JP2001217265A - ゲート転流型ターンオフサイリスタモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート電流の経路の抵抗成分およびインダク
タンス成分を低減するとともに、組み立てを容易化す
る。 【解決手段】 ネジ８によって互いに締結された一組の
金属リング７Ａ，７Ｃによって、ＧＣＴサイリスタ９０
のゲート端子板１、駆動装置の接続基板７０、および、
カソード電極板１０が挟まれている。カソード電極板１
０は、ＧＣＴサイリスタ９０のカソードポスト電極３１
に接続されている。ネジ８は、金属リング７Ａおよびゲ
ート端子板１から、絶縁体９によって電気的に絶縁され
ている。この構成によって、ゲート端子板１およびカソ
ード電極板１０は、駆動装置の接続基板７０の両主面に
配設された第１メタライズ層５および第２メタライズ層
６に、それぞれ、直接に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ゲート転流型ター
ンオフサイリスタモジュールに関し、特に、ゲート電流
の経路の電気抵抗成分およびインダクタンス成分を低減
するとともに、組み立てを容易化するための改良に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ゲートターンオフサイリスタ（以後、Ｇ
ＴＯサイリスタと称する）は、大容量パワーエレクトロ
ニクスへの応用に適したデバイスとして幅広く利用され
てきた。しかしながら、ＧＴＯサイリスタは、スナバ回
路を必要とし、その動作電圧の増加に伴うスナバ損失の
増加を抑制することが困難であるという問題点があっ
た。これに代わる装置として開発されたゲート転流型タ
ーンオフサイリスタ（以後、ＧＣＴサイリスタと称す
る）は、スナバ回路なしでの動作が可能であり、スナバ
損失を解消し得るという利点を有している。

【０００３】ＧＣＴサイリスタは、ゲート逆電流の上昇
率をＧＴＯサイリスタの１００倍程度にまで高め、主電
流をすべてゲート回路に流して（すなわち、転流して）
ターンオフ動作を行うタイプのサイリスタである。この
動作を可能にするために、ＧＣＴサイリスタとその駆動
装置とが組み込まれて成るＧＣＴサイリスタモジュール
では、ＧＣＴサイリスタと駆動装置とは、ＧＣＴサイリ
スタにリング状に設けられたゲート端子板を通じて、互
いに接続されている。

【０００４】図９は本発明の背景となる従来のＧＣＴサ
イリスタの部分断面側面図である。図９が示すように、
ＧＣＴサイリスタ９０には、半導体基板２８が備わって
いる。この半導体基板２８には、互いに並列に接続され
た複数（例えば数千個）のセグメントと称される微小な
サイリスタ素子（図示を略する）が、複数段（例えば８
段）にわたって同心円状に配列されている。各サイリス
タ素子は、ゲート電流によってターンオンおよびターン
オフが可能である。そして、半導体基板２８の下主面に
は、各セグメントに対応した位置に各カソード電極２９
ｂが形成されており、下主面の外周部近傍にはゲート電
極２９ａが形成されている。

【０００５】カソード電極２９ｂの下方には、カソード
歪緩衝板３０およびカソードポスト電極（主電極）３１
が、順に配設されている。一方、半導体基板２８の上主
面に形成されている図示しないアノード電極の上方に
は、アノード歪緩衝板３２およびアノードポスト電極
（主電極）３３が、順に配設されている。

【０００６】さらに、ゲート電極２９ａに接するように
リング状ゲート電極３４が配設されており、リング状金
属板として構成されるゲート端子板１が、その内周端縁
面においてリングゲート電極３４と摺動可能に接触する
ように、配設されている。ゲート端子板１およびリング
状ゲート電極３４は、リング状の弾性体３５によって、
ゲート電極２９ａへ押圧されている。弾性体３５は、リ
ング状の皿バネあるいは波バネの形態を有しており、リ
ング状絶縁体３６を介してゲート端子板１を押圧する。

【０００７】カソード歪緩衝板３０およびカソードポス
ト電極３１の壁面に沿って、シート状の絶縁体３７が配
設されている。絶縁体３７は、リング状ゲート電極３４
を、カソード歪緩衝板３０およびカソードポスト電極３
１から絶縁する役割を果たす。

【０００８】カソードポスト電極３１の端縁部にはカソ
ードフランジ２６が固着されており、アノードポスト電
極３３にはアノードフランジ４０が固着されている。カ
ソードフランジ２６とアノードフランジ４０との間に
は、ＧＣＴサイリスタ９０の主要部を包囲するように、
セラミック等の絶縁物で構成された絶縁筒２が配設され
ている。絶縁筒２は、ゲート端子板１を挟んで上下に分
割されており、さらに、沿面距離を長くするために突起
部４２を有している。ゲート端子板１は、その外周部分
が絶縁筒２の側面から外部にリング状に突出することに
より、外部との接続を可能にしている。絶縁筒２はゲー
ト端子板１の上面および下面に密着して固定されてい
る。

【０００９】絶縁筒２の下端面には、リング状の接続板
４３ａが固着されており、この接続板４３ａは、さら
に、リング状のカソードフランジ２６に固着されてい
る。同様に、絶縁筒２の上端面には、リング状の接続板
４３ｂが固着されており、この接続板４３ｂは、さら
に、リング状のアノードフランジ４０に固着されてい
る。このように、ＧＣＴサイリスタ９０は、半導体基板
２８を収納し外部と気密に保持される収納室を内部に規
定するパッケージ構造を成している。収納室の中の大気
は、不活性ガスで置換されている。

【００１０】ゲート端子板１の端縁部には、取り付け穴
２１が所定の間隔で複数個設けられている。図示を略す
るが、ＧＣＴサイリスタ９０の外観は円盤形状であり、
下面から視ると、カソードポスト電極３１、カソードフ
ランジ２６、ゲート端子板１が順に同心円状に配列して
いる。また上面から見ると、アノードポスト電極３３、
アノードフランジ４０、および、ゲート端子板１が、順
に同心円状に配列している。

【００１１】図１０は、ＧＣＴサイリスタ９０と接続さ
れる駆動装置の平面図である。この駆動装置は、回路部
であるゲートドライバ１５および接続基板７０を備えて
いる。接続基板７０は、ゲートドライバ１５に属する回
路基板（図示を略する）がゲートドライバ１５の側方外
部へ延長された部分であり、配線パターン（図示を略す
る）を有しており、ゲートドライバ１５とＧＣＴサイリ
スタ９０とを電気的に中継する役割を果たす。

【００１２】接続基板７０には、ＧＣＴサイリスタ９０
を挿入するための開口部であるサイリスタ挿入部７１が
形成されており、その周囲には、ＧＣＴサイリスタ９０
のゲート端子板１を固定するためのネジを貫通させるた
めの複数の貫通孔２１Ａが形成されている。ＧＣＴサイ
リスタ９０は、サイリスタ挿入部７１にカソードポスト
電極３１が下側になるように挿入され、ネジによって接
続基板７０へ固定される。それによって、ＧＣＴサイリ
スタモジュールが完成する。

【００１３】図１１は、ＧＣＴサイリスタ９０が接続基
板７０へ固定されることにより、ＧＣＴサイリスタモジ
ュールが組み立てられた後におけるサイリスタ挿入部７
１の周囲の一部を拡大して示す部分拡大平面図である。
また、図１２は、図１１のＡ−Ａ接断線に沿った断面図
であり、図１３は、Ｂ−Ｂ切断線に沿った断面図であ
る。

【００１４】図１１〜図１３が示すように、ＧＣＴサイ
リスタ９０は、２種類のネジ８Ａ，８Ｂ、３種類の金属
リング７Ａ，７Ｂ，７Ｃ、および、金属のカソード電極
板（主電極板）１０を介して、接続基板７０へ固定され
ている。金属リング７Ａ，７Ｂ，７Ｃ、および、カソー
ド電極板１０は、いずれも、電気良導性である。

【００１５】ロウ付け２ａによって絶縁筒２へ固着され
ているゲート端子板１は、上部の金属リング７Ａと中間
の金属リング７Ｂとによって挟み込まれ、ネジ８Ｂによ
って固定されている。カソードポスト電極３１の下主面
に当接するカソード電極板１０と接続基板７０は、中間
の金属リング７Ｂと下部の金属リング７Ｃとによって挟
み込まれ、ネジ８Ａによって固定されている。これによ
って、ＧＣＴサイリスタ９０と接続基板７０とが互いに
固定される。

【００１６】接続基板７０は、絶縁板４、絶縁板４の上
主面に形成された第１メタライズ層（第１導電層）５、
および、絶縁板４の下主面に形成された第２メタライズ
層（第２導電層）６を有している。また、ネジ８Ａと金
属リング７Ｂとの間には、絶縁体９が介在している。し
たがって、ゲート端子板１は金属リング７Ｂを通じて第
１メタライズ層５へ電気的に接続され、カソードポスト
電極３１は、カソード電極板１０を通じて第２メタライ
ズ層６へ電気的に接続される。

【００１７】ＧＣＴサイリスタモジュールは、図示しな
い一対の外部主電極によって、カソードポスト電極３１
（直接には、カソード電極板１０）およびアノードポス
ト電極３３が挟み込まれ、さらに押圧された状態で、使
用に供される。すなわち、ＧＣＴサイリスタ９０は、圧
接型半導体装置の一種である。

【００１８】ＧＣＴサイリスタ９０をターンオンさせる
ときには、ゲートドライバ１５は、ゲート電極２９ａ
（図９）からカソード電極２９ｂへ向かって電流が流れ
るように、第１メタライズ層５からゲート端子板１へと
電流を流す。このときのゲート電流の上昇率は、通常に
おいて１００Ａ／μｓ以上である。

【００１９】一方、ＧＣＴサイリスタ９０をターンオフ
させるときには、ゲートドライバ１５は、ゲート逆電流
の上昇率を高めることにより、アノードポスト電極３３
からカソードポスト電極３１へ流れる主電流の全てを、
ゲート逆電流として、ゲート端子板１を通じてゲートド
ライバ１５へと転流させる。ゲート逆電流の上昇率は、
通常において数千Ａ／μｓ程度であり、それによって、
ＧＣＴサイリスタ９０の数千Ａもの主電流が、約１μｓ
の短時間でゲート端子板１へと転流する。

【００２０】図９〜図１３に示したＧＣＴサイリスタモ
ジュールでは、ゲート端子板１がリング状に形成され、
ゲート端子板１と駆動装置との間の接触面積が大きく確
保されるので、ゲート電流（ゲート逆電流を含む）の経
路の抵抗成分およびインダクタンス成分が低く抑えられ
る。それによって、上記したターンオフ動作が達成され
ている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＧＣＴサイリスタモジュールでは、ゲート端子板１と第
１メタライズ層５との間に金属リング７Ｂが介在してい
るために、その分、ゲート電流の経路の抵抗成分および
インダクタンス成分が高く、主電流がさらに大きいＧＣ
Ｔサイリスタを駆動する上では、障害となっていた。さ
らに、金属リング７Ｂが介在するために、駆動装置の部
品数が多く、ＧＣＴサイリスタモジュールの組み立て
に、時間を要するという問題点があった。

【００２２】本発明は、従来の技術における上記した問
題点を解消するためになされたもので、ゲート電流の経
路の抵抗成分およびインダクタンス成分を低減するとと
もに、組み立てを容易化し得るＧＣＴサイリスタモジュ
ールを提供することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】第１の発明のモジュール
は、ゲート転流型ターンオフサイリスタモジュールであ
って、サイリスタ素子が作り込まれた半導体基板と、前
記半導体基板を挟むように配置された一組の主電極と、
前記半導体基板および前記一組の主電極の周囲を包囲す
る絶縁筒と、前記サイリスタ素子のゲート電極に電気的
に接続されるとともに前記絶縁筒の外周にリング状に張
り出しているゲート端子板と、を有するゲート転流型タ
ーンオフサイリスタと、前記ゲート端子板にゲート電流
を供給するための回路部と、絶縁板と当該絶縁板の第１
および第２主面にそれぞれ配設され前記回路部と電気的
に接続される第１および第２導電層とを含む接続基板
と、を有する駆動回路と、前記一組の主電極の中の一方
主電極に電気的に接続される導電性の主電極板と、前記
ゲート端子板を前記第１導電層に当接させるとともに、
前記主電極板を前記第２導電層に当接させた状態で、前
記ゲート端子板と前記主電極板とを挟むように配設され
る一組のリングと、前記一組のリングを互いに締結する
ネジと、前記ゲート端子板と当該ゲート端子板に接触す
る前記一組のリングの中の一方リング、または、前記主
電極板と当該主電極板に接触する前記一組のリングの中
の他方リングから、前記ネジを電気的に絶縁する絶縁体
と、を備える。

【００２４】第２の発明のモジュールでは、第１の発明
のゲート転流型ターンオフサイリスタモジュールにおい
て、前記絶縁体が、一端に前記ネジの頭部が当接するフ
ランジを有し、前記ゲート端子板と前記一方リング、ま
たは、前記主電極板と前記他方リングを貫通するととも
に、前記ネジを貫通させる筒体である。

【００２５】第３の発明のモジュールでは、第２の発明
のゲート転流型ターンオフサイリスタモジュールにおい
て、前記筒体が、前記第１および第２導電層をも貫通す
る。

【００２６】第４の発明のモジュールでは、第１ないし
第３のいずれかの発明のゲート転流型ターンオフサイリ
スタモジュールにおいて、前記主電極板の材料が非磁性
体である。

【００２７】第５の発明のモジュールでは、第１ないし
第４のいずれかの発明のゲート転流型ターンオフサイリ
スタモジュールにおいて、前記一方リングに覆われる前
記ゲート端子板の環状の領域の中で、前記ネジが貫通す
る部分以外の部位に、切欠部が形成されている。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態によるＧＣＴ
サイリスタモジュールは、中間の金属リング７Ｂを除去
し、ゲート端子板１と第１メタライズ層５とが直接に接
続されるように構成される点において、従来のＧＣＴサ
イリスタモジュールとは、特徴的に異なる。なお、以下
の図において、図９〜図１３に示したＧＣＴサイリスタ
モジュールと同一部分、ないし、同等の機能を果たす対
応部分には、同一の符号を付して、その詳細な説明を略
する。

【００２９】図１は、実施の形態によるＧＣＴサイリス
タモジュールの構成要素としての駆動装置の平面図であ
る。実施の形態による駆動装置は、図１０に示した従来
の駆動装置と、基本構成において変わりはない。図１
は、サイリスタ挿入部７１の周囲に、図１０よりも多く
の貫通孔２１Ａが形成された例を示しているが、本発明
のＧＣＴサイリスタモジュールは、この例に限定される
ものではない。

【００３０】実施の形態によるＧＣＴサイリスタモジュ
ールの構成要素としてのＧＣＴサイリスタは、例えば、
図９に描かれるＧＣＴサイリスタ９０と同一に構成され
る。以下では、ＧＣＴサイリスタとして、図９のＧＣＴ
サイリスタ９０を採用した例を取り上げるが、本発明の
ＧＣＴサイリスタモジュールは、この例に限定されるも
のではない。

【００３１】図２は、ＧＣＴサイリスタ９０が接続基板
７０へ固定されることにより、ＧＣＴサイリスタモジュ
ールが組み立てられた後におけるサイリスタ挿入部７１
の周囲の一部を拡大して示す部分拡大平面図である。図
２のＣ−Ｃ接断線に沿った断面図を図３に示す。

【００３２】図２および図３が示すように、ＧＣＴサイ
リスタ９０は、１種類のネジ８、２種類の金属リング７
Ａ，７Ｃ、および、カソード電極板１０を介して、接続
基板７０へ固定されている。金属リング７Ａ，７Ｃ、お
よび、カソード電極板１０は、いずれも、電気良導性で
ある。接続基板７０は、ゲート端子板１とカソード電極
板１０とに挟まれ、さらに、ゲート端子板１とカソード
電極板１０は、上部の金属リング７Ａと下部の金属リン
グ７Ｃとによって挟まれている。そして、上部の金属リ
ング７Ａと下部の金属リング７Ｃとは、取り付け穴２１
および貫通孔２１Ａを貫通するネジ８によって締結され
ている。これによって、ＧＣＴサイリスタ９０と接続基
板７０とが互いに固定される。ネジ８は金属で形成され
ている。

【００３３】接続基板７０は、絶縁板４、絶縁板４の上
主面に形成された第１メタライズ層５、および、絶縁板
４の下主面に形成された第２メタライズ層６を有してい
る。また、ネジ８と金属リング８Ａとの間、および、ネ
ジ８とゲート端子板１との間には、絶縁体９が介在して
いる。したがって、ゲート端子板１は第１メタライズ層
５へ直接に電気的に接続され、カソード電極板１０は第
２メタライズ層６へ直接に電気的に接続される。

【００３４】このように、従来のＧＣＴサイリスタモジ
ュールとは異なり、ゲート端子板１と第１メタライズ層
５との間に、金属リング７Ｂが介在しないので、ゲート
電流の経路の抵抗成分およびインダクタンス成分を低減
することができる。また、金属リング７Ｂが除去される
のに加えて、二種類のネジ８Ａ，８Ｂを必要とせず、一
種類のネジ８で足りるので、従来のＧＣＴサイリスタモ
ジュールに比べて、組み立て工程がより容易である。

【００３５】さらに、絶縁体９は、一端に鍔（フラン
ジ）を有する円筒体として構成されているので、組み立
て工程において、複雑な作業を要することなく、ネジ８
と金属リング７Ａとの間、および、ネジ８とゲート端子
板１との間を、確実に絶縁することが可能である。ま
た、カソード電極板１０は、好ましくは、非磁性の金属
で構成される。それによって、ＧＣＴサイリスタモジュ
ールが高周波動作を行う際に、外部の回路が生成する磁
界により局部的に電磁誘導を受け、それにより発熱する
という現象を、抑制することが可能となる。

【００３６】図４が示すように、絶縁体９は、フランジ
付きの円筒体であって、しかも、第１メタライズ層５お
よび第２メタライズ層６をも貫通するように形成されて
もよい。それによって、第１および第２メタライズ層
５，６と、ネジ８との間の絶縁性をも高めることが可能
となる。

【００３７】図３および図４は、ネジ８が、下方の金属
リング７Ｃに螺合し、絶縁体９によって上部の金属リン
グ７Ａおよびゲート端子板１と電気的に絶縁される例を
示した。これに対して、図５または図６が示すように、
ネジ８は金属リング７Ａに螺合し、絶縁体９によって下
部の金属リング７Ａおよびカソード電極板１０と電気的
に絶縁されてもよい。図５の例では、絶縁体９は、フラ
ンジ付きの円筒体として形成され、下部の金属リング７
Ｃ、および、カソード電極板１０を貫通しており、図６
の例では、下部の金属リング７Ｃから第１メタライズ層
５までを貫通している。

【００３８】さらに、図７および図８が示すように、ゲ
ート端子板１の外周に沿って、選択的に切欠部１１を形
成することも可能である。この形態では、駆動装置の平
面図は、図１に替えて、図１０と同等に描かれてもよ
い。図７は、ゲート端子板１に切欠部１１を有するＧＣ
Ｔサイリスタモジュールについて、サイリスタ挿入部７
１の周囲の一部を拡大して示す部分拡大平面図である。
図７のＣ−Ｃ接断線に沿った断面図は、図３と同一に描
かれ、Ｄ−Ｄ切断線に沿った断面図は、図８で表され
る。

【００３９】図７および図８が示すように、切欠部１１
を、ネジ８が貫通する取り付け穴２１の部位を避けて形
成することにより、ゲート端子板１と第１メタライズ層
５との間の電気的接触を妨げることなく、ゲート端子板
１の材料を節減することができる。ネジ８が貫通する取
り付け穴２１から離れた部位では、ネジ８の締結力に由
来してゲート端子板１と第１メタライズ層５との間に作
用する押圧力は、比較的弱いので、この部位に切欠部１
１を形成しても、ゲート電流の経路における抵抗成分お
よびインダクタンス成分への影響は、比較的緩やかであ
る。

【００４０】

【発明の効果】第１の発明のモジュールでは、ゲート端
子板と第１導電層との間にリングが介在せず、それらが
直接に接続されるので、ゲート電流の経路における抵抗
成分およびインダクタンス成分が低減される。それによ
り、より大きな主電流を転流させることが可能となる。
また、部品数が節減されるので、組み立てが容易化され
るとともに、組み立てコストが節減される。

【００４１】第２の発明のモジュールでは、絶縁体がフ
ランジを有する筒体であるので、ゲート端子板または主
電極板等と、ネジとの間の絶縁が、組み立て工程におい
て、複雑な作業を要することなく、確実に達成される。

【００４２】第３の発明のモジュールでは、絶縁体とし
ての筒体が第１および第２導電層をも貫通するので、第
１および第２導電層とネジとの間の絶縁性が高められ
る。

【００４３】第４の発明のモジュールでは、主電極板の
材料が非磁性体であるので、高周波動作にともなう発熱
を抑えることができる。

【００４４】第５の発明のモジュールでは、ゲート端子
板のネジが貫通する部分以外の部位、すなわち、ゲート
端子板と第１導電層との間に作用する押圧力が比較的弱
い部位に、切欠部が形成されているので、ゲート電流の
経路における抵抗成分およびインダクタンス成分に大き
な影響を与えることなく、ゲート端子板の材料を節減す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態の駆動装置の平面図である。

【図２】 実施の形態のモジュールの部分平面図であ
る。

【図３】 図１のモジュールの部分断面側面図である。

【図４】 実施の形態のモジュールの別の例の部分断面
側面図である。

【図５】 実施の形態のモジュールのさらに別の例の部
分断面側面図である。

【図６】 実施の形態のモジュールのさらに別の例の部
分断面側面図である。

【図７】 実施の形態のモジュールのさらに別の例の部
分平面図である。

【図８】 図７のモジュールの部分断面側面図である。

【図９】 従来のＧＣＴサイリスタの部分断面側面図で
ある。

【図１０】 従来の駆動装置の平面図である。

【図１１】 従来のモジュールの部分平面図である。

【図１２】 従来のモジュールの部分断面側面図であ
る。

【図１３】 従来のモジュールの部分断面側面図であ
る。

【符号の説明】

１ ゲート端子板、２ 絶縁筒、４ 絶縁板、５ 第１
メタライズ層（第１導電層）、６ 第２メタライズ層
（第２導電層）、７Ａ 金属リング（リング）、７Ｃ
金属リング（リング）、８ ネジ、９ 絶縁体、１０
カソード電極板（主電極板）、１１ 切欠部、１５ ゲ
ートドライバ（回路部）、２８ 半導体基板、３１ カ
ソードポスト電極（主電極）、３３ アノードポスト電
極（主電極）、７０ 接続基板、９０ ゲート転流型タ
ーンオフサイリスタ。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サイリスタ素子が作り込まれた半導体基
   板と、 前記半導体基板を挟むように配置された一組の主電極
   と、 前記半導体基板および前記一組の主電極の周囲を包囲す
   る絶縁筒と、 前記サイリスタ素子のゲート電極に電気的に接続される
   とともに前記絶縁筒の外周にリング状に張り出している
   ゲート端子板と、を有するゲート転流型ターンオフサイ
   リスタと、 前記ゲート端子板にゲート電流を供給するための回路部
   と、 絶縁板と当該絶縁板の第１および第２主面にそれぞれ配
   設され前記回路部と電気的に接続される第１および第２
   導電層とを含む接続基板と、を有する駆動回路と、 前記一組の主電極の中の一方主電極に電気的に接続され
   る導電性の主電極板と、 前記ゲート端子板を前記第１導電層に当接させるととも
   に、前記主電極板を前記第２導電層に当接させた状態
   で、前記ゲート端子板と前記主電極板とを挟むように配
   設される一組のリングと、 前記一組のリングを互いに締結するネジと、 前記ゲート端子板と当該ゲート端子板に接触する前記一
   組のリングの中の一方リング、または、前記主電極板と
   当該主電極板に接触する前記一組のリングの中の他方リ
   ングから、前記ネジを電気的に絶縁する絶縁体と、を備
   えるゲート転流型ターンオフサイリスタモジュール。
2. 【請求項２】 前記絶縁体が、一端に前記ネジの頭部が
   当接するフランジを有し、前記ゲート端子板と前記一方
   リング、または、前記主電極板と前記他方リングを貫通
   するとともに、前記ネジを貫通させる筒体である、請求
   項１に記載のゲート転流型ターンオフサイリスタモジュ
   ール。
3. 【請求項３】 前記筒体が、前記第１および第２導電層
   をも貫通する、請求項２に記載のゲート転流型ターンオ
   フサイリスタモジュール。
4. 【請求項４】 前記主電極板の材料が非磁性体である、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のゲート転流
   型ターンオフサイリスタモジュール。
5. 【請求項５】 前記一方リングに覆われる前記ゲート端
   子板の環状の領域の中で、前記ネジが貫通する部分以外
   の部位において、切欠部が形成されている、請求項１な
   いし請求項４のいずれかに記載のゲート転流型ターンオ
   フサイリスタモジュール。