゆっくり添加し、室温（２５℃）で２時間撹拌後、０℃でジクロロジメチルシラン６．４ｍＬ(５３．４ｍｍｏｌ)を加えた。さらに室温（２５℃）で４時間撹拌後、減圧下でＴＨＦを留去した。次いで、反応混合物を、ヘキサン１５０ｍＬを用いて４回抽出し、溶媒を留去することにより、ジメチルビス(５，６−ジメチルインデン−２−イル)シランを白色固体として１８．４ｇ得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．４４（ｓ，Ｓｉ―ＣＨ_３，６Ｈ）；２．３２（s，−ＣＨ_３，１２Ｈ）；３．４１（ｍ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．２１，７．２４，７．３０（ｍ，−ＣＨ＝，Ａｒ−Ｈ，６Ｈ）であった。
得られたジメチルビス(５，６−ジメチルインデン−２−イル)シラン１８．４ｇ(５３．４ｍｍｏｌ)にジエチルエーテル１２０ｍＬを加え−２０℃でｎ−ブチルリチウム(２．６６Ｍ)のヘキサン溶液を４２．２ｍＬ滴下し、次いで、室温（２５℃）で２時間撹拌後静置した。上澄みを濾別し、沈殿部を減圧乾燥した。ここにＴＨＦ１５０ｍＬを加えると黄褐色均一溶液となった。０℃でジクロロジメチルシラン６．４ｍＬ(５３．４ｍｍｏｌ)を加えて５５℃で６時間加熱撹拌した。生成した白色沈殿を濾別し、減圧下で乾燥すると（１，２’−ジメチルシリレン）(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(５，６−ジメチルインデン)が１５．６ｇ得られた（収率７３％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ−０．７１，０．６７（ｓ，Ｓｉ−ＣＨ_３，１２Ｈ)；２．３１（ｓ，−ＣＨ_３，１２Ｈ）；３．５３（２，−ＣＨ−，２Ｈ）；７．１８，７.２４，７．２７（ｓ，−ＣＨ＝，Ａｒ−Ｈ，６Ｈ）であった。

（３−４）(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−５，６−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリドの合成
(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(５，６−ジメチルインデン)３．３４ｇ（８．３ｍｍｏｌ)をジエチルエーテル５０ｍＬに懸濁させ、−７８℃でｎ−ブチルリチウム(２．６５Ｍ)６．６ｍＬを滴下し、次いで、室温（２５℃）まで上げ５時間撹拌後、生成した黄白色沈殿を濾別・乾燥し、ＴＨＦ５０ｍＬに溶解させた。−７８℃でヨウ化メチルトリメチルシラン２．６ｍＬ(１７．４ｍｍｏｌ)を滴下し、室温（２５℃）で４時間撹拌後、水５０ｍＬを加えて加水分解した。反応混合物をジエチルエーテル１００ｍＬで抽出し分液後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで、溶媒を留去すると薄黄色固体が４．７１ｇ得られた。この固体をジエチルエーテル５０ｍＬに溶解し、−７８℃でｎ−ブチルリチウム(２．６５Ｍ)６．５ｍＬを滴下し、室温（２５℃）で３時間撹拌後、生成した沈殿を濾別し、乾燥させた。この固体をトルエン３０ｍＬに懸濁し、トルエン１５ｍＬに懸濁させた四塩化ジルコニウム１．４ｇ(６．０ｍｍｏｌ)を−７８℃で添加し、室温（２５℃）で終夜撹拌すると黄色懸濁液となった。沈殿部を濾別後、ジクロロメタン６０ｍＬで抽出し、濾過し、溶媒を留去することにより黄色固体が２．２５ｇ得られた(収率４０％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．１１（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_３，１８Ｈ）；０.８８，０．９６（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．１５，２．５３（ｄ，−ＣＨ_２−Ｓｉ，４Ｈ）；７．０４，７．０９（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例４：(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ４〕の合成］
３，５，６，７−テトラヒドロ−２Ｈ−ｓ−インダセン−１−オンは文献（Synth. Commun. 2003，33， 2029-2043）に従って合成した。
１Ｌの三口フラスコに３，５，６，７−テトラヒドロ−２Ｈ−ｓ−インダセン−１−オン５２．５６ｇ（３０５ｍｍｏｌ）を投入し、乾燥メタノール４５０ｍＬを加えた。この混合物に、４０℃で水素化ホウ素ナトリウム１１．５ｇ（３０５ｍｍｏｌ）を１時間かけて添加した後、６０℃に温め、２時間撹拌した。次いで、上記混合物を冷却し、５％希塩酸７５０ｍＬでクエンチした後、ジエチルエーテル７５０ｍＬで抽出した。有機層を分離し、水５００ｍＬで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、白色固体として１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロ−s−インダセン−1−オール５３．４８ｇ（３０７ｍｍｏｌ）を得た。

１Ｌの三口フラスコに１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロ−s−インダセン−1−オール５３．４８ｇ（３０７ｍｍｏｌ）、トルエン５００ｍＬ、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩３．０ｇを投入した。混合物を２時間加熱還流後、冷却し、水１００ｍＬで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで、減圧下で溶媒を留去し、１，２，３，５−テトラヒドロ−s−インダセン（４８．５０ｇ，２７８ｍｍｏｌ，収率９１％）を淡黄色固体として得た。

１Ｌの三口フラスコに１，２，３，５−テトラヒドロ−s−インダセン４８．５０ｇ（２７８ｍｍｏｌ）と水１１．６ｍＬ、ＤＭＳＯ２７５ｍＬの混合溶液を調製した。該混合溶液を氷浴で冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド４９．５ｇ（２７８ｍｍｏｌ）を反応系の温度が１５℃以下になるようにゆっくり添加した。得られた暗褐色溶液を室温（２５℃）に戻し、１０時間撹拌した。再び０℃に冷却し、水７５０ｍＬで反応を停止した。反応混合物を、ジエチルエーテル７００ｍＬを用いて３回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮し、２−ブロモ−１,２,３,５,６,７−ヘキサヒドロ−s−インダセン−１−オールを黄褐色固体として得た（収量７３．０ｇ、２８８ｍｍｏｌ）。
次いで、ディーン・スターク装置を組み込んだ１Ｌ三口フラスコに、２−ブロモ−１,２,３,５,６,７−ヘキサヒドロ−ｓ−インダセン−１−オール７３．０ｇ（２８８ｍｍｏｌ）のトルエン懸濁溶液６００ｍＬを調製した。該懸濁溶液にｐ−トルエンスルホン酸４．０ｇを窒素下で加え、３時間加熱還流した。次いで、暗褐色の懸濁液をろ過し、ろ液を濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、６−ブロモ−１,２,３,５−テトラヒドロ−s−インダセン４５．１７ｇ（１９２ｍｍｏｌ）を得た。

３００ｍＬの三口フラスコに滴下漏斗及びジムロート冷却管を設置し、フラスコ側にマグネシウム片９．３ｇ（３８４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに懸濁させた。マグネシウムのＴＨＦ懸濁液に少量の１，２−ジブロモエタン０．１ｍＬを投入し、１５分撹拌後、６−ブロモ−１,２,３,５−テトラヒドロ−s−インダセン３５．６０ｇ（１５１．４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５０ｍＬを滴下漏斗から滴下した。滴下終了後１時間室温（２５℃）下で撹拌し、上澄み液を、カニュラーを用いて採取した。この溶液を、氷浴を用いて冷却し、ジクロロジメチルシラン８．９６ｍＬ（７５．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温（２５℃）下で２時間撹拌した。反応溶液に水３００ｍＬを加えてクエンチし、次いで、トルエン５００ｍＬを加えた後、水１００ｍＬを用いて３回洗浄した。得られた溶液を減圧下で溶媒を留去し、ジメチルビス(１，５，６，７−テトラヒドロ−ｓ−インダセン−２−イル)シラン(２７．３５ｇ、収率９９％）を得た。

ジメチルビス(１，５，６，７−テトラヒドロ−ｓ−インダセン−２−イル)シラン（２７．３５ｇ、７４．２０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル３００ｍＬに溶解し、−２０℃でｎ−ブチルリチウム（２．６５Ｍ、６７．３ｍＬ、７８．４ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、一晩室温（２５℃）下で撹拌した。上澄みを除去し、残渣をヘキサン１００ｍＬで洗浄した。得られた白色粉末を減圧下で乾燥した。このリチウム塩をＴＨＦ２００ｍＬに溶解させ、氷浴を用いて冷却し、ジクロロジメチルシラン７．４０ｍＬ（６１．９ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を２時間室温（２５℃）下で撹拌した後、反応容器にジムロート冷却管を取り付け、反応混合物を５０℃で４時間撹拌した。該反応混合物を室温（２５℃）まで冷却し、濾過した。得られた白色固体を、ヘキサン５０ｍＬを用いて洗浄し、真空下で乾燥させることで(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３，５，６，７−テトラヒドロ−ｓ−インダセン)（１９．８２ｇ、収率７５％）を得た。

(１，２’−ジメチルシリレン)（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３，５，６，７−テトラヒドロ−ｓ−インダセン)１９．８２ｇ（４６．７ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル２００ｍＬに懸濁させ、−２０℃に冷却した。次いで、ｎ−ブチルリチウム（２．６５Ｍ、３５．２ｍＬ、９３．４ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温（２５℃）に戻し、一晩撹拌した。減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をヘキサンで洗浄することによりリチウム塩を得た。このリチウム塩６．３２ｇ（１０．８ｍｍｏｌ)をＴＨＦ１００ｍＬに溶解させ、次いで、−２０℃でヨウ化メチルトリメチルシラン(４．０ｍＬ、２６．９ｍｍｏｌ)を滴下した。反応混合物を２時間室温（２５℃）下で撹拌した後、水を投入してクエンチし、さらに有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下で有機層から溶媒を留去することで(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセン)（５．９４ｇ、１０．５ｍｍｏｌ、収率９７％）を得た。これをジエチルエーテル１００ｍＬに溶解させ、−７８℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（２．６５Ｍ、７．８５ｍＬ、２０．８ｍｍｏｌ）を滴下した後、室温（２５℃）に戻し、一晩撹拌した。この反応混合物から溶媒を留去し、ヘキサンで洗浄しジリチウム塩（６．５０ｇ、収率８３％）を得た。ジリチウム塩（６．５０ｇ、８．５８ｍｍｏｌ）をヘキサン１００ｍＬに懸濁させ、ドライアイス／エタノールバスで冷却した。四塩化ジルコニウム２．００ｇ（８．５８ｍｍｏｌ）をヘキサン５０ｍＬに懸濁させ、キャヌラーを用いて上記の配位子ジリチウム塩の冷却ヘキサン懸濁液へ滴下した。滴下終了後、徐々に室温（２５℃）に戻し、一晩室温（２５℃）下で撹拌した。反応混合物を、トルエン２００ｍＬを用いて抽出し、得られたトルエン溶液を減圧下で濃縮することにより(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−トリメチルシリルメチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド２．０８ｇを得た（収率３２％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．１０（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_３，１８Ｈ）；０．８７，０．９６（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．１５，２．５３（ｄ，−ＣＨ_２Ｓｉ，４Ｈ）；２．０１，２．８２，２．９３（ｍ，−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−，１２Ｈ）；７．０８，７．１５（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例５：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ５〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりに臭化エチルを加えた以外は同様に合成したところ、黄色固体を得た(収率３０％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９１，１．００（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ);２．２６，２．２９（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；１．０８（ｔ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；２.６０，２．９９（ｍ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０７，７．２１（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例６：(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−エチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ６〕の合成］
実施例４でヨウ化メチルトリメチルシランのかわりに臭化エチルを用い、ヘキサンから結晶化することにより(１，２’−ジメチルシリレン)(２，１’−ジメチルシリレン)ビス(３−エチル−６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ｓ−インダセニル)ジルコニウムジクロリドを得た（収率３５％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ,ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ１．０８（ｔ,−ＣＨ_２ ＣＨ _３ ,６Ｈ）；０．９１,１．０１（ｓ,Ｓｉ（ＣＨ_３）_２,１２Ｈ）；１．９９,２．８３,２．９３（ｍ,−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−,１２Ｈ）；２．０５,２．６０（ｍ,−ＣＨ _２ ＣＨ_３,４Ｈ）；７．１１,７．２５（ｓ,Ａｒ−Ｈ,４Ｈ）であった。

［実施例７：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ７〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりに臭化ｎ−ブチルを加えた以外は同様に合成したところ黄色固体が得られた(収率３８％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９０，１．００（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ)；２．２７，２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；０．８８（ｔ，−ＣＨ_３，６Ｈ）；１．２０−１．４０，１．４６，２．５８，２．９９（ｍ，−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−，１２Ｈ）；７．０７，７．２０（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例８：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ネオペンチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ８〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにヨウ化２，２−ジメチルプロパンを加えた以外は同様に合成したところ、黄色固体を得た(収率３１％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９４，１．００（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．６０，２．９９（ｓ，Ａｒ―ＣＨ_３，１２Ｈ）；０．８２（ｓ，−ＣＨ_３，１８Ｈ）;２．４４，２．９３（ｄ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０８，７．２０（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例９：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ９〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにヨウ化メチルを加えた以外は同様に合成したところ、黄色固体を得た(収率３３％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９０，０．９９（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．３０，２．３３，２．４２（ｓ，−ＣＨ_３，１８Ｈ）；７．０６，７．１８（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例１０：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１０〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロヘキサンを添加した以外は同様に合成したところ黄色固体を得た(収率２９％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９１，１．００（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．２６，２．２９（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；１．１０，１．２６，１．５０，１．６３（ｍ，−シクロヘキシル基，２２Ｈ）；２．４４，２．８９（ｄ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０８，７．２０（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例１１：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１１〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロプロパンを添加した以外は同様に合成したところ黄色固体を得た(収率２５％)。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９０，１．０４（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．２７，２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；０．０１，０．１７，０．３４，０．４１，０．８４（ｍ，−シクロプロピル基，１０Ｈ）；２．４８，３．０２（ｍ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０８，７．２３（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例１２：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１２〕の合成］
（１２−１）１−シクロプロピル−５,６−ジメチルインデンの合成
５，６−ジメチル−１−インダノン３９.４ｇ（２４６ｍｍｏｌ)のジエチルエーテル溶液に、臭化シクロプロピル３７．８ｇ（２７１ｍｍｏｌ)とマグネシウム７．９ｇから調製した臭化シクロプロピルマグネシウムのジエチルエーテル溶液を滴下し、次いで、室温（２５℃）で３時間撹拌後、氷水２００ｍＬでクエンチした。この反応混合物に２０％希硫酸１００ｍＬを加えて４０℃で３時間加熱撹拌した後、水１００ｍＬを加えてジエチルエーテル２００ｍＬで抽出した。抽出物を飽和炭酸水素ナトリウム溶液、水、ブラインで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに溶媒を留去後、得られた固体をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン）で精製することにより１−シクロプロピル−５,６−ジメチルインデンを薄黄色油状物として２２．３ｇ得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．６８，０．９０，１．８１（ｍ，シクロプロピル，１０Ｈ）；２．３８，２．３５（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，６Ｈ）；３．２６（ｄ，−ＣＨ_２−，２Ｈ）；５．９９（ｍ，−ＣＨ＝，１Ｈ）；７．１９，７．３２（ｍ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。

（１２−２）１−シクロプロピル−２−ブロモ−５,６−ジメチルインデンの合成
１−シクロプロピル−５,６−ジメチルインデン２２．３ｇ（１２１ｍｍｏｌ）にＤＭＳＯ１８０ｍＬ、水４．４ｍＬを加え、Ｎ−ブロモスクシンイミド２１．２ｇをゆっくり添加した。次いで、室温（２５℃）で４時間撹拌後、０℃で水１００ｍＬを加え、反応混合物をジエチルエーテル２００ｍＬで抽出した。抽出物を乾燥後、溶媒を留去すると褐色油状物が得られた。褐色油状物を、ディーン・スターク装置を組み込んだ１Ｌ三口フラスコにトルエン１００ｍＬと、ｐ−トルエンスルホン酸１．５ｇとともに入れ、３時間加熱還流を行った。反応混合物を放冷後、水とブラインで洗浄し溶媒を減圧下で留去すると黒褐色油状物が得られた。この油状物をシリカカラム（展開溶媒：ヘキサン）で精製すると白色固体として１−シクロプロピル−２−ブロモ−５，６−ジメチルインデン１６．６８ｇ（６３．３ｍｍｏｌ、収率５２％）が得られた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９７，１．７７（ｍ，シクロプロピル，５Ｈ）；３．４８（ｍ，−ＣＨ_２−，２Ｈ）；２．２６，２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，６Ｈ)；７．０７−７．１５（ｍ，Ａｒ−Ｈ，２Ｈ）であった。

（１２−３）(１,２’−ジメチルシリレン)(２,１’−ジメチルシリレン)ビス(３−シクロプロピル−５,６−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリドの合成
実施例３の（３−３）で、５，６−ジメチル−２−ブロモインデンの代わりに１−シクロプロピル−５,６−ジメチルインデン８．０ｇ（３０．４ｍｍｏｌ）を用いた以外は同様にして（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピル−５，６−ジメチルインデン)を白色固体として２．５２ｇ（５．２ｍｍｏｌ、収率３４％）得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ−０．７３，０．８２（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；０．７−０．９，１．００，１．９７（ｍ，シクロプロピル，１０Ｈ）；３．５２（ｓ，−ＣＨ＝，２Ｈ）；２．３４（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；７．２３，７．４１（ｍ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピル−５，６−ジメチルインデン)１．９０ｇ（４．０ｍｍｏｌ）をエーテル５０ｍＬに懸濁させ、次いで、−２０℃でｎ−ブチルリチウム(２．６６Ｍ、３．２ｍＬ、８．５ｍｍｏｌ)を滴下し、室温（２５℃）で３時間撹拌した。生成した白色固体を濾別後、減圧で乾燥し、次いで、トルエン３０ｍＬを加え、ここへトルエン２０ｍＬに懸濁した四塩化ジルコニウム０．９０ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を０℃で添加し、室温（２５℃）で４時間撹拌した。得られた黄色沈殿を濾別しジクロロメタンから再結晶化することにより黄色固体として（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピル−５，６−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド０．７９ｇを得た（収率３１％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９９，１．００（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；０．４０，０．５９，０．８９，１．２８（ｍ，−シクロプロピル基，１０Ｈ）；７．１１，７．４３（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例１３：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１３〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロブタンを添加した以外は同様に実施したところ黄色固体を得た（収率３７％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９０，１．０２（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．２８，２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；１．５８，１．６５，１．７７，１．８４，１．９４（ｍ，−シクロブチル基，１４Ｈ）；２．６３，３．１３（ｍ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０８，７．２２（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［実施例１４：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロペンチルメチル−５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１４〕の合成］
実施例３の（３−４）でヨウ化メチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロペンタンを添加した以外は同様に実施したところ黄色固体を得た（収率２２％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）による測定の結果は、δ０．９２，１．０２（ｓ，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２，１２Ｈ）；２．２８，２．３０（ｓ，Ａｒ−ＣＨ_３，１２Ｈ）；１．１４，１．４７，１．５８，１．８５（ｍ，−シクロペンチル基，１８Ｈ）；２．５３，３．０４（ｍ，−ＣＨ_２−，４Ｈ）；７．０８，７．２２（ｓ，Ａｒ−Ｈ，４Ｈ）であった。

［比較例１：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ１〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例１に記載の方法によって（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例２：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ２〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例９に記載の方法によって（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例３：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ３〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例３に記載の方法によって（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例４：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ４〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例９において、ヨードメチルトリメチルシランの代わりにヨウ化２，２−ジメチルプロパンを加えた以外は同様に実施して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例５：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ５〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例２に記載の方法によって（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例６：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ６〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例９において、ヨードメチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロヘキサンを加えた以外は同様に実施して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロヘキシルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例７：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ７〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例９において、ヨードメチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロプロパンを加えた以外は同様に実施して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

［比較例８：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ８〕の合成］
実施例１３で５，６−ジメチル−１−インダノンの代わりに１−インダノンを用いた以外は同様に実施することによって、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリドを得た。

［比較例９：（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ｂ９〕の合成］
特開２０００−２５６４１１号公報の実施例９において、ヨードメチルトリメチルシランの代わりにブロモメチルシクロブタンを加えた以外は同様に実施して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−シクロブチルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリドを合成した。

（実施例１５）
加熱乾燥した１リットルオートクレーブに、窒素雰囲気下、室温（２５℃）で乾燥ヘプタン４００ｍＬを投入し、次いでトリイソブチルアルミニウム（２Ｍ，０．２ｍＬ，０．４ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌した。さらに実施例１で得られた（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド〔遷移金属化合物ａ１〕のヘプタンスラリー（１０μｍｏｌ／ｍＬ，０．０２ｍＬ，０．２μｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートのヘプタンスラリー（１０μｍｏｌ／ｍＬ，０．０８ｍＬ，０．８μｍｏｌ）を投入した。さらに、水素（０．０５ＭＰａ）を投入後、プロピレン圧を徐々に上げつつ、昇温し、全圧０．８ＭＰａ、温度６０℃を一定に保ち３０分間重合した。重合反応終了後、５ｍＬのエタノールで重合を停止し、得られた重合溶液を加熱窒素気流下で乾燥させポリプロピレン１５９．４６ｇを得た。得られたポリマーのメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は４．１％、デカリン中１３５℃で測定した極限粘度[η]は０．１９ｄＬ／ｇ、重合活性は８７４０ｋｇＰＰ／ｇＺｒであった。

（実施例１６〜５６、及び比較例１０〜３６）
表１−１及び表１−２に記載の遷移金属化合物及び重合温度、重合時間に変更した以外は実施例１５と同様にして実施例１６〜５６及び比較例１０〜３６のポリプロピレンを得た。

本発明のオレフィン系重合体の製造方法及び特定の構造を有する遷移金属化合物を用いると、重合時の触媒活性が高く、より立体規則性の低いオレフィン系重合体を得ることができる。

Claims (11)

1. 下記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の遷移金属化合物。
   
   
   
   
   （式中、Ｘはσ結合性またはπ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合には複数のＸは同じでも異なっていてもよい。Ｙはルイス塩基を示しＹが複数ある場合、複数のＹは同一でも異なっていてもよい。また、Ｙは他のＹやＸと架橋していてもよい。ｑは１〜５の整数で［（Ｍの原子価）−２］を示し、ｒは０〜３の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の炭化水素基、珪素含有基またはヘテロ原子含有基である。Ｒ^３〜Ｒ^１０は、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が水素原子である組み合わせ、又はＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^８及びＲ^９が水素原子であり、かつＲ^３、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^１０が置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である組み合わせである。なお、Ｒ^４とＲ^５、及びＲ^８とＲ^９は、それぞれ互いに結合して炭素数５〜８の置換もしくは無置換の環状構造を形成してもよい。Ｍは周期律表第３〜１０族またはランタノイド系列の金属元素である。Ｒ^１１〜Ｒ^１４は、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である。Ａ^１〜Ａ^４はそれぞれ独立に第１４族（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ）からなる架橋基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。）
2. 前記一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる、請求項１に記載の遷移金属化合物。
3. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基である請求項１又は２に記載の遷移金属化合物。
4. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖のアルキル基である請求項１〜３のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
5. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜４の直鎖のアルキル基である請求項１〜４のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
6. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９が、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数１〜２のアルキル基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
7. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９の少なくとも１つがメチル基である請求項１〜６のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
8. 前記Ｒ^４とＲ^５、及び／又は前記Ｒ^８とＲ^９が同一の基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
9. 前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^８、及びＲ^９がメチル基であり、前記Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^７、及びＲ^１０が水素原子である請求項１〜８のいずれか１項に記載の遷移金属化合物。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の遷移金属化合物を用いることを特徴とするオレフィン系重合体の製造方法。
11. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の遷移金属化合物、及び該遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうるホウ素化合物を含有する重合用触媒の存在下、オレフィン類を重合することを特徴とするオレフィン系重合体の製造方法。