JP2001220359A - インダンの製造方法 - Google Patents
インダンの製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メタロセン触媒、樹脂、有機機能材料及び医
薬品原料として有用なインダンを工業的に有利に製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】 ３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロイン
デンを触媒存在下で、５０℃〜２５０℃の温度で脱水素
反応させることを特徴とするインダンの製造方法。
薬品原料として有用なインダンを工業的に有利に製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】 ３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロイン
デンを触媒存在下で、５０℃〜２５０℃の温度で脱水素
反応させることを特徴とするインダンの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種化学品中間体
として有用なインダンの製造に関し、さらに詳しくはメ
タロセン触媒、樹脂、有機機能材料および医薬品原料で
あるインダンを安価な原料を用いて高収率かつ工業的に
有利に製造する方法に関する。
として有用なインダンの製造に関し、さらに詳しくはメ
タロセン触媒、樹脂、有機機能材料および医薬品原料で
あるインダンを安価な原料を用いて高収率かつ工業的に
有利に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、インダンを得るためには、タール
より分離・精製する方法および合成する方法が知られて
いる。インダンを合成により得る方法としては、インデ
ンを水素化する方法、３−フェニルプロピオン酸のフリ
ーデル−クラフトアシル化反応によって得られる１−イ
ンダノンを還元する方法、また、テトラヒドロインデン
やビニルノルボルネンといった前駆体と酸素に代表され
る酸素供与体を燐酸塩触媒と接触させることによる脱水
素反応（特開昭５４−３９０６０号公報）などが知られ
ている。
より分離・精製する方法および合成する方法が知られて
いる。インダンを合成により得る方法としては、インデ
ンを水素化する方法、３−フェニルプロピオン酸のフリ
ーデル−クラフトアシル化反応によって得られる１−イ
ンダノンを還元する方法、また、テトラヒドロインデン
やビニルノルボルネンといった前駆体と酸素に代表され
る酸素供与体を燐酸塩触媒と接触させることによる脱水
素反応（特開昭５４−３９０６０号公報）などが知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、タールから
インダンを回収しようとする場合、もともとインダン
は、タール中に占める割合が極端に低く、そこから特に
インダンを高純度品として回収することは技術的問題お
よびコストの両面を考慮すると有利な方法とは言い難
い。一方、インデンの水素化による方法、および３−フ
ェニルプロピオン酸のフリーデル−クラフト反応生成物
を還元する方法は、原料が高価であったり工程が多段階
に及ぶなどの理由から経済的に満足のいく方法とは言い
難い。また、特開昭５４−３９０６０号公報に記載のイ
ンデンの脱水素反応は、原料として安価なテトラヒドロ
インデンやビニルノルボルネンなどの原料を使用してい
るものの、元来がインデンの製造を目的としており、仮
に上記方法によるインダンの製造を考えた場合、インダ
ンのみを選択的に製造することは難しい。したがって、
本発明の目的は、メタロセン触媒、樹脂、有機機能材料
および医薬品原料として有用なインダンを工業的に有利
に製造する方法を提供することである。
インダンを回収しようとする場合、もともとインダン
は、タール中に占める割合が極端に低く、そこから特に
インダンを高純度品として回収することは技術的問題お
よびコストの両面を考慮すると有利な方法とは言い難
い。一方、インデンの水素化による方法、および３−フ
ェニルプロピオン酸のフリーデル−クラフト反応生成物
を還元する方法は、原料が高価であったり工程が多段階
に及ぶなどの理由から経済的に満足のいく方法とは言い
難い。また、特開昭５４−３９０６０号公報に記載のイ
ンデンの脱水素反応は、原料として安価なテトラヒドロ
インデンやビニルノルボルネンなどの原料を使用してい
るものの、元来がインデンの製造を目的としており、仮
に上記方法によるインダンの製造を考えた場合、インダ
ンのみを選択的に製造することは難しい。したがって、
本発明の目的は、メタロセン触媒、樹脂、有機機能材料
および医薬品原料として有用なインダンを工業的に有利
に製造する方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、下記の式（Ｉ） で表わされる３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ンを触媒存在下で、５０℃〜２５０℃の温度で脱水素反
応させることを特徴とする下記の式（II）で表わされる
インダンの製造方法を提供する。
によって達成される。即ち、本発明は、下記の式（Ｉ） で表わされる３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ンを触媒存在下で、５０℃〜２５０℃の温度で脱水素反
応させることを特徴とする下記の式（II）で表わされる
インダンの製造方法を提供する。
【０００５】本発明によれば、好ましくはシクロペンタ
ジエンとブタジエンとのディールス−アルダー反応の副
生物として得られる安価な３ａ，４，７，７ａ−テトラ
ヒドロインデンを使って、既存の脱水素触媒存在下、温
和な条件で高収率でインダンが得られる。
ジエンとブタジエンとのディールス−アルダー反応の副
生物として得られる安価な３ａ，４，７，７ａ−テトラ
ヒドロインデンを使って、既存の脱水素触媒存在下、温
和な条件で高収率でインダンが得られる。
【０００６】
【発明の実施の形態】つぎに好ましい実施の形態を挙げ
て本発明をさらに詳細に説明する。本発明において原料
として使用する３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロイン
デンはいずれから、あるいはいずれの方法で入手したも
のでもよいが、シクロペンタジエンとブタジエンとのデ
ィールス−アルダー反応にて得られるビニルノルボルネ
ンの副生物として生成し、主生成物の精製の過程で同時
に回収することができる３ａ，４，７，７ａ−テトラヒ
ドロインデンを原料として使用することが好ましい。
て本発明をさらに詳細に説明する。本発明において原料
として使用する３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロイン
デンはいずれから、あるいはいずれの方法で入手したも
のでもよいが、シクロペンタジエンとブタジエンとのデ
ィールス−アルダー反応にて得られるビニルノルボルネ
ンの副生物として生成し、主生成物の精製の過程で同時
に回収することができる３ａ，４，７，７ａ−テトラヒ
ドロインデンを原料として使用することが好ましい。
【０００７】上記本発明で使用する反応原料中の３ａ，
４，７，７ａ−テトラヒドロインデンの純度は特に問題
にならないし、敢えて高純度に精製する必要はない。脱
水素触媒のなかには、原料中の特に硫黄に対する耐久性
が低く、活性が急激に低下するものがあるので、硫黄の
濃度は低く抑える（１ｐｐｍ以下）必要があるが、原料
が石油系由来である場合には、石油が事前に脱硫黄され
ており問題はない。
４，７，７ａ−テトラヒドロインデンの純度は特に問題
にならないし、敢えて高純度に精製する必要はない。脱
水素触媒のなかには、原料中の特に硫黄に対する耐久性
が低く、活性が急激に低下するものがあるので、硫黄の
濃度は低く抑える（１ｐｐｍ以下）必要があるが、原料
が石油系由来である場合には、石油が事前に脱硫黄され
ており問題はない。
【０００８】本発明では、３ａ，４，７，７ａ−テトラ
ヒドロインデンを脱水素触媒存在下で脱水素反応させ
る。脱水素触媒としては、従来から脱水素触媒として使
用されている触媒を用いることができ、特に白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウムが挙げられ
るが、なかでも白金、パラジウムが好ましい。さらに、
これら貴金属触媒は、活性炭、シリカ、アルミナなどの
担体に担持させて使用することが特に好ましい。
ヒドロインデンを脱水素触媒存在下で脱水素反応させ
る。脱水素触媒としては、従来から脱水素触媒として使
用されている触媒を用いることができ、特に白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウムが挙げられ
るが、なかでも白金、パラジウムが好ましい。さらに、
これら貴金属触媒は、活性炭、シリカ、アルミナなどの
担体に担持させて使用することが特に好ましい。
【０００９】前記原料の脱水素反応は、液相および気相
のいずれで行ってもよい。液相で行う場合には、原料を
そのまま無溶剤で使用することが好ましいが、溶剤で希
釈して使用することもできる。触媒の使用量は、０．０
０１〜１０重量％（対原料）で、好ましくは０．１〜５
重量％である。反応温度は、５０〜１７０℃で、好まし
くは１００℃〜１６０℃である。反応は常圧以下で行う
ことが好ましい。脱水素反応を促進させるため不活性ガ
スを導入し、発生した水素を同伴させて系外に放出させ
ることができる。
のいずれで行ってもよい。液相で行う場合には、原料を
そのまま無溶剤で使用することが好ましいが、溶剤で希
釈して使用することもできる。触媒の使用量は、０．０
０１〜１０重量％（対原料）で、好ましくは０．１〜５
重量％である。反応温度は、５０〜１７０℃で、好まし
くは１００℃〜１６０℃である。反応は常圧以下で行う
ことが好ましい。脱水素反応を促進させるため不活性ガ
スを導入し、発生した水素を同伴させて系外に放出させ
ることができる。
【００１０】気相の反応形式は、固定床、流動床、移動
床のいずれの方法を用いることもできる。原料は、気化
してそのまま反応系に導入してもよく、又、不活性ガス
で希釈して反応系に導入してもよい。原料ガスのＳＶ値
（ＳＶ値＝単位時間当たりに流入する原料の体積(ｍ3／
ｈ)÷反応器容積(ｍ3)）は、１０〜５０００ｈｒ-1で、
特に１００〜１０００ｈｒ-1が好ましい。反応温度は、
２００〜２５０℃で、特に２２０〜２５０℃が好まし
い。反応温度が５０℃より低い場合は脱水素反応の速度
が著しく遅くなり、一方、２５０℃を超えるとインデン
に代表される副生成物が多量に生成するために好ましく
ない。したがって、高収率でインダンを製造するために
は２５０℃以下の温度が好ましく、そのためには比較的
低温での脱水素活性の高い貴金属系の触媒の使用が最適
である。
床のいずれの方法を用いることもできる。原料は、気化
してそのまま反応系に導入してもよく、又、不活性ガス
で希釈して反応系に導入してもよい。原料ガスのＳＶ値
（ＳＶ値＝単位時間当たりに流入する原料の体積(ｍ3／
ｈ)÷反応器容積(ｍ3)）は、１０〜５０００ｈｒ-1で、
特に１００〜１０００ｈｒ-1が好ましい。反応温度は、
２００〜２５０℃で、特に２２０〜２５０℃が好まし
い。反応温度が５０℃より低い場合は脱水素反応の速度
が著しく遅くなり、一方、２５０℃を超えるとインデン
に代表される副生成物が多量に生成するために好ましく
ない。したがって、高収率でインダンを製造するために
は２５０℃以下の温度が好ましく、そのためには比較的
低温での脱水素活性の高い貴金属系の触媒の使用が最適
である。
【００１１】以上のことから、本発明においては、例え
ば、以下のようにしてインダンを製造する。液相で反応
を行なう場合には、攪拌機および冷却器を取り付けた容
器に所定量の３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ン、および触媒をそれぞれ仕込み、常圧下で所定の温度
および時間反応させる。液相で反応を行なう場合には、
石英もしくはステンレス製のカラムに所定量の触媒を充
填し、カラム内を所定温度にセットする。ついで、３
ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデンを送液ポンプ
にて所定のＳＶになるように供給して脱水素反応を行
う。以上のようにして得られるインダンは、メタロセン
触媒、樹脂、有機機能材料および医薬品原料などとして
有用である。
ば、以下のようにしてインダンを製造する。液相で反応
を行なう場合には、攪拌機および冷却器を取り付けた容
器に所定量の３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ン、および触媒をそれぞれ仕込み、常圧下で所定の温度
および時間反応させる。液相で反応を行なう場合には、
石英もしくはステンレス製のカラムに所定量の触媒を充
填し、カラム内を所定温度にセットする。ついで、３
ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデンを送液ポンプ
にて所定のＳＶになるように供給して脱水素反応を行
う。以上のようにして得られるインダンは、メタロセン
触媒、樹脂、有機機能材料および医薬品原料などとして
有用である。
【００１２】
【実施例】つぎに実施例および比較例を挙げて本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明はこれにより何ら限
定されるものではない。 実施例１ 攪拌機および冷却管を取り付けたフラスコに１００ｇの
３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデンおよびＰｄ
／Ｃ（Ｐｄ：１０重量％）を１ｇを仕込んで、１７０℃
で６時間反応させた。反応終了後、反応液をガスクロマ
トグラフィーで分析し、インダンが収率７８％で得られ
た。
さらに具体的に説明するが、本発明はこれにより何ら限
定されるものではない。 実施例１ 攪拌機および冷却管を取り付けたフラスコに１００ｇの
３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデンおよびＰｄ
／Ｃ（Ｐｄ：１０重量％）を１ｇを仕込んで、１７０℃
で６時間反応させた。反応終了後、反応液をガスクロマ
トグラフィーで分析し、インダンが収率７８％で得られ
た。
【００１３】実施例２ 反応温度を１５０℃にしたこと以外は実施例１と同様な
方法で行った。反応終了後、反応液をガスクロマトグラ
フィーで分析し、インダンが収率７０％で得られた。
方法で行った。反応終了後、反応液をガスクロマトグラ
フィーで分析し、インダンが収率７０％で得られた。
【００１４】実施例３ 触媒としてＰｄ／Ａｌ2Ｏ3（Ｐｄ：５重量％）を０．６
７ｇ使用したこと以外は実施例１と同様な方法で行っ
た。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーで分
析し、インダンが収率７６％で得られた。
７ｇ使用したこと以外は実施例１と同様な方法で行っ
た。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーで分
析し、インダンが収率７６％で得られた。
【００１５】実施例４ 触媒としてＰｔ／Ｃ（Ｐｔ：５重量％）を１ｇ使用した
こと以外は実施例１と同様な方法で行った。反応終了
後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析し、インダ
ンが収率７３％で得られた。
こと以外は実施例１と同様な方法で行った。反応終了
後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析し、インダ
ンが収率７３％で得られた。
【００１６】比較例１ 反応温度を室温にしたこと以外は実施例１と同様な方法
で行った。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィ
ーで分析した結果、インダンは全く生成していなかっ
た。
で行った。反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィ
ーで分析した結果、インダンは全く生成していなかっ
た。
【００１７】実施例５ Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ：０．４重量％）４ｃｃを１／２インチ
径のステンレス鋼管に仕込んだ。ついで、触媒層の温度
を維持しつつ常圧下、３ａ，４，７，７ａ−テトラヒド
ロインデン：窒素＝１：４（体積比）の混合物をＳＶ値
が１８０ｈｒ-1となるように供給しながら脱水素反応を
行った。結果を表１に示す。
径のステンレス鋼管に仕込んだ。ついで、触媒層の温度
を維持しつつ常圧下、３ａ，４，７，７ａ−テトラヒド
ロインデン：窒素＝１：４（体積比）の混合物をＳＶ値
が１８０ｈｒ-1となるように供給しながら脱水素反応を
行った。結果を表１に示す。
【００１８】実施例６〜７および比較例２ 実施例５と同様な方法で３ａ，４，７，７ａ−テトラヒ
ドロインデンの気相脱水素反応を実施した。反応条件お
よび結果を表１に示す。
ドロインデンの気相脱水素反応を実施した。反応条件お
よび結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、好
ましくはシクロペンタジエンとブタジエンのディールス
−アルダー反応の副生物として得られる安価な３ａ，
４，７，７ａ−テトラヒドロインデンを使って既存の脱
水素触媒存在下、温和な条件で高収率でインダンが得る
ことができる。
ましくはシクロペンタジエンとブタジエンのディールス
−アルダー反応の副生物として得られる安価な３ａ，
４，７，７ａ−テトラヒドロインデンを使って既存の脱
水素触媒存在下、温和な条件で高収率でインダンが得る
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (4)
- 【請求項１】下記の式（Ｉ） で表わされる３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ンを触媒存在下で、５０℃〜２５０℃の温度で脱水素反
応させることを特徴とする下記の式（II）で表わされる
インダンの製造方法。 - 【請求項２】反応温度が１５０℃〜２００℃である請求
項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】脱水素触媒が、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、イリジウムなどの貴金属およびこれら
の貴金属を活性炭素、シリカ、アルミナなどの不活性担
体に担持したものからなる群から選ばれた少なくとも１
種である請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項４】３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデ
ンが、シクロペンタジエンとブタジエンのディールス−
アルダー反応の副生物である請求項１に記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032792A JP4312334B2 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | インダンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032792A JP4312334B2 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | インダンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001220359A true JP2001220359A (ja) | 2001-08-14 |
| JP4312334B2 JP4312334B2 (ja) | 2009-08-12 |
Family
ID=18557346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032792A Expired - Fee Related JP4312334B2 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | インダンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4312334B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003081889A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Nippon Petrochemicals Co Ltd | １，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンの製造方法 |
| WO2011027755A1 (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | ヒドリンダンの製造方法及び溶剤 |
| JP2013133293A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Waseda Univ | インダンおよび／またはインデンの製造方法 |
| WO2019176247A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | インダンの製造方法 |
| WO2022154048A1 (ja) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | インダン及びヒドリンダンの製造方法 |
-
2000
- 2000-02-04 JP JP2000032792A patent/JP4312334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003081889A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Nippon Petrochemicals Co Ltd | １，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンの製造方法 |
| WO2011027755A1 (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | ヒドリンダンの製造方法及び溶剤 |
| JP2011051951A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | ヒドリンダンの製造方法及び溶剤 |
| JP2013133293A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Waseda Univ | インダンおよび／またはインデンの製造方法 |
| WO2019176247A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 | インダンの製造方法 |
| WO2022154048A1 (ja) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | インダン及びヒドリンダンの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4312334B2 (ja) | 2009-08-12 |
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