JP2001216935A - イオン注入装置およびそのための電源を補強する方法 - Google Patents
イオン注入装置およびそのための電源を補強する方法Info
- Publication number
- JP2001216935A JP2001216935A JP2000385315A JP2000385315A JP2001216935A JP 2001216935 A JP2001216935 A JP 2001216935A JP 2000385315 A JP2000385315 A JP 2000385315A JP 2000385315 A JP2000385315 A JP 2000385315A JP 2001216935 A JP2001216935 A JP 2001216935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- electrode
- voltage
- ion
- transient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 38
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 62
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/241—High voltage power supply or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】イオン注入装置における電源を補強することに
より、イオンビームの損失時間を少なくすること。 【解決手段】少なくとも１つの電極62に電圧を供給する
ための少なくとも１つの電源64と、電源64と電極62との
間に接続されて作動し、前記電源64と電極62を所定のス
レッショルド値において減結合して、少なくとも１つの
電極62の過負荷を軽減するスイッチ装置と含む。また、
電源を補強する方法は、少なくとも１つの電極を駆動す
る少なくとも１つの電源からの電流を監視し、この電流
が所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記
電流が所定のスレッショルド値よりも大きい場合、前記
電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有する。
より、イオンビームの損失時間を少なくすること。 【解決手段】少なくとも１つの電極62に電圧を供給する
ための少なくとも１つの電源64と、電源64と電極62との
間に接続されて作動し、前記電源64と電極62を所定のス
レッショルド値において減結合して、少なくとも１つの
電極62の過負荷を軽減するスイッチ装置と含む。また、
電源を補強する方法は、少なくとも１つの電極を駆動す
る少なくとも１つの電源からの電流を監視し、この電流
が所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記
電流が所定のスレッショルド値よりも大きい場合、前記
電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にイオンビ
ーム装置に関し、特に、電源の過負荷状態を軽減するこ
とにより、イオンビーム性能を向上させるための装置お
よび方法に関する。
ーム装置に関し、特に、電源の過負荷状態を軽減するこ
とにより、イオンビーム性能を向上させるための装置お
よび方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置は、大規模集積回路（Ｖ
ＬＳＩ）の製造にとって重要な一面である。このイオン
注入は、活性化されて荷電した原子または分子が半導体
基板内にに直接導かれる処理方法である。VLSIの製造に
おいて、イオン注入は、ドーパントイオンをシリコンウ
エハの表面に注入するために主として使用される。イオ
ン注入処理の目的は、目標材料に所望の原子種を導入す
ることである。この目的を効果的に行なうために、イオ
ン注入処理では、いくつかの面で制御が必要となる。第
１に、注入するイオン種は、正確に決められた品質が保
たれなければならない。さらに、注入されるイオン種
は、基板表面から所定の深さに配置され、かつ所定の基
板面積に集中するように制限されなければならない。必
要な場合、できるだけ多くの、注入された不純物を電気
的に活性化させなければならない。シリコンの格子構造
は、不純物注入処理により変化がないようにしなければ
ならない。こうして、イオン注入装置は、正確に注入で
き、注入するイオン種の量および注入位置を確実に実行
する必要がある。
ＬＳＩ）の製造にとって重要な一面である。このイオン
注入は、活性化されて荷電した原子または分子が半導体
基板内にに直接導かれる処理方法である。VLSIの製造に
おいて、イオン注入は、ドーパントイオンをシリコンウ
エハの表面に注入するために主として使用される。イオ
ン注入処理の目的は、目標材料に所望の原子種を導入す
ることである。この目的を効果的に行なうために、イオ
ン注入処理では、いくつかの面で制御が必要となる。第
１に、注入するイオン種は、正確に決められた品質が保
たれなければならない。さらに、注入されるイオン種
は、基板表面から所定の深さに配置され、かつ所定の基
板面積に集中するように制限されなければならない。必
要な場合、できるだけ多くの、注入された不純物を電気
的に活性化させなければならない。シリコンの格子構造
は、不純物注入処理により変化がないようにしなければ
ならない。こうして、イオン注入装置は、正確に注入で
き、注入するイオン種の量および注入位置を確実に実行
する必要がある。
【０００３】従来のイオン注入装置は、規定されたエネ
ルギーのイオンビームを形成するために加速される所望
のドーパント要素をイオン化するイオン源を含んでい
る。このイオンビームは、加工物の表面に導かれる。一
般的に、イオンビームの活性化イオンは、加工物の容積
内を貫通し、材料の結晶格子内に埋め込まれて、所望の
導電率の領域を形成する。このイオン注入処理は、高真
空で、ガスが十分に充填され、ウエハハンドリングアセ
ンブリやイオン源を備える処理室内で実行される。
ルギーのイオンビームを形成するために加速される所望
のドーパント要素をイオン化するイオン源を含んでい
る。このイオンビームは、加工物の表面に導かれる。一
般的に、イオンビームの活性化イオンは、加工物の容積
内を貫通し、材料の結晶格子内に埋め込まれて、所望の
導電率の領域を形成する。このイオン注入処理は、高真
空で、ガスが十分に充填され、ウエハハンドリングアセ
ンブリやイオン源を備える処理室内で実行される。
【０００４】一般的なイオンビーム経路を有する従来の
イオン注入装置は、イオン源、電極、分析磁石装置、光
学分析要素、およびウエハ処理装置を含んでいる。電極
は、イオン源内に発生したイオンを引き出し、そしてこ
れを加速して、分析磁石装置に向けられるイオンビーム
を作り出す。分析磁石装置は、電荷対質量比に従って、
イオンビーム内のイオンを分類する。そして、ウエハ処
理装置は、イオンビーム経路に対して加工物の位置を調
整する。光学分析要素は、分析磁石装置と関連して選択
された電荷対質量比を有するイオンに焦点を合わせるシ
ステムを構成し、その結果、この選択されたイオンを加
工物に向かわせる。
イオン注入装置は、イオン源、電極、分析磁石装置、光
学分析要素、およびウエハ処理装置を含んでいる。電極
は、イオン源内に発生したイオンを引き出し、そしてこ
れを加速して、分析磁石装置に向けられるイオンビーム
を作り出す。分析磁石装置は、電荷対質量比に従って、
イオンビーム内のイオンを分類する。そして、ウエハ処
理装置は、イオンビーム経路に対して加工物の位置を調
整する。光学分析要素は、分析磁石装置と関連して選択
された電荷対質量比を有するイオンに焦点を合わせるシ
ステムを構成し、その結果、この選択されたイオンを加
工物に向かわせる。
【０００５】イオン注入装置は、一般的に、イオンを基
板内に注入するのに必要な加速エネルギーを生じさせる
ために、高電圧が供給される。加速エネルギーは、多く
の注入装置において、１０〜２００ＫｅＶから高エネル
ギー装置では数ＭｅＶの高さの範囲である。一般的に、
このような高い電圧は、高電圧電源によって供給される
電極を介して加えられる。
板内に注入するのに必要な加速エネルギーを生じさせる
ために、高電圧が供給される。加速エネルギーは、多く
の注入装置において、１０〜２００ＫｅＶから高エネル
ギー装置では数ＭｅＶの高さの範囲である。一般的に、
このような高い電圧は、高電圧電源によって供給される
電極を介して加えられる。
【０００６】しばしば、従来のイオン注入装置では、一
時的な電気放電が電界のストレス点において発生する。
即ち、この放電は、分子または電極および／または絶縁
体上の堆積物によって導かれる。このような放電は、電
極の電圧を変化させる作用を呈し、これにより、イオン
注入装置の光学系に影響を及ぼす。イオンビームのポテ
ンシャルエネルギーを低下させる。その結果、電極電圧
の変動により、電源回路の過負荷および／または崩壊を
もたらす。電源が過負荷および／または崩壊状態にある
とき、価値のあるイオンビームの注入時間が、その期間
中に失われる。このような期間の持続時間は、過負荷お
よび／または崩壊から回復させるために、電源に必要な
時間によって支配されている。
時的な電気放電が電界のストレス点において発生する。
即ち、この放電は、分子または電極および／または絶縁
体上の堆積物によって導かれる。このような放電は、電
極の電圧を変化させる作用を呈し、これにより、イオン
注入装置の光学系に影響を及ぼす。イオンビームのポテ
ンシャルエネルギーを低下させる。その結果、電極電圧
の変動により、電源回路の過負荷および／または崩壊を
もたらす。電源が過負荷および／または崩壊状態にある
とき、価値のあるイオンビームの注入時間が、その期間
中に失われる。このような期間の持続時間は、過負荷お
よび／または崩壊から回復させるために、電源に必要な
時間によって支配されている。
【０００７】一時的な放電から電源が過負荷になること
に関して、従来のイオン注入装置におけるイオンビーム
の低下に関連した上記問題を考えると、このような電源
の過負荷および／または電圧破壊状態を軽減する装置お
よび方法を備えることが望ましい。
に関して、従来のイオン注入装置におけるイオンビーム
の低下に関連した上記問題を考えると、このような電源
の過負荷および／または電圧破壊状態を軽減する装置お
よび方法を備えることが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来の欠
点を解消するために、本発明の目的は、イオン注入装置
における電源を補強することにより、電源の過負荷状態
を軽減してイオンビームの損失時間を少なくしたイオン
注入装置およびそのための電源を補強する方法を提供す
ることである。
点を解消するために、本発明の目的は、イオン注入装置
における電源を補強することにより、電源の過負荷状態
を軽減してイオンビームの損失時間を少なくしたイオン
注入装置およびそのための電源を補強する方法を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明に
おける電源の補強(hardening)は、電源に関連した電極
放電から電源を絶縁することによって効果的に達成され
る。イオン注入処理中に電極放電があると、これに関連
して真空放電が抑えられ、そして、このような放電に関
係して、電源内に蓄えられたエネルギーの損失が、一般
的に軽減される。こうして、本発明は、電極電圧および
これに関連したイオンビームを回復させるために必要な
時間をかなり短縮できる。
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明に
おける電源の補強(hardening)は、電源に関連した電極
放電から電源を絶縁することによって効果的に達成され
る。イオン注入処理中に電極放電があると、これに関連
して真空放電が抑えられ、そして、このような放電に関
係して、電源内に蓄えられたエネルギーの損失が、一般
的に軽減される。こうして、本発明は、電極電圧および
これに関連したイオンビームを回復させるために必要な
時間をかなり短縮できる。
【００１０】更に、本発明は、過渡絶縁装置（transien
t isolation system)を介して一時的な放電から電源を
絶縁することによって補強する電源を提供する。この過
渡絶縁装置は、電源とこれに関連する電極および／また
は放電にさらされる他の要素間に結合して作動する。本
発明の過渡絶縁装置は、電極に関連した一時的な放電中
に、電極回路から電源を一時的に絶縁するのに役立つ。
一時的な絶縁がない場合、放電は、一般的に電極の電源
を放電させるので、電極の電圧が低い値に降下し、これ
により、放電状態にある間、電源が過負荷状態（即ち、
電圧低下における過電流）となる。
t isolation system)を介して一時的な放電から電源を
絶縁することによって補強する電源を提供する。この過
渡絶縁装置は、電源とこれに関連する電極および／また
は放電にさらされる他の要素間に結合して作動する。本
発明の過渡絶縁装置は、電極に関連した一時的な放電中
に、電極回路から電源を一時的に絶縁するのに役立つ。
一時的な絶縁がない場合、放電は、一般的に電極の電源
を放電させるので、電極の電圧が低い値に降下し、これ
により、放電状態にある間、電源が過負荷状態（即ち、
電圧低下における過電流）となる。
【００１１】イオンビームの損失は、電源が過負荷状態
から回復する間の数10ミリ秒間だけ持続することが観測
されている。電源を絶縁することにより、本発明は、電
源電流と電圧を放電状態中でさえも受入可能なレベルに
保つことができる。電源は、一時的な放電状態の間、絶
縁されるので、放電は、数ミリ秒の間電極に関連したス
トレー容量によって供給されるのみである。その結果、
絶縁された電源からかなりの電力が失われることによ
り、放電が抑えられる。
から回復する間の数10ミリ秒間だけ持続することが観測
されている。電源を絶縁することにより、本発明は、電
源電流と電圧を放電状態中でさえも受入可能なレベルに
保つことができる。電源は、一時的な放電状態の間、絶
縁されるので、放電は、数ミリ秒の間電極に関連したス
トレー容量によって供給されるのみである。その結果、
絶縁された電源からかなりの電力が失われることによ
り、放電が抑えられる。
【００１２】本発明の構成によれば、イオン注入装置
は、少なくとも１つの電極に電圧を供給するための少な
くとも１つの電源と、前記電源と電極との間に接続され
て作動し、前記電源と電極を所定のスレッショルド値に
おいて減結合して、少なくとも１つの電極の過負荷を軽
減するスイッチ装置と含んでいる。
は、少なくとも１つの電極に電圧を供給するための少な
くとも１つの電源と、前記電源と電極との間に接続され
て作動し、前記電源と電極を所定のスレッショルド値に
おいて減結合して、少なくとも１つの電極の過負荷を軽
減するスイッチ装置と含んでいる。
【００１３】また、本発明の他の構成によれば、イオン
ビームを形成するためにイオンを供給するイオン源と、
イオンビームを加工物に向けるために少なくとも１つの
電極に電圧を供給する少なくとも１つの電源と、捕捉さ
れないイオンビームを供給するために、前記電極によっ
て一時的に放電から前記電源を絶縁する過渡絶縁装置と
を含んでいる。
ビームを形成するためにイオンを供給するイオン源と、
イオンビームを加工物に向けるために少なくとも１つの
電極に電圧を供給する少なくとも１つの電源と、捕捉さ
れないイオンビームを供給するために、前記電極によっ
て一時的に放電から前記電源を絶縁する過渡絶縁装置と
を含んでいる。
【００１４】本発明の他の構成によれば、イオン注入装
置は、少なくとも１つの電極に電圧を供給する電源と、
この電源と少なくとも１つの電極を所定のスレッショル
ド値で減結合して、前記電源の過負荷を軽減するための
手段とを含んでいる。
置は、少なくとも１つの電極に電圧を供給する電源と、
この電源と少なくとも１つの電極を所定のスレッショル
ド値で減結合して、前記電源の過負荷を軽減するための
手段とを含んでいる。
【００１５】さらに、本発明の他の構成によれば、イオ
ン注入装置において、電源を補強するための方法が提供
される。この方法は、少なくとも１つの電極を駆動する
少なくとも１つの電源からの電流を監視し、この電流が
所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電
流が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前記電源
を前記電極から絶縁する、各ステップを有している。
ン注入装置において、電源を補強するための方法が提供
される。この方法は、少なくとも１つの電極を駆動する
少なくとも１つの電源からの電流を監視し、この電流が
所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電
流が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前記電源
を前記電極から絶縁する、各ステップを有している。
【００１６】さらに、本発明の他の構成によれば、イオ
ン注入装置において、電源を補強するための方法が提供
される。この方法は、少なくとも１つの電極を駆動する
少なくとも１つの電源からの電圧を監視し、この電圧が
所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電
圧が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前記電源
を前記電極から絶縁する、各ステップを有している。
ン注入装置において、電源を補強するための方法が提供
される。この方法は、少なくとも１つの電極を駆動する
少なくとも１つの電源からの電圧を監視し、この電圧が
所定のスレッショルド値以下であるかを判定し、前記電
圧が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前記電源
を前記電極から絶縁する、各ステップを有している。
【００１７】上記および関連した目的を達成するため
に、本発明は、以下に詳細に説明される特徴を含んでい
る。以下の記載およびこれに付随する図面は、本発明の
実施形態を説明するための用意されている。これらの実
施形態は、啓示的なものであるが、本発明の原理に従っ
て種々の方法を使用することができる。本発明の他の目
的、利点、および新規な特徴は、図面とともに参照され
る本発明の詳細な記述によって明らかになるであろう。
に、本発明は、以下に詳細に説明される特徴を含んでい
る。以下の記載およびこれに付随する図面は、本発明の
実施形態を説明するための用意されている。これらの実
施形態は、啓示的なものであるが、本発明の原理に従っ
て種々の方法を使用することができる。本発明の他の目
的、利点、および新規な特徴は、図面とともに参照され
る本発明の詳細な記述によって明らかになるであろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。全体に同様な要素に関しては類似の参照
番号を用いる。本発明は、イオン注入装置におけるイオ
ンビームの性能を改善するための装置および方法に関す
る。特に、イオンビームの性能は、イオン加速電極から
の一時的な放電中に電源の過負荷状態を軽減することに
よって改善される。過負荷状態を軽減することにより、
イオン注入中のイオンビームにおける損失は、実質的に
減少される。
いて説明する。全体に同様な要素に関しては類似の参照
番号を用いる。本発明は、イオン注入装置におけるイオ
ンビームの性能を改善するための装置および方法に関す
る。特に、イオンビームの性能は、イオン加速電極から
の一時的な放電中に電源の過負荷状態を軽減することに
よって改善される。過負荷状態を軽減することにより、
イオン注入中のイオンビームにおける損失は、実質的に
減少される。
【００１９】図１において、本発明に従うイオン注入装
置１０が示されている。イオン注入装置１０は、一対の
パネルカセット２６、エンドエフェクタ２４、ロードロ
ックアセンブリ１２、処理室１６を形成するハウジング
１４、およびビーム開口２０を介して処理室１６と連通
するイオン源１８を含んでいる。以下で詳細に説明する
ように、開口２０に接続するイオン源１８は、イオンビ
ーム(図示略)を形成する。イオン源１８は、電源の過負
荷状態を軽減しかつイオンビームの損失を実質的に減少
させるための過渡絶縁装置を備えている。
置１０が示されている。イオン注入装置１０は、一対の
パネルカセット２６、エンドエフェクタ２４、ロードロ
ックアセンブリ１２、処理室１６を形成するハウジング
１４、およびビーム開口２０を介して処理室１６と連通
するイオン源１８を含んでいる。以下で詳細に説明する
ように、開口２０に接続するイオン源１８は、イオンビ
ーム(図示略)を形成する。イオン源１８は、電源の過負
荷状態を軽減しかつイオンビームの損失を実質的に減少
させるための過渡絶縁装置を備えている。
【００２０】エンドエフェクタ２４は、カセット２６内
に積載されたパネルＰをロードロックアセンブリ１２に
移送する。従来のモータアセンブリ２３、リードスクリ
ュ２２、一対のリニアベアリング２８、および円形軸２
９が設けられ、従来と同様に、ロードロックアセンブリ
１２から処理室１６へパネルＰを移送する。ピックアッ
プアーム２７は、処理中、パネルＰを取り扱う。ピック
アーム２７は、ロードロックアセンブリ１２からパネル
Ｐを移動するとき、水平位置Ｐ１に向わせる。このピッ
クアームは、矢印１３で示すように、パネルを垂直方向
に向けて垂直位置Ｐ２に置く。ピックアーム２７とパネ
ルＰ(位置Ｐ２に向いた）は、公知のように走査方向
に、この実施例では、イオン源１８によって発生して開
口２０から出るイオンビームの経路を横切って左から右
の方向に移動する。
に積載されたパネルＰをロードロックアセンブリ１２に
移送する。従来のモータアセンブリ２３、リードスクリ
ュ２２、一対のリニアベアリング２８、および円形軸２
９が設けられ、従来と同様に、ロードロックアセンブリ
１２から処理室１６へパネルＰを移送する。ピックアッ
プアーム２７は、処理中、パネルＰを取り扱う。ピック
アーム２７は、ロードロックアセンブリ１２からパネル
Ｐを移動するとき、水平位置Ｐ１に向わせる。このピッ
クアームは、矢印１３で示すように、パネルを垂直方向
に向けて垂直位置Ｐ２に置く。ピックアーム２７とパネ
ルＰ(位置Ｐ２に向いた）は、公知のように走査方向
に、この実施例では、イオン源１８によって発生して開
口２０から出るイオンビームの経路を横切って左から右
の方向に移動する。
【００２１】図２において、イオン源１８の部分は、本
発明に従って詳細に示されている。このイオン源１８
は、イオンビームを指向するための加速電極６２と電源
６４を含む。また、過渡絶縁装置３０が、一時的な放電
状態中、電極６２と電源６４との間の絶縁を与えるため
に設けられている。
発明に従って詳細に示されている。このイオン源１８
は、イオンビームを指向するための加速電極６２と電源
６４を含む。また、過渡絶縁装置３０が、一時的な放電
状態中、電極６２と電源６４との間の絶縁を与えるため
に設けられている。
【００２２】イオンビームを指向するために、一般的
に、電源６４は、イオン注入のために必要なイオン加速
エネルギーを生じるための電圧を有する電極６２を備え
ている。以下で詳細に述べるように、電極６２は、イオ
ン室（図示略）からイオンを指向するためのプラズマ電
極、さらに放射されたイオンを加速するために引き出し
電極、抑制電極、および接地電極を設けることができ
る。電源６４は、電極６２のためにバイアス電圧を与え
る。例えば、接地電極は、一般的に０Ｖにバイアスさ
れ、抑制電極は、約−３ｋＶにバイアスされ、また、引
き出し電極は、約９０ｋＶに、バイアスされ、プラズマ
電極は、約９５ｋＶにそれぞれバイアスすることができ
る。比較的高い電圧が処理中に与えられるので、アーク
が電極間および／または電極と接地との間に発生するこ
とがある。
に、電源６４は、イオン注入のために必要なイオン加速
エネルギーを生じるための電圧を有する電極６２を備え
ている。以下で詳細に述べるように、電極６２は、イオ
ン室（図示略）からイオンを指向するためのプラズマ電
極、さらに放射されたイオンを加速するために引き出し
電極、抑制電極、および接地電極を設けることができ
る。電源６４は、電極６２のためにバイアス電圧を与え
る。例えば、接地電極は、一般的に０Ｖにバイアスさ
れ、抑制電極は、約−３ｋＶにバイアスされ、また、引
き出し電極は、約９０ｋＶに、バイアスされ、プラズマ
電極は、約９５ｋＶにそれぞれバイアスすることができ
る。比較的高い電圧が処理中に与えられるので、アーク
が電極間および／または電極と接地との間に発生するこ
とがある。
【００２３】このアークは、電極６２に短いサージ電流
を生じさせ、それにより、電源６４を破壊させる（例え
ば、低電圧の過電流状態）。また、例えば、電源は、供
給電流が通常の供給電流の約３０％を超える場合、過電
流状態に陥る。この電圧崩壊は、電源６４が回復する
（例えば、正規の出力電圧に戻る）のに数10ミリ秒を必
要とする。その結果、イオンビーム６８は、この電源回
復時間中、消失することになる。イオンビーム６８は、
電源が正規の出力電圧の約９８.５％以内にない限り消
失する。
を生じさせ、それにより、電源６４を破壊させる（例え
ば、低電圧の過電流状態）。また、例えば、電源は、供
給電流が通常の供給電流の約３０％を超える場合、過電
流状態に陥る。この電圧崩壊は、電源６４が回復する
（例えば、正規の出力電圧に戻る）のに数10ミリ秒を必
要とする。その結果、イオンビーム６８は、この電源回
復時間中、消失することになる。イオンビーム６８は、
電源が正規の出力電圧の約９８.５％以内にない限り消
失する。
【００２４】過渡絶縁装置（ＴＩＳ）３０は、電極に関
連した一時的放電を絶縁（例えば、絶縁、ブロッキン
グ）することによって電源の崩壊を軽減する。このＴＩ
Ｓ３０は、一時的な放電(アーク）状態中、電極を電源
から一時的に分離する。ＴＩＳ３０は、好ましい実施形
態では、分離装置として示されているが、ＴＩＳ３０
は、電源６４の中に、あるいは電極６２とともに設ける
こともできる。
連した一時的放電を絶縁（例えば、絶縁、ブロッキン
グ）することによって電源の崩壊を軽減する。このＴＩ
Ｓ３０は、一時的な放電(アーク）状態中、電極を電源
から一時的に分離する。ＴＩＳ３０は、好ましい実施形
態では、分離装置として示されているが、ＴＩＳ３０
は、電源６４の中に、あるいは電極６２とともに設ける
こともできる。
【００２５】電極６２上で放電が開始すると、ついに
は、アークの発生に発展することがわかっている。この
アークは、電極を短絡させ、その結果、電極６２とアー
スとの間のストレー容量がアークを介して放電し、電極
６２およびこれに関連した電源６４の電圧崩壊をもたら
す。一般的に、アークは、短時間に生じ、電源６４から
の高いサージ電流が、約０．５〜１ミリ秒間持続する。
ＴＩＳ３０がないと、サージ電流によって、過電流／低
電圧下のシャットダウン状態により、電源６４が数ミリ
秒の間崩壊する。適当な場所にＴＩＳ３０を設けると、
電源６４は、ＴＩＳ３０内の一時的なブロッキング回路
３０ａ、３０ｂ、３６０（図４,図５および図７ｂ）を
介して絶縁される。このブロッキング回路３０ａ、３０
ｂ、３６０は、受動回路および／または能動回路を含む
ことが可能である。一時的なブロッキング回路がブロッ
キングされると、放電は、電極６２のストレー容量に制
限される。こうして、ミリ秒間の電源の過負荷によるシ
ャットダウンは、電極６２のストレー容量による放電を
ミリ秒単位に軽減することができる。これは、従来のイ
オン注入装置に対して１０倍以上の改善となる。
は、アークの発生に発展することがわかっている。この
アークは、電極を短絡させ、その結果、電極６２とアー
スとの間のストレー容量がアークを介して放電し、電極
６２およびこれに関連した電源６４の電圧崩壊をもたら
す。一般的に、アークは、短時間に生じ、電源６４から
の高いサージ電流が、約０．５〜１ミリ秒間持続する。
ＴＩＳ３０がないと、サージ電流によって、過電流／低
電圧下のシャットダウン状態により、電源６４が数ミリ
秒の間崩壊する。適当な場所にＴＩＳ３０を設けると、
電源６４は、ＴＩＳ３０内の一時的なブロッキング回路
３０ａ、３０ｂ、３６０（図４,図５および図７ｂ）を
介して絶縁される。このブロッキング回路３０ａ、３０
ｂ、３６０は、受動回路および／または能動回路を含む
ことが可能である。一時的なブロッキング回路がブロッ
キングされると、放電は、電極６２のストレー容量に制
限される。こうして、ミリ秒間の電源の過負荷によるシ
ャットダウンは、電極６２のストレー容量による放電を
ミリ秒単位に軽減することができる。これは、従来のイ
オン注入装置に対して１０倍以上の改善となる。
【００２６】図３において、本発明に従うイオンビーム
注入装置８０が詳細なブロック図によって示されてい
る。特に、図３には、複数の電源１０２,１０３,１０６
を複数の電極９４,９６,９８,１００から絶縁するため
の複数のＴＩＳ装置１０８ａ〜１０８ｄを備えたイオン
源１８が示されている。
注入装置８０が詳細なブロック図によって示されてい
る。特に、図３には、複数の電源１０２,１０３,１０６
を複数の電極９４,９６,９８,１００から絶縁するため
の複数のＴＩＳ装置１０８ａ〜１０８ｄを備えたイオン
源１８が示されている。
【００２７】イオン室８２は、プラズマ８４、およびプ
ラズマ８４を活性化させるイグニッター８６を含んでい
る。イオン化可能物質を保持するための容器８８は、導
管９２を介してイオン室８２に接続されている。容器８
８からイオン室82へのイオン化可能物質の流れは、選択
可能バルブ９０によって決められる。さらに、一組の電
極、即ち、プラズマ電極９４、引出し電極９６、抑制電
極９８、および接地電極１００が示されている。
ラズマ８４を活性化させるイグニッター８６を含んでい
る。イオン化可能物質を保持するための容器８８は、導
管９２を介してイオン室８２に接続されている。容器８
８からイオン室82へのイオン化可能物質の流れは、選択
可能バルブ９０によって決められる。さらに、一組の電
極、即ち、プラズマ電極９４、引出し電極９６、抑制電
極９８、および接地電極１００が示されている。
【００２８】イグニッター８６は、公知の電子源または
プラズマイグニッターであり、このイグニッター８６に
よるパワー出力は、選択可能である。特に、コントロー
ラ２６２は、パワー信号１１４によってイグニッターに
結合されている。コントローラ２６２は、パワー信号を
介してイグニッターによってパワー出力を指向させ、さ
らに、バルブ９０の切換により、イオン室８２内にイオ
ン化可能物質を導く。コントローラ２６２は、流れ信号
１１６によってバルブ９０に連結し、その方向を決め
る。こうして、コントローラは、バルブ９０を制御する
ことにより、イオン室内に流れるイオン化可能物質の流
速を決める。
プラズマイグニッターであり、このイグニッター８６に
よるパワー出力は、選択可能である。特に、コントロー
ラ２６２は、パワー信号１１４によってイグニッターに
結合されている。コントローラ２６２は、パワー信号を
介してイグニッターによってパワー出力を指向させ、さ
らに、バルブ９０の切換により、イオン室８２内にイオ
ン化可能物質を導く。コントローラ２６２は、流れ信号
１１６によってバルブ９０に連結し、その方向を決め
る。こうして、コントローラは、バルブ９０を制御する
ことにより、イオン室内に流れるイオン化可能物質の流
速を決める。
【００２９】コントローラ２６２は、電圧制御信号１１
８,１２０,１２２を介して電極９４,９６,９８への制御
を実行する。特に、プラズマ８４は、プラズマ電極９４
を介してイオン室８２に存在する。イオン流６８は、引
出し電極９６、抑制電極９８、および接地電極１００を
含むイオンビームアセンブリ９５によって指向されかつ
加速される。３つの可変電源１０２,１０４,１０６は、
電極９４,９６,９８,１００の間の電圧を調整する。例
えば、電源１０２は、プラズマ電極９４と引出し電極９
６の間の電圧をバイアスし、電源１０４は、引出し電極
９６と抑制電極９８の間の電圧をバイアスし、電源１０
６は、抑制電極９８と接地電極１００の間の電圧をバイ
アスする。電源１０２,１０４,１０６は、上述したよう
に、電極９４,９６,９８が接地電極１００に関して選択
された電圧にあるように調整される。
８,１２０,１２２を介して電極９４,９６,９８への制御
を実行する。特に、プラズマ８４は、プラズマ電極９４
を介してイオン室８２に存在する。イオン流６８は、引
出し電極９６、抑制電極９８、および接地電極１００を
含むイオンビームアセンブリ９５によって指向されかつ
加速される。３つの可変電源１０２,１０４,１０６は、
電極９４,９６,９８,１００の間の電圧を調整する。例
えば、電源１０２は、プラズマ電極９４と引出し電極９
６の間の電圧をバイアスし、電源１０４は、引出し電極
９６と抑制電極９８の間の電圧をバイアスし、電源１０
６は、抑制電極９８と接地電極１００の間の電圧をバイ
アスする。電源１０２,１０４,１０６は、上述したよう
に、電極９４,９６,９８が接地電極１００に関して選択
された電圧にあるように調整される。
【００３０】本発明によれば、ＴＩＳ１０８ａ〜１０８
ｄ（参照番号１０８で全体を表す。）は、電極９４,９
６,９８,１００と電源１０２,１０４,１０６の間に連結
されて作動し、電極（相互の電極放電）間および／また
は電極と、装置のアース(図示略)の間で起こる関連した
放電から電源を絶縁する。ＴＩＳ１０８は、電源の過負
荷状態を軽減し、その結果、従来のシステムに関連した
イオンビーム損失を軽減することによってイオンビーム
性能を改善する。
ｄ（参照番号１０８で全体を表す。）は、電極９４,９
６,９８,１００と電源１０２,１０４,１０６の間に連結
されて作動し、電極（相互の電極放電）間および／また
は電極と、装置のアース(図示略)の間で起こる関連した
放電から電源を絶縁する。ＴＩＳ１０８は、電源の過負
荷状態を軽減し、その結果、従来のシステムに関連した
イオンビーム損失を軽減することによってイオンビーム
性能を改善する。
【００３１】図４において、本発明に従う過渡絶縁装置
(transient isolation system)３０ａのある特別の実施
形態を示している。直列接続のインダクタ３００は、電
源を保持し、かつ電極６２のファーストシャント（例え
ば、アークによって生じた短絡回路）の間、ほぼ一定の
インピーダンスを与えることによって、電極６２に生じ
る放電から電源６４を実質的に絶縁する。電源の供給電
圧は崩壊しないが、アークは、電極電圧の崩壊によって
実質的に消失する。その結果、ビーム損失の時間が電極
６２とインダクタ３００の回路によるＲＬの時定数によ
って制限される。図示するように、電極６２の回路は、
非線形の電極抵抗３１０とストレー容量３１２を含む。
直列接続のインダクタ３００は、電源６４と電極回路に
おける構成部品の数値の電圧レベルにより、数μヘンリ
ーから数１０ミリヘンリーの範囲にある。インダクター
のワイドレンジの数値は、本発明を実行するのに使用す
ることができるものである。
(transient isolation system)３０ａのある特別の実施
形態を示している。直列接続のインダクタ３００は、電
源を保持し、かつ電極６２のファーストシャント（例え
ば、アークによって生じた短絡回路）の間、ほぼ一定の
インピーダンスを与えることによって、電極６２に生じ
る放電から電源６４を実質的に絶縁する。電源の供給電
圧は崩壊しないが、アークは、電極電圧の崩壊によって
実質的に消失する。その結果、ビーム損失の時間が電極
６２とインダクタ３００の回路によるＲＬの時定数によ
って制限される。図示するように、電極６２の回路は、
非線形の電極抵抗３１０とストレー容量３１２を含む。
直列接続のインダクタ３００は、電源６４と電極回路に
おける構成部品の数値の電圧レベルにより、数μヘンリ
ーから数１０ミリヘンリーの範囲にある。インダクター
のワイドレンジの数値は、本発明を実行するのに使用す
ることができるものである。
【００３２】好ましくは、ＴＩＳ３０ａの中に直列イン
ダクター３００に接続された並列配置のフィルタコンデ
ンサ３１４を含むようにすることもできる。このフィル
タコンデンサ３１４は、電極６２の安定を図り、インダ
クター３００を用いて二倍程度のローパスフィルタとし
て作用する。直列インダクター３００に関して上述した
ように、本発明を実行するために、ある範囲の容量値が
使用される。この容量値は、数ピコファラッドから数１
０マイクロファラッドの範囲である。
ダクター３００に接続された並列配置のフィルタコンデ
ンサ３１４を含むようにすることもできる。このフィル
タコンデンサ３１４は、電極６２の安定を図り、インダ
クター３００を用いて二倍程度のローパスフィルタとし
て作用する。直列インダクター３００に関して上述した
ように、本発明を実行するために、ある範囲の容量値が
使用される。この容量値は、数ピコファラッドから数１
０マイクロファラッドの範囲である。
【００３３】例えば、電源の抵抗３１８が約４ｋΩであ
ると仮定すると、アークインピーダンス（例えば、電極
抵抗３１０とストレー容量３１２の合計）が約１ｋΩ、
引出し電極の電圧が９０ｋＶ、インダクターの値が１０
ｍＨとなるように選択することができ、電源６４を約１
０μ秒の間絶縁する。ストレー容量３１０の値が、約６
００ｐＦになるように与えられる場合、電荷インピーダ
ンスが約４ｋΩを有し、アークが電極を短絡させると
き、２０Ａの電流が、そのストレー容量３１０に電荷を
補充するために流れる（２０Ａ ９０ｋＶ／４ｋΩ）。
この電荷（９０ｋＶ×６００ｐＦ＝５４uＣ）は、フィ
ルタコンデンサの電圧が約９０ｋＶの１％に維持される
場合（０．０６μＦ＝５４uＣ／[９０ｋＶ×１％]）、
フィルタコンデンサ３１４は、０．０６μＦとして与え
られる。上記所定の数値が用いられると、電源電流の一
時的な増加により、約４％の電源電圧の変動を伴って電
源６４の過負荷率以下に維持される（例えば、過負荷率
の３０％）。この結果、電源を効果的に電極から一時的
に絶縁することが達成される。イオンビームの損失が続
いて起こり、そして、抑制電源が崩壊する。図５に示す
回路は、電極アークが互いに生じるとき過負荷状態から
電源の絶縁が与えられる。
ると仮定すると、アークインピーダンス（例えば、電極
抵抗３１０とストレー容量３１２の合計）が約１ｋΩ、
引出し電極の電圧が９０ｋＶ、インダクターの値が１０
ｍＨとなるように選択することができ、電源６４を約１
０μ秒の間絶縁する。ストレー容量３１０の値が、約６
００ｐＦになるように与えられる場合、電荷インピーダ
ンスが約４ｋΩを有し、アークが電極を短絡させると
き、２０Ａの電流が、そのストレー容量３１０に電荷を
補充するために流れる（２０Ａ ９０ｋＶ／４ｋΩ）。
この電荷（９０ｋＶ×６００ｐＦ＝５４uＣ）は、フィ
ルタコンデンサの電圧が約９０ｋＶの１％に維持される
場合（０．０６μＦ＝５４uＣ／[９０ｋＶ×１％]）、
フィルタコンデンサ３１４は、０．０６μＦとして与え
られる。上記所定の数値が用いられると、電源電流の一
時的な増加により、約４％の電源電圧の変動を伴って電
源６４の過負荷率以下に維持される（例えば、過負荷率
の３０％）。この結果、電源を効果的に電極から一時的
に絶縁することが達成される。イオンビームの損失が続
いて起こり、そして、抑制電源が崩壊する。図５に示す
回路は、電極アークが互いに生じるとき過負荷状態から
電源の絶縁が与えられる。
【００３４】第１電極回路２３６ａと第２電極回路３２
６ｂは、図５に示すように、キャパシタ３３０（図５に
示す）を介して結合する。電極回路３２６ａ、３２６ｂ
間の容量結合が与えられることによって、個々の電極の
直流電圧制御は、コンデンサ３３０の直流ブロッキング
特性によって維持することができる。しかし、電極６２
ａ、６２ｂ間の短絡が、電極間の一時的放電により発生
すると、放電エネルギーは、電源６４ａ、６４ｂよりも
コンデンサ３３０によって供給される。拾い範囲のコン
デンサの容量値は、所定の回路パラメータにより選択さ
れる。多くの応用において、５０ナノファラッドが十分
な値となる。さらに、電源６４ａ、６４ｂは、ＴＩＳ３
０ｂによって個々に保護される。
６ｂは、図５に示すように、キャパシタ３３０（図５に
示す）を介して結合する。電極回路３２６ａ、３２６ｂ
間の容量結合が与えられることによって、個々の電極の
直流電圧制御は、コンデンサ３３０の直流ブロッキング
特性によって維持することができる。しかし、電極６２
ａ、６２ｂ間の短絡が、電極間の一時的放電により発生
すると、放電エネルギーは、電源６４ａ、６４ｂよりも
コンデンサ３３０によって供給される。拾い範囲のコン
デンサの容量値は、所定の回路パラメータにより選択さ
れる。多くの応用において、５０ナノファラッドが十分
な値となる。さらに、電源６４ａ、６４ｂは、ＴＩＳ３
０ｂによって個々に保護される。
【００３５】図６ａおよび図６ｂにおいて、一時的放電
（グリッチ[glitches]）は、ＴＩＳ３０ｂが設けられる
前後に発生している。図６ａにおいて、電圧グリッチ率
は、約５〜１０秒毎に約１グリッチの一対の抑制電極に
対して示されている。図６ｂにおいて、約５０〜１００
秒毎に約１グリッチのグリッチ率は、ＴＩＳ３０ｂが図
５ｂに示すように、２つの電極を絶縁するために設けら
れる。図６ｂに示されている残りのグリッチは、抑制さ
れない引出し電極のグリッチに関係している。約５０ｎ
Ｆのコンデンサは、上述したように、電極回路と一緒に
結合するために使用される。
（グリッチ[glitches]）は、ＴＩＳ３０ｂが設けられる
前後に発生している。図６ａにおいて、電圧グリッチ率
は、約５〜１０秒毎に約１グリッチの一対の抑制電極に
対して示されている。図６ｂにおいて、約５０〜１００
秒毎に約１グリッチのグリッチ率は、ＴＩＳ３０ｂが図
５ｂに示すように、２つの電極を絶縁するために設けら
れる。図６ｂに示されている残りのグリッチは、抑制さ
れない引出し電極のグリッチに関係している。約５０ｎ
Ｆのコンデンサは、上述したように、電極回路と一緒に
結合するために使用される。
【００３６】ＴＩＳ３０のために上述した受動回路は、
所定の放電エネルギーのために効果的であり、このため
に特に電圧範囲が設けられている。非常に高い電圧（９
０ｋＶよりも高い）において、フィルタ用インダクタ３
００に必要なフラックスが生じるように大きな容積のフ
ェライトコアが必要となる。それゆえ、ＴＩＳ３０に対
する別の実施形態として、１つの能動回路が用いられ
る。
所定の放電エネルギーのために効果的であり、このため
に特に電圧範囲が設けられている。非常に高い電圧（９
０ｋＶよりも高い）において、フィルタ用インダクタ３
００に必要なフラックスが生じるように大きな容積のフ
ェライトコアが必要となる。それゆえ、ＴＩＳ３０に対
する別の実施形態として、１つの能動回路が用いられ
る。
【００３７】図７ａにおいて、ＴＩＳ３０を実現するた
めの能動回路３５０を説明するブロック図が示されてい
る。この回路３５０は、一時的な電極電圧の崩壊中、電
源を絶縁し、そして放電が消失するように制御された電
極電圧を維持するという上述した受動回路と同一の機能
を果たす。この能動回路３５０は、広い電圧範囲で作動
し、かつ良好な絶縁性能を達成する。
めの能動回路３５０を説明するブロック図が示されてい
る。この回路３５０は、一時的な電極電圧の崩壊中、電
源を絶縁し、そして放電が消失するように制御された電
極電圧を維持するという上述した受動回路と同一の機能
を果たす。この能動回路３５０は、広い電圧範囲で作動
し、かつ良好な絶縁性能を達成する。
【００３８】電極６２からの電源の絶縁は、電源負荷の
一時的な変動を実質的になくすことによって達成するこ
とができる。電流制御および／または電圧制御されたス
イッチ３５２が、一時的な電極崩壊の間開かれ、これに
よって、負荷３５４（例、抵抗）を挿入して、通常の電
源の作動インピーダンスにマッチングさせる。負荷３５
４は、定常状態中、スイッチ３５２によって分流され、
そして、一時的な状態のときスイッチ３５２を開くこと
により挿入される。スイッチ３５２は、一般的にマイク
ロ秒のスイッチング時間を有し、１０〜９０ｋＶのスタ
ンドオフ機能（電極による）、数１０ｍＡの平均電流と
数１０Ａのパルス電流の移送能力、および好ましくは、
低い順方向の電圧降下を有しているものとすべきであ
る。
一時的な変動を実質的になくすことによって達成するこ
とができる。電流制御および／または電圧制御されたス
イッチ３５２が、一時的な電極崩壊の間開かれ、これに
よって、負荷３５４（例、抵抗）を挿入して、通常の電
源の作動インピーダンスにマッチングさせる。負荷３５
４は、定常状態中、スイッチ３５２によって分流され、
そして、一時的な状態のときスイッチ３５２を開くこと
により挿入される。スイッチ３５２は、一般的にマイク
ロ秒のスイッチング時間を有し、１０〜９０ｋＶのスタ
ンドオフ機能（電極による）、数１０ｍＡの平均電流と
数１０Ａのパルス電流の移送能力、および好ましくは、
低い順方向の電圧降下を有しているものとすべきであ
る。
【００３９】図７ｂにおいて、ＴＩＳ３０の能動回路３
６０の別の実施形態が示されている。この回路３６０
は、トリオード(triode)スイッチ３６２[例えば、エイ
マック(Eimac)Ｙ−810プラナートリオード]を含み、こ
のスイッチは、一時的な放電状態の間、電源６４を絶縁
する。適当なスイッチ３６２が本発明を実施するのに使
用可能であることが理解できるであろう。例えば、ペン
トード(pentode)、テトロード(tetrode)、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ、サイリスタ、および電力トランジスタを使用す
ることができる。
６０の別の実施形態が示されている。この回路３６０
は、トリオード(triode)スイッチ３６２[例えば、エイ
マック(Eimac)Ｙ−810プラナートリオード]を含み、こ
のスイッチは、一時的な放電状態の間、電源６４を絶縁
する。適当なスイッチ３６２が本発明を実施するのに使
用可能であることが理解できるであろう。例えば、ペン
トード(pentode)、テトロード(tetrode)、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ、サイリスタ、および電力トランジスタを使用す
ることができる。
【００４０】グリッドバイアス電源３６４は、ダイオー
ド３６６を介してグリッド３６２ａに結合される。この
グリッドバイアス電源３６４は、イオン注入装置１０の
通常作動時（一時的な状態でない）にスイッチ３６２を
保持するための電圧を設定する。ダイオード３６６は、
グリッドバイアス電源３６４から一時的に分離するよう
に設けられている。
ド３６６を介してグリッド３６２ａに結合される。この
グリッドバイアス電源３６４は、イオン注入装置１０の
通常作動時（一時的な状態でない）にスイッチ３６２を
保持するための電圧を設定する。ダイオード３６６は、
グリッドバイアス電源３６４から一時的に分離するよう
に設けられている。
【００４１】小さな（例えば、１２５０Ω）カソードセ
ンス(cathode sense)抵抗３６８がスイッチ３６２のカ
ソード３６２ｂと電極６２の間に設けられている。一時
的な電極放電によりカソード３６２ｂ回路に電流が流れ
ると、カソードでの電圧がグリッド３６２ａに対するグ
リッドバイアス電源３６４によって設定される電圧に近
づく。カソードセンス抵抗３６８によって決められたレ
ベル以上に電流が流れると、スイッチ３６２は、カソー
ド３６２ｂの電圧をグリッド３６２ａの電圧以下に減少
する電流レベルにまで一時的な電流が低下するまで開放
されている。スイッチ３６２が開いているとき、負荷マ
ッチング装置３７０（例えば、約８００ＭΩの抵抗）が
電源６４と電極６２の間に設けられる。こうして、一時
的な電極放電に対して負荷マッチング装置３７０を挿入
することによって、電源６４の効果的な絶縁が達成さ
れ、電源の負荷の一時的な変動をなくすことができる。
スイッチ３６２は、通常動作（非放電時）をスムーズに
し、一時的な放電状態中においても同様の電源負荷を与
える。
ンス(cathode sense)抵抗３６８がスイッチ３６２のカ
ソード３６２ｂと電極６２の間に設けられている。一時
的な電極放電によりカソード３６２ｂ回路に電流が流れ
ると、カソードでの電圧がグリッド３６２ａに対するグ
リッドバイアス電源３６４によって設定される電圧に近
づく。カソードセンス抵抗３６８によって決められたレ
ベル以上に電流が流れると、スイッチ３６２は、カソー
ド３６２ｂの電圧をグリッド３６２ａの電圧以下に減少
する電流レベルにまで一時的な電流が低下するまで開放
されている。スイッチ３６２が開いているとき、負荷マ
ッチング装置３７０（例えば、約８００ＭΩの抵抗）が
電源６４と電極６２の間に設けられる。こうして、一時
的な電極放電に対して負荷マッチング装置３７０を挿入
することによって、電源６４の効果的な絶縁が達成さ
れ、電源の負荷の一時的な変動をなくすことができる。
スイッチ３６２は、通常動作（非放電時）をスムーズに
し、一時的な放電状態中においても同様の電源負荷を与
える。
【００４２】図８は、本発明に従うイオン注入装置１０
における電源を補強する方法を示している。ステップ４
００では、電極の電源６４は、作動して、装置１０（例
えば、引出し電極は、９０ｋＶに維持される。）の電極
６２に対応する電圧レベルに維持される。次に、ステッ
プ４１０に進むと、電源電流および／または電源電圧
は、監視される。電源電流および／または電源電圧は、
電流／電圧検出抵抗、ホールセンサ、磁気センサ、また
は適当な電流／電圧検出装置によって監視することがで
きる。そして、ステップ４２０に進むと、定常状態の電
流／電圧が上記所定のレベルを越えているかどうかの判
定を行なう。
における電源を補強する方法を示している。ステップ４
００では、電極の電源６４は、作動して、装置１０（例
えば、引出し電極は、９０ｋＶに維持される。）の電極
６２に対応する電圧レベルに維持される。次に、ステッ
プ４１０に進むと、電源電流および／または電源電圧
は、監視される。電源電流および／または電源電圧は、
電流／電圧検出抵抗、ホールセンサ、磁気センサ、また
は適当な電流／電圧検出装置によって監視することがで
きる。そして、ステップ４２０に進むと、定常状態の電
流／電圧が上記所定のレベルを越えているかどうかの判
定を行なう。
【００４３】ステップ４２０において、電流／電圧レベ
ルが所定のスレッショルド値（例えば、通常の電源作動
電流または電圧より５％高い値）より低い場合、処理
は、ステップ４００に戻り、電極電圧を維持する。電流
／電圧レベルがステップ４２０で所定のスレッショルド
値よりも高い場合、処理は、ステップ４３０に進む。
ルが所定のスレッショルド値（例えば、通常の電源作動
電流または電圧より５％高い値）より低い場合、処理
は、ステップ４００に戻り、電極電圧を維持する。電流
／電圧レベルがステップ４２０で所定のスレッショルド
値よりも高い場合、処理は、ステップ４３０に進む。
【００４４】ステップ４３０では、電源６４は、一時的
な放電状態にあるとき電極から切り離される。電源は、
上述した能動回路および／または受動回路を介して切り
離される。ステップ４４０に進むと、負荷マッチング装
置が挿入され、電源の定常負荷にマッチングされる。こ
の負荷マッチング装置は、電源を一時的な放電から絶縁
し、電源負荷の変動を実質的になくす。負荷マッチング
装置は、抵抗、インピーダンス回路網、能動回路網等の
適当な負荷マッチング回路とすることができる。一時的
な状態が収まった後、処理はステップ４５０に進み、電
源６４が電極６２に再び接続される。この処理の後、ス
テップ４００に戻り、そして、電極６２は定常状態の電
圧に保持される。
な放電状態にあるとき電極から切り離される。電源は、
上述した能動回路および／または受動回路を介して切り
離される。ステップ４４０に進むと、負荷マッチング装
置が挿入され、電源の定常負荷にマッチングされる。こ
の負荷マッチング装置は、電源を一時的な放電から絶縁
し、電源負荷の変動を実質的になくす。負荷マッチング
装置は、抵抗、インピーダンス回路網、能動回路網等の
適当な負荷マッチング回路とすることができる。一時的
な状態が収まった後、処理はステップ４５０に進み、電
源６４が電極６２に再び接続される。この処理の後、ス
テップ４００に戻り、そして、電極６２は定常状態の電
圧に保持される。
【００４５】本発明の好ましい実施形態について説明し
てきたが、これらは、もちろん、本発明の目的のための
構成および方法の全ての組合せを記載したものではな
く、当業者が理解できるように、本発明の多くの組合せ
および置換が可能である。従って、本発明は、添付され
た特許請求の範囲またはその技術的思想から逸脱しない
範囲内で、このような全ての変更、修正、および変形例
を含むものである。
てきたが、これらは、もちろん、本発明の目的のための
構成および方法の全ての組合せを記載したものではな
く、当業者が理解できるように、本発明の多くの組合せ
および置換が可能である。従って、本発明は、添付され
た特許請求の範囲またはその技術的思想から逸脱しない
範囲内で、このような全ての変更、修正、および変形例
を含むものである。
【図１】本発明に係るイオン注入装置の概略図である。
【図２】本発明に係る過渡絶縁装置のブロック図であ
る。
る。
【図３】本発明に係るイオン源に接続される過渡絶縁装
置の詳細な系統ブロック図である。
置の詳細な系統ブロック図である。
【図４】本発明に係る過渡絶縁装置を完成する受動回路
の概略回路図である。
の概略回路図である。
【図５】本発明に係る、内部電極の放電用の過渡絶縁装
置を完成する受動回路の概略回路図である。
置を完成する受動回路の概略回路図である。
【図６】図６ａは、本発明に係る受動的な一時的絶縁装
置を実装する前の過渡的電圧のグラフ図であり、図６ｂ
は、本発明に係る受動的な一時的絶縁装置を実装する前
の過渡的電圧のグラフ図である。
置を実装する前の過渡的電圧のグラフ図であり、図６ｂ
は、本発明に係る受動的な一時的絶縁装置を実装する前
の過渡的電圧のグラフ図である。
【図７】図７ａは、本発明に係る過渡絶縁装置を実装す
る能動回路の概略回路図であり、図７ｂは、本発明に係
る過渡絶縁装置を実装する能動回路の詳細回路図であ
る。
る能動回路の概略回路図であり、図７ｂは、本発明に係
る過渡絶縁装置を実装する能動回路の詳細回路図であ
る。
【図８】本発明に係る電源を補強するための方法を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
１０ イオン注入装置 １８ イオン源 ３０ 過渡絶縁装置 ６２ 電極 ６４ 電源 ６８ イオンビーム ９４ プラズマ電極 ９６ 引出し電極 ９８ 抑制電極 １００ 接地電極 １０２,１０３,１０６ 電源 １０８ 過渡絶縁装置 ２６２ コントローラ
Claims (23)
- 【請求項１】少なくとも１つの電極に電圧を供給するた
めの少なくとも１つの電源と、 前記電源と電極との間に接続されて作動し、前記電源と
電極を所定のスレッショルド値において減結合して、少
なくとも１つの電極の過負荷を軽減するスイッチ装置と
含むことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】スイッチ装置は、少なくとも１つの電極か
ら少なくとも１つの電源を減結合する受動回路を更に含
むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】スイッチ装置は、少なくとも１つの電極か
ら少なくとも１つの電源を減結合する能動回路を更に含
むことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】第１電極と第２電極を含み、各電極は、そ
れぞれ第１電源と第２電源により作動し、前記第１電極
及び第２電極は、第１電源と第２電源の過負荷を軽減す
るキャパシタを介して結合されることを特徴とする請求
項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】イオンビームを形成するためにイオンを供
給するイオン源と、 イオンビームを加工物に向けるために少なくとも１つの
電極に電圧を供給する少なくとも１つの電源と、 捕捉されないイオンビームを供給するために、前記電極
によって放電から前記電源を一時的に絶縁する過渡絶縁
装置とを含むことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項６】過渡絶縁装置は、前記少なくとも１つの電
極によって、前記少なくとも１つの電源を放電から絶縁
する受動回路をさらに含むことを特徴とする請求項５記
載のイオン注入装置。 - 【請求項７】受動回路は、さらにインダクターを含むこ
とを特徴とする請求項６記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項８】受動回路は、さらにキャパシタを含むこと
を特徴とする請求項６記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項９】第１電極と第２電極を含み、各電極は、そ
れぞれ第１電源と第２電源により作動し、前記第１電極
及び第２電極は、第１電源と第２電源の過負荷を軽減す
るキャパシタを介して結合されることを特徴とする請求
項５記載のイオン注入装置。 - 【請求項１０】過渡絶縁装置は、前記少なくとも１つの
電極によって、前記少なくとも１つの電源を放電から絶
縁する能動回路をさらに含むことを特徴とする請求項５
記載のイオン注入装置。 - 【請求項１１】能動回路は、少なくとも１つの電極によ
って、少なくとも１つの電源を一時的な放電から一時的
に切り離すための能動スイッチを含むことを特徴とする
請求項１０記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項１２】能動スイッチは、トリオード、ペントー
ド、テトロード、ＭＯＳＦＥＴ、サイリスタ、および電
力トランジスタの少なくとも１つからなることを特徴と
する請求項１１記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項１３】能動回路は、少なくとも１つの電極によ
って、一時的な放電からの少なくとも１つの電源の負荷
変動を軽減するための負荷マッチング装置を含むことを
特徴とする請求項１０記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項１４】負荷マッチング装置は、抵抗、インピー
ダンス回路網、および能動回路網の少なくとも１つを含
むことを特徴とする請求項１３記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項１５】能動回路は、能動スイッチを作動させる
ためのセンサを含むことを特徴とする請求項１１記載の
過渡絶縁装置。 - 【請求項１６】センサは、抵抗、ホールセンサ、および
磁気センサの少なくとも１つを含むことを特徴とする請
求項１４記載の過渡絶縁装置。 - 【請求項１７】過渡絶縁装置は、少なくとも１つの電源
内に設けられることを特徴とする請求項５記載のイオン
注入装置。 - 【請求項１８】過渡絶縁装置は、少なくとも１つの電極
とともに設けられることを特徴とする請求項５記載のイ
オン注入装置。 - 【請求項１９】少なくとも１つの電極に電圧を供給する
電源と、 この電源と少なくとも１つの電極を所定のスレッショル
ド値で減結合して、前記電源の過負荷を軽減するための
手段と、を含むことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２０】イオン注入装置において、電源を補強す
るための方法であって、 少なくとも１つの電極を駆動する少なくとも１つの電源
からの電流を監視し、 この電流が所定のスレッショルド値以下であるかを判定
し、 前記電流が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前
記電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２１】前記電流が所定のスレッショルド値より
も高い場合、前記電源と前記電極との間に負荷マッチン
グ装置を挿入するステップをさらに含むことを特徴とす
る請求項２０記載の方法。 - 【請求項２２】イオン注入装置において、電源を補強す
るための方法であって、 少なくとも１つの電極を駆動する少なくとも１つの電源
からの電圧を監視し、 この電圧が所定のスレッショルド値以下であるかを判定
し、 前記電圧が所定のスレッショルド値よりも高い場合、前
記電源を前記電極から絶縁する、各ステップを有するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２３】前記電圧が所定のスレッショルド値より
も高い場合、前記電源と前記電極との間に負荷マッチン
グ装置を挿入するステップをさらに含むことを特徴とす
る請求項２２記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/467,700 US6452196B1 (en) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Power supply hardening for ion beam systems |
| US467700 | 1999-12-20 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001216935A true JP2001216935A (ja) | 2001-08-10 |
| JP2001216935A5 JP2001216935A5 (ja) | 2008-01-31 |
| JP4947401B2 JP4947401B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=23856769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000385315A Expired - Lifetime JP4947401B2 (ja) | 1999-12-20 | 2000-12-19 | イオン注入装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6452196B1 (ja) |
| EP (1) | EP1111651B1 (ja) |
| JP (1) | JP4947401B2 (ja) |
| KR (1) | KR100671675B1 (ja) |
| DE (1) | DE60004957T2 (ja) |
| SG (1) | SG98000A1 (ja) |
| TW (1) | TWI242877B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009530792A (ja) * | 2006-03-22 | 2009-08-27 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 異常回復のためのイオンビーム制御方法 |
| JP2010515235A (ja) * | 2007-01-03 | 2010-05-06 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入機の粒子汚染を軽減する方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7507977B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-03-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of ion beam control in response to a beam glitch |
| JP2009530769A (ja) * | 2006-03-14 | 2009-08-27 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオンビームの分裂を緩和するアーク消滅回路 |
| FR2918790A1 (fr) * | 2007-07-09 | 2009-01-16 | Orsay Physics Sa | Source micronique d'emission ionique |
| US20140021373A1 (en) * | 2012-07-23 | 2014-01-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Beamline electrode voltage modulation for ion beam glitch recovery |
| US10515780B1 (en) * | 2018-12-19 | 2019-12-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of arc detection using dynamic threshold |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543699A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-11 | Toshiba Corp | Protector of ion source |
| JPS56116000A (en) * | 1980-02-16 | 1981-09-11 | Osaka Transformer Co Ltd | Charged particle beam machining equipmint |
| JPS5944191A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-12 | Toshiba Corp | 情報伝送装置 |
| JPH01211846A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Fuji Electric Co Ltd | 高圧電源保護装置 |
| JPH01227340A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Jeol Ltd | 荷電粒子源のエミッタ保護装置 |
| US5162965A (en) * | 1991-06-28 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Anti crow bar current interrupter for microwave tube transmitters |
| JPH05266841A (ja) * | 1992-01-03 | 1993-10-15 | Etec Syst Inc | 電子銃用アーク抑制器 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3748536A (en) * | 1972-09-05 | 1973-07-24 | Airco Inc | Power supply |
| US4295188A (en) * | 1979-12-13 | 1981-10-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Converter circuit providing isolation and load sensing |
| JP2650930B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
| JPH03225740A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | 中性粒子入射装置用電源装置 |
| US5621305A (en) * | 1991-12-13 | 1997-04-15 | Electric Power Research Institute, Inc. | Overload management system |
| JP3003088B2 (ja) | 1994-06-10 | 2000-01-24 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
| JPH0864166A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Tel Varian Ltd | イオン注入装置 |
| US5811823A (en) | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
| US5892235A (en) * | 1996-05-15 | 1999-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for doping |
| US5661308A (en) | 1996-05-30 | 1997-08-26 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion formation in an ion implanter |
| US5962887A (en) * | 1996-06-18 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Metal-oxide-semiconductor capacitor |
| US5820366A (en) | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| US5900177A (en) | 1997-06-11 | 1999-05-04 | Eaton Corporation | Furnace sidewall temperature control system |
| JP2000090843A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン源電源回路 |
| CA2268480C (en) * | 1999-04-09 | 2001-06-19 | 1061933 Ontario Inc. | Universal harmonic mitigating system |
| KR100567051B1 (ko) * | 1999-11-26 | 2006-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압검출을 이용한 이온주입장치 |
| US6305316B1 (en) * | 2000-07-20 | 2001-10-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system |
-
1999
- 1999-12-20 US US09/467,700 patent/US6452196B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-12-12 TW TW089126429A patent/TWI242877B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-13 SG SG200007407A patent/SG98000A1/en unknown
- 2000-12-15 KR KR1020000076880A patent/KR100671675B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-15 EP EP00311254A patent/EP1111651B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 DE DE60004957T patent/DE60004957T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-19 JP JP2000385315A patent/JP4947401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543699A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-11 | Toshiba Corp | Protector of ion source |
| JPS56116000A (en) * | 1980-02-16 | 1981-09-11 | Osaka Transformer Co Ltd | Charged particle beam machining equipmint |
| JPS5944191A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-12 | Toshiba Corp | 情報伝送装置 |
| JPH01211846A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Fuji Electric Co Ltd | 高圧電源保護装置 |
| JPH01227340A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Jeol Ltd | 荷電粒子源のエミッタ保護装置 |
| US5162965A (en) * | 1991-06-28 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Anti crow bar current interrupter for microwave tube transmitters |
| JPH05266841A (ja) * | 1992-01-03 | 1993-10-15 | Etec Syst Inc | 電子銃用アーク抑制器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009530792A (ja) * | 2006-03-22 | 2009-08-27 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 異常回復のためのイオンビーム制御方法 |
| JP2010515235A (ja) * | 2007-01-03 | 2010-05-06 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入機の粒子汚染を軽減する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1111651A2 (en) | 2001-06-27 |
| TWI242877B (en) | 2005-11-01 |
| SG98000A1 (en) | 2003-08-20 |
| EP1111651A3 (en) | 2001-07-04 |
| KR20010062457A (ko) | 2001-07-07 |
| KR100671675B1 (ko) | 2007-01-18 |
| JP4947401B2 (ja) | 2012-06-06 |
| DE60004957T2 (de) | 2004-07-15 |
| EP1111651B1 (en) | 2003-09-03 |
| DE60004957D1 (de) | 2003-10-09 |
| US6452196B1 (en) | 2002-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7345856B2 (en) | Method and apparatus for arc suppression in scanned ion beam processing equipment | |
| US6794951B2 (en) | Solid state RF power switching network | |
| JP5438519B2 (ja) | イオン注入機の粒子汚染を軽減する方法 | |
| US7507977B2 (en) | System and method of ion beam control in response to a beam glitch | |
| EP0966020B1 (en) | Method and apparatus for monitoring charge neutralization operation | |
| CN113169018B (zh) | 使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法 | |
| JP4947401B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US9534287B2 (en) | Machine for implanting ions in plasma immersion mode for a low-pressure method | |
| WO2007111822A2 (en) | A method of ion beam control for glitch recovery | |
| JP2009530769A (ja) | イオンビームの分裂を緩和するアーク消滅回路 | |
| JPH07335163A (ja) | イオンビーム発生方法およびその装置 | |
| JP2001216935A5 (ja) | ||
| JPH0864166A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3395265B2 (ja) | イオン注入装置における中性粒子除去方法及びイオン注入装置 | |
| JPH10208651A (ja) | イオン源装置およびそれを用いたイオン注入方法 | |
| JP3475562B2 (ja) | イオンビームの加速装置 | |
| KR101017219B1 (ko) | 이온주입장치용 아크챔버의 아킹검출시스템 및아킹검출방법 | |
| JPS617555A (ja) | 電子ビ−ムによる金属加工装置 | |
| JPH03133040A (ja) | 高電圧電子銃装置 | |
| KR0176126B1 (ko) | 이온주입설비의 듀얼 바이어스 센싱 회로 | |
| JPH06275223A (ja) | 高周波イオン源 | |
| JPS6199256A (ja) | イオン打込機の偏向磁石電源 | |
| KR20070018559A (ko) | 이온 주입 장치 | |
| JPH02135652A (ja) | イオン源への電圧印加判定方法 | |
| DE19826297A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung von Überschlägen bei Sputterprozessen durch eine aktive Arcunterdrückung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071211 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071211 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100901 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101130 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120208 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4947401 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |