JP2001200158A - 導電性液状シリコーンゴム組成物 - Google Patents
導電性液状シリコーンゴム組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）２５℃における粘度が１０〜１０
０，０００センチポイズのオルガノポリシロキサン
１００重量部 （Ｂ）シリカ微粉末
１〜１００重量部 （Ｃ）金属粉末又は導電性金属メッキ粉末
３０〜７００重量部 （Ｄ）硬化剤 上記（Ａ）
成分を硬化させ得る量を含有してなることを特徴とする
導電性液状シリコーンゴム組成物。 【効果】 本発明の導電性液状シリコーンゴム組成物
は、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが可
能で、射出成形可能な粘度の組成物を得ることができる
優れたシリコーンゴムを与え、このシリコーンゴムは高
導電用途に使用される電気製品の部品、電気の接点等に
有用である。
０，０００センチポイズのオルガノポリシロキサン
１００重量部 （Ｂ）シリカ微粉末
１〜１００重量部 （Ｃ）金属粉末又は導電性金属メッキ粉末
３０〜７００重量部 （Ｄ）硬化剤 上記（Ａ）
成分を硬化させ得る量を含有してなることを特徴とする
導電性液状シリコーンゴム組成物。 【効果】 本発明の導電性液状シリコーンゴム組成物
は、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが可
能で、射出成形可能な粘度の組成物を得ることができる
優れたシリコーンゴムを与え、このシリコーンゴムは高
導電用途に使用される電気製品の部品、電気の接点等に
有用である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品、移動体
電気製品などの電流の接点部分や、電磁波シールド、事
務機用ロール部材、静電防止部材、コネクタ類などの部
分に用いられるシール材等の高導電性を必要とする分野
に使用する射出成形、インサート成形等が可能な加熱硬
化型の導電性液状シリコーンゴム組成物に関する。
電気製品などの電流の接点部分や、電磁波シールド、事
務機用ロール部材、静電防止部材、コネクタ類などの部
分に用いられるシール材等の高導電性を必要とする分野
に使用する射出成形、インサート成形等が可能な加熱硬
化型の導電性液状シリコーンゴム組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気部
品、移動体電気製品などの電流の接点部分や、電磁波シ
ールドなどの部分に用いられるシール材等の高導電性を
必要とする分野では、高導電性フィラーを添加したシリ
コーンゴム組成物が使用されている。
品、移動体電気製品などの電流の接点部分や、電磁波シ
ールドなどの部分に用いられるシール材等の高導電性を
必要とする分野では、高導電性フィラーを添加したシリ
コーンゴム組成物が使用されている。
【０００３】高粘度の生ゴム状オルガノシロキサンを主
成分としたシリコーンゴム組成物の場合等はプレフォー
ム工程の必要があり、工程上人手を要する。これらの工
程を省いたコスト低減の可能な射出成形、インサート成
形等を行うには粘度に上限があり、これらの成形におい
て成型物を良好なものとするには組成物の粘度を２５℃
において１０万ポイズ以下とすることが好ましい。
成分としたシリコーンゴム組成物の場合等はプレフォー
ム工程の必要があり、工程上人手を要する。これらの工
程を省いたコスト低減の可能な射出成形、インサート成
形等を行うには粘度に上限があり、これらの成形におい
て成型物を良好なものとするには組成物の粘度を２５℃
において１０万ポイズ以下とすることが好ましい。
【０００４】しかし、高粘度の生ゴム状オルガノシロキ
サンを主成分としたシリコーンゴムを低抵抗にするため
には、オルガノシロキサンに対して高導電性フィラーを
大量に添加しなくてはならず、組成物の粘度が高くなっ
てしまい、射出成形、インサート成形等を行うことが不
可能になるという問題があった。
サンを主成分としたシリコーンゴムを低抵抗にするため
には、オルガノシロキサンに対して高導電性フィラーを
大量に添加しなくてはならず、組成物の粘度が高くなっ
てしまい、射出成形、インサート成形等を行うことが不
可能になるという問題があった。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが可
能で、射出成形、インサート成形等の可能な導電性液状
シリコーンゴム組成物を提供することを目的とする。
で、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが可
能で、射出成形、インサート成形等の可能な導電性液状
シリコーンゴム組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、２５℃における粘度が１０〜１００，０００センチ
ポイズのオルガノポリシロキサンにシリカ微粉末と金属
粉末又はシリカ粉末表面を金属メッキした粉末を特定量
配合し、硬化剤を添加することにより、安定した高導電
性を有する射出成形、インサート成形等が可能な加熱硬
化型の導電性液状シリコーンゴム組成物を得られること
を知見し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、２５℃における粘度が１０〜１００，０００センチ
ポイズのオルガノポリシロキサンにシリカ微粉末と金属
粉末又はシリカ粉末表面を金属メッキした粉末を特定量
配合し、硬化剤を添加することにより、安定した高導電
性を有する射出成形、インサート成形等が可能な加熱硬
化型の導電性液状シリコーンゴム組成物を得られること
を知見し、本発明をなすに至った。
【０００７】従って、本発明は、 （Ａ）２５℃における粘度が１０〜１００，０００センチポイズのオルガノポリ シロキサン １００重量部 （Ｂ）シリカ微粉末 １〜１００重量部 （Ｃ）金属粉末又は導電性金属メッキ粉末 ３０〜７００重量部 （Ｄ）硬化剤 上記（Ａ）成分を硬化させ得る量 を含有してなることを特徴とする導電性液状シリコーンゴム組成物 を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係る導電性液状シリコーンゴム組成物の（Ａ）
成分のオルガノポリシロキサンは、２５℃における粘度
が１０〜１００，０００センチポイズ（ｃｐｓ）である
ことを特徴とする。
本発明に係る導電性液状シリコーンゴム組成物の（Ａ）
成分のオルガノポリシロキサンは、２５℃における粘度
が１０〜１００，０００センチポイズ（ｃｐｓ）である
ことを特徴とする。
【０００９】（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンとし
ては、下記平均組成式（１） Ｒ1 aＳｉＯ( 4-a ) /2 （１） （式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の置換又は非置換１価炭
化水素基であり、Ｒ1の０．００１〜２０モル％はアル
ケニル基である。ａは１．５〜２．８の正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を
含有するオルガノポリシロキサンが好ましく、特に分子
鎖両末端がトリビニルシリル基、ジビニルメチルシリル
基又はビニルジメチルシリル基で封鎖された１種又は２
種以上のオルガノポリシロキサンであることが好まし
い。
ては、下記平均組成式（１） Ｒ1 aＳｉＯ( 4-a ) /2 （１） （式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の置換又は非置換１価炭
化水素基であり、Ｒ1の０．００１〜２０モル％はアル
ケニル基である。ａは１．５〜２．８の正数である。）
で示され、１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を
含有するオルガノポリシロキサンが好ましく、特に分子
鎖両末端がトリビニルシリル基、ジビニルメチルシリル
基又はビニルジメチルシリル基で封鎖された１種又は２
種以上のオルガノポリシロキサンであることが好まし
い。
【００１０】ここで、上記式中、Ｒ1はメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等
のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニ
ル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基、オ
クテニル基等のアルケニル基、シクロヘキセニル基等の
シクロアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニル
エチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基など
や、これらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部又
は全部をハロゲン原子、シアノ基などで置換したクロロ
メチル基、ブロモエチル基、３，３，３−トリフロロプ
ロピル基、３−クロロプロピル基、シアノエチル基など
から選択される同一又は異種の好ましくは炭素数１〜１
２、より好ましくは炭素数１〜８の置換又は非置換１価
炭化水素基である。この場合、Ｒ1は脂肪族不飽和基
（アルケニル基）の含有量が全有機基中の０．００１〜
２０モル％、特に０．０１〜１０モル％であることが好
ましく、また上述したように、Ｒ1中の脂肪族不飽和基
を少なくとも２個有していることが好ましい。なお、Ｒ
1は上記のいずれでもよいが、アルケニル基としてはビ
ニル基、他の置換基としてはメチル基、フェニル基の導
入が好ましい。また、ａは１．５〜２．８、好ましくは
１．８〜２．５の正数である。
ル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等
のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニ
ル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基、オ
クテニル基等のアルケニル基、シクロヘキセニル基等の
シクロアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニル
エチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基など
や、これらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部又
は全部をハロゲン原子、シアノ基などで置換したクロロ
メチル基、ブロモエチル基、３，３，３−トリフロロプ
ロピル基、３−クロロプロピル基、シアノエチル基など
から選択される同一又は異種の好ましくは炭素数１〜１
２、より好ましくは炭素数１〜８の置換又は非置換１価
炭化水素基である。この場合、Ｒ1は脂肪族不飽和基
（アルケニル基）の含有量が全有機基中の０．００１〜
２０モル％、特に０．０１〜１０モル％であることが好
ましく、また上述したように、Ｒ1中の脂肪族不飽和基
を少なくとも２個有していることが好ましい。なお、Ｒ
1は上記のいずれでもよいが、アルケニル基としてはビ
ニル基、他の置換基としてはメチル基、フェニル基の導
入が好ましい。また、ａは１．５〜２．８、好ましくは
１．８〜２．５の正数である。
【００１１】上記式（１）のオルガノポリシロキサン
は、硬化物がゴム弾性を失わない範囲においてＲ1Ｓｉ
Ｏ3/2単位やＳｉＯ4/2単位を含んでもよく、主鎖部分が
基本的にＲ1 2ＳｉＯ2/2のジオルガノシロキサン単位の
繰り返しからなり、硬化物がゴム弾性を失わない範囲に
おいて分子鎖両末端がＲ1 3ＳｉＯ1/2のトリオルガノシ
ロキシ単位で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキ
サンであることが好ましい。また、分子中のアルケニル
基は分子鎖末端あるいは分子鎖途中のケイ素原子のいず
れに結合したものであっても、また両方に結合したもの
であってもよいが、硬化性、硬化物の物性等の点から、
少なくとも分子鎖両末端のケイ素原子に結合したアルケ
ニル基を有するものであることが好ましい。
は、硬化物がゴム弾性を失わない範囲においてＲ1Ｓｉ
Ｏ3/2単位やＳｉＯ4/2単位を含んでもよく、主鎖部分が
基本的にＲ1 2ＳｉＯ2/2のジオルガノシロキサン単位の
繰り返しからなり、硬化物がゴム弾性を失わない範囲に
おいて分子鎖両末端がＲ1 3ＳｉＯ1/2のトリオルガノシ
ロキシ単位で封鎖された直鎖状のジオルガノポリシロキ
サンであることが好ましい。また、分子中のアルケニル
基は分子鎖末端あるいは分子鎖途中のケイ素原子のいず
れに結合したものであっても、また両方に結合したもの
であってもよいが、硬化性、硬化物の物性等の点から、
少なくとも分子鎖両末端のケイ素原子に結合したアルケ
ニル基を有するものであることが好ましい。
【００１２】上記アルケニル基含有オルガノポリシロキ
サンは、公知の方法によって製造することができ、具体
的にはオルガノポリシロキサンとヘキサオルガノジシロ
キサンとをアルカリ又は酸触媒の存在下にて平衡反応を
行うことにより得ることができる。
サンは、公知の方法によって製造することができ、具体
的にはオルガノポリシロキサンとヘキサオルガノジシロ
キサンとをアルカリ又は酸触媒の存在下にて平衡反応を
行うことにより得ることができる。
【００１３】（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの粘
度は、２５℃において１０〜１００，０００ｃｐｓであ
ることが必要であり、特に５０〜５０，０００ｃｐｓで
あることが好ましい。２５℃における粘度が１０ｃｐｓ
未満であると（Ｃ）成分の沈降が起こりやすくなると共
に、硬化した導電性シリコーンゴムの物性が脆いものと
なり、２５℃における粘度が１００，０００ｃｐｓを超
えると射出成形、インサート成形等が困難となる。
度は、２５℃において１０〜１００，０００ｃｐｓであ
ることが必要であり、特に５０〜５０，０００ｃｐｓで
あることが好ましい。２５℃における粘度が１０ｃｐｓ
未満であると（Ｃ）成分の沈降が起こりやすくなると共
に、硬化した導電性シリコーンゴムの物性が脆いものと
なり、２５℃における粘度が１００，０００ｃｐｓを超
えると射出成形、インサート成形等が困難となる。
【００１４】次に、（Ｂ）成分のシリカ微粉末として
は、その種類に特に限定はなく、従来のシリコーンゴム
組成物に使用されているものを使用することができる。
ただし、金属メッキされたシリカ粉末は除く。このよう
なシリカ微粉末としては、ＢＥＴ法による比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上、特に５０〜４００ｍ2／ｇの沈澱シリ
カ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、また、平均粒子径
が５０μｍ以下、特に０．１〜２０μｍの粉砕石英など
が好適に使用され、これらは１種類を単独でも２種類以
上を組み合わせて使用してもよい。
は、その種類に特に限定はなく、従来のシリコーンゴム
組成物に使用されているものを使用することができる。
ただし、金属メッキされたシリカ粉末は除く。このよう
なシリカ微粉末としては、ＢＥＴ法による比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上、特に５０〜４００ｍ2／ｇの沈澱シリ
カ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、また、平均粒子径
が５０μｍ以下、特に０．１〜２０μｍの粉砕石英など
が好適に使用され、これらは１種類を単独でも２種類以
上を組み合わせて使用してもよい。
【００１５】なお、これらシリカ微粉末は、そのまま用
いてもよいが、ヘキサメチルジシラザン等のシラザン
類、トリメチルクロロシラン等のシラン類、ポリメチル
シロキサン等の有機ケイ素化合物で表面処理し、疎水性
シリカ微粉末として用いてもよいし、配合時に表面処理
剤と共に配合して疎水化処理してもよい。
いてもよいが、ヘキサメチルジシラザン等のシラザン
類、トリメチルクロロシラン等のシラン類、ポリメチル
シロキサン等の有機ケイ素化合物で表面処理し、疎水性
シリカ微粉末として用いてもよいし、配合時に表面処理
剤と共に配合して疎水化処理してもよい。
【００１６】（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のオル
ガノポリシロキサン１００部（重量部、以下同様）に対
して１〜１００部、好ましくは２〜５０部である。配合
量が１部未満では機械的強度が弱くなる場合があり、１
００部を超えると（Ｃ）成分の導電性フィラーの充填が
困難となり、作業性が悪くなる場合がある。
ガノポリシロキサン１００部（重量部、以下同様）に対
して１〜１００部、好ましくは２〜５０部である。配合
量が１部未満では機械的強度が弱くなる場合があり、１
００部を超えると（Ｃ）成分の導電性フィラーの充填が
困難となり、作業性が悪くなる場合がある。
【００１７】次に、（Ｃ）成分の金属粉末及び導電性金
属メッキ粉末は、本発明の導電性液状シリコーンゴム組
成物に導電性を与えるものである。
属メッキ粉末は、本発明の導電性液状シリコーンゴム組
成物に導電性を与えるものである。
【００１８】金属粉末の粒径は特に限定されないが、好
ましくは平均粒径が０．０５〜１００μｍ、特に０．１
〜１０μｍの範囲がよい。
ましくは平均粒径が０．０５〜１００μｍ、特に０．１
〜１０μｍの範囲がよい。
【００１９】なお、金属粉末の形状は特に限定されず、
例えば、粒状、樹枝状、フレーク状、不定形状であり、
またこれらの形状を有する金属粉末の混合物であっても
よいが、低抵抗のシリコーンゴムを形成するためには完
全に独立した分散ではなく、金属の粉末が部分的に連結
していることが望ましい。
例えば、粒状、樹枝状、フレーク状、不定形状であり、
またこれらの形状を有する金属粉末の混合物であっても
よいが、低抵抗のシリコーンゴムを形成するためには完
全に独立した分散ではなく、金属の粉末が部分的に連結
していることが望ましい。
【００２０】本発明で使用する金属粉末としては、銀粉
末、金粉末、ニッケル粉末等が例示され、特に銀粉末が
好ましい。
末、金粉末、ニッケル粉末等が例示され、特に銀粉末が
好ましい。
【００２１】銀粉末は、特に限定されるものではなく、
例えば電解法、粉砕法、熱処理法、アトマイズ法、化学
的製法などで製造された粉末が挙げられる。
例えば電解法、粉砕法、熱処理法、アトマイズ法、化学
的製法などで製造された粉末が挙げられる。
【００２２】なお、粉砕法による銀粉末の場合、銀粉末
を粉砕する装置は特に限定されず、例えば、スタンプミ
ル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミル、圧延ロー
ラ、乳鉢等の公知の装置が挙げられる。また、還元銀、
アトマイズ銀、電解銀又はこれら２種以上の混合物から
なる銀粉末を圧延する条件は特に限定されず、使用する
銀粉末の粒径や形状により選択する必要がある。
を粉砕する装置は特に限定されず、例えば、スタンプミ
ル、ボールミル、振動ミル、ハンマーミル、圧延ロー
ラ、乳鉢等の公知の装置が挙げられる。また、還元銀、
アトマイズ銀、電解銀又はこれら２種以上の混合物から
なる銀粉末を圧延する条件は特に限定されず、使用する
銀粉末の粒径や形状により選択する必要がある。
【００２３】次に、導電性金属メッキ粉末について説明
する。導電性金属メッキ粉末は、金属メッキシリカ粉
末、ガラスビーズ、フェノール樹脂を銀メッキしたもの
が例示され、金属メッキシリカ粉末が好ましい。金属メ
ッキシリカ粉末は、シリカの表面が金属メッキにより被
覆されたもので、メッキする金属としては、金、銀、ニ
ッケル等が例示され、金、ニッケルが特に好ましい。
する。導電性金属メッキ粉末は、金属メッキシリカ粉
末、ガラスビーズ、フェノール樹脂を銀メッキしたもの
が例示され、金属メッキシリカ粉末が好ましい。金属メ
ッキシリカ粉末は、シリカの表面が金属メッキにより被
覆されたもので、メッキする金属としては、金、銀、ニ
ッケル等が例示され、金、ニッケルが特に好ましい。
【００２４】また、金属メッキシリカ粉末の比表面積
は、１ｍ2／ｇ以下が望ましい。比表面積が１ｍ2／ｇを
超えると、シリコーンゴム組成物に添加する際に分散性
が悪くなるおそれがある。
は、１ｍ2／ｇ以下が望ましい。比表面積が１ｍ2／ｇを
超えると、シリコーンゴム組成物に添加する際に分散性
が悪くなるおそれがある。
【００２５】金属メッキシリカ粉末は、シリカ上にニッ
ケル層を介して金層が形成された構造を有するものが好
ましい。この場合、金属とシリカの密着性を向上させる
ために、シリカとニッケルの間にケイ素系化合物を介在
したシリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金の４層構造
を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合物としては
ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−６０３、Ｋ
ＢＥ−９０３（信越化学工業（株）製商品名）等のカー
ボンファンクショナル（ＣＦ）シランモノマーや還元性
を有するケイ素系高分子化合物が好適に用いられる。
ケル層を介して金層が形成された構造を有するものが好
ましい。この場合、金属とシリカの密着性を向上させる
ために、シリカとニッケルの間にケイ素系化合物を介在
したシリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金の４層構造
を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合物としては
ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−６０３、Ｋ
ＢＥ−９０３（信越化学工業（株）製商品名）等のカー
ボンファンクショナル（ＣＦ）シランモノマーや還元性
を有するケイ素系高分子化合物が好適に用いられる。
【００２６】この金属メッキシリカ粉末の製造方法は、
特に限定するものではないが、一例として下記に示す工
程にて製造することができる。 （１）シリカ粉体をケイ素系化合物、好ましくは還元性
を有するケイ素系化合物で処理し、シリカの表面に該ケ
イ素系化合物の層を形成する第１工程。 （２）第１工程で得られた粉体を標準酸化還元電位０．
５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理し、
上記シリカ表面のケイ素系化合物層上に該金属コロイド
を析出させる第２工程。 （３）上記金属コロイドを触媒として無電解ニッケルメ
ッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属ニッケル
層を形成する第３工程。 （４）更に金メッキを行い、上記金属ニッケル層上に金
層を形成する第４工程。
特に限定するものではないが、一例として下記に示す工
程にて製造することができる。 （１）シリカ粉体をケイ素系化合物、好ましくは還元性
を有するケイ素系化合物で処理し、シリカの表面に該ケ
イ素系化合物の層を形成する第１工程。 （２）第１工程で得られた粉体を標準酸化還元電位０．
５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理し、
上記シリカ表面のケイ素系化合物層上に該金属コロイド
を析出させる第２工程。 （３）上記金属コロイドを触媒として無電解ニッケルメ
ッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属ニッケル
層を形成する第３工程。 （４）更に金メッキを行い、上記金属ニッケル層上に金
層を形成する第４工程。
【００２７】本発明の金属メッキシリカ粉末において、
原料シリカは、二酸化ケイ素で構成される粉体で、高い
耐熱性をもっている。形状は、粉末状、繊維状、フレー
ク状等、特に制限されないが、メッキする金属（ニッケ
ル、金）の使用量を最少にし、シリコーンゴム組成物に
高充填するためには、同一粒径では最も比表面積の低く
なる球状が望ましい。このようなシリカは、クロルシラ
ンを燃焼させたり、アルコキシシランを加水分解した
り、ガス化した金属ケイ素を酸化したり、石英粉末を溶
融したりして容易に得ることができる。比表面積を低く
するためには、内部に表面に繋がる空洞をもたないもの
が望ましく、溶融石英が好適に用いられる。シリカ粉末
の平均粒径は０．０１〜１，０００μｍ、より望ましく
は０．１〜１００μｍである。０．０１μｍより小さい
と、比表面積が高くなるため、メッキ金属の量が多くな
り、高価となる。また、１，０００μｍより大きいと、
シリコーンゴム組成物等に混合しにくくなる場合があ
る。
原料シリカは、二酸化ケイ素で構成される粉体で、高い
耐熱性をもっている。形状は、粉末状、繊維状、フレー
ク状等、特に制限されないが、メッキする金属（ニッケ
ル、金）の使用量を最少にし、シリコーンゴム組成物に
高充填するためには、同一粒径では最も比表面積の低く
なる球状が望ましい。このようなシリカは、クロルシラ
ンを燃焼させたり、アルコキシシランを加水分解した
り、ガス化した金属ケイ素を酸化したり、石英粉末を溶
融したりして容易に得ることができる。比表面積を低く
するためには、内部に表面に繋がる空洞をもたないもの
が望ましく、溶融石英が好適に用いられる。シリカ粉末
の平均粒径は０．０１〜１，０００μｍ、より望ましく
は０．１〜１００μｍである。０．０１μｍより小さい
と、比表面積が高くなるため、メッキ金属の量が多くな
り、高価となる。また、１，０００μｍより大きいと、
シリコーンゴム組成物等に混合しにくくなる場合があ
る。
【００２８】本発明に係る金属メッキシリカ粉末を製造
する場合、上記シリカ粉体を還元性を有するケイ素系化
合物で処理し、シリカ表面に該ケイ素系化合物の層を形
成することが好ましい。
する場合、上記シリカ粉体を還元性を有するケイ素系化
合物で処理し、シリカ表面に該ケイ素系化合物の層を形
成することが好ましい。
【００２９】ここで、還元作用をもつケイ素系化合物と
しては、上記ＣＦシランモノマーのほか、Ｓｉ−Ｓｉ結
合あるいはＳｉ−Ｈ結合を有するポリシラン、ポリカル
ボシラン、ポリシロキサン、ポリシラザンを使用するこ
とができ、中でもポリシランあるいはケイ素原子に直接
結合した水素原子を有するポリシロキサンが好適に用い
られる。
しては、上記ＣＦシランモノマーのほか、Ｓｉ−Ｓｉ結
合あるいはＳｉ−Ｈ結合を有するポリシラン、ポリカル
ボシラン、ポリシロキサン、ポリシラザンを使用するこ
とができ、中でもポリシランあるいはケイ素原子に直接
結合した水素原子を有するポリシロキサンが好適に用い
られる。
【００３０】このうち、ポリシランとしては、主鎖にＳ
ｉ−Ｓｉ結合をもつ下記一般式（２）で表される高分子
化合物が挙げられる。
ｉ−Ｓｉ結合をもつ下記一般式（２）で表される高分子
化合物が挙げられる。
【００３１】（Ｒ2 mＲ3 nＸpＳｉ）q （２） 上記式（２）中、Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ水素原子、置換も
しくは非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ2とＲ3とは互
いに同一であっても異なっていてもよいが、上記１価炭
化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族１価炭化
水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式１価炭化水素基
としては、炭素数１〜１２、特に１〜６のものが好まし
く、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基など
が挙げられる。また、芳香族１価炭化水素基としては、
炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好適であり、例
えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、
ベンジル基等が挙げられる。なお、置換１価炭化水素基
としては、上記に例示した非置換の１価炭化水素基の水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、
アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例え
ばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−
ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
しくは非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ2とＲ3とは互
いに同一であっても異なっていてもよいが、上記１価炭
化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族１価炭化
水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式１価炭化水素基
としては、炭素数１〜１２、特に１〜６のものが好まし
く、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基など
が挙げられる。また、芳香族１価炭化水素基としては、
炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好適であり、例
えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、
ベンジル基等が挙げられる。なお、置換１価炭化水素基
としては、上記に例示した非置換の１価炭化水素基の水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、
アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例え
ばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−
ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００３２】Ｘは、Ｒ2と同様の基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロ
ポキシ基等の好ましくは炭素数１〜４のもの、ハロゲン
原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げ
られる。Ｘとしては、これらの中でも通常メトキシ基、
エトキシ基が好適に用いられる。
ロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロ
ポキシ基等の好ましくは炭素数１〜４のもの、ハロゲン
原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げ
られる。Ｘとしては、これらの中でも通常メトキシ基、
エトキシ基が好適に用いられる。
【００３３】ｍは０．１≦ｍ≦１、好ましくは０．５≦
ｍ≦１、ｎは０．１≦ｎ≦１、好ましくは０．５≦ｎ≦
１、ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で
あり、かつ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、好ましくは１．５
≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは２≦ｑ≦１
００，０００、好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範
囲の整数である。
ｍ≦１、ｎは０．１≦ｎ≦１、好ましくは０．５≦ｎ≦
１、ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で
あり、かつ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、好ましくは１．５
≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは２≦ｑ≦１
００，０００、好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範
囲の整数である。
【００３４】また、ケイ素原子に直接結合した水素原子
（Ｓｉ−Ｈ基）を有するケイ素系化合物は、ケイ素原子
に直接結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンであれば特に制限されないが、側鎖に
Ｓｉ−Ｈ基、主鎖にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合をもつ下記一般
式（３）で表されるポリシロキサンが好適に用いられ
る。
（Ｓｉ−Ｈ基）を有するケイ素系化合物は、ケイ素原子
に直接結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンであれば特に制限されないが、側鎖に
Ｓｉ−Ｈ基、主鎖にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合をもつ下記一般
式（３）で表されるポリシロキサンが好適に用いられ
る。
【００３５】 （Ｒ4 rＲ5 sＨtＳｉＯu）v （３） 上記式中、Ｒ4，Ｒ5はそれぞれ水素原子、置換もしくは
非置換の１価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原
子であり、Ｒ4とＲ5とは互いに同一であっても異なって
いてもよいが、上記１価炭化水素基としては、脂肪族、
脂環式又は芳香族１価炭化水素基が用いられる。脂肪族
又は脂環式１価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、
特に１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香族１価炭化水
素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが
好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置
換の脂肪族、脂環式又は芳香族の１価炭化水素基として
は、上記に例示した非置換の１価炭化水素基の水素原子
の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ
基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−ジメチ
ルアミノフェニル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ
基等の炭素数１〜４のものが好適であり、ハロゲン原子
としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が
挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好適に用いら
れる。
非置換の１価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原
子であり、Ｒ4とＲ5とは互いに同一であっても異なって
いてもよいが、上記１価炭化水素基としては、脂肪族、
脂環式又は芳香族１価炭化水素基が用いられる。脂肪族
又は脂環式１価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、
特に１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香族１価炭化水
素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが
好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置
換の脂肪族、脂環式又は芳香族の１価炭化水素基として
は、上記に例示した非置換の１価炭化水素基の水素原子
の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ
基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−ジメチ
ルアミノフェニル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ
基等の炭素数１〜４のものが好適であり、ハロゲン原子
としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が
挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好適に用いら
れる。
【００３６】ｒは０．１≦ｒ≦１、好ましくは０．５≦
ｒ≦１、ｓは０．１≦ｓ≦１、好ましくは０．５≦ｓ≦
１、ｔは０．０１≦ｔ≦１、好ましくは０．１≦ｔ≦１
であり、かつ２≦ｒ＋ｓ＋ｔ≦２．５、好ましくは２≦
ｒ＋ｓ＋ｔ≦２．２を満足する数である。ｕは１≦ｕ≦
１．５である。ｖは２≦ｖ≦１００，０００、好ましく
は１０≦ｖ≦１０，０００の範囲の整数である。
ｒ≦１、ｓは０．１≦ｓ≦１、好ましくは０．５≦ｓ≦
１、ｔは０．０１≦ｔ≦１、好ましくは０．１≦ｔ≦１
であり、かつ２≦ｒ＋ｓ＋ｔ≦２．５、好ましくは２≦
ｒ＋ｓ＋ｔ≦２．２を満足する数である。ｕは１≦ｕ≦
１．５である。ｖは２≦ｖ≦１００，０００、好ましく
は１０≦ｖ≦１０，０００の範囲の整数である。
【００３７】シリカ表面にケイ素系化合物の層を形成す
る工程（第１工程）は、具体的には、ケイ素系化合物を
有機溶剤に溶解させ、この中にシリカ粉体を投入混合し
た後に有機溶剤を除くことで、シリカの表面にケイ素系
化合物の層を形成することによって行うことができる。
る工程（第１工程）は、具体的には、ケイ素系化合物を
有機溶剤に溶解させ、この中にシリカ粉体を投入混合し
た後に有機溶剤を除くことで、シリカの表面にケイ素系
化合物の層を形成することによって行うことができる。
【００３８】この工程において、ケイ素系化合物を溶解
させる有機溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族系炭化水素溶剤、ヘキサン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤、テトラ
ヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶
剤、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド等の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタ
ン、アセトニトリル等が好適に用いられる。
させる有機溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族系炭化水素溶剤、ヘキサン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤、テトラ
ヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶
剤、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド等の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタ
ン、アセトニトリル等が好適に用いられる。
【００３９】ケイ素系化合物含有溶液の濃度は、０．０
１〜３０％（重量％、以下同様）、好ましくは１〜１０
％が好適であり、濃度が０．０１％未満では大量の溶剤
を使用することになるのでコストが上昇し、３０％を超
えるような濃度ではケイ素系化合物を粉体表面全面に十
分形成できない場合がある。
１〜３０％（重量％、以下同様）、好ましくは１〜１０
％が好適であり、濃度が０．０１％未満では大量の溶剤
を使用することになるのでコストが上昇し、３０％を超
えるような濃度ではケイ素系化合物を粉体表面全面に十
分形成できない場合がある。
【００４０】シリカ粉体を有機溶剤に溶解したケイ素系
化合物で処理する方法としては、ケイ素系化合物を溶剤
に溶解させて希釈した状態でシリカ粉体と混合し、この
スラリーを容器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる
撹拌式、気流中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥さ
せる噴霧式などが好適に採用できる。
化合物で処理する方法としては、ケイ素系化合物を溶剤
に溶解させて希釈した状態でシリカ粉体と混合し、この
スラリーを容器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる
撹拌式、気流中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥さ
せる噴霧式などが好適に採用できる。
【００４１】上記処理工程では、温度を上げたり減圧に
することにより、有機溶媒を留去するが、通常は溶媒の
沸点以上の温度、具体的には１〜１００ｍｍＨｇという
減圧下で４０〜２００℃程度の温度で撹拌しながら乾燥
することが効果的である。
することにより、有機溶媒を留去するが、通常は溶媒の
沸点以上の温度、具体的には１〜１００ｍｍＨｇという
減圧下で４０〜２００℃程度の温度で撹拌しながら乾燥
することが効果的である。
【００４２】処理後は、しばらく乾燥雰囲気下、あるい
は減圧下で４０〜２００℃程度の温度で静置すること
で、溶剤が効果的に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素
系化合物処理シリカ粉体を製造できる。
は減圧下で４０〜２００℃程度の温度で静置すること
で、溶剤が効果的に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素
系化合物処理シリカ粉体を製造できる。
【００４３】ケイ素系化合物層の厚さは、好ましくは
０．００１〜１μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。０．００１μｍより薄いと、シリカを完全
に覆うことができなくなるため、メッキが起こらない部
分ができるおそれがある。また、厚すぎると、ケイ素系
化合物の量が多くなって高価となる場合がある。
０．００１〜１μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。０．００１μｍより薄いと、シリカを完全
に覆うことができなくなるため、メッキが起こらない部
分ができるおそれがある。また、厚すぎると、ケイ素系
化合物の量が多くなって高価となる場合がある。
【００４４】なお、上記シリカ粉体は、ケイ素系化合物
処理により疎水性となる。このため、金属塩を溶解させ
る溶媒との親和性が低下し、液中に分散しないため、金
属塩還元反応の効率が低下することがある。このことに
よって起こる金属塩還元反応の効率の低下は、界面活性
剤を添加して向上させることができる。界面活性剤とし
ては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるものが望ま
しく、サーフィノール１０４，４２０，５０４（日信化
学工業（株）製）等の非イオン界面活性剤を好適に用い
ることができる。
処理により疎水性となる。このため、金属塩を溶解させ
る溶媒との親和性が低下し、液中に分散しないため、金
属塩還元反応の効率が低下することがある。このことに
よって起こる金属塩還元反応の効率の低下は、界面活性
剤を添加して向上させることができる。界面活性剤とし
ては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるものが望ま
しく、サーフィノール１０４，４２０，５０４（日信化
学工業（株）製）等の非イオン界面活性剤を好適に用い
ることができる。
【００４５】次に、第２工程は、上記第１工程で得られ
たシリカ表面にケイ素系化合物層が形成された粉体を標
準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を
含む溶液で処理し、ケイ素系化合物層上に該金属コロイ
ドを析出させる工程である。これは、ケイ素系化合物処
理粉体の表面を金属塩を含む溶液と接触させるもので、
この処理では、ケイ素系化合物の還元作用により、金属
コロイドがケイ素系化合物の被膜表面に形成され、金属
被膜が形成されるものである。
たシリカ表面にケイ素系化合物層が形成された粉体を標
準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を
含む溶液で処理し、ケイ素系化合物層上に該金属コロイ
ドを析出させる工程である。これは、ケイ素系化合物処
理粉体の表面を金属塩を含む溶液と接触させるもので、
この処理では、ケイ素系化合物の還元作用により、金属
コロイドがケイ素系化合物の被膜表面に形成され、金属
被膜が形成されるものである。
【００４６】ここで、標準酸化還元電位０．５４Ｖ以上
の金属の塩として、より具体的には、金（標準酸化還元
電位１．５０Ｖ）、パラジウム（標準酸化還元電位０．
９９Ｖ）、銀（標準酸化還元電位０．８０Ｖ）等の塩が
好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が０．５４
Ｖより低い銅（標準酸化還元電位０．３４Ｖ）、ニッケ
ル（標準酸化還元電位０．２５Ｖ）等の塩では、ケイ素
系化合物で還元し難い。
の金属の塩として、より具体的には、金（標準酸化還元
電位１．５０Ｖ）、パラジウム（標準酸化還元電位０．
９９Ｖ）、銀（標準酸化還元電位０．８０Ｖ）等の塩が
好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が０．５４
Ｖより低い銅（標準酸化還元電位０．３４Ｖ）、ニッケ
ル（標準酸化還元電位０．２５Ｖ）等の塩では、ケイ素
系化合物で還元し難い。
【００４７】金塩としては、Ａｕ+又はＡｕ3+を含んで
なるもので、具体的には、ＮａＡｕＣｌ4、ＮａＡｕ
（ＣＮ）2、ＮａＡｕ（ＣＮ）4等が例示される。パラジ
ウム塩としては、Ｐｄ2+を含んでなるもので、通常Ｐｄ
−Ｚ2の形で表すことができる。Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、
アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレー
ト、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩で
ある。具体的には、ＰｄＣｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ 2、
Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳ
Ｏ4、Ｐｄ（ＮＯ3）2、ＰｄＯ等が例示される。銀塩と
しては、溶剤に溶解し、Ａｇ+を生成させ得るもので、
通常Ａｇ−Ｚ（Ｚはパークロレート、ボレート、ホスフ
ェート、スルフォネート等の塩とすることができる）の
形で表すことができる。具体的には、ＡｇＢＦ4、Ａｇ
ＣｌＯ4、ＡｇＰＦ6、ＡｇＢＰｈ4、Ａｇ（ＣＦ3Ｓ
Ｏ3）、ＡｇＮＯ3等が例示される。
なるもので、具体的には、ＮａＡｕＣｌ4、ＮａＡｕ
（ＣＮ）2、ＮａＡｕ（ＣＮ）4等が例示される。パラジ
ウム塩としては、Ｐｄ2+を含んでなるもので、通常Ｐｄ
−Ｚ2の形で表すことができる。Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、
アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレー
ト、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩で
ある。具体的には、ＰｄＣｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ 2、
Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳ
Ｏ4、Ｐｄ（ＮＯ3）2、ＰｄＯ等が例示される。銀塩と
しては、溶剤に溶解し、Ａｇ+を生成させ得るもので、
通常Ａｇ−Ｚ（Ｚはパークロレート、ボレート、ホスフ
ェート、スルフォネート等の塩とすることができる）の
形で表すことができる。具体的には、ＡｇＢＦ4、Ａｇ
ＣｌＯ4、ＡｇＰＦ6、ＡｇＢＰｈ4、Ａｇ（ＣＦ3Ｓ
Ｏ3）、ＡｇＮＯ3等が例示される。
【００４８】ここで、金属塩を溶解させる溶媒として
は、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒など
が挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
は、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒など
が挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
【００４９】金属塩の濃度は、塩を溶解させる溶媒によ
って異なるが、０．０１％〜塩の飽和溶液までが好まし
い。濃度が０．０１％未満では、メッキ触媒の効果が十
分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析
出がある場合がある。なお、溶媒が水の場合は、金属塩
の濃度が０．０１〜２０％、特に０．１〜５％の範囲で
あることが好ましい。上記ケイ素系化合物処理粉体を室
温〜７０℃の温度で０．１〜１２０分、より好ましくは
１〜１５分程度、金属塩溶液に浸漬すればよい。これに
より、金属コロイド処理粉体が製造できる。
って異なるが、０．０１％〜塩の飽和溶液までが好まし
い。濃度が０．０１％未満では、メッキ触媒の効果が十
分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析
出がある場合がある。なお、溶媒が水の場合は、金属塩
の濃度が０．０１〜２０％、特に０．１〜５％の範囲で
あることが好ましい。上記ケイ素系化合物処理粉体を室
温〜７０℃の温度で０．１〜１２０分、より好ましくは
１〜１５分程度、金属塩溶液に浸漬すればよい。これに
より、金属コロイド処理粉体が製造できる。
【００５０】なお、この第２工程は、まずケイ素系化合
物処理粉体を水で希釈した界面活性剤と接触させ、次い
で上記金属塩を含む溶液と接触させることが好ましく、
これによりシリカ表面が第１工程のケイ素系化合物処理
により疎水性となることで、金属塩を溶解させる溶媒と
の親和性が低下し、液中に分散し難くなって金属塩還元
反応の効率が低下するのを防止することができ、ケイ素
系化合物処理粉体を金属塩を含む溶液に短時間で簡単に
分散させることができる。
物処理粉体を水で希釈した界面活性剤と接触させ、次い
で上記金属塩を含む溶液と接触させることが好ましく、
これによりシリカ表面が第１工程のケイ素系化合物処理
により疎水性となることで、金属塩を溶解させる溶媒と
の親和性が低下し、液中に分散し難くなって金属塩還元
反応の効率が低下するのを防止することができ、ケイ素
系化合物処理粉体を金属塩を含む溶液に短時間で簡単に
分散させることができる。
【００５１】ここで、界面活性剤としては、陰イオン界
面活性剤、陽イオン界面活性剤、両イオン界面活性剤、
非イオン界面活性剤を用いることができる。
面活性剤、陽イオン界面活性剤、両イオン界面活性剤、
非イオン界面活性剤を用いることができる。
【００５２】陰イオン界面活性剤としては、スルホン酸
塩系、硫酸エステル塩系、カルボン酸塩系、リン酸エス
テル塩系を用いることができる。また、陽イオン界面活
性剤としては、アンモニウム塩系、アルキルアミン塩
系、ピリジニウム塩系を用いることができる。両イオン
界面活性剤としては、ベタイン系、アミノカルボン酸
系、アミンオキシド系、非イオン界面活性剤としては、
エーテル系、エステル系、シリコーン系を用いることが
できる。
塩系、硫酸エステル塩系、カルボン酸塩系、リン酸エス
テル塩系を用いることができる。また、陽イオン界面活
性剤としては、アンモニウム塩系、アルキルアミン塩
系、ピリジニウム塩系を用いることができる。両イオン
界面活性剤としては、ベタイン系、アミノカルボン酸
系、アミンオキシド系、非イオン界面活性剤としては、
エーテル系、エステル系、シリコーン系を用いることが
できる。
【００５３】より具体的に陰イオン界面活性剤として
は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、スルフォコハク酸
エステル、ポリオキシエチレン硫酸アルキル塩、アルキ
ルリン酸エステル、長鎖脂肪酸セッケン等を用いること
ができる。また、陽イオン界面活性剤としては、塩化ア
ルキルトリメチルアンモニウム塩、塩化ジアルキルジメ
チルアンモニウム塩、塩化アルキルピリジニウム塩等を
用いることができる。両イオン界面活性剤としては、ベ
タイン系スルホン酸塩、ベタイン系アミノカルボン酸ア
ミン塩を用いることができる。非イオン界面活性剤とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性
ポリシロキサン等を用いることができる。また、市販さ
れているこのような界面活性剤を混合した水溶液、例え
ば商品名ママレモン（ライオン（株）製）などを利用す
ることもできる。
は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、スルフォコハク酸
エステル、ポリオキシエチレン硫酸アルキル塩、アルキ
ルリン酸エステル、長鎖脂肪酸セッケン等を用いること
ができる。また、陽イオン界面活性剤としては、塩化ア
ルキルトリメチルアンモニウム塩、塩化ジアルキルジメ
チルアンモニウム塩、塩化アルキルピリジニウム塩等を
用いることができる。両イオン界面活性剤としては、ベ
タイン系スルホン酸塩、ベタイン系アミノカルボン酸ア
ミン塩を用いることができる。非イオン界面活性剤とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性
ポリシロキサン等を用いることができる。また、市販さ
れているこのような界面活性剤を混合した水溶液、例え
ば商品名ママレモン（ライオン（株）製）などを利用す
ることもできる。
【００５４】なお、必要によっては、上記したような界
面活性剤を金属塩溶液１００部に対して０．０００１〜
１０部、特に０．００１〜１部、とりわけ０．０１〜
０．５部の範囲で使用することができる。
面活性剤を金属塩溶液１００部に対して０．０００１〜
１０部、特に０．００１〜１部、とりわけ０．０１〜
０．５部の範囲で使用することができる。
【００５５】また、上記金属塩処理後は、金属塩を含ま
ない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかっ
た不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒
を乾燥除去することができる。乾燥は、通常０〜１５０
℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
ない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかっ
た不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒
を乾燥除去することができる。乾燥は、通常０〜１５０
℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
【００５６】第３工程は、表面に上記金属コロイドが付
着された粉体にこの金属コロイドを触媒として無電解ニ
ッケルメッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属
ニッケル層を形成する工程である。
着された粉体にこの金属コロイドを触媒として無電解ニ
ッケルメッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属
ニッケル層を形成する工程である。
【００５７】この無電解ニッケルメッキ液は、通常、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル金属塩、
次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナト
リウム等の還元剤、酢酸ナトリウム等のｐＨ調整剤、フ
ェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウムのような
錯化剤などを含み、市販品を用いることができる。
酸ニッケル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル金属塩、
次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナト
リウム等の還元剤、酢酸ナトリウム等のｐＨ調整剤、フ
ェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウムのような
錯化剤などを含み、市販品を用いることができる。
【００５８】無電解ニッケルメッキ法としては、常法に
従い、無電解メッキ液中に粉体を投入してメッキを行う
バッチ法か、水に分散させた粉体にメッキ液を滴下する
滴下法を採用し得る（導電性フィラーの開発と応用 ｐ
１８２、技術情報協会、１９９４）。いずれの方法で
も、メッキ速度をコントロールすることで、凝集を防ぎ
密着性のよい均一な被膜を得ようとすることに変わりは
ないが、しかし、こうしたニッケル被覆シリカを得るこ
とが困難な場合がある。これは、比表面積の高い粉体
は、本来、メッキ反応が非常に活発になり、急激に始ま
りコントロールできなくなる一方、メッキの開始が雰囲
気の酸素の影響を受けてしばしば遅れるためニッケルメ
ッキに時間がかかり、均一にメッキされた粉体が得にく
いからである。
従い、無電解メッキ液中に粉体を投入してメッキを行う
バッチ法か、水に分散させた粉体にメッキ液を滴下する
滴下法を採用し得る（導電性フィラーの開発と応用 ｐ
１８２、技術情報協会、１９９４）。いずれの方法で
も、メッキ速度をコントロールすることで、凝集を防ぎ
密着性のよい均一な被膜を得ようとすることに変わりは
ないが、しかし、こうしたニッケル被覆シリカを得るこ
とが困難な場合がある。これは、比表面積の高い粉体
は、本来、メッキ反応が非常に活発になり、急激に始ま
りコントロールできなくなる一方、メッキの開始が雰囲
気の酸素の影響を受けてしばしば遅れるためニッケルメ
ッキに時間がかかり、均一にメッキされた粉体が得にく
いからである。
【００５９】このため、シリカのニッケルメッキを以下
の方法で行うことが好ましい。即ち、ニッケルメッキ液
を還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液と
ニッケル塩水溶液に分離する。シリカは、還元剤、ｐＨ
調整剤、錯化剤などを含有した水溶液に分散し、ニッケ
ルメッキの最適な温度に保温しておく。これにニッケル
塩水溶液を気体と同伴させて、シリカの分散した還元剤
含有水溶液に加えることが、凝集のないニッケル被覆シ
リカを得るために非常に効果的であることを見出したも
のである。ニッケル塩水溶液は、気体により還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液中で速やかに均
一に分散され、粉体表面はニッケルメッキ化される。
の方法で行うことが好ましい。即ち、ニッケルメッキ液
を還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液と
ニッケル塩水溶液に分離する。シリカは、還元剤、ｐＨ
調整剤、錯化剤などを含有した水溶液に分散し、ニッケ
ルメッキの最適な温度に保温しておく。これにニッケル
塩水溶液を気体と同伴させて、シリカの分散した還元剤
含有水溶液に加えることが、凝集のないニッケル被覆シ
リカを得るために非常に効果的であることを見出したも
のである。ニッケル塩水溶液は、気体により還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液中で速やかに均
一に分散され、粉体表面はニッケルメッキ化される。
【００６０】気体の導入は、しばしば発泡によるメッキ
の効率の低下をもたらすが、これは、消泡性界面活性剤
を添加して防止することができる。界面活性剤として
は、消泡作用をもち、表面張力を下げるものが望まし
く、ＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製）等のポリエ
ーテル変性シリコーン系界面活性剤を好適に用いること
ができる。
の効率の低下をもたらすが、これは、消泡性界面活性剤
を添加して防止することができる。界面活性剤として
は、消泡作用をもち、表面張力を下げるものが望まし
く、ＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製）等のポリエ
ーテル変性シリコーン系界面活性剤を好適に用いること
ができる。
【００６１】無電解ニッケルメッキにおいては、メッキ
液中の酸素濃度がニッケルの析出に影響を及ぼす。溶存
酸素の量が多いと、メッキ触媒の核となるコロイド状パ
ラジウムがパラジウムカチオンに酸化され、液中に溶出
したり、一度析出したニッケル表面が酸化されたりし
て、ニッケルの析出が抑制される。逆に、溶存酸素の量
が少ないと、メッキ液の安定性が低下し、シリカ以外の
場所にもニッケルの析出が起こりやすくなり、微細なニ
ッケル粉の生成やこぶ状の析出物の生成が起こる。この
ため、メッキ液中の溶存酸素の量を１〜２０ｐｐｍの間
に管理することが好ましい。２０ｐｐｍを超えると、メ
ッキ速度の低下と未メッキ部の発生が認められるおそれ
があり、１ｐｐｍより少ないと、こぶ状析出物の発生が
認められる場合がある。
液中の酸素濃度がニッケルの析出に影響を及ぼす。溶存
酸素の量が多いと、メッキ触媒の核となるコロイド状パ
ラジウムがパラジウムカチオンに酸化され、液中に溶出
したり、一度析出したニッケル表面が酸化されたりし
て、ニッケルの析出が抑制される。逆に、溶存酸素の量
が少ないと、メッキ液の安定性が低下し、シリカ以外の
場所にもニッケルの析出が起こりやすくなり、微細なニ
ッケル粉の生成やこぶ状の析出物の生成が起こる。この
ため、メッキ液中の溶存酸素の量を１〜２０ｐｐｍの間
に管理することが好ましい。２０ｐｐｍを超えると、メ
ッキ速度の低下と未メッキ部の発生が認められるおそれ
があり、１ｐｐｍより少ないと、こぶ状析出物の発生が
認められる場合がある。
【００６２】このために、気体は、空気のような含酸素
気体とアルゴンや窒素のような不活性気体を混合して用
いるのがよい。粉体のメッキにおいては、しばしばメッ
キの開始が遅いが、一度メッキが開始されれば反応が暴
走するという現象を起こすことがあるので、これを防止
するために、例えば窒素を最初に用い、ニッケルメッキ
反応が開始するのを確認後、空気に切り替えるというこ
とを行うことも効果的である。メッキ温度は３５〜１２
０℃、接触時間は１分〜１６時間が好適に用いられる。
より望ましくは４０〜８５℃で１０〜６０分で処理され
る。
気体とアルゴンや窒素のような不活性気体を混合して用
いるのがよい。粉体のメッキにおいては、しばしばメッ
キの開始が遅いが、一度メッキが開始されれば反応が暴
走するという現象を起こすことがあるので、これを防止
するために、例えば窒素を最初に用い、ニッケルメッキ
反応が開始するのを確認後、空気に切り替えるというこ
とを行うことも効果的である。メッキ温度は３５〜１２
０℃、接触時間は１分〜１６時間が好適に用いられる。
より望ましくは４０〜８５℃で１０〜６０分で処理され
る。
【００６３】第４工程は、上記無電解ニッケルメッキ
後、金メッキを行って、上記ニッケル層上に金メッキ層
を形成する工程である。
後、金メッキを行って、上記ニッケル層上に金メッキ層
を形成する工程である。
【００６４】この場合、金メッキ液としては、電気メッ
キ液でも無電解メッキ液でもよく、公知の組成のものあ
るいは市販品を用いることができるが、無電解金メッキ
液が好ましい。金メッキ方法としては、上述した常法に
従って行うことができる。このとき、ニッケルの酸化さ
れて不動態化した表面を希酸で除き、金メッキを行うこ
とは効果的である。メッキ温度、接触時間は、ニッケル
メッキの場合と同じである。
キ液でも無電解メッキ液でもよく、公知の組成のものあ
るいは市販品を用いることができるが、無電解金メッキ
液が好ましい。金メッキ方法としては、上述した常法に
従って行うことができる。このとき、ニッケルの酸化さ
れて不動態化した表面を希酸で除き、金メッキを行うこ
とは効果的である。メッキ温度、接触時間は、ニッケル
メッキの場合と同じである。
【００６５】また、メッキの最後に、不要な界面活性剤
を除くため、水洗を行うとよい。
を除くため、水洗を行うとよい。
【００６６】こうして得られたシリカは、シリカ−ケイ
素系化合物−ニッケル−金という４層構造をもつ金属メ
ッキシリカ粉末となる。
素系化合物−ニッケル−金という４層構造をもつ金属メ
ッキシリカ粉末となる。
【００６７】ニッケル層の厚さは、好ましくは０．０１
〜１０．０μｍ、特に好ましくは０．１〜２．０μｍで
ある。０．０１μｍより薄いと、シリカを完全に覆い、
かつ十分な硬度や強度が得られにくくなる場合がある。
また、１０．０μｍより厚いと、ニッケルの量が多くな
り、かつ比重が高くなるため、配合時に高価となる。
〜１０．０μｍ、特に好ましくは０．１〜２．０μｍで
ある。０．０１μｍより薄いと、シリカを完全に覆い、
かつ十分な硬度や強度が得られにくくなる場合がある。
また、１０．０μｍより厚いと、ニッケルの量が多くな
り、かつ比重が高くなるため、配合時に高価となる。
【００６８】金層の厚さは、好ましくは０．００１〜
１．０μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍであ
る。０．００１μｍ未満では、抵抗率が高くなるため、
配合時に十分な導電性が得られにくくなるおそれがあ
り、また、１．０μｍを超えると、金の量が多くなって
高価となる。
１．０μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍであ
る。０．００１μｍ未満では、抵抗率が高くなるため、
配合時に十分な導電性が得られにくくなるおそれがあ
り、また、１．０μｍを超えると、金の量が多くなって
高価となる。
【００６９】最後に、この金属メッキシリカ粉末をＮ2
等の不活性気体下又はＨ2等の還元性気体存在下に２０
０℃以上の温度で熱処理することが望ましい。処理条件
は、通常２００〜９００℃、処理時間は１分〜２４時間
が好適に用いられる。より望ましくは２５０〜５００℃
で処理時間は３０分〜４時間行うのがよい。これによ
り、粉体と金属間にあるケイ素系化合物はセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつことに
なる。このときの雰囲気を水素のような還元系で行うこ
とにより、金属中の酸化物を減少させ、ケイ素系化合物
を安定な構造に変えることで、シリカと金属が強固に結
合し、高い導電性を示す粉体を得ることができる。
等の不活性気体下又はＨ2等の還元性気体存在下に２０
０℃以上の温度で熱処理することが望ましい。処理条件
は、通常２００〜９００℃、処理時間は１分〜２４時間
が好適に用いられる。より望ましくは２５０〜５００℃
で処理時間は３０分〜４時間行うのがよい。これによ
り、粉体と金属間にあるケイ素系化合物はセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつことに
なる。このときの雰囲気を水素のような還元系で行うこ
とにより、金属中の酸化物を減少させ、ケイ素系化合物
を安定な構造に変えることで、シリカと金属が強固に結
合し、高い導電性を示す粉体を得ることができる。
【００７０】なお、このように水素還元系雰囲気で熱処
理すると、ケイ素系化合物は主として炭化ケイ素のセラ
ミックとなる。
理すると、ケイ素系化合物は主として炭化ケイ素のセラ
ミックとなる。
【００７１】即ち、上記高温処理により、粉体と金属間
にあるケイ素系化合物が部分的又は全部がセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつことに
なる。
にあるケイ素系化合物が部分的又は全部がセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつことに
なる。
【００７２】上記金属メッキシリカ粉末は、シリコーン
との親和性を有する目的で各種アルコキシシラン、チタ
ネート系処理剤、カーボンファンクショナルシラン、シ
ラザン類、シラノール含有低分子シロキサン等で疎水処
理を施してもよい。
との親和性を有する目的で各種アルコキシシラン、チタ
ネート系処理剤、カーボンファンクショナルシラン、シ
ラザン類、シラノール含有低分子シロキサン等で疎水処
理を施してもよい。
【００７３】また、（Ｃ）成分と併用して、従来から知
られている導電性カーボンブラック、導電性亜鉛華、導
電性酸化チタン等の他の導電性無機物等の導電材や、増
量剤としてシリコーンゴムパウダー、ベンガラ、炭酸カ
ルシウム等の充填剤を添加してもよい。
られている導電性カーボンブラック、導電性亜鉛華、導
電性酸化チタン等の他の導電性無機物等の導電材や、増
量剤としてシリコーンゴムパウダー、ベンガラ、炭酸カ
ルシウム等の充填剤を添加してもよい。
【００７４】（Ｃ）成分の配合量は、（Ａ）成分のオル
ガノポリシロキサン１００部に対し３０〜７００部であ
り、特に５０〜７００部が好ましい。配合量が３０部未
満では求める低抵抗値が得られない場合があり、７００
部を超えると加工性が悪く、射出成形が不可能になる場
合がある。
ガノポリシロキサン１００部に対し３０〜７００部であ
り、特に５０〜７００部が好ましい。配合量が３０部未
満では求める低抵抗値が得られない場合があり、７００
部を超えると加工性が悪く、射出成形が不可能になる場
合がある。
【００７５】次に、（Ｄ）成分の硬化剤について説明す
る。本発明においては、上記成分を２本ロール、ハンバ
リーミキサー、ドウミキサー（ニーダー）などのゴム練
機を用いて均一に混合し、必要に応じて常圧又は減圧下
で加熱処理を施すことにより導電性液状シリコーンゴム
組成物を得ることができ、この導電性液状シリコーンゴ
ム組成物に適宜な硬化剤を配合して硬化させることで、
安定した高導電性を有するゴム状弾性体を与える。この
場合、硬化方法としては、有機過酸化物による硬化方法
と付加架橋剤と触媒による付加硬化方法が採用される。
る。本発明においては、上記成分を２本ロール、ハンバ
リーミキサー、ドウミキサー（ニーダー）などのゴム練
機を用いて均一に混合し、必要に応じて常圧又は減圧下
で加熱処理を施すことにより導電性液状シリコーンゴム
組成物を得ることができ、この導電性液状シリコーンゴ
ム組成物に適宜な硬化剤を配合して硬化させることで、
安定した高導電性を有するゴム状弾性体を与える。この
場合、硬化方法としては、有機過酸化物による硬化方法
と付加架橋剤と触媒による付加硬化方法が採用される。
【００７６】有機過酸化物による硬化方法では、有機過
酸化物系硬化剤が使用され、具体的にはベンゾイルパー
オキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイ
ド、ｐ−メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジ
クミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−ビス（２，
５−ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエート等の有機
過酸化物が好適に用いられる。
酸化物系硬化剤が使用され、具体的にはベンゾイルパー
オキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイ
ド、ｐ−メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジ
クミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−ビス（２，
５−ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエート等の有機
過酸化物が好適に用いられる。
【００７７】これらの有機過酸化物は、単独で用いても
２種類以上を併用してもよいが、これら有機過酸化物の
添加量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００
部に対し０．１〜１０部、特に０．２〜５部が好まし
い。添加量が少なすぎると架橋が不十分となる場合があ
り、多すぎても硬化速度の向上は望めない場合がある。
２種類以上を併用してもよいが、これら有機過酸化物の
添加量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００
部に対し０．１〜１０部、特に０．２〜５部が好まし
い。添加量が少なすぎると架橋が不十分となる場合があ
り、多すぎても硬化速度の向上は望めない場合がある。
【００７８】付加反応による硬化方法では、硬化剤とし
て通常のオルガノハイドロジェンポリシロキサンと白金
金属系付加反応触媒からなる付加反応系硬化剤が使用さ
れる。この場合、オルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンとしては、下記一般式（４） Ｒ6 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （４） （式中、Ｒ6は炭素数１〜１０の置換又は非置換の１価
炭化水素基である。ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００
２〜１、ｂ＋ｃは０．８〜３の正数である。）で示され
るオルガノハイドロジェンポリシロキサンを用いること
ができる。
て通常のオルガノハイドロジェンポリシロキサンと白金
金属系付加反応触媒からなる付加反応系硬化剤が使用さ
れる。この場合、オルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンとしては、下記一般式（４） Ｒ6 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （４） （式中、Ｒ6は炭素数１〜１０の置換又は非置換の１価
炭化水素基である。ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００
２〜１、ｂ＋ｃは０．８〜３の正数である。）で示され
るオルガノハイドロジェンポリシロキサンを用いること
ができる。
【００７９】上記式（４）のオルガノハイドロジェンポ
リシロキサンにおいて、Ｒ6はＲ1と同様であるが、脂肪
族不飽和結合を有しないものであることが好ましい。ｂ
は０．７〜２．１、好ましくは１〜２、ｃは０．００２
〜１、好ましくは０．０１〜０．９で、かつｂ＋ｃは
０．８〜３、好ましくは１．５〜２．８を満足する正数
である。
リシロキサンにおいて、Ｒ6はＲ1と同様であるが、脂肪
族不飽和結合を有しないものであることが好ましい。ｂ
は０．７〜２．１、好ましくは１〜２、ｃは０．００２
〜１、好ましくは０．０１〜０．９で、かつｂ＋ｃは
０．８〜３、好ましくは１．５〜２．８を満足する正数
である。
【００８０】上記オルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンは、付加反応触媒の存在下において（Ａ）成分に対す
る架橋剤として作用するものであり、１分子中に少なく
とも２個、好ましくは３個以上のケイ素原子に結合した
水素原子を有するものであり、このＳｉ−Ｈ基は分子鎖
末端あるいは分子鎖途中のいずれに位置するものであっ
ても、また両方に位置するものであってもよい。
ンは、付加反応触媒の存在下において（Ａ）成分に対す
る架橋剤として作用するものであり、１分子中に少なく
とも２個、好ましくは３個以上のケイ素原子に結合した
水素原子を有するものであり、このＳｉ−Ｈ基は分子鎖
末端あるいは分子鎖途中のいずれに位置するものであっ
ても、また両方に位置するものであってもよい。
【００８１】このようなオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとしては、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メ
チルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジ
ェンポリシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロ
ジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン、両末端ジメ
チルハイドロジェンポリシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン、両末端ジメチルハイドロジェンポリシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンポリシロ
キサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン・ジフェニルシロキサ
ン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（Ｃ
Ｈ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）Ｓ
ｉＯ3/2単位とからなる共重合体等を挙げることができ
る。上記式（４）のオルガノハイドロジェンポリシロキ
サンは、その分子構造が直鎖状であっても、分岐状、環
状あるいは三次元網状構造を有するものであってもよ
い。分子量に特に限定はないが、常温で液体であること
が好ましく、その粘度は２５℃において０．１〜１，０
００センチポイズ、特に０．５〜５００センチポイズで
あることが望ましい。
ロキサンとしては、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メ
チルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジ
ェンポリシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロ
ジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン、両末端ジメ
チルハイドロジェンポリシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン、両末端ジメチルハイドロジェンポリシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンポリシロ
キサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルハイドロジェンポリシロキサン・ジフェニルシロキサ
ン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（Ｃ
Ｈ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）Ｓ
ｉＯ3/2単位とからなる共重合体等を挙げることができ
る。上記式（４）のオルガノハイドロジェンポリシロキ
サンは、その分子構造が直鎖状であっても、分岐状、環
状あるいは三次元網状構造を有するものであってもよ
い。分子量に特に限定はないが、常温で液体であること
が好ましく、その粘度は２５℃において０．１〜１，０
００センチポイズ、特に０．５〜５００センチポイズで
あることが望ましい。
【００８２】なお、上記オルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンは、公知の方法によって製造することができ
る。
ロキサンは、公知の方法によって製造することができ
る。
【００８３】上記オルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンの配合量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１
００部に対して０．１〜１００部、好ましくは０．３〜
５０部、特に０．５〜２０部であることが好ましい。配
合量が少なすぎると架橋が不十分となる場合があり、多
すぎても硬化速度の向上が望めない場合がある。
ンの配合量は、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１
００部に対して０．１〜１００部、好ましくは０．３〜
５０部、特に０．５〜２０部であることが好ましい。配
合量が少なすぎると架橋が不十分となる場合があり、多
すぎても硬化速度の向上が望めない場合がある。
【００８４】特に、上記オルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンは、分子中のケイ素原子に結合した水素原子
（Ｓｉ−Ｈ）が（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中
のアルケニル基に対してモル比で０．３〜２０モル／モ
ル、好ましくは０．８〜３モル／モルとなるように配合
することが好ましい。
ロキサンは、分子中のケイ素原子に結合した水素原子
（Ｓｉ−Ｈ）が（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン中
のアルケニル基に対してモル比で０．３〜２０モル／モ
ル、好ましくは０．８〜３モル／モルとなるように配合
することが好ましい。
【００８５】また、付加反応触媒としては、白金黒、塩
化第二白金、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、
塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトア
セテート、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等を使用
することができる。付加反応触媒の配合量は、（Ａ）成
分のオルガノポリシロキサン１００部に対して白金、パ
ラジウム又はロジウム金属として０．１〜２，０００ｐ
ｐｍ、特に１〜５００ｐｐｍの範囲が好ましい。
化第二白金、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、
塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトア
セテート、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等を使用
することができる。付加反応触媒の配合量は、（Ａ）成
分のオルガノポリシロキサン１００部に対して白金、パ
ラジウム又はロジウム金属として０．１〜２，０００ｐ
ｐｍ、特に１〜５００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【００８６】上記付加硬化型オルガノポリシロキサン成
分には、上記主成分以外に任意成分としてビニルシクロ
テトラシロキサン等のビニル基含有オルガノポリシロキ
サン、トリアリルイソシアネート、アルキルマレエー
ト、エチニルシクロヘキサノール等のアセチレンアルコ
ール類及びシラン、シロキサン変性物、ハイドロパーオ
キサイド、テトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリ
アゾール及びそれらの混合物からなる群から選ばれる化
合物などの１種又は２種以上の付加反応制御剤等を本発
明の効果を妨げない範囲で添加することができる。
分には、上記主成分以外に任意成分としてビニルシクロ
テトラシロキサン等のビニル基含有オルガノポリシロキ
サン、トリアリルイソシアネート、アルキルマレエー
ト、エチニルシクロヘキサノール等のアセチレンアルコ
ール類及びシラン、シロキサン変性物、ハイドロパーオ
キサイド、テトラメチルエチレンジアミン、ベンゾトリ
アゾール及びそれらの混合物からなる群から選ばれる化
合物などの１種又は２種以上の付加反応制御剤等を本発
明の効果を妨げない範囲で添加することができる。
【００８７】本発明の導電性液状シリコーンゴム組成物
には、上記した成分以外に、撥水性、シール滑り性を付
与する目的で非反応性のシリコーンオイル、例えば直鎖
状のジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサ
ン、フェニルメチルポリシロキサン、水酸基含有オルガ
ノポリシロキサンを添加することができ、また、目的に
応じて各種の添加剤、例えば酸化チタン、酸化鉄、酸化
セリウム、酸化バナジウム、酸化コバルト、酸化クロ
ム、酸化マンガン等の金属酸化物等を添加することがで
き、また目的とする特性を損なわない限り、顔料、耐熱
剤、難燃剤、可塑剤、反応制御剤等を添加してもよい。
また、樹脂との一体成形を行うにあたり、樹脂、ガラ
ス、金属等との接着性を付与するためＳｉ−Ｈ基含有の
有機ケイ素化合物、エポキシ基含有の有機ケイ素化合
物、アルコキシ基含有の有機ケイ素化合物又はそれらの
混合物、又は前記官能基を少なくとも１以上含有した有
機ケイ素化合物などの接着助剤を添加配合してもよい。
なお、これら任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げ
ない範囲で通常量とすることができる。
には、上記した成分以外に、撥水性、シール滑り性を付
与する目的で非反応性のシリコーンオイル、例えば直鎖
状のジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサ
ン、フェニルメチルポリシロキサン、水酸基含有オルガ
ノポリシロキサンを添加することができ、また、目的に
応じて各種の添加剤、例えば酸化チタン、酸化鉄、酸化
セリウム、酸化バナジウム、酸化コバルト、酸化クロ
ム、酸化マンガン等の金属酸化物等を添加することがで
き、また目的とする特性を損なわない限り、顔料、耐熱
剤、難燃剤、可塑剤、反応制御剤等を添加してもよい。
また、樹脂との一体成形を行うにあたり、樹脂、ガラ
ス、金属等との接着性を付与するためＳｉ−Ｈ基含有の
有機ケイ素化合物、エポキシ基含有の有機ケイ素化合
物、アルコキシ基含有の有機ケイ素化合物又はそれらの
混合物、又は前記官能基を少なくとも１以上含有した有
機ケイ素化合物などの接着助剤を添加配合してもよい。
なお、これら任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げ
ない範囲で通常量とすることができる。
【００８８】本発明の導電性液状シリコーンゴム組成物
は、上記した（Ａ）〜（Ｄ）成分とその他の任意成分と
を常温で均一に混合することによって製造することがで
きるが、必要に応じて（Ｄ）成分を除いた成分をプラネ
タリーミキサーやニーダー等で１００〜２００℃の範囲
で３０分〜４時間加熱処理し、その後（Ｄ）成分を混合
して硬化成形することができる。成形方法は混合物の粘
度により自由に選択でき、注入成形、圧縮成形、射出成
形、トランスファー成形等のいずれの方法を採用しても
よい。その硬化条件は、通常８０〜２００℃にて３分〜
３時間程度の時間で硬化させることが好ましい。
は、上記した（Ａ）〜（Ｄ）成分とその他の任意成分と
を常温で均一に混合することによって製造することがで
きるが、必要に応じて（Ｄ）成分を除いた成分をプラネ
タリーミキサーやニーダー等で１００〜２００℃の範囲
で３０分〜４時間加熱処理し、その後（Ｄ）成分を混合
して硬化成形することができる。成形方法は混合物の粘
度により自由に選択でき、注入成形、圧縮成形、射出成
形、トランスファー成形等のいずれの方法を採用しても
よい。その硬化条件は、通常８０〜２００℃にて３分〜
３時間程度の時間で硬化させることが好ましい。
【００８９】この場合、本発明では射出成形が有効に採
用され、この点から組成物の粘度を２５℃において３０
０〜１００，０００ポイズ、特に１，０００〜５，００
０ポイズとすることが好ましい。
用され、この点から組成物の粘度を２５℃において３０
０〜１００，０００ポイズ、特に１，０００〜５，００
０ポイズとすることが好ましい。
【００９０】
【発明の効果】本発明の導電性液状シリコーンゴム組成
物は、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが
可能で、射出成形可能な粘度の組成物を得ることができ
る優れたシリコーンゴムを与え、このシリコーンゴムは
高導電用途に使用される電気製品の部品、電気の接点等
に有用である。
物は、体積抵抗が小さく、安定した抵抗値を示すことが
可能で、射出成形可能な粘度の組成物を得ることができ
る優れたシリコーンゴムを与え、このシリコーンゴムは
高導電用途に使用される電気製品の部品、電気の接点等
に有用である。
【００９１】
【実施例】以下、合成例及び実施例、比較例を示し、本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。なお、下記の例において、部は
重量部を示す。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。なお、下記の例において、部は
重量部を示す。
【００９２】［合成例］ 金属メッキシリカ粉末の合成シリカのケイ素系化合物処理 シリカとして、球状シリカＵＳ−１０（三菱レーヨン
（株）製；平均粒径１０μｍ；比表面積０．４ｍ2／
ｇ）を用いた。ＰＰＨＳ（フェニルハイドロジェンポリ
シラン）５ｇをトルエン６５ｇに溶解させ、この溶液を
ＵＳ−１０ １００ｇに加え、１時間撹拌し、スラリー
にした。ロータリーエバポレーターにて、８０℃の温
度，４５ｍｍＨｇの圧力でトルエンを６５ｇ留去させ、
乾燥させたところ、ＰＰＨＳ処理球状シリカが得られ
た。このＰＰＨＳ処理球状シリカは、最後にローラー、
ジェットミル等により解砕された。
（株）製；平均粒径１０μｍ；比表面積０．４ｍ2／
ｇ）を用いた。ＰＰＨＳ（フェニルハイドロジェンポリ
シラン）５ｇをトルエン６５ｇに溶解させ、この溶液を
ＵＳ−１０ １００ｇに加え、１時間撹拌し、スラリー
にした。ロータリーエバポレーターにて、８０℃の温
度，４５ｍｍＨｇの圧力でトルエンを６５ｇ留去させ、
乾燥させたところ、ＰＰＨＳ処理球状シリカが得られ
た。このＰＰＨＳ処理球状シリカは、最後にローラー、
ジェットミル等により解砕された。
【００９３】パラジウムコロイド析出シリカの製造 ＰＰＨＳ処理球状シリカは疎水化され、水に投入すると
水表面に浮くようになる。界面活性剤としてサーフィノ
ール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．
５％水溶液５０ｇに、上で得られたＰＰＨＳ処理球状シ
リカ１００ｇを投入し、撹拌して水中に分散させた。パ
ラジウム処理は、上記シリカ−水分散体１５０ｇに対
し、１％ＰｄＣｌ2水溶液を７０ｇ（塩化パラジウムと
して０．７ｇ、パラジウムとして０．４ｇ）添加して、
３０分撹拌後、濾過し、水洗した。これらの処理によ
り、シリカ表面はパラジウムコロイドが付着した黒灰色
に着色したパラジウムコロイド析出シリカが得られた。
このシリカは濾過により単離し、水洗後、直ちにメッキ
化を行った。
水表面に浮くようになる。界面活性剤としてサーフィノ
ール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．
５％水溶液５０ｇに、上で得られたＰＰＨＳ処理球状シ
リカ１００ｇを投入し、撹拌して水中に分散させた。パ
ラジウム処理は、上記シリカ−水分散体１５０ｇに対
し、１％ＰｄＣｌ2水溶液を７０ｇ（塩化パラジウムと
して０．７ｇ、パラジウムとして０．４ｇ）添加して、
３０分撹拌後、濾過し、水洗した。これらの処理によ
り、シリカ表面はパラジウムコロイドが付着した黒灰色
に着色したパラジウムコロイド析出シリカが得られた。
このシリカは濾過により単離し、水洗後、直ちにメッキ
化を行った。
【００９４】パラジウムコロイド析出シリカのニッケル
メッキ化 ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈し
た次亜リン酸ナトリウム２．０Ｍ、酢酸ナトリウム１．
０Ｍ、グリシン０．５Ｍの混合溶液１００ｇを用いた。
パラジウムコロイド析出シリカをＫＳ−５３８（信越化
学工業（株）製消泡剤）０．５ｇと共にニッケルメッキ
還元液中に分散させた。激しく撹拌しながら液温を室温
から６５℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナ
トリウム２．０Ｍを空気ガスにより同伴させながら滴下
し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル１．０
Ｍを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下し
た。これにより、細かい発泡と共にシリカが黒色とな
り、シリカ表面全面に金属ニッケルが析出した。
メッキ化 ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈し
た次亜リン酸ナトリウム２．０Ｍ、酢酸ナトリウム１．
０Ｍ、グリシン０．５Ｍの混合溶液１００ｇを用いた。
パラジウムコロイド析出シリカをＫＳ−５３８（信越化
学工業（株）製消泡剤）０．５ｇと共にニッケルメッキ
還元液中に分散させた。激しく撹拌しながら液温を室温
から６５℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナ
トリウム２．０Ｍを空気ガスにより同伴させながら滴下
し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル１．０
Ｍを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下し
た。これにより、細かい発泡と共にシリカが黒色とな
り、シリカ表面全面に金属ニッケルが析出した。
【００９５】ニッケルメッキシリカの金メッキ化 金メッキ液として高純度化学研究所製金メッキ液Ｋ−２
４Ｎ１００ｇを希釈せず用いた。全面に金属ニッケルが
析出したシリカを金メッキ液中に分散させた。激しく撹
拌しながら液温を室温から９５℃に上げると、細かい発
泡と共にシリカが金色となり、シリカ表面に金が析出し
た。メッキ水底に沈殿したシリカは、濾過、水洗、乾燥
（５０℃で３０分）の後、水素で置換された電気炉で３
００℃で１時間焼成した。実体顕微鏡観察により、シリ
カ全表面が金により覆われたシリカが得られていること
がわかった。このシリカは、ＩＰＣ分析により、パラジ
ウム、ニッケル、金が検出された。
４Ｎ１００ｇを希釈せず用いた。全面に金属ニッケルが
析出したシリカを金メッキ液中に分散させた。激しく撹
拌しながら液温を室温から９５℃に上げると、細かい発
泡と共にシリカが金色となり、シリカ表面に金が析出し
た。メッキ水底に沈殿したシリカは、濾過、水洗、乾燥
（５０℃で３０分）の後、水素で置換された電気炉で３
００℃で１時間焼成した。実体顕微鏡観察により、シリ
カ全表面が金により覆われたシリカが得られていること
がわかった。このシリカは、ＩＰＣ分析により、パラジ
ウム、ニッケル、金が検出された。
【００９６】シリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金構
造をもつ導電性シリカの同定 金メッキシリカは、エポキシ樹脂（アラルダイトＡ／
Ｂ）に混合後、硬化させ、その切片を電子顕微鏡にて観
察したところ、シリカ部と複相メッキ部の２層構造が確
認された。また、この金メッキシリカを、オージェ電子
分光分析により、表面をイオンエッチングしながら深さ
方向に存在する構成元素を分析したところ、深さ方向に
金層、ニッケル層、ケイ素系化合物層（炭素とケイ素含
有層）、シリカ層の４層構造を形成していることが明ら
かとなった。顕微鏡により観察した外観は黄色、比重は
３．５で、各層の厚みは、金層０．０３μｍ、ニッケル
層０．２５μｍであった。
造をもつ導電性シリカの同定 金メッキシリカは、エポキシ樹脂（アラルダイトＡ／
Ｂ）に混合後、硬化させ、その切片を電子顕微鏡にて観
察したところ、シリカ部と複相メッキ部の２層構造が確
認された。また、この金メッキシリカを、オージェ電子
分光分析により、表面をイオンエッチングしながら深さ
方向に存在する構成元素を分析したところ、深さ方向に
金層、ニッケル層、ケイ素系化合物層（炭素とケイ素含
有層）、シリカ層の４層構造を形成していることが明ら
かとなった。顕微鏡により観察した外観は黄色、比重は
３．５で、各層の厚みは、金層０．０３μｍ、ニッケル
層０．２５μｍであった。
【００９７】シリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金構
造をもつ導電性シリカの特性 金メッキシリカの抵抗率は、４端子をもつ円筒状のセル
に金メッキシリカを充填し、両末端の面積０．２ｃｍ2
の端子からＳＭＵ−２５７（ケースレ社製電流源）より
１〜１０ｍＡの電流を流し、円筒の中央部に０．２ｃｍ
離して設置した端子から２０００型ケースレ社製ナノボ
ルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗
率は２．２ｍΩ・ｃｍであった。このシリカを乳鉢に入
れ、１分間すり潰し、熱処理（２００℃，４時間）後の
変化を調べたところ、外観、抵抗率の変化はなかった。
造をもつ導電性シリカの特性 金メッキシリカの抵抗率は、４端子をもつ円筒状のセル
に金メッキシリカを充填し、両末端の面積０．２ｃｍ2
の端子からＳＭＵ−２５７（ケースレ社製電流源）より
１〜１０ｍＡの電流を流し、円筒の中央部に０．２ｃｍ
離して設置した端子から２０００型ケースレ社製ナノボ
ルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗
率は２．２ｍΩ・ｃｍであった。このシリカを乳鉢に入
れ、１分間すり潰し、熱処理（２００℃，４時間）後の
変化を調べたところ、外観、抵抗率の変化はなかった。
【００９８】［実施例１］表１に示すように、（Ａ）成
分として２５℃における粘度が１，０００センチポイズ
の両末端がそれぞれトリビニルシロキシ基で封鎖された
ジメチルポリシロキサン（ａ）及び２５℃における粘度
が１，０００センチポイズの両末端がそれぞれジメチル
ビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン
（ｂ）、（Ｂ）成分のシリカ微粉末として表面が疎水化
処理された乾式シリカ（Ｒ−９７２、日本アエロジル社
製、ＢＥＴ比表面積１３０ｍ2／ｇ）、（Ｃ）成分とし
て平均粒径８μｍの銀粉末を配合し、室温でプラネタリ
ーミキサーにて２時間撹拌混合し、その後（Ｄ）成分と
してジクミルパーオキサイドを加え、室温にて均一にな
るまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物を
１６５℃で１０分間加熱硬化させた後、更に２００℃で
４時間二次硬化させ、８０ｍｍ×８０ｍｍ×２ｍｍ（厚
み）のシリコーンゴムシートを得た。得られたシートの
体積抵抗率を測定した。この測定結果及び組成物の粘
度、射出成形性を表１に示す。
分として２５℃における粘度が１，０００センチポイズ
の両末端がそれぞれトリビニルシロキシ基で封鎖された
ジメチルポリシロキサン（ａ）及び２５℃における粘度
が１，０００センチポイズの両末端がそれぞれジメチル
ビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン
（ｂ）、（Ｂ）成分のシリカ微粉末として表面が疎水化
処理された乾式シリカ（Ｒ−９７２、日本アエロジル社
製、ＢＥＴ比表面積１３０ｍ2／ｇ）、（Ｃ）成分とし
て平均粒径８μｍの銀粉末を配合し、室温でプラネタリ
ーミキサーにて２時間撹拌混合し、その後（Ｄ）成分と
してジクミルパーオキサイドを加え、室温にて均一にな
るまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物を
１６５℃で１０分間加熱硬化させた後、更に２００℃で
４時間二次硬化させ、８０ｍｍ×８０ｍｍ×２ｍｍ（厚
み）のシリコーンゴムシートを得た。得られたシートの
体積抵抗率を測定した。この測定結果及び組成物の粘
度、射出成形性を表１に示す。
【００９９】［実施例２］表１に示すように、（Ａ）成
分として２５℃における粘度が１，０００センチポイズ
の両末端がそれぞれジメチルビニルシロキシ基で封鎖さ
れたジメチルポリシロキサン（ｄ）、（Ｂ）成分のシリ
カ微粉末として表面が疎水化処理された乾式シリカ（Ｒ
−９７２、日本アエロジル社製、ＢＥＴ比表面積１３０
ｍ2／ｇ）、（Ｃ）成分として平均粒径８μｍの銀粉末
を配合し、室温でプラネタリーミキサーにて２時間撹拌
混合し、その後（Ｄ）成分として下記式（５）で示され
るジメチルハイドロジェンポリシロキサン、塩化白金酸
の１％２−エチルヘキサノール溶液、更に反応制御剤と
してエチニルシクロヘキサノールを加え、室温にて均一
になるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成
物を１２０℃で１０分間加熱硬化させ、８０ｍｍ×８０
ｍｍ×２ｍｍ（厚み）のシリコーンゴムシートを得た。
得られたシートの体積抵抗率を測定した。この測定結果
及び組成物の粘度、射出成形性を表１に示す。
分として２５℃における粘度が１，０００センチポイズ
の両末端がそれぞれジメチルビニルシロキシ基で封鎖さ
れたジメチルポリシロキサン（ｄ）、（Ｂ）成分のシリ
カ微粉末として表面が疎水化処理された乾式シリカ（Ｒ
−９７２、日本アエロジル社製、ＢＥＴ比表面積１３０
ｍ2／ｇ）、（Ｃ）成分として平均粒径８μｍの銀粉末
を配合し、室温でプラネタリーミキサーにて２時間撹拌
混合し、その後（Ｄ）成分として下記式（５）で示され
るジメチルハイドロジェンポリシロキサン、塩化白金酸
の１％２−エチルヘキサノール溶液、更に反応制御剤と
してエチニルシクロヘキサノールを加え、室温にて均一
になるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成
物を１２０℃で１０分間加熱硬化させ、８０ｍｍ×８０
ｍｍ×２ｍｍ（厚み）のシリコーンゴムシートを得た。
得られたシートの体積抵抗率を測定した。この測定結果
及び組成物の粘度、射出成形性を表１に示す。
【０１００】
【化１】
【０１０１】［実施例３］実施例１に記載の（Ｃ）成分
である銀粉末の代わりに、合成例で作製した金メッキシ
リカ粉末とした以外は実施例１と同様に室温にて均一に
なるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物
を１６５℃で１０分間加熱硬化させた後、更に２００℃
で４時間二次硬化させ、実施例１と同様のシートを得
て、同様の測定を行った。結果を表１に示す。
である銀粉末の代わりに、合成例で作製した金メッキシ
リカ粉末とした以外は実施例１と同様に室温にて均一に
なるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物
を１６５℃で１０分間加熱硬化させた後、更に２００℃
で４時間二次硬化させ、実施例１と同様のシートを得
て、同様の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１０２】［実施例４］実施例２に記載の（Ｃ）成分
である銀粉末の代わりに、合成例で作製した金メッキシ
リカ粉末とした以外は実施例２と同様に室温にて均一に
なるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物
を１２０℃で１０分間加熱硬化させ、実施例２と同様の
シートを得て、同様の測定を行った。結果を表１に示
す。
である銀粉末の代わりに、合成例で作製した金メッキシ
リカ粉末とした以外は実施例２と同様に室温にて均一に
なるまで混合し、シリコーン組成物を得た。この組成物
を１２０℃で１０分間加熱硬化させ、実施例２と同様の
シートを得て、同様の測定を行った。結果を表１に示
す。
【０１０３】［比較例１〜３］（Ａ）成分として２５℃
における粘度が１，０００，０００センチポイズの両末
端がそれぞれトリビニルシロキシ基で封鎖されたジメチ
ルポリシロキサン（ｃ）を使用した以外は、表１に示す
成分を使用し、実施例と同様にしてシリコーンゴムシー
トを作製し、同様の測定を実施した。結果を表１に示
す。
における粘度が１，０００，０００センチポイズの両末
端がそれぞれトリビニルシロキシ基で封鎖されたジメチ
ルポリシロキサン（ｃ）を使用した以外は、表１に示す
成分を使用し、実施例と同様にしてシリコーンゴムシー
トを作製し、同様の測定を実施した。結果を表１に示
す。
【０１０４】［比較例４，５］実施例１記載の（Ｃ）成
分である銀粉末の代わりに、アセチレンブラックを表１
に示すように添加混合した以外は同様にしてシリコーン
ゴムシートを作製し、同様の測定を実施した。結果を表
１に示す。
分である銀粉末の代わりに、アセチレンブラックを表１
に示すように添加混合した以外は同様にしてシリコーン
ゴムシートを作製し、同様の測定を実施した。結果を表
１に示す。
【０１０５】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 9/02 Ｃ０８Ｋ 9/02 Ｃ０８Ｌ 83/07 Ｃ０８Ｌ 83/07 // Ｂ２９Ｋ 83:00 Ｂ２９Ｋ 83:00 (72)発明者 福島 基夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4F206 AA33 AA46 AB03 AB13 AB17 AE03 AH33 JA07 JB12 JQ81 4J002 CP04X CP14W DA067 DA077 DJ016 DJ017 EK008 FB047 FD117 FD14X FD148 GQ00
Claims (8)
- 【請求項１】 （Ａ）２５℃における粘度が１０〜１００，０００センチポ イズのオルガノポリシロキサン １００重量部 （Ｂ）シリカ微粉末 １〜１００重量部 （Ｃ）金属粉末又は導電性金属メッキ粉末 ３０〜７００重量部 （Ｄ）硬化剤 上記（Ａ）成分を硬化させ得る量 を含有してなることを特徴とする導電性液状シリコーンゴム組成物。
- 【請求項２】 （Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが
下記平均組成式（１） Ｒ1 aＳｉＯ( 4-a ) /2 （１） （式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の置換又は非置換１価炭
化水素基であり、Ｒ1の０．００１〜２０モル％はアル
ケニル基である。ａは１．５〜２．８の正数である。）
で示され、分子鎖両末端がトリビニルシリル基、ジビニ
ルメチルシリル基又はビニルジメチルシリル基で封鎖さ
れた１種又は２種以上のオルガノポリシロキサンである
請求項１記載の導電性液状シリコーンゴム組成物。 - 【請求項３】 （Ｃ）成分が比表面積が１ｍ2／ｇ以下
の金属メッキシリカ粉末である請求項１又は２記載の導
電性液状シリコーンゴム組成物。 - 【請求項４】 （Ｃ）成分がシリカ上にニッケル層を介
して金層が形成された構造を有する金属メッキシリカ粉
末である請求項１，２又は３記載の導電性液状シリコー
ンゴム組成物。 - 【請求項５】 （Ｃ）成分の金属粉末が銀粉末である請
求項１又は２記載の導電性液状シリコーンゴム組成物。 - 【請求項６】 （Ｄ）成分の硬化剤が有機過酸化物であ
る請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電性液状シリ
コーンゴム組成物。 - 【請求項７】 （Ｄ）成分の硬化剤が付加反応系硬化剤
である請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電性液状
シリコーンゴム組成物。 - 【請求項８】 射出成形用である請求項１乃至７のいず
れか１項記載の導電性液状シリコーンゴム組成物。
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