JP2001199744A - 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明性や断熱性を損なうことなく遮熱性能を
一定の範囲内に制御することにより、広範な地域や場所
で快適な居住環境等を実現することができるようにし
た。 【解決手段】 ガラス基板１の表面には酸化スズ系薄膜
２が形成されると共に、該酸化スズ系薄膜２の表面に酸
化ケイ素系薄膜３が形成され、さらに該酸化ケイ素系薄
膜膜３の表面にはアンチモンを含有したアンチモン含有
・酸化スズ系薄膜４が形成され、さらに、アンチモン含
有・酸化スズ系薄膜４の表面にフッ素を含有したフッ素
含有・酸化スズ系薄膜５が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は低放射ガラスと該低
放射ガラスを使用したガラス物品に関し、特に建築物や
車輛の窓ガラスとして使用される低放射ガラス及び該低
放射ガラスを使用した複層ガラス等のガラス物品に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、この種の低放射ガラスとして
は、ガラス基板の表面にＡｇ層や金属酸化物を積層する
ことにより、遮熱性能を高めた断熱ガラスが提案されて
いる（特開平８−１０４５４７号公報；以下「第１の従
来技術」という）。

【０００３】該第１の従来技術においては、金属酸化物
を挟んでＡｇ膜を２層に分割してなる金属化合物膜をガ
ラス基板の表面に積層することにより、断熱性を確保す
ると共に、可視光線の透過率を高く維持してガラスの透
明性を確保し、且つ日射光の透過率を抑制してガラスの
遮熱性能を高め、さらに、前記金属酸化物を酸化スズ又
は酸化亜鉛で形成することにより、透過色と反射色とを
共に無彩色に保持している。

【０００４】また、該第１の従来技術では、窓ガラスと
しての断熱性能を高めるべく、少なくとも１枚以上の前
記断熱ガラスを使用した複層ガラスも提案されている。

【０００５】さらに、他の従来技術としては、半導体で
被覆された異方性双極子微粒子上に可視−近赤外領域の
光を吸収・反射する物質を析出させると共に、前記異方
性双極子微粒子を液体誘電中に分散させ、これにより吸
光度や反射率を電気的に制御可能とした調光ガラスも提
案されている（特開昭６４−３８７３２号公報；以下
「第２の従来技術」という）。

【０００６】該第２の従来技術では、吸光度や反射率を
電気的に制御することにより遮熱性能を必要に応じて任
意に選択することが可能と考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、建築物や車
輛に使用される窓ガラスの場合、寒暖等の気候的な地域
的特性によって要求されるガラス性能が異なり、また窓
ガラスを透過する日射エネルギのエネルギ量についても
該窓ガラスの設置方位によって異なるため、斯かる窓ガ
ラスの取付個所によっても要求されるガラス性能は異な
る。

【０００８】例えば、冬季の寒さが厳しい北海道等の寒
冷地域では冬季は室内を暖房するためガラスの断熱性能
を確保することが重要視される一方で、遮熱性能は余り
重要視されない。また、沖縄等の熱暑感の激しい地域で
は、特に夏季においては日射エネルギの室内や車内への
流入を少なくすべく遮熱性能が重要視される一方で、断
熱性能は余り重要視されない。

【０００９】また、窓ガラスの取付個所についても、建
築物の東側及び西側は太陽の高度が低いため、窓ガラス
を透過する日射エネルギが大きく、したがって斯かる東
西側面に設置される窓ガラスの場合は遮熱性能の高いガ
ラス板を使用する必要がある。一方、建築物の北側は太
陽の光が直接入らないため、窓ガラスを透過する日射エ
ネルギが小さく、したがって遮熱性能の低いガラス板を
使用するのが望ましい。

【００１０】しかしながら、上記第１の従来技術は、赤
外線反射率の高いＡｇを２層に分割してガラス基板の表
面上に成膜しているため日射光の透過率が６０％以下と
低く、したがってガラスの遮熱性能が非常に高い。この
ため、斯かる第１の従来技術の断熱ガラスを建築物の北
側に使用したときは日射エネルギの室内への流入が少な
くなって室内が過度に冷え込み、その結果快適な居住環
境が損なわれる。特に、この場合は日射エネルギの室内
への流入が少ないため、室内が冷え込んで暖房器具を稼
動させる必要が生じる場合もあり、昨今の省エネルギの
要請にも反する結果となる。

【００１１】すなわち、該第１の従来技術では、特定の
地域や特定の設置方位に使用する場合は或る程度の満足
感を得ることができるものの、窓ガラスの取付場所や地
域によっては快適な居住環境を提供することができない
という問題点があった。

【００１２】また、第２の従来技術では、前記異方性双
極子微粒子の凝集等が生じ易く品質的な信頼性に劣り、
また経済的にもコストが高いため、建築物や車輛用の窓
ガラスとしては実用性から程遠いというのが現状であ
る。

【００１３】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、透明性や断熱性を損なうことなく遮熱性能
を一定の範囲内に制御することにより、広範な地域や場
所で快適な居住環境を実現することができる低放射ガラ
スと該低放射ガラスを使用したガラス物品を提供するこ
とを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】断熱性能に優れ且つ種々
の設置方位に好適な低放射ガラスを得るためには、遮熱
性能を一定の範囲内に制御することが必要と考えられ、
そのためには遮熱性能を適度に高める必要がある。

【００１５】ところで、断熱性を高める手段としては導
電性を上げることが効果的であることが知られており、
従来より、酸化スズを主成分とした酸化スズ系薄膜（以
下、「ＳｎＯ₂膜」という）にフッ素（Ｆ）を含有（ド
ープ）させることによって導電性を上げ、これにより所
望の断熱性能を確保することが行われている。

【００１６】そこで、本発明者等は、断熱性能を確保す
ると共に、ガラスの遮熱性能を一定の範囲内で制御可能
とすべく鋭意研究を行った結果、上記フッ素を含有した
ＳｎＯ₂膜に加えてアンチモン（Ｓｂ）を含有したＳｎ
Ｏ₂膜をガラス基板上に積層させることにより、断熱性
能を損なうことなく遮熱性能を一定の範囲に制御するこ
とができ、広範な地域や種々の設置方位に好適な低放射
ガラスを得ることができるという知見を得た。

【００１７】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係る低放射ガラスは、ガラス基
板の表面に金属酸化物を主成分とした複数の金属酸化物
系薄膜が積層された低放射ガラスにおいて、前記複数の
金属酸化物系薄膜が、少なくともアンチモンを含有した
アンチモン含有・酸化スズ系薄膜（以下、「ＳｎＳｂＯ
x膜」という）と、フッ素を含有したフッ素含有・酸化
スズ系薄膜（以下、「ＳｎＯ₂：Ｆ膜」という）とを含
んでいることを特徴としている。

【００１８】また、本発明者等はアンチモン含有率と可
視光線の透過率との関係について研究を進めたところ、
アンチモンについてもその含有率が過度に多くなると可
視光透過率が低下するという知見を得、更に鋭意研究を
した結果、ＳｎＳｂＯx膜中のスズに対するアンチモン
のモル比（＝Ｓｂのモル数／Ｓｎのモル数）を０．０１
〜０．２に設定するのが好ましいことが判明した。

【００１９】そこで、本発明は、上記低放射ガラスにお
いて、前記ＳｎＳｂＯx膜のスズに対するアンチモン含
有率が、モル比で０．０１〜０．２に設定されているこ
とを特徴としている。

【００２０】このようにＳｎＳｂＯx膜中の前記モル比
を０．０１〜０．２に設定することにより、可視光透過
率は多少下がる傾向にあるが、それ以上に近赤外域に吸
収スペクトルを有するため、透明性を損なうことなく遮
熱性能を一定の範囲内で制御することができる。

【００２１】さらに、本発明者等は金属酸化膜の積層順
序について研究を進めた結果、反射色や透過色の所謂色
ムラ防止及び色調調整等の観点からは、ガラス基板の表
面にＳｎＯ₂膜を積層し、該ＳｎＯ₂膜の表面に酸化ケイ
素を主成分とした酸化ケイ素系薄膜（以下、「ＳｉＯ₂
膜」という）を積層する必要があり、したがって色調を
満足させつつ所望の遮断性能及び断熱性能を有する低放
射ガラスを得るためには前記ＳｉＯ₂膜の表面に前記Ｓ
ｎＳｂＯx膜及びＳｎＯ₂：Ｆ膜を含む金属酸化物系薄膜
を積層する必要があるという知見を得た。

【００２２】そこで、本発明は、前記ガラス基板の表面
にＳｎＯ₂膜が形成されると共に、該ＳｎＯ₂膜の表面に
ＳｉＯ₂膜が形成され、さらに、少なくとも前記ＳｎＳ
ｂＯx膜及びＳｎＯ₂：Ｆ膜を含む複数の薄膜が前記Ｓｉ
Ｏ₂膜の表面に積層されていることを特徴としている。

【００２３】具体的には、前記ＳｉＯ₂膜の表面に前記
ＳｎＳｂＯx膜が形成され、さらに該ＳｎＳｂＯx膜の表
面に前記ＳｎＯ₂：Ｆ膜が形成され、かつ、前記ＳｎＳ
ｂＯx膜のスズに対するアンチモン含有率が、モル比で
０．０１〜０．１に設定されていることが好ましく、或
いは前記ＳｉＯ₂膜の表面に前記ＳｎＯ₂：Ｆ膜が形成さ
れ、さらに該ＳｎＯ₂：Ｆ膜の表面に前記ＳｎＳｂＯx膜
が形成されていることが好ましい。

【００２４】上記積層順序でもってガラス基板上に金属
酸化物系薄膜を形成することにより、外観を損なうこと
なく所望の遮断性能及び断熱性能を有する透明な低放射
ガラスを得ることができる。

【００２５】さらに、本発明者等はその他の膜構成につ
いても研究を進めたところ、ＳｎＳｂＯx膜、ＳｉＯ
₂膜、及びＳｎＯ₂：Ｆ膜をガラス基板の表面に順次積層
した場合であっても所望の遮熱性能、断熱性能、及び色
調を満足させ得る透明な低放射ガラスを得る可能性のあ
ることが判明した。

【００２６】したがって、本発明に係る低放射ガラス
は、前記ガラス基板の表面に前記ＳｎＳｂＯx膜が形成
されると共に、該ＳｎＳｂＯx膜の表面にＳｉＯ₂膜が形
成され、さらに該ＳｉＯ₂膜の表面に前記ＳｎＯ₂：Ｆ膜
が形成されていることを特徴とするのも好ましい。

【００２７】上記積層順序とすることにより金属酸化物
薄膜系の積層層の削減を可能とし、生産性向上を図るこ
とができる。

【００２８】また、導電性を向上させるためには、上述
の各低放射ガラスにおいて、前記ＳｎＯ₂膜、ＳｎＳｂ
Ｏx膜及び前記ＳｎＯ₂：Ｆ膜のうちの少なくとも１つ以
上の薄膜に塩素が含まれていることが好ましい。

【００２９】次に、上記各種金属酸化物系薄膜をガラス
基板上に形成する方法としては、ガラス基板上でガス状
化合物を化学反応させることにより薄膜を堆積させる化
学気相成長（chemical vapor deposition；以下「ＣＶ
Ｄ」という）法や、溶液スプレー法等のスプレー法が好
ましいが、高品質の低放射ガラスを効率良く大量生産す
るためには、所謂フロート法でガラス基板となるリボン
状ガラスを作製し、該リボン状ガラスの表面に成膜原料
を供給すると共に、前記リボン状ガラスの有する熱エネ
ルギを利用し前記リボン状ガラス上での熱分解により金
属酸化物系薄膜を積層するのが好ましい（オンラインＣ
ＶＤ法）。

【００３０】そこで、本発明に係る低放射ガラスは、前
記ガラス基板は、溶融スズ上にガラス原料を流し込んで
形成された所定高温状態のリボン状ガラスから製造さ
れ、前記金属酸化物系薄膜は、前記リボン状ガラスの表
面に金属酸化物系固相を堆積して形成されたことを特徴
としている。

【００３１】上記オンラインＣＶＤ法で製造された低放
射ガラスは、軟化点以上の温度を有するガラス表面で成
膜することが可能となるため、膜性能等を向上させるこ
とができ、また生産性の観点からも低放射ガラスを極め
て効率良く大量生産することができる。

【００３２】また、従来より複数のガラス基板間に空気
層や不活性ガス層或いは真空層等の中空層を介在させた
ガラス物品としての複層ガラスは、断熱性能に極めて優
れた作用・効果を発揮することが知られているが、上述
した本発明の低放射ガラスを複層ガラスに組み入れた場
合は更なる断熱性能の向上を図ることができると考えら
れる。

【００３３】そこで、本発明に係るガラス物品は、上記
低放射ガラスを少なくとも１枚含む複数のガラスが互い
に対向配置されると共に、これら複数のガラス間には中
空層が形成されていることを特徴としている。

【００３４】上記ガラス物品を建築物の窓ガラスとして
使用することにより、優れた断熱性能と遮熱性能の選択
性から、より快適な居住環境を実現することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳説する。

【００３６】図１は本発明に係る低放射ガラスの一実施
の形態（第１の実施の形態）を示す断面図である。

【００３７】同図において、１は、ソーダ石灰ガラスや
該ソーダ石灰ガラスに微量の着色成分を添加した熱線吸
収ガラス等の板状に形成されたガラス基板であって、該
ガラス基板１の表面にはＳｎＯ₂膜２が形成されると共
に、該ＳｎＯ₂膜２の表面にはＳｉＯ₂膜３が形成され、
さらに該ＳｉＯ₂膜３の表面にはＳｎＳｂＯx膜４が形成
され、さらに該ＳｎＳｂＯx膜４の表面にはＳｎＯ₂：Ｆ
膜５が形成されている。そして、ガラス基板１の表面に
積層されたこれらＳｎＯ₂膜２、ＳｉＯ₂膜３、ＳｎＳｂ
Ｏx膜４及びＳｎＯ₂：Ｆ膜５とで金属酸化物系薄膜６を
構成している。

【００３８】また、本実施の形態では、ＳｎＳｂＯx膜
４中のアンチモン含有率は、スズに対するモル比（＝Ｓ
ｂのモル数／Ｓｎのモル数）が０．０１〜０．１となる
ように調合され、またＳｎＯ₂：Ｆ膜５中のフッ素含有
率は、０．０１〜１ｗｔ％に設定されている。このよう
にアンチモン含有率及びフッ素含有率を設定したのは以
下の理由による。

【００３９】（ａ）アンチモン含有率 アンチモンは導電性の向上に寄与してガラスの遮熱性能
を適度に向上させる作用を有するが、ＳｎＳｂＯx膜中
のスズに対するアンチモン含有率が、モル比で０．０１
未満の場合は所望の遮熱性能を得ることができず、一方
前記アンチモン含有率が前記モル比で０．１を超えると
薄膜の積層順序との関係で色調整が困難となり、色ムラ
が生じて品質が低下する。そこで、本実施の形態ではＳ
ｎＳｂＯx膜中のアンチモン含有率を前記モル比で０．
０１〜０．１に設定した。

【００４０】（ｂ）フッ素含有率 フッ素も、アンチモンと同様、導電性の向上に寄与して
遮熱性能を向上させる作用を有し、またフッ素をＳｎＯ
₂膜中に含有（ドープ）させることによりガラスの放射
率を低下させて断熱性能を向上させる作用を有するが、
ＳｎＯ₂膜中のフッ素含有率が０．０１ｗｔ％以下では
上記した所期の作用を発揮することができず、一方Ｓｎ
Ｏ₂膜中のフッ素含有率が１ｗｔ％を超えると、可視光
線の透過率が低くなってガラスの透明性を損ない、室内
や車内にいる人間に不快感を与える。そこで、本実施の
形態ではＳｎＯ₂膜中のフッ素含有率を０．０１〜１ｗ
ｔ％に設定した。

【００４１】次に、前記金属酸化物系薄膜６の膜厚につ
いては、本実施の形態では、ＳｎＯ ₂膜２及びＳｉＯ₂膜
３の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定され、ＳｎＳｂＯ
x膜４の膜厚は２０ｎｍ〜３００ｎｍに設定され、Ｓｎ
Ｏ₂：Ｆ膜５の膜厚については２００ｎｍ〜５００ｎｍ
に設定されており、以下、その理由について述べる。

【００４２】（ａ）ＳｎＯ₂膜２及びＳｉＯ₂膜３の膜厚 ＳｎＯ₂膜２及びＳｉＯ₂膜３は、これら２層の屈折率の
相違による光の干渉現象を利用して色調整を行っている
が、これらの膜厚が共に１０ｎｍ未満又は５０ｎｍを超
えた場合は、ＳｎＳｂＯx膜４及びＳｎＯ₂：Ｆ膜５がＳ
ｉＯ₂膜３上に積層されると色調整が困難となって色ム
ラが生じ易くなり、品質の低下を招く。したがって、本
実施の形態では、ＳｎＯ₂膜２及びＳｉＯ₂膜３の膜厚を
１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定した。

【００４３】尚、ＳｎＯ₂膜はＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜等と比べると低コストで成膜でき、しかも耐久性
にも優れており、本実施の形態では耐久性の優れたＳｎ
Ｏ₂膜を低コストで作製することができる。

【００４４】（ｂ）ＳｎＳｂＯx膜４の膜厚 ＳｎＳｂＯx膜４は膜中にアンチモン（Ｓｂ）を含有し
ているため遮熱性能を適度に向上させる作用を呈する
が、ＳｎＳｂＯx膜４の膜厚が２０ｎｍ未満の場合は所
期の遮熱性能を発揮することができず、また製造技術的
にも膜厚制御が困難となり、均一な膜厚を得ることがで
きない。

【００４５】一方、住宅用建築物では、拡散透過率（＝
全透過率−直進透過率）と全透過率との比を示すヘイズ
率が一般的には低い方が好ましいとされているが、Ｓｎ
ＳｂＯx膜４の膜厚が３００ｎｍを超えると金属酸化物
系薄膜６の全膜厚が過度に厚くなって前記ヘイズ率が大
きくなり、住宅用窓ガラスに適さなくなる。このため本
実施の形態では、ＳｎＳｂＯx膜４の膜厚を２０ｎｍ〜
３００ｎｍに設定した。

【００４６】（ｃ）ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の膜厚 ＳｎＯ₂：Ｆ膜５は膜中にフッ素（Ｆ）を含有している
ため放射率を低下させて断熱性能の向上に寄与するが、
ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の膜厚が２００ｎｍ未満では充分な断
熱性能を発揮することができず、一方、ＳｎＯ₂：Ｆ膜
５の膜厚が５００ｎｍを超えると金属酸化物系薄膜６の
全膜厚が過度に厚くなり、ＳｎＳｂＯx膜４の場合と同
様、前記ヘイズ率が大きくなって住宅用窓ガラスに適さ
なくなる。このため本実施の形態では、ＳｎＯ₂：Ｆ膜
５の膜厚を２００ｎｍ〜５００ｎｍに設定した。

【００４７】上記した各層の膜厚とアンチモン及びフッ
素の含有率は、必要とする遮熱性能、断熱性能、及び反
射色調等を考慮して上述した範囲内で設定すればよい
が、より好ましくは、ＳｎＯ₂膜２の膜厚は３６ｎｍ〜
４５ｎｍ、ＳｉＯ₂膜３の膜厚は１９ｎｍ〜２６ｎｍ、
ＳｎＳｂＯ_X膜４の膜厚は１９０ｎｍ〜２３０ｎｍ、Ｓ
ｎＯ₂：Ｆ膜５の膜厚は２１０ｎｍ〜２６０ｎｍの範囲
に夫々設定するのが望ましい。さらに、この場合、Ｓｎ
ＳｂＯ_X膜４のアンチモン含有率を前記モル比で０．０
２〜０．０４、ＳｎＯ₂：Ｆ膜５のフッ素含有率を０．
３ｗｔ％〜０．６ｗｔ％に設定するのが好ましい。

【００４８】上述のような膜構成と上記アンチモン含有
率及びフッ素含有率とを有することにより、可視光透過
率を高く維持しつつ、遮熱性能が高く、しかも充分な断
熱性能を有し、さらに正面又は斜め方向から見た場合で
あっても反射色調は自然なニュートラル系の色調とな
り、より好ましい実施の形態となる。

【００４９】次に、前記金属酸化物系薄膜６の成膜に使
用する原料について説明する。

【００５０】金属酸化物系薄膜をガラス基板１上に成膜
する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法或い
は塗布法等を適用して行うことも可能であるが、薄膜の
生産性や耐久性（耐剥離性）等を考慮し、ＣＶＤ法、又
は溶液スプレー法、分散液スプレー法、粉末スプレー法
等のスプレ−法を使用するのが好ましい。

【００５１】そして、ＣＶＤ法でＳｎＯ₂膜２を成膜す
る場合のスズ原料としては、導電性を上げる観点からは
モノブチルスズトリクロライド、四塩化スズ、ジメチル
スズジクロライド、ジブチルスズジクロライド、ジオク
チルスズジクロライド等の塩素を含有したスズ化合物が
好ましいが、テトラメチルスズ、テトラブチルスズ、ジ
ブチルスズジアセテート等を使用することもでき、また
酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥空気等を使用す
ることができる。

【００５２】また、スプレー法でＳｎＯ₂膜２を成膜す
る場合のスズ原料としては、導電性を上げる観点から
は、上述したＣＶＤ法の場合と同様、モノブチルスズト
リクロライド、四塩化スズ、ジメチルスズジクロライ
ド、ジブチルスズジクロライド、ジオクチルスズジクロ
ライド等の塩素を含有したスズ化合物が好ましいが、テ
トラメチルスズ、テトラオクチルスズ、ジブチルスズオ
キサイド、ジブチルスズジラウレート、モノブチルスズ
脂肪酸、ジブチルスズ脂肪酸、ジブチルスズジアセテー
ト、ジオクチルスズジラウレート等を使用することもで
きる。

【００５３】さらに、ＣＶＤ法でＳｉＯ₂膜３を成膜す
る場合のケイ素原料としては、モノシラン、ジシラン、
トリシラン、モノクロロシラン、1,2−ジメチルシラ
ン、1,1,2−トリメチルジシラン、1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン等のシラン系化合物や、テトラメチルオルソ
シリケート、テトラエチルオルソシリケート等を使用す
ることができ、また酸化原料としては酸素、水蒸気、乾
燥空気、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素、オゾン
等を使用することができる。

【００５４】尚、上記ケイ素原料としてシラン系化合物
を使用する場合は、該シラン系化合物がガラス基板１の
表面に到達するまで該シラン系化合物の反応を抑止し、
かつＳｉＯ₂膜３の屈折率を制御するために、エチレ
ン、アセチレン或いはトルエン等の不飽和炭化水素を適
宜添加するのも好ましい。

【００５５】また、上記ケイ素原料としてテトラメチル
オルソシリケート、テトラエチルオルソシリケート等を
使用する場合は、アルミニウムイソプロポキシド等を添
加して成膜速度を促進させるのも好ましい。

【００５６】また、スプレー法でＳｉＯ₂膜３を成膜す
る場合のケイ素原料としては、テトラメチルオルソシリ
ケート、テトラエチルオルソシリケート等を使用するこ
とができ、これらのケイ素原料にアルミニウムイソプロ
ポキシド等を添加して成膜速度を促進させるのも好まし
い。

【００５７】さらに、ＳｎＳｂＯx膜４の成膜に使用さ
れるアンチモン化合物としては、三塩化アンチモンや五
塩化アンチモンを使用することができ、ＳｎＯ₂：Ｆ膜
５の成膜に使用されるフッ素化合物としては、フッ化水
素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、ク
ロルジフルオロメタン、ジフルオロエタン等を使用する
ことができる。

【００５８】図２は本発明に係る低放射ガラスの第２の
実施の形態を示す断面図であって、該第２の実施の形態
では、第１の実施の形態と同様に形成されたガラス基板
１の表面にＳｎＯ₂膜２が形成されると共に、該ＳｎＯ₂
膜２の表面にはＳｉＯ₂膜３が形成され、さらに該Ｓｉ
Ｏ₂膜３の表面にはＳｎＯ₂：Ｆ膜５が形成され、さらに
該ＳｎＯ₂：Ｆ膜４の表面にＳｎＳｂＯx膜４が形成され
ている。そして、ガラス基板１の表面に積層されたこれ
らＳｎＯ₂膜２、ＳｉＯ₂膜３、ＳｎＯ₂：Ｆ膜５及びＳ
ｎＳｂＯx膜４とで金属酸化物系薄膜７を構成してい
る。

【００５９】また、本第２の実施の形態では金属酸化物
系薄膜７の積層順序との関係で、ＳｎＳｂＯx膜４の膜
中のアンチモン含有率は、スズに対するモル比で０．０
１〜０．２に設定される。すなわち、上述したようにア
ンチモンは導電性の向上に寄与してガラスの遮熱性能を
向上させる作用を有するが、ＳｎＳｂＯx膜４中のスズ
に対するアンチモン含有率がモル比で０．０１以下の場
合は遮熱性能の向上に寄与しない。一方、ＳｎＳｂＯx
膜４中のスズに対するアンチモンの含有率が、モル比で
０．１を超えた場合であっても、積層順序との関係で上
記第１の実施の形態（図１）とは異なり、色調整は可能
であるが、前記モル比が０．２を超えると可視光透過率
が低くなってガラスの透明性が低下し、室内や車内にい
る人間に不快感を与える。そこで、本第２の実施の形態
ではＳｎＳｂＯx膜中のアンチモン含有率を前記モル比
で０．０１〜０．２に設定した。

【００６０】尚、その他の成膜条件（膜厚、ＳｎＯ₂：
Ｆ膜中のフッ素含有率、使用原料）は第１の実施の形態
と同様である。

【００６１】図３は本発明に係る低放射ガラスの第３の
実施の形態を示す断面図であって、該第３の実施の形態
では、第１及び第２の実施の形態と同様に形成されたガ
ラス基板１の表面にＳｎＳｂＯx膜４が形成されると共
に、該ＳｎＳｂＯx膜４の表面にはＳｉＯ₂膜３が形成さ
れ、さらに該ＳｉＯ₂膜３の表面にはＳｎＯ₂：Ｆ膜５が
形成されている。そして、ガラス基板１の表面に積層さ
れたこれらＳｎＳｂＯx膜４、ＳｉＯ₂膜３、ＳｎＯ₂：
Ｆ膜５とで金属酸化物系薄膜８を構成している。

【００６２】そして、本第３の実施の形態では、ＳｎＳ
ｂＯx膜４の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定され、Ｓ
ｉＯ₂膜３は１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定され、ＳｎＯ₂：
Ｆ膜５の膜厚については２００ｎｍ〜５００ｎｍに設定
されている。

【００６３】前述した第１及び第２の実施の形態ではＳ
ｎＯ₂膜２及びＳｉＯ₂膜３をガラス基板１上に順次積層
させてこれらＳｎＯ₂膜２及びＳｉＯ₂膜３で色調整機能
を確保しているのに対し、本第３の実施の形態ではＳｎ
ＳｂＯx膜４及びＳｉＯ₂膜３をガラス基板１上に積層さ
せてこれらの膜厚を制御することにより、ＳｎＯ₂膜２
及びＳｉＯ₂膜３をガラス基板１上に積層された場合と
同様の色調整機能を確保し、これにより金属酸化物系薄
膜８の積層数を削減可能として生産性の効率化を図って
いる。すなわち、ＳｎＳｂＯx膜４及びＳｉＯ₂膜３の膜
厚を所定範囲内で略同一厚さに制御することにより、所
望の色調整が可能となると共に、断熱性能や透明性に優
れ且つ所望の遮熱性能を有する低放射ガラスを得ること
ができる。

【００６４】そして、これらＳｎＳｂＯx膜４及びＳｉ
Ｏ₂膜３の膜厚を共に１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定したの
は、これら膜厚が１０ｎｍ未満の場合は、遮熱性能を発
揮することができず、また所望の色調整を行うことがで
きないからであり、これらの膜厚が５０ｎｍを超える場
合も所望の色調整を行うことができないからである。

【００６５】また、ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の膜厚を２００ｎ
ｍ〜５００ｎｍに設定したのは上記第１の実施の形態と
同様、２００ｎｍ未満の膜厚では断熱性能を確保するこ
とができず、一方、膜厚が５００ｎｍを超えると前記ヘ
イズ率が大きくなり、住宅用窓ガラスに適さなくなるた
めである。

【００６６】尚、本第３の実施の形態においても、上記
第１及び第２の実施の形態と同様の成膜原料を使用する
ことができ、アンチモン含有率は第２の実施の形態と同
様、モル比で０．０１〜０．２に設定され、フッ素含有
率は０．０１〜１ｗｔ％に設定されている。

【００６７】以上、上記第１〜第３の実施の形態で本発
明の低放射ガラスを詳述したが、本発明の低放射ガラス
は上記実施の形態に限定されるものではなく、少なくと
もＳｎＳｂＯx膜４及びＳｉＯ₂膜３を含有した多層膜か
らなる金属酸化物系薄膜についても同様に適用可能であ
る。

【００６８】次に、上記低放射ガラスの製造方法につい
て説明する。

【００６９】上記各種金属酸化物系薄膜をガラス基板上
に形成する方法としては、上述したように真空蒸着法、
スパッタリング法、塗布法等でも可能であるが、生産性
や薄膜の耐久性を考慮するとＣＶＤ法か、或いはスプレ
ー法が好ましい。

【００７０】しかしながら、膜性能や生産性をより高め
るためには所謂フロート法によりガラス基板となるリボ
ン状ガラス（ガラスリボン）を作製し、次いで該ガラス
リボンの有する熱エネルギを利用した熱分解ＣＶＤを行
い、これによりガラスリボン上に膜形成を行うオンライ
ンＣＶＤ法により、製造するのが最も好ましい。

【００７１】図４はオンラインＣＶＤ装置を模式的に示
した概略構成図であって、該オンラインＣＶＤ装置は、
所定の高温雰囲気下、ガラス原料が投入されて該ガラス
原料を溶融する溶融窯１１と、該溶融窯１１からの溶融
ガラスが流れ込むバス（浴）１２と、該バス１２から引
き出されたガラスリボン１５を徐冷する徐冷窯１３とを
備え、また、前記バス１２には、所定量の溶融スズ１４
が内有されると共に、該バス１２の前方には複数の成膜
原料供給部１６（第１〜第５の成膜原料供給部１６ａ〜
１６ｅ）がガラスリボン１５の幅方向を覆うように列設
されている。尚、該成膜原料供給部１６の個数は、ガラ
スリボンに対する積層数や形成される膜厚の厚さに応じ
て適宜増減される。

【００７２】このように構成されたオンラインＣＶＤ装
置においては、所定のガラス原料粉末が１５００〜１６
００℃に加熱された溶融窯１１に投入されると該ガラス
原料粉末は溶融窯１１の内部で溶融して溶融ガラスとな
り、該溶融ガラスはバス１２に流れ込む。そして、バス
１２には上述したように溶融スズ１４が内有されている
が、溶融ガラスは溶融スズ１４に比べて比重が軽いため
溶融スズ１４上を浮いた状態で矢印Ａ方向へと移動して
いく。すなわち、溶融ガラスは溶融スズ１４上を浮く結
果、リボン状に成形されてガラスリボン１５となる。そ
して、該ガラスリボン１５は高温状態（例えば、６００
〜７５０℃）を保持して成膜原料供給部１６の下方に移
動する。

【００７３】そしてこの後、所定の成膜原料が成膜原料
供給部１６からガラスリボン１５の表面に供給され、該
ガラスリボン１５の有する熱エネルギを介して成膜原料
がガラスリボン１５上で熱分解し、所望の金属酸化物系
薄膜がガラスリボン１５上に堆積される。例えば、上記
図１に示すような金属酸化物系薄膜６を作製する場合
は、第１の成膜原料供給部１６ａからは、窒素で希釈さ
れたスズ化合物、酸素及び水がガラスリボン１５の表面
に供給されて第１層としてのＳｎＯ₂膜２が形成され、
第２の成膜原料供給部１６ｂからは、窒素で希釈された
ケイ素化合物、酸素及び必要に応じてエチレン等の不飽
和炭化水素がＳｎＯ₂膜２の表面に供給されて第２層と
してのＳｉＯ₂膜３が形成される。さらに第３の成膜原
料供給部１６ｃからは、窒素で希釈されたスズ化合物、
アンチモン化合物、酸素及び水蒸気からなる混合ガスが
ＳｉＯ₂膜３の表面に供給されて第３層としてのＳｎＳ
ｂＯx膜４が形成され、第４の成膜原料供給部１６ｄか
らは、窒素で希釈されたスズ化合物とフッ素化合物の蒸
気、酸素及び水蒸気からなる混合ガスがＳｎＳｂＯx膜
４の表面に供給されて第４層としてのＳｎＯ₂：Ｆ膜５
が形成される。尚、膜厚の厚い薄膜を積層する場合は、
同一の成膜原料が複数段（例えば、第４及び第５の成膜
原料供給部１６ｄ、１６ｅ）に分割されてガラスリボン
１５上に供給される。

【００７４】このようにして成膜されたガラスリボン１
５は複数のロール１７を介して徐冷窯１３に引き上げら
れ、矢印Ｂ方向に搬送されて該徐冷窯１３から順次排出
される。

【００７５】このように上記オンラインＣＶＤ法におい
ては、ガラスリボン１５の有する熱エネルギを利用した
熱分解により膜形成を行っているので、軟化点以上の温
度を有するガラス表面で成膜することが可能となり、膜
の性能、成膜反応速度、及び成膜反応効率も向上し、ま
た生産性の観点からも低放射ガラスを極めて効率良く大
量生産することができる。

【００７６】尚、その他の製造方法としては、上述した
ようにＣＶＤ法、又はスプレー法で製造するのが好まし
い。

【００７７】ＣＶＤ法で金属酸化物系薄膜を形成する場
合は、ガラス基板１を所定形状に切断した後、該ガラス
基板１を所定の高温に加熱し、該加熱したガラス基板１
上に成膜用の蒸気を噴霧することにより行うことができ
る。例えば、ガラス基板１をメッシュベルト上を搬送さ
せて加熱炉に案内し、該ガラス基板１が加熱炉を通過す
る間に成膜原料をガラス基板１に噴霧させ、ガラス基板
１の表面で反応させることにより、ガラス基板１には所
望の膜形成を行うことができる。

【００７８】スプレー法で金属酸化物系薄膜を形成する
場合は、溶液スプレー法で膜形成を行う場合は所定の金
属化合物を含む溶液を高温のガラス基板１上に噴霧すれ
ばよく、分散液スプレー法で膜形成を行う場合は上記溶
液に代えて所定の金属化合物の微粒子を溶液や溶剤に分
散させて分散液を作製し、該分散液を高温のガラス基板
１上に噴霧すればよい。また、粉末スプレー法で膜形成
を行う場合は所定の金属化合物の粉末を高温のガラス基
板１上に噴霧すればよい。

【００７９】尚、ＣＶＤ法とスプレー法とを比較した場
合、スプレー法では噴霧する液滴や粉末の制御が困難で
あり、また反応生成物や未分解生成物等の制御が困難で
あるため、膜厚の均一性を得ることが困難であり、また
積層後のガラスの歪も大きいく、したがってＣＶＤ法で
製造する方が好ましい。

【００８０】図５は本発明の低放射ガラスを使用したガ
ラス物品としての複層ガラスの一実施の形態を示す要部
断面図であって、該複層ガラスは、金属酸化物系薄膜６
（７、８）が積層された上記低放射ガラス１８とソーダ
石灰ガラス等からなるガラス板２２とが、前記金属酸化
物系薄膜６（７、８）がガラス板２２と対向するように
配置されると共に、その両端近傍には乾燥剤を含有した
スペーサ部材２０が介装され、さらにブチルゴム等の封
着材１９により両端が熱融着されて封止されている。そ
してこれにより、中空層２１が、低放射ガラス１、ガラ
ス板２２、スペーサ部材２０及び封着材１９により囲繞
されて画成されている。

【００８１】この種の複層ガラスは、従来より、ガラス
板単板に比べてより一層の断熱性能を向上させることが
できるとされているが、本発明の低放射ガラスは、可視
光透過率や断熱性能を低下させることなく遮熱性能を一
定範囲内で制御することができるので、本発明の低放射
ガラス１８を使用することにより、断熱性能が低下する
ことなく、遮熱性能がより一層向上し、使用地域やガラ
スの設置方位に限定されることなく快適な居住環境の実
現が可能な複層ガラスを得ることができる。

【００８２】尚、中空層２１としては、空気が充填され
た空気層が一般的に考えられるが、空気層に代えてアル
ゴンガス等の不活性ガスを封入した不活性ガス層として
もよい。また、空気を排出させて減圧した減圧層として
もよく、斯かる減圧層にした場合は断熱効果をより一層
高めることができる。また、中空層２１を減圧層で構成
する場合は、封着材１９を上記ブチルゴムに代えて低融
点ガラスで構成するのも好ましく、また減圧層内部の適
数個所に低放射ガラス１８とガラス板２２との間隔を調
整するためのスペーサ部材を配設するのも好ましい。

【００８３】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００８４】本発明者等は、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍ、
厚さ３ｍｍのフロート板ガラスを洗浄して乾燥し、該フ
ロート板ガラスをガラス基板１として、ＣＶＤ法により
該ガラス基板１に多層膜を形成した。すなわち、ガラス
基板１を大気開放型のメッシュベルトで搬送して約５７
０℃に加熱された加熱炉内に案内し、ガラス基板１が該
加熱炉を通過する間に所定の成膜原料をガラス基板１上
に供給し、ガラス基板１上で化学反応を起こさせて固相
を析出させ、ガラス基板１上に金属酸化物系薄膜６、
７、８を形成した。

【００８５】表１は本実施例で作製された金属酸化物系
薄膜の原料組成比、アンチモンとスズのモル比、膜種、
及び膜厚を示している。

【００８６】

【表１】

【００８７】〔実施例１〕まず、スズ原料として塩素を
含有したモノブチルスズトリクロライドを使用し、該モ
ノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、及び窒素を
所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスを
ガラス基板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２
を該ガラス基板１上に積層し、第１層を形成した。次い
で、ケイ素原料としてモノシランを使用し、該モノシラ
ン、酸素、窒素及び添加剤としてのエチレンを所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂
膜２上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｉＯ₂膜３を積層
し、第２層を形成した。次にスズ原料として塩素を含有
したモノブチルスズトリクロライド、アンチモン化合物
として三塩化アンチモンを使用し、該モノブチルスズト
リクロライドの蒸気、酸素、三塩化アンチモンの蒸気及
び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原
料ガスをＳｉＯ₂膜３上に供給して膜厚２００ｎｍのＳ
ｎＳｂＯx膜４を積層し、第３層を形成した。次いで、
スズ原料として塩素を含有したモノブチルスズトリクロ
ライド、フッ素化合物としてフッ化水素を使用し、該モ
ノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、フッ化水素
の蒸気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製
し、該原料ガスをＳｎＳｂＯx膜４上に供給して膜厚２
５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を積層して第４層を形成
し、これにより、膜構成がガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２
／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＳｂＯx膜４／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の
試験片を作製した（図１参照）。

【００８８】尚、第３層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率がスズに対しモル比で０．０４となるよ
うにモノブチルスズトリクロライド及び三塩化アンチモ
ンの使用量を調整した。

【００８９】〔実施例２〕実施例１と同様、まず、モノ
ブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、及び窒素を所
定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをガ
ラス基板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を
積層し、次いで、モノシラン、酸素、窒素及び添加剤と
してのエチレンを所定モル比に調合して原料ガスを作製
し、該原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜厚２５ｎ
ｍのＳｉＯ₂膜３を積層し、さらにモノブチルスズトリ
クロライドの蒸気、酸素、三塩化アンチモンの蒸気及び
窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原料
ガスをＳｉＯ₂膜３上に供給して膜厚５０ｎｍのＳｎＳ
ｂＯx膜４を積層し、最後にモノブチルスズトリクロラ
イドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所定モ
ル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＳ
ｂＯx膜４上に供給して膜厚３１０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜
５を積層し、これにより、実施例１と同様の膜構成（ガ
ラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＳｂＯx
膜４／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５）を有する試験片を作製した。

【００９０】尚、ＳｎＳｂＯx膜４におけるアンチモン
含有率がスズに対するモル比で０．０９となるようにモ
ノブチルスズトリクロライド及び三塩化アンチモンの使
用量を調整した。

【００９１】〔実施例３〕まず、スズ原料として塩素を
含有したモノブチルスズトリクロライドを使用し、該モ
ノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、及び窒素を
所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスを
ガラス基板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２
を該ガラス基板１上に積層し、第１層を形成した。次い
で、ケイ素原料としてモノシランを使用し、該モノシラ
ン、酸素、窒素及び添加剤としてのエチレンを所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂
膜２上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｉＯ₂膜３を積層
し、第２層を形成した。次にスズ原料として塩素を含有
したモノブチルスズトリクロライド、フッ素化合物とし
てフッ化水素を使用し、該モノブチルスズトリクロライ
ドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｉＯ₂
膜３上に供給して膜厚３５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を
積層し、第３層を形成した。次いでスズ原料として塩素
を含有したモノブチルスズトリクロライド、アンチモン
化合物として三塩化アンチモンを使用し、該モノブチル
スズトリクロライドの蒸気、酸素、三塩化アンチモンの
蒸気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製
し、該原料ガスをＳｎＯ₂：Ｆ膜５上に供給して膜厚２
５ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積層して第４層を形成し、
これにより、膜構成がガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／Ｓ
ｉＯ₂膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５／ＳｎＳｂＯx膜４の試験
片を作製した（図２参照）。

【００９２】尚、第４層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対しモル比で０．１２となるよ
うにモノブチルスズトリクロライド及び三塩化アンチモ
ンの使用量を調整した。

【００９３】〔実施例４〕実施例３と同様、モノブチル
スズトリクロライドの蒸気、酸素、及び窒素を所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをガラス基
板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を積層
し、次いでモノシラン、酸素、窒素及び添加剤としての
エチレンを所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該
原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜厚２５ｎｍのＳ
ｉＯ₂膜３を積層し、さらにモノブチルスズトリクロラ
イドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所定モ
ル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｉＯ
₂膜３上に供給して膜厚２５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を
積層し、最後にモノブチルスズトリクロライドの蒸気、
酸素、三塩化アンチモンの蒸気及び窒素を所定モル比に
調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂：Ｆ
膜５上に供給して膜厚２００ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を
積層し、これにより、実施例３と同様の膜構成（ガラス
基板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５
／ＳｎＳｂＯx膜４）を有する試験片を作製した。

【００９４】尚、ＳｎＳｂＯｘ膜４におけるアンチモン
含有率がスズに対するモル比で０．０４となるようにモ
ノブチルスズトリクロライド及び三塩化アンチモンの使
用量を調整した。

【００９５】〔実施例５〕実施例３と同様、モノブチル
スズトリクロライドの蒸気、酸素、及び窒素を所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをガラス基
板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を積層
し、次いでモノシラン、酸素、窒素及び添加剤としての
エチレンを所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該
原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜厚２５ｎｍのＳ
ｉＯ₂膜３を積層し、さらにモノブチルスズトリクロラ
イドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所定モ
ル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｉＯ
₂膜３上に供給して膜厚３５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を
積層し、最後にモノブチルスズトリクロライドの蒸気、
酸素、三塩化アンチモンの蒸気及び窒素を所定モル比に
調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂：Ｆ
膜５上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積
層し、これにより、実施例３と同様の膜構成（ガラス基
板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５／
ＳｎＳｂＯx膜４）を有する試験片を作製した。

【００９６】尚、ＳｎＳｂＯx膜４におけるアンチモン
含有率がスズに対するモル比で０．１９となるようにモ
ノブチルスズトリクロライド及び三塩化アンチモンの使
用量を調整した。

【００９７】〔実施例６〕まず、スズ原料として塩素を
含有したモノブチルスズトリクロライド、アンチモン化
合物として三塩化アンチモンを使用し、該モノブチルス
ズトリクロライドの蒸気、酸素、三塩化アンチモンの蒸
気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製し、
該原料ガスをガラス基板１上に供給して膜厚２５ｎｍの
ＳｎＳｂＯx膜４を積層し、第１層を形成した。次い
で、ケイ素原料としてモノシランを使用し、該モノシラ
ン、酸素、窒素及び添加剤としてのエチレンを所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＳｂ
Ｏx膜４上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｉＯ₂膜３を積層
し、第２層を形成した。次に、スズ原料として塩素を含
有したモノブチルスズトリクロライド、フッ素化合物と
してフッ化水素を使用し、該モノブチルスズトリクロラ
イドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所定モ
ル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｉＯ
₂膜３上に供給して膜厚３５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を
積層して第３層を形成し、これにより、膜構成がガラス
基板１／ＳｎＳｂＯx膜４／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ
膜５の試験片を作製した（図３参照）。

【００９８】尚、第１層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対するアンチモンのモル比が
０．１２となるようにモノブチルスズトリクロライド及
び三塩化アンチモンの使用量を調整した。

【００９９】〔実施例７〕この実施例７では、オンライ
ンＣＶＤ法（図４参照）により、実施例１と同様の膜構
成からなる試験片を作製した。

【０１００】すなわち、まず、けい砂、ソーダ灰等のガ
ラス原料粉末を１５００〜１６００℃に加熱された溶融
窯１１に投入して該ガラス原料粉末を溶融窯１１の内部
で溶融させ、次いで溶融した溶融ガラスをバス１２に流
れ込ませた。そして、バス１２では溶融スズ１４により
溶融ガラスがリボン状に成形されてガラスリボン１５と
なり、６００〜７５０℃の高温状態を保持して成膜原料
供給部１６の下方に移動する。

【０１０１】そして、スズ原料として塩素を含有したモ
ノブチルスズトリクロライド、ケイ素原料としてモノシ
ラン、アンチモン化合物として三塩化アンチモン、及び
フッ素化合物としてフッ化水素を夫々使用し、熱分解Ｃ
ＶＤ法により膜形成を行ったすなわち、第１の成膜原料
供給部１６ａからは、窒素で希釈されたモノブチルスズ
トリクロライド、酸素及び水をガラスリボン１５の表面
に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を積層し（第１
層）、次いで第２の成膜原料供給部１６ｂからは、窒素
で希釈されたモノシラン、酸素、更には添加剤としての
エチレンをＳｎＯ₂膜２の表面に供給して膜厚２５ｎｍ
のＳｉＯ₂膜３を積層した（第２層）。そしてさらに第
３の成膜原料供給部１６ｃからは、窒素で希釈されたモ
ノブチルスズトリクロライド、三塩化アンチモン、酸素
及び水蒸気からなる混合ガスをＳｉＯ₂膜３の表面に供
給して膜厚２００ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積層し（第
３層）、第４の成膜原料供給部１６ｄからは、窒素で希
釈されたモノブチルスズトリクロライドとフッ化水素の
蒸気、酸素及び水蒸気からなる混合ガスをＳｎＳｂＯx
膜４の表面に供給して膜厚２５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜
５を積層し（第４層）、このようにして膜構成がガラス
基板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＳｂＯx膜４
／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の試験片をオンラインＣＶＤ法で作
製した。

【０１０２】尚、第３層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対するアンチモンのモル比が
０．０４となるようにモノブチルスズトリクロライド及
び三塩化アンチモンの使用量を調整した。

【０１０３】〔実施例８〕実施例７と同様、まず、けい
砂、ソーダ灰等のガラス原料粉末を１５００〜１６００
℃に加熱された溶融窯１１に投入して該ガラス原料粉末
を溶融窯１１の内部で溶融させ、次いで溶融した溶融ガ
ラスをバス１２に流れ込ませた。そして、バス１２では
溶融スズ１４により溶融ガラスがリボン状に成形されて
ガラスリボン１５となり、６００〜７５０℃の高温状態
を保持して成膜原料供給部１６の下方に移動する。

【０１０４】そして、スズ原料として塩素を含有したモ
ノブチルスズトリクロライド、ケイ素原料としてモノシ
ラン、アンチモン化合物として三塩化アンチモン、及び
フッ素化合物としてフッ化水素を夫々使用し、熱分解Ｃ
ＶＤ法により膜形成を行った。すなわち、第１の成膜原
料供給部１６ａからは、窒素で希釈されたモノブチルス
ズトリクロライド、酸素及び水をガラスリボン１５の表
面に供給して膜厚４１ｎｍのＳｎＯ₂膜２を積層し（第
１層）、次いで第２の成膜原料供給部１６ｂからは、窒
素で希釈されたモノシラン、酸素、更には添加剤として
のエチレンをＳｎＯ₂膜２の表面に供給して膜厚２１ｎ
ｍのＳｉＯ₂膜３を積層した（第２層）。そしてさらに
第３の成膜原料供給部１６ｃからは、窒素で希釈された
モノブチルスズトリクロライド、三塩化アンチモン、酸
素及び水蒸気からなる混合ガスをＳｉＯ₂膜３の表面に
供給して膜厚２１０ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積層し
（第３層）、第４の成膜原料供給部１６ｄからは、窒素
で希釈されたモノブチルスズトリクロライドとフッ化水
素の蒸気、酸素及び水蒸気からなる混合ガスをＳｎＳｂ
Ｏx膜４の表面に供給して膜厚２４０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ
膜５を積層し（第４層）、このようにして膜構成がガラ
ス基板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂膜３／ＳｎＳｂＯx膜
４／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の試験片をオンラインＣＶＤ法で
作製した。

【０１０５】尚、第３層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対するアンチモンのモル比が
０．０３となるようにモノブチルスズトリクロライド及
び三塩化アンチモンの使用量を調整し、第４層のＳｎＯ
₂：Ｆ膜５におけるフッ素含有率が０．４５ｗｔ％とな
るようにモノブチルスズトリクロライド及びフッ化水素
等の使用量を調整した。

【０１０６】〔比較例１〕実施例１〜６と同様のＣＶＤ
法により膜構成がガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／ＳｉＯ₂
膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の試験片を作製した。

【０１０７】すなわち、モノブチルスズトリクロライド
の蒸気、酸素、及び窒素を所定モル比に調合して原料ガ
スを作製し、該原料ガスをガラス基板１上に供給して膜
厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を該ガラス基板１上に積層し
て第１層を形成した。次いで、モノシラン、酸素、窒素
及びエチレンを所定モル比に調合して原料ガスを作製
し、該原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜厚２５ｎ
ｍのＳｉＯ₂膜３を積層し、第２層を形成した。次に、
モノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、フッ化水
素の蒸気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作
製し、該原料ガスをＳｉＯ₂膜３上に供給して膜厚３５
０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を積層して第３層を形成し、
比較例１の試験片を作製した。

【０１０８】〔比較例２〕実施例１〜６と同様のＣＶＤ
法により、膜構成がガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／Ｓｉ
Ｏ₂膜３／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５／ＳｎＳｂＯx膜４であっ
て、ＳｎＳｂＯx膜４中のスズに対するアンチモンのモ
ル比が０．２を超える試験片を作製した。

【０１０９】すなわち、まず、モノブチルスズトリクロ
ライドの蒸気、酸素、及び窒素を所定モル比に調合して
原料ガスを作製し、該原料ガスをガラス基板１上に供給
して膜厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を該ガラス基板１上に
積層して第１層を形成した。次いで、モノシラン、酸
素、窒素及びエチレンを所定モル比に調合して原料ガス
を作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜厚
２５ｎｍのＳｉＯ₂膜３を積層し、第２層を形成した。
次に、モノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、フ
ッ化水素の蒸気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガ
スを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給して膜
厚３５０ｎｍのＳｎＯ₂：Ｆ膜５を積層して第３層を形
成した。次いで、モノブチルスズトリクロライドの蒸
気、酸素、三塩化アンチモンの蒸気及び窒素を所定モル
比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎ
Ｏ₂：Ｆ膜５上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｎＳｂＯx膜
４を積層し、第４層を形成し、比較例２の試験片を作製
した。

【０１１０】尚、第４層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対するアンチモンのモル比が
０．２２となるようにモノブチルスズトリクロライド及
び三塩化アンチモンの使用量を調整した。

【０１１１】〔比較例３〕実施例１〜６と同様のＣＶＤ
法により、膜構成がガラス基板１／ＳｉＯ₂膜３／Ｓｎ
Ｏ₂：Ｆ膜５／ＳｎＳｂＯx膜４の試験片を作製した。

【０１１２】すなわち、モノシラン、酸素、窒素及びエ
チレンを所定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原
料ガスをガラス基板１上に供給して膜厚２５ｎｍのＳｉ
Ｏ₂膜３を積層して第１層を形成し、次いで、該モノブ
チルスズトリクロライドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸
気及び窒素を所定モル比に調合して原料ガスを作製し、
該原料ガスをＳｉＯ₂膜３上に供給して膜厚３５０ｎｍ
のＳｎＯ₂：Ｆ膜５を積層して第２層を形成し、さら
に、モノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸素、三塩
化アンチモンの蒸気及び窒素を所定モル比に調合して原
料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂：Ｆ膜５上に供
給して膜厚２５ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積層して第３
層を形成し、比較例３の試験片を作製した。

【０１１３】尚、第３層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率はスズに対するアンチモンのモル比が
０．１２となるようにモノブチルスズトリクロライド及
び三塩化アンチモンの使用量を調整した。

【０１１４】〔比較例４〕実施例１〜６と同様のＣＶＤ
法により、膜構成がガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／Ｓｉ
Ｏ₂膜３／ＳｎＳｂＯx膜４であって、ＳｎＳｂＯx膜４
中のスズに対するアンチモンのモル比が０．０１未満の
試験片を作製した。

【０１１５】すなわち、モノブチルスズトリクロライド
の蒸気、酸素、及び窒素を所定モル比に調合して原料ガ
スを作製し、該原料ガスをガラス基板１上に供給して膜
厚２５ｎｍのＳｎＯ₂膜２を該ガラス基板１上に積層
し、第１層を形成した。次いで、モノシラン、酸素、窒
素及び添加剤としてのエチレンを所定モル比に調合して
原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｎＯ₂膜２上に供給
して膜厚２５ｎｍのＳｉＯ₂膜３を積層し、第２層を形
成した。次にモノブチルスズトリクロライドの蒸気、酸
素、三塩化アンチモンの蒸気及び窒素を所定モル比に調
合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳｉＯ₂膜３上
に供給して膜厚２００ｎｍのＳｎＳｂＯx膜４を積層
し、第３層を形成した。次いで、モノブチルスズトリク
ロライドの蒸気、酸素、フッ化水素の蒸気及び窒素を所
定モル比に調合して原料ガスを作製し、該原料ガスをＳ
ｎＳｂＯx膜４上に供給して膜厚２５０ｎｍのＳｎＯ₂：
Ｆ膜５を積層して第４層を形成し、比較例４の試験片を
作製した。

【０１１６】尚、第３層のＳｎＳｂＯx膜４におけるア
ンチモン含有率は、スズに対しモル比が０．００９とな
るようにモノブチルスズトリクロライド及び三塩化アン
チモンの使用量を調整した。

【０１１７】次に、このようにして得られた各試験片
（実施例１〜実施例７及び比較例１〜比較例４）につい
て、ガラスの透明性の尺度となる可視光透過率、ガラス
の遮熱性能の尺度となる日射透過率、及びガラスの断熱
性能の尺度となる垂直放射率をＪＩＳ Ｒ３１０６に準
拠して測定し、また色ムラについては目視判定した。

【０１１８】尚、可視光透過率及び日射透過率は、日立
製作所社製３３０型分光光度計を使用して測定し、垂直
放射率を算出するための赤外反射率は日立製作所社製２
７０−３０型赤外分光光度計を使用して測定した。

【０１１９】表２は各実施例及び各比較例における測定
結果を示している。

【０１２０】表２中、色ムラ判定は、○は良、△は可、
×は不良を示す。

【０１２１】

【表２】

【０１２２】可視透過率は、複層ガラスに組み入れた場
合を考慮し、低放射ガラス単板では７５％以上が必要で
あり、また、日射透過率は地域や方位に限定されること
なく適度な遮熱性能を確保するためには６０〜７０％の
範囲内とする必要がある。さらに垂直放射率については
良好な低放射性を有し、所望の断熱性能を確保するため
には０．２以下とする必要がある。

【０１２３】以上の基準を踏まえて測定結果を考察する
と、比較例１は、可視光透過率が８１．７％と高くガラ
スの透明性は十分に確保されており、また垂直放射率も
０．１３と低く断熱性能も確保され、さらに色ムラも生
じていないが、金属酸化物系薄膜中にはＳｎＳｂＯｘ膜
が含まれていないため、日射透過率が７１．５％と高
く、すなわち太陽光に含まれる赤外線を有効に遮断する
ことができず、遮熱性能を充分に確保することができな
い。したがって比較例１の低放射ガラスは断熱性能の点
から寒冷地域には適していても、夏季に熱暑感の激しい
地域や大量の日射エネルギが室内に流入する設置場所に
は適さない。

【０１２４】また、比較例２は、日射透過率は６９．０
％で遮熱性能は適度に確保され、垂直放射率も０．１３
と低く断熱性能も確保され、さらに色ムラも生じていな
いが、比較例２の膜構成ではＳｎＳｂＯｘ膜中のモル比
（＝Ｓｂ／Ｓｎ）が０．２２（＞０．２）と大きいため
可視光透過率が７３．９％と低い。すなわち、該低放射
ガラス単板を後述する複層ガラスに組み入れたときは、
可視光透過率が低下して透明性を損なう虞があり、室内
に居住する人間に不快感を与える結果となる。すなわ
ち、比較例２の低放射ガラスは低放射ガラス単板として
しか使用できない虞が大きく、用途が限定されることと
なる。

【０１２５】また、比較例３は、可視光透過率が７８．
０％と高くガラスの透明性は十分に確保されており、ま
た日射透過率も６８．９％と適度な遮熱性能が確保さ
れ、さらに垂直放射率も０．１３と低く断熱性能も確保
されているが、ＳｎＳｂＯｘ膜中のモル比（＝Ｓｂ／Ｓ
ｎ）が０．１２（＞０．１）と大きいため所望の色調整
を行うことができず色ムラが生じ、外観上の品質低下を
招いている。

【０１２６】さらに、比較例４は、可視光透過率が８
１．６％と高くガラスの透明性は十分に確保されてお
り、また垂直放射率も０．１３と低く断熱性能も確保さ
れており、さらに色ムラも生じないが、アンチモン含有
率がスズに対しモル比で０．００９（＜０．０１）と少
なすぎるため日射透過率が７１．３％と高く、所期の遮
熱性能を発揮し得ない。

【０１２７】これに対して、実施例１〜実施例８は、い
ずれも可視光透過率は７５％以上であり、したがって透
明性は十分に確保され、また、日射透過率はいずれも６
０〜７０％の範囲内にあり、一定の範囲内で遮熱性能が
制御されて地域や設置方位に限定されることなく適度な
遮熱性能が確保される。また、実施例１、実施例２、実
施例７及び実施例８はガラス基板１／ＳｎＯ₂膜２／Ｓ
ｉＯ₂膜３／ＳｎＳｂＯx膜４／ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の膜構
成を有しているが、ＳｎＳｂＯx膜４中のスズに対する
アンチモン含有率がモル比で０．０１〜０．１の範囲内
に入っているため、色ムラが生じることもない。また、
その他の実施例についても色ムラについて実用上支障が
生じない程度のものを得ることができることが判った。

【０１２８】さらに、実施例８は、ＳｎＯ₂膜の膜厚は
３６ｎｍ〜４５ｎｍ、ＳｉＯ₂膜３の膜厚は１９ｎｍ〜
２６ｎｍ、ＳｎＳｂＯ_X膜４の膜厚は１９０ｎｍ〜２３
０ｎｍ、ＳｎＯ₂：Ｆ膜５の膜厚は２１０ｎｍ〜２６０
ｎｍの範囲に夫々設定されており、また、ＳｎＳｂＯ_X
膜４のアンチモン含有率は前記モル比で０．０２〜０．
０４、ＳｎＯ₂：Ｆ膜５のフッ素含有率は０．３ｗｔ％
〜０．６ｗｔ％の範囲とされているため、可視光透過率
が７８．８％、日射透過率が６４．０％となって両者の
差が大きく正面又は斜め方向から見た場合であっても反
射色調は自然なニュートラル系の色調となった。因み
に、被膜面と反対側、すなわち非被膜面側の正面から見
た反射色調は、ＪＩＳ Ｚ８７２９に準拠したＬ^*ａ^*ｂ
^*表色系のクロマティクネス指数ａ^* 、ｂ^*により評価し
た結果、クロマティクネス指数ａ^*、ｂ^*は夫々「−０．
２」、「−０．５」であり、非被膜面側の斜め方向から
見た反射色調は、クロマティクネス指数ａ^* 、ｂ^*が夫
々「−０．９」、「２．３」であった（Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色
系では、一般に、クロマティクネス指数ａ^* 、ｂ^*が２
５＞ａ^*2＋ｂ^*2の範囲内にあるときに反射色調は、ニュ
ートラル系と判定される）。

【０１２９】このように本実施例の低放射ガラスは、一
定範囲内で制御された遮熱性能を有し、しかも十分な低
放射性を有しているため断熱性能も確保され、かつ透明
性や色調についても満足すべき結果が得ることができ
る。

【０１３０】次に、本発明者等は上記実施例１、実施例
３、実施例６及び比較例１の低放射ガラスを使用して、
上記図５に示すような複層ガラスを作製し、ＪＩＳ Ｒ
３１０６に準拠して可視光透過率、室内への日射エネル
ギの流入割合、すなわち遮熱性能の尺度となる日射熱取
得率を測定し、またＪＩＳ Ｒ３１０７に準拠して断熱
性能の尺度となる熱貫流率を測定した。

【０１３１】尚、可視光透過率、及び日射熱取得率を算
出するための日射透過率は日立製作所社製３３０型分光
光度計を使用して測定し、熱貫流率を算出するための赤
外反射率は日立製作所社製２７０−３０型赤外分光光度
計を使用して測定した。

【０１３２】表３は各実施例及び比較例における測定結
果を示している。

【０１３３】

【表３】

【０１３４】複層ガラスの場合、可視透過率は、７０％
以上が必要である。また、日射熱取得率は適度な遮熱性
能を確保するためには０．６５前後が望ましい。さらに
熱貫流率については所望の断熱性能を確保するためには
３．０Ｗ／ｍ²・Ｋ以下である必要がある。

【０１３５】以上の基準を踏まえて測定結果を考察する
と、比較例１は、可視光透過率は７５．５％と高く、ガ
ラスの透明性は十分に確保されており、また熱貫流率も
２．３Ｗ／ｍ²・Ｋと低いため断熱性能も確保されてい
るが、低放射ガラスの薄膜中にはＳｎＳｂＯｘ膜が含ま
れていないため、日射熱取得率が０．７０と高く、表２
の場合と同様、遮熱性能が低く、寒冷地域には適してい
ても、夏季に熱暑感の激しい地域や大量の日射エネルギ
が室内に流入する場所には適さない。

【０１３６】これに対して実施例１〜実施例３の複層ガ
ラスは、いずれも可視光透過率は７０％を確保してお
り、したがって複層ガラスとしても透明性は十分に確保
され、また、日射熱取得率はいずれも０．６５前後であ
り、したがって所望の適度な遮熱性能を確保することが
できる。すなわち本実施例の複層ガラスは、断熱性能を
損なうことなく所望の遮熱性能を有しており、使用地域
や設置方位に限定されることなく快適な居住環境の実現
が可能なことが判る。

【０１３７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る低放射
ガラスは、断熱性能を損なうことなく遮熱性能を一定の
範囲に保持することができ、したがって地域や設置方位
に限定されることのない低放射ガラスを得ることができ
る。しかも、本発明の低放射ガラスは、アンチモン含有
率や積層順序を制御することにより、透明性にも優れ、
色ムラも生じることがないので、あらゆる地域や場所に
設置した場合であっても快適な居住環境を実現すること
が可能となる。

【０１３８】また、本発明の低放射ガラスは、溶融スズ
上にガラス原料を流し込んで所定高温状態のリボン状ガ
ラスを形成し、該リボン状ガラスの表面に金属酸化物系
固相が堆積して前記金属酸化物系薄膜を形成することに
より、リボン状ガラスの有する熱エネルギを利用した熱
分解により膜形成を行うことができ、したがって軟化点
以上の温度を有するガラス表面で成膜することが可能と
なり、低コストでもって優れた膜性能を有する低放射ガ
ラスを効率良く大量生産することができる。

【０１３９】また、本発明に係るガラス物品は、上記低
放射ガラスを少なくとも１枚含む複数のガラスが互いに
対向配置されると共に、これら複数のガラス間には中空
層が形成されているので、優れた断熱性能と遮熱性能の
選択性から、より快適な居住環境を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る低放射ガラスの一実施の形態（第
１の実施の形態）を示す断面図である。

【図２】本発明に係る低放射ガラスの第２の実施の形態
を示す断面図である。

【図３】本発明に係る低放射ガラスの第３の実施の形態
を示す断面図である。

【図４】オンラインＣＶＤ装置を模式的に示した概略構
成図である。

【図５】本発明に係るガラス物品としての複層ガラスの
一実施の形態を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ ＳｎＯ₂膜 ３ ＳｉＯ₂膜 ４ ＳｎＳｂＯｘ膜 ５ ＳｎＯ₂：Ｆ膜 １５ ガラスリボン（リボン状ガラス） １８ 低放射ガラス

フロントページの続き (72)発明者 末吉 幸雄 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 藤沢 章 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 山本 透 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA01 AB11 AC06 EA02 EA05 EB01 EB06 EB09 GA01 GA04 GA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板の表面に金属酸化物を主成分
   とした複数の金属酸化物系薄膜が積層された低放射ガラ
   スにおいて、 前記複数の金属酸化物系薄膜が、少なくともアンチモン
   を含有したアンチモン含有・酸化スズ系薄膜と、フッ素
   を含有したフッ素含有・酸化スズ系薄膜とを含んでいる
   ことを特徴とする低放射ガラス。
2. 【請求項２】 前記アンチモン含有・酸化スズ系薄膜の
   スズに対するアンチモン含有率は、モル比で０．０１〜
   ０．２に設定されていることを特徴とする請求項１記載
   の低放射ガラス。
3. 【請求項３】 前記ガラス基板の表面に酸化スズ系薄膜
   が形成されると共に、該酸化スズ系薄膜の表面に酸化ケ
   イ素系薄膜が形成され、 さらに、少なくとも前記アンチモン含有・酸化スズ系薄
   膜及びフッ素含有酸化スズ系薄膜を含む複数の薄膜が前
   記酸化ケイ素系薄膜の表面に積層されていることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載の低放射ガラス。
4. 【請求項４】 前記酸化ケイ素系薄膜の表面に前記アン
   チモン含有・酸化スズ系薄膜が形成され、さらに該アン
   チモン含有・酸化スズ系薄膜の表面に前記フッ素含有・
   酸化スズ系薄膜が形成され、 かつ、前記アンチモン含有・酸化スズ系薄膜のスズに対
   するアンチモン含有率が、モル比で０．０１〜０．１に
   設定されていることを特徴とする請求項３記載の低放射
   ガラス。
5. 【請求項５】 前記酸化ケイ素系薄膜の表面に前記フッ
   素含有・酸化スズ系薄膜が形成され、さらに該フッ素含
   有・酸化スズ系薄膜の表面に前記アンチモン含有・酸化
   スズ系薄膜が形成されていることを特徴とする請求項３
   記載の低放射ガラス。
6. 【請求項６】 前記ガラス基板の表面に前記アンチモン
   含有・酸化スズ系薄膜が形成されると共に、該アンチモ
   ン含有・酸化スズ系薄膜の表面に酸化ケイ素系薄膜が形
   成され、さらに該酸化ケイ素系薄膜の表面に前記フッ素
   含有・酸化スズ系薄膜が形成されていることを特徴とす
   る請求項１又は請求項２記載の低放射ガラス。
7. 【請求項７】 前記酸化スズ系薄膜、前記アンチモン含
   有・酸化スズ系薄膜及び前記フッ素含有・酸化スズ系薄
   膜のうちの少なくとも１つ以上の薄膜に塩素が含有され
   ていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれ
   かに記載の低放射ガラス。
8. 【請求項８】 前記ガラス基板は、溶融スズ上にガラス
   原料を流し込んで形成された所定高温状態のリボン状ガ
   ラスから製造され、前記金属酸化物系薄膜は、前記リボ
   ン状ガラスの表面に金属酸化物系固相を堆積して形成さ
   れたことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか
   に記載の低放射ガラス。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
   の低放射ガラスを少なくとも１枚含む複数のガラスが互
   いに対向配置されると共に、これら複数のガラス間に中
   空層が形成されていることを特徴とするガラス物品。