JP2001203102A - 半導体セラミック粉末および積層型半導体セラミック電子部品 - Google Patents
半導体セラミック粉末および積層型半導体セラミック電子部品Info
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- JP2001203102A JP2001203102A JP2000008945A JP2000008945A JP2001203102A JP 2001203102 A JP2001203102 A JP 2001203102A JP 2000008945 A JP2000008945 A JP 2000008945A JP 2000008945 A JP2000008945 A JP 2000008945A JP 2001203102 A JP2001203102 A JP 2001203102A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵
抗の変化率が高い半導体セラミックを得ることができる
半導体セラミック粉末を提供する。 【解決手段】 半導体セラミック粉末は、チタン酸バリ
ウム粉体を含む。チタン酸バリウム粉体は、チタン酸バ
リウム粉体１００ｗｔ％に対して、Ｔｉ3+の濃度が０．
０００３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比
が１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径
が１．０μｍ以下である。また、半導体セラミック粉末
には、ドナー元素が固溶している。
抗の変化率が高い半導体セラミックを得ることができる
半導体セラミック粉末を提供する。 【解決手段】 半導体セラミック粉末は、チタン酸バリ
ウム粉体を含む。チタン酸バリウム粉体は、チタン酸バ
リウム粉体１００ｗｔ％に対して、Ｔｉ3+の濃度が０．
０００３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比
が１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径
が１．０μｍ以下である。また、半導体セラミック粉末
には、ドナー元素が固溶している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体セラミック
粉末および積層型半導体セラミック電子部品に関し、特
に、チタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末、およ
び、これを焼結して形成した半導体セラミック層を備
え、正の抵抗温度係数を有する積層型半導体セラミック
電子部品に関する。
粉末および積層型半導体セラミック電子部品に関し、特
に、チタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末、およ
び、これを焼結して形成した半導体セラミック層を備
え、正の抵抗温度係数を有する積層型半導体セラミック
電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸バリウム系の半導体セラ
ミックは、常温では比抵抗が低く、ある温度（キュリー
温度）を超えると急激に抵抗が上昇するという、正の抵
抗温度特性（ＰＴＣ特性）を有しており、温度制御、過
電流保護、定温度発熱などの用途に広く用いられてい
る。中でも、回路用として用いられている過電流保護用
の電子部品において、室温での低抵抗化が要望されてい
る。特に、ＵＳＢ対応のパソコン周辺機器においては、
小型で低抵抗、高耐圧の半導体セラミック電子部品が切
に望まれている。
ミックは、常温では比抵抗が低く、ある温度（キュリー
温度）を超えると急激に抵抗が上昇するという、正の抵
抗温度特性（ＰＴＣ特性）を有しており、温度制御、過
電流保護、定温度発熱などの用途に広く用いられてい
る。中でも、回路用として用いられている過電流保護用
の電子部品において、室温での低抵抗化が要望されてい
る。特に、ＵＳＢ対応のパソコン周辺機器においては、
小型で低抵抗、高耐圧の半導体セラミック電子部品が切
に望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、上述のＰＴＣ特
性を有するチタン酸バリウム系の半導体セラミックは、
チタン酸バリウム粉体に、または、炭酸バリウムおよび
二酸化チタンの混合粉に、半導体化剤としての金属イオ
ンまたは金属酸化物を混合させ、その粉体より成形した
成形物を焼結させることにより、作製されていた。しか
しながら、半導体セラミックを作製する際に、チタン酸
バリウム粉体を十分に半導体化させずに焼結体を作製し
たために室温での抵抗が高くなったり、または、室温で
の抵抗を低くする目的で焼結の温度を高くしたために室
温での抵抗は低くなるもののキュリー点以上での抵抗の
変化率が低くなったりする場合がある。さらに、チタン
酸バリウム粉体を十分に半導体化させるために粉体を高
温で焼成したために、セラミック電子部品を作製したと
きに焼結が進まず室温での抵抗が高くなるなどの問題が
あった。
性を有するチタン酸バリウム系の半導体セラミックは、
チタン酸バリウム粉体に、または、炭酸バリウムおよび
二酸化チタンの混合粉に、半導体化剤としての金属イオ
ンまたは金属酸化物を混合させ、その粉体より成形した
成形物を焼結させることにより、作製されていた。しか
しながら、半導体セラミックを作製する際に、チタン酸
バリウム粉体を十分に半導体化させずに焼結体を作製し
たために室温での抵抗が高くなったり、または、室温で
の抵抗を低くする目的で焼結の温度を高くしたために室
温での抵抗は低くなるもののキュリー点以上での抵抗の
変化率が低くなったりする場合がある。さらに、チタン
酸バリウム粉体を十分に半導体化させるために粉体を高
温で焼成したために、セラミック電子部品を作製したと
きに焼結が進まず室温での抵抗が高くなるなどの問題が
あった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、室
温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が
高い半導体セラミックを得ることができる半導体セラミ
ック粉末を提供することである。また、この発明の他の
目的は、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗
の変化率が高い半導体セラミック層を備える積層半導体
セラミック電子部品を提供することである。
温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗の変化率が
高い半導体セラミックを得ることができる半導体セラミ
ック粉末を提供することである。また、この発明の他の
目的は、室温での抵抗が低くキュリー温度以上での抵抗
の変化率が高い半導体セラミック層を備える積層半導体
セラミック電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、鋭意研究を重ねた結果、ある限定された物性を有す
るチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末を用いる
ことによって、小型化かつ低抵抗で、十分な抵抗の変化
率を有し、さらには、耐電圧の高い積層型半導体セラミ
ック電子部品が得られることを見出し、この発明を完成
するに至った。すなわち、この発明にかかる半導体セラ
ミック粉末は、チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対
して、チタン酸バリウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．００
０３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比が
１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径が
１．０μｍ以下であり、ドナー元素が固溶している、半
導体セラミック粉末である。なお、以下、Ｂａ／Ｔｉ比
と表しているものは、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比を意味
する。この発明にかかる積層型半導体セラミック電子部
品は、交互に積層される複数の半導体セラミック層およ
び複数の内部電極を備える積層型半導体セラミック電子
部品であって、半導体セラミック層は、この発明にかか
る半導体セラミック粉末を焼結して形成される。なお、
内部電極は、たとえばニッケルを含有する。
に、鋭意研究を重ねた結果、ある限定された物性を有す
るチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末を用いる
ことによって、小型化かつ低抵抗で、十分な抵抗の変化
率を有し、さらには、耐電圧の高い積層型半導体セラミ
ック電子部品が得られることを見出し、この発明を完成
するに至った。すなわち、この発明にかかる半導体セラ
ミック粉末は、チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対
して、チタン酸バリウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．００
０３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比が
１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径が
１．０μｍ以下であり、ドナー元素が固溶している、半
導体セラミック粉末である。なお、以下、Ｂａ／Ｔｉ比
と表しているものは、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比を意味
する。この発明にかかる積層型半導体セラミック電子部
品は、交互に積層される複数の半導体セラミック層およ
び複数の内部電極を備える積層型半導体セラミック電子
部品であって、半導体セラミック層は、この発明にかか
る半導体セラミック粉末を焼結して形成される。なお、
内部電極は、たとえばニッケルを含有する。
【０００６】チタン酸バリウム粉体の一次粒子径が１．
０μｍよりも大きいと、焼結が進まず室温での抵抗が高
くなり、また、室温での抵抗を下げようとしてより高い
温度で焼成すると室温での抵抗は下がるもののキュリー
温度以上での抵抗の変化率は低くなってしまう。また、
チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸
バリウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．０００３ｗｔ％未満
であると、室温での抵抗が高く、キュリー温度以上での
抵抗の変化率が低くなってしまう。さらに、チタン酸バ
リウム粉体のＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．
０１０を超えると、Ｔｉ3+がチタン酸バリウム内に十分
に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室
温での抵抗が高く、キュリー温度以上での抵抗の変化率
が低くなってしまう。また、チタン酸バリウム粉体の一
次粒子径が１．０μｍよりも大きいと、半導体セラミッ
ク層を薄くすることができず、さらに焼結する際に高温
で焼成しなければならない。
０μｍよりも大きいと、焼結が進まず室温での抵抗が高
くなり、また、室温での抵抗を下げようとしてより高い
温度で焼成すると室温での抵抗は下がるもののキュリー
温度以上での抵抗の変化率は低くなってしまう。また、
チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸
バリウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．０００３ｗｔ％未満
であると、室温での抵抗が高く、キュリー温度以上での
抵抗の変化率が低くなってしまう。さらに、チタン酸バ
リウム粉体のＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．
０１０を超えると、Ｔｉ3+がチタン酸バリウム内に十分
に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室
温での抵抗が高く、キュリー温度以上での抵抗の変化率
が低くなってしまう。また、チタン酸バリウム粉体の一
次粒子径が１．０μｍよりも大きいと、半導体セラミッ
ク層を薄くすることができず、さらに焼結する際に高温
で焼成しなければならない。
【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる積層型半
導体セラミック電子部品の一例を示す図解図である。図
１に示す積層型半導体セラミック電子部品１０は積層体
１２を含む。積層体１２では、複数の半導体セラミック
層１４と複数の内部電極１６とが交互に重ね合わされて
いる。この場合、１つおきの内部電極１６は積層体１２
の１つの側面にまで形成され、残りの内部電極１６は積
層体１２の他の１つの側面にまで形成される。さらに、
積層体１２の１つの側面および他の１つの側面には、外
部電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。この
場合、一方の外部電極１８ａは１つおきの内部電極１６
に接続され、他方の外部電極１８ｂは残りの内部電極１
６に接続される。
導体セラミック電子部品の一例を示す図解図である。図
１に示す積層型半導体セラミック電子部品１０は積層体
１２を含む。積層体１２では、複数の半導体セラミック
層１４と複数の内部電極１６とが交互に重ね合わされて
いる。この場合、１つおきの内部電極１６は積層体１２
の１つの側面にまで形成され、残りの内部電極１６は積
層体１２の他の１つの側面にまで形成される。さらに、
積層体１２の１つの側面および他の１つの側面には、外
部電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。この
場合、一方の外部電極１８ａは１つおきの内部電極１６
に接続され、他方の外部電極１８ｂは残りの内部電極１
６に接続される。
【０００９】上述の積層型半導体セラミック電子部品１
０の半導体セラミック層１４は、チタン酸バリウム系の
半導体セラミック粉末を焼結して形成される。このチタ
ン酸バリウム系の半導体セラミック粉末としては、チタ
ン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸バリ
ウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．０００３ｗｔ％以上であ
り、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０１０以下で
あり、一次粒子径が１．０μｍ以下であり、ドナー元素
が固溶している、半導体セラミック粉末が用いられる。
このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末におい
て、必要に応じて、Ｂａの一部がＣａやＳｒなどのアル
カリ土類金属およびＰｂなどで置換されてもよく、ま
た、Ｔｉの一部がＳｎ，ＺｒおよびＨｆなどのチタン族
の元素で置換されてもよい。また、このチタン酸バリウ
ム系の半導体セラミック粉末に含まれる半導体化剤は、
ドナー元素と呼ばれるものであるが、このようなドナー
元素としては、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕ，Ｙなどの希土類元素や、Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｗなどの遷移金属を用いることができる。また、このほ
かにも、このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉
末には、必要に応じて、ＳｉＯ2 やＭｎなどが添加され
てもよい。上記の半導体セラミック層１４を形成するた
めに用いられるチタン酸バリウム系の半導体セラミック
粉末は、チタン酸バリウム粉体中にＴｉ3+が重量比で
０．０００３ｗｔ％以上存在し、ドナーが固溶したもの
であるが、このようなチタン酸バリウム系の半導体セラ
ミック粉末の合成方法については、特に限定するもので
はないが、たとえば水熱法、加水分解法、共沈法、固相
法、ゾルゲル法を用いることができ、必要に応じて仮焼
が施される。また、上述の内部電極１６に含まれる導電
成分としては、Ｎｉ系金属、Ｍｏ系金属、Ｃｒ系金属、
または、これらの合金などを用いることができるが、半
導体セラミック層１４との間での確実なオーミック接触
を可能とする点から、特にＮｉ系金属を用いることが好
ましい。次に、この発明を実施例に基づいてさらに詳細
かつ具体的に説明する。
０の半導体セラミック層１４は、チタン酸バリウム系の
半導体セラミック粉末を焼結して形成される。このチタ
ン酸バリウム系の半導体セラミック粉末としては、チタ
ン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対して、チタン酸バリ
ウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．０００３ｗｔ％以上であ
り、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０１０以下で
あり、一次粒子径が１．０μｍ以下であり、ドナー元素
が固溶している、半導体セラミック粉末が用いられる。
このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉末におい
て、必要に応じて、Ｂａの一部がＣａやＳｒなどのアル
カリ土類金属およびＰｂなどで置換されてもよく、ま
た、Ｔｉの一部がＳｎ，ＺｒおよびＨｆなどのチタン族
の元素で置換されてもよい。また、このチタン酸バリウ
ム系の半導体セラミック粉末に含まれる半導体化剤は、
ドナー元素と呼ばれるものであるが、このようなドナー
元素としては、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕ，Ｙなどの希土類元素や、Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓｂ，
Ｗなどの遷移金属を用いることができる。また、このほ
かにも、このチタン酸バリウム系の半導体セラミック粉
末には、必要に応じて、ＳｉＯ2 やＭｎなどが添加され
てもよい。上記の半導体セラミック層１４を形成するた
めに用いられるチタン酸バリウム系の半導体セラミック
粉末は、チタン酸バリウム粉体中にＴｉ3+が重量比で
０．０００３ｗｔ％以上存在し、ドナーが固溶したもの
であるが、このようなチタン酸バリウム系の半導体セラ
ミック粉末の合成方法については、特に限定するもので
はないが、たとえば水熱法、加水分解法、共沈法、固相
法、ゾルゲル法を用いることができ、必要に応じて仮焼
が施される。また、上述の内部電極１６に含まれる導電
成分としては、Ｎｉ系金属、Ｍｏ系金属、Ｃｒ系金属、
または、これらの合金などを用いることができるが、半
導体セラミック層１４との間での確実なオーミック接触
を可能とする点から、特にＮｉ系金属を用いることが好
ましい。次に、この発明を実施例に基づいてさらに詳細
かつ具体的に説明する。
【００１０】
【実施例】出発原料として、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、硝
酸サマリウム（Ｓｍ）溶液を用い、各元素のモル比とし
て、Ｓｍ／Ｔｉ＝０．００１２となるように秤量を行
い、純水およびＰＳＺ製の直径５ｍｍの玉石を用いて５
時間ボールミルによる混合を行った。なお、上記の調合
（秤量）時においては、種々のＢａ／Ｔｉ比となるよう
に秤量を行っている。その後、蒸発乾燥を行い、得られ
た混合粉を１０００〜１４００℃で２時間仮焼した。こ
の仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）に対して、分散剤お
よび純水を混合して５〜８０時間粉砕した後、バインダ
ーなどを添加して、スラリーとした後、ドクターブレー
ド法により成形し、グリーンシートを得た。このグリー
ンシート上にＮｉ電極ペーストをスクリーン印刷して内
部電極とした。さらに、内部電極がグリーンシートの一
端側および他端側で交互に露出するように複数のグリー
ンシートを積層し、加圧圧着後、切断して積層体とし
た。なお、この積層体には、その上下に内部電極を印刷
していないダミーのグリーンシートを重ねて圧着してい
る。次に、この積層体を大気中で脱バインダー処理した
後、水素／窒素＝３／１００の強還元雰囲気中にて２時
間焼成を行った。その後、オーミック銀ペーストを塗布
して大気中で５００〜１０００℃で１時間再酸化処理を
施し、外部電極を形成して、積層型半導体セラミック電
子部品（試料）とした。
酸サマリウム（Ｓｍ）溶液を用い、各元素のモル比とし
て、Ｓｍ／Ｔｉ＝０．００１２となるように秤量を行
い、純水およびＰＳＺ製の直径５ｍｍの玉石を用いて５
時間ボールミルによる混合を行った。なお、上記の調合
（秤量）時においては、種々のＢａ／Ｔｉ比となるよう
に秤量を行っている。その後、蒸発乾燥を行い、得られ
た混合粉を１０００〜１４００℃で２時間仮焼した。こ
の仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）に対して、分散剤お
よび純水を混合して５〜８０時間粉砕した後、バインダ
ーなどを添加して、スラリーとした後、ドクターブレー
ド法により成形し、グリーンシートを得た。このグリー
ンシート上にＮｉ電極ペーストをスクリーン印刷して内
部電極とした。さらに、内部電極がグリーンシートの一
端側および他端側で交互に露出するように複数のグリー
ンシートを積層し、加圧圧着後、切断して積層体とし
た。なお、この積層体には、その上下に内部電極を印刷
していないダミーのグリーンシートを重ねて圧着してい
る。次に、この積層体を大気中で脱バインダー処理した
後、水素／窒素＝３／１００の強還元雰囲気中にて２時
間焼成を行った。その後、オーミック銀ペーストを塗布
して大気中で５００〜１０００℃で１時間再酸化処理を
施し、外部電極を形成して、積層型半導体セラミック電
子部品（試料）とした。
【００１１】そして、各試料について、仮焼粉の平均粒
径（μｍ）、仮焼粉のＴｉ3+の濃度（ｗｔ％）、室温抵
抗（Ω）および抵抗変化率（桁）を測定した。この場
合、仮焼粉の平均粒径は、ＳＥＭにより撮影した写真の
粒子をデジタイザーを用いて直接測定し、その測定値を
対数正規分布により算出した。したがって、この仮焼粉
の平均粒径は、仮焼により凝集した二次粒子径ではなく
一次粒子径を表している。また、仮焼粉のＴｉ3+の濃度
の測定は、仮焼粉を酸溶解し、溶出したＴｉ3+をＦｅ3+
で置換して生成したＦｅ2+を吸光光度計で測定した値で
ある。さらに、室温抵抗は、デジタルボルトメーターを
用いて４端子法で測定した。また、抵抗変化率は、室温
（２５℃）から２５０℃までにおける最大抵抗値を室温
抵抗値で除し、その常用対数で算出した。これらの測定
結果などを表１に示す。
径（μｍ）、仮焼粉のＴｉ3+の濃度（ｗｔ％）、室温抵
抗（Ω）および抵抗変化率（桁）を測定した。この場
合、仮焼粉の平均粒径は、ＳＥＭにより撮影した写真の
粒子をデジタイザーを用いて直接測定し、その測定値を
対数正規分布により算出した。したがって、この仮焼粉
の平均粒径は、仮焼により凝集した二次粒子径ではなく
一次粒子径を表している。また、仮焼粉のＴｉ3+の濃度
の測定は、仮焼粉を酸溶解し、溶出したＴｉ3+をＦｅ3+
で置換して生成したＦｅ2+を吸光光度計で測定した値で
ある。さらに、室温抵抗は、デジタルボルトメーターを
用いて４端子法で測定した。また、抵抗変化率は、室温
（２５℃）から２５０℃までにおける最大抵抗値を室温
抵抗値で除し、その常用対数で算出した。これらの測定
結果などを表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１に示す結果から明らかなように、実施
例１〜４では、仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）の平均
粒径が１．０μｍ以下で、Ｔｉ3+の濃度が０．０００３
ｗｔ％以上で、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０
１０以下であり、得られた積層型半導体セラミック電子
部品（試料）について、室温抵抗が０．２Ω以下で、抵
抗変化率が２．７桁以上の特性が得られている。これに
対して、比較例１のようにチタン酸バリウム粉体の平均
粒径が０．３μｍと微粒であってもＴｉ3+が検出できな
いようなチタン酸バリウム粉体を用いて作製した積層型
半導体セラミック電子部品（試料）については、室温抵
抗が０．５０Ωと高く、抵抗変化率も２．５桁と低くな
る。また、比較例２および３のようにＴｉ3+が十分にチ
タン酸バリウム粉体内に存在してもチタン酸バリウム粉
体の平均粒径が１．０μｍを超えると、室温抵抗が高
く、抵抗変化率も低くなる。さらに、比較例４および５
のようにＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．０１
０を超えると、Ｔｉ3+がチタン酸バリウム粉体内に十分
に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室
温抵抗は１Ω以上と高く、抵抗変化率は２．２以下と低
くなる。
例１〜４では、仮焼粉（チタン酸バリウム粉体）の平均
粒径が１．０μｍ以下で、Ｔｉ3+の濃度が０．０００３
ｗｔ％以上で、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００以上で１．０
１０以下であり、得られた積層型半導体セラミック電子
部品（試料）について、室温抵抗が０．２Ω以下で、抵
抗変化率が２．７桁以上の特性が得られている。これに
対して、比較例１のようにチタン酸バリウム粉体の平均
粒径が０．３μｍと微粒であってもＴｉ3+が検出できな
いようなチタン酸バリウム粉体を用いて作製した積層型
半導体セラミック電子部品（試料）については、室温抵
抗が０．５０Ωと高く、抵抗変化率も２．５桁と低くな
る。また、比較例２および３のようにＴｉ3+が十分にチ
タン酸バリウム粉体内に存在してもチタン酸バリウム粉
体の平均粒径が１．０μｍを超えると、室温抵抗が高
く、抵抗変化率も低くなる。さらに、比較例４および５
のようにＢａ／Ｔｉ比が１．０００未満または１．０１
０を超えると、Ｔｉ3+がチタン酸バリウム粉体内に十分
に存在しかつ平均粒径が１．０μｍ以下であっても、室
温抵抗は１Ω以上と高く、抵抗変化率は２．２以下と低
くなる。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、室温での抵抗が低く
キュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミ
ックを得ることができる。また、この発明にかかる半導
体セラミック粉末を用いれば、室温での抵抗が低くキュ
リー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミック
層を備える積層半導体セラミック電子部品が得られる。
そのため、この発明にかかる積層半導体セラミック電子
部品では、小型かつ低抵抗で高い抵抗変化率を有し得
る。
キュリー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミ
ックを得ることができる。また、この発明にかかる半導
体セラミック粉末を用いれば、室温での抵抗が低くキュ
リー温度以上での抵抗の変化率が高い半導体セラミック
層を備える積層半導体セラミック電子部品が得られる。
そのため、この発明にかかる積層半導体セラミック電子
部品では、小型かつ低抵抗で高い抵抗変化率を有し得
る。
【図１】図１はこの発明にかかる積層型半導体セラミッ
ク電子部品の一例を示す図解図である。
ク電子部品の一例を示す図解図である。
１０ 積層型半導体セラミック電子部品 １２ 積層体 １４ 半導体セラミック層 １６ 内部電極 １８ａ、１８ｂ 外部電極
フロントページの続き (72)発明者 新見 秀明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 岸本 敦司 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 BA05 CA04 CA08 5E034 AA07 AA08 AB01 AC03 AC04 AC05 AC06 AC07 DA07 DC01 DC05
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム粉体１００ｗｔ％に対
して、前記チタン酸バリウム粉体のＴｉ3+の濃度が０．
０００３ｗｔ％以上であり、Ｂａサイト／Ｔｉサイト比
が１．０００以上で１．０１０以下であり、一次粒子径
が１．０μｍ以下であり、ドナー元素が固溶している、
半導体セラミック粉末。 - 【請求項２】 交互に積層される複数の半導体セラミッ
ク層および複数の内部電極を備える積層型半導体セラミ
ック電子部品であって、 前記半導体セラミック層は、請求項１に記載の半導体セ
ラミック粉末を焼結して形成される、積層型半導体セラ
ミック電子部品。 - 【請求項３】 前記内部電極はニッケルを含有する、請
求項２に記載の積層型半導体セラミック電子部品。
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|---|---|---|---|
| JP2000008945A JP4123666B2 (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 半導体セラミック粉末および積層型半導体セラミック電子部品 |
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|---|---|---|---|
| JP2000008945A JP4123666B2 (ja) | 2000-01-18 | 2000-01-18 | 半導体セラミック粉末および積層型半導体セラミック電子部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203102A true JP2001203102A (ja) | 2001-07-27 |
| JP4123666B2 JP4123666B2 (ja) | 2008-07-23 |
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| JP (1) | JP4123666B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034830A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| WO2007034831A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000008945A patent/JP4123666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007034831A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| US7649437B2 (en) | 2005-09-20 | 2010-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer positive temperature coefficient thermistor |
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