JP2001196685A - 半導体光素子装置 - Google Patents
半導体光素子装置Info
- Publication number
- JP2001196685A JP2001196685A JP2000004442A JP2000004442A JP2001196685A JP 2001196685 A JP2001196685 A JP 2001196685A JP 2000004442 A JP2000004442 A JP 2000004442A JP 2000004442 A JP2000004442 A JP 2000004442A JP 2001196685 A JP2001196685 A JP 2001196685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- optical device
- semiconductor optical
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 残留反射率が存在しないように改良された半
導体光素子装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子１００の端面に、第１の
膜１、第２の膜２、第３の膜３からなる３層膜が設けら
れている。第１の膜１、第２の膜２および第３の膜３
の、屈折率および膜厚からなる、３層膜の全体としての
特性行列が、屈折率ｎfが半導体光素子１００の実効屈
折率ｎcの平方根の値であり、厚さが半導体発光素子１
００の波長λを４ｎfで割った値である単層膜の特性行
列と一致するように構成されている。
導体光素子装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子１００の端面に、第１の
膜１、第２の膜２、第３の膜３からなる３層膜が設けら
れている。第１の膜１、第２の膜２および第３の膜３
の、屈折率および膜厚からなる、３層膜の全体としての
特性行列が、屈折率ｎfが半導体光素子１００の実効屈
折率ｎcの平方根の値であり、厚さが半導体発光素子１
００の波長λを４ｎfで割った値である単層膜の特性行
列と一致するように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、半導体
光素子装置に関するものであり、発光ダイオード、半導
体レーザ、スーパールミネッセントダイオードあるいは
半導体レーザ増幅器等の発光素子端面に無反射コーティ
ング膜を形成した、半導体光素子装置に関する。
光素子装置に関するものであり、発光ダイオード、半導
体レーザ、スーパールミネッセントダイオードあるいは
半導体レーザ増幅器等の発光素子端面に無反射コーティ
ング膜を形成した、半導体光素子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、文献 J. T. Cox, G. Hass と
G. F. Jacobus 著, Journal of the Optical Society o
f America, vol.51, 第714頁−718頁、1961で開示され
た従来の無反射コーティング膜の構成を示す図である。
G. F. Jacobus 著, Journal of the Optical Society o
f America, vol.51, 第714頁−718頁、1961で開示され
た従来の無反射コーティング膜の構成を示す図である。
【０００３】図７を参照して、実効屈折率がｎcである
半導体レーザ１００の端面に、屈折率がｎ1で膜厚がｄ1
＝λ／（４ｎ1）である第１の膜１０１、屈折率がｎ2で
膜厚がｄ2＝λ／（４ｎ2）である第２の膜１０２、屈折
率がｎ3で膜厚がｄ3＝λ／（４ｎ3）である第３の膜１
０３が形成されている。ここで、λは半導体レーザの発
振波長である。
半導体レーザ１００の端面に、屈折率がｎ1で膜厚がｄ1
＝λ／（４ｎ1）である第１の膜１０１、屈折率がｎ2で
膜厚がｄ2＝λ／（４ｎ2）である第２の膜１０２、屈折
率がｎ3で膜厚がｄ3＝λ／（４ｎ3）である第３の膜１
０３が形成されている。ここで、λは半導体レーザの発
振波長である。
【０００４】また、各層の屈折率は次の関係を満たす。
【０００５】
【数２】
【０００６】次に、動作について説明する。半導体レー
ザ端面に設けられた第１の膜１０１、第２の膜１０２お
よび第３の膜１０３の屈折率は、上記式（１）を満た
し、かつ膜厚がλ／（４ｎi）［ｉ＝１，２，３］であ
るので、半導体レーザ内において、端面へ向かう光と端
面から反射してくる光の位相が１８０°（πラジアン）
ずれ、かつそれらの振幅が等しくなる。このため、半導
体レーザ端面での反射がなくなり、無反射膜が形成でき
る。
ザ端面に設けられた第１の膜１０１、第２の膜１０２お
よび第３の膜１０３の屈折率は、上記式（１）を満た
し、かつ膜厚がλ／（４ｎi）［ｉ＝１，２，３］であ
るので、半導体レーザ内において、端面へ向かう光と端
面から反射してくる光の位相が１８０°（πラジアン）
ずれ、かつそれらの振幅が等しくなる。このため、半導
体レーザ端面での反射がなくなり、無反射膜が形成でき
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光素子の
無反射膜は以上のように構成されているので、屈折率が
上記（１）式を満たす物質を選択する必要があるが、現
実には適切な物質が存在しない。このため、上記（１）
式からずれが生じ、無反射とはならず、残留反射率が存
在してしまうという問題点があった。
無反射膜は以上のように構成されているので、屈折率が
上記（１）式を満たす物質を選択する必要があるが、現
実には適切な物質が存在しない。このため、上記（１）
式からずれが生じ、無反射とはならず、残留反射率が存
在してしまうという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、入手容易な物質を用い、半導体
光素子端面の反射率をゼロにすることができるように改
良された半導体光素子装置を提供することを主要な目的
とする。
ためになされたもので、入手容易な物質を用い、半導体
光素子端面の反射率をゼロにすることができるように改
良された半導体光素子装置を提供することを主要な目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る半導体光
素子装置は、実効屈折率がｎcの半導体光素子を備え
る。上記半導体光素子の端面に、屈折率ｎ1で厚さがｄ1
の第１の膜、屈折率がｎ 2で厚さがｄ2の第２の膜、屈折
率がｎ3で厚さがｄ3の第３の膜からなる３層膜が設けら
れている。上記第１、第２および第３の膜のうち、１つ
以上は、その屈折率が上記半導体光素子の実効屈折率ｎ
cの平方根よりも大きく、上記第１、第２および第３の
膜のうち、１つ以上は、その屈折率が上記半導体光素子
の実効屈折率ｎcの平方根よりも小さい値である。上記
第１、第２および第３の膜の屈折率は、ｎ2≧ｎ1≧ｎ3
≧１を満たす。
素子装置は、実効屈折率がｎcの半導体光素子を備え
る。上記半導体光素子の端面に、屈折率ｎ1で厚さがｄ1
の第１の膜、屈折率がｎ 2で厚さがｄ2の第２の膜、屈折
率がｎ3で厚さがｄ3の第３の膜からなる３層膜が設けら
れている。上記第１、第２および第３の膜のうち、１つ
以上は、その屈折率が上記半導体光素子の実効屈折率ｎ
cの平方根よりも大きく、上記第１、第２および第３の
膜のうち、１つ以上は、その屈折率が上記半導体光素子
の実効屈折率ｎcの平方根よりも小さい値である。上記
第１、第２および第３の膜の屈折率は、ｎ2≧ｎ1≧ｎ3
≧１を満たす。
【００１０】上記第１、第２および第３の膜の屈折率お
よび膜厚からなる上記３層膜の全体としての特性行列
が、屈折率ｎfが上記半導体光素子の実効屈折率ｎcの平
方根の値であり、厚さが上記半導体光素子の波長λを４
ｎfで割った値である単層膜の特性行列と一致するよう
に、下記の式、
よび膜厚からなる上記３層膜の全体としての特性行列
が、屈折率ｎfが上記半導体光素子の実効屈折率ｎcの平
方根の値であり、厚さが上記半導体光素子の波長λを４
ｎfで割った値である単層膜の特性行列と一致するよう
に、下記の式、
【００１１】
【数３】
【００１２】を満たす。請求項１に係る半導体光素子装
置において、上記半導体光素子の実効屈折率から決まる
４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価
な３層膜で置換えたものは、上記半導体光素子の波長に
おいて、上記半導体光素子端面の反射率をゼロにする作
用がある。
置において、上記半導体光素子の実効屈折率から決まる
４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価
な３層膜で置換えたものは、上記半導体光素子の波長に
おいて、上記半導体光素子端面の反射率をゼロにする作
用がある。
【００１３】請求項２に係る半導体光素子装置において
は、上記半導体光素子の端面に、上記半導体光素子の実
効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の
代わりにそれと等価な３層膜で置換え、かつ上記半導体
光素子端面と第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、
第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間
の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが
半導体光素子の波長λを２ｎaで割った値である膜を１
層あるいは複数層挿入している。
は、上記半導体光素子の端面に、上記半導体光素子の実
効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の
代わりにそれと等価な３層膜で置換え、かつ上記半導体
光素子端面と第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、
第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間
の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが
半導体光素子の波長λを２ｎaで割った値である膜を１
層あるいは複数層挿入している。
【００１４】請求項２に係る半導体光素子装置によれ
ば、上記半導体光素子の波長において、上記半導体光素
子の端面の反射率をゼロにするとともに、上記半導体光
素子の波長以外では反射率が急激に大きくなる作用があ
る。
ば、上記半導体光素子の波長において、上記半導体光素
子の端面の反射率をゼロにするとともに、上記半導体光
素子の波長以外では反射率が急激に大きくなる作用があ
る。
【００１５】請求項３に係る半導体光素子装置において
は、半導体光素子が半導体レーザである。半導体レーザ
端面に、該半導体レーザの実効屈折率から決まる４分の
１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価な３層
膜で置換えたもの、または、上記半導体レーザの実効屈
折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わ
りに、それと等価な３層膜で置換え、かつ上記半導体レ
ーザ端面と第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、第
２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間の
１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが半
導体レーザの波長λを２ｎaで割った値である膜を１層
あるいは複数層挿入したものである。
は、半導体光素子が半導体レーザである。半導体レーザ
端面に、該半導体レーザの実効屈折率から決まる４分の
１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価な３層
膜で置換えたもの、または、上記半導体レーザの実効屈
折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わ
りに、それと等価な３層膜で置換え、かつ上記半導体レ
ーザ端面と第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、第
２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間の
１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが半
導体レーザの波長λを２ｎaで割った値である膜を１層
あるいは複数層挿入したものである。
【００１６】請求項３に係る半導体レーザによれば、半
導体レーザの発振波長において、該半導体レーザ端面の
反射率をゼロにする。または、半導体レーザの発振波長
において、該半導体レーザ端面の反射率をゼロにすると
ともに、上記半導体レーザの発振波長以外では、反射率
が急激に大きくなる作用がある。
導体レーザの発振波長において、該半導体レーザ端面の
反射率をゼロにする。または、半導体レーザの発振波長
において、該半導体レーザ端面の反射率をゼロにすると
ともに、上記半導体レーザの発振波長以外では、反射率
が急激に大きくなる作用がある。
【００１７】請求項４に係る半導体光素子装置において
は、上記半導体光素子はスーパールミネッセントダイオ
ードである。スーパールミネッセントダイオードの端面
に、該スーパールミネッセントダイオードの実効屈折率
から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに
それと等価な３層膜で置換えたもの、または、該スーパ
ールミネッセントダイオードの実効屈折率から決まる４
分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに、それと等価
な３層膜で置換え、かつ上記スーパールミネッセントダ
イオードと第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、第
２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間の
１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さがス
ーパールミネッセントダイオードの波長λを２ｎaで割
った値である膜を１層あるいは複数層挿入したものであ
る。
は、上記半導体光素子はスーパールミネッセントダイオ
ードである。スーパールミネッセントダイオードの端面
に、該スーパールミネッセントダイオードの実効屈折率
から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに
それと等価な３層膜で置換えたもの、または、該スーパ
ールミネッセントダイオードの実効屈折率から決まる４
分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに、それと等価
な３層膜で置換え、かつ上記スーパールミネッセントダ
イオードと第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、第
２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間の
１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さがス
ーパールミネッセントダイオードの波長λを２ｎaで割
った値である膜を１層あるいは複数層挿入したものであ
る。
【００１８】請求項４に係るスーパールミネッセントダ
イオードによれば、スーパールミネッセントダイオード
の波長において、上記スーパールミネッセントダイオー
ド端面の反射率をゼロにする、または、上記スーパール
ミネッセントダイオードの波長において、上記スーパー
ルミネッセントダイオード端面の反射率をゼロにすると
ともに、上記スーパールミネッセントダイオードの波長
以外では反射率が急激に大きくなる作用がある。
イオードによれば、スーパールミネッセントダイオード
の波長において、上記スーパールミネッセントダイオー
ド端面の反射率をゼロにする、または、上記スーパール
ミネッセントダイオードの波長において、上記スーパー
ルミネッセントダイオード端面の反射率をゼロにすると
ともに、上記スーパールミネッセントダイオードの波長
以外では反射率が急激に大きくなる作用がある。
【００１９】請求項５に係る半導体光素子装置におい
て、上記半導体光素子は発光ダイオードである。この発
明に係る発光ダイオード装置は、上記発光ダイオード端
面に、上記発光ダイオードの実効屈折率から決まる４分
の１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価な３
層膜で置換えたもの、または、上記発光ダイオードの実
効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の
代わりに、それと等価な３層膜で置換え、かつ上記発光
ダイオードと第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、
第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間
の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが
発光ダイオードの波長λを２ｎaで割った値である膜を
１層あるいは複数層挿入したものである。
て、上記半導体光素子は発光ダイオードである。この発
明に係る発光ダイオード装置は、上記発光ダイオード端
面に、上記発光ダイオードの実効屈折率から決まる４分
の１波長厚の理想的な単層膜の代わりにそれと等価な３
層膜で置換えたもの、または、上記発光ダイオードの実
効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な単層膜の
代わりに、それと等価な３層膜で置換え、かつ上記発光
ダイオードと第１の膜の間、第１の膜と第２の膜の間、
第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜と空気との間
の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが
発光ダイオードの波長λを２ｎaで割った値である膜を
１層あるいは複数層挿入したものである。
【００２０】請求項５の発明に係る発光ダイオード装置
においては、発光ダイオードの波長において、該発光ダ
イオード端面の反射率をゼロにする、または、上記発光
ダイオードの波長において、上記発光ダイオード端面の
反射率をゼロにするとともに、上記発光ダイオードの波
長以外では、反射率が急激に大きくなる作用がある。
においては、発光ダイオードの波長において、該発光ダ
イオード端面の反射率をゼロにする、または、上記発光
ダイオードの波長において、上記発光ダイオード端面の
反射率をゼロにするとともに、上記発光ダイオードの波
長以外では、反射率が急激に大きくなる作用がある。
【００２１】請求項６に係る半導体光素子装置におい
て、上記半導体光素子は半導体レーザ増幅器である。こ
の発明に係る半導体レーザ増幅器装置は、半導体レーザ
増幅器に、上記半導体レーザの実効屈折率から決まる４
分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに、それと等価
な３層膜で置換えたもの、または、上記半導体レーザ増
幅器の実効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な
単層膜の代わりに、それと等価な３層膜で置換え、かつ
上記半導体レーザ増幅器と第１の膜の間、第１の膜と第
２の膜の間、第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜
と空気との間の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有
し、かつ厚さが半導体レーザ増幅器の波長λを２ｎaで
割った値である膜を１層あるいは複数層挿入したもので
ある。
て、上記半導体光素子は半導体レーザ増幅器である。こ
の発明に係る半導体レーザ増幅器装置は、半導体レーザ
増幅器に、上記半導体レーザの実効屈折率から決まる４
分の１波長厚の理想的な単層膜の代わりに、それと等価
な３層膜で置換えたもの、または、上記半導体レーザ増
幅器の実効屈折率から決まる４分の１波長厚の理想的な
単層膜の代わりに、それと等価な３層膜で置換え、かつ
上記半導体レーザ増幅器と第１の膜の間、第１の膜と第
２の膜の間、第２の膜と第３の膜の間、および第３の膜
と空気との間の１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有
し、かつ厚さが半導体レーザ増幅器の波長λを２ｎaで
割った値である膜を１層あるいは複数層挿入したもので
ある。
【００２２】この発明によれば、半導体レーザ増幅器の
波長において、上記半導体レーザ増幅器端面の反射率を
ゼロにする、または、上記半導体レーザ増幅器の波長に
おいて、上記半導体レーザ増幅器端面の反射率をゼロに
するとともに、上記半導体レーザ増幅器の波長以外では
反射率が急激に大きくなる作用がある。
波長において、上記半導体レーザ増幅器端面の反射率を
ゼロにする、または、上記半導体レーザ増幅器の波長に
おいて、上記半導体レーザ増幅器端面の反射率をゼロに
するとともに、上記半導体レーザ増幅器の波長以外では
反射率が急激に大きくなる作用がある。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。
について説明する。
【００２４】実施の形態１ 図１は、実施の形態１に係る半導体光素子装置の、一部
断面図であり、半導体発光素子端面のコーティング膜の
部分を示す断面図である。実効屈折率がｎcの半導体レ
ーザ１００の端面に屈折率がｎ1で膜厚がｄ1である第１
の膜１と、屈折率がｎ2で膜厚がｄ2である第２の膜２
と、屈折率がｎ3で厚さがｄ3である第３の膜３が形成さ
れている。
断面図であり、半導体発光素子端面のコーティング膜の
部分を示す断面図である。実効屈折率がｎcの半導体レ
ーザ１００の端面に屈折率がｎ1で膜厚がｄ1である第１
の膜１と、屈折率がｎ2で膜厚がｄ2である第２の膜２
と、屈折率がｎ3で厚さがｄ3である第３の膜３が形成さ
れている。
【００２５】第１の膜１、第２の膜２および第３の膜３
のうち、１つ以上はその屈折率が半導体発光素子１００
の実効屈折率ｎcの平方根よりも大きく、第１の膜１、
第２の膜２および第３の膜３のうち、１つ以上は、その
屈折率が半導体発光素子１００の実効屈折率ｎcの平方
根よりも小さい値である。このように条件づけるのは、
このような条件がないと、後述する方程式の解が存在し
なくなるからである。
のうち、１つ以上はその屈折率が半導体発光素子１００
の実効屈折率ｎcの平方根よりも大きく、第１の膜１、
第２の膜２および第３の膜３のうち、１つ以上は、その
屈折率が半導体発光素子１００の実効屈折率ｎcの平方
根よりも小さい値である。このように条件づけるのは、
このような条件がないと、後述する方程式の解が存在し
なくなるからである。
【００２６】第１の膜１、第２の膜２および第３の膜３
の屈折率は、次の式（２）を満たす。１は、空気の屈折
率を表わしている。このように条件づけるのは、このよ
うな不等式を満足しないと、後述する方程式の解が存在
しなくなるからである。
の屈折率は、次の式（２）を満たす。１は、空気の屈折
率を表わしている。このように条件づけるのは、このよ
うな不等式を満足しないと、後述する方程式の解が存在
しなくなるからである。
【００２７】
【数４】
【００２８】第１の膜１、第２の膜２および第３の膜３
の屈折率および膜厚からなる、３層膜の全体としての、
特性行列が、屈折率ｎfが半導体発光素子の実効屈折率
ｎcの平方根の値であり、厚さが半導体発光素子の波長
λを４ｎfで割った値である単層膜の特性行列と一致す
るように、下記の式、
の屈折率および膜厚からなる、３層膜の全体としての、
特性行列が、屈折率ｎfが半導体発光素子の実効屈折率
ｎcの平方根の値であり、厚さが半導体発光素子の波長
λを４ｎfで割った値である単層膜の特性行列と一致す
るように、下記の式、
【００２９】
【数５】
【００３０】を満足するものとする。式（３）におい
て、０は、ｉは√−１であり、ｃｏｓπ／２の値であ
る。−ｉ／ｎfは−ｉ／ｎfｓｉｎπ／２の値を表わして
おり、−ｉｎfは−ｉｎfｓｉｎπ／２を表わしている。
ここに特性行列とは、光学材料の透過特性（入力に対す
る反射）を示す指標となるものである。
て、０は、ｉは√−１であり、ｃｏｓπ／２の値であ
る。−ｉ／ｎfは−ｉ／ｎfｓｉｎπ／２の値を表わして
おり、−ｉｎfは−ｉｎfｓｉｎπ／２を表わしている。
ここに特性行列とは、光学材料の透過特性（入力に対す
る反射）を示す指標となるものである。
【００３１】次に、各層厚ｄｉ（ｉ＝１、２、３）の求
め方について述べる。式（３）より、次の４つの式が導
ける。
め方について述べる。式（３）より、次の４つの式が導
ける。
【００３２】
【数６】
【００３３】
【数７】
【００３４】ここで、ｔａｎφ1＝ｘ，ｔａｎφ2＝ｙ，
ｔａｎφ3＝ｚと置くと、上式（４）、（５）、（６）
および（７）は次のようになる。
ｔａｎφ3＝ｚと置くと、上式（４）、（５）、（６）
および（７）は次のようになる。
【００３５】
【数８】
【００３６】ｘ，ｙおよびｚの３つの未知数に対して、
方程式は（４ａ）、（５ａ）および（８）の３つであ
る。以下、これを解いて３つの未知数を決定する。
方程式は（４ａ）、（５ａ）および（８）の３つであ
る。以下、これを解いて３つの未知数を決定する。
【００３７】（４ａ）より、
【００３８】
【数９】
【００３９】また、（８）において＋符号の場合につい
て整理すると、次式となる。
て整理すると、次式となる。
【００４０】
【数１０】
【００４１】
【数１１】
【００４２】
【数１２】
【００４３】本発明の実施の形態１では、半導体光素子
の実効屈折率ｎcが３．２、これに伴い理想的４分の１
波長無反射膜の反射率ｎfが１．７９、波長λが１．３
μｍであり、第１の膜を屈折率ｎ1が１．６０であるア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、第２の膜の屈折率ｎ2が３．２で
あるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、第３の膜の屈
折率ｎ3が１．４５である石英（ＳｉＯ2）としたとき、
第１の膜の膜厚ｄ1、第２の膜の膜厚ｄ2および第３の膜
の膜厚ｄ3は各々、１０６．２ｎｍ、１０．６ｎｍおよ
び７３．９ｎｍとなる。
の実効屈折率ｎcが３．２、これに伴い理想的４分の１
波長無反射膜の反射率ｎfが１．７９、波長λが１．３
μｍであり、第１の膜を屈折率ｎ1が１．６０であるア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、第２の膜の屈折率ｎ2が３．２で
あるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、第３の膜の屈
折率ｎ3が１．４５である石英（ＳｉＯ2）としたとき、
第１の膜の膜厚ｄ1、第２の膜の膜厚ｄ2および第３の膜
の膜厚ｄ3は各々、１０６．２ｎｍ、１０．６ｎｍおよ
び７３．９ｎｍとなる。
【００４４】ここでは、半導体光素子の実効屈折率ｎc
を３．２、波長１．３μｍとしたが、その他の実効屈折
率を有する光素子および波長に対しても本発明は有効で
ある。また、３層膜を、第１層がアルミナ、第２層がア
モルファスシリコン、第３層が石英で構成したが、その
他の材料でも、本発明は実現可能である。
を３．２、波長１．３μｍとしたが、その他の実効屈折
率を有する光素子および波長に対しても本発明は有効で
ある。また、３層膜を、第１層がアルミナ、第２層がア
モルファスシリコン、第３層が石英で構成したが、その
他の材料でも、本発明は実現可能である。
【００４５】実施の形態２ 図２は、実施の形態２に係る光素子の断面図である。実
施の形態１における３層膜の、第１の膜１と第２の膜２
の間に、屈折率ｎaで膜厚がｄa＝λ／（２ｎa）である
第４の膜４が挿入されている。ここで、λは半導体光素
子の波長である。
施の形態１における３層膜の、第１の膜１と第２の膜２
の間に、屈折率ｎaで膜厚がｄa＝λ／（２ｎa）である
第４の膜４が挿入されている。ここで、λは半導体光素
子の波長である。
【００４６】このように構成すると、波長λにおいて
は、第４の膜４の行列式は単位行列となるため、反射率
には全く影響を与えない。よって、反射率は実施の形態
１に係る３層膜の無反射膜と同じになる。一方が、波長
がλより±Δλずれた波長領域では、第４の膜４の行列
式は単位行列ではなくなるので、実施の形態１に係る３
層膜を含めた４層膜の反射率はゼロより大きな値とな
る。第４の膜４を挿入することで、反射を生じる境界が
増えるため、実施の形態１に係る３層膜より波長がずれ
たときの反射率の増加が大きくなる。このように、波長
選択性の急峻な無反射膜が実現できる。
は、第４の膜４の行列式は単位行列となるため、反射率
には全く影響を与えない。よって、反射率は実施の形態
１に係る３層膜の無反射膜と同じになる。一方が、波長
がλより±Δλずれた波長領域では、第４の膜４の行列
式は単位行列ではなくなるので、実施の形態１に係る３
層膜を含めた４層膜の反射率はゼロより大きな値とな
る。第４の膜４を挿入することで、反射を生じる境界が
増えるため、実施の形態１に係る３層膜より波長がずれ
たときの反射率の増加が大きくなる。このように、波長
選択性の急峻な無反射膜が実現できる。
【００４７】たとえば、波長１．３μｍの場合、屈折率
２．１のＴｉＯ2を挿入するとすると、その膜厚は３０
９．５ｎｍにすればよいことがわかる。
２．１のＴｉＯ2を挿入するとすると、その膜厚は３０
９．５ｎｍにすればよいことがわかる。
【００４８】ここでは、第１の膜と第２の膜の間に屈折
率ｎaで膜厚がｄa＝λ／（２ｎa）である膜を１層のみ
挿入して、その他の境界に、屈折率ｎaで膜厚がｄa＝λ
／（２ｎa）である膜を複数層挿入すると効果はさらに
大きくなる。
率ｎaで膜厚がｄa＝λ／（２ｎa）である膜を１層のみ
挿入して、その他の境界に、屈折率ｎaで膜厚がｄa＝λ
／（２ｎa）である膜を複数層挿入すると効果はさらに
大きくなる。
【００４９】実施の形態３ 図３は、実施の形態３に係る発振波長１．５５μｍの分
布帰還型半導体（Distributed Feedback：ＤＦＢ）レー
ザの断面図である。半導体レーザは、ｎ電極５、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板６、ｎ−ＩｎＰバッファ層７、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ光ガイド層８、多重量子井戸活性層９、ｐ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１０、ｐ−ＩｎＰ回折光子形成層１
１、ｐ−ＩｎＰクラッド層１２、ｐ−ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１３、ｐ電極１４を含む。半導体レーザの端面
に、１２６．７ｎｍ厚のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）１ａと１
２．６ｎｍ厚のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２
ａ、８８．１ｎｍ厚の石英（ＳｉＯ2）３ａが設けられ
ている。
布帰還型半導体（Distributed Feedback：ＤＦＢ）レー
ザの断面図である。半導体レーザは、ｎ電極５、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板６、ｎ−ＩｎＰバッファ層７、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ光ガイド層８、多重量子井戸活性層９、ｐ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層１０、ｐ−ＩｎＰ回折光子形成層１
１、ｐ−ＩｎＰクラッド層１２、ｐ−ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１３、ｐ電極１４を含む。半導体レーザの端面
に、１２６．７ｎｍ厚のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）１ａと１
２．６ｎｍ厚のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２
ａ、８８．１ｎｍ厚の石英（ＳｉＯ2）３ａが設けられ
ている。
【００５０】光は、ｐ−ＩｎＰ回折格子形成層１１で反
射し、その回折光子ピッチで決まる単一の波長で発振す
る。ただし、端面における反射が存在する場合は、この
端面反射率の影響を受けて単一モード性が悪化する。こ
のため、ＤＦＢレーザにおいては、端面の反射率を低減
することが望まれる。
射し、その回折光子ピッチで決まる単一の波長で発振す
る。ただし、端面における反射が存在する場合は、この
端面反射率の影響を受けて単一モード性が悪化する。こ
のため、ＤＦＢレーザにおいては、端面の反射率を低減
することが望まれる。
【００５１】図３の装置は、発振波長が１．５５μｍで
ある場合の実施の形態１の３層膜をＤＦＢレーザ両端面
に設けたものである。このようにすると、単一性の良好
なＤＦＢレーザが実現できる。
ある場合の実施の形態１の３層膜をＤＦＢレーザ両端面
に設けたものである。このようにすると、単一性の良好
なＤＦＢレーザが実現できる。
【００５２】実施の形態３では、発振波長１．５５μｍ
ＬＤに対しての例を示したが、この発明は、この波長帯
に限るものではなく、その他の波長、たとえば、１．３
μｍ帯ＤＦＢレーザ、０．９８μｍ帯ＤＦＢレーザにも
有効である。
ＬＤに対しての例を示したが、この発明は、この波長帯
に限るものではなく、その他の波長、たとえば、１．３
μｍ帯ＤＦＢレーザ、０．９８μｍ帯ＤＦＢレーザにも
有効である。
【００５３】また、回折格子を有するその他の半導体レ
ーザ、たとえばＤＢＲレーザにも有効である。
ーザ、たとえばＤＢＲレーザにも有効である。
【００５４】なお、ここでは、Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／Ｓ
ｉＯ2の３層膜を例示したが、この発明は、この組合せ
に限られるものではない。
ｉＯ2の３層膜を例示したが、この発明は、この組合せ
に限られるものではない。
【００５５】実施の形態４ 図４は、実施の形態４に係る、波長０．９８μｍのスー
パールミネッセントダイオードの断面図である。スーパ
ールミネッセントダイオードは、ｎ電極５ａ、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板６ａ、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層７ａ、アン
ドープｎ側ＧａＡｓ光ガイド層８ａ、アンドープＩｎＧ
ａＡｓ量子井戸活性層９ａ、アンドープｐ側ＧａＡｓ光
ガイド層１０ａ、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１２ａ、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１３ａ、ｐ電極１４ａを備え
る。スーパールミネッセントダイオードの前端面には、
波長０．９８μｍに対する本発明に係る３層膜による無
反射膜を設け、後端面には、厚さ１５３．１ｎｍのＡｌ
2Ｏ3と厚さ７２．１ｎｍのａ−Ｓｉ多層膜による反射率
約９８％の高反射率膜を設けることで、発振を抑えると
ともに前端面から多くの光を取出すことができる構造と
している。
パールミネッセントダイオードの断面図である。スーパ
ールミネッセントダイオードは、ｎ電極５ａ、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板６ａ、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層７ａ、アン
ドープｎ側ＧａＡｓ光ガイド層８ａ、アンドープＩｎＧ
ａＡｓ量子井戸活性層９ａ、アンドープｐ側ＧａＡｓ光
ガイド層１０ａ、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１２ａ、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１３ａ、ｐ電極１４ａを備え
る。スーパールミネッセントダイオードの前端面には、
波長０．９８μｍに対する本発明に係る３層膜による無
反射膜を設け、後端面には、厚さ１５３．１ｎｍのＡｌ
2Ｏ3と厚さ７２．１ｎｍのａ−Ｓｉ多層膜による反射率
約９８％の高反射率膜を設けることで、発振を抑えると
ともに前端面から多くの光を取出すことができる構造と
している。
【００５６】実施の形態４に係る発明では、発振波長
０．９８μｍに対するスーパールミネッセントダイオー
ドの例を示したが、この発明は、この波長帯に限るもの
ではなく、その他の波長、たとえば、０．８７μｍ帯、
１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯にも有効である。ま
た、ここでは、Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／ＳｉＯ2の３層膜
を例示したが、本発明は、この組合せに限るものではな
い。
０．９８μｍに対するスーパールミネッセントダイオー
ドの例を示したが、この発明は、この波長帯に限るもの
ではなく、その他の波長、たとえば、０．８７μｍ帯、
１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯にも有効である。ま
た、ここでは、Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／ＳｉＯ2の３層膜
を例示したが、本発明は、この組合せに限るものではな
い。
【００５７】実施の形態５ 図５は、実施の形態５に係る、波長０．８７μｍの発光
ダイオードの断面図である。発光ダイオードは、ｎ電極
５ｂ、ｎ−ＧａＡｓ基板６ｂ、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層７ｂ、アンドープｎ側ＡｌＧａＡｓ光ガイド層８
ｂ、アンドープＧａＡｓ量子井戸活性層９ｂ、アンドー
プｐ側ＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０ｂ、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１２ｂ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１３
ｂ、ｐ電極１４ｂを含む。
ダイオードの断面図である。発光ダイオードは、ｎ電極
５ｂ、ｎ−ＧａＡｓ基板６ｂ、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層７ｂ、アンドープｎ側ＡｌＧａＡｓ光ガイド層８
ｂ、アンドープＧａＡｓ量子井戸活性層９ｂ、アンドー
プｐ側ＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０ｂ、ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１２ｂ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１３
ｂ、ｐ電極１４ｂを含む。
【００５８】発光ダイオードの前端面には、波長０．８
７μｍに対する本発明に係る３層膜による無反射膜を設
け、後端面には、厚さ１５５．９ｎｍのＡｌ2Ｏ3と厚さ
６４．０ｎｍのａ−Ｓｉ多層膜による反射率約５０％の
反射膜を設けることで、発振を抑えている。
７μｍに対する本発明に係る３層膜による無反射膜を設
け、後端面には、厚さ１５５．９ｎｍのＡｌ2Ｏ3と厚さ
６４．０ｎｍのａ−Ｓｉ多層膜による反射率約５０％の
反射膜を設けることで、発振を抑えている。
【００５９】実施の形態５に係る発光ダイオードでは、
発振波長０．８７μｍに対する発光ダイオードの例を示
したが、この発明はこの波長帯に限るものでなく、その
他の波長、たとえば、０．９８μｍ帯、１．３μｍ帯お
よび１．５５μｍ帯にも有効である。また、ここでは、
Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／ＳｉＯ2の３層膜を例示したが、
この発明は、この組合せに限るものではない。
発振波長０．８７μｍに対する発光ダイオードの例を示
したが、この発明はこの波長帯に限るものでなく、その
他の波長、たとえば、０．９８μｍ帯、１．３μｍ帯お
よび１．５５μｍ帯にも有効である。また、ここでは、
Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／ＳｉＯ2の３層膜を例示したが、
この発明は、この組合せに限るものではない。
【００６０】実施の形態６ 図６は、実施の形態６に係る、波長１．３μｍの半導体
レーザ増幅器の断面図である。
レーザ増幅器の断面図である。
【００６１】半導体レーザ増幅器は、ｎ電極５ｃ、ｎ−
ＩｎＰ基板６ｃ、ｎ−ＩｎＰクラッド層７ｃ、アンドー
プｎ側ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８ｃ、アンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層９ｃ、アンドープｐ側Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１０ｃ、ｐ−ＩｎＰクラッド層
１２ｃ、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１３ｃ、ｐ電極
１４ｃを含む。半導体レーザ増幅器の両端面には、波長
１．３μｍで反射率が０となる無反射膜（１０６．２ｎ
ｍのＡｌ2Ｏ3膜１ｃと１０．６ｎｍのａ−Ｓｉ膜２ｃと
７３．９ｎｍのＳｉＯ2膜３ｃとからなる）が設けられ
ている。この無反射膜により、端面での反射がなくな
り、光の帰還がかからないので、半導体レーザ増幅器は
発振せずに、単なる利得媒質として働く。このため、外
部から入力光があった場合には、半導体レーザ増幅器内
で、その光が増幅し、もう一方の端面から出力する、い
わゆる増幅器が実現できる。
ＩｎＰ基板６ｃ、ｎ−ＩｎＰクラッド層７ｃ、アンドー
プｎ側ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８ｃ、アンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層９ｃ、アンドープｐ側Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１０ｃ、ｐ−ＩｎＰクラッド層
１２ｃ、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１３ｃ、ｐ電極
１４ｃを含む。半導体レーザ増幅器の両端面には、波長
１．３μｍで反射率が０となる無反射膜（１０６．２ｎ
ｍのＡｌ2Ｏ3膜１ｃと１０．６ｎｍのａ−Ｓｉ膜２ｃと
７３．９ｎｍのＳｉＯ2膜３ｃとからなる）が設けられ
ている。この無反射膜により、端面での反射がなくな
り、光の帰還がかからないので、半導体レーザ増幅器は
発振せずに、単なる利得媒質として働く。このため、外
部から入力光があった場合には、半導体レーザ増幅器内
で、その光が増幅し、もう一方の端面から出力する、い
わゆる増幅器が実現できる。
【００６２】実施の形態６では、発振波長１．３μｍ半
導体レーザ増幅器の例を示したが、この発明はこの波長
帯に限るものではなく、その他の波長、たとえば、１．
２μｍ帯レーザ増幅器、１．５５μｍ帯レーザ増幅器に
も有効である。また、ここでは、Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／
ＳｉＯ2の３層膜を例示したが、この発明はこの組合せ
に限るものではない。
導体レーザ増幅器の例を示したが、この発明はこの波長
帯に限るものではなく、その他の波長、たとえば、１．
２μｍ帯レーザ増幅器、１．５５μｍ帯レーザ増幅器に
も有効である。また、ここでは、Ａｌ2Ｏ3／ａ−Ｓｉ／
ＳｉＯ2の３層膜を例示したが、この発明はこの組合せ
に限るものではない。
【００６３】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【図１】 実施の形態１に係る半導体光素子装置の断面
図である。
図である。
【図２】 実施の形態２に係る半導体発光素子の断面図
である。
である。
【図３】 実施の形態３に係る、発振波長１．５５μｍ
の分布帰還型半導体レーザの断面図である。
の分布帰還型半導体レーザの断面図である。
【図４】 実施の形態４に係る、発振波長０．９８μｍ
のスーパールミネッセントダイオードの断面図である。
のスーパールミネッセントダイオードの断面図である。
【図５】 実施の形態５に係る、波長０．８７μｍの発
光ダイオードの断面図である。
光ダイオードの断面図である。
【図６】 実施の形態６に係る、発振波長１．３μｍの
半導体レーザ増幅器の断面図である。
半導体レーザ増幅器の断面図である。
【図７】 従来の、無反射コーティング膜を有する半導
体光素子装置の部分断面図である。
体光素子装置の部分断面図である。
１ 第１の膜、２ 第２の膜、３ 第３の膜、１００
半導体レーザ。
半導体レーザ。
Claims (6)
- 【請求項１】 実効屈折率がｎcの半導体光素子と、 前記半導体光素子の端面に設けられた、屈折率ｎ1で厚
さがｄ1の第１の膜、屈折率がｎ2で厚さがｄ2の第２の
膜、屈折率がｎ3で厚さがｄ3の第３の膜からなる３層膜
と、を備え、 前記第１、第２および第３の膜のうち、１つ以上はその
屈折率が前記半導体光素子の実効屈折率ｎcの平方根よ
りも大きく、前記第１、第２および第３の膜のうち１つ
以上はその屈折率が前記半導体光素子の実効屈折率ｎc
の平方根よりも小さい値であり、 前記第１、第２および第３の膜の屈折率は、ｎ2≧ｎ1≧
ｎ3≧１を満たし、 前記第１、第２および第３の膜の屈折率および膜厚から
なる、前記３層膜の全体としての、特性行列が、屈折率
ｎfが前記半導体光素子の実効屈折率ｎcの平方根の値で
あり、厚さが前記半導体光素子の波長λを４ｎfで割っ
た値である単層膜の特性行列と一致するように、下記の
式、 【数１】 を満たすことを特徴とする、半導体光素子装置。 - 【請求項２】 前記半導体光素子端面と前記第１の膜の
間、前記第１の膜と前記第２の膜の間、前記第２の膜と
前記第３の膜の間、および前記第３の膜と空気との間の
１箇所以上に、任意の屈折率ｎaを有し、かつ厚さが前
記半導体光素子の波長λを２ｎaで割った値である膜を
１層あるいは複数層挿入したことを特徴とする、請求項
１に記載の半導体光素子装置。 - 【請求項３】 前記半導体光素子は半導体レーザである
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体光
素子装置。 - 【請求項４】 前記半導体光素子はスーパールミネッセ
ントダイオードであることを特徴とする、請求項１また
は２に記載の半導体光素子装置。 - 【請求項５】 前記半導体光素子は発光ダイオードであ
ることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体
光素子装置。 - 【請求項６】 前記半導体光素子は半導体レーザ増幅器
であることを特徴とする、請求項１または２に記載の半
導体光素子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004442A JP2001196685A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体光素子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004442A JP2001196685A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体光素子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196685A true JP2001196685A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=18533234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000004442A Pending JP2001196685A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 半導体光素子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001196685A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363534A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子装置およびそれが用いられた半導体レーザモジュール |
| US6907057B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-06-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical device and semiconductor laser module using the semiconductor optical device |
| US6970633B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-11-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical device |
| CN100407463C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-30 | 三菱电机株式会社 | 半导体光电器件 |
| JP2008294202A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nec Electronics Corp | ファブリペロー型共振器レーザとその設計方法 |
| JP2011176380A (ja) * | 2002-03-08 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子のコーティング膜の設計方法 |
| JP2015022022A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 株式会社フジクラ | フェルール付光ファイバ、光モジュール、及び製造方法 |
| JP7183484B1 (ja) * | 2022-04-14 | 2022-12-05 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置用反射防止膜の設計方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243689A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
-
2000
- 2000-01-13 JP JP2000004442A patent/JP2001196685A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243689A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011176380A (ja) * | 2002-03-08 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子のコーティング膜の設計方法 |
| JP2004363534A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子装置およびそれが用いられた半導体レーザモジュール |
| US6907057B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-06-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical device and semiconductor laser module using the semiconductor optical device |
| US6970633B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-11-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical device |
| CN100407463C (zh) * | 2002-09-27 | 2008-07-30 | 三菱电机株式会社 | 半导体光电器件 |
| JP2008294202A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nec Electronics Corp | ファブリペロー型共振器レーザとその設計方法 |
| JP2015022022A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 株式会社フジクラ | フェルール付光ファイバ、光モジュール、及び製造方法 |
| JP7183484B1 (ja) * | 2022-04-14 | 2022-12-05 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置用反射防止膜の設計方法 |
| WO2023199459A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及び光半導体装置用反射防止膜の設計方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0361399A2 (en) | Semmiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties | |
| KR100562059B1 (ko) | 광 반도체장치 | |
| US4952019A (en) | Grating-coupled surface-emitting superluminescent device | |
| US8233514B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| US20070001578A1 (en) | Multiwavelength laser diode | |
| JP2001196685A (ja) | 半導体光素子装置 | |
| JP5310533B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3522107B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| WO2010147035A1 (ja) | 半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール | |
| JP2950302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2006128475A (ja) | 半導体レーザ | |
| US7215694B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP5024474B2 (ja) | 光半導体素子のコーティング膜の設計方法 | |
| JP2004356571A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置 | |
| JPWO2008117527A1 (ja) | 高輝度発光ダイオード | |
| JPH07302953A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US5031186A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3595677B2 (ja) | 光アイソレータ、分布帰還型レーザ及び光集積素子 | |
| JP2003152272A (ja) | 分散位相シフト構造分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2003218462A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置 | |
| JPH09129979A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH07321406A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4613374B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2004363534A (ja) | 半導体光素子装置およびそれが用いられた半導体レーザモジュール | |
| JP2000101146A (ja) | 発光素子モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061211 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100914 |