JP2001208333A - ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 - Google Patents
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法Info
- Publication number
- JP2001208333A JP2001208333A JP2000380769A JP2000380769A JP2001208333A JP 2001208333 A JP2001208333 A JP 2001208333A JP 2000380769 A JP2000380769 A JP 2000380769A JP 2000380769 A JP2000380769 A JP 2000380769A JP 2001208333 A JP2001208333 A JP 2001208333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- dioxins
- concentration
- temperature
- bag filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J15/00—Arrangements of devices for treating smoke or fumes
- F23J15/003—Arrangements of devices for treating smoke or fumes for supplying chemicals to fumes, e.g. using injection devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G5/00—Incineration of waste; Incinerator constructions; Details, accessories or control therefor
- F23G5/006—General arrangement of incineration plant, e.g. flow sheets
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J15/00—Arrangements of devices for treating smoke or fumes
- F23J15/02—Arrangements of devices for treating smoke or fumes of purifiers, e.g. for removing noxious material
- F23J15/022—Arrangements of devices for treating smoke or fumes of purifiers, e.g. for removing noxious material for removing solid particulate material from the gasflow
- F23J15/025—Arrangements of devices for treating smoke or fumes of purifiers, e.g. for removing noxious material for removing solid particulate material from the gasflow using filters
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J2215/00—Preventing emissions
- F23J2215/30—Halogen; Compounds thereof
- F23J2215/301—Dioxins; Furans
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J2217/00—Intercepting solids
- F23J2217/10—Intercepting solids by filters
- F23J2217/101—Baghouse type
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES
- F23J2219/00—Treatment devices
- F23J2219/30—Sorption devices using carbon, e.g. coke
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chimneys And Flues (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ごみ焼却炉における排ガス中のダイオキシン
類の排出を抑制する排出制御装置を提供する。 【解決手段】 ダイオキシン類の排出制御装置に、排ガ
ス中の塩素化芳香族化合物の濃度を測定する塩素化芳香
族化合物測定装置５と、バグフィルタの運転温度を調整
する排ガス冷却設備２と、排ガスに添加する活性炭の供
給量を調整する活性炭添加装置４と、塩素化芳香族化合
物測定装置５が測定した排ガス中の塩素化芳香族化合物
の濃度に基づいて、排ガス冷却設備２及び活性炭添加装
置４を調整する制御装置９とを備える。
類の排出を抑制する排出制御装置を提供する。 【解決手段】 ダイオキシン類の排出制御装置に、排ガ
ス中の塩素化芳香族化合物の濃度を測定する塩素化芳香
族化合物測定装置５と、バグフィルタの運転温度を調整
する排ガス冷却設備２と、排ガスに添加する活性炭の供
給量を調整する活性炭添加装置４と、塩素化芳香族化合
物測定装置５が測定した排ガス中の塩素化芳香族化合物
の濃度に基づいて、排ガス冷却設備２及び活性炭添加装
置４を調整する制御装置９とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ごみ焼却炉におけ
る排ガス中のダイオキシン類の排出を抑制する排出制御
装置および方法に関する。
る排ガス中のダイオキシン類の排出を抑制する排出制御
装置および方法に関する。
【０００２】
【従来技術】都市ごみ焼却炉において、猛毒のダイオキ
シン類の生成および排出が確認されている。従来、ダイ
オキシン類は炭化水素の一種で、燃焼過程における未燃
分と塩素から生成すると考えられている。従って、ダイ
オキシン類の生成を抑制するために、燃焼状態すなわち
未燃成分発生の指標である一酸化炭素（CO）の発生量を
計測して、COの発生量を少なくするように運転されてい
る。このようなCOの発生量を指標とする制御方法の一例
が特開平４−２８８４０５公報（以下、「先行技術１」
という）に開示されている。先行技術１においては、ダ
イオキシン排出量が少なくなるように、一酸化炭素（C
O）の発生量を測定し、この測定値に応じてバグフィル
タ入口温度を制御する方法が開示されている。更に、排
ガス中のダイオキシン類との相関が高い塩素化芳香族化
合物の濃度を測定する装置として、排ガスの前処理によ
って共存水分やダストを除去したガスをクロロベンゼン
類などの有機化合物を吸着管に吸着、濃縮させて、ガス
クロマトグラフでクロロベンゼン類を検出する半連続監
視装置が特開平５−３１２７９６公報（以下、「先行技
術２」という）に開示されている。
シン類の生成および排出が確認されている。従来、ダイ
オキシン類は炭化水素の一種で、燃焼過程における未燃
分と塩素から生成すると考えられている。従って、ダイ
オキシン類の生成を抑制するために、燃焼状態すなわち
未燃成分発生の指標である一酸化炭素（CO）の発生量を
計測して、COの発生量を少なくするように運転されてい
る。このようなCOの発生量を指標とする制御方法の一例
が特開平４−２８８４０５公報（以下、「先行技術１」
という）に開示されている。先行技術１においては、ダ
イオキシン排出量が少なくなるように、一酸化炭素（C
O）の発生量を測定し、この測定値に応じてバグフィル
タ入口温度を制御する方法が開示されている。更に、排
ガス中のダイオキシン類との相関が高い塩素化芳香族化
合物の濃度を測定する装置として、排ガスの前処理によ
って共存水分やダストを除去したガスをクロロベンゼン
類などの有機化合物を吸着管に吸着、濃縮させて、ガス
クロマトグラフでクロロベンゼン類を検出する半連続監
視装置が特開平５−３１２７９６公報（以下、「先行技
術２」という）に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ダイオキシンの濃度の
変化は集塵装置の運転温度により大きく左右され、温度
が低いほどダイオキシン排出量が少なくなる。しかしな
がら、ごみ焼却炉の燃焼排ガス中には、ダイオキシン類
以外にＳＯｘ、ＨＣｌx等の有害成分が含まれている。
従って、ダイオキシン類を集塵装置で捕集するために、
１６０〜２００℃程度の低い温度で集塵装置を運転して
いると、ＳＯｘ、ＨＣｌx等の有害成分によって、集塵
装置や配管等の設備が腐食される可能性が高くなる。更
に、排ガス温度が低い状態で集塵装置を運転している
と、例えば、排ガス中の水分が結露して、ＳＯｘの一部
が化学反応を起こして生成した硫酸やＨＣｌが上述した
結露した水に溶け混み、集塵装置や配管等の設備を腐食
させる要因となる。
変化は集塵装置の運転温度により大きく左右され、温度
が低いほどダイオキシン排出量が少なくなる。しかしな
がら、ごみ焼却炉の燃焼排ガス中には、ダイオキシン類
以外にＳＯｘ、ＨＣｌx等の有害成分が含まれている。
従って、ダイオキシン類を集塵装置で捕集するために、
１６０〜２００℃程度の低い温度で集塵装置を運転して
いると、ＳＯｘ、ＨＣｌx等の有害成分によって、集塵
装置や配管等の設備が腐食される可能性が高くなる。更
に、排ガス温度が低い状態で集塵装置を運転している
と、例えば、排ガス中の水分が結露して、ＳＯｘの一部
が化学反応を起こして生成した硫酸やＨＣｌが上述した
結露した水に溶け混み、集塵装置や配管等の設備を腐食
させる要因となる。
【０００４】このため、焼却炉におけるごみの燃焼によ
って発生する排ガス中のダイオキシン類の濃度が低い燃
焼状態のときには、集塵装置の入口の排ガス温度ができ
るだけ従来の２００℃以上の温度になるように集塵装置
の運転を行うことが必要である。更に、先行技術１に次
の問題点がある。即ち、最近のごみ焼却炉は燃焼制御に
よってＣＯ濃度が管理されているため、集塵装置入口に
おけるＣＯ濃度が低い。しかしながら、ＣＯ濃度が５０
ｐｐｍ以下の低濃度領域では、ダイオキシン類との相関
性が良好ではない。更に、ＣＯには芳香族化合物の塩素
化反応に関する情報が一切含まれていない。従って、Ｃ
Ｏ濃度は必ずしもダイオキシン類の濃度の指標とならな
い可能性があり、厳密には、ダイオキシン類の濃度を低
減することができない。
って発生する排ガス中のダイオキシン類の濃度が低い燃
焼状態のときには、集塵装置の入口の排ガス温度ができ
るだけ従来の２００℃以上の温度になるように集塵装置
の運転を行うことが必要である。更に、先行技術１に次
の問題点がある。即ち、最近のごみ焼却炉は燃焼制御に
よってＣＯ濃度が管理されているため、集塵装置入口に
おけるＣＯ濃度が低い。しかしながら、ＣＯ濃度が５０
ｐｐｍ以下の低濃度領域では、ダイオキシン類との相関
性が良好ではない。更に、ＣＯには芳香族化合物の塩素
化反応に関する情報が一切含まれていない。従って、Ｃ
Ｏ濃度は必ずしもダイオキシン類の濃度の指標とならな
い可能性があり、厳密には、ダイオキシン類の濃度を低
減することができない。
【０００５】排ガス中のダイオキシン類と相関が高い塩
素化芳香族化合物の測定装置を用いたダイオキシン類の
低減制御方法はこれまで提案されていなかった。
素化芳香族化合物の測定装置を用いたダイオキシン類の
低減制御方法はこれまで提案されていなかった。
【０００６】本発明は、上述した先行技術の問題点を解
決して、ごみ焼却炉における排ガス中のダイオキシン類
の排出を抑制する排出制御装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
決して、ごみ焼却炉における排ガス中のダイオキシン類
の排出を抑制する排出制御装置および方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述した
問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、塩素
化芳香族化合物の濃度を測定することによってダイオキ
シン類の濃度を推定し、排ガス中のダイオキシン類の濃
度が高いときには、バグフィルタを低い温度で運転する
と同時に活性炭の添加量を増加することによって、ダイ
オキシン類の濃度を低減することができる、更に、ダイ
オキシン類の発生量に応じて、バグフィルタを低い温度
で運転するかまたは活性炭の添加量を増加するかの何れ
かを調整することによってダイオキシン類の濃度を低減
することができることを知見した。
問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、塩素
化芳香族化合物の濃度を測定することによってダイオキ
シン類の濃度を推定し、排ガス中のダイオキシン類の濃
度が高いときには、バグフィルタを低い温度で運転する
と同時に活性炭の添加量を増加することによって、ダイ
オキシン類の濃度を低減することができる、更に、ダイ
オキシン類の発生量に応じて、バグフィルタを低い温度
で運転するかまたは活性炭の添加量を増加するかの何れ
かを調整することによってダイオキシン類の濃度を低減
することができることを知見した。
【０００８】更に、バグフィルタの運転温度および活性
炭の供給量の調整にフィードバック制御を用いることに
よって、ダイオキシン類の排出が制御されることを知見
した。
炭の供給量の調整にフィードバック制御を用いることに
よって、ダイオキシン類の排出が制御されることを知見
した。
【０００９】請求項１の発明は、上記知見に基づいてな
されたものであって、排ガス中の塩素化芳香族化合物の
濃度を測定する測定手段と、バグフィルタの運転温度を
調整する温度調整手段、及び排ガスに添加する活性炭の
供給量を調整する供給量調整手段のすくなくとも一つ
と、前記測定手段が測定した排ガス中の前記塩素化芳香
族化合物の濃度に基づいて、前記温度調整手段、及び前
記供給量調整手段のすくなくとも一つを調整する制御手
段とを有することを特徴とするごみ焼却炉におけるダイ
オキシン類の排出制御装置により、上述した課題を解決
する。
されたものであって、排ガス中の塩素化芳香族化合物の
濃度を測定する測定手段と、バグフィルタの運転温度を
調整する温度調整手段、及び排ガスに添加する活性炭の
供給量を調整する供給量調整手段のすくなくとも一つ
と、前記測定手段が測定した排ガス中の前記塩素化芳香
族化合物の濃度に基づいて、前記温度調整手段、及び前
記供給量調整手段のすくなくとも一つを調整する制御手
段とを有することを特徴とするごみ焼却炉におけるダイ
オキシン類の排出制御装置により、上述した課題を解決
する。
【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置にお
いて、前記制御手段は、前記温度調整手段、及び前記供
給量調整手段のすくなくとも一つの調整にフィードバッ
ク制御を用いることを特徴とする。
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置にお
いて、前記制御手段は、前記温度調整手段、及び前記供
給量調整手段のすくなくとも一つの調整にフィードバッ
ク制御を用いることを特徴とする。
【００１１】更に、請求項３の発明は、排ガス中の塩素
化芳香族化合物の濃度を測定し、測定した塩素化芳香族
化合物の濃度から排ガス中のダイオキシン類の濃度を推
定し、推定したダイオキシン類の濃度に基づいてバグフ
ィルタの運転温度、及び排ガスに添加する活性炭の供給
量の少なくとも一つを調整して、ダイオキシン類の排出
を制御する、ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出
制御方法により、上述した課題を解決する。
化芳香族化合物の濃度を測定し、測定した塩素化芳香族
化合物の濃度から排ガス中のダイオキシン類の濃度を推
定し、推定したダイオキシン類の濃度に基づいてバグフ
ィルタの運転温度、及び排ガスに添加する活性炭の供給
量の少なくとも一つを調整して、ダイオキシン類の排出
を制御する、ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出
制御方法により、上述した課題を解決する。
【００１２】更に、請求項４の発明は、請求項３記載の
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法にお
いて、前記バグフィルタの運転温度、及び前記活性炭の
供給量の少なくとも一つの調整にフィードバック制御を
用いることを特徴とする。
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法にお
いて、前記バグフィルタの運転温度、及び前記活性炭の
供給量の少なくとも一つの調整にフィードバック制御を
用いることを特徴とする。
【００１３】更に、請求項５の発明は、請求項４記載の
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法にお
いて、前記フィードバック制御は、前記塩素化芳香族化
合物の濃度を周期的に計測し、計測された前記塩素化芳
香族化合物の濃度が予め設定された濃度以下となるよう
に、前記バグフィルタの運転温度、及び前記活性炭の供
給量の少なくとも一つを設定することを特徴とする。
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法にお
いて、前記フィードバック制御は、前記塩素化芳香族化
合物の濃度を周期的に計測し、計測された前記塩素化芳
香族化合物の濃度が予め設定された濃度以下となるよう
に、前記バグフィルタの運転温度、及び前記活性炭の供
給量の少なくとも一つを設定することを特徴とする。
【００１４】更に、請求項６の発明は、請求項１または
２に記載のダイオキシン類の排出制御装置において、前
記バグフィルタの入口温度を測定する入口温度測定手段
を有することを特徴とする。
２に記載のダイオキシン類の排出制御装置において、前
記バグフィルタの入口温度を測定する入口温度測定手段
を有することを特徴とする。
【００１５】更に、請求項７の発明は、請求項６記載の
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置にお
いて、前記入口温度測定手段が測定した前記バグフィル
タの入口温度に基づいて前記温度調整手段を調整する入
口温度制御手段を有することを特徴とする。
ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置にお
いて、前記入口温度測定手段が測定した前記バグフィル
タの入口温度に基づいて前記温度調整手段を調整する入
口温度制御手段を有することを特徴とする。
【００１６】更に、請求項８の発明は、請求項３乃至６
いずれかに記載のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出制御装置において、前記バグフィルタの入口温度を
測定し、前記バグフィルタの入口温度が前記バグフィル
タの設定温度になるように前記バグフィルタの運転温度
を調整することを特徴とする。
いずれかに記載のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出制御装置において、前記バグフィルタの入口温度を
測定し、前記バグフィルタの入口温度が前記バグフィル
タの設定温度になるように前記バグフィルタの運転温度
を調整することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、この発明を、詳細に説明す
る。
る。
【００１８】クロロベンゼン類は、例えば、モノクロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンのよ
うな置換基として少なくとも塩素原子を有する単環性塩
素化芳香族化合物である。クロロフェノール類は、例え
ば、モノクロロフェノール、ジクロロフェノールのよう
な置換基として少なくとも一つの塩素原子および水酸基
を有する単環性塩素化芳香族化合物である。クロロベン
ゼン類およびクロロフェノール類は、ごみの未燃成分で
あり、ダイオキシン類と化学構造の一部が類似してい
て、生成挙動がほぼ似ており、ダイオキシン類と高度に
相関がある。このため、あらかじめ、ダイオキシン類の
濃度とクロロベンゼン類もしくはクロロフェノール類の
濃度を測定することによって、ダイオキシン類の濃度を
推定することができる。
ベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンのよ
うな置換基として少なくとも塩素原子を有する単環性塩
素化芳香族化合物である。クロロフェノール類は、例え
ば、モノクロロフェノール、ジクロロフェノールのよう
な置換基として少なくとも一つの塩素原子および水酸基
を有する単環性塩素化芳香族化合物である。クロロベン
ゼン類およびクロロフェノール類は、ごみの未燃成分で
あり、ダイオキシン類と化学構造の一部が類似してい
て、生成挙動がほぼ似ており、ダイオキシン類と高度に
相関がある。このため、あらかじめ、ダイオキシン類の
濃度とクロロベンゼン類もしくはクロロフェノール類の
濃度を測定することによって、ダイオキシン類の濃度を
推定することができる。
【００１９】図２は排ガス中の塩素化芳香族化合物の一
つであるクロロベンゼン類とダイオキシン類の相関関係
を示した相関図である。縦軸にダイオキシン類の濃度
（単位：ng/Nm３）、横軸にクロロベンゼン類の濃度
（単位：μg/Nm３ ）を示す。第２図から、ダイオキシ
ン類の濃度とクロロベンゼン類の濃度とが相関関係にあ
ることがわかる。事前に両者の濃度の相関関係を把握し
ておけば、クロロベンゼン類の濃度からダイオキシン類
の濃度を容易に推定できる。
つであるクロロベンゼン類とダイオキシン類の相関関係
を示した相関図である。縦軸にダイオキシン類の濃度
（単位：ng/Nm３）、横軸にクロロベンゼン類の濃度
（単位：μg/Nm３ ）を示す。第２図から、ダイオキシ
ン類の濃度とクロロベンゼン類の濃度とが相関関係にあ
ることがわかる。事前に両者の濃度の相関関係を把握し
ておけば、クロロベンゼン類の濃度からダイオキシン類
の濃度を容易に推定できる。
【００２０】図３はバグフィルタの運転温度を変化させ
たときのダイオキシン類の除去特性を示している。縦軸
にバグフィルタでのダイオキシン類除去率（％）を、横
軸にバグフィルタ出口温度（℃）を示す。図３から明ら
かなように、低い温度でバグフィルタを運転すれば、ダ
イオキシン類の除去率が高い。
たときのダイオキシン類の除去特性を示している。縦軸
にバグフィルタでのダイオキシン類除去率（％）を、横
軸にバグフィルタ出口温度（℃）を示す。図３から明ら
かなように、低い温度でバグフィルタを運転すれば、ダ
イオキシン類の除去率が高い。
【００２１】図４は排ガス中への活性炭添加量を変化さ
せたときのダイオキシン類の濃度の変化を示した図であ
る。縦軸にバグフィルタ出口ダイオキシン類濃度（単
位：ng/Nm３）、横軸に活性炭吹き込み量（単位：g/Nm
３ ）を示す。図４から明らかなように、活性炭吹き込
み量が多くなると、ダイオキシン類の濃度が低くなって
いる。
せたときのダイオキシン類の濃度の変化を示した図であ
る。縦軸にバグフィルタ出口ダイオキシン類濃度（単
位：ng/Nm３）、横軸に活性炭吹き込み量（単位：g/Nm
３ ）を示す。図４から明らかなように、活性炭吹き込
み量が多くなると、ダイオキシン類の濃度が低くなって
いる。
【００２２】塩素化芳香族化合物に属するクロロベンゼ
ン類もしくはクロロフェノール類の濃度を測定する手段
（測定手段）は、例えば、レーザー多光子イオン化質量
分析を応用した技術で実現できる。レーザー多光子イオ
ン化質量分析装置では、ガス試料を小さな孔径のノズル
を通して真空中に導入し、断熱膨張により絶対零度付近
まで冷却する。これを超音速分子ジェットと呼んでい
る。この状態では、分子の振動・回転などの分子運動が
抑制されるため、それぞれの化合物の分子構造に応じた
非常に狭い領域の波長のレーザー照射によってのみイオ
ン化が起こる。そこで、質量分析計を連結しておくと、
イオン化した化合物分子のみが質量分析計に進み、検出
される。したがって、種々の化合物が共存する排ガス試
料でも、ほかの化合物の影響を受けることなく、測定対
象化合物を分離・検出できる。ここで、レーザーには、
エキシマレーザーまたはヤグレーザー励起の色素レーザ
ーまたは光パラメトリックレーザーを用いることができ
る。
ン類もしくはクロロフェノール類の濃度を測定する手段
（測定手段）は、例えば、レーザー多光子イオン化質量
分析を応用した技術で実現できる。レーザー多光子イオ
ン化質量分析装置では、ガス試料を小さな孔径のノズル
を通して真空中に導入し、断熱膨張により絶対零度付近
まで冷却する。これを超音速分子ジェットと呼んでい
る。この状態では、分子の振動・回転などの分子運動が
抑制されるため、それぞれの化合物の分子構造に応じた
非常に狭い領域の波長のレーザー照射によってのみイオ
ン化が起こる。そこで、質量分析計を連結しておくと、
イオン化した化合物分子のみが質量分析計に進み、検出
される。したがって、種々の化合物が共存する排ガス試
料でも、ほかの化合物の影響を受けることなく、測定対
象化合物を分離・検出できる。ここで、レーザーには、
エキシマレーザーまたはヤグレーザー励起の色素レーザ
ーまたは光パラメトリックレーザーを用いることができ
る。
【００２３】質量分析計については、特に限定されるも
のではなく、四重極型、二重収束型、飛行時間型などが
利用できるが、操作性・安定性を勘案すると飛行時間型
が好ましい。通常、導入で数ミリ秒、レーザー照射で数
ナノ秒、質量分析計の検出で数十マイクロ秒で分析を行
うことができる。全体を合計しても最大数十ミリ秒で測
定できるので、リアルタイム計測が可能である。
のではなく、四重極型、二重収束型、飛行時間型などが
利用できるが、操作性・安定性を勘案すると飛行時間型
が好ましい。通常、導入で数ミリ秒、レーザー照射で数
ナノ秒、質量分析計の検出で数十マイクロ秒で分析を行
うことができる。全体を合計しても最大数十ミリ秒で測
定できるので、リアルタイム計測が可能である。
【００２４】このように、塩素化芳香族化合物の濃度を
測定することによってダイオキシン類の濃度を推定し、
排ガス中のダイオキシン類の濃度が高いときには、バグ
フィルタを低い温度で運転すると同時に活性炭の添加量
を増加して、ダイオキシン類の濃度を低減することがで
きる。またダイオキシン類の発生量に応じて、バグフィ
ルタを低い温度で運転するか、または、活性炭の添加量
の増加のいずれかを調整することによってもダイオキシ
ン類濃度を低減することができる。
測定することによってダイオキシン類の濃度を推定し、
排ガス中のダイオキシン類の濃度が高いときには、バグ
フィルタを低い温度で運転すると同時に活性炭の添加量
を増加して、ダイオキシン類の濃度を低減することがで
きる。またダイオキシン類の発生量に応じて、バグフィ
ルタを低い温度で運転するか、または、活性炭の添加量
の増加のいずれかを調整することによってもダイオキシ
ン類濃度を低減することができる。
【００２５】次に、フィードバック制御の具体的な例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２６】図５に示すように、フィードバック制御装
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６が算出され、このように
算出された信号６が排ガス冷却装置２に入力されて、バ
グフィルタ３の運転温度は排ガス冷却温度設定信号６に
基づく温度に調整される。
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６が算出され、このように
算出された信号６が排ガス冷却装置２に入力されて、バ
グフィルタ３の運転温度は排ガス冷却温度設定信号６に
基づく温度に調整される。
【００２７】図６に示すように、フィードバック制御装
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、活性炭添加量設定信号７が算出され、このように算
出された信号７が活性炭添加装置４に入力されて、活性
炭の添加量は活性炭添加量設定信号７に基づく添加量に
調整される。
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、活性炭添加量設定信号７が算出され、このように算
出された信号７が活性炭添加装置４に入力されて、活性
炭の添加量は活性炭添加量設定信号７に基づく添加量に
調整される。
【００２８】図７に示すように、フィードバック制御装
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６と活性炭添加量設定信号
７が算出され、このように算出されたそれぞれの信号
６、７が排ガス冷却装置２、活性炭添加装置４に入力さ
れて、バグフィルタ３の運転温度と活性炭の添加量とが
同時に調整される。
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６と活性炭添加量設定信号
７が算出され、このように算出されたそれぞれの信号
６、７が排ガス冷却装置２、活性炭添加装置４に入力さ
れて、バグフィルタ３の運転温度と活性炭の添加量とが
同時に調整される。
【００２９】図８に示すように、フィードバック制御装
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６が算出され、このように
算出された信号６が排ガス冷却装置２に入力されて、バ
グフィルタ３の運転温度は排ガス冷却温度設定信号６に
基づく温度に設定される。このとき、同時にバグフィル
タ入口温度信号１１を排ガス冷却装置２に入力し、バグ
フィルタ入口温度が排ガス冷却温度設定信号６に精度よ
く追従されるように、フィードバック制御される。
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６が算出され、このように
算出された信号６が排ガス冷却装置２に入力されて、バ
グフィルタ３の運転温度は排ガス冷却温度設定信号６に
基づく温度に設定される。このとき、同時にバグフィル
タ入口温度信号１１を排ガス冷却装置２に入力し、バグ
フィルタ入口温度が排ガス冷却温度設定信号６に精度よ
く追従されるように、フィードバック制御される。
【００３０】図９に示すように、フィードバック制御装
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６と活性炭添加量設定信号
７が算出され、このように算出されたそれぞれの信号
６，７が排ガス冷却装置２，活性炭添加装置４に入力さ
れて、バグフィルタ３の運転温度と活性炭の添加量とが
同時に調整される。このとき、同時にバグフィルタ入口
温度信号１１を排ガス冷却装置２に入力し、バグフィル
タ入口温度が排ガス冷却温度設定信号６に精度よく追従
されるように、フィードバック制御される。
置９において、塩素化芳香族化合物測定信号８に基づい
て、排ガス冷却温度設定信号６と活性炭添加量設定信号
７が算出され、このように算出されたそれぞれの信号
６，７が排ガス冷却装置２，活性炭添加装置４に入力さ
れて、バグフィルタ３の運転温度と活性炭の添加量とが
同時に調整される。このとき、同時にバグフィルタ入口
温度信号１１を排ガス冷却装置２に入力し、バグフィル
タ入口温度が排ガス冷却温度設定信号６に精度よく追従
されるように、フィードバック制御される。
【００３１】次に、この発明の実施態様を説明する。
【００３２】図１は、本発明のごみ焼却炉におけるダイ
オキシン類の排出制御装置および方法の第１実施態様を
示す。なお、この図１の構成は後述する第２〜６実施態
様においても適用される。
オキシン類の排出制御装置および方法の第１実施態様を
示す。なお、この図１の構成は後述する第２〜６実施態
様においても適用される。
【００３３】ごみ焼却炉１から排出された高温の排ガス
は、排ガス冷却設備２に導かれ、排ガス冷却設備内にお
いて水噴霧によって冷却される。バグフィルタ３におい
て、排ガス冷却設備２によって冷却された排ガスから、
排ガス中の灰やダスト等と同時にダイオキシン類も除去
される。更に、バグフィルタ３の手前にある活性炭添加
装置４によって排ガス中へ活性炭が添加されることによ
って、ダイオキシン類は除去される。
は、排ガス冷却設備２に導かれ、排ガス冷却設備内にお
いて水噴霧によって冷却される。バグフィルタ３におい
て、排ガス冷却設備２によって冷却された排ガスから、
排ガス中の灰やダスト等と同時にダイオキシン類も除去
される。更に、バグフィルタ３の手前にある活性炭添加
装置４によって排ガス中へ活性炭が添加されることによ
って、ダイオキシン類は除去される。
【００３４】フィードバック制御手段９は、塩素化芳香
族化合物測定装置５から得られる塩素化芳香族化合物測
定信号８の信号を周期的に計測し、塩素化芳香族化合物
があらかじめ設定された濃度以下となるように、バグフ
ィルタ運転温度となる排ガス冷却温度設定及び活性炭添
加量設定の少なくとも一つを行う。フィードバック制御
装置９には、例えば、コンピュータが使用されている。
族化合物測定装置５から得られる塩素化芳香族化合物測
定信号８の信号を周期的に計測し、塩素化芳香族化合物
があらかじめ設定された濃度以下となるように、バグフ
ィルタ運転温度となる排ガス冷却温度設定及び活性炭添
加量設定の少なくとも一つを行う。フィードバック制御
装置９には、例えば、コンピュータが使用されている。
【００３５】塩素化芳香族化合物測定装置５として、ク
ロロベンゼン類（１、４−ジクロロベンゼン）をリアル
タイム計測する場合には、レーザー多光子イオン化質量
分析技術を用いる。排ガスのサンプリング位置は、バグ
フィルタ３の後方に排ガスダクトに測定孔を設けた位置
であり、そこでポンプにより排ガスを吸引し、除塵後レ
ーザー多光子イオン化分析装置に試料を導入する。試料
導入部は、０．８ｍｍ径のノズルを有し、毎秒１０回の
割合で２ミリ秒の間、間欠的に開口するパルスバルブと
高真空部とからなっている。パルスバルブが開口する
と、絶対零度付近の温度まで冷却されたジェットが形成
される。この分子ジェットに、ヤグレーザーで励起した
色素レーザー（波長：274.1 nm、レーザーエネルギー：
２ｍＪ）をパルスバルブの開口と同期させて５ナノ秒で
照射する。また、後段には飛行時間型の質量分析計（飛
行距離が４５０ｍｍ、検出器はマイクロチャンネルプレ
ート）を配置して、上述の条件でイオン化して高感度で
検出されるクロロベンゼン類濃度を測定する。
ロロベンゼン類（１、４−ジクロロベンゼン）をリアル
タイム計測する場合には、レーザー多光子イオン化質量
分析技術を用いる。排ガスのサンプリング位置は、バグ
フィルタ３の後方に排ガスダクトに測定孔を設けた位置
であり、そこでポンプにより排ガスを吸引し、除塵後レ
ーザー多光子イオン化分析装置に試料を導入する。試料
導入部は、０．８ｍｍ径のノズルを有し、毎秒１０回の
割合で２ミリ秒の間、間欠的に開口するパルスバルブと
高真空部とからなっている。パルスバルブが開口する
と、絶対零度付近の温度まで冷却されたジェットが形成
される。この分子ジェットに、ヤグレーザーで励起した
色素レーザー（波長：274.1 nm、レーザーエネルギー：
２ｍＪ）をパルスバルブの開口と同期させて５ナノ秒で
照射する。また、後段には飛行時間型の質量分析計（飛
行距離が４５０ｍｍ、検出器はマイクロチャンネルプレ
ート）を配置して、上述の条件でイオン化して高感度で
検出されるクロロベンゼン類濃度を測定する。
【００３６】また、バグフィルタ入口温度計１０で測定
されたバグフィルタ入口温度信号１１は、排ガス冷却装
置２に入力される。
されたバグフィルタ入口温度信号１１は、排ガス冷却装
置２に入力される。
【００３７】次に、本発明のごみ焼却炉におけるダイオ
キシン類の排出制御方法の第２実施態様を説明する。図
５は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第２実施態様を示す図であ
る。ここでは、図５のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるようにバグフィルタ運転温度となる排ガス冷却温
度設定信号６を決定する制御方法について説明する。
キシン類の排出制御方法の第２実施態様を説明する。図
５は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第２実施態様を示す図であ
る。ここでは、図５のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるようにバグフィルタ運転温度となる排ガス冷却温
度設定信号６を決定する制御方法について説明する。
【００３８】フィードバック制御手段９は、塩素化芳香
族化合物測定信号８と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差を入力とするＰＩＤ制御系を（１）式のように構成す
る。
族化合物測定信号８と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差を入力とするＰＩＤ制御系を（１）式のように構成す
る。
【００３９】
【式１】
【００４０】ただし、ｕ1はフィードバック制御の出力
値、即ち、排ガス冷却温度設定信号６であり、Xｓｅｔ
は塩素化芳香族化合物の設定値、Xは塩素化芳香族化合
物の測定値を示す。PB1は比例ゲイン、Ti1は積分時間、
Td1は微分時間を表す制御パラメータである。
値、即ち、排ガス冷却温度設定信号６であり、Xｓｅｔ
は塩素化芳香族化合物の設定値、Xは塩素化芳香族化合
物の測定値を示す。PB1は比例ゲイン、Ti1は積分時間、
Td1は微分時間を表す制御パラメータである。
【００４１】次に、本発明のごみ焼却炉におけるダイオ
キシン類の排出制御方法の第３実施態様を説明する。図
６は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第３実施態様を示す図であ
る。ここでは、図６のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるように活性炭添加量となる活性炭添加設定信号７
を決定する制御方法について説明する。
キシン類の排出制御方法の第３実施態様を説明する。図
６は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第３実施態様を示す図であ
る。ここでは、図６のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるように活性炭添加量となる活性炭添加設定信号７
を決定する制御方法について説明する。
【００４２】フィードバック制御手段９は、塩素化芳香
族化合物測定信号８と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差を入力とするＰＩＤ制御系を（２）式のように構成す
る。
族化合物測定信号８と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差を入力とするＰＩＤ制御系を（２）式のように構成す
る。
【００４３】
【式２】
【００４４】ただし、ｕ2はフィードバック制御の出力
値、即ち、活性炭添加設定信号７であり、Xｓｅｔは塩
素化芳香族化合物の設定値、Xは塩素化芳香族化合物の
測定値を示す。PB2は比例ゲイン、Ti2は積分時間、Td2
は微分時間を表す制御パラメータである。
値、即ち、活性炭添加設定信号７であり、Xｓｅｔは塩
素化芳香族化合物の設定値、Xは塩素化芳香族化合物の
測定値を示す。PB2は比例ゲイン、Ti2は積分時間、Td2
は微分時間を表す制御パラメータである。
【００４５】次に、本発明のごみ焼却炉におけるダイオ
キシン類の排出制御方法の第４実施態様を説明する。図
７は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第４実施態様を示す図であ
る。ここでは、図７のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるようなバグフィルタ運転温度となる排ガス冷却温
度設定信号６と活性炭添加設定信号７を決定する制御方
法について説明する。
キシン類の排出制御方法の第４実施態様を説明する。図
７は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第４実施態様を示す図であ
る。ここでは、図７のフィードバック制御手段９におい
て、塩素化芳香族化合物測定信号８を周期的に計測し、
塩素化芳香族化合物の濃度があらかじめ設定された濃度
となるようなバグフィルタ運転温度となる排ガス冷却温
度設定信号６と活性炭添加設定信号７を決定する制御方
法について説明する。
【００４６】フィードバック制御手段９は、塩素化芳香
族化合物測定信号７と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差に重み係数Ｋ（0<K<1）を掛けたものを入力とするＰ
ＩＤ制御系を（６）、（７）式のように構成する。
（６）式は、排ガス冷却温度設定信号６を決定するＰＩ
Ｄ制御系であり、（７）式は活性炭添加設定信号７を決
定するＰＩＤ制御系ある。重み係数Ｋは、清掃工場の操
業条件に応じて、バグフィルタの運転温度と活性炭の添
加量のどちらに重点を置くかで決定される。
族化合物測定信号７と塩素化芳香族化合物の設定値の偏
差に重み係数Ｋ（0<K<1）を掛けたものを入力とするＰ
ＩＤ制御系を（６）、（７）式のように構成する。
（６）式は、排ガス冷却温度設定信号６を決定するＰＩ
Ｄ制御系であり、（７）式は活性炭添加設定信号７を決
定するＰＩＤ制御系ある。重み係数Ｋは、清掃工場の操
業条件に応じて、バグフィルタの運転温度と活性炭の添
加量のどちらに重点を置くかで決定される。
【００４７】
【式３】
【００４８】
【式４】
【００４９】
【式５】
【００５０】
【式６】
【００５１】
【式７】
【００５２】ただし、ｕ1はフィードバック制御の出力
値、即ち、排ガス冷却温度設定信号６である。ｕ2はフ
ィードバック制御の出力値、即ち、活性炭添加設定信号
７である。Xｓｅｔは塩素化芳香族化合物の設定値の設
定値、Xは塩素化芳香族化合物の測定値を示す。Ｅは塩
素化芳香族化合物の設定値と塩素化芳香族化合物の測定
値との偏差を示す。PB1は比例ゲイン、Ti1は積分時間、
Td1は微分時間を表す制御パラメータである。PB2は比例
ゲイン、Ti2は積分時間、Td2は微分時間を表す制御パラ
メータである。
値、即ち、排ガス冷却温度設定信号６である。ｕ2はフ
ィードバック制御の出力値、即ち、活性炭添加設定信号
７である。Xｓｅｔは塩素化芳香族化合物の設定値の設
定値、Xは塩素化芳香族化合物の測定値を示す。Ｅは塩
素化芳香族化合物の設定値と塩素化芳香族化合物の測定
値との偏差を示す。PB1は比例ゲイン、Ti1は積分時間、
Td1は微分時間を表す制御パラメータである。PB2は比例
ゲイン、Ti2は積分時間、Td2は微分時間を表す制御パラ
メータである。
【００５３】次に、本発明のごみ焼却炉におけるダイオ
キシン類の排出制御方法の第５実施態様を説明する。図
８は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出を制御する方法の第５実施態様を示す図である。こ
こでは、図８の排ガス冷却設備２において、バグフィル
タ入口温度を定期的に測定し、バグフィルタ入口温度が
排ガス冷却温度設定値となるような制御方法について説
明する。制御方法は、バグフィルタ入口温度信号１１と
排ガス冷却温度設定信号６との偏差を入力とするＰＩＤ
制御系を（８）式のように構成する。
キシン類の排出制御方法の第５実施態様を説明する。図
８は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出を制御する方法の第５実施態様を示す図である。こ
こでは、図８の排ガス冷却設備２において、バグフィル
タ入口温度を定期的に測定し、バグフィルタ入口温度が
排ガス冷却温度設定値となるような制御方法について説
明する。制御方法は、バグフィルタ入口温度信号１１と
排ガス冷却温度設定信号６との偏差を入力とするＰＩＤ
制御系を（８）式のように構成する。
【００５４】
【式８】
【００５５】ただし、ｕ3は排ガス冷却設備の水噴霧出
力値であり、Tｓｅｔは排ガス冷却温度設定信号であ
り、Tはバグフィルタ入口温度の測定値を示す。PB3は比
例ゲイン、Ti3は積分時間、Td3は微分時間を表す制御パ
ラメータである。
力値であり、Tｓｅｔは排ガス冷却温度設定信号であ
り、Tはバグフィルタ入口温度の測定値を示す。PB3は比
例ゲイン、Ti3は積分時間、Td3は微分時間を表す制御パ
ラメータである。
【００５６】次に、本発明のゴミ焼却炉におけるダイオ
キシン類の排出制御方法の第６実施態様を説明する。図
９は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第６実施態様を示す図であ
る。図９のガス冷却設備は、前述の実施態様５における
図８の排ガス冷却設備２における制御方法と同様であ
る。
キシン類の排出制御方法の第６実施態様を説明する。図
９は、この発明のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の
排出抑制を制御する方法の第６実施態様を示す図であ
る。図９のガス冷却設備は、前述の実施態様５における
図８の排ガス冷却設備２における制御方法と同様であ
る。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、排ガス中の塩素化芳香
族化合物測定値に基づいてバグフィルタの運転温度、及
び活性炭の供給量の少なくとも一つを調整することによ
って、ごみ焼却炉における排ガス中のダイオキシン類の
発生を効率的に抑制することができる。
族化合物測定値に基づいてバグフィルタの運転温度、及
び活性炭の供給量の少なくとも一つを調整することによ
って、ごみ焼却炉における排ガス中のダイオキシン類の
発生を効率的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御装置および方法の第１実施態様の構成
を示す図である。
シン類の排出制御装置および方法の第１実施態様の構成
を示す図である。
【図２】図２は、ダイオキシン類の濃度とクロロベンゼ
ン類の濃度との相関関係を示す図である。
ン類の濃度との相関関係を示す図である。
【図３】図３は、バグフィルタの運転温度変化によるダ
イオキシン類の除去特性を示す図である。
イオキシン類の除去特性を示す図である。
【図４】図４は、活性炭添加量を変化させたときのダイ
オキシン類の濃度特性を示す図である。
オキシン類の濃度特性を示す図である。
【図５】図５は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御方法の第２実施態様を示すブロック図
である。
シン類の排出制御方法の第２実施態様を示すブロック図
である。
【図６】図６は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御方法の第３実施態様を示すブロック図
である。
シン類の排出制御方法の第３実施態様を示すブロック図
である。
【図７】図７は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御方法の第４実施態様を示すブロック図
である。
シン類の排出制御方法の第４実施態様を示すブロック図
である。
【図８】図８は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御方法の第５実施態様を示すブロック図
である。
シン類の排出制御方法の第５実施態様を示すブロック図
である。
【図９】図９は、本発明のごみ焼却炉におけるダイオキ
シン類の排出制御方法の第６実施態様を示すブロック図
である。
シン類の排出制御方法の第６実施態様を示すブロック図
である。
1. ごみ焼却炉、 2. 排ガス冷却設備（温度調整手段）、 3. バグフィルタ、 4. 活性炭添加装置（供給量調整手段）、 5. 塩素化芳香族化合物測定装置（測定手段）、 6. 排ガス冷却温度設定信号、 7. 活性炭添加量設定信号、 8. 塩素化芳香族化合物測定信号、 9. 制御装置（制御手段） 10. バグフィルタ入口温度計（入口温度測定手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮澤 邦夫 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 永野 英樹 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 排ガス中の塩素化芳香族化合物の濃度を
測定する測定手段と、バグフィルタの運転温度を調整す
る温度調整手段、及び排ガスに添加する活性炭の供給量
を調整する供給量調整手段のすくなくとも一つと、前記
測定手段が測定した排ガス中の前記塩素化芳香族化合物
の濃度に基づいて、前記温度調整手段、及び前記供給量
調整手段のすくなくとも一つを調整する制御手段とを有
することを特徴とするごみ焼却炉におけるダイオキシン
類の排出制御装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記温度調整手段、及
び前記供給量調整手段のすくなくとも一つの調整にフィ
ードバック制御を用いることを特徴とする請求項１に記
載のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装
置。 - 【請求項３】 排ガス中の塩素化芳香族化合物の濃度を
測定し、測定した塩素化芳香族化合物の濃度から排ガス
中のダイオキシン類の濃度を推定し、推定したダイオキ
シン類の濃度に基づいてバグフィルタの運転温度、及び
排ガスに添加する活性炭の供給量の少なくとも一つを調
整して、ダイオキシン類の排出を制御する、ごみ焼却炉
におけるダイオキシン類の排出制御方法。 - 【請求項４】 前記バグフィルタの運転温度、及び前記
活性炭の供給量の少なくとも一つの調整にフィードバッ
ク制御を用いることを特徴とする、請求項３に記載のご
み焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法。 - 【請求項５】 前記フィードバック制御は、前記塩素化
芳香族化合物の濃度を周期的に計測し、計測された前記
塩素化芳香族化合物の濃度が予め設定された濃度以下と
なるように、前記バグフィルタの運転温度、及び前記活
性炭の供給量の少なくとも一つを設定することを特徴と
する、請求項４に記載のごみ焼却炉におけるダイオキシ
ン類の排出制御方法。 - 【請求項６】 前記バグフィルタの入口温度を測定する
入口温度測定手段を有することを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排
出制御装置。 - 【請求項７】 前記入口温度測定手段が測定した前記バ
グフィルタの入口温度に基づいて前記温度調整手段を調
整する入口温度制御手段を有することを特徴とする請求
項６記載のごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制
御装置。 - 【請求項８】 前記バグフィルタの入口温度を測定し、
前記バグフィルタの入口温度が前記バグフィルタの設定
温度になるように前記バグフィルタの運転温度を調整す
ることを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載のご
み焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380769A JP2001208333A (ja) | 1997-11-18 | 2000-12-14 | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-316683 | 1997-11-18 | ||
| JP31668397 | 1997-11-18 | ||
| JP2000380769A JP2001208333A (ja) | 1997-11-18 | 2000-12-14 | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31295598A Division JP3412535B2 (ja) | 1997-11-18 | 1998-11-04 | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001208333A true JP2001208333A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=26568753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000380769A Pending JP2001208333A (ja) | 1997-11-18 | 2000-12-14 | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001208333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008049244A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Takuma Co Ltd | 排ガス処理設備及び排ガス処理方法 |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000380769A patent/JP2001208333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008049244A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Takuma Co Ltd | 排ガス処理設備及び排ガス処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2205384C2 (ru) | Способ и устройство для лазерного анализа диоксинов | |
| US6723286B2 (en) | Chemical monitoring method and apparatus, and incinerator | |
| US6580067B1 (en) | Sample analyzing monitor and combustion control system using the same | |
| Gleason et al. | The effects of oxygen on the detection of mercury using laser-induced breakdown spectroscopy | |
| US6435113B1 (en) | Incineration apparatus and method which suppress generation of dioxins | |
| JP3281876B2 (ja) | ダイオキシン類分析装置及び燃焼制御システム | |
| JP2001208333A (ja) | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 | |
| JP3412535B2 (ja) | ごみ焼却炉におけるダイオキシン類の排出制御装置および方法 | |
| JP2941763B2 (ja) | ダイオキシン分析装置及びダイオキシン計測システム | |
| JP3825251B2 (ja) | 排ガス測定装置 | |
| Chen et al. | Determination of the tropospheric hydroxyl radical by liquidphase scrubbing and HPLC: preliminary results | |
| JP2007171064A (ja) | ガス分析用Ｊｅｔ−ＲＥＭＰＩ装置 | |
| JPH09243601A (ja) | 排ガス中の微量有機化合物の測定装置 | |
| JP3654046B2 (ja) | 排ガスモニタシステム | |
| JP3663975B2 (ja) | 排ガスモニタ装置 | |
| JP2002202287A (ja) | 光イオン化質量分析装置 | |
| Hassaine et al. | Continuous emission monitoring of metals in flue gases by ICP-OES: role of calibration and sample gas | |
| JP3668010B2 (ja) | ごみ焼却設備及びその制御方法 | |
| JP2941762B2 (ja) | ダイオキシン分析装置 | |
| JP2002202289A (ja) | 二波長光イオン化質量分析装置 | |
| JP2002181788A (ja) | 光イオン化質量分析装置 | |
| JP3275804B2 (ja) | ダイオキシン類の発生を抑制するごみ焼却装置およびごみ焼却制御装置ならびにごみ焼却方法 | |
| JPH11237023A (ja) | 焼却装置 | |
| JPH11352105A (ja) | レーザーイオン化質量分析装置および測定方法 | |
| JP2000040488A (ja) | レ―ザ―イオン化質量分析装置 |