JP2001220267A - 釉薬層付きセラミック部材、釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−セラミック接合体及びそれを用いた真空スイッチユニット - Google Patents
釉薬層付きセラミック部材、釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−セラミック接合体及びそれを用いた真空スイッチユニットInfo
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Abstract
接合する際の表面粗化や汚れ付着による絶縁性低下等を
生じにくい釉薬層付きセラミック部材を提供する。 【解決手段】 釉薬層71の組成を、ガラス質形成成分
の主体となるSiO2成分を60〜74重量%とする一
方、融点の高いAl2O3成分(アルミナ成分)を16
〜30重量%と多く設定する。その結果、釉薬層71の
軟化温度を高めることができ、釉焼後に金属部材61を
ろう付け接合する処理、特に高真空下でのろう付け処理
を行う際の、釉薬層71の表面粗化による外観低下や、
汚れ付着による絶縁性低下等を生じにくくすることがで
きる。
Description
ク部材、釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−セラ
ミック接合体及びそれを用いた真空スイッチユニットに
関する。
のスイッチとして、電流遮断に伴う火花発生と、その後
の放電短絡とを防止して十分な絶縁性を確保するため
に、セラミック製の容器に接点部分を収納し、内部を真
空減圧した真空スイッチが多く用いられている。該真空
スイッチのセラミック容器の外面には、沿面放電短絡等
に対する絶縁耐電圧を向上させるために、通常、釉薬層
が形成される。この釉薬層は、セラミック製の容器表面
を平滑化して汚染を防止したり、化学的あるいは機械的
強度を高めたりといった役割も果たす。
リーを絶縁体表面に塗布し、これを焼成する(「釉焼」
と呼ばれる)ことにより行われている。上記容器のよう
な絶縁性が重視されるセラミックとしては、通常アルミ
ナ系セラミックが用いられるが、焼成済みのセラミック
に対し釉焼温度1000〜1100℃で後焼付けにより
釉薬層の形成を行うので、ケイ酸塩ガラスの含有量の高
い比較的低融点の釉薬が使用されることが多かった。
チ用のセラミック容器には、容器内にて接点部分の周囲
を覆うアークシールド部材等の取付けのため、金属/セ
ラミック接合部が形成されている。このような接合部の
形成は、通常ろう付けにより行われるが、ろう付け温度
は前記した釉薬の釉焼温度よりも低いため、先にセラミ
ック容器への釉焼を行っておいて、その後、その釉薬層
付きのセラミック容器に金属部をろう付けすることにな
る。また、釉焼までの工程をセラミック製造メーカが担
当し、ろう付け以降の工程はスイッチ製造メーカが担当
するなど、製品供給形態上の要請により釉焼工程を先に
行わざるを得なくなる事情が存在することもある。
は、軟化温度自体がろう付け温度(例えば一般に多く使
用されるAg−Cu系ろうの場合、780℃前後であ
る)に比較的近接していることもあって、ろう付け処理
中に生ずると思われる表面粗化により外観不良を招くこ
とがある。また、このような粗化した釉薬層は、炉から
のコンタミ(例えば、蒸気圧の高い金属や金属酸化物
等)により、金属成分を主体とする汚れ等が付着しやす
くなり、絶縁性を低下させる原因ともなりうる。このよ
うな現象は、形成した釉薬層の表層部がわずかに軟化
し、釉薬層中に内在していた気泡等が表面に顕在化して
発生するものと推測され、特にろう付け処理が1×10
−6torr以下の高真空にてなされる場合に起こりや
すい。
化温度が高く、例えば金属部をろう付け接合する際の表
面粗化や汚れ付着による絶縁性低下等を生じにくい釉薬
層付きセラミック部材、釉薬層付きセラミック部材を用
いた金属−セラミック接合体及びそれを用いた真空スイ
ッチユニットを提供することにある。
題を解決するために、本発明の釉薬層付きセラミック部
材は、セラミックにて構成された本体部の表面に、Si
をSiO2換算にて60〜74重量%、AlをAl2O
3換算にて16〜30重量%含有した釉薬層が形成され
ていることを特徴とする。また、本発明は、その釉薬層
付きセラミック部材のセラミック本体部に、金属部材を
接合した金属−セラミック接合体も提供する。
は、釉薬層の組成を、ガラス質形成成分の主体となるS
iO2成分を60〜74重量%とする一方、融点の高い
Al 2O3成分(アルミナ成分)を16〜30重量%と
多く設定した点に特徴がある。その結果、釉薬層の軟化
温度を高めることができ、釉焼後に金属部をろう付け接
合する処理、特に高真空下でのろう付け処理を行う際
の、釉薬層の表面粗化による外観低下や、汚れ付着によ
る絶縁性低下等を生じにくくすることができる。また、
特に金属部のろう付けを行わない釉薬層付きセラミック
部材の構成を採用する場合でも、例えば釉薬層付きセラ
ミック部材を高温環境にて使用する際に、釉薬層の粗化
等を効果的に防止することができる。
下、WAl2O3(重量%)と記す)が16重量%未満にな
ると釉薬層の融点が低下し、上記した本発明の効果が不
十分となる。一方、WAl2O3が30重量%を超えると、
釉焼温度が高くなりすぎて、製造コストアップが避けが
たくなる。他方、SiO2換算したSiの重量含有率
(以下、WSiO2(重量%)と記す)が60重量%未満に
なると、釉薬層の強度や絶縁性が十分に確保できなくな
る場合がある。また、WSiO2が74重量%を超えると釉
薬層の流れ性が不十分となり、また、釉薬層の融点上昇
を十分に図ることが困難になる場合もある。なお、WAl
2O3はより望ましくは17〜23重量%であるのがよ
く、WSiO2はより望ましくは67〜72重量%であるの
がよい。
る釉薬層においては、上記した効果が損なわれない範囲
内にてAlあるいはSi以外の副成分が含有されていて
もよい。特に、釉薬の融点(あるいは軟化温度)の調整
を行い、さらには釉焼時に適度な流動性を付与して得ら
れる釉薬層の平滑性等を高めるために、アルカリ金属成
分(特に、Li、Na、K)、あるいはアルカリ土類金
属成分(特に、Ca)を適量含有していてもよい。いず
れにしろ、ろう付け処理時等に発生する釉薬層の粗化や
汚れ付着を効果的に防止し、さらに釉焼温度の過度の上
昇を招かないよう、釉薬の融点は、1100〜1400
℃の範囲内となるように、その組成調整を行うことが望
ましい。
線温度として定義する。なお、セラミック部材上に形成
された釉薬層の液相線温度は、例えば部材から釉薬層を
はがしとって得られる試料に対し、DSC(Differenti
al Scanning Calorimetry)やDTA(Differential Th
ermal Analysis)等による熱分析を行い、昇温時におい
て最後に現れる吸熱ピークの終了温度として求めるもの
とする。また、十分な試料を用意することが困難な場合
は、Al、Si及びその他のカチオン成分(ただし、
0.5重量%未満の微量元素を除く)の含有量をEPM
A、XPSあるいは化学分析等により分析して酸化物換
算した組成(ただし、酸素の価数を−2とし、カチオン
は、1A族は+1、2A族は+3、3A族は+3、4A
族は+4、5A族は+5、6A族は+6,7A族は+
4、8族は+3、1B族は+1、2B族は+2、3B族
は+3、4B族は+4の各価数として、化学量論組成を
有する酸化物に換算するものとする)を求め、この組成
とほぼ等しくなるように各カチオン元素成分の酸化物原
料を配合・溶解後、急冷してガラス試料を得、そのガラ
ス試料の融点をもって形成された釉薬層の融点を推定す
るものとする。
ック本体部に対しろう材層を介して接合する場合、ろう
付け処理時等に発生する釉薬層の粗化や汚れ付着を防止
するには、釉薬の融点を、ろう材層の融点よりも100
℃以上高温に設定することが望ましい。
体部に対して、鉄系材料(例えばFe−Ni合金)から
なる金属部を接合する場合、ろう材は、TiやZr等の
活性金属成分を含んだ活性ろう材を使用できる。この場
合、活性金属成分が添加されるべきろう材の基本組成と
しては、Ag−Cu系合金(Ag−Cu系ろう材)を用
いることができる。Ag−Cu系合金は、Ti等の活性
金属成分との間に脆弱な金属間化合物を形成することが
なく、融点もそれほど高くない上、鉄系材料との接合性
も良いため、本発明に好適に使用できる。
セラミックからなる本体部とを、ろう材層を介して接合
する場合、Ti,Zr,Hfから選択される1種又は2
種以上の活性金属成分を含む一次ろう材を用いて、セラ
ミック部材の接合面にメタライズ処理する一次ろう付け
を行い、その後に、一次ろう材よりも低融点で、かつ活
性金属成分の含有量が小さい二次ろう材により、金属部
材をセラミック部材のメタライズ処理された端面部に二
次ろう付けすることができる。この場合、このような二
次ろう材としては、前述のAg−Cu系ろう材が用いる
ことができる。このようなAg−Cu系合金としては、
例えばJIS−Z3261に記載された銀ろう:BAg
−8等を用いることができる。
3が80重量%以上であることが、釉薬層の軟化温度を
高める観点において望ましいが、釉薬が極度に高融点化
することを避け、その軟化点を適正化する観点におい
て、アルカリ金属元素を、酸化物換算した重量含有率に
て3〜20重量%の範囲にて配合するのがよい。アルカ
リ金属元素は、釉薬軟化点の低温側への調整を図る上で
有効であるが、含有量が5重量%未満では効果が顕著で
なく、20重量%以上では軟化点が下がりすぎる不具合
のほか、釉薬層の絶縁性が損なわれる懸念も生じ易くな
る。なお、アルカリ金属元素は、望ましくは酸化物換算
した重量含有率にて5〜18重量%の範囲で配合するの
がよい。
においては、真空スイッチや絶縁碍子など絶縁性が要求
される用途においては、本体部の構成セラミックをアル
ミナ系セラミック(例えばアルミナ含有量(Al2O3
換算したAl含有量)が85重量%以上のもの)にて構
成することが望ましい。また、アルミナ系セラミックに
て構成された本体部に対し、前述の通りアルミナ成分の
含有量を高めた釉薬層を形成することにより密着力が高
められ、また、本体部と釉薬層との線膨張係数の差も小
さくなるので、釉焼後の冷却時にひび割れやクレージン
グ等が生じにくい。
て、図面に示すいくつかの実施例に基づいて説明する。
図1は、本発明の釉薬層付きセラミック部材を真空スイ
ッチ用の容器として構成した例を示している。該図に
は、本発明の釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−
セラミック接合体の概念を含んで構成された真空スイッ
チユニット1が開示されている。具体的には、該真空ス
イッチユニット1においては、外周面に釉薬層71が形
成された筒状部材10が本発明の釉薬層付きセラミック
部材として構成されており、その筒状部材10の内側に
は金属製の筒状のアークシールド部材61が配置されて
いる。そして、そのアークシールド部材61を金属部材
として、これが筒状部材10の内側にろう材層62を介
して接合されている。具体的には、アークシールド部材
61を金属部材として、これがろう材層62により本体
部10aに接合されており、本発明の金属−セラミック
接合体が構成されている。
は周方向の凸条部12が形成され、その凸条部12の内
周面に対し、アークシールド部材61の外周面がろう材
層62を介して接合されている。筒状部材10の本体部
10aはアルミナ系セラミック(例えばアルミナ含有率
92重量%)にて構成される一方、釉薬層71は、Si
をSiO2換算にて60〜74重量%、AlをAl2O
3換算にて16〜30重量%含有したガラスセラミック
として構成される。また、ろう材層62はAg−Cu系
ろう材を主成分(ただし、本明細書において主成分と
は、合計含有率が50重量%以上となる成分(元素、化
合物及び相の概念を含む)のことをいう)とするもので
あって、本体部10aとの間には活性金属成分(例えば
Ti等)とセラミックとの反応層が形成されている。
側を遮蔽する1対の遮蔽部材2,3が設けられており、
容器10の内部にスイッチ遮蔽空間11を形成してい
る。そして、一方の遮蔽部材2を貫く形で固定電極部材
4が配置されている。この固定電極部材4には、スイッ
チ遮蔽空間11外に位置する基端側に固定側端子部41
aが形成され、他方、スイッチ遮蔽空間11内に位置す
る先端側に固定側スイッチ接点部42が形成されてい
る。また、他方の遮蔽部材3を貫く形で、容器10の軸
線方向に移動可能な可動電極部材5が設けられている。
該可動電極部材5には、スイッチ遮蔽空間11外に位置
する基端側に可動側端子部51aが形成され、スイッチ
遮蔽空間11内に位置する先端側に、自身の移動に伴い
固定側スイッチ接点部42と当接/離間する可動側スイ
ッチ接点部52が形成されている。そして、前記したア
ークシールド部材61は、筒状部材10内にて固定側ス
イッチ接点部42と可動側スイッチ接点部52とを取り
囲む形で配置されている。
部材として形成され、材質は例えばFe−Ni−Co合
金(例えばコバール(商品名):Fe−29重量%Ni
−17〜18重量%Co)である。その各中央部には、
固定電極部材4及びガイド31を固着するための穴2
1,32が孔設されている。ガイド31は、セラミック
ブッシュ等にて構成され、可動側電極部材5の可動軸5
1の摺動をスムーズに行わせる役割を果たす。
れる固定軸41とされ、先端側に円環状の固定側スイッ
チ接点部42が取り付けられている。また、可動電極部
材5の基端側は前述の可動軸51とされ、先端側に円環
状の可動側スイッチ接点部52が取り付けられている。
なお、可動電極部材5は、可動軸51に外装された蛇腹
状の金属ベローズ53により固定側スイッチ接点部42
に対して接近・離間駆動される。また、金属ベローズ5
3はベローズカバー54で囲まれており、電流開閉時に
接点部42,52(接触子43,55)から発生する金
属蒸気が直接触れるのを防いでいる。
し、高融点金属(例えばタングステン系金属)により、
固定側スイッチ接点部42及び可動側スイッチ接点部5
2の接点形成部を構成するものである。また、アークシ
ールド部61は、前述の金属蒸気が容器10の内壁に付
着して絶縁性を低下させるのを防止する役割を果たす。
以下のようにして製造される。まず、筒状部材10を作
製するために、アルミナセラミック粉末に焼結助剤粉末
と有機バインダ及び溶媒を加えて湿式混合し、その後ス
プレー噴霧等により造粒して成形用素地粉末を作る。こ
れをラバープレス等により筒状に成形し、外面研削、及
び凸条部12を形成するための内面研削を施して成形体
を得る。そして、その成形体を所定温度(例えば160
0℃前後)にて焼成し、アルミナ焼結体からなる本体部
10aを得る。
して行う。まず、Si、Al及び副カチオン成分(例え
ばK等のアルカリ金属元素)の各成分源となる成分源粉
末を、Si成分はSiO2に酸化物換算した重量にて6
0〜74重量%、Al成分はAlをAl2O3換算にて
16〜30重量%、アルカリ金属元素MはMOに酸化物
換算した重量にて20重量%以下の割合で配合し、さら
に水あるいはこれに適量の溶媒を配合したものを加え、
トロンメル混合等により粉砕・混合して釉薬スラリーを
得る。なお、成分源粉末は、SiO2、Al 2O3、C
aОの単体酸化物や、焼成により酸化物転化する金属塩
類(K2CO 3等)、あるいはそれらを主体とする鉱物
類(石灰石、珪石等)を用いることができる。また、複
数種類のカチオンを含有する複合酸化物や複塩類、ある
いはそれらを主体とする天然又は合成の鉱物類(例えば
長石((Na,K)Al2Si 3О8−CaAl2Si
3О8)、カオリン(Al2Si2О5(ОH)4[A
l2O3・2SiO2・2H2О]等)を用いることも
できる。また、成分源粉末の混合物を1300〜170
0℃に加熱して溶融させ、その溶融物を水中に投じて急
冷・ガラス化し、さらに粉砕することにより釉薬フリッ
トを作り、これに有機バインダ(必要により適量のカオ
リンや蛙目粘土等の粘土鉱物)を適量配合し、さらに水
を加えて混合することにより釉薬スラリーを得るように
してもよい。
ら本体部10aの外周面に噴霧・塗布することにより、
釉薬粉末堆積層としての釉薬スラリー塗布層を形成し、
これを乾燥する。そして、これを1400〜1500℃
にて釉焼することにより、釉薬層71を形成する。
ースト(例えば、Tiを活性金属成分とするAg−Cu
系活性ろう材)を本体部10aの凸条部12の内面に塗
布し、さらに適当な治具を用いてアークシールド部材6
1を内側から重ね合わせて固定し、例えば、1×10
−7torr程度の高真空雰囲気にて、800〜900
℃にてろう付け処理する。このとき、釉薬層71が上記
のような組成の釉薬により形成されることで、釉薬層7
1の軟化温度が高められ高真空下でのろう付け処理を行
う際に、釉薬層71の表面粗化による外観低下や、汚れ
付着による絶縁性低下等が生じにくくなる。
各部品を組みつけることにより、真空スイッチユニット
1が完成する。
するアークシールド部材61の接合形態の変形例を示し
ている。ここでは、筒状部材10の本体部は、軸線方向
中間位置にて第一筒状部10bと第二筒状部10cとに
分割されており、金属部材としての接続部材13を介し
て互いに接合されている。接続部材13は、短尺筒状の
本体13bと、その本体13bの外周面から外向きに突
出する周方向のフランジ部13aとを有する。そして、
そのフランジ部13aを、第一筒状部10bと第二筒状
部10cとの端面間に挟持し、該フランジ部13aの両
挟持面と各筒状部10b,10cの対応する端面同士
を、それぞれろう材層12,12にて接合している。ろ
う材層12の材質は、図1のろう材層62とほぼ同じで
ある。一方、接続部材13の本体13bの内周面には、
アークシールド部材61の外周面が、ろう材層63を介
して接合されている。このろう材層63も、例えばAg
−Cu系ろう材合金を主体に構成することができるが、
金属部材同士の接合となるので、Ti等の活性金属成分
が含有されている必要はない。
筒状部10cとにそれぞれ釉薬層71b,71cを形成
した後に、接続部材13のフランジ部13aの両面にろ
う材箔を配置する形で、これを第一筒状部10bと第二
筒状部10cとの端面に挟み付け、図1と同様の条件に
てろう付け処理する。71b,71cが前記組成の釉薬
により形成されることで、同様の効果が達成される。
の概念は、上記のような真空スイッチ用の容器に留まら
ず、例えば絶縁碍子等にも適用することができる。図3
はその一例を示している。碍子100はいわゆるクレビ
ス型懸垂碍子と呼ばれるものであり、硬質磁器102を
可鍛鋳鉄や炭素鋼等で構成されたキャップ104とピン
101とにより挟み、セメント層103,103でこれ
らを接着した構造を有する。硬質磁器102が本発明の
釉薬層付きセラミック部材として構成され、アルミナ系
セラミックからなる本体部102bの表面を前記した組
成の釉薬からなる釉薬層102aにて覆われている。た
だし、セメント層103による接着面には釉薬層102
aは必ずしも形成されている必要はない。上記構造の碍
子100では、キャップ104の上部が耳金105とさ
れており、ここに他の碍子のピンを差し込んでコッタボ
ルト106にて連結できるようになっている。
の実験を行った。 図1に示す形状の筒状部材の本体部
(ただし、外径70mm、内径60mm、高さ100m
m、凸条部の高さ5mm、幅10mm)を、前記した方
法によりアルミナ系セラミックにより作製した。ただ
し、セラミックの組成はAl2O3が92重量%、Si
O2が5重量%、CaОが2重量%、MgOが0.1重
量%である。
整した。まず、原料として長石粉末、カオリン粉末、珪
石粉末及び石灰石粉末を各種比率で配合し、これに適量
のバインダと水とを加えてトロンメル混合により粉砕・
混合することにより釉薬スラリーを作製した。
部の表面に噴霧後、乾燥して釉薬スラリー塗布層を形成
した。なお、乾燥後の釉薬の塗布厚さは800μm程度
とした。これを各種温度にて釉焼することにより、釉薬
層付きの容器を得た。他方、粉砕せずに塊状に凝固させ
た釉薬試料も作製した。なお、この塊状の釉薬試料は、
X線回折によりガラス化(非晶質化)したものであるこ
とを確認した。これを用いて下記の実験を行った。 化学組成分析:蛍光X線分析による。各試料毎の分析
値(酸化物換算した値による)を表1に示している。な
お、釉焼により得られた釉薬層の各組成をEPMA法に
より測定したが、該塊状試料を用いて測定した分析値と
ほぼ一致していることが確認できた。 溶融温度:粉末試料50mgを加熱しながら示差熱分
析を行い、室温より測定開始し、第2番目の吸熱ピーク
の終了温度を溶融温度(液相線温度)として測定した。
るアークシールド部材を、活性ろう材(組成=Ag:6
8重量%、Cu:27重量%、Ti:5重量%)によ
り、真空度1.0×10−7torr、温度850℃に
て0.5時間ろう付け処理し、処理後の釉薬層の外観を
目視にて検査した。なお、検査判定は以下の2つの観点
にて行っている。 汚れ・変色の有無:明らかに汚れの発生していたもの
を不良(×)、そうでないものを良(○)として判定し
た。 釉薬溶融状態:釉薬の溶けが不十分なものを不良
(×)、大きな溶け不良の見られなかったものを良
(○)として判定した。 なお、ろう材層を含む金属−セラミック接合部の試験片
を切り出して示差熱分析を行うことにより、ろう材層の
融点(液相線温度)を測定したところ、約780℃であ
った(液相線温度は、最後に現れる吸熱ピークの終了温
度として求めた)。以上の結果を表1に示す。
00℃前後の適度な温度にて良好な釉焼面の外観状態が
得られ、ろう付け時の変色も起こりにくくすることがで
きることがわかる。
面図。
断面図。
たる絶縁碍子を示す半断面図。
Claims (14)
- 【請求項1】 セラミックにて構成された本体部の表面
に、SiをSiO2換算にて60〜74重量%、Alを
Al2O3換算にて16〜30重量%含有した釉薬層が
形成されていることを特徴とする釉薬層付きセラミック
部材。 - 【請求項2】 前記釉薬層を構成する釉薬は、その融点
が1100〜1400℃である請求項1記載の釉薬層付
きセラミック部材。 - 【請求項3】 前記釉薬層を構成する釉薬は、SiO2
換算したSiの重量含有率をWSiO2(重量%)、Al2
O3換算したAlの重量含有率をWAl2O3(重量%)と
して、WSiO2+WAl2O3が80重量%以上であり、かつ
酸化物換算したアルカリ金属元素の重量含有率が3〜2
0重量%である請求項1又は2に記載の釉薬層付きセラ
ミック部材。 - 【請求項4】 前記本体部はアルミナ系セラミックにて
構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の釉
薬層付きセラミック部材。 - 【請求項5】 真空スイッチ用の容器として構成された
請求項1ないし4のいずれかに記載の釉薬層付きセラミ
ック部材。 - 【請求項6】 絶縁碍子として構成された請求項1ない
し4のいずれかに記載の釉薬層付きセラミック部材。 - 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかに記載の釉
薬層付きセラミック部材のセラミック本体部に、金属部
材を接合したことを特徴とする釉薬層付きセラミック部
材を用いた金属−セラミック接合体。 - 【請求項8】 前記金属部材は前記セラミック本体部に
対しろう材層を介して接合され、かつ前記釉薬層を構成
する釉薬の融点が、前記ろう材層の融点よりも100℃
以上高温である請求項7記載の金属−セラミック接合
体。 - 【請求項9】 前記ろう材層はAg−Cu系ろう材にて
構成されている請求項8記載の金属−セラミック接合
体。 - 【請求項10】 前記釉薬層付きセラミック部材が真空
スイッチ用の容器として構成されている請求項7ないし
9のいずれかに記載の金属−セラミック接合体。 - 【請求項11】 前記釉薬層付きセラミック部材として
構成され、外周面に前記釉薬層が形成された筒状部材
と、 その筒状部材の内側に配置された金属製の筒状のアーク
シールド部材とを備え、 前記アークシールド部材又はそのアークシールド部材に
結合される接続部材を前記金属部材として、これが前記
筒状部材にろう材層を介して接合されている請求項10
記載の金属−セラミック接合体。 - 【請求項12】 前記筒状部材の内周面には周方向の凸
条部が形成され、その凸条部の内周面に対し、前記アー
クシールド部材の外周面がろう材層を介して接合されて
いる請求項11記載の金属−セラミック接合体。 - 【請求項13】 前記筒状部材は軸線方向中間位置にて
第一筒状部と第二筒状部とに分割されており、 筒状の本体とその本体の外周面から外向きに突出する周
方向のフランジ部と、を有する接続部材の前記フランジ
部を、前記第一筒状部と第二筒状部との端面間に挟持
し、該フランジ部の両挟持面と各筒状部の対応する端面
同士をそれぞれ前記ろう材層にて接合する一方、前記本
体の内周面に前記アークシールド部材の外周面を接合し
た請求項12記載の金属−セラミック接合体。 - 【請求項14】 請求項11ないし13のいずれかに記
載の金属−セラミック接合体と、 前記筒状部材の内側にスイッチ遮蔽空間を形成するため
に、該筒状部材の各端部側を遮蔽する1対の遮蔽部材
と、 前記遮蔽部材の一方のものを貫く形で配置されるととも
に、前記スイッチ遮蔽空間外に位置する基端側に固定側
端子部が形成され、前記スイッチ遮蔽空間内に位置する
先端側に固定側スイッチ接点部が形成された固定電極部
材と、 前記遮蔽部材の他方のものを貫くとともに、前記容器の
軸線方向に移動可能に設けられ、前記スイッチ遮蔽空間
外に位置する基端側に可動側端子部が形成され、前記ス
イッチ遮蔽空間内に位置する先端側に、自身の移動に伴
い前記固定側スイッチ接点部と当接/離間する可動側ス
イッチ接点部が形成された可動電極部材とを備え、 前記アークシールド部材が、前記筒状部材内にて前記固
定側スイッチ接点部と前記可動側スイッチ接点部とを取
り囲む形で配置されていることを特徴とする真空スイッ
チユニット。
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