JP2001194778A - 改良されたドライフィルムフォトレジスト - Google Patents
改良されたドライフィルムフォトレジストInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
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- Y10S430/128—Radiation-activated cross-linking agent containing
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低減されたコールドフロー（ｃｏｌｄ ｆｌ
ｏｗ）を有する粘着性のない（ｔａｃｋ ｆｒｅｅ）ド
ライフィルムフォトレジスト、および改良されたドライ
フィルム構造物を提供する。 【解決手段】 室温以上のガラス転移温度を有し、少な
くとも約５００Ｄの重量平均分子量を有する架橋剤を含
むコールドフローの改善された、ポリエチレンテレフタ
レート支持体上に塗設されたドライフィルムフォトレジ
スト。
ｏｗ）を有する粘着性のない（ｔａｃｋ ｆｒｅｅ）ド
ライフィルムフォトレジスト、および改良されたドライ
フィルム構造物を提供する。 【解決手段】 室温以上のガラス転移温度を有し、少な
くとも約５００Ｄの重量平均分子量を有する架橋剤を含
むコールドフローの改善された、ポリエチレンテレフタ
レート支持体上に塗設されたドライフィルムフォトレジ
スト。
Description
【０００１】本発明はドライフィルムフォトレジストに
関する。より詳細には、本発明は、低減されたコールド
フロー（ｃｏｌｄ ｆｌｏｗ）を有する粘着性のない
（ｔａｃｋ ｆｒｅｅ）ドライフィルムフォトレジス
ト、および改良されたドライフィルム構造物に関する。
プリント回路ボードの製造においては、１次イメージン
グフォトレジスト（ｐｒｉｍａｒｙ ｉｍａｇｉｎｇ
ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）がドライフィルムとして、積
層回路ボードにアプライされる。積層板はしばしば、銅
張りエポキシボードである。ドライフィルムフォトレジ
ストは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）のような、ポリエステルから形成されるカバーまた
はサポートシート、フォトイメージャブル組成物（フォ
トレジスト）の層、および除去可能な保護シートから成
る。サポートシートは、ドライフィルムがリールにロー
ルされ、続いて、回路ボードブランクに平らに適用され
ることができるドライフィルムシェイプを提供する厚さ
のものである。保護シートは、例えば、ポリエチレンの
ような、フォトレジスト層から容易に除去される物質か
ら形成される。典型的なフォトレジスト組成物は粘着性
であり、ロールに巻き上げられた構造にされる、保護シ
ートのないフォトレジスト組成物はＰＥＴの裏側に付着
するであろうから、保護シートが必要とされる。
関する。より詳細には、本発明は、低減されたコールド
フロー（ｃｏｌｄ ｆｌｏｗ）を有する粘着性のない
（ｔａｃｋ ｆｒｅｅ）ドライフィルムフォトレジス
ト、および改良されたドライフィルム構造物に関する。
プリント回路ボードの製造においては、１次イメージン
グフォトレジスト（ｐｒｉｍａｒｙ ｉｍａｇｉｎｇ
ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）がドライフィルムとして、積
層回路ボードにアプライされる。積層板はしばしば、銅
張りエポキシボードである。ドライフィルムフォトレジ
ストは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）のような、ポリエステルから形成されるカバーまた
はサポートシート、フォトイメージャブル組成物（フォ
トレジスト）の層、および除去可能な保護シートから成
る。サポートシートは、ドライフィルムがリールにロー
ルされ、続いて、回路ボードブランクに平らに適用され
ることができるドライフィルムシェイプを提供する厚さ
のものである。保護シートは、例えば、ポリエチレンの
ような、フォトレジスト層から容易に除去される物質か
ら形成される。典型的なフォトレジスト組成物は粘着性
であり、ロールに巻き上げられた構造にされる、保護シ
ートのないフォトレジスト組成物はＰＥＴの裏側に付着
するであろうから、保護シートが必要とされる。
【０００２】レジスト層を積層回路ボードに適用するた
めに、保護シートは除去され、粘着性のフォトレジスト
層は熱および圧力を用いて銅張り積層板にラミネートさ
れる。次いで、回路ボード上に写されるべき所望のパタ
ーンを有するアートワークまたはフォトマスクがサポー
トシート上に配置される。アートワークは化学線を通さ
ない領域と化学線を通す別の領域を有している。アート
ワークまたはフォトマスクはフォトレジスト層上に残存
しており、フォトレジスト層は、アートワークの透明な
部分およびサポートシートを通過した化学線で露光され
る。化学線への露光は光誘導された、フォトレジストの
化学的変性を引き起こし、このことが、フォトレジスト
で被覆された積層回路ボードにアートワークのパターン
を移させる。露光に続いて、サポートシートが除去さ
れ、フォトレジスト層が、フォトレジスト層の未露光部
分を除去するようなアルカリ水性現像液で現像される。
続いて、フォトレジストが除去された部分において、ブ
ランクがエッチングされるかまたはめっきされ、それに
より、プリント回路が形成される。最終工程として、残
存しているフォトレジストがプリント回路ボードからス
トリップされる。
めに、保護シートは除去され、粘着性のフォトレジスト
層は熱および圧力を用いて銅張り積層板にラミネートさ
れる。次いで、回路ボード上に写されるべき所望のパタ
ーンを有するアートワークまたはフォトマスクがサポー
トシート上に配置される。アートワークは化学線を通さ
ない領域と化学線を通す別の領域を有している。アート
ワークまたはフォトマスクはフォトレジスト層上に残存
しており、フォトレジスト層は、アートワークの透明な
部分およびサポートシートを通過した化学線で露光され
る。化学線への露光は光誘導された、フォトレジストの
化学的変性を引き起こし、このことが、フォトレジスト
で被覆された積層回路ボードにアートワークのパターン
を移させる。露光に続いて、サポートシートが除去さ
れ、フォトレジスト層が、フォトレジスト層の未露光部
分を除去するようなアルカリ水性現像液で現像される。
続いて、フォトレジストが除去された部分において、ブ
ランクがエッチングされるかまたはめっきされ、それに
より、プリント回路が形成される。最終工程として、残
存しているフォトレジストがプリント回路ボードからス
トリップされる。
【０００３】回路ボード産業においては、高い解像度、
すなわち、より狭く解像するラインアンドスペースを有
するプリント回路ボードを得るための要望が継続して存
在している。ドライフィルムフォトレジストについて、
解像度についての固有の限定がサポートシートの厚さに
おいて存在する。サポートシートは、その寸法が、アー
トワークからの光路を増加させような厚さになることに
より解像度を限定し、また、光散乱、屈折、界面反射
（ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓ）
等によって本質的に解像度が限定される。例えば、サポ
ートシートにおける光学的拡散およびサポートシートか
らの反射のような、種々の光学的効果が所望の解像度の
低減を引き起こす。露光の前にサポートシートが除去さ
れ、アートワークまたはフォトマスクがフォトレジスト
層上に直接に置かれる場合には、解像度の低下は回避さ
れることができる。しかし、ドライフィルムフォトレジ
ストはそのままでは付着性であり、アートワークに付着
することとなる。フォトレジスト層のアートワークへの
付着はレジストレーション（ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏ
ｎ）を困難にし、さらに、繰り返しの適用の後に、アー
トワークがレジスト残留物で劣化されることとなる。ま
た、フォトレジストにおいて使用される光開始剤は、サ
ポートシートが除去されるときに、酸素の阻害を受け；
さらに、サポートシートの除去後、フォトレジストのフ
ォトスピードは素速く低下する。よって、ドライフィル
ムフォトレジストは、やむを得ず、サポートシートを通
して露光される。露光の間の、サポートシートの必要性
を除くことは、フォトレジストの解像度特性を向上させ
る助けとなるであろう。
すなわち、より狭く解像するラインアンドスペースを有
するプリント回路ボードを得るための要望が継続して存
在している。ドライフィルムフォトレジストについて、
解像度についての固有の限定がサポートシートの厚さに
おいて存在する。サポートシートは、その寸法が、アー
トワークからの光路を増加させような厚さになることに
より解像度を限定し、また、光散乱、屈折、界面反射
（ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓ）
等によって本質的に解像度が限定される。例えば、サポ
ートシートにおける光学的拡散およびサポートシートか
らの反射のような、種々の光学的効果が所望の解像度の
低減を引き起こす。露光の前にサポートシートが除去さ
れ、アートワークまたはフォトマスクがフォトレジスト
層上に直接に置かれる場合には、解像度の低下は回避さ
れることができる。しかし、ドライフィルムフォトレジ
ストはそのままでは付着性であり、アートワークに付着
することとなる。フォトレジスト層のアートワークへの
付着はレジストレーション（ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏ
ｎ）を困難にし、さらに、繰り返しの適用の後に、アー
トワークがレジスト残留物で劣化されることとなる。ま
た、フォトレジストにおいて使用される光開始剤は、サ
ポートシートが除去されるときに、酸素の阻害を受け；
さらに、サポートシートの除去後、フォトレジストのフ
ォトスピードは素速く低下する。よって、ドライフィル
ムフォトレジストは、やむを得ず、サポートシートを通
して露光される。露光の間の、サポートシートの必要性
を除くことは、フォトレジストの解像度特性を向上させ
る助けとなるであろう。
【０００４】粘着性を低減させ、化学線での露光の間に
サポートシートを除いた、多くのドライフィルムフォト
レジストが開発されているといわれている。サポートシ
ートの除去、アートワークとの直接の接触、およびカバ
ーシート無しでの露光を可能にするドライフィルムフォ
トレジストを形成するための試みの１つが、例えば、Ｃ
ｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎらによる米国特許第４５３０８９
６号に開示されている。サポートシートとフォトレジス
ト層の間に挿入されるものは、例えば、ポリビニルアル
コールのような、アートワークがその上に直接配置され
ることができるような、非粘着性物質の薄い中間層であ
る。サポートシートの除去直後に、フォトレジスト層の
上を覆っている中間層は、さらに、フォトレジスト層の
中の光開始剤を酸素の阻害から保護する酸素バリアを提
供する。中間層は、比較的厚いサポートシート（０．７
−１．１ミル（ｍｉｌｓ））を通した露光の必要性を排
除するが、中間層はいくらかの厚さ（０．１−０．５ミ
ル）を追加し、アートワークからの光路を増加させ、光
散乱、屈折、界面反射などにより固有に解像度を限定す
る。また、そのような中間層は、追加のコストをドライ
フィルム製造に追加する。ＬＡＭＩＮＡＲ ＵＦは、そ
のような、中間層をドライフィルム構造物に組み込んだ
フォトレジストの例である。
サポートシートを除いた、多くのドライフィルムフォト
レジストが開発されているといわれている。サポートシ
ートの除去、アートワークとの直接の接触、およびカバ
ーシート無しでの露光を可能にするドライフィルムフォ
トレジストを形成するための試みの１つが、例えば、Ｃ
ｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎらによる米国特許第４５３０８９
６号に開示されている。サポートシートとフォトレジス
ト層の間に挿入されるものは、例えば、ポリビニルアル
コールのような、アートワークがその上に直接配置され
ることができるような、非粘着性物質の薄い中間層であ
る。サポートシートの除去直後に、フォトレジスト層の
上を覆っている中間層は、さらに、フォトレジスト層の
中の光開始剤を酸素の阻害から保護する酸素バリアを提
供する。中間層は、比較的厚いサポートシート（０．７
−１．１ミル（ｍｉｌｓ））を通した露光の必要性を排
除するが、中間層はいくらかの厚さ（０．１−０．５ミ
ル）を追加し、アートワークからの光路を増加させ、光
散乱、屈折、界面反射などにより固有に解像度を限定す
る。また、そのような中間層は、追加のコストをドライ
フィルム製造に追加する。ＬＡＭＩＮＡＲ ＵＦは、そ
のような、中間層をドライフィルム構造物に組み込んだ
フォトレジストの例である。
【０００５】Ｃｏｎｒａｄによる米国特許第５３９１４
５８号は、フォトレジストをマイルドな温度でベークす
ることによる、ドライフィルムレジストの厚さを低減さ
せる方法を開示する。フォトレジストのサポートシート
は除去され、フォトレジストは約１２５°Ｆ〜約２５０
°Ｆの温度でベークされる。Ｃｏｎｒａｄによると、ア
ートワークは、次いで、アートワークにフォトレジスト
が付着することなしに、ドライフィルム上に直接配置さ
れることができる。Ｃｏｎｒａｄの方法はサポートシー
トに関連したいくつかの問題を除くことができ、さらに
Ｃｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎらの中間層に関する問題を除く
ことができるが、ドライフィルムをベークすることは、
Ｃｏｎｒａｄの方法の温度においてさえ、フォトレジス
トを乾燥させる場合があるので、処理されることができ
ない場合がある。ドライフィルム配合物は多様であり、
ドライフィルム配合物の耐熱性は配合物により、かなり
異なる場合がある。よって、この分野の当業者は、得ら
れたドライフィルム配合物がＣｏｎｒａｄの温度におい
てベークした後に加工することができることを容易に予
測することができない。Ｃｏｎｒａｄの方法に開示され
るベーク方法は、その範囲をドライフィルムの粘着性の
問題を扱うものに限定されている。さらに、ドライフィ
ルムのベークは、低分子量モノマーならびに昇華可能な
光開始剤および光増感剤のような、必要で重要なフォト
レジスト組成物の成分を揮発させる。さらに、Ｃｈｒｉ
ｓｔｅｎｓｅｎらまたはＣｏｎｒａｄのいずれも、ドラ
イフィルムフォトレジストにおいて克服すべき別の問題
である「コールドフロー（ｃｏｌｄ ｆｌｏｗ）」の問
題に言及していない。
５８号は、フォトレジストをマイルドな温度でベークす
ることによる、ドライフィルムレジストの厚さを低減さ
せる方法を開示する。フォトレジストのサポートシート
は除去され、フォトレジストは約１２５°Ｆ〜約２５０
°Ｆの温度でベークされる。Ｃｏｎｒａｄによると、ア
ートワークは、次いで、アートワークにフォトレジスト
が付着することなしに、ドライフィルム上に直接配置さ
れることができる。Ｃｏｎｒａｄの方法はサポートシー
トに関連したいくつかの問題を除くことができ、さらに
Ｃｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎらの中間層に関する問題を除く
ことができるが、ドライフィルムをベークすることは、
Ｃｏｎｒａｄの方法の温度においてさえ、フォトレジス
トを乾燥させる場合があるので、処理されることができ
ない場合がある。ドライフィルム配合物は多様であり、
ドライフィルム配合物の耐熱性は配合物により、かなり
異なる場合がある。よって、この分野の当業者は、得ら
れたドライフィルム配合物がＣｏｎｒａｄの温度におい
てベークした後に加工することができることを容易に予
測することができない。Ｃｏｎｒａｄの方法に開示され
るベーク方法は、その範囲をドライフィルムの粘着性の
問題を扱うものに限定されている。さらに、ドライフィ
ルムのベークは、低分子量モノマーならびに昇華可能な
光開始剤および光増感剤のような、必要で重要なフォト
レジスト組成物の成分を揮発させる。さらに、Ｃｈｒｉ
ｓｔｅｎｓｅｎらまたはＣｏｎｒａｄのいずれも、ドラ
イフィルムフォトレジストにおいて克服すべき別の問題
である「コールドフロー（ｃｏｌｄ ｆｌｏｗ）」の問
題に言及していない。
【０００６】上述のように、ドライフィルムフォトレジ
ストはサポートシートおよび保護シートの間に挟まれ
る。ドライフィルムの製造は多層構造物をコアの周りに
巻き取り、ロールを形成することを含む。巻き上げは、
内部張力および圧力を生じさせるので、粘度の高いドラ
イフィルムフォトレジストは、ドライフィルムロールの
側面に沿って浸出することによって圧力を開放する。そ
のような現象はコールドフローとして知られている。コ
ールドフローは、シンスポット（ｔｈｉｎ ｓｐｏ
ｔ）、シンライン（ｔｈｉｎ ｌｉｎｅ）またはドライ
フィルムの厚さが所望の厚さよりも薄いその他の領域の
ような、重大な問題を引き起こす。そのような内部の不
均一性は顕著にリソグラフィック性能を低下させ、ドラ
イフィルムの製造収率を低下させる場合がある。また、
サポートシートおよび保護シートにおける表面の隆起は
ドライフィルムにシンスポットおよびボイドを生じさせ
るコールドフローを引き起こす。そのような隆起はしば
しばポリエチレン保護シート中に存在する。ポリエチレ
ン保護シートの必要性を除去することは、この問題を取
り除くのを助けるであろう。スポットおよびボイドを低
減させる試みにおいては、ドライフィルムフォトレジス
トは約１．３ミル〜約２ミルまたはそれ以上の厚さを有
する。しかし、そのような厚さは、回路ボード上に形成
されることができる構造物の微細度を限定する。回路ボ
ード上に形成される構造物がより小さくなるほど、ボー
ド上により多くの構造物が配置されることができ、ボー
ドがよりコンパクトなることが可能となる。
ストはサポートシートおよび保護シートの間に挟まれ
る。ドライフィルムの製造は多層構造物をコアの周りに
巻き取り、ロールを形成することを含む。巻き上げは、
内部張力および圧力を生じさせるので、粘度の高いドラ
イフィルムフォトレジストは、ドライフィルムロールの
側面に沿って浸出することによって圧力を開放する。そ
のような現象はコールドフローとして知られている。コ
ールドフローは、シンスポット（ｔｈｉｎ ｓｐｏ
ｔ）、シンライン（ｔｈｉｎ ｌｉｎｅ）またはドライ
フィルムの厚さが所望の厚さよりも薄いその他の領域の
ような、重大な問題を引き起こす。そのような内部の不
均一性は顕著にリソグラフィック性能を低下させ、ドラ
イフィルムの製造収率を低下させる場合がある。また、
サポートシートおよび保護シートにおける表面の隆起は
ドライフィルムにシンスポットおよびボイドを生じさせ
るコールドフローを引き起こす。そのような隆起はしば
しばポリエチレン保護シート中に存在する。ポリエチレ
ン保護シートの必要性を除去することは、この問題を取
り除くのを助けるであろう。スポットおよびボイドを低
減させる試みにおいては、ドライフィルムフォトレジス
トは約１．３ミル〜約２ミルまたはそれ以上の厚さを有
する。しかし、そのような厚さは、回路ボード上に形成
されることができる構造物の微細度を限定する。回路ボ
ード上に形成される構造物がより小さくなるほど、ボー
ド上により多くの構造物が配置されることができ、ボー
ドがよりコンパクトなることが可能となる。
【０００７】さらに、ドライフィルムのコールドフロー
はドライフィルムロールの終端で起こる場合があり、そ
れにより、巻き取られたロールにおける内部圧力は、フ
ォトレジストのフローアウト、および他の領域でのコー
ルドフローとの融合を引き起こす。そのような端部の融
合はドライフィルムの使用の前の切断（ｓｌｉｔｔｉｎ
ｇ）を必要とする。これは、結果として、フォトレジス
トの著しい廃棄をもたらすこととなる。ドライフィルム
が解かれる場合には、融合したドライフィルムからフレ
ーク（ｆｌａｋｅｓ）またはチップ（ｃｈｉｐｓ）が落
ちる。フレークまたはチップが、ドライフィルムフォト
レジストと回路ボードブランクまたは使用される他の基
体との間に捉えられる場合があり、結果として、処理に
変動が生じ、収率の低下を引き起こす。よって、リソグ
ラフィックの結果が悪くなる。そのような末端の融合
は、ドライフィルムの使用の前のスリット形成を必要と
する。この結果、フォトレジストの著しい廃棄をもたら
す。
はドライフィルムロールの終端で起こる場合があり、そ
れにより、巻き取られたロールにおける内部圧力は、フ
ォトレジストのフローアウト、および他の領域でのコー
ルドフローとの融合を引き起こす。そのような端部の融
合はドライフィルムの使用の前の切断（ｓｌｉｔｔｉｎ
ｇ）を必要とする。これは、結果として、フォトレジス
トの著しい廃棄をもたらすこととなる。ドライフィルム
が解かれる場合には、融合したドライフィルムからフレ
ーク（ｆｌａｋｅｓ）またはチップ（ｃｈｉｐｓ）が落
ちる。フレークまたはチップが、ドライフィルムフォト
レジストと回路ボードブランクまたは使用される他の基
体との間に捉えられる場合があり、結果として、処理に
変動が生じ、収率の低下を引き起こす。よって、リソグ
ラフィックの結果が悪くなる。そのような末端の融合
は、ドライフィルムの使用の前のスリット形成を必要と
する。この結果、フォトレジストの著しい廃棄をもたら
す。
【０００８】コールドフローをコントロールするための
試みにおいては、種々の方法が開発されている。そのよ
うな方法は、フラッシュフォトリシス（ｆｌａｓｈ ｐ
ｈｏｔｏｌｙｓｉｓ）し、ドライフィルムロールの端部
を硬化し、それにより、せき止める効果を生じさせるこ
とを含む。他の方法としては、フローをせき止めるため
の粘着性エンドキャップ装置の適用、内部圧力を物理的
に開放するためのエンボスド（ｅｍｂｏｓｓｅｄ）カバ
ーシートの使用、およびフォトイメージャブル組成物の
流動性を低減させるための、フォトイメージャブル組成
物中における両性インターポリマー（ａｍｐｈｏｔｅｒ
ｉｃ ｉｎｔｅｒｐｏｌｙｍｅｒｓ）の使用が挙げられ
る。例えば、Ｌｉｐｓｏｎらによる米国特許第４９４３
５１３号は、実質的にコールドフローを低減させると言
われているドライフィルムフォトレジストを開示する。
Ｌｉｐｓｏｎらは、ドライフィルムフォトレジストのポ
リマーバインダー中に、２＋またはそれ以上の電荷を有
する金属イオンを混合することによるコールドフローの
問題を言及する。そのような金属としては、チタン、
銅、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム等が挙げられ
る。金属イオンは、ポリマーバインダーのカルボキシル
基の間にソルトブリッジ（ｓａｌｔ−ｂｒｉｄｇｅ）を
形成し、ポリマーバインダーを架橋し、ドライフィルム
を硬化する。よって、ドライフィルムの硬化がコールド
フローを低減させる。よって、ドライフィルムのアンカ
ーリング（ａｎｃｈｏｒｉｎｇ）がコールドフローを低
減させる。粘着またはコールドフローを低減させること
に関する、多くの方法およびドライフィルムフォトレジ
ストが存在するが、ドライフィルム産業は、粘着の問題
およびコールドフローの問題を同時に低減させるような
ドライフィルムを未だ開発していない。
試みにおいては、種々の方法が開発されている。そのよ
うな方法は、フラッシュフォトリシス（ｆｌａｓｈ ｐ
ｈｏｔｏｌｙｓｉｓ）し、ドライフィルムロールの端部
を硬化し、それにより、せき止める効果を生じさせるこ
とを含む。他の方法としては、フローをせき止めるため
の粘着性エンドキャップ装置の適用、内部圧力を物理的
に開放するためのエンボスド（ｅｍｂｏｓｓｅｄ）カバ
ーシートの使用、およびフォトイメージャブル組成物の
流動性を低減させるための、フォトイメージャブル組成
物中における両性インターポリマー（ａｍｐｈｏｔｅｒ
ｉｃ ｉｎｔｅｒｐｏｌｙｍｅｒｓ）の使用が挙げられ
る。例えば、Ｌｉｐｓｏｎらによる米国特許第４９４３
５１３号は、実質的にコールドフローを低減させると言
われているドライフィルムフォトレジストを開示する。
Ｌｉｐｓｏｎらは、ドライフィルムフォトレジストのポ
リマーバインダー中に、２＋またはそれ以上の電荷を有
する金属イオンを混合することによるコールドフローの
問題を言及する。そのような金属としては、チタン、
銅、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム等が挙げられ
る。金属イオンは、ポリマーバインダーのカルボキシル
基の間にソルトブリッジ（ｓａｌｔ−ｂｒｉｄｇｅ）を
形成し、ポリマーバインダーを架橋し、ドライフィルム
を硬化する。よって、ドライフィルムの硬化がコールド
フローを低減させる。よって、ドライフィルムのアンカ
ーリング（ａｎｃｈｏｒｉｎｇ）がコールドフローを低
減させる。粘着またはコールドフローを低減させること
に関する、多くの方法およびドライフィルムフォトレジ
ストが存在するが、ドライフィルム産業は、粘着の問題
およびコールドフローの問題を同時に低減させるような
ドライフィルムを未だ開発していない。
【０００９】ドライフィルム構造物に関連する他の問題
は、保護シートの廃棄である。保護シートは、例えば、
ポリエチレンのような、生物分解可能でなく、モノマー
および他の低分子量または昇華可能な種をフォトレジス
トから吸収するものとして知られているポリマーからな
る。よって、保護カバーシートは重大な生物学的な危険
性を生じさせる。よって、使用後の、保護シートの廃棄
は限定された投棄領域に制限され、保護シート廃棄物の
投棄領域への移送にコストがかかる。さらに、保護シー
トは、再利用されず、わずか一度の使用の後に廃棄され
るので、そのような保護シートの必要性を除くことは、
ドライフィルムフォトレジストを使用するコストを低減
させるであろう。また、粘着の問題の除去は保護シート
の必要性も除去するであろう。ドライフィルムフォトレ
ジストは室温（約２０℃）以下のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）を有しているので、粘着およびコールドフローの問
題は、ドライフィルムフォトレジストにおいては解決す
るのが困難である。ガラス転移温度（Ｔｇ）はドライフ
ィルムフォトレジストが固体から半固体となる温度であ
る。ドライフィルムフォトレジストは室温以上の温度で
使用され、室温付近の温度で貯蔵される。よって、ドラ
イフィルムフォトレジストは本来的に付着性であり、コ
ールドフローすることとなる。よって、室温以上または
より高いガラス転移温度を有するドライフィルムフォト
レジストが非常に望ましい。
は、保護シートの廃棄である。保護シートは、例えば、
ポリエチレンのような、生物分解可能でなく、モノマー
および他の低分子量または昇華可能な種をフォトレジス
トから吸収するものとして知られているポリマーからな
る。よって、保護カバーシートは重大な生物学的な危険
性を生じさせる。よって、使用後の、保護シートの廃棄
は限定された投棄領域に制限され、保護シート廃棄物の
投棄領域への移送にコストがかかる。さらに、保護シー
トは、再利用されず、わずか一度の使用の後に廃棄され
るので、そのような保護シートの必要性を除くことは、
ドライフィルムフォトレジストを使用するコストを低減
させるであろう。また、粘着の問題の除去は保護シート
の必要性も除去するであろう。ドライフィルムフォトレ
ジストは室温（約２０℃）以下のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）を有しているので、粘着およびコールドフローの問
題は、ドライフィルムフォトレジストにおいては解決す
るのが困難である。ガラス転移温度（Ｔｇ）はドライフ
ィルムフォトレジストが固体から半固体となる温度であ
る。ドライフィルムフォトレジストは室温以上の温度で
使用され、室温付近の温度で貯蔵される。よって、ドラ
イフィルムフォトレジストは本来的に付着性であり、コ
ールドフローすることとなる。よって、室温以上または
より高いガラス転移温度を有するドライフィルムフォト
レジストが非常に望ましい。
【００１０】本発明は、粘着性がなく、低減されたコー
ルドフロー、および室温以上のガラス転移温度（Ｔｇ）
を有するドライフィルムフォトレジストに関する。本発
明は、保護カバーシートを必要としない、ドライフィル
ムフォトレジスト構造物にも関する。本発明は、ドライ
フィルムの化学線への露光の間にキャリアシートが必要
とされず、それにより解像度が改良された、ドライフィ
ルムフォトレジストプロセスにも関する。ドライフィル
ムフォトレジストはシャープなガラス転移温度（Ｔｇ）
を有するので、ドライフィルムフォトレジストは、基体
上でラミネートされ、基体におけるインパーフェクショ
ン（ｉｍｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｓ）を充填することがで
きるのに充分粘性である。ドライフィルムフォトレジス
トは、高い重量平均分子量の架橋剤を含む。高い重量平
均分子量の架橋剤は、ドライフィルムフォトレジスト中
に使用される架橋剤の５０重量％を超える量で含まれ
る。高い重量平均分子量の架橋剤と共に、ドライフィル
ムフォトレジストはポリマーバインダー、光開始剤、接
着促進剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｐｒｏｍｏｔｅｒ）等か
らなる。
ルドフロー、および室温以上のガラス転移温度（Ｔｇ）
を有するドライフィルムフォトレジストに関する。本発
明は、保護カバーシートを必要としない、ドライフィル
ムフォトレジスト構造物にも関する。本発明は、ドライ
フィルムの化学線への露光の間にキャリアシートが必要
とされず、それにより解像度が改良された、ドライフィ
ルムフォトレジストプロセスにも関する。ドライフィル
ムフォトレジストはシャープなガラス転移温度（Ｔｇ）
を有するので、ドライフィルムフォトレジストは、基体
上でラミネートされ、基体におけるインパーフェクショ
ン（ｉｍｐｅｒｆｅｃｔｉｏｎｓ）を充填することがで
きるのに充分粘性である。ドライフィルムフォトレジス
トは、高い重量平均分子量の架橋剤を含む。高い重量平
均分子量の架橋剤は、ドライフィルムフォトレジスト中
に使用される架橋剤の５０重量％を超える量で含まれ
る。高い重量平均分子量の架橋剤と共に、ドライフィル
ムフォトレジストはポリマーバインダー、光開始剤、接
着促進剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｐｒｏｍｏｔｅｒ）等か
らなる。
【００１１】ドライフィルムフォトレジストは粘着性が
ないので、アートワークがドライフィルムに接着する
か、またはドライフィルムによって汚染されるかもしれ
ないというような心配をすることなしに、露光の間に、
アートワークがドライフィルム上に直接配置されること
ができる。よって、露光の間に、サポートシートは必要
とされず、露光放射を妨げることがない。よって、ドラ
イフィルム中に、その後基体または積層回路ボード上
に、向上された解像度のパターンイメージが形成され
る。ドライフィルムフォトレジストは粘着性でないの
で、コストのかかる保護カバーシートは必要とされな
い。よって、ドライフィルムの製造コストが低減され、
環境的に危険なカバーシートの廃棄の問題が除かれる。
さらに、保護カバーシートが除去されることができるの
で、ドライフィルムフォトレジストは保護カバーシート
におけるインパーフェクションを補償するための厚みを
必要としない。よって、ドライフィルムフォトレジスト
は約１．０ミル以下の厚さを有することができる。
ないので、アートワークがドライフィルムに接着する
か、またはドライフィルムによって汚染されるかもしれ
ないというような心配をすることなしに、露光の間に、
アートワークがドライフィルム上に直接配置されること
ができる。よって、露光の間に、サポートシートは必要
とされず、露光放射を妨げることがない。よって、ドラ
イフィルム中に、その後基体または積層回路ボード上
に、向上された解像度のパターンイメージが形成され
る。ドライフィルムフォトレジストは粘着性でないの
で、コストのかかる保護カバーシートは必要とされな
い。よって、ドライフィルムの製造コストが低減され、
環境的に危険なカバーシートの廃棄の問題が除かれる。
さらに、保護カバーシートが除去されることができるの
で、ドライフィルムフォトレジストは保護カバーシート
におけるインパーフェクションを補償するための厚みを
必要としない。よって、ドライフィルムフォトレジスト
は約１．０ミル以下の厚さを有することができる。
【００１２】さらに、ドライフィルムフォトレジスト
は、コールドフローの問題を本質的になくす。シンスポ
ット、シンライン、ボイドおよびサポートシートおよび
保護シートにおける表面の隆起は著しく低減されるの
で、リソグラフィック性能は悪化しない。保護シートが
ドライフィルム中で除かれることができるので、保護シ
ートに関連する、そのような、スポット、ラインおよび
ボイドは除かれる。ドライフィルムが貯蔵のためにロー
ルに巻かれる時に、エンドフローが低減される。よっ
て、ロールが解かれる時に、フレーク形成およびチップ
形成が最小化される。本発明のドライフィルムフォトレ
ジストは、プリント回路ボードの形成におけるような、
１次イメージングレジストとして使用されることができ
る。本発明のドライフィルムフォトレジストは、例え
ば、プリント回路ボードのような電子パッケージング基
体における、ソルダマスク、永久的な内層、アドバンス
ト誘電体（ａｄｖａｎｃｅｄ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）、チップスケールパッケージング（ｃｈｉｐ ｓｃ
ａｌｅ ｐａｃｋａｇｉｎｇ）等として機能する、永久
的なフォトイメージャブルコーティングとして使用され
ることもできる。
は、コールドフローの問題を本質的になくす。シンスポ
ット、シンライン、ボイドおよびサポートシートおよび
保護シートにおける表面の隆起は著しく低減されるの
で、リソグラフィック性能は悪化しない。保護シートが
ドライフィルム中で除かれることができるので、保護シ
ートに関連する、そのような、スポット、ラインおよび
ボイドは除かれる。ドライフィルムが貯蔵のためにロー
ルに巻かれる時に、エンドフローが低減される。よっ
て、ロールが解かれる時に、フレーク形成およびチップ
形成が最小化される。本発明のドライフィルムフォトレ
ジストは、プリント回路ボードの形成におけるような、
１次イメージングレジストとして使用されることができ
る。本発明のドライフィルムフォトレジストは、例え
ば、プリント回路ボードのような電子パッケージング基
体における、ソルダマスク、永久的な内層、アドバンス
ト誘電体（ａｄｖａｎｃｅｄ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）、チップスケールパッケージング（ｃｈｉｐ ｓｃ
ａｌｅ ｐａｃｋａｇｉｎｇ）等として機能する、永久
的なフォトイメージャブルコーティングとして使用され
ることもできる。
【００１３】本発明の第１の目的は、粘着性のない、コ
ールドフロー問題が低減された、ドライフィルムフォト
レジストを提供することである。本発明の他の目的は、
室温以上のガラス転移温度を有するドライフィルムフォ
トレジストを提供することである。本発明のさらなる目
的は、シャープなガラス転移温度を有するドライフィル
ムフォトレジストを提供することである。本発明のさら
なる目的は、化学線への露光の間、アートワークがドラ
イフィルム上に直接配置されることができるように充分
ドライな、ドライフィルムフォトレジストを提供するこ
とである。本発明のさらに他の目的は、保護カバーシー
トの必要性を除去するのに充分ドライな、ドライフィル
ムフォトレジストを提供することである。本発明のさら
なる目的および利点は、本明細書の記載により当業者に
明確にされるであろう。
ールドフロー問題が低減された、ドライフィルムフォト
レジストを提供することである。本発明の他の目的は、
室温以上のガラス転移温度を有するドライフィルムフォ
トレジストを提供することである。本発明のさらなる目
的は、シャープなガラス転移温度を有するドライフィル
ムフォトレジストを提供することである。本発明のさら
なる目的は、化学線への露光の間、アートワークがドラ
イフィルム上に直接配置されることができるように充分
ドライな、ドライフィルムフォトレジストを提供するこ
とである。本発明のさらに他の目的は、保護カバーシー
トの必要性を除去するのに充分ドライな、ドライフィル
ムフォトレジストを提供することである。本発明のさら
なる目的および利点は、本明細書の記載により当業者に
明確にされるであろう。
【００１４】本発明は、粘着性がなく、低減されたコー
ルドフローの問題を有するドライフィルムフォトレジス
トに関する。本発明のドライフィルムフォトレジストは
室温（約２０℃）以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有す
るので、ドライフィルムは粘着性がない。有利なことに
は、ドライフィルムフォトレジストは、アートワークが
ドライフィルムに付着せず、アートワークがドライフィ
ルムで汚染されることなしに、フォトマスクのようなア
ートワークがドライフィルムフォトレジスト上に直接に
配置されることができるだけ充分に、粘着性を有してい
ない。よって、ドライフィルムの化学線への露光の間、
サポートシートは、ドライフィルムフォトレジストから
除かれることができる。サポートシートが存在しないこ
とは、ドライフィルム上に、改良された解像度のイメー
ジを提供する。保護カバーシートの存在に関連する回折
および他の光学的問題が除去される。さらに、例えば、
ポリエチレンのような非生物分解性物質からなる保護カ
バーシートはドライフィルム構造物から除かれることが
できる。
ルドフローの問題を有するドライフィルムフォトレジス
トに関する。本発明のドライフィルムフォトレジストは
室温（約２０℃）以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有す
るので、ドライフィルムは粘着性がない。有利なことに
は、ドライフィルムフォトレジストは、アートワークが
ドライフィルムに付着せず、アートワークがドライフィ
ルムで汚染されることなしに、フォトマスクのようなア
ートワークがドライフィルムフォトレジスト上に直接に
配置されることができるだけ充分に、粘着性を有してい
ない。よって、ドライフィルムの化学線への露光の間、
サポートシートは、ドライフィルムフォトレジストから
除かれることができる。サポートシートが存在しないこ
とは、ドライフィルム上に、改良された解像度のイメー
ジを提供する。保護カバーシートの存在に関連する回折
および他の光学的問題が除去される。さらに、例えば、
ポリエチレンのような非生物分解性物質からなる保護カ
バーシートはドライフィルム構造物から除かれることが
できる。
【００１５】ドライフィルムフォトレジストは、ドライ
フィルム中の架橋剤の、５０重量％より多い量で、高い
重量平均分子量（ａｖｅｒａｇｅ ｗｅｉｇｈｔ ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ）の架橋剤を含む。その
ような高い重量平均分子量の架橋剤は、少なくとも約５
００ダルトン（Ｄ）の平均分子量を有するモノマーまた
はオリゴマーである。好ましくは、モノマーの平均分子
量は約５００Ｄより大きく約１０００００Ｄまでの範囲
であり、最も好ましくは、約１５０００Ｄ〜約７５００
０Ｄである。架橋剤として使用されることができ、上述
の範囲の平均分子量を有する任意の好適なモノマーまた
はオリゴマーが、本発明を実施するために使用されるこ
とができる。
フィルム中の架橋剤の、５０重量％より多い量で、高い
重量平均分子量（ａｖｅｒａｇｅ ｗｅｉｇｈｔ ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ）の架橋剤を含む。その
ような高い重量平均分子量の架橋剤は、少なくとも約５
００ダルトン（Ｄ）の平均分子量を有するモノマーまた
はオリゴマーである。好ましくは、モノマーの平均分子
量は約５００Ｄより大きく約１０００００Ｄまでの範囲
であり、最も好ましくは、約１５０００Ｄ〜約７５００
０Ｄである。架橋剤として使用されることができ、上述
の範囲の平均分子量を有する任意の好適なモノマーまた
はオリゴマーが、本発明を実施するために使用されるこ
とができる。
【００１６】好ましいオリゴマーはアクリレートオリゴ
マーである。そのようなオリゴマーとしては、メチルア
クリレート、メチルメタアクリレート、ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ブチルメタアクリレート、オクチルア
クリレート、２−エトキシエチルメタアクリレート、ｔ
−ブチルアクリレート、１，５−ペンタンジオールジア
クリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−エチルアクリレ
ート、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブ
タンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジ
アクリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジアクリレート、デカメ
チレングリコールジアクリレート、デカメチレングリコ
ールジメタアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオ
ールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジ
アクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロ
ピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリア
クリレート、トリメチルプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、２，２−ジ（ｐ
−ヒドロキシフェニル）−プロパンジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、２，２−ジ
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジメタアクリレ
ート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオ
キシエチル−２−２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）−
プロパンジメタアクリレート、トリエチレングリコール
ジメタアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロー
ルプロパントリアクリレート、エチレングリコールジメ
タアクリレート、ブチレングリコールジメタアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジメタアクリレート、ブ
チレングリコールジメタアクリレート、１，２，４−ブ
タントリオールトリメタアクリレート、２，２，４−ト
リメチル−１，３−ペンタンジオールジメタアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、１−
フェニルエチレン−１，２−ジメタアクリレート、ペン
タエリスリトールテトラメタアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタアクリレート、１，５−ペンタン
ジオールジメタアクリレート、１，４−ベンゼンジオー
ルジメタアクリレートなどのようなアクリル酸のエステ
ルが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
マーである。そのようなオリゴマーとしては、メチルア
クリレート、メチルメタアクリレート、ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ブチルメタアクリレート、オクチルア
クリレート、２−エトキシエチルメタアクリレート、ｔ
−ブチルアクリレート、１，５−ペンタンジオールジア
クリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−エチルアクリレ
ート、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブ
タンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジ
アクリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジアクリレート、デカメ
チレングリコールジアクリレート、デカメチレングリコ
ールジメタアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオ
ールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジ
アクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロ
ピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリア
クリレート、トリメチルプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、２，２−ジ（ｐ
−ヒドロキシフェニル）−プロパンジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、２，２−ジ
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジメタアクリレ
ート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオ
キシエチル−２−２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）−
プロパンジメタアクリレート、トリエチレングリコール
ジメタアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロー
ルプロパントリアクリレート、エチレングリコールジメ
タアクリレート、ブチレングリコールジメタアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジメタアクリレート、ブ
チレングリコールジメタアクリレート、１，２，４−ブ
タントリオールトリメタアクリレート、２，２，４−ト
リメチル−１，３−ペンタンジオールジメタアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、１−
フェニルエチレン−１，２−ジメタアクリレート、ペン
タエリスリトールテトラメタアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタアクリレート、１，５−ペンタン
ジオールジメタアクリレート、１，４−ベンゼンジオー
ルジメタアクリレートなどのようなアクリル酸のエステ
ルが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００１７】他の好ましい架橋剤としては、アクリル化
ウレタンモノマーが挙げられる。そのようなアクリル化
ウレタンモノマーとしては、ウレタンジアクリレート、
ウレタントリアクリレート、ウレタンテトラアクリレー
ト、ウレタンジ（メタ）アクリレート、ウレタントリ
（メタ）アクリレート、ウレタンテトラ（メタ）アクリ
レートなどが挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
ウレタンモノマーが挙げられる。そのようなアクリル化
ウレタンモノマーとしては、ウレタンジアクリレート、
ウレタントリアクリレート、ウレタンテトラアクリレー
ト、ウレタンジ（メタ）アクリレート、ウレタントリ
（メタ）アクリレート、ウレタンテトラ（メタ）アクリ
レートなどが挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
【００１８】ドライフィルムの架橋剤は、ドライフィル
ムの約５重量％〜約４０重量％、好ましくは、約１５重
量％〜約３０重量％の量で含まれる。上述のオリゴマー
およびモノマーは、ドライフィルムの架橋剤の５０重量
％を超えて含まれる限りは、任意の好適な比率で混合さ
れることができる。好ましくは、ドライフィルムフォト
レジストは高分子量の架橋剤を、架橋剤の約６０重量％
〜約９５重量％の量で含み、最も好ましくは、約８０重
量％〜約９５重量％で含む。高い重量平均分子量のモノ
マーおよびオリゴマーが半量を超える量となる場合に
は、ドライフィルムが室温（約２０℃）を超えるＴｇを
有することとなる。また、高い重量平均分子量のモノマ
ーおよびオリゴマーの含有量が多い場合には、ドライフ
ィルムフォトレジストはシャープなＴｇを有することと
なる。シャープなＴｇはドライフィルムフォトレジスト
の融点を示す。ドライフィルムがそのＴｇに到達した場
合に、ドライフィルムは、ドライフィルムが機能するこ
とができるのに充分粘性となる。そのようなシャープな
Ｔｇは、例えば、フォトレジストの溶融を可能にする条
件下のホットロールラミネータによって、ドライフィル
ムフォトレジストが基体上にラミネートされることを可
能にし、このフォトレジストは基体に接着し、基体表面
のインパーフェクションを充填するのに充分な流動特性
を示す。ドライフィルムのＴｇ値は、約２０℃〜約１３
０℃の範囲で変化し、好ましくは、約４５℃〜約１１０
℃であり、最も好ましくは、約６０℃〜約９０℃であ
る。
ムの約５重量％〜約４０重量％、好ましくは、約１５重
量％〜約３０重量％の量で含まれる。上述のオリゴマー
およびモノマーは、ドライフィルムの架橋剤の５０重量
％を超えて含まれる限りは、任意の好適な比率で混合さ
れることができる。好ましくは、ドライフィルムフォト
レジストは高分子量の架橋剤を、架橋剤の約６０重量％
〜約９５重量％の量で含み、最も好ましくは、約８０重
量％〜約９５重量％で含む。高い重量平均分子量のモノ
マーおよびオリゴマーが半量を超える量となる場合に
は、ドライフィルムが室温（約２０℃）を超えるＴｇを
有することとなる。また、高い重量平均分子量のモノマ
ーおよびオリゴマーの含有量が多い場合には、ドライフ
ィルムフォトレジストはシャープなＴｇを有することと
なる。シャープなＴｇはドライフィルムフォトレジスト
の融点を示す。ドライフィルムがそのＴｇに到達した場
合に、ドライフィルムは、ドライフィルムが機能するこ
とができるのに充分粘性となる。そのようなシャープな
Ｔｇは、例えば、フォトレジストの溶融を可能にする条
件下のホットロールラミネータによって、ドライフィル
ムフォトレジストが基体上にラミネートされることを可
能にし、このフォトレジストは基体に接着し、基体表面
のインパーフェクションを充填するのに充分な流動特性
を示す。ドライフィルムのＴｇ値は、約２０℃〜約１３
０℃の範囲で変化し、好ましくは、約４５℃〜約１１０
℃であり、最も好ましくは、約６０℃〜約９０℃であ
る。
【００１９】高い重量平均分子量の架橋剤に加え、ドラ
イフィルムの架橋剤成分の残りの部分として、低い重量
平均分子量のモノマーを含むことができる。そのような
低い重量平均分子量のモノマーは５００Ｄ以下の平均分
子量を有している。低い平均分子量のモノマーの好適な
例としては、アクリレート、メタアクリレート、例え
ば、ビスフェノールＡのジアクリレート（または、メタ
アクリレート）エステルのようなエポキシ−アクリレー
トタイプ樹脂が挙げられるがこれらに限定されるもので
はない。
イフィルムの架橋剤成分の残りの部分として、低い重量
平均分子量のモノマーを含むことができる。そのような
低い重量平均分子量のモノマーは５００Ｄ以下の平均分
子量を有している。低い平均分子量のモノマーの好適な
例としては、アクリレート、メタアクリレート、例え
ば、ビスフェノールＡのジアクリレート（または、メタ
アクリレート）エステルのようなエポキシ−アクリレー
トタイプ樹脂が挙げられるがこれらに限定されるもので
はない。
【００２０】ドライフィルムフォトレジストの他の成分
としては、フィルム形成性ポリマーバインダー樹脂、光
開始剤、レベリング剤、接着促進剤、染料、軟化剤、抗
酸化剤などが挙げられる。フィルム形成性ポリマーバイ
ンダー樹脂は、ドライフィルムの被覆および加工を助け
るために、ドライフィルムフォトレジストに添加される
ことができる。ポリマーバインダー樹脂としては、アク
リルポリマー、スチレンポリマー、フェノールポリマ
ー、エポキシドポリマー、ウレタンポリマー、ポリエス
テル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、ビニ
ルエステル、およびビニルアルコールのポリマー、ポリ
アミド、ポリイミド、シリコーン、ポリカーボネート、
ポリエーテル、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピ
レンのようなポリオレフィン、例えば、ポリブタジエン
およびポリイソプレンのようなジオレフィンポリマー、
並びにポリ（アリーレンスルフィド）およびポリ（アリ
ーレンスルフォン）のポリマーネットワークが挙げられ
る。ポリマー鎖は、実質的には、ホモポリマーおよびコ
ポリマーからなるが、上述の架橋剤で架橋される。好ま
しいポリマーバインダー樹脂はドライフィルムフォトレ
ジストの現像を容易にする。そのようなポリマーバイン
ダー樹脂としては、例えば、Ｃａｒｂｏｓｅｔ（登録商
標）５２７（Ｂ．Ｆ．Ｇｏｏｄｒｉｃｈから入手可
能）、またはＳｃｒｉｐｓｅｔ５４０（登録商標）（Ｍ
ｏｎｓａｎｔｏから入手可能）のようなアルカリ性現像
液中で、露光されていない被覆層領域を可溶化するのに
充分な酸性基を有している。そのような好ましいポリマ
ーバインダー樹脂の例としては、α，β−エチレン性不
飽和アクリレートまたはメタアクリレート樹脂などが挙
げられるがこれらに限定されるものではない。ポリマー
バインダー樹脂はドライフィルムフォトレジストの約５
０重量％〜約９０重量％であり、好ましくは、ドライフ
ィルムの約６０重量％〜約８０重量％である。ポリマー
バインダー樹脂は約２５００００Ｄ〜約１００００００
Ｄの平均分子量を有する。
としては、フィルム形成性ポリマーバインダー樹脂、光
開始剤、レベリング剤、接着促進剤、染料、軟化剤、抗
酸化剤などが挙げられる。フィルム形成性ポリマーバイ
ンダー樹脂は、ドライフィルムの被覆および加工を助け
るために、ドライフィルムフォトレジストに添加される
ことができる。ポリマーバインダー樹脂としては、アク
リルポリマー、スチレンポリマー、フェノールポリマ
ー、エポキシドポリマー、ウレタンポリマー、ポリエス
テル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、ビニ
ルエステル、およびビニルアルコールのポリマー、ポリ
アミド、ポリイミド、シリコーン、ポリカーボネート、
ポリエーテル、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピ
レンのようなポリオレフィン、例えば、ポリブタジエン
およびポリイソプレンのようなジオレフィンポリマー、
並びにポリ（アリーレンスルフィド）およびポリ（アリ
ーレンスルフォン）のポリマーネットワークが挙げられ
る。ポリマー鎖は、実質的には、ホモポリマーおよびコ
ポリマーからなるが、上述の架橋剤で架橋される。好ま
しいポリマーバインダー樹脂はドライフィルムフォトレ
ジストの現像を容易にする。そのようなポリマーバイン
ダー樹脂としては、例えば、Ｃａｒｂｏｓｅｔ（登録商
標）５２７（Ｂ．Ｆ．Ｇｏｏｄｒｉｃｈから入手可
能）、またはＳｃｒｉｐｓｅｔ５４０（登録商標）（Ｍ
ｏｎｓａｎｔｏから入手可能）のようなアルカリ性現像
液中で、露光されていない被覆層領域を可溶化するのに
充分な酸性基を有している。そのような好ましいポリマ
ーバインダー樹脂の例としては、α，β−エチレン性不
飽和アクリレートまたはメタアクリレート樹脂などが挙
げられるがこれらに限定されるものではない。ポリマー
バインダー樹脂はドライフィルムフォトレジストの約５
０重量％〜約９０重量％であり、好ましくは、ドライフ
ィルムの約６０重量％〜約８０重量％である。ポリマー
バインダー樹脂は約２５００００Ｄ〜約１００００００
Ｄの平均分子量を有する。
【００２１】ドライフィルムの残りの乾燥重量分は接着
促進剤、光開始剤、レベリング剤、染料、軟化剤、抗酸
化剤などからなる。該残りの成分はドライフィルムの約
０．５重量％〜約１０重量％である。接着促進剤として
は、例えば、ベンザトリアゾールおよび、カルボキシベ
ンザトリアゾールのような置換ベンザトリアゾールをは
じめとする種々のトリアゾールが挙げられる。好適な染
料としては、ソルベントブルー５７およびロイコクリス
タルバイオレットなどが挙げられる。好適なレベリング
剤としては、ＭｏｎｓａｎｔｏからのＭｏｄａｆｌｏｗ
（登録商標）が挙げられる。好適な抗酸化剤としては、
トリフェニルホスファイトおよびトリフェニルフォスフ
ィンが挙げられる。好適な光開始剤としては、Ｉｒｇａ
ｃｕｒｅ（登録商標）１８４（Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙか
ら入手可能）、キサントン、例えばイソプロピルチオキ
サントンのようなチオキサントン、ベンゾインエーテ
ル、ベンゾフェノン、アルキルアミノベンゾフェノンな
どが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
促進剤、光開始剤、レベリング剤、染料、軟化剤、抗酸
化剤などからなる。該残りの成分はドライフィルムの約
０．５重量％〜約１０重量％である。接着促進剤として
は、例えば、ベンザトリアゾールおよび、カルボキシベ
ンザトリアゾールのような置換ベンザトリアゾールをは
じめとする種々のトリアゾールが挙げられる。好適な染
料としては、ソルベントブルー５７およびロイコクリス
タルバイオレットなどが挙げられる。好適なレベリング
剤としては、ＭｏｎｓａｎｔｏからのＭｏｄａｆｌｏｗ
（登録商標）が挙げられる。好適な抗酸化剤としては、
トリフェニルホスファイトおよびトリフェニルフォスフ
ィンが挙げられる。好適な光開始剤としては、Ｉｒｇａ
ｃｕｒｅ（登録商標）１８４（Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙか
ら入手可能）、キサントン、例えばイソプロピルチオキ
サントンのようなチオキサントン、ベンゾインエーテ
ル、ベンゾフェノン、アルキルアミノベンゾフェノンな
どが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００２２】軟化剤としては、直鎖オリゴマーまたはポ
リマーである物質が挙げられ、好ましくは、軟化剤は、
ドライフィルムフォトレジストの他の成分と軟化剤の混
合を容易にするために、酸素または硫黄のようなヘテロ
原子を含む。例えば、好ましい軟化剤としては、Ｐｏｌ
ｙｍｅｇ（登録商標）６５０（Ｑｕａｋｅｒ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌから入手可能）が挙げられる。別の好適な軟化
剤としては、例えば、Ｓａｒｔｏｍｅｒから入手可能な
脂肪族ウレタンが挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。軟化剤は反応性モノマーとして働くことがで
きる。軟化剤の使用は、ドライフィルムをロールに巻く
ことができるように、ドライフィルムフォトレジストが
充分な柔軟性を示すことを可能にする。軟化剤は組成物
の選択を広範囲にすることも可能にし、フォトレジスト
の全体のプロファイルを向上させることができる物質の
使用を可能にするが、フォトレジストを脆化させる場合
がある。
リマーである物質が挙げられ、好ましくは、軟化剤は、
ドライフィルムフォトレジストの他の成分と軟化剤の混
合を容易にするために、酸素または硫黄のようなヘテロ
原子を含む。例えば、好ましい軟化剤としては、Ｐｏｌ
ｙｍｅｇ（登録商標）６５０（Ｑｕａｋｅｒ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌから入手可能）が挙げられる。別の好適な軟化
剤としては、例えば、Ｓａｒｔｏｍｅｒから入手可能な
脂肪族ウレタンが挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。軟化剤は反応性モノマーとして働くことがで
きる。軟化剤の使用は、ドライフィルムをロールに巻く
ことができるように、ドライフィルムフォトレジストが
充分な柔軟性を示すことを可能にする。軟化剤は組成物
の選択を広範囲にすることも可能にし、フォトレジスト
の全体のプロファイルを向上させることができる物質の
使用を可能にするが、フォトレジストを脆化させる場合
がある。
【００２３】本発明の、粘着性のないドライフィルムフ
ォトレジストは任意の、公知の好適な方法で製造される
ことができる。例えば、粘着性のないドライフィルムフ
ォトレジスト成分は溶媒キャリア中で混合され、次い
で、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）または他の
好適な物質のような、キャリアまたはサポートシート上
に塗布されることができる。次いで、溶媒キャリアが、
例えば、被覆されたサポートシートを約８０℃〜約１２
０℃で、約３〜約３０分間、加熱することにより除去さ
れる。ドライフィルムフォトレジストは保護カバーシー
トを必要としないので、フォトレジストは保護カバーシ
ートのインパーフェクションを補償するのに充分な厚さ
である必要がない。ドライフィルムフォトレジストは約
１．０ミル以下の厚さを有することができ、好ましくは
約０．１ミル〜約１ミル、より好ましくは、約０．２〜
約０．８ミル、最も好ましくは、約０．３〜約０．５ミ
ルである。よって、回路ボードのような基体上に形成さ
れた構造物がより微細にされることができる。
ォトレジストは任意の、公知の好適な方法で製造される
ことができる。例えば、粘着性のないドライフィルムフ
ォトレジスト成分は溶媒キャリア中で混合され、次い
で、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）または他の
好適な物質のような、キャリアまたはサポートシート上
に塗布されることができる。次いで、溶媒キャリアが、
例えば、被覆されたサポートシートを約８０℃〜約１２
０℃で、約３〜約３０分間、加熱することにより除去さ
れる。ドライフィルムフォトレジストは保護カバーシー
トを必要としないので、フォトレジストは保護カバーシ
ートのインパーフェクションを補償するのに充分な厚さ
である必要がない。ドライフィルムフォトレジストは約
１．０ミル以下の厚さを有することができ、好ましくは
約０．１ミル〜約１ミル、より好ましくは、約０．２〜
約０．８ミル、最も好ましくは、約０．３〜約０．５ミ
ルである。よって、回路ボードのような基体上に形成さ
れた構造物がより微細にされることができる。
【００２４】次いで、乾燥された粘着性のないドライフ
ィルムフォトレジストは、サポートシートの反対側でド
ライフィルムを覆うように配置される保護カバーシート
を有することなく、粘着性のないドライフィルムロール
に巻かれることができる。本発明のドライフィルムフォ
トレジストは粘着性がないので、ドライフィルムフォト
レジストはサポートシートの裏側に移らない。乾燥され
たドライフィルムは折り目をつけること、またはロール
形成において生じる他の操作において、ひびが入らな
い。粘着性のないドライフィルムフォトレジストは、貯
蔵の間のコールドフローのかなりの低減を示す。シンス
ポット、シンラインおよびドライフィルムの内部の不均
一が低減される。サポートシートにおける表面の隆起が
低減され、カバーシートが除かれるので、スポットおよ
びボイドが顕著に低減される。端部の融合も低減され、
よって、ロールが解かれる時には、もはや、フレーク形
成およびチップ形成は重大な問題にならない。
ィルムフォトレジストは、サポートシートの反対側でド
ライフィルムを覆うように配置される保護カバーシート
を有することなく、粘着性のないドライフィルムロール
に巻かれることができる。本発明のドライフィルムフォ
トレジストは粘着性がないので、ドライフィルムフォト
レジストはサポートシートの裏側に移らない。乾燥され
たドライフィルムは折り目をつけること、またはロール
形成において生じる他の操作において、ひびが入らな
い。粘着性のないドライフィルムフォトレジストは、貯
蔵の間のコールドフローのかなりの低減を示す。シンス
ポット、シンラインおよびドライフィルムの内部の不均
一が低減される。サポートシートにおける表面の隆起が
低減され、カバーシートが除かれるので、スポットおよ
びボイドが顕著に低減される。端部の融合も低減され、
よって、ロールが解かれる時には、もはや、フレーク形
成およびチップ形成は重大な問題にならない。
【００２５】ドライフィルムフォトレジストがリソグラ
フィック用途に使用される時に、ロールは解かれ、基体
の表面にラミネートすることによって直接に適用され
る。保護カバーシートがドライフィルムフォトレジスト
構造物中に使用されることを必要とせず、よって、保護
カバーシートの除去および廃棄の問題が除かれる。保護
カバーは、フォトレジストから反応性モノマーを吸収す
る能力のために、危険な廃棄物であると考えられる。本
発明のドライフィルムフォトレジスト構造物は、広範囲
の基体上、好ましくは、プリント回路ボード基体の銅表
面上に好適に適用されることができる。ドライフィルム
フォトレジストは、好ましくは、基体上にラミネートさ
れ、続いて、サポートシートが除去される。乾燥度また
は粘着性は、任意の好適な公知の方法によって評価され
る。好ましい方法は、「ティシュペーパーテスト（ｔｉ
ｓｓｕｅ ｐａｐｅｒ ｔｅｓｔ）」である。ティシュ
ペーパーテストはティシュペーパーをドライフィルムフ
ォトレジスト層に手で押しつけ、次いで、手でフォトレ
ジストからティシュペーパーを除去することを含む。フ
ォトレジスト層の乾燥度または粘着性は、ティシュペー
パーの除去の容易性によって測定される。付着性のドラ
イフィルムフォトレジストの場合には、フォトレジスト
からの除去の時に、ティシュペーパーが破れることとな
る。また、ティシュペーパーを手で操作した跡がフォト
レジスト層に残される（目視観察）。本発明のドライフ
ィルムフォトレジストはティシュペーパーの破れを生じ
させず、手で押した跡はフォトレジスト上にほとんど残
らない（目視観察）。
フィック用途に使用される時に、ロールは解かれ、基体
の表面にラミネートすることによって直接に適用され
る。保護カバーシートがドライフィルムフォトレジスト
構造物中に使用されることを必要とせず、よって、保護
カバーシートの除去および廃棄の問題が除かれる。保護
カバーは、フォトレジストから反応性モノマーを吸収す
る能力のために、危険な廃棄物であると考えられる。本
発明のドライフィルムフォトレジスト構造物は、広範囲
の基体上、好ましくは、プリント回路ボード基体の銅表
面上に好適に適用されることができる。ドライフィルム
フォトレジストは、好ましくは、基体上にラミネートさ
れ、続いて、サポートシートが除去される。乾燥度また
は粘着性は、任意の好適な公知の方法によって評価され
る。好ましい方法は、「ティシュペーパーテスト（ｔｉ
ｓｓｕｅ ｐａｐｅｒ ｔｅｓｔ）」である。ティシュ
ペーパーテストはティシュペーパーをドライフィルムフ
ォトレジスト層に手で押しつけ、次いで、手でフォトレ
ジストからティシュペーパーを除去することを含む。フ
ォトレジスト層の乾燥度または粘着性は、ティシュペー
パーの除去の容易性によって測定される。付着性のドラ
イフィルムフォトレジストの場合には、フォトレジスト
からの除去の時に、ティシュペーパーが破れることとな
る。また、ティシュペーパーを手で操作した跡がフォト
レジスト層に残される（目視観察）。本発明のドライフ
ィルムフォトレジストはティシュペーパーの破れを生じ
させず、手で押した跡はフォトレジスト上にほとんど残
らない（目視観察）。
【００２６】本発明のドライフィルムフォトレジスト
は、リソグラフィック産業において使用される任意の好
適な方法によって基体に適用されることができる。好ま
しくは、ドライフィルムフォトレジストは、ホットロー
ルラミネータによって、例えば、銅張り積層板（プリン
ト回路ボード基体）のような基体にアプライされる。好
適なホットロールラミネータの条件は、約６５℃〜約１
５０℃、より好ましくは、約９０℃〜約１４０℃であ
り、最も好ましくは、約１０５℃〜約１２５℃である。
ホットロールラミネータの圧力は、約２０ｐｓｉ〜約５
０ｐｓｉ、好ましくは約２５ｐｓｉ〜約３５ｐｓｉであ
ることができる。ラミネータのスピードは約１〜約１０
フィート／分（ｆｐｍ）、より好ましくは、約２ｆｐｍ
〜約８ｆｐｍ、最も好ましくは、約３ｆｐｍ〜約６ｆｐ
ｍであることができる。基体はプレヒートされてラミネ
ータに導入することができる。所望のパターンを有する
アートワークまたはフォトマスクは、アートワークがド
ライフィルムに接着するか、またはドライフィルムで汚
染されることとなるかもしれないことを考慮することな
く、ドライフィルム上に直接に配置されることができ
る。アートワークが配置されたドライフィルムは、保護
カバーシートが化学線または入射光を反射または回折さ
せる可能性があることを考慮することなく、化学線で露
光されることができる。露光放射は約１〜約２５０ｍＪ
／ｃｍ２の範囲で変化する。露光放射線は、フォトレジ
ストの光活性成分を活性化し、パターン付けされたイメ
ージをドライフィルムフォトレジスト被覆層の上に生じ
させる。有利なことに、露光の間にサポートシートが存
在しないことは、光散乱、屈折、界面反射などの問題を
除去する。また、例えば、サポートシートにおける光学
的拡散およびサポートシートからの反射のような光学的
効果も除かれる。よって、向上された解像度が得られ
る。
は、リソグラフィック産業において使用される任意の好
適な方法によって基体に適用されることができる。好ま
しくは、ドライフィルムフォトレジストは、ホットロー
ルラミネータによって、例えば、銅張り積層板（プリン
ト回路ボード基体）のような基体にアプライされる。好
適なホットロールラミネータの条件は、約６５℃〜約１
５０℃、より好ましくは、約９０℃〜約１４０℃であ
り、最も好ましくは、約１０５℃〜約１２５℃である。
ホットロールラミネータの圧力は、約２０ｐｓｉ〜約５
０ｐｓｉ、好ましくは約２５ｐｓｉ〜約３５ｐｓｉであ
ることができる。ラミネータのスピードは約１〜約１０
フィート／分（ｆｐｍ）、より好ましくは、約２ｆｐｍ
〜約８ｆｐｍ、最も好ましくは、約３ｆｐｍ〜約６ｆｐ
ｍであることができる。基体はプレヒートされてラミネ
ータに導入することができる。所望のパターンを有する
アートワークまたはフォトマスクは、アートワークがド
ライフィルムに接着するか、またはドライフィルムで汚
染されることとなるかもしれないことを考慮することな
く、ドライフィルム上に直接に配置されることができ
る。アートワークが配置されたドライフィルムは、保護
カバーシートが化学線または入射光を反射または回折さ
せる可能性があることを考慮することなく、化学線で露
光されることができる。露光放射は約１〜約２５０ｍＪ
／ｃｍ２の範囲で変化する。露光放射線は、フォトレジ
ストの光活性成分を活性化し、パターン付けされたイメ
ージをドライフィルムフォトレジスト被覆層の上に生じ
させる。有利なことに、露光の間にサポートシートが存
在しないことは、光散乱、屈折、界面反射などの問題を
除去する。また、例えば、サポートシートにおける光学
的拡散およびサポートシートからの反射のような光学的
効果も除かれる。よって、向上された解像度が得られ
る。
【００２７】ドライフィルムフォトレジストを現像する
ために使用される任意の好適な現像液が、本発明のドラ
イフィルムを現像するために使用されることができる。
ドライフィルムが、酸性基を有する樹脂バインダーまた
は他の成分を含む場合には、アルカリ性現像液が使用さ
れることができる。好ましいアルカリ性現像液は炭酸ナ
トリウム水溶液であり、特に、１重量％または２重量％
の炭酸塩水溶液である。別法では、ドライフィルムフォ
トレジストが、塩基性基を有するバインダー樹脂または
他の成分を含む場合には、酸性現像液が使用されること
ができる。現像されたドライフィルムフォトレジスト
は、ドライフィルムフォトレジストが除かれた領域上に
ついて、公知の方法によって、選択的に処理されること
ができる。そのような方法の例としては、フォトレジス
トの除かれた基体領域を化学的エッチングまたはめっき
することが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。そのような処理の後、ドライフィルムフォトレジ
ストは、任意の好適な公知のストリッピング法を用い
て、処理された基体から除かれることができる。
ために使用される任意の好適な現像液が、本発明のドラ
イフィルムを現像するために使用されることができる。
ドライフィルムが、酸性基を有する樹脂バインダーまた
は他の成分を含む場合には、アルカリ性現像液が使用さ
れることができる。好ましいアルカリ性現像液は炭酸ナ
トリウム水溶液であり、特に、１重量％または２重量％
の炭酸塩水溶液である。別法では、ドライフィルムフォ
トレジストが、塩基性基を有するバインダー樹脂または
他の成分を含む場合には、酸性現像液が使用されること
ができる。現像されたドライフィルムフォトレジスト
は、ドライフィルムフォトレジストが除かれた領域上に
ついて、公知の方法によって、選択的に処理されること
ができる。そのような方法の例としては、フォトレジス
トの除かれた基体領域を化学的エッチングまたはめっき
することが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。そのような処理の後、ドライフィルムフォトレジ
ストは、任意の好適な公知のストリッピング法を用い
て、処理された基体から除かれることができる。
【００２８】プリント回路ボードを形成するための１次
イメージングドライフィルムフォトレジストとして使用
されることに加えて、ドライフィルムフォトレジスト
は、ソルダマスク、永久的な内層、アドバンスト誘電
体、チップスケールパッケージングなどとして機能す
る、永久的なフォトイメージャブルコーティングとして
使用されることができる。次の実施例は、本発明のドラ
イフィルムフォトレジストをさらに説明することを意図
するものであり、本発明の範囲を限定するものではな
い。特許請求の範囲に明らかにされるような本発明の範
囲を離れることなく、変更および改良が行われることが
可能である。
イメージングドライフィルムフォトレジストとして使用
されることに加えて、ドライフィルムフォトレジスト
は、ソルダマスク、永久的な内層、アドバンスト誘電
体、チップスケールパッケージングなどとして機能す
る、永久的なフォトイメージャブルコーティングとして
使用されることができる。次の実施例は、本発明のドラ
イフィルムフォトレジストをさらに説明することを意図
するものであり、本発明の範囲を限定するものではな
い。特許請求の範囲に明らかにされるような本発明の範
囲を離れることなく、変更および改良が行われることが
可能である。
【００２９】実施例１ ドライフィルムフォトレジストは以下の表に示される物
質を混合することによって製造された。量は、フォトレ
ジストの総重量に基づいた重量部として示される。
質を混合することによって製造された。量は、フォトレ
ジストの総重量に基づいた重量部として示される。
【００３０】
【表１】
【００３１】上述のドライフィルムフォトレジストはス
ロットコーターを使用して、ポリエチレンテレフタレー
トからなるサポートシート上に、厚さ０．５ミルで塗布
された。アプライされたドライフィルムフォトレジスト
被覆は９０℃で１５分間乾燥された。ドライフィルムフ
ォトレジストの乾燥度または粘着性は、ティシュペーパ
ー試験を用いて評価された。１枚のティシュペーパー
が、手で、フォトレジストに押しつけられ、次いで、手
で除かれた。除去の時に、ティシュペーパーが破れず、
また、目視観察を行ったところ、フォトレジスト上に跡
は残っていなかった。よって、ドライフィルムフォトレ
ジストは乾燥度試験に合格であった。次いで、ドライフ
ィルムは、保護シートなしでロールに巻かれた。フィル
ムはクラッキングを生じることなく、折り目を付けら
れ、また、ドライフィルムはポリエチレンテレフタレー
トサポートシートの裏側に接着しなかった。
ロットコーターを使用して、ポリエチレンテレフタレー
トからなるサポートシート上に、厚さ０．５ミルで塗布
された。アプライされたドライフィルムフォトレジスト
被覆は９０℃で１５分間乾燥された。ドライフィルムフ
ォトレジストの乾燥度または粘着性は、ティシュペーパ
ー試験を用いて評価された。１枚のティシュペーパー
が、手で、フォトレジストに押しつけられ、次いで、手
で除かれた。除去の時に、ティシュペーパーが破れず、
また、目視観察を行ったところ、フォトレジスト上に跡
は残っていなかった。よって、ドライフィルムフォトレ
ジストは乾燥度試験に合格であった。次いで、ドライフ
ィルムは、保護シートなしでロールに巻かれた。フィル
ムはクラッキングを生じることなく、折り目を付けら
れ、また、ドライフィルムはポリエチレンテレフタレー
トサポートシートの裏側に接着しなかった。
【００３２】ドライフィルムフォトレジストが、機械的
に洗浄された、約６０℃に加熱された銅積層板上に、１
１０℃にセットされたホットロールラミネータを用い
て、３フィート／分のスピードでラミネートされ、ドラ
イフィルム複合材料を形成した。サポートシートは除去
され、ドライフィルム複合材料は、真空−フレーム露光
ユニット中に置かれた。アートワークはドライフィルム
上に直接配置された。アートワークはドライフィルムに
付着せず、ドライフィルムもアートワークに接着しなか
った。アートワークが配置されたドライフィルムが、２
００ｍＪの化学線で露光された。露光後、アートワーク
は除去され、ドライフィルムフォトレジストが現像され
た。現像は、３５℃で、１重量％の炭酸ナトリウムアル
カリ水溶液中で、２Ｘブレークポイントで行われ、１．
０ミルのラインアンドスペースの解像度で、Ｓｔｏｕｆ
ｆｅｒ ｓｔｅｐ６−７を与えた。よって、本発明のド
ライフィルムは粘着性がなく、向上された解像度を提供
した。
に洗浄された、約６０℃に加熱された銅積層板上に、１
１０℃にセットされたホットロールラミネータを用い
て、３フィート／分のスピードでラミネートされ、ドラ
イフィルム複合材料を形成した。サポートシートは除去
され、ドライフィルム複合材料は、真空−フレーム露光
ユニット中に置かれた。アートワークはドライフィルム
上に直接配置された。アートワークはドライフィルムに
付着せず、ドライフィルムもアートワークに接着しなか
った。アートワークが配置されたドライフィルムが、２
００ｍＪの化学線で露光された。露光後、アートワーク
は除去され、ドライフィルムフォトレジストが現像され
た。現像は、３５℃で、１重量％の炭酸ナトリウムアル
カリ水溶液中で、２Ｘブレークポイントで行われ、１．
０ミルのラインアンドスペースの解像度で、Ｓｔｏｕｆ
ｆｅｒ ｓｔｅｐ６−７を与えた。よって、本発明のド
ライフィルムは粘着性がなく、向上された解像度を提供
した。
【００３３】実施例２ １０ポンドの重りが、実施例１の上述の表に開示される
ドライフィルムフォトレジストの層で被覆されたポリエ
チレンテレフタレートシートのスタックの上に２４時間
置かれた。ドライフィルムは、上述のようにポリエチレ
ンテレフタレートシート上に塗布され、ドライフィルム
フォトレジスト構造物を形成した。乾燥後、ドライフィ
ルムフォトレジストの構造物の１つが、他の構造物のポ
リエチレンテレフタレートシートの裏側と直接に接触す
るように、ドライフィルム構造物は互いにスタックされ
た。１０ポンドの重りが除去された後、ドライフィルム
フォトレジスト構造物は目視で評価された。ドライフィ
ルムフォトレジストは、どのポリエチレンテレフタレー
トシートの裏側にも付着していなかった。また、１０ポ
ンドの重りの痕跡はドライフィルム中に存在していなか
った。本発明の範囲外にあり、比較例である、標準のフ
ォトレジストが上述の実施例１に示されるのと同じ方法
で製造され、ドライフィルム構造物も製造された。該構
造物はスタックされ、スタック上に、１０ポンドの重り
が２４時間置かれた。重りが除去されたとき、ドライフ
ィルムフォトレジストはポリエチレンテレフタレートシ
ートの裏側に付着し、さらに、重りによって深い痕跡が
ドライフィルム中に形成された。よって、本発明のドラ
イフィルムフォトレジストはドライフィルムフォトレジ
スト技術において改良されたものである。
ドライフィルムフォトレジストの層で被覆されたポリエ
チレンテレフタレートシートのスタックの上に２４時間
置かれた。ドライフィルムは、上述のようにポリエチレ
ンテレフタレートシート上に塗布され、ドライフィルム
フォトレジスト構造物を形成した。乾燥後、ドライフィ
ルムフォトレジストの構造物の１つが、他の構造物のポ
リエチレンテレフタレートシートの裏側と直接に接触す
るように、ドライフィルム構造物は互いにスタックされ
た。１０ポンドの重りが除去された後、ドライフィルム
フォトレジスト構造物は目視で評価された。ドライフィ
ルムフォトレジストは、どのポリエチレンテレフタレー
トシートの裏側にも付着していなかった。また、１０ポ
ンドの重りの痕跡はドライフィルム中に存在していなか
った。本発明の範囲外にあり、比較例である、標準のフ
ォトレジストが上述の実施例１に示されるのと同じ方法
で製造され、ドライフィルム構造物も製造された。該構
造物はスタックされ、スタック上に、１０ポンドの重り
が２４時間置かれた。重りが除去されたとき、ドライフ
ィルムフォトレジストはポリエチレンテレフタレートシ
ートの裏側に付着し、さらに、重りによって深い痕跡が
ドライフィルム中に形成された。よって、本発明のドラ
イフィルムフォトレジストはドライフィルムフォトレジ
スト技術において改良されたものである。
【００３４】実施例３ 実施例１の組成およびサポートシートを有するドライフ
ィルムフォトレジストが調製された。ドライフィルム
は、上述のような機械的に洗浄された銅の上にラミネー
トされた。ポリエチレンテレフタレートサポートシート
はドライフィルム上に残され、アートワークがサポート
シート上に配置された。次いで、ドライフィルムは２５
０ｍＪの化学線で露光された。露光後、アートワークは
除去され、フォトレジストが現像された。現像は、３５
℃の、１重量％の炭酸ナトリウム溶液で、２Ｘブレーク
ポイントで行われ、４ミルのラインアンドスペースの解
像度で、７−８のＳｔｏｕｆｆｅｒ ｓｔｅｐを与え
た。結果は、サポートシート無しで画像形成すること
は、解像度を向上させることを示す。上述の実施例１に
おいては、サポートシート無しで得られた解像度は１ミ
ルのラインアンドスペースを提供した。本実施例３にお
いて、露光の間に、サポートシートがドライフィルム上
に残される場合には、解像度がより微細でなくなり、す
なわち、４ミルのラインアンドスペースとなった。よっ
て、本発明のドライフィルムフォトレジストはより微細
な構造物を提供することができ、さらに、ドライフィル
ムフォトレジスト技術を改良するものである。
ィルムフォトレジストが調製された。ドライフィルム
は、上述のような機械的に洗浄された銅の上にラミネー
トされた。ポリエチレンテレフタレートサポートシート
はドライフィルム上に残され、アートワークがサポート
シート上に配置された。次いで、ドライフィルムは２５
０ｍＪの化学線で露光された。露光後、アートワークは
除去され、フォトレジストが現像された。現像は、３５
℃の、１重量％の炭酸ナトリウム溶液で、２Ｘブレーク
ポイントで行われ、４ミルのラインアンドスペースの解
像度で、７−８のＳｔｏｕｆｆｅｒ ｓｔｅｐを与え
た。結果は、サポートシート無しで画像形成すること
は、解像度を向上させることを示す。上述の実施例１に
おいては、サポートシート無しで得られた解像度は１ミ
ルのラインアンドスペースを提供した。本実施例３にお
いて、露光の間に、サポートシートがドライフィルム上
に残される場合には、解像度がより微細でなくなり、す
なわち、４ミルのラインアンドスペースとなった。よっ
て、本発明のドライフィルムフォトレジストはより微細
な構造物を提供することができ、さらに、ドライフィル
ムフォトレジスト技術を改良するものである。
【００３５】実施例４ 低分子量のモノマーであるエトキシル化トリメチロール
トリアクリレートが使用されず、また、Ｓｃｒｉｐｓｅ
ｔ（登録商標）５４０樹脂が、スチレン／ヒドロキシエ
チルメタアクリレートでエステル化されたマレイン酸無
水物の組み合わせから製造されたポリマーに変えられる
こと以外は、上述の実施例１と同じ成分で、ドライフィ
ルムフォトレジストが製造された。該上記の組み合わせ
のポリマーは、ドライフィルムフォトレジストの約２
３．３６重量％を構成する。ポリマーは、化学線での露
光の間に、フォトレジストと架橋するので、低分子量の
モノマーが除かれる。ドライフィルムフォトレジスト
は、上述の実施例１のように製造される。次いで、ドラ
イフィルムフォトレジストは、上述のように、ポリエチ
レンテレフタレートサポートシート上にラミネートされ
る。ティシュペーパーが、手でドライフィルム表面上に
押しつけられ、次いで、除かれた。ティシュペーパーは
破れず、ドライフィルム中に跡は残らなかった。
トリアクリレートが使用されず、また、Ｓｃｒｉｐｓｅ
ｔ（登録商標）５４０樹脂が、スチレン／ヒドロキシエ
チルメタアクリレートでエステル化されたマレイン酸無
水物の組み合わせから製造されたポリマーに変えられる
こと以外は、上述の実施例１と同じ成分で、ドライフィ
ルムフォトレジストが製造された。該上記の組み合わせ
のポリマーは、ドライフィルムフォトレジストの約２
３．３６重量％を構成する。ポリマーは、化学線での露
光の間に、フォトレジストと架橋するので、低分子量の
モノマーが除かれる。ドライフィルムフォトレジスト
は、上述の実施例１のように製造される。次いで、ドラ
イフィルムフォトレジストは、上述のように、ポリエチ
レンテレフタレートサポートシート上にラミネートされ
る。ティシュペーパーが、手でドライフィルム表面上に
押しつけられ、次いで、除かれた。ティシュペーパーは
破れず、ドライフィルム中に跡は残らなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ
Claims (49)
- 【請求項１】 室温以上のガラス転移温度を有するドラ
イフィルムフォトレジスト。 - 【請求項２】 ガラス転移温度が約２０℃〜約１３０℃
である請求項１記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項３】 ガラス転移温度が約４５℃〜約１１０℃
である請求項２記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項４】 ガラス転移温度が約６０℃〜約９０℃で
ある請求項３記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項５】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子量
を有する架橋剤をさらに含む請求項１記載のドライフィ
ルムフォトレジスト。 - 【請求項６】 架橋剤の重量平均分子量が約５００Ｄよ
り大きく約１０００００Ｄまでである請求項５記載のド
ライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項７】 架橋剤が約１５０００Ｄ〜約７５０００
Ｄの重量平均分子量を有する請求項５記載のドライフィ
ルムフォトレジスト。 - 【請求項８】 ５００Ｄを超える重量平均分子量を有す
る架橋剤が、ドライフィルムフォトレジスト中に、架橋
剤の５０重量％より多く含まれる請求項５記載のドライ
フィルムフォトレジスト。 - 【請求項９】 ５００Ｄを超える重量平均分子量を有す
る架橋剤が、架橋剤の約６０重量％〜約９５重量％の範
囲である請求項８記載のドライフィルムフォトレジス
ト。 - 【請求項１０】 ５００Ｄを超える重量平均分子量を有
する架橋剤が、架橋剤の約８０重量％〜約９５重量％の
範囲である請求項９記載のドライフィルムフォトレジス
ト。 - 【請求項１１】 架橋剤がアクリレートオリゴマー、ア
クリル化ウレタンモノマーまたはこれらの混合物を含む
請求項５記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項１２】 アクリレートオリゴマーがメチルアク
リレート、メチルメタアクリレート、ヒドロキシエチル
アクリレート、ブチルメタアクリレート、オクチルアク
リレート、２−エトキシエチルメタアクリレート、ｔ−
ブチルアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアク
リレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−エチルアクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタ
ンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジア
クリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジアクリレート、デカメ
チレングリコールジアクリレート、デカメチレングリコ
ールジメタアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオ
ールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジ
アクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロ
ピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリア
クリレート、トリメチルプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、２，２−ジ（ｐ
−ヒドロキシフェニル）−プロパンジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、２，２−ジ
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロパンジメタアクリレ
ート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオ
キシエチル−２−２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）−
プロパンジメタアクリレート、トリエチレングリコール
ジメタアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロー
ルプロパントリアクリレート、エチレングリコールジメ
タアクリレート、ブチレングリコールジメタアクリレー
ト、１，３−プロパンジオールジメタアクリレート、
１，２，４−ブタントリオールトリメタアクリレート、
２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールジ
メタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアク
リレート、１−フェニルエチレン−１，２−ジメタアク
リレート、ペンタエリスリトールテトラメタアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、
１，５−ペンタンジオールジメタアクリレート、１，４
−ベンゼンジオールジメタアクリレートまたはこれらの
混合物を含む請求項１１記載のドライフィルムフォトレ
ジスト。 - 【請求項１３】 アクリル化ウレタンモノマーがウレタ
ンジアクリレート、ウレタントリアクリレート、ウレタ
ンテトラアクリレート、ウレタンジ（メタ）アクリレー
ト、ウレタントリ（メタ）アクリレート、ウレタンテト
ラ（メタ）アクリレートまたはこれらの混合物を含む請
求項１１記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項１４】 ポリマーバインダー樹脂をさらに含
み、該ポリマーバインダー樹脂がアクリルポリマー、ス
チレンポリマー、フェノールポリマー、エポキシドポリ
マー、ウレタンポリマー、ポリエステル、ハロゲン化ビ
ニルのポリマー、ハロゲン化ビニリデンのポリマー、ビ
ニルエステルのポリマー、ビニルアルコールのポリマ
ー、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン、ポリカーボ
ネート、ポリエーテル、ポリオレフィン、ジオレフィン
ポリマー、ポリ（アリーレンスルフィド）、ポリ（アリ
ーレンスルフォン）、またはこれらの混合物を含む請求
項５記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項１５】 光開始剤、レベリング剤、接着促進
剤、染料、抗酸化剤、軟化剤またはこれらの混合物をさ
らに含む請求項１４記載のドライフィルムフォトレジス
ト。 - 【請求項１６】 室温以上のガラス転移温度を有するド
ライフィルムフォトレジスト、および第１面および第２
面を有するサポートシートを含み、該ドライフィルムフ
ォトレジストが該サポートシートの第１面上にラミネー
トされる、ドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項１７】 ガラス転移温度が約２０℃〜約１３０
℃の範囲である請求項１６記載のドライフィルムフォト
レジスト構造物。 - 【請求項１８】 ガラス転移温度が約４５℃〜約１１０
℃の範囲である請求項１７記載のドライフィルムフォト
レジスト構造物。 - 【請求項１９】 ガラス転移温度が約６０℃〜約９０℃
の範囲である請求項１８記載のドライフィルムフォトレ
ジスト構造物。 - 【請求項２０】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤をさらに含む請求項１９記載のドライ
フィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２１】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤が、ドライフィルムフォトレジスト中
に、架橋剤の５０重量％より多く含まれる請求項２０記
載のドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２２】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤が、ドライフィルムフォトレジスト中
で、架橋剤の６０重量％〜約９５重量％含まれる請求項
２１記載のドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２３】 架橋剤がアクリレートオリゴマー、ア
クリル化ウレタンまたはこれらの混合物を含む請求項２
０記載のドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２４】 ドライフィルムフォトレジストが約
１．０ミル以下の厚さを有する請求項１６記載のドライ
フィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２５】 ドライフィルムフォトレジストが約
０．１ミル〜約１ミルの厚さを有する請求項２４記載の
ドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２６】 ドライフィルムフォトレジストが約
０．２ミル〜約０．８ミルの厚さを有する請求項２５記
載のドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項２７】 サポートシートがポリエチレンテレフ
タレートを含む請求項１６記載のドライフィルムフォト
レジスト構造物。 - 【請求項２８】 構造物がロールに巻かれることがで
き、サポートシートの第１の面上にラミネートされたド
ライフィルムフォトレジストがサポートシートの第２面
に移らない、請求項１６記載のドライフィルムフォトレ
ジスト構造物。 - 【請求項２９】 ドライフィルムフォトレジストがサポ
ートシートの反対側に保護カバーシートを有しない請求
項１６記載のドライフィルムフォトレジスト構造物。 - 【請求項３０】 ドライフィルムフォトレジストが粘着
性を有しない請求項１６記載のドライフィルムフォトレ
ジスト構造物。 - 【請求項３１】 ａ）ドライフィルムフォトレジスト構
造物を基体表面にアプライし、該ドライフィルムフォト
レジスト構造物は、室温より高いガラス転移温度を有
し、サポートシート上にラミネートされたドライフィル
ムフォトレジストを含み； ｂ）ドライフィルムフォトレジストからサポートシート
を取り外し； ｃ）ドライフィルムフォトレジストの表面上にアートワ
ークを直接アプライし； ｄ）ドライフィルムフォトレジストを化学線で露光し；
さらに ｅ）露光された層を現像し、フォトレジストレリーフイ
メージを提供することを含む、基体上にフォトレジスト
レリーフイメージを形成する方法。 - 【請求項３２】 ガラス転移温度が約２０℃〜約１３０
℃の範囲である請求項３１記載の方法。 - 【請求項３３】 ガラス転移温度が約４５℃〜約１１０
℃の範囲である請求項３２記載の方法。 - 【請求項３４】 ガラス転移温度が約６０℃〜約９０℃
の範囲である請求項３３記載の方法。 - 【請求項３５】 ドライフィルムフォトレジストが少な
くとも約５００Ｄの重量平均分子量を有する架橋剤を含
む請求項３１記載の方法。 - 【請求項３６】 重量平均分子量が５００Ｄを超えて約
１０００００Ｄまでである請求項３５記載の方法。 - 【請求項３７】 重量平均分子量が約１５０００Ｄ〜約
７５０００Ｄである請求項３６記載の方法。 - 【請求項３８】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤が、ドライフィルムフォトレジスト中
に、架橋剤の５０重量％より多く含まれる請求項３５記
載の方法。 - 【請求項３９】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤が、架橋剤の約６０重量％〜約９５重
量％で含まれる請求項３８記載の方法。 - 【請求項４０】 少なくとも約５００Ｄの重量平均分子
量を有する架橋剤が、架橋剤の約８０重量％〜約９５重
量％で含まれる請求項３９記載の方法。 - 【請求項４１】 架橋剤がアクリレートオリゴマー、ア
クリル化ウレタンまたはこれらの混合物を含む請求項３
５記載の方法。 - 【請求項４２】 ドライフィルムフォトレジストがポリ
マーバインダー樹脂、光開始剤、レベリング剤、接着促
進剤、染料、抗酸化剤、軟化剤またはこれらの混合物を
さらに含む請求項３１記載の方法。 - 【請求項４３】 ドライフィルムフォトレジストがアル
カリ性または酸性現像液で現像される請求項３１記載の
方法。 - 【請求項４４】 アルカリ性現像液が、炭酸ナトリウム
の１重量％または２重量％溶液である請求項４３記載の
方法。 - 【請求項４５】 ドライフィルムフォトレジストが粘着
性を有しない請求項３１記載の方法。 - 【請求項４６】 ドライフィルムフォトレジストが、サ
ポートシートの反対側に保護カバーシートを有していな
い請求項３１記載の方法。 - 【請求項４７】 ドライフィルムフォトレジストが約
０．１ミル以下の厚さを有する請求項３１記載の方法。 - 【請求項４８】 ドライフィルムフォトレジストが約
０．２ミル〜約０．８ミルの厚さを有する請求項４７記
載の方法。 - 【請求項４９】 ドライフィルムフォトレジストが約
０．３ミル〜約０．５ミルの厚さを有する請求項４８記
載の方法。
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