TWI242877B - Power supply hardening for ion beam systems - Google Patents
Power supply hardening for ion beam systems Download PDFInfo
- Publication number
- TWI242877B TWI242877B TW089126429A TW89126429A TWI242877B TW I242877 B TWI242877 B TW I242877B TW 089126429 A TW089126429 A TW 089126429A TW 89126429 A TW89126429 A TW 89126429A TW I242877 B TWI242877 B TW I242877B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- power source
- ion implantation
- voltage
- patent application
- Prior art date
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 41
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 38
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims 3
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 8
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006842 Henry reaction Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/241—High voltage power supply or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 A/ B7 五、發明’說明（/ ) 本發明之頜域 本發明係大致有關於離子束系統，並且更特定地關於 一種用以藉由減輕電源過載情況來提供改良的離子束效能 之系統.與方法。 本發明之背景 離子植入是超大型積體電路(VLSI)製造之一個重要的 方面。離子植入是一種其中被激勵的、帶電的原子或是分 子被直接導入一個半導體基板的製程。在VLSI製造中， 離子植入是主要被利用來加入摻雜離子到矽晶圓的表面中 。離子植入製程之一目標是導入一種所要的原子的物種進 入一種目標材料。爲了有效地達到此目標，離子植入製程 的數個方面需要被控制。首先，該植入的物種應該被植入 剛好所指定的量。此外，被植入的物種應該位於在基板表 面下所要的深度’並且應該只被限於基板之預定的區域。 當需要時’應該可以電氣地活化大致所有被植入的雜質， * . 並且在摻雜物結合的製程之下，儘可能地該矽晶格結構應 該保持不變。因此，離子植入系統需要能夠精確地植入並 且監督被施行的植入物種之量以及位置。 傳統的離子植入系統包含一個離子化一種所要的摻雜 兀素之離子源’該離子化後的摻雜元素接著被加速以形成 一具有預定的能量之離子束。此離子束被導引至一個工件 的表面。一般而言，離子束之活躍的離子係貫穿該工件的 主體，並且被嵌入材料的晶格中以形成一個具有所要的導 電度之區域。離子植入的製程是通常被執行在高度真空、 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2iQ x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 参 訂---------線—座 1242877 B7 五、發明說明（> ) 氣密的處理室中，該處理室係內含晶圓處理組件以及離子 源。; 在習知技術的植入系統中之典型的離子束路徑係包含 一個離子源、電極、一個解析磁鐵配置、一個光學解析配 置、以及一個晶圓處理系統。該等電極抽取並且加速在離 子源中所產生的離子，以產生一個被導引朝向該解析磁鐵 配置的離子束。該解析磁鐵配置根據其電荷至質量比例來 分類在離子束中的離子，並且該晶圓處理系統係調整工件 相對於該離子束路徑的位置。該光學解析配置結合該解析 磁鐵配置，係使得該系統能夠聚焦具有所選的電荷至質量 比例之離子，因而離子被導引朝向該工件。 離子植入系統係通常提供高電壓以產生植入離子至基 板中所需的加速能量。加速能量的範圍可能從在許多的植 入系統中之10至200 keV至高能量的系統中之高達數 MeV的能量。一般而言，此種高電壓係經由藉著高電壓電 源供電之電極而被施加。 通常，在傳統的離子植入系統中，瞬間的放電可能發 生在電場中受力大的部分、或者是放電可能因爲粒子或是 製程沉積在電極以及/或是絕緣體之上而被引發。這些放電 促成電極電壓的變化，從而影響該植入系統的光學部分而 造成離子束可能的損失。因此，電極電壓的變化可能造成 電源電路的過載以及/或是電壓崩潰。寶貴的離子束植入時 間可能會在電源處於過載以及/或是電壓崩潰的情況期間流 失。此種期間的長度通常是由電源從過載以及/或是電壓崩 4 1本紙張尺度適用1中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 A— A/ B7 五、發明說明（j) 潰恢復所需的時間量所決定的。 有鑑於以上相關於在傳統的離子植入系統中關於來自 瞬間的放電之電源過載的離子束損失的問題’因此擁有一 種藉由.減輕此種電源過載以及/或是電壓崩潰的情況之系統 與方1法將會是所要的。 本發明之槪要 本發明係提供一種用於藉由防護在離子植入系統中的 電源來縮短離子束損失時間之系統與方法。防護是藉由隔 離電源以及與其相關聯的電極放電而有效地被達成。由電 極在植入的製程期間放電’與其相關聯的真空放電係被壓 制，並且典型與此種放電相關聯的儲存在電源中的能量之 損失係被減輕。因此，本發明顯著地減少恢復電極電壓以 及相關聯的離子束所需的時間。 更特定地，本發明係藉由經由一個瞬間的隔離系統以 隔離電源免於瞬間的放電來提供電源防護。該瞬間的隔離 系統係運作地耦接在該電源以及相關聯的電極以及/或是其 它容易遭受放電的元件之間。在相關聯於該等電極之瞬間 的放電期間，本發明之瞬間的隔離系統作用爲暫時地從電 極電路隔離開電源。在沒有瞬間的隔離之下，放電通常引 起電極電源被放電，使得電極電壓降至低的値，從而造成 該竃源在供應放電時運作在過載（例如，過電流、欠電壓) 的情況下。已經觀察到的是，當電源從過載的情況恢復時 ，離子束的損失可能持續數十毫秒。藉由隔離該電源，本 發明係使得電源的電流與電壓能夠維持在可接受的位準下 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . --------IT---------^ —^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1242877 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（i) ，即使在放電的情況之期間中。由於該電源在瞬間的放電 情況之期間中被隔離，因此放電係大致只由相關聯於該等 電極的雜散電容供應數微秒的期間，並且由於缺乏來自於 該被隔離的電源足夠的電力而因此實質地被壓制。 根據本發明之一特點，一種離子植入系統係被提供。 該系統係包含至少一個用以提供電壓到至少一個電極的電 源1¾及一個運作地耦接在該至少一個電源以及該至少一個 電極之間的開關系統。該開關系統係在一個預定的臨界値 分離該至少一個電源以及該至少一個電極，以減輕該至少 一個電源的過載。 根據本發明之另一特點，一種離子植入系統係被提供 。該系統係包含一個用以提供離子來形成一離子束的離子 源、以及至少一個用以提供電壓到至少一個用以導引該離 子束至一個工件的電極之電源。該系統係包含一個用以提 供一個大致不間斷的離子束至該工件之瞬間的隔離系統。 該瞬間的隔離系統係隔離該至少一個電源免於由該至少一 個電極的放電。 仍是根據本發明之另一特點，一種離子植入系統係被 提供。該系統係包含一個用以提供電壓到至少一個電極的 電壓源、以及一個用以在一個預定的臨界値分離該電源以 及該至少一個電極，以減輕該電源的過載之機構。 仍是根據本發明之另一特點，一種用於在一個離子植 入系統中的電源防護之方法係被提供。該方法係包含步驟 > . 有：監測來自於至少一個提供電力給至少一個電極之電源 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------—^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 A7 B7 五、發明說明（f) 的電流；判斷該電流是否在一個預定的臨界値之下；並且 若該電流是在該預定的臨界値之上時，則從該至少一個電 極隔離該至少一個電源。 仍是根據本發明之另一特點，一種用於在一個離子植 入系統中的電源防護之方法係被提供。該方法係包含步驟 有：監測來自於至少一個提供電力給至少一個電極之電源 的電壓；判斷該電壓是否在一個預定的臨界値之下；並且 若該電壓是在該預定的臨界値之上時，則從該至少一個電 極隔離該至少一個電源。 ‘爲了前述以及相關的目的之達成，本發明於是包括以 下完整加以敘述之特點。詳細闡述之以下的說明以及附圖 係確認了本發明之例示性質的實施例。然而，這些實施例 只是指出本發明的原理可以被利用之各種方式的其中一些 而已。本發明之其它目的、優點以及新穎的特點將在結合 圖式考量本發明之以下的詳細說明而變得明白。 圖式之簡要說明 圖1是根據本發明之一個離子植入系統圖。 ;圖2是根據本發明之一個瞬間的隔離系統的方塊圖。 圖3是根據本發明之一個結合離子源之瞬間的隔離系 統之詳細槪要方塊圖。 圖4a是根據本發明的一個瞬間的隔離系統之一種被動 電路的做法之槪要圖。 圖4b是根據本發明之一個針對於電極間的放電之瞬間 的隔離系統之一種被動電路的做法之槪要圖。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . --------II---------—^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1242877 B7 五、發明說明（么） 圖5a是在根據本發明之一個被動瞬間的隔離系統之實 施之前的一個瞬間的電壓圖。 圖5b是在根據本發明之一個被動瞬間的隔離系統之實 施之後的一個瞬間的電壓圖。 '圖6a是根據本發明之一個瞬間的隔離系統之一種主動 電路的做法之槪要方塊圖。 圖6b是根據本發明之一個瞬間的隔離系統之一種主動 電路的做法之詳細的槪要方塊圖。 圖7是根據本發明之一種用於電源防護的方法之流程 圖。 主要部份代表符號之簡耍說明 . --------IT---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 離子植入系統 12 載鎖組件 13 箭頭 14 殻體 16 處理室 18 離子源 20 孔 22 導螺桿 23 馬達組件 24 末端效應器 26 面板卡匣 27 拾取臂 28 直線軸承 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） [242877 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 29 圓軸 30 瞬間的隔離系統 30a、30b 阻擋電路 62 加速電極 62a、62b 電極 64 、 64a 、 64b 電源 68 離子束 80 離子束植入系統 82 離子室 84 電漿 86 引發器 88 容器 90 可選擇閥 92 導管 94 電漿電極 95 離子束組件 96 抽取電極 98 抑制電極 100 接地電極 102 、 103 、 106 電源 108a、108b、108c、108d TIS系統 114 功率信號 116 流量信號 118 、 120 、 122 電壓控制信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-------訂---------線U 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1242877 _B7 五、發明說明（f ) 262 控制器 300 串聯電感器 310 電極電阻 312 雜散電容 314 並聯的濾波電容器 326a 第一電極電路 326b 第二電極電路 330 電容器 350 主動電路 352 開關 354 負載 360 阻擋電路 362 開關 362a 柵極 362b 陰極 364 柵偏壓電源 366 二極體 370 負載匹配系統 本發明之詳細說明 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明現在將參考圖式加以描述，其中相同的參考圖 號係從頭到尾被用來指示相同的元件。 本發明係關於一種用於大致改良在一個離子植入系統 中之離子束效能的系統並且方法。尤其，離子束的效能係 藉由在從離子加速電極之瞬間的放電之期間減輕電源過載 10 i . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 A7 __ B7 五、發明說明（7) 情況來加以改善。藉由減輕過載的情況，在植入製程之期 間的離子束損失係實質地被降低。 最先參考圖1，一個根據本發明的離子束植入系統10 係被顯示。該離子植入系統10係包含一對面板卡匣26、 一個末端效應器24、一*個載鎖(loadlock)組件12、一個界 定一處理室16之殼體14、以及一個透過離子束孔20與該 處理室16連通之離子源18。如同以下將更佳詳細地描述 地，該結合該孔20的離子源18係形成一個離子束(未顯示 )。該離子源18係包含一個瞬間的隔離系統30(圖2)用以 減輕電源過載的情況並且大致減少離子束的損失。 該末端效應器24係移動堆疊在卡匣26中的面板P至 該載鎖組件12。如同在此項技術中所熟知地，一個傳統的 馬達組件23、一個導螺桿22、一對直線軸承28、以及圓 軸29係被設置來從該載鎖組件12移動該面板P至該處理 室16。一個拾取臂27係在處理期間處理該面板P。當該拾 取臂27最初從該載鎖組件12移開該面板P時，其係朝向 在一個大致水平的位置P1之處。如由箭頭13所表示地， 該拾取臂接著垂直地導引該面板進入到一個大致垂直的位 置P2之處。如同在此項技術中所熟知地，該拾取臂27以 及該面板P(朝向在位置P2之處)係被移動在一個掃描方向 上，在該描繪的實施例中是從左至右、橫跨一個從孔20出 現、藉由該離子源18產生的離子束之路徑。 現在參考圖2，根據本發明之離子源18的部分係更詳 細加以表示。該離子源18係包含加速電極62以及用以導 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雜 訂---------線—座 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 A7 B7 五、發明說明（p) 引一個離子束68的電源64。同時，該瞬間的隔離系統30 係被內含用以在瞬間的放電情況期間提供隔離在該電極62 與電源64之間。 一般而言，爲了導引該離子束68，該電源64係提供 電壓給電極62，以產生離子植入所需要的離子加速能量。 如同以下將更佳詳細地描述地，該電極62可以包含一個用 以導引來自於一個離子室（未顯示）的離子之電漿電極、以 及一個抽取、一個抑制、以及一個用以加速該些射出的離 子之接地電極。該電源64提供偏壓電壓給該等電極62。 例如，該接地電極通常被偏壓在0V之下，該抑制電極可 以被偏壓在大約-3kV之下，該抽取電極可以被偏壓在大約 90kV之下，並且該電漿電極可以被偏壓在大約95kV之下 。由於在該製程中涉及到相當高的電壓，電弧可能發生在 電極之間以及/或是在電極與接地之間。 ,已經發現到的是電弧可能從該電極62造成短的(時間 週期)電流突波，並且因而可能造成該電源64崩潰(例如， 低電壓、過電流的情況）。例如，若其供應電流超過大約 30%的標稱供應電流時，則電源可能是處於一種過電流的 情況。該電壓崩潰可能需要該電源64花上數十毫秒來恢復 (例如，回到標稱的輸出電壓）。因此，在此電源恢復時間 的期間可能失去該離子束68。已經發現到的是只要該電源 不在大約98.5%的標稱輸出電壓之內時，就可能失去該離 子束；68。 該瞬間的隔離系統(TIS)30係藉由隔離(例如，隔離、 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1242877 A7 ___B7______ 五、發明說明（ί I) 阻擋)與該等電極62相關聯之瞬間的放電來減輕該電源64 的崩潰。在瞬間的放電(例如，電弧)情況期間，該TIS 30 暫時地從該電源64分離該等電極62。雖然在該較佳實施 例中，該TIS 30係被顯示爲一個個別的系統，但是可瞭解 的是該TIS 30可以內含在該電源64之內以及/或是與該電 極62—起被設置。 已經發現到的是放電很可能開始於一個電極62之上， 並且最終發展成爲一個電弧。該電弧可能短路該電極62， 因而介於該等電極62與接地之間的雜散電容係透過該電弧 被放電，此係造成該等電極62以及相關聯的電源64之電 壓崩潰。該電弧通常從該電源64引起一個維持大約0.5至 1微秒之短時間的期間、高電流突波。在沒有該TIS 30之 下，由於過電流/欠電壓關閉的情況，該電流突波可能造成 I亥電源64崩潰數毫秒。在適當的TIS 30之下，該電源64 係經由在該TIS 30內之瞬間的阻擋電路30a、30b、以及 360(圖4a、4b、以及6b)而被隔離。該瞬間的阻擋電路30a 、30b、以及360可以包含被動以及/或是主動電路。當該 等暫時現象被阻擋時，該放電係限於該等電極62的雜散電 容之放電。因此，毫秒的電源過載關閉係被減少至微秒的 該等電極62之雜散電容的放電。此表示在習知技術的離子 植入系統大約10倍的改良。 現在轉向圖3，一*個詳細的槪要方塊圖係進一步描繪 根據本發明之一個離子束植入系統80。尤其，圖3係描繪 一個離子源18，其帶有複數個用以從複數個電極94、96、 13 i . ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) '~" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1242877 A7 五、發明說明) 98以及100隔離複數個電源1〇2、103以及106之TIS系 統 l〇8a 至 i〇8d。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜個離子室82係被顯示用以包含一電漿84、以及一 個用以激勵該電漿84的引發器86。一個用以保存可離子 化的物質之容器88係經由一個導管92連接至該離子室82 。可離子化的物質從該容器88至該離子室82之流量係藉 由一個可選擇閥90來加以管理。此外，包含一個電漿電極 94、一個抽取電極96、一個抑制電極98、以及一個接地電 極100的一組電極係被顯示。 該引發器86係代表在此項技術熟知的之電子源或是電 漿起始器，並且藉由該引發器86輸出的功率是可選擇的。 尤其’一個控制器262是藉由一個功率信號114而被耦接 至該引發器86。該控制器262係經由一個功率信號114來 導引藉由該引發器輸出的功率，並且該閥90係管理可離子 化的物質之導引進入該離子室82。該控制器262係藉由流 量信號116而耦接至並且導引該閥90。因此，該控制器係 藉由控制該閥90來導引可離子化的物質進入到該離子室之 流量速率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該控制器262係經由電壓控制信號118、120以及122 來施加控制於該等電極94、96、98以及100之上。尤其， 該電漿84係透過一個電漿電極94而離開該離子室82。一 離子流68於是藉由一個離子束組件95被導引並且被加速 ，該離子束組件95係包含該抽取電極96、該抑制電極98 以及該接地電極1〇〇。該三個可變的電壓電源1〇2、104以 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242877 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（I)) 及106係調節在該等電極94、96、98以及100之間的電壓 。舉例來說，電壓電源102係在該電漿電極94與該抽取電 極96之間施加偏壓電壓、電壓電源104係在該抽取電極 96與該抑制電極98之間施加偏壓電壓、而電壓電源106 係在該抑制電極98與該接地電極1〇〇之間施加偏壓電壓。 該等電壓電源1〇2、104以及1〇6係通常被調整，使得該等 電極94、96以及98相對於該接地電極1〇〇係在如上所述 之一個所選的電壓之下。 根據本發明，該Tis l〇8a、108b、108c以及108d(總 稱之爲參考圖號108)係被顯示運作地耦接在該電極94、96 、98以及100與電源102、104以及106之間，用以提供 電源從相關聯的放電隔離開，該放電係可能發生在該等電 極之間(電極間的放電)以及/或是在該等電極與該系統接地( 未顯示)之間。該TIS 108係藉由減輕電源過載的情況而實 質地改善離子束的效能，並且因而減輕典型與習知技術系 統相關聯的離子束損失。 現在參考圖4a，根據本發明之一個瞬間的隔離系統 3〇a之一特定的實施例之槪要圖係被顯示。一個串聯電感 器300係大致隔離該電源64與發生在該電極62的放電， 其係藉由在該電極62之一個快速分流期間(例如，由一電 弧所引起的短路)維持該供應電壓並且提供一個大致固定的 阻抗。於是該電弧係大致藉由該電極電壓的崩潰而被消滅 ，而該供應電壓並未崩潰，使得離子束損失的期間係大致 被限制在該電極62與電感器300電路之RL時間常數。如 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） * --------IT---------^ i^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1242877 A7 B7 五、發明說明（1+) 圖所示地，該電極62電路係包含一個非線性的電極電阻 310以及一個雜散電容312。該串聯電感器300的範圍可能 從數微亨利至數十毫亨利，視該電源64的電壓位準與電極 電路的組件値而定。將理解的是一個實質寬範圍的電感器 値可以被利用來實行本發明。 較佳的是，一個耦接至該串聯電感器300之並聯的濾 波電容器314也可被內含在該TIS 30a中。該電容器314 有助於該電極62的調節，並且與該電感器300 —起運作爲 一個二階的低通濾波器。如以上相關於該串聯電感器300 所述地，一個實質範圍的電容値可以被利用來實行本發明 。該電容値的範圍可能從數微微法拉至數十微法拉。 例如，假設一個具有大約41<:Σ的電源電阻318、一個 具有大約lk Σ的電弧阻抗(例如，電極電阻310與雜散電容 312之組合）、以及一個90kV抽取電極電壓時，一個10mH 電感器値可以被選來隔離該電源64大約10微秒。假定該 雜散電容312値可以是大約600PF以及一個大約4kE的充 電阻抗時，當一個電弧將該電極62短路時，一大約20A 的電流可能流入以補充在該雜散電容312之上的電荷(20A ，90kV/4kohms)。若在該濾波電容器之上的電壓係欲被維 持在大約 1%的 90kV(0.06uF，54uC/(90kV*l%))時，此電 荷(90kV*600pf，54uC)可以藉由一個大致0.06uF濾波電容 器314來提供。在以上給定的電路値之下，該電源電流之 瞬間的增加係被維持在該電源64之過載額定値之下(例如 ，30%的過載額定値），其中爲大約0.4%的電源電壓變動。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242877 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（(^) 因此，該電源64從電極62的暫時現象之有效的隔離可以 被達成。離子束損失也可能接踵而至，並且該抑制電壓電 源也可能崩潰。圖4b中所描繪的電路係提供當電極彼此產 生電弧.時，電源從過載情況隔離。 i . 如圖4b中所描繪的一個第一電極電路326a以及一個 第二電極電路326b係被顯示經由圖4b中的一個電容器 330而耦接在一起。藉由提供電容性耦合在該電極電路 326a與326b之間，由於該電容器330的DC阻擋特性，個 別的電極DC電壓控制可以被維持。然而，當電極62a與 62b之間的短路因爲在該等電極之間的瞬間的放電而發生 時，該放電能量是藉由該電容器330所提供，而不是該電 源64a或是64b。對於該電容器330而言，一個寬範圍的 電容値可供選擇，視給定的電路參數而定。一個50nF値在 許多的應用中可能是充分足夠的。此外，該電源64a與 64b是個別藉由該TIS 30b來加以保護的。 現在參考圖5a與5b，瞬間的放電(短暫干擾)係對於該 TIS 30b(如圖4b中所示)被安裝前後加以描繪。在圖5a中 ，對於一對具有大約每5到10秒大約1次短暫干擾之抑制 電極的電壓短暫干擾率係被顯示。在圖5b中，在如圖4b 中所示地該TIS 30b係被設置來隔離兩個抑制電極之後， 大約每50到100秒大約1次的短暫干擾率係被描繪。在圖 5b中顯示的剩餘之短暫干擾係通常相關於未抑制的抽取電 極的短暫干擾。如上所述，一個大約50nF的電容器係被利 用來將該等電極電路耦接在一起。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------1T---------^ i^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1242877 B7_______ 五、發明說明（) 上述用於該TIS 30的被動電路是對於一個給定的放電 能量並且因而對於特定的電壓範圍有效的。在非常高電壓 之下(>90kV)，在該濾波電感器300上之通量要求係需要一 個大的鐵氧體核心體積。因此，一種主動電路可被利用作 爲該TIS 30之另一特定的實施例。 現在參考圖6a，一個描繪該TIS 30的一種主動電路 35〇i的做法之方塊圖係被顯示。該電路350係實現如同上 述的被動電路之任務-在一個瞬間的電極電壓崩潰期間隔離 該電源，並且維持一個實質受到控制的電極電壓，以致能 該放電的消滅。該主動電路350係運作在一個寬的電壓範 圍之上，並且獲致良好的隔離效能。 該電源64從該電極62之隔離可以藉由實質地消除該 電源負載之瞬間的變化而被達成。一個電流控制的以及/或 是電壓控制的開關352在一個瞬間的電極崩潰期間可以被 斷路，從而插入一個匹配於該標稱的電源運作的阻抗之負 載354(例如，電阻器）。在穩定狀態的情況期間，該負載 354係藉由該開關352被分流，並且在瞬間的情況期間， 藉由斷開該開關352而被插入。一般而言，該開關352應 該提供次微秒的開關時間、10到90kV的保持關斷的能力（ 依據該電極而定）、數十毫安培的平均値以及數十安培脈波 電流傳輸的能力、以及較佳的是低的順向電壓降。 現在參考圖6b，該TIS 30之一種主動電路360的一 個特定的實施例係被顯示。該電路360係包含一個三極管 開關362(例如，EimacY-810平面式三極管)用以在瞬間的 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公H _ --------tr---------^ ^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1242877 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（（1) 放電情況期間隔離該電源64。將體認到的是任何適當的開 i % 關362都可被利用來實現本發明。例如，四極管、五極管 、功率MOSFET、閘流電晶體以及功率電晶體也可以被利 用。 一個柵偏壓電源364係經由一個二極體366而被耦接 至一個柵極362a。該柵偏壓電源364係被設定至一個電壓 以在該離子植入系統10之正常(非瞬間的情況)運作的期間 保持該開關362導通。該二極體366係被提供來從該柵偏 壓電源364隔離暫時現象。 一個小的(例如，1250歐姆)陰極感測電阻器368係被 提供在一個該開關362的陰極362b與一個電極62之間。 當電流由於瞬間的電極放電而在該陰極362b電路中上升時 ，在該陰極上的電壓係接近藉由該柵偏壓電源364對於該 柵362a所設定的電壓。若該電流上升超過一個由該陰極感 測電阻器368所預定的位準時，該開關362係被斷開，直 到該瞬間的電流落至該位準以下爲止，該位準爲該陰極 362b電壓低於該柵極362a。當該開關362係被斷開時，一 個負載匹配系統370(例如，大約800M歐姆的電阻器)係被 提供在該電源64與該電極62之間。因此，該電源64之有 效的從瞬間的電極放電之隔離係藉由插入一個實質消除該 電源負載的暫時現象變化之負載匹配系統370而被達成。 該開關362在正常的（非放電的)運作期間是大致通透的， 並且在瞬間的情況期間係提供一個大致類似的電源負載。 現在參考圖7,根據本發明之一種用以在一個離子植 19 --------訂·--------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242877 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（[# ) 入系統10中提供電源防護的方法係被顯示。在步驟400中 ’電極電源64係被供電並且維持在對應於該系統1〇之電 極62的電壓位準之下(例如，抽取電極被維持在90kV之下 )。前進到步驟410，電源電流以及/或是電壓係被監測。該 電源電流以及/或是電壓可以藉由一電流/電壓感測電阻器 、一個霍爾感測器、一個磁性感測器、或是任何適合的電 流/電壓感測系統而被監測。前進到步驟420，其係做出判 斷穩定狀態的電流/電壓是否已經上升超過一個預定的位準 〇 若在步驟420中，該電流/電壓位準低於該預定的臨界 値(例如，超過標稱電源運作電流或是電壓的5%)時，該過 程係回到步驟400並且維持該等電極電壓。若在步驟420 中’該電流/電壓位準高於該預定的臨界値，則該過程係前 進到步驟430。 在步驟430中，該電源64係在瞬間的放電情況期間 從該等電極斷開。該電源可以經由上述的主動以及/或是被 動電路來加以斷開。前進到步驟440，該過程係插入一個 匹配於該電源的穩定狀態的負載之負載匹配的系統。該負 載匹配的系統係藉由實質消除電源負載變化來隔離該電源 瞬間的放電。該負載匹配系統可以是任何適當的負載匹配 電路’例如一個電阻器、阻抗網路、主動網路等等。在該 瞬間的情況消失之後，該過程係前進到步驟450，藉此該 電源64被重新連接到該電極62。該過程接著回到步驟400 並且維持該等電極62在穩定狀態的電壓下。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------1T---------線 i^w, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [242877 a 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 以上已經被描述的是本發明的較佳實施例。當然，對 於描述本發明之目的而言，是不可能描述到每一種組件或 是方法之可想到的組合，而是具有一般此項技術者將會體 認到本發明之許多種進一步的組合以及變更是可能的。於 是，;本發明係欲涵括所有此種落入所附的申請專利範圍之 精神與範疇的修改、改變以及變化。 21 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
1242877 六、申請專利範圍 瞬間的隔離系統，該瞬間的隔離系統係隔離該些電源中的 至少一個電源免於在與該至少一個電源相連之電極處的放 電；以及 一個電容器，其中該電容器係將該第〜電極與該第_ 電極耦接以減輕該第一與第二電源的過載。 5. 如申請專利範圍第4項之離子植入系統，該目舜_白勺 隔離系統係更包含一個用以隔離該至少一個電源免於由該 至少一個電極的放電之被動電路。 6. 如申請專利範圍第5項之離子植入系統，該被重力_ 路係更包含一個電感器。 7·如申請專利範圍第5項之離子植入系統，該 路係更包含一個電容器。 8.如申請專利範圍第4項之離子植入系統，胃&舜胃％ 隔離系統係更包含一個用以隔離該至少一個電源免於^自胃 至少一個電極的放電之主動電路。 ° 9·如申請專利範圍第8項之離子植入系統，該主_胃 路係包含一個用以從藉由該至少一個電極的瞬間放電暫:日寺 地斷開該至少一個電源之主動開關。 10.如申請專利範圍第9項之離子植入系統，該主動開 關係包括以下至少一種：三極管、五極管、四極管、 MOSFET、閘流電晶體以及功率電晶體。 Π·如申請專利範圍第8項之離子植入系統，該主動電 路係包含一個用以減輕由於該至少一個電極之瞬間放電所 造成之至少一個電源的負載變化之負載匹配系統。 2 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "'-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 ABCD 1242877 六、申請專利範圍 ---II III (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 12 ·如申g靑專利範圍第11項之離子植入系統，該負載 匹配系統係包含以下至少一種：電阻器、阻抗網路、以及 主動網路。 13·如申請專利範圍第9項之離子植入系統，該主動電 路係包含一個用以啓動該主動開關的感測器。 14.如申請專利範圍第12項之離子植入系統，該感測 器係包含以下至少一種：電阻器、霍爾感測器、以及磁性 感測器。 .15•如申請專利範圍第4項之離子植入系統，該瞬間的 隔離系統係被內含在該至少一個電源之內。 16_如申請專利範圍第4項之離子植入系統，該瞬間的 隔離系統係與該至少一個電極一起被內含。 Π· —種用於在一個離子植入系統中的電源防護之方法 ，其係包含步驟有： 監測來自於至少一個提供電力給至少一個電極之電源 的電流； 判斷該電流是否在一個預定的臨界値之下；並且 若該電流是在該預定的臨界値之上時，則從該至少一 個電極隔離該至少一個電源，其中的隔離係包括若該電流 疋在K預疋的臨界値之上時，插入一個負載匹配系統在旨亥 至少一個電源以及該至少一個電極之間。 —種用於在一個離子植入系統中的電源防護之方法 ，其係包含步驟有： 監測來自於至少一個提供電力給至少一個電極之電源 3 __ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 1242877 - C8 D8 六、申請專利範圍 的電壓； 判斷該電壓是否在一個預定的臨界値之下；並且 若該電壓是在該預定的臨界値之上時，則從該至少一 個電極隔離該至少一個電源。 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其更包含若該電 壓是在該預定的臨界値之上時，插入一個負載匹配系統在 該至少一個電源以及該至少一個電極之間的步驟。 20. —種離子植入系統，其係包含： 至少一個電極； 至少一個用於提供電壓給該至少一個電極的電源； 一個運作地耦接在該至少一個電源與該至少一個電極 之間的開關系統；以及 一個耦接至該開關系統的負載匹配系統，其中該開關 系統係在該電極處偵測到一個瞬間的情況時，插入該負載 匹配系統在該至少一個電極與該至少一個電源之間。 21. —種離子植入系統，其係包含： 一個用以提供離子來形成一離子束的離子源； 一個第一電極以及一個第二電極； 用於分別提供電壓給該第一電極與第二電極之一個第 一電源與一個第二電源； 一個運作地親接在該第一電源與第一電極之間的開關 系統； 一個耦接至該開關系統的負載匹配系統，其中該開關 系統係在該第一電極處偵測到一個瞬間的情況時，插入該 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） ..................—ΙΦΚ,..................訂................^9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1242877 A8 B8 C3 D8 六、申請專利範圍 負載匹配系統在該第一電極與該第一電源之間； 一個耦接至該第一與第二電極之電容器，其中該電容 器係在該第一與第二電極之間偵測到一個瞬間的情況時， 減輕該第一與第二電源的過載。 •.......................^4·:丨！ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/467,700 US6452196B1 (en) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Power supply hardening for ion beam systems |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI242877B true TWI242877B (en) | 2005-11-01 |
Family
ID=23856769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW089126429A TWI242877B (en) | 1999-12-20 | 2000-12-12 | Power supply hardening for ion beam systems |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6452196B1 (zh) |
| EP (1) | EP1111651B1 (zh) |
| JP (1) | JP4947401B2 (zh) |
| KR (1) | KR100671675B1 (zh) |
| DE (1) | DE60004957T2 (zh) |
| SG (1) | SG98000A1 (zh) |
| TW (1) | TWI242877B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007106395A2 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Arc quenching circuit to mitigate ion beam disruption |
| US7507977B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-03-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of ion beam control in response to a beam glitch |
| WO2007111822A2 (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Axcelis Technologies, Inc. | A method of ion beam control for glitch recovery |
| US7566887B2 (en) * | 2007-01-03 | 2009-07-28 | Axcelis Technologies Inc. | Method of reducing particle contamination for ion implanters |
| FR2918790A1 (fr) * | 2007-07-09 | 2009-01-16 | Orsay Physics Sa | Source micronique d'emission ionique |
| US20140021373A1 (en) * | 2012-07-23 | 2014-01-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Beamline electrode voltage modulation for ion beam glitch recovery |
| US10515780B1 (en) * | 2018-12-19 | 2019-12-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of arc detection using dynamic threshold |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3748536A (en) * | 1972-09-05 | 1973-07-24 | Airco Inc | Power supply |
| JPS543699A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-11 | Toshiba Corp | Protector of ion source |
| US4295188A (en) * | 1979-12-13 | 1981-10-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Converter circuit providing isolation and load sensing |
| JPS56116000A (en) * | 1980-02-16 | 1981-09-11 | Osaka Transformer Co Ltd | Charged particle beam machining equipmint |
| JPS5944191A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-12 | Toshiba Corp | 情報伝送装置 |
| JP2650930B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
| JPH01211846A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Fuji Electric Co Ltd | 高圧電源保護装置 |
| JPH01227340A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Jeol Ltd | 荷電粒子源のエミッタ保護装置 |
| JPH03225740A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | 中性粒子入射装置用電源装置 |
| US5162965A (en) * | 1991-06-28 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Anti crow bar current interrupter for microwave tube transmitters |
| US5621305A (en) * | 1991-12-13 | 1997-04-15 | Electric Power Research Institute, Inc. | Overload management system |
| US5177402A (en) * | 1992-01-03 | 1993-01-05 | Etec Systems, Inc. | Arc suppressor for electron gun |
| JP3003088B2 (ja) | 1994-06-10 | 2000-01-24 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
| JPH0864166A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Tel Varian Ltd | イオン注入装置 |
| US5811823A (en) | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
| US5892235A (en) * | 1996-05-15 | 1999-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for doping |
| US5661308A (en) | 1996-05-30 | 1997-08-26 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion formation in an ion implanter |
| US5962887A (en) * | 1996-06-18 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Metal-oxide-semiconductor capacitor |
| US5820366A (en) | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| US5900177A (en) | 1997-06-11 | 1999-05-04 | Eaton Corporation | Furnace sidewall temperature control system |
| JP2000090843A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Nissin High Voltage Co Ltd | イオン源電源回路 |
| CA2268480C (en) * | 1999-04-09 | 2001-06-19 | 1061933 Ontario Inc. | Universal harmonic mitigating system |
| KR100567051B1 (ko) * | 1999-11-26 | 2006-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압검출을 이용한 이온주입장치 |
| US6305316B1 (en) * | 2000-07-20 | 2001-10-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system |
-
1999
- 1999-12-20 US US09/467,700 patent/US6452196B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-12-12 TW TW089126429A patent/TWI242877B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-13 SG SG200007407A patent/SG98000A1/en unknown
- 2000-12-15 KR KR1020000076880A patent/KR100671675B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-15 EP EP00311254A patent/EP1111651B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 DE DE60004957T patent/DE60004957T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-19 JP JP2000385315A patent/JP4947401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60004957T2 (de) | 2004-07-15 |
| DE60004957D1 (de) | 2003-10-09 |
| SG98000A1 (en) | 2003-08-20 |
| JP4947401B2 (ja) | 2012-06-06 |
| EP1111651B1 (en) | 2003-09-03 |
| KR20010062457A (ko) | 2001-07-07 |
| JP2001216935A (ja) | 2001-08-10 |
| EP1111651A2 (en) | 2001-06-27 |
| KR100671675B1 (ko) | 2007-01-18 |
| EP1111651A3 (en) | 2001-07-04 |
| US6452196B1 (en) | 2002-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW465260B (en) | System and method for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate | |
| US6872289B2 (en) | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus | |
| US6794951B2 (en) | Solid state RF power switching network | |
| US7345856B2 (en) | Method and apparatus for arc suppression in scanned ion beam processing equipment | |
| EP2156505B1 (en) | Circuit and method for reducing electrical energy stored in a lead inductance for fast extinction of plasma arcs | |
| JP5438519B2 (ja) | イオン注入機の粒子汚染を軽減する方法 | |
| TWI242877B (en) | Power supply hardening for ion beam systems | |
| US9786471B2 (en) | Plasma etcher design with effective no-damage in-situ ash | |
| KR100341376B1 (ko) | 플라즈마처리실에서 캐소드를 구동하는전원회로및플라즈마처리방법 | |
| CN113169018A (zh) | 使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法 | |
| US9534287B2 (en) | Machine for implanting ions in plasma immersion mode for a low-pressure method | |
| KR20180015558A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 시료의 이탈 방법 | |
| JP2009530769A (ja) | イオンビームの分裂を緩和するアーク消滅回路 | |
| JP3414380B2 (ja) | イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置 | |
| CN109075005B (zh) | 等离子体浸没式离子注入机的控制方法和偏压电源 | |
| JP2001216935A5 (zh) | ||
| KR20230026506A (ko) | 기판 프로세싱을 위한 펄스식 전압 부스트 | |
| TW200522123A (en) | Electron flood apparatus and ion implantation system | |
| JP3202002B2 (ja) | 不純物の導入装置及び不純物の導入方法 | |
| TWI837591B (zh) | 離子源、電漿室以及調整電漿的體積的方法 | |
| JPH06275223A (ja) | 高周波イオン源 | |
| CN116417318A (zh) | 一种泄放电荷积累的方法 | |
| JPH1097828A (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |