JP3475562B2 - イオンビームの加速装置 - Google Patents

イオンビームの加速装置

Info

Publication number
JP3475562B2
JP3475562B2 JP07681195A JP7681195A JP3475562B2 JP 3475562 B2 JP3475562 B2 JP 3475562B2 JP 07681195 A JP07681195 A JP 07681195A JP 7681195 A JP7681195 A JP 7681195A JP 3475562 B2 JP3475562 B2 JP 3475562B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acceleration
electrode
focus
power supply
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07681195A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08273895A (ja
Inventor
康司 岩澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP07681195A priority Critical patent/JP3475562B2/ja
Publication of JPH08273895A publication Critical patent/JPH08273895A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3475562B2 publication Critical patent/JP3475562B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程で用
いられるイオン注入装置などに好適に実施されるイオン
ビームの加速装置に関する。 【0002】 【従来の技術】前記イオン注入装置は、イオン化したボ
ロンなどの試料を、シリコンウェーハなどのターゲット
に注入して所望とする電気的特性を得るためのものであ
る。そのイオン注入装置において、加速装置は、イオン
源から引出され分析電磁石で抽出された所望とするイオ
ンを、電界中を通過させることによって、ターゲットウ
ェーハの所望とする注入深さに対応した速度まで加速す
るためのものである。 【0003】前記加速装置は、たとえば該加速装置の入
出力両端にそれぞれ加速電極を備え、それらの加速電極
の間にフォーカス電極を配置した2ギャップで構成され
ており、入力端側の加速電極とフォーカス電極との間に
は予め定めるフォーカス電圧が印加されており、また両
加速電極間には注入深さに対応した加速電圧が印加され
る。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】上述のような加速電源
とフォーカス電源とを備える加速装置において、典型的
な従来技術では、フォーカス電圧が加速電圧未満の状
態、すなわち加速装置内の電位勾配が、入力端側から出
力端側となるにつれて連続して低下してゆくような状態
において、たとえば、イオン源のパラメータの設定不良
などでイオンビームが発散したり、またビームのアライ
メントが不良であったり、さらにまた真空度に異常があ
るなどして、大地側からフォーカス電極に2次電子が流
入すると、フォーカス電極の電位が引きずり下され、フ
ォーカス電圧が加速電圧にほぼ等しくなってしまう。前
記加速電源の定格電圧は、たとえば160(kV)であ
り、フォーカス電源の定格電圧は、125(kV)であ
る。したがって、フォーカス電源が過電圧に曝されてし
まうという問題がある。 【0005】本発明の目的は、加速電極間にフォーカス
電極を備える加速装置において、フォーカス電源を過電
圧から保護することができるイオンビームの加速装置を
提供することである。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明に係るイオンビー
ムの加速装置は、イオンビームの少なくとも入出力両端
側に設けられる加速電極と、前記入出力両端側の両加速
電極の間に設けられるフォーカス電極と、前記入出力両
端側の両加速電極間に加速電圧を印加する加速電源と、
入力端側の加速電極と前記フォーカス電極との間に、任
意に変化することができるフォーカス電圧を印加するフ
ォーカス電源と、イオンビームの出力端に設けられ、大
地と前記出力端側の加速電極との間を電気的に絶縁する
絶縁手段と、前記大地と出力端側の加速電極との間に流
れる電流値を検出する検出手段と、前記検出手段の検出
値が予め定める電流値以上であるときには、イオンビー
ムを消勢する消勢手段とを含むことを特徴とする。 【0007】 【作用】本発明に従えば、イオンビームの入出力両端側
に加速電極が設けられ、それらの加速電極の間にフォー
カス電極が設けられる少なくとも2ギャップ以上のイオ
ンビームの加速装置において、前記入出力両端側の両加
速電極間に所望とする加速電圧を印加してイオンビーム
を所望とする速度に加速するための加速電源とともに、
入力端側の加速電極とフォーカス電極との間にフォーカ
ス電圧を印加するフォーカス電源を、任意に変化するこ
とができる電圧を発生可能とし、前記イオンビームの速
度および発散を制御可能とする。 【0008】本発明では、イオンビームの出力端側の加
速電極と、後段の大地構造物との間を絶縁手段によって
電気的に絶縁しておき、その大地と出力端側の加速電極
との間に流れる電流値を検出手段によって検出すること
によって、イオンの出力端側の加速電極への衝突によっ
て放出され、フォーカス電極へ向かって流れてくる2次
電子の電流値を検出する。その検出値が予め定める電流
値以上であると、消勢手段がイオンビームを消勢、たと
えばイオン源からのイオンビームの引出しの停止や、加
速電圧、フォーカス電圧の印加を停止する。 【0009】したがって、前記2次電子の流入によって
フォーカス電極の電位が低下してフォーカス電源に加速
電圧に近い電圧が印加され、該フォーカス電源が過電圧
になってしまうことを防止することができる。 【0010】 【実施例】本発明の一実施例について、図1〜図5に基
づいて説明すれば以下のとおりである。 【0011】図1は本発明の一実施例の加速装置1の構
成を説明するための図であり、図2は前記加速装置1を
用いるイオン注入装置2の全体の構成を簡略化して示す
平面図である。 【0012】このイオン注入装置2では、イオン源3か
ら引出されたイオンは、分析電磁石4で所望とするイオ
ンのみに抽出された後、前記加速装置1に入力される。
加速装置1では、イオンビームは、発散しないようにタ
ーゲットへの注入深さに対応した所望とする速度にまで
加速または減速される。前記加速装置1からのイオンビ
ームは、FEM(Final Energy Magnet)5においてエネ
ルギコンタミネーションが除去された後、スイープマグ
ネット6によって所望とするビーム幅となるように掃引
され、コリメータマグネット7を介してターゲットチャ
ンバ8内のターゲット9に注入される。 【0013】前記ターゲット9は、たとえばシリコンウ
ェーハなどであり、作業者によってエンドステーション
10に搬入された前記ターゲット9は、搬送ロボット1
1によって前記ターゲットチャンバ8内のプラテン上の
所定の装填位置へ装填され、またイオン注入の終了した
ターゲット9は、搬送ロボット11によって前記エンド
ステーション10に取出される。 【0014】図1を参照して、加速装置1は、分析電磁
石4側の入力端に設けられる第1の加速電極P1と、F
EM5などの大地構造物15側の出力端に設けられる第
2の加速電極P2と、これらの加速電極P1,P2の間
に配置されるフォーカス電極P3 とを備える2ギャップ
の強電界型加速装置であり、さらに各加速電極P1,P
2とフォーカス電極P3との間に、整形電極P4,P5
がそれぞれ配置されて構成されている。前記加速電極P
1,P2間には加速電源21からの任意に変化すること
ができる加速電圧Vaccが印加されている。また、加
速電極P1とフォーカス電極P3との間には、フォーカ
ス電源22からの任意に変化することができるフォーカ
ス電圧Vfが印加されている。 【0015】したがって、前記加速電圧Vaccを変化
することによって、イオンのターゲットウェーハへの注
入深さを制御することができ、またフォーカス電圧Vf
を変化することによって、前記イオンに発散または集束
を行わせるフォーカス調整を行うことができる。こうし
て該加速装置1は、強度調整が可能な電子レンズのよう
にも機能し、ターゲット上でのビーム形状を、イオン
種、エネルギー、ビーム電流によらず、所望とする値に
制御するこができる。さらにまた、前記整形電極P4,
P5によって、電極P1,P3;P3,P2間の電位勾
配を整えることができる。 【0016】前記加速電極P1とフォーカス電極P3と
の間は、第1の電位分割抵抗R1で接続されており、ま
たフォーカス電極P3と加速電極P2との間は、第2の
電位分割抵抗R2で接続されている。電位分割抵抗R1
は、相互に抵抗値の等しい2つの部分抵抗R11,R1
2から構成されており、これらの抵抗R11,R12の
接続点、すなわち該電位分割抵抗R1の抵抗値が1/2
となる点が前記整形電極P4に接続されている。同様に
電位分割抵抗R2は、2つの部分抵抗R21,R22か
ら構成されており、部分抵抗R21,R22の接続点は
前記整形電極P5に接続されている。各電極P1〜P5
間は、絶縁体Q1〜Q4によって相互に電気的に絶縁さ
れて固定されている。 【0017】一方、前記イオン源3には、前記加速電圧
Vaccに、電圧変化可能な引出電源23によって発生
された引出電圧Vexだけ高い電圧が印加される。この
イオン源3および分析電磁石4などは、導電性の筺体2
4内に収納されており、この筺体24は前記加速電極P
1と電気的に接続され、すなわちこの筺体24には前記
加速電圧Vaccが印加されている。このためこの筺体
24は、大地25に碍子などの絶縁体26を介して電気
的に絶縁されて設置されている。したがって、イオン源
3と大地25との間には、該イオン源3内を巡回する冷
却用の純水や、前記絶縁体26などによって、たとえば
180(MΩ)程度の雑抵抗成分Retcが存在するこ
とになる。 【0018】これに対して加速電極P2は、絶縁体27
によって電気的に絶縁されて、前記大地25上に直接設
けられた大地構造物15に接続されている。こうして大
地25から絶縁された加速電極P2と大地構造物15と
の間に電流計28が介在され、この電流計28によって
加速電極P2からフォーカス電極P3へ流入する2次電
子の電流値を後述するようにして測定する。前記電流計
28の測定結果は制御回路29に入力されており、この
制御回路29は、前記測定値が予め定める値、たとえば
100(μA)以上となると、引出電源23の引出電圧
Vexを0として、イオン源3からのイオンの引出を停
止するとともに、加速電圧Vaccおよびフォーカス電
圧Vfを0として、イオンビームの集束および加速を停
止する。 【0019】図3は、上述のように構成された加速装置
1の等価回路図である。加速電極P1,P2間には、加
速電源21から加速電圧Vacc、たとえば160(k
V)が印加されており、電極P1,P2間には、フォー
カス電源22からフォーカス電圧Vf、たとえば125
(kV)が印加されており、これによって電位分割抵抗
R1,R2にはそれぞれ電流i1,i2が流れている。
また、前記加速電圧Vaccに加えて、引出電圧Ve
x、たとえば40(kV)が引出電源23によって印加
されて、参照符ibで示すビーム電流が流れている。 【0020】なお、真空度などは、このビーム電流ib
に対して抵抗Rbで示すように機能する。また、前記雑
抵抗成分Retcは、加速電源21の両端子間に介在さ
れることになる。さらにまた、フォーカス電源22は、
電極P1,P3間に前記フォーカス電圧Vfで、参照符
ifで示すフォーカス電流を供給する。また、電極P3
からP2に向けて、該電極P2からP3へ流入する2次
電子に対応する電流ieが流れることになり、その電流
ieに対する電極P2,P3間の障壁は参照符Reで示
す。 【0021】したがって、定常時におけるイオン源3か
らこの加速装置1の終端に至る電位勾配は、図4におい
て参照符α1で示すようになる。これに対して、2次電
子の流入によっては、参照符α2で示すように、フォー
カス電極P3の電位が加速電極P2の電位に引きずり下
されてゆく。これによって、前記電流ieが百数十(μ
A)以上となると、Vf≒Vaccとなってしまい、フ
ォーカス電源22が大地と短絡して過電圧になってしま
う。このような不具合を防止するために、前記電流計2
8の計測結果から後述するようにして、前記電流ieの
電流値を検出し、その検出結果が、たとえば100(μ
A)以上となると、制御回路29は前記引出電源23な
らびに加速電源21およびフォーカス電源22を制御し
てイオンビームを消勢する。 【0022】具体的には、電位分割抵抗R1とR2との
接続点30において、該接続点30に流れ込む電流i1
に対して、流れ出る電流はi2,if,ieの和であ
り、したがって、 i1=i2+if+ie …(1) であり、また、 i1=Vf/R1 …(2) i2=(Vacc−Vf)/R2 …(3) である。したがって、 【0023】 【数1】 【0024】が成り立つ。 【0025】一方、一般に、加速電極P2からフォーカ
ス電極P3への2次電子の流入が生じるときには、電流
ieは100(μA)程度であることが実験的に求めら
れている。したがって、前記電位分割抵抗R1,R2の
抵抗値によってもVf≒Vaccとなることを防止する
ことも可能ではあるけれども、電流ieが予想を超えて
大きな値となるときには、Vf≒Vaccとなってしま
う。 【0026】したがって本発明は、以下のようにして前
記電流ieを求めて、フォーカス電源22の過電圧を防
止する。まず、電流計28の計測結果をimとすると、 im=i2+ie …(5) であり、前記式3から ie=im−(Vacc−Vf)/R2 …(6) である。 【0027】したがって、そのときの既知のパラメータ
Vacc,Vf,R2と電流計28の計測結果imとか
ら、前記等価回路図において参照符28aで示すように
電流計を設けた場合と同様に電流ieを計測することが
でき、この電流ieが異常に大きくなったときには、前
記加速電源21およびフォーカス電源22ならびに引出
電源23を停止させる。 【0028】図5は、図2で示すイオン注入装置2の制
御回路構成を示すブロック図である。オペレータが操作
するタッチスクリーンなどで実現される入出力装置41
に対して、マンマシンインタフェイス42が接続されて
いる。このマンマシンインタフェイス42は、メインネ
ットワーク43内に設けられており、このメインネット
ワーク43には、各種の制御装置44〜47が縦続接続
されている。エンドステーション10を制御するための
エンドステーション制御部47には、陰極線管およびタ
ッチパネルなどで実現される入出力装置48が接続され
ている。 【0029】制御装置44は、イオンビームの速度や発
散などを制御するためのものであり、この制御装置44
には2つのサブネットワーク51,52が接続されてい
る。サブネットワーク51には、前記加速電源21を制
御するためのアナログインタフェイス回路53や、電流
計28での計測結果を読込むためのアナログ→デジタル
(A→D)変換器54などが縦続接続されている。ま
た、前記サブネットワーク52には、前記引出電源23
のためのアナログインタフェイス回路55や、デジタル
制御対象56のためのデジタル入出力回路57などが縦
続接続されている。 【0030】また、制御装置45に接続されるサブネッ
トワーク61には、前記イオン源3におけるイオン発生
用のマグネトロンを制御するマイクロ波電源62のため
のアナログインタフェイス回路63や、デジタル制御対
象64のためのデジタル入出力回路65などが縦続接続
されている。 【0031】さらにまた、制御装置46に接続されるサ
ブネットワーク66には、ターゲットチャンバ8内のプ
ラテン上に載置されたターゲット9に対して、前記プラ
テンを機械的に変位させて均一な注入を実現する注入制
御装置67、イオンビームの波形を、たとえば掃引など
によって所望とする波形に整形する波形整形器68など
が接続されており、前記波形整形器68に関連して、ビ
ーム電流をモニタするビーム電流変換器69が接続され
ている。 【0032】なお、前記メインネットワーク43および
各サブネットワーク51,52,61,66は、高電圧
による相互の影響を回避するために、光によって通信を
行うように構成されている。 【0033】したがって、マンマシンインタフェイス4
2は、電流計28の計測結果から上述のようにして検出
される2次電子の電流ieが前記100(μA)以上と
なると、制御装置44を介して前記各電圧Vacc,V
f,Vexを0として、ビームの引出を停止する。さら
にまた必要に応じて、マイクロ波電源62の停止や注入
制御装置67および波形整形器68を停止させる。 【0034】このように本発明に従う加速装置1では、
加速電極P2からフォーカス電極P3へ流入する2次電
子が多くなるとイオンビームを消勢するので、フォーカ
ス電源22が大地に短絡してしまうことによる該フォー
カス電源22が過電圧となることを確実に防止すること
ができる。 【0035】なお、加速電極はさらに多段に設けられて
もよく、また本発明は前記イオン注入装置2に限らず、
両加速電極の間に電位可変電極を備える他のビーム応用
装置の加速装置にも好適に実施することができる。さら
にまた、前記加速電源21、フォーカス電源22および
引出電源23などを停止させたときには、入出力装置4
1,48によってそのことをオペレータへ報知するよう
にしてもよい。 【0036】 【発明の効果】本発明に係るイオンビームの加速装置
は、以上のように、イオンビームの少なくとも入出力両
端側に設けられる加速電極の間にフォーカス電極を設
け、これに対応して出力端側の加速電極と大地との間を
絶縁しておき、加速電極からフォーカス電極へ流入する
2次電子の電流が予め定める電流値以上となると、イオ
ンの引出を停止するなどしてイオンビームを消勢する。 【0037】それゆえ、前記2次電子の流入によって、
フォーカス電源の出力側の電位が加速電圧のグラウンド
側の電位に短絡することによる過電圧から、フォーカス
電源を確実に保護することができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例の加速装置の構成を示す図で
ある。 【図2】図1で示す加速装置が用いられるイオン注入装
置の全体の構成を説明するための簡略化した平面図であ
る。 【図3】図1で示す加速装置の等価回路図である。 【図4】加速電圧がフォーカス電圧よりも高い状態での
イオン源から該加速装置に亘る電位勾配を示すグラフで
ある。 【図5】図2で示すイオン注入装置の制御回路構成を説
明するためのブロック図である。 【符号の説明】 1 加速装置 2 イオン注入装置 3 イオン源 4 分析電磁石 6 スイープマグネット 8 ターゲットチャンバ 9 ターゲット 10 エンドステーション 15 大地構造物 21 加速電源 22 フォーカス電源 23 引出電源 24 筺体 25 大地 26 絶縁体 27 絶縁体 28 電流計 29 制御回路 P1 加速電極 P2 加速電極 P3 フォーカス電極 P4 整形電極 P5 整形電極 R1 電位分割抵抗 R2 電位分割抵抗
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05H 5/06 C23C 14/32 G21K 1/087 H01J 37/317

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】イオンビームの少なくとも入出力両端側に
    設けられる加速電極と、 前記入出力両端側の両加速電極の間に設けられるフォー
    カス電極と、 前記入出力両端側の両加速電極間に加速電圧を印加する
    加速電源と、 入力端側の加速電極と前記フォーカス電極との間に、任
    意に変化することができるフォーカス電圧を印加するフ
    ォーカス電源と、 イオンビームの出力端に設けられ、大地と前記出力端側
    の加速電極との間を電気的に絶縁する絶縁手段と、 前記大地と出力端側の加速電極との間に流れる電流値を
    検出する検出手段と、 前記検出手段の検出値が予め定める電流値以上であると
    きには、イオンビームを消勢する消勢手段とを含むこと
    を特徴とするイオンビームの加速装置。
JP07681195A 1995-03-31 1995-03-31 イオンビームの加速装置 Expired - Fee Related JP3475562B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07681195A JP3475562B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 イオンビームの加速装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07681195A JP3475562B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 イオンビームの加速装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08273895A JPH08273895A (ja) 1996-10-18
JP3475562B2 true JP3475562B2 (ja) 2003-12-08

Family

ID=13616061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07681195A Expired - Fee Related JP3475562B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 イオンビームの加速装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3475562B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3337436B2 (ja) * 1999-03-31 2002-10-21 住友重機械工業株式会社 加速器施設の操作制御装置
JP3414337B2 (ja) 1999-11-12 2003-06-09 日新電機株式会社 電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置
US9679745B2 (en) * 2015-10-14 2017-06-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Controlling an ion beam in a wide beam current operation range

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08273895A (ja) 1996-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4392562B2 (ja) 電荷中和装置およびその中和作業を監視する方法
WO2000008670A2 (en) Dose monitor for plasma-monitor ion implantation doping system
JP2003527729A (ja) ガスクラスターイオンビーム低質量イオンフィルター
JPS5824745B2 (ja) ビ−ム電流測定装置
Sherman et al. A 75 keV, 140 mA proton injector
JP3475562B2 (ja) イオンビームの加速装置
JP2662960B2 (ja) イオン注入装置
JP3475563B2 (ja) イオンビームの加速装置
Dombsky et al. Evaluation of a prototype Isotope Separator Accelerator surface ionization source
Uhlemann et al. Modified perveance law for neutral‐beam ion sources
US8766210B2 (en) Variable energy charged particle systems
Martin High power beams for neutral injection heating
Marriott A liquid metal ion source analysis system
Gottdang et al. A dual source low-energy ion implantation system for use in silicon molecular beam epitaxy
US7672355B1 (en) Metal vapor vacuum arc ion source
Weber et al. Development of a Bi+ source for heavy ion fusion
JP2769375B2 (ja) イオン注入装置
JP3265987B2 (ja) イオン照射装置
Qi et al. Recent advances in high current vacuum arc ion sources for heavy ion fusion
Hepburn et al. Design Criteria for High Voltage High Current Accelerating Columns
JP3265988B2 (ja) イオン照射装置
Goddard et al. The effects of UV radiation and electron bombardment on the flashover characteristics of alumina based high voltage insulators in vacuum
Lee et al. Lifetime enhancement of a multicusp ion source for lithography
Pedrow et al. Detection of x rays from the anode of a vacuum arc
Grezeszak et al. Investigation of uniformity degradation by intentionally induced fast beam glitch with a disk-slot batch type endstation

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees