JP2009530769A - イオンビームの分裂を緩和するアーク消滅回路 - Google Patents
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Abstract
本発明は、例えば、不安定なイオンビーム電流を緩和し、かつ、不均一なイオン注入を回避するために、イオン注入システムのイオン源に結合された高電圧引き出しまたは抑圧電極間で発生するアークを消滅するための回路に向けられている。高電圧高速切替回路は、HV電源などの高電圧容量をほとんど放電し、イオンビーム電流に劇的に影響するとともに回復後にかなりの時間を受け取る有害なアークを消すために、抑圧および/または引き出し電極の高電圧電源に直列に加えられる。高電圧スイッチは、電極へのHV供給の電流または電圧変化を検出するトリガ回路により制御される。また、アーク消滅回路は、HVスイッチを保護するために、リアクタンス素子から過剰なエネルギーを吸収し、いくつかの過電圧をクランプする、HVスイッチの保護回路を含む。
Description
〔発明の分野〕
本発明は、一般的に、イオン注入システムに関するものであり、より詳細には、より一様なイオン注入を得るようなシステムにおいてイオンビーム電流上で振舞うアークなどの不安定な影響を緩和するために、イオン注入システム内の高電圧電極および/またはイオン源間で発生するアークを消すための回路に関する。
本発明は、一般的に、イオン注入システムに関するものであり、より詳細には、より一様なイオン注入を得るようなシステムにおいてイオンビーム電流上で振舞うアークなどの不安定な影響を緩和するために、イオン注入システム内の高電圧電極および/またはイオン源間で発生するアークを消すための回路に関する。
〔発明の背景〕
イオン注入システムは、ドーパント元素として知られている不純物を、共に加工部品と呼ばれる半導体基板またはウエハに与えるために用いられている。このようなシステムでは、イオン源は所望のドーパント元素をイオン化し、イオン化された不純物が、イオンのビームとしてイオン源から引き出される。イオンビームは、イオン化されたドーパントを加工部品内に注入するために、各加工部品に横切って向けられる(例えば、サッと通過させられる)。ドーパントイオンは、所望の電気特性を持たせるように、加工部品の組成を変え、それらは、基板上でのトランジスタなどの特に半導体装置の形成に有用となる。
イオン注入システムは、ドーパント元素として知られている不純物を、共に加工部品と呼ばれる半導体基板またはウエハに与えるために用いられている。このようなシステムでは、イオン源は所望のドーパント元素をイオン化し、イオン化された不純物が、イオンのビームとしてイオン源から引き出される。イオンビームは、イオン化されたドーパントを加工部品内に注入するために、各加工部品に横切って向けられる(例えば、サッと通過させられる)。ドーパントイオンは、所望の電気特性を持たせるように、加工部品の組成を変え、それらは、基板上でのトランジスタなどの特に半導体装置の形成に有用となる。
より小型の電気装置を求める傾向の継続は、より小型で、より力強く、よりエネルギー効率が良い半導体装置を、より多く、個別のウエハに“搭載(pack)”する誘引を示している。これは、イオン注入、より詳細には、均一なイオンのウエハへの注入を含む半導体製造工程において、慎重な制御を必要としている。また、半導体装置は、生産分野を増加するために、より大きな加工部品上に作りあげられている。例えば、多くのデバイスが単一のウエハに作成されるように、直径300mm以上のウエハが実現されている。このようなウエハは高価である。そのため、不均一なイオン注入のせいで、全てのウエハを廃棄するような無駄を軽減することが非常に望まれている。より大きいウエハおよび高密度の特徴は、均一なイオン注入を挑戦させるが、イオンビームが、ウエハの周囲に届く距離、および、より大きな角度を横切って走査されることから、それらの間のいくつかの領域を注入し損ねる。
また、イオンビームなどのイオン源を供給するために必要な高電圧は、各種引き出しおよび抑圧電極と、他の近傍の部分との間で、ときどきアークが生じることを課題としている。このアーク発生の傾向は、アークが非常に低い供給電圧で自然に消えるまで、一以上の影響されたHV電源を、度々十分に放電する。アークが生じている間、ビーム電流は、重大な不安定になる、または、供給電圧が再保存されるまで遮断される。その間、イオン注入は断続的なイオン注入を経験する。したがって、より大きな注入角度および距離などのイオンビームによって均一な注入を与えるために、イオン注入器のイオン源または電極に関連したHVアークの影響を緩和する必要がある。
〔発明の概要〕
以下は、発明の一以上の側面の基本的な理解を与えるために、簡単な概要を示している。この概要は、発明の広範囲な概観ではなく、発明の鍵または本質的な要素を同一するために示されるだけではなく、発明の範囲を制限するために示されるのではない。むしろ、概要の主要な目的は、後示されるより詳細な説明への前置きとして、簡単な形式で発明のいくつかのコンセプトを示すことである。
以下は、発明の一以上の側面の基本的な理解を与えるために、簡単な概要を示している。この概要は、発明の広範囲な概観ではなく、発明の鍵または本質的な要素を同一するために示されるだけではなく、発明の範囲を制限するために示されるのではない。むしろ、概要の主要な目的は、後示されるより詳細な説明への前置きとして、簡単な形式で発明のいくつかのコンセプトを示すことである。
本発明は、例えば、不安定なイオンビーム電流、および、不均一なイオン注入を緩和するために、イオン注入システムのイオン源に結合された高電圧(high voltage)(HV)電極間で発生するアークを消滅するための回路に向けられている。いくつかの高電圧高速切替回路は、有害なアークを消すためのイオン源に結合された抑圧(suppression)および/または引き出し電極の高電圧電源に、直列に加えられている構成が開示されている。これらの領域で発生するアークは、例えば、イオン源または引き出し電極供給電圧(Vext)、あるいは、抑圧電極供給電圧(Vsup)のための、HV電源などに内蔵されている高電圧容量をほぼ完全に放電する傾向を有している。その結果、イオンビーム電流は、イオンビーム電流(Ibeam)のこれら“突発事故(glitches)”によって劇的に影響される。そしてこれにより、供給電圧およびビーム電流Ibeamを回復した後にかなりの時間を受ける。
本発明の一以上の側面によれば、一以上の加工部品へのイオン注入の使用に適するイオン注入システムのイオン源のためのアーク消滅回路が開示されている。発明の一側面では、上記システムは、上記イオン源(または、いくつかのHV引き出しまたは抑圧電極の1つ)のHV電源(HVPS)に直列に接続された、一以上の高電圧高速(high speed)(HS)スイッチを含み、HVHSスイッチは、アークを消滅するためにイオン源または電極のHV電源電流の遮断を実行可能であるとともに、さらに電源電流の回復を実行可能である。イオン源から引き出される大量のイオンは、ビーム電流を有するイオンビームの形となる。また、上記システムは、上記イオン源またはHV電極に関連した電流または電圧変化を検出するとともに、当該検出した電流または電圧変化に基づいて、上記一以上のHVHSスイッチの開閉を制御するトリガ制御回路を含む。また、一以上の保護回路が、上記各HVHSスイッチを保護するために含まれている。一以上の保護回路は、上記各HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収するとともに、上記スイッチに発生する過電圧をクランプする。
発明の他の側面では、上記システムは、二以上の高電圧スイッチの開閉のための、二以上のアーク消滅回路の上記トリガ制御回路を同期するとともに時間を計測する同期回路をさらに含む。
さらに他の側面では、上記イオン源に関連した電流または電圧変化の検出は、上記HV電源の電流サージ、イオンビーム電流の減少、抑圧電極電圧の下降、および、引き出し電極電圧の下降のうちの1つの検出を含む。
まださらに他の側面では、上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと直列に接続されている。
ある側面では、上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと並列に接続されている。
発明の他の側面では、上記システムは、上記イオン源に密接して配置された引き出し抑圧電極をさらに含む。
さらに他の側面では、上記電流または電圧の検出は、上記イオン源の電流または電圧を調節するフィードバックまたは閉ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の間に実行される。
まださらに他の側面では、上記電流または電圧の検出は、上記イオン源の電流または電圧を調節する開ループを助長する上記イオン注入工程の前に実行される。
他の側面では、上記電流または電圧の検出は、イオンビーム電流を調節するフィードバックまたは閉ループを助長する上記イオン注入工程の間に実行される。
また、本発明の一以上の他の側面によれば、イオン注入システムの高電圧電源のためのアーク消滅回路は、上記イオン注入システム内に生成されたアークを消滅させるために、注入器に結合された電極の高電圧電源に直列に接続され、上記電極への電流の遮断および回復を実行可能な高電圧スイッチを含み開示されている。また、上記システムは、上記電極に関連した電流または電圧変化を検出するとともに、当該検出に基づいて、上記一以上のHVスイッチの開閉を制御するトリガ制御回路を含む。最後に、上記システムは、それぞれが上記高電圧スイッチの1つに結合されており、上記各HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収するとともに、上記スイッチにおける過電圧を制限する、一以上の保護回路を含む。
上述事項および関連した目的の達成のために、以下の説明および添付図面は、詳細な特定の説明に役立つ、発明の側面および形態を記載する。これらは、発明の原理が利用されるいくつかの各種方法だけを示す。発明における他の側面、利点、および新規の特徴は、図面と連結して考慮されるとき、以下の発明の詳細な説明から明らかになるであろう。
〔図面の簡単な説明〕
図1は、イオン注入器のイオン源に関連したアークを消滅する、本発明の一以上の側面に係るイオン注入システムの構成を示す概略ブロック図である。
図1は、イオン注入器のイオン源に関連したアークを消滅する、本発明の一以上の側面に係るイオン注入システムの構成を示す概略ブロック図である。
図2は、本発明のアーク消滅回路を実現するような、模範的なイオン注入システムを示す簡略ブロック図である。
図3は、図2のイオン注入システムの高電圧電極のアークが生じている間、イオン注入器内の引き出しおよび抑圧電圧、およびビーム電流の変化を示す図である。
図4は、イオン注入システムで用いられるような従来のアーク抑圧回路を有する、模範的な抑圧電極高電圧電源回路を示す簡略概略図である。
図5は、本発明に係るイオン注入システムで用いられるような、イオン源の高電圧電源に結合されて実現された模範的なアーク消滅回路を示す簡略ブロック図である。
図6Aおよび図6Bは、イオン源に結合された引き出し電極のアークが生じている間、空気中および真空中で試験された、本発明のアーク消滅回路のHVHSスイッチを開閉するときのアーク消滅の影響を示すグラフ図である。
図7は、イオン注入器の3つの高電圧電源においてHVHSスイッチを実現するとともに、イオン注入システムに示され結合された高電圧電源回路および3つの電極のそれぞれに、電流および電圧の回復を連続かつ同時に起こす同期回路を実現する、イオン注入器で用いられる模範的なアーク消滅回路を示す簡略概略図である。
図8は、本発明の一以上の形態に係る、HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収し、スイッチを横切る過電圧を制限するために、HVHSスイッチに横切って、または、HVHSスイッチに直列で用いられるような、模範的な保護回路を示す概略図である。
〔発明の詳細な説明〕
本発明は、同じ参照符号が最後まで同じ要素を参照して用いられている図面を参照しながら説明される。図面および以下の説明は、実在する模範であり、制限されるものではない。それゆえ、説明されたシステムおよび方法の変形、並びに、ここで説明されたものから離れた他の形態などは、本発明および添付のクレームの範囲内にあるものとして考えられることは理解されるであろう。
本発明は、同じ参照符号が最後まで同じ要素を参照して用いられている図面を参照しながら説明される。図面および以下の説明は、実在する模範であり、制限されるものではない。それゆえ、説明されたシステムおよび方法の変形、並びに、ここで説明されたものから離れた他の形態などは、本発明および添付のクレームの範囲内にあるものとして考えられることは理解されるであろう。
本発明は、例えば、イオン注入システムのイオン源に結合された高電圧引き出しまたは抑圧電極間で発生するアークを消滅することに関する。アーク消滅回路は、例えば、そのようなアークが発生している間に結果として生じる不安定なイオンビーム電流を軽減し、不均一なイオン注入を回避することを論議される。本発明によれば、HVHSスイッチ(例えば、65KV@200MHz MOSFETスイッチ)を含む高電圧高速(HVHS)切替回路が、例えば、有害なアークを消すために、抑圧および/または引き出し電極、あるいは接地電極に、高電圧電源と直列に加えられている。このようなHVアークが発生するとき、HV電源などの高電圧コンデンサは、ほぼ完全に放電される。この深い放電は、イオンビーム電流に劇的に影響し、電源電圧およびイオンビーム電流Ibeamを回復するために、その後かなりの時間を必要とする。このような高電圧高速スイッチは、製造アイテムとして、まさに近年利用可能となっている。したがって、高電圧高速スイッチは、本発明のアーク消滅回路を組み込んでいるアプリケーションなどで、当面の使用を見つけている。
高電圧スイッチは、電極へのHV電源の電流または電圧変化を検出するトリガ回路によって制御される。また、アーク消滅回路は、HVHSスイッチを囲んでいるリアクタンス素子から過剰エネルギーを吸収し、HVHSスイッチからいくつかの過電圧をクランプする、HVスイッチのための一以上の保護回路を含む。保護回路は、各HVHSスイッチと並列および/または直列に接続される。さらに、本発明のアーク消滅回路は、イオン注入システムに結合された高電圧電源回路および3つの電極のそれぞれに、電流および電圧の回復を連続かつ同期に起こす同期回路を含む。
本発明のHVHSアーク消滅回路は、イオン源およびイオン注入器の文脈で説明され描かれるが、当業者は、このような高電圧高速アーク消滅回路は、例えば、x線設備、加速器、他のイオン源アプリケーションなどの、HVおよび高速アーク消滅を要求する他のアプリケーションで実現されることを認識するであろう。これによれば、高電圧電源の不要なアーク短絡は、高電圧電源が著しく放電され、関連システムの出力(例えば、イオン注入器のイオンビーム)に影響する機会を持つ前に消滅される。
まず、図1を参照すると、本発明の一以上の側面を満たすのに適した、イオン源の高電圧電源のための模範的なアーク消滅回路100が、ブロック図の形式で示されている。上記回路100は、高電圧電源102、高電圧高速HVHSスイッチ104、および電流変圧器(CT)106を含む。電流変圧器(CT)106は、イオンビーム130の形で引き出される大量のイオンを生成するイオン源120への、上記電源102の電流変化を検出する。イオン源120への供給電流の変化は、電流サージが検出される際にHVHSスイッチ104を開放するトリガ制御回路108、およびCT106によって検出される。
HVHSスイッチ104は、スイッチ104を囲んでいるリアクタンス素子からエネルギーを吸収し、過電圧ダメージからスイッチを保護するために、並列の保護回路110および直列の保護回路115によって保護される。また、保護回路110および115は、一時的な切替や、HVHSスイッチ104の外部のリアクタンス素子により引き起こされたリンギングを弱めることによって、スイッチ104およびイオン注入器の他の部品を保護する。アーク消滅回路100は、いくつかのイオン注入器、または、電源の出力にてアーク放電の課題となる高電圧源を用いるような他のアプリケーションなどで用いられる。
例えば、アーク消滅回路100は、イオンビーム電流として、引き出し電極またはイオン源の出力に、イオン源120内でアークが発生するとき、CT106において電流サージを検出することによって作動する。トリガ制御回路108は、CT106から電流サージの検出を受信する。そして今度は、トリガ制御回路108は、HVHSスイッチ104を開けるように制御する。HVHSスイッチ104が開くと、CT106を流れるアーク電流は、ほぼゼロに下降し、アークは、消えるまたは“消滅する”。
本発明の発明者らは、HVHSスイッチが再度閉じられる前、または、領域に残るアークから導電性のガス副産物がアークを再発生させる前の限定期間に、アークを消したままにする必要があることをさらに見つけた。よって、トリガ制御回路内の、または同期回路(例えば、図7の740)内の遅延時間は、そのような遅れを与えており、さらに以下に論議される。また、スイッチは、アークがもはや再発生しなくなるまで、繰り返し開閉させられる。
図2は、本発明の、図1のアーク消滅回路100と同様のアーク消滅回路を実現するような、模範的なイオン注入システム200を示す。例えば、イオン注入システム200は、いくつかの引き出し電極208を有するイオン源120を含む。イオン源120は、注入システム200にイオンビーム209としてイオンの源を提供する。イオンビーム209内のイオンは、まず、不要な質量またはエネルギーのイオンを取り除くために、磁気方法による質量分析磁石212によって、第1領域210で分析される。質量分析磁石212は、質量(例えば、質量比の電荷)に応じて、異なる軌道にてイオンビーム209からイオンをそらすように、ビーム路209を横切る領域を提供するように働く。磁界を通って移動するイオンは、ビーム路209に沿って所望の質量の個別のイオンに向かい、ビーム路から離れて不要な質量のイオンをそらす力を経験する。
それから、所望の質量およびエネルギーを有するイオンビーム209のイオンは、第2領域220で加速または減速され、分離装置および減速プレート232により集中させられ、設定ファラデーカップ234により測定され、領域230でプラズマシャワー236により空間電荷中性の状態にさせられる。最後に、イオンビーム209は、ウエハ242への注入、および円盤ファラデーカップ244による測定のための、終点場所240に進入する。
イオン注入の間、アーク205は、イオン源に結合された、例えば、高電圧引き出し、抑圧、または接地電極間に発生する。従来の注入システムでは、このアークは、アークが自身で消える前に、高電圧電源を完全に放電する傾向を持っている。図1のアーク消滅回路100は、例えば、この問題を回避して設計されている。
図3は、図2のイオン注入システムと同様のイオン注入器の高電圧引き出しおよび抑圧電圧において、アークが発生するときに結果として生じるビーム電流の変化を示すプロット300の例を示す。
図3のプロット300は、例えば、アークが、引き出し電圧310を、約0.020秒の時間315において、約2.2KVからほぼ0Vに放電することを示す。およそ同時に、抑圧電圧320は、ビーム電流Ibeam330がほぼ0mAに下降する間、約−9.3KVからほぼ0Vに下降する。引き出しおよび抑圧電圧310および320が、ほぼ0ボルトに下降すると、アーク自身は消える。これにより、これらの電圧は、元の電圧レベルの向かって再充電される。340に示すように、引き出し電圧310は、この元の電圧を超え、およそ時間345までビーム電流Ibeam330の回復を不利に遅れさせる。プロット300から見れば、電極電圧の変化は、ビーム電流で比較的大きく連続した衝撃を持つ。よって、図3は、HV電源が著しく放電する機会を持つ前に、イオンビーム用の電極と電極用の高電圧電源との間の高電圧電流通路を速く開けることが、非常に有益であることを示している。
図4は、引き出しスリット404を供給する高正電圧引き出し電源403と、接地電極409に隣接する抑圧電極408を供給する高負電圧抑圧電源406とを有する、模範的なイオン注入システム400の一部を示す。HV抑圧電源406は、従来のアーク抑圧または保護回路410を有している。従来のアーク抑圧または保護回路410は、抑圧電極408へのアーク電流を制限する電流制限抵抗412と、電源の電圧をフィルタしかつ安定化するコンデンサ414と、アークがオンオフを繰り返している間、回路のリアクタンス素子から生成された逆電圧を制限するフライバックダイオード416とを用いている。本発明の文脈では、アーク保護基板410もまた、ダメージからHVHSスイッチを保護するために、発明のHVHSスイッチ(例えば、図1の104)に結合して用いられる。
図5は、本発明に係るイオン注入システムで用いられるような、イオン源の高電圧電源に結合されて実現された模範的なアーク消滅回路500を示す。例えば、アーク消滅回路500は、HVHSスイッチ504に直列に接続されるとともに(例えば、MOSFETトランジスタの直列積み重ね)、直列スイッチ保護回路510に直列に接続された、負荷(例えばイオン源120)を駆動する高電圧負電源(Vb)503を含む。また、アーク消滅回路500は、例えば、イオンビーム(例えば、図1のイオンビーム130)の形で引き出される大量のイオンを生成するために用いられるイオン源120への、電源503の電流の変化を検出する電流変圧器CT506を含む。
また、回路500は、イオン源120への供給電流(Iext)509の電流の変化を検出するトリガ制御ユニット508を含む。アークを暗示する電流サージが、CT506により供給電流(Iext)509に検出される場合、次にトリガ制御回路508は、HVHSスイッチ504を開け、アークを消滅するように制御する。それゆえ、負荷(例えばイオン源120)内のコンデンサC1 518、および、負荷(Va)の電圧は、高電圧電源503の電圧VbからHVHSスイッチ504により分離される。よって、負荷のC1 514でのVaは、アークの発生のために放電するが、負電源電圧Vbは、HVHSスイッチ504による分離のために、電圧で概して充電された状態となる。
再度、HVHSスイッチ504は、スイッチ504の外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収し、これにより、過電圧ダメージからスイッチを保護する、並列の保護回路510および直列の保護回路515により保護される。本発明のアーク消滅回路500は、いくつかのイオン注入器、または、電源の出力にてアーク放電の課題となる高電圧源を用いるような他のアプリケーションなどで用いられる。
図6Aおよび図6Bは、イオン源に結合された引き出し電極のアークが生じている間、空気中(例えば、図6Aの600)および真空中(例えば、図6Bの650)で試験された、本発明のアーク消滅回路のHVHSスイッチを開閉するときのアーク消滅の影響を示す。プロットにより示されるように、図6Bのプロット650で示されるアークは、空気中で試験されたアークよりも、実際の真空環境にて非常に簡単に消されている。これは、実際の真空環境中のアークと比較して、空気中で生成されたアークの周りの、イオン化された空気中で生成された余分な熱のためである。しかしながら、図6Aのプロット600は、HVHS切替回路が、このより複雑な空気が満たされた環境でさえVb負電源電圧を維持するという、安定した影響を示すのに有用である。
図6Aは、空気中で試験したときに、イオン源(例えば、図1および図5の120)に結合された引き出し電極(例えば、図2の208)のアークが生じている間、本発明のアーク消滅回路(例えば、図5の500)のHVHSスイッチ610(例えば、図5の504)を開閉するときのアーク消滅の影響を示すプロット600の例を示す。図6Aは、閉鎖610aおよび開放610bのときにHVHSスイッチ504を横切る電圧610と、電源503の高電圧電源Vb630と、負荷(例えば120)で見られる高電圧Va620との例を示す。
時間0.0の前では、高電圧電源Vb630は約−6KVであり、負荷での高電圧電源Va620も約−6KVである。時間0.0において、アークは、負荷の高電圧電源Va620で発生する。そして、電圧は、620aの約6KVから620bの約1.6KVまで速く下降する。応答して、CT506により検出された電流は、トリガ制御回路508により受信され、610bに示すようにHVHSスイッチ504を開けるように制御する。約0.6ms後、アークは、HVHSスイッチが開くので消え始める。そして、負荷の電源電圧は、Va620cおよびスイッチ電圧610cにより示されるようにいくらか回復し始める。アークは十分に描かれず、HVHSスイッチは今閉められているので、約0.7〜1.2msの間、スイッチ電圧610bおよびVa620bにより示されるように、スイッチ504を再び開くために、アークは回復し、再度、十分な電流を描き始める。
また、およそ他の0.6ms後、時間1.2msにおいて、HVHSスイッチが開くので、アークは消え始める。そして、負荷の電源電圧が、Va620b、およびスイッチ504が再び閉じるときのスイッチ電圧610dにより示されるようにいくらか回復し始める。しかしながら、610dにてスイッチが再び閉じる際の時間、Va620は十分に回復する機会を得ず、Va620は約0Vまで放電する。アーク消滅回路は、およそ時間1.3msにて、610bでHVHSスイッチ504を開くことにより再度応答する。そして、Va620dは、HVHSスイッチ504がスイッチ電圧610aにより示されるように再度閉じ、Va620が620aで約6KVに再充電するときのおよそ時間1.75msまで、620bで約1.6KVを維持する。Va620の速い回復は、HV電源503の高電圧Vb630が、比較的安定を保ち、本発明のアーク消滅回路500により制御されるHVHSスイッチ504の速い切替動作により分離されたことから可能となる。
同様に、図6Bは、例えばイオン注入器の実際の真空環境で試験したときに、イオン源(例えば、図1および図5の120)に結合された引き出し電極(例えば、図2の208)のアークが生じている間、本発明に係るアーク消滅回路(例えば、図5の500)によって与えられた信号の相対振幅レベルのプロット650を示す。また、図6Bは、高負電源電圧により与えられる抑圧電圧Vsup690を有し、高正電源電圧により与えられる引き出し電極電圧Vex670で測定され、Vex電源(例えば、CT506から)の電流により送られたVexトリガ制御信号680によってトリガされる、HVHSスイッチ(例えば、図5の504)の開閉の間のファラデー電流検出660を示す。さらに、図6Bは、スイッチが670aで閉じ、スイッチが670bで開くときにHVHSスイッチ504を横切る電圧670と、電源503の高電圧電源Vb630と、負荷(例えば120)で見られる高電圧Va620とを示す。
時間0.0の前では、アークが発生するとき、検出したファラデー電流I−faraday660は高レベル660aにあり、電極電圧Vex670の高正電源電圧は高正電圧レベル670aにあり、電極電圧Vsup690の高負電源電圧は高正電圧レベル690aにあり、Vexトリガ制御信号680は高レベル680aにある。時間0.0において、アークは、例えば、Vex電極において高電圧電源(例えばVa620)に発生する。そして、Vex670およびVsup690電圧は、670bおよび690bに示すように低レベル電圧に速く下降する。応答して、CT506により検出された電流は、例えば、トリガ制御回路508により受信され、670bに示されるようにHVHSスイッチ504を開くように制御するために、Vexトリガ制御信号680に低レベル680bを与える。さらに、検出したファラデー電流I−faraday660は、低電流レベル660bに下降する。HVHSスイッチの開放で、約0.3ms後、Vexトリガ制御信号680は、アークが消えたことを示す680aレベルに戻る。そして、Vexトリガ制御信号680は、HVHSスイッチを再び閉めるように制御し、これに応答して、Vex670は670aレベルに戻る。
その後、0.6ms付近において、アークが消えたことにより、負荷での電源電圧が、Vsep690aレベルに再度回復するために、Vsup690への十分な回復を開始する。つまり、その後、0.65ms〜0.7msにおいて、ビーム電流は、660aレベルに回復するI−faraday660によって示されるように回復する。よって、本発明のアーク消滅回路は、イオン注入器の高電圧電極におけるアークを消滅することが可能となり、例えば、イオンビームの突発事故の長さを約0.7msに縮小化することが可能となることがわかる。
図7は、本発明のいくつかの側面に係るイオン注入器で用いられる、模範的なアーク消滅回路700の簡単な概略図を示す。アーク消滅回路700は、図1,4および5の回路といくつかの方法で類似しており、簡略化のために完全に再度説明されない。回路700は、イオン注入器の3つの分離した高電圧電源(Vext703、−Vsup1 731、および−Vsup2 732)で、HVHSスイッチ(A,BおよびC)704(例えば、MOSFETトランジスタの直列積み重ね)を実現している。また、アーク消滅回路700は、電流変圧器(CT1,2および3)706を含む。電流変圧器(CT1,2および3)706は、各イオンビーム電極、例えば、引き出し電極またはアークスリット720、抑圧電極721および722、あるいは、接地電極724にて、アーク725を暗示する電流サージを検出することで、スイッチA,B,C704を開くように制御するトリガ制御回路708により受信された、各高電圧電源での電流サージを検出する。図示のように、本発明の一側面によれば、各独立電極電源(例えば、Vext703、−Vsup1 731、および−Vsup2 732)は、接地または他の電極に独立でアークを生じる。よって、各HV電源は、他のHVHSスイッチなどにより保護される。
アーク消滅回路700は、アーク保護回路715をさらに含む。アーク保護回路715は、一時的な切替や、各HV電源に結合された回路のリアクタンス素子により引き起こされる他の過電圧ダメージなどからHVHSスイッチ704を保護する、電流制限抵抗(R1,2および3)712、フィルタコンデンサ(C1,2および3)714、並びにフライバックダイオード(D1,2および3)を有する。
また、回路700は、3つの各高電圧電極720,721および722に、電源電圧の回復を連続かつ同時に起こす同期回路740を実現している。例えば、同期回路740は、スイッチAが再び閉じる前に、スイッチBおよびC704を再び閉じるべきであるとされる。さらに、同期回路740は、各個別のHV電源の再アプリケーションに適して遅延する時間を与える。電源間のいくつかの連続またはタイミングの関係は、互いに、または、各HV電源に、直列または並列に接続されたいくつかのHVHSスイッチを有する複合スイッチの、再アプリケーションおよび/または再開放を含んで予想される。
本発明の文脈内で、自身に適応可能な切替および同期制御は、同期回路740の変形で用いられることが理解されるであろう。同期回路740では、変化する電流、電圧、赤外線もしくは他の波長の光エネルギー、または、アーク725を示すもしくはアーク725に関連された他の変化などが、監視され、電源の変形で起こるアークなどを補償またはさらには緩和するために、同期の連続および/またはタイミングが調整される。
また、HVHSスイッチは、いくつかの電極電圧、および/または、アークの検出に反応するビーム電流の動的パルス幅制御を変調または供給するために、一以上の特定の周波数に切り替えられることが理解される。電極アークの検出および消滅に加えて、HV電源変調は、システム(例えば、特定のビーム電流が予測可能な不均一な結果を生じるシステム)の周知の不均一性に応答して供給される。変調などの使用が、ウエハへの均一な投薬量を達成することである一方、均一性が全体ケースの部分集合である予め定められたドーパントプロファイルが達成されることも理解される。
また、本発明のアーク消滅回路は、注入の間と同様に注入の前に実現されることが理解される。
また、ビーム電流は、アーク消滅回路を制御するために監視されるか、または、電極アークが発生するときにHV電源の変形に応答して相対的に一定のビーム電流を規定するために監視される。
図8は、各HVスイッチ804の外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収し、本発明の一以上の側面に係るスイッチを横切る過電圧を制限するために、HVHSスイッチ804に横切って(across)または直列で用いられるような、模範的な保護回路810を示す。また、保護回路810は、HVHSスイッチ804から一時的な切替により引き起こされるリンギングを弱めることによって、スイッチ804および他の関連部品を保護する。保護回路810は、図1の保護回路110、および図5の保護回路510と同じである。保護回路810は、直列ダイオードDsおよび直列抵抗Rsの並列組合せに直列に接続された直列コンデンサCsを含む。保護回路810は、HVHSスイッチ804に並列にワイヤされている。HVHSスイッチ804は、HVHSスイッチ(例えば、MOSFETトランジスタの直列積み重ね)と、スイッチに並列に接続されたダイオードDpとを含む。HVHSスイッチ804は、例えば、並列ダイオードDpを有し、または無しで備えられる。
二以上のHVHSスイッチなどは、イオン源、イオン注入器、または、高電圧電源を実現するような他の設備などに関連して発生するアークを消滅するために、互いに、または、HV電源に、直列または並列に接続されることが、本発明の文脈で理解される。
ここで説明された側面は、アーク無し放電源と同様に、「ソフトイオン化」イオン源、RFまたはマイクロ周波数イオン源のRFまたはマイクロ周波数電力における、本来の電子ビーム電流に適切に等しいことが理解される。
発明は、ある側面および形態に関して説明され描かれたけれども、当業者は、この説明および添付図面を読み理解することで、同等の変形および補正を行うことは理解される。特に、上述した部品(アセンブリ、装置、回路、システム、など。)によって実行される各種機能を参照すれば、部品を描くために用いられるターム(“手段”の呼び名を含む)は、異なって示されない限り、開示された構成に直接的に同等でなくとも、ここで説明された発明の模範的な形態で機能を実行し、描かれた部品(例えば、つまり機能的に同等)の特別な機能を実行する部品に対応して示される。また、発明の特別な特徴はいくつかの形態の1つだけに関して開示されている一方で、その特徴は、与えられたまたは特別なアプリケーションに有利で所望されるような、他の形態の一以上の特徴を組み合わせられる。さらに、ターム“includes”、“including”、“has”、“having”、“with”、並びにそれらの変形が、詳細な説明またはクレームのいずれかで用いられる範囲まで、これらのタームは、ターム“comprising”と同様の用法に含めて示されている。また、ここに実現されるターム“exemplary”は、素晴らしい形態というよりむしろ、簡単な例を意味する。
Claims (19)
- イオン注入システムのイオン源に結合させて用いられるアーク消滅回路であって、
上記イオン注入システム内に生成されたアークを消滅させるために、上記イオン源の高電圧電源に直列に接続され、上記高電圧電源の電流の遮断および回復を実行可能な一以上の高電圧(high voltage)スイッチと、
上記イオン源に関連した電流または電圧変化を検出するとともに、当該検出した電流または電圧変化に基づいて、上記一以上のHVスイッチの開閉を制御するトリガ制御回路と、
それぞれが上記高電圧スイッチの1つに結合されており、上記各HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収するとともに、上記スイッチにおける過電圧をクランプする、一以上の保護回路とを含むアーク消滅回路。 - イオン注入器用の二以上の各高電圧電源と直列で用いられる、二以上の高電圧スイッチの開閉のための、二以上のアーク消滅回路の上記トリガ制御回路を同期するとともに時間を計測する同期回路をさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- 上記イオン源に関連した電流または電圧変化の検出は、上記HV電源の電流サージ、引き出しまたは抑圧(suppression)電極への電流変化、イオンビーム電流の減少、抑圧電極電圧の下降、および、引き出し電極電圧の下降のうちの1つの検出を含む、請求項1に記載のシステム。
- 上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと直列に接続されている、請求項1に記載のシステム。
- 上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと並列に接続されている、請求項1に記載のシステム。
- 上記イオン源に密接して配置された引き出し抑圧電極をさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- 上記電流または電圧の検出は、上記イオン源の電流または電圧を調節するフィードバックまたは閉ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の間に実行される、請求項1に記載のシステム。
- 上記電流または電圧の検出は、上記イオン源の電流または電圧を調節する開ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の前に実行される、請求項1に記載のシステム。
- 上記電流または電圧の検出は、イオンビーム電流を調節するフィードバックまたは閉ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の間に実行される、請求項1に記載のシステム。
- イオン注入システムの高電圧電源のためのアーク消滅回路であって、
上記イオン注入システム内に生成されたアークを消滅させるために、注入器に結合された電極の高電圧電源に直列に接続され、上記電極への電流の遮断および回復を実行可能な高電圧(high voltage)スイッチと、
上記電極に関連した電流または電圧変化を検出するとともに、当該検出に基づいて、上記一以上のHVスイッチの開閉を制御するトリガ制御回路と、
上記高電圧スイッチに結合されており、上記各HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収するとともに、上記スイッチにおける過電圧を制限する、一以上の保護回路とを含むアーク消滅回路。 - 上記イオン注入システムの二以上の高電圧スイッチの開閉のための、二以上のアーク消滅回路の上記トリガ制御回路を同期するとともに時間を計測する同期回路をさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- 上記電極に関連した電流または電圧変化の検出は、上記電極の電流サージ、上記HV電源の電流サージ、引き出しまたは抑圧(suppression)電極への電流変化、イオンビーム電流の減少、抑圧電極電圧の下降、および、引き出し電極電圧の下降のうちの1つの検出を含む、請求項10に記載のシステム。
- 上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと直列に接続されている、請求項10に記載のシステム。
- 上記保護回路の1つは、それが保護する上記HVスイッチと並列に接続されている、請求項10に記載のシステム。
- 上記電極は、上記イオン注入システムで用いられるイオン源に密接して配置された引き出し抑圧電極をさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- 上記イオン源用の高電圧電源をさらに含み、
上記アーク消滅回路は、上記イオン源に関連したアークを消滅させる、請求項15に記載のシステム。 - 上記電流または電圧の検出は、上記電極の電流または電圧を調節するフィードバックまたは閉ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の間に実行される、請求項10に記載のシステム。
- 上記電流または電圧の検出は、上記電極の電流または電圧を調節する開ループを助長する(facilitate)上記イオン注入工程の前に実行される、請求項10に記載のシステム。
- ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される大量のイオンを生成するイオン源と、
上記イオン注入システム内に生成されたアークを消滅させるために、注入器に結合された電極の高電圧電源に直列に接続され、上記電極への電流の遮断および回復を実行可能な高電圧(high voltage)スイッチと、
上記電極に関連した電流または電圧変化を検出するとともに、当該検出に基づいて、上記一以上のHVスイッチの開閉を制御するトリガ制御回路と、
上記高電圧スイッチに結合されており、上記各HVスイッチの外部のリアクタンス素子からエネルギーを吸収するとともに、上記スイッチにおける過電圧を制限する、一以上の保護回路とを含むイオン注入システム。
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Cited By (1)
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