JP2001192832A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JP2001192832A JP2001192832A JP2000004993A JP2000004993A JP2001192832A JP 2001192832 A JP2001192832 A JP 2001192832A JP 2000004993 A JP2000004993 A JP 2000004993A JP 2000004993 A JP2000004993 A JP 2000004993A JP 2001192832 A JP2001192832 A JP 2001192832A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シート抵抗値の経時変化を大幅に抑制するこ
とができる成膜方法を提供する。 【解決手段】 真空引き可能な処理容器４内にて高融点
金属化合物ガスと還元ガスとを用いて被処理体Ｗの表面
に所定の膜を堆積させる成膜処理を行なう成膜方法にお
いて、前記成膜処理中に、或いは前記成膜処理の直後
に、酸化ガスを前記処理容器内へ流すようにする。これ
により、シート抵抗値の経時変化を大幅に抑制すること
が可能となる。
とができる成膜方法を提供する。 【解決手段】 真空引き可能な処理容器４内にて高融点
金属化合物ガスと還元ガスとを用いて被処理体Ｗの表面
に所定の膜を堆積させる成膜処理を行なう成膜方法にお
いて、前記成膜処理中に、或いは前記成膜処理の直後
に、酸化ガスを前記処理容器内へ流すようにする。これ
により、シート抵抗値の経時変化を大幅に抑制すること
が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に
膜を堆積させる成膜方法に関する。
膜を堆積させる成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウエハ等のシリコン基板に対して、成膜と
パターンエッチング等を繰り返し行なって、多数の所望
の素子を形成するようになっている。ところで、各素子
間を接続する配線、各素子に対する電気的コンタクトを
図る配線層の下層には、基板のＳｉと配線材料との相互
拡散を抑制する目的で、或いは下地層との剥離を防止す
る目的でバリヤメタルが用いられるが、このバリヤメタ
ルとしては、電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食
性に優れた材料を用いなければならない。このような要
請に対応できるバリヤメタルの材料として、特に、高融
点金属材料を用いた、例えばＴｉＮ膜等が多用される傾
向にある。
には、半導体ウエハ等のシリコン基板に対して、成膜と
パターンエッチング等を繰り返し行なって、多数の所望
の素子を形成するようになっている。ところで、各素子
間を接続する配線、各素子に対する電気的コンタクトを
図る配線層の下層には、基板のＳｉと配線材料との相互
拡散を抑制する目的で、或いは下地層との剥離を防止す
る目的でバリヤメタルが用いられるが、このバリヤメタ
ルとしては、電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食
性に優れた材料を用いなければならない。このような要
請に対応できるバリヤメタルの材料として、特に、高融
点金属材料を用いた、例えばＴｉＮ膜等が多用される傾
向にある。
【０００３】このＴｉＮ膜のバリヤメタルを形成するに
は、一般的には高融点金属化合物ガスであるＴｉＣｌ4
と還元ガスであるＮＨ3 ガスを用いて熱ＣＶＤで成膜す
るようになっている。ところで、上記したＴｉＮ膜に限
らず、半導体ウエハ等の表面に膜を堆積させる場合に
は、堆積膜の電気的特性等を均一に維持するために常
に、或いは毎日、同じような状態で膜を堆積させるよう
にして、再現性を高く維持する必要がある。成膜装置に
代表される半導体ウエハの処理装置にあっては、同じプ
ロセス条件に設定しても種々の要因によって処理装置自
体の動作状態が微妙に変動する場合があることから、定
期的或いは不定期的に、例えば毎朝テスト用の半導体ウ
エハに膜を堆積させ、そのシート抵抗値を測定するなど
してその時の処理装置の動作状態をチェックすることが
行なわれている。また、半導体集積回路自体の電気的特
性を設計通りに維持するためにも、堆積膜が所望する値
のシート抵抗値を維持することが望まれている。
は、一般的には高融点金属化合物ガスであるＴｉＣｌ4
と還元ガスであるＮＨ3 ガスを用いて熱ＣＶＤで成膜す
るようになっている。ところで、上記したＴｉＮ膜に限
らず、半導体ウエハ等の表面に膜を堆積させる場合に
は、堆積膜の電気的特性等を均一に維持するために常
に、或いは毎日、同じような状態で膜を堆積させるよう
にして、再現性を高く維持する必要がある。成膜装置に
代表される半導体ウエハの処理装置にあっては、同じプ
ロセス条件に設定しても種々の要因によって処理装置自
体の動作状態が微妙に変動する場合があることから、定
期的或いは不定期的に、例えば毎朝テスト用の半導体ウ
エハに膜を堆積させ、そのシート抵抗値を測定するなど
してその時の処理装置の動作状態をチェックすることが
行なわれている。また、半導体集積回路自体の電気的特
性を設計通りに維持するためにも、堆積膜が所望する値
のシート抵抗値を維持することが望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、堆積膜のシ
ート抵抗値は、理想的には常に一定であることが望まし
いが、実際には、成膜時のプロセス温度や成膜後からシ
ート抵抗値の測定までの放置時間等に応じて、シート抵
抗値自体が大きく変動し、経時変化が大きいことが判明
した。この原因は、堆積膜が大気中のＨ2 Ｏ、或いはＯ
2 により酸化されることによるものと思われる。このた
め、成膜装置の動作状態を確認するつもりで毎朝テスト
用ウエハの堆積膜のシート抵抗値を測定してチェックし
たとしても、成膜後から測定までの時間が日によって異
なっていたりすると、例えば成膜装置自体は同じ状態で
稼働したとしていても、シート抵抗値は大きくずれてお
り、この結果、成膜装置を不必要に調整したり、或いは
その逆のケースが発生する問題があった。
ート抵抗値は、理想的には常に一定であることが望まし
いが、実際には、成膜時のプロセス温度や成膜後からシ
ート抵抗値の測定までの放置時間等に応じて、シート抵
抗値自体が大きく変動し、経時変化が大きいことが判明
した。この原因は、堆積膜が大気中のＨ2 Ｏ、或いはＯ
2 により酸化されることによるものと思われる。このた
め、成膜装置の動作状態を確認するつもりで毎朝テスト
用ウエハの堆積膜のシート抵抗値を測定してチェックし
たとしても、成膜後から測定までの時間が日によって異
なっていたりすると、例えば成膜装置自体は同じ状態で
稼働したとしていても、シート抵抗値は大きくずれてお
り、この結果、成膜装置を不必要に調整したり、或いは
その逆のケースが発生する問題があった。
【０００５】また、このように堆積膜のシート抵抗値自
体が上述のように経時変化を生ずると、設計通りの半導
体集積回路を製造することが困難になるといった問題も
あった。この点について、図２及び図３を参照して説明
する。図２はＴｉＮ膜の成膜時のプロセス温度と成膜後
に大気放置で３日経過した時の膜中の酸素（Ｏ）濃度と
の関係を示すグラフであり、図３はＴｉＮ膜の成膜時の
プロセス温度と成膜後に大気放置で３日経過した時のシ
ート抵抗値の変化率を示すグラフである。図２に示すグ
ラフによれば、プロセス温度が５３０℃程度の時は３日
後の酸素濃度は４ａｔｍｓ％とかなり高いが、プロセス
温度が７００℃程度の時は３日後の酸素濃度は１．５ａ
ｔｍｓ％とかなり低くなっている。
体が上述のように経時変化を生ずると、設計通りの半導
体集積回路を製造することが困難になるといった問題も
あった。この点について、図２及び図３を参照して説明
する。図２はＴｉＮ膜の成膜時のプロセス温度と成膜後
に大気放置で３日経過した時の膜中の酸素（Ｏ）濃度と
の関係を示すグラフであり、図３はＴｉＮ膜の成膜時の
プロセス温度と成膜後に大気放置で３日経過した時のシ
ート抵抗値の変化率を示すグラフである。図２に示すグ
ラフによれば、プロセス温度が５３０℃程度の時は３日
後の酸素濃度は４ａｔｍｓ％とかなり高いが、プロセス
温度が７００℃程度の時は３日後の酸素濃度は１．５ａ
ｔｍｓ％とかなり低くなっている。
【０００６】図３では成膜直後のシート抵抗値とこれを
大気中に放置して３日経過した時のシート抵抗値の比率
を示しており、プロセス温度が５３０℃程度の時には３
日経過するとシート抵抗値は略２倍（１００％）も大き
くなっており、またプロセス温度が７００℃程度の時に
は３日経過するとシート抵抗値は略１．１倍（１０％）
程度と低くなってしいるが、いずれにしても変化率は、
目標とする５％よりも大きくなっており、早期にこの変
化率を小さく抑制することが望まれている。本発明は、
以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく
創案されたものである。本発明の目的は、シート抵抗値
の経時変化を大幅に抑制することができる成膜方法を提
供することにある。
大気中に放置して３日経過した時のシート抵抗値の比率
を示しており、プロセス温度が５３０℃程度の時には３
日経過するとシート抵抗値は略２倍（１００％）も大き
くなっており、またプロセス温度が７００℃程度の時に
は３日経過するとシート抵抗値は略１．１倍（１０％）
程度と低くなってしいるが、いずれにしても変化率は、
目標とする５％よりも大きくなっており、早期にこの変
化率を小さく抑制することが望まれている。本発明は、
以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく
創案されたものである。本発明の目的は、シート抵抗値
の経時変化を大幅に抑制することができる成膜方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、真空引き可能な処理容器内にて高融点金属化合物ガ
スと還元ガスとを用いて被処理体の表面に所定の膜を堆
積させる成膜処理を行なう成膜方法において、前記成膜
処理中に、或いは前記成膜処理の直後に、酸化ガスを前
記処理容器内へ流すようにしたものである。
は、真空引き可能な処理容器内にて高融点金属化合物ガ
スと還元ガスとを用いて被処理体の表面に所定の膜を堆
積させる成膜処理を行なう成膜方法において、前記成膜
処理中に、或いは前記成膜処理の直後に、酸化ガスを前
記処理容器内へ流すようにしたものである。
【０００８】このように、成膜処理中に、或いは成膜処
理の直後に酸化ガスを処理容器内に流すことにより、堆
積膜中に酸素が積極的に取り込まれたり、或いは堆積膜
の表面に酸素が積極的に取り込まれたりし、化学組成的
に安定化し、その結果、シート抵抗値の経時変化を抑制
することが可能となる。この場合、請求項２に規定する
ように、前記高融点金属化合物ガスはＴｉＣｌ4 ガスで
あり、前記還元ガスはＮＨ3 ガスである。
理の直後に酸化ガスを処理容器内に流すことにより、堆
積膜中に酸素が積極的に取り込まれたり、或いは堆積膜
の表面に酸素が積極的に取り込まれたりし、化学組成的
に安定化し、その結果、シート抵抗値の経時変化を抑制
することが可能となる。この場合、請求項２に規定する
ように、前記高融点金属化合物ガスはＴｉＣｌ4 ガスで
あり、前記還元ガスはＮＨ3 ガスである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜方法の
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。まず、本発明
方法を実施するための成膜装置の一例を説明する。図１
は本発明方法を実施する成膜装置を示す概略構成図であ
る。本実施例では、高融点金属化合物ガスとして高融点
金属ハロゲン化合物であるＴｉＣｌ4 ガスと還元ガスと
してＮＨ3 ガスを用いて、成膜装置によりＴｉＮ膜を形
成する場合を例にとって説明する。
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。まず、本発明
方法を実施するための成膜装置の一例を説明する。図１
は本発明方法を実施する成膜装置を示す概略構成図であ
る。本実施例では、高融点金属化合物ガスとして高融点
金属ハロゲン化合物であるＴｉＣｌ4 ガスと還元ガスと
してＮＨ3 ガスを用いて、成膜装置によりＴｉＮ膜を形
成する場合を例にとって説明する。
【００１０】図示するように、成膜装置２は、例えばス
テンレススチール等により円筒体状に成形された処理容
器４を有している。この処理容器４の底部６には、容器
内の雰囲気を排出するための排気口８が設けられてお
り、この排気口８には真空引きポンプを介設した排気系
（図示せず）が接続されて、処理容器４内を底部周辺部
から均一に真空引きできるようになっている。この処理
容器４内には、支柱１０上に支持される円板状の載置台
１２が設けられ、この円板状の載置台１２上に被処理体
として例えば半導体ウエハＷを載置し得るようになって
いる。具体的には、この載置台１２は、例えばＡｌＮな
どのセラミックよりなり、この内部に加熱手段として抵
抗加熱ヒータ１４が埋め込まれている。そして、この載
置台１２の表面にプリコート膜（図示せず）が全面的に
形成されている。
テンレススチール等により円筒体状に成形された処理容
器４を有している。この処理容器４の底部６には、容器
内の雰囲気を排出するための排気口８が設けられてお
り、この排気口８には真空引きポンプを介設した排気系
（図示せず）が接続されて、処理容器４内を底部周辺部
から均一に真空引きできるようになっている。この処理
容器４内には、支柱１０上に支持される円板状の載置台
１２が設けられ、この円板状の載置台１２上に被処理体
として例えば半導体ウエハＷを載置し得るようになって
いる。具体的には、この載置台１２は、例えばＡｌＮな
どのセラミックよりなり、この内部に加熱手段として抵
抗加熱ヒータ１４が埋め込まれている。そして、この載
置台１２の表面にプリコート膜（図示せず）が全面的に
形成されている。
【００１１】一方、処理容器４の天井部には、必要な処
理ガスを供給するシャワーヘッド１６が一体的に設けら
れた天井板１８が容器側壁に対して気密に取り付けられ
ている。このシャワーヘッド１６は、上記載置台１２の
上面の略全面を覆うように対向させて設けられており、
載置台１２との間に処理空間Ｓを形成している。このシ
ャワーヘッド１６は、処理空間Ｓに各種のガスをシャワ
ー状に導入するものであり、シャワーヘッド１６の下面
の噴射面にはガスを噴射するための多数の噴射孔２０が
形成される。
理ガスを供給するシャワーヘッド１６が一体的に設けら
れた天井板１８が容器側壁に対して気密に取り付けられ
ている。このシャワーヘッド１６は、上記載置台１２の
上面の略全面を覆うように対向させて設けられており、
載置台１２との間に処理空間Ｓを形成している。このシ
ャワーヘッド１６は、処理空間Ｓに各種のガスをシャワ
ー状に導入するものであり、シャワーヘッド１６の下面
の噴射面にはガスを噴射するための多数の噴射孔２０が
形成される。
【００１２】また、この処理容器４の側壁には、ウエハ
の搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバル
ブ２２が設けられる。そして、この処理容器４の側壁に
はこのゲートバルブ２２を介して連通されるように、真
空引き可能になされたロードロック室２４が設けられ、
このロードロック室２４内には、ウエハＷを搬送する多
関節アーム２６が旋回及び屈伸可能に設けられる。この
ロードロック室２４内へも必要に応じてＮ2 ガスを供給
できるようになっている。尚、ロードロック室２４に代
えて、トランスファーチャンバを設ける場合もあるが、
特に問わない。また、このロードロック室２４には図示
しないカセット室等が連結されている。
の搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバル
ブ２２が設けられる。そして、この処理容器４の側壁に
はこのゲートバルブ２２を介して連通されるように、真
空引き可能になされたロードロック室２４が設けられ、
このロードロック室２４内には、ウエハＷを搬送する多
関節アーム２６が旋回及び屈伸可能に設けられる。この
ロードロック室２４内へも必要に応じてＮ2 ガスを供給
できるようになっている。尚、ロードロック室２４に代
えて、トランスファーチャンバを設ける場合もあるが、
特に問わない。また、このロードロック室２４には図示
しないカセット室等が連結されている。
【００１３】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明方法について説明する。まず、ロー
ドロック室２４内を真空引きして予め真空状態になされ
ている処理容器４内と略同圧になったならば、ゲートバ
ルブ２２を開いて両室２４、４を連通する。そして、多
関節アーム２６を駆動してロードロック室２４内の未処
理の半導体ウエハＷを処理容器４内へロードして搬入
し、これを載置台１２上に載置する。このように、ウエ
ハＷのロードを行なったならば、成膜処理を開始する。
ここでは、例えばＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスとを用い
て例えばプロセス温度６８０℃にて熱ＣＶＤによりＴｉ
Ｎ膜を成膜する。
て行なわれる本発明方法について説明する。まず、ロー
ドロック室２４内を真空引きして予め真空状態になされ
ている処理容器４内と略同圧になったならば、ゲートバ
ルブ２２を開いて両室２４、４を連通する。そして、多
関節アーム２６を駆動してロードロック室２４内の未処
理の半導体ウエハＷを処理容器４内へロードして搬入
し、これを載置台１２上に載置する。このように、ウエ
ハＷのロードを行なったならば、成膜処理を開始する。
ここでは、例えばＴｉＣｌ4 ガスとＮＨ3 ガスとを用い
て例えばプロセス温度６８０℃にて熱ＣＶＤによりＴｉ
Ｎ膜を成膜する。
【００１４】この場合、キャリアガスとしてＮ2 ガスを
用いてもよい。また、この成膜処理中には、酸化ガスと
して、例えばＯ2 ガスやＨ2 Ｏガス（水蒸気）を過度に
ならない範囲で所定量だけ処理容器４内へ同時に供給
し、堆積膜を部分的に酸化しつつ成膜を行なう。ここで
は酸化ガスとしてＯ2 ガスを用いることとする。この時
のプロセス条件は、８インチウエハサイズの場合には例
えばプロセス圧力が４０Ｐａ（≒３００ｍＴｏｒｒ）程
度、プロセス温度が６８０℃程度、ＴｉＣｌ4 ガスの流
量が３０ｓｃｃｍ程度、ＮＨ3 ガスの流量が４００ｓｃ
ｃｍ程度、Ｎ2 ガスの流量が５００ｓｃｃｍ程度、そし
て、Ｏ2 ガスの流量が５ｓｃｃｍ程度である。
用いてもよい。また、この成膜処理中には、酸化ガスと
して、例えばＯ2 ガスやＨ2 Ｏガス（水蒸気）を過度に
ならない範囲で所定量だけ処理容器４内へ同時に供給
し、堆積膜を部分的に酸化しつつ成膜を行なう。ここで
は酸化ガスとしてＯ2 ガスを用いることとする。この時
のプロセス条件は、８インチウエハサイズの場合には例
えばプロセス圧力が４０Ｐａ（≒３００ｍＴｏｒｒ）程
度、プロセス温度が６８０℃程度、ＴｉＣｌ4 ガスの流
量が３０ｓｃｃｍ程度、ＮＨ3 ガスの流量が４００ｓｃ
ｃｍ程度、Ｎ2 ガスの流量が５００ｓｃｃｍ程度、そし
て、Ｏ2 ガスの流量が５ｓｃｃｍ程度である。
【００１５】このようにして、Ｏ2 ガスにより部分的に
酸化されることにより、ＴｉＯＮ分子が含有されたＴｉ
Ｎ膜を略２０ｎｍ（成膜時間は略５０秒）の厚さで成膜
した。このＴｉＯＮ分子が含有するＴｉＮ膜のシート抵
抗値を、成膜直後と成膜後３日経過した時に、それぞれ
測定したところ、シート抵抗値の増加率（変化率）は、
僅か数％程度であり、目標とする５％以内に抑制するこ
とができ、良好な結果を得ることができた。ここで、Ｏ
2 ガスの供給量を種々変更して同様な成膜処理を行なっ
てシート抵抗値を測定したところ、原料ガスであるＴｉ
Ｃｌ4 ガスの流量の略７〜６７％（２〜２０ｓｃｃｍ）
の範囲内、より好ましくは略１７〜３３％（５〜１０ｓ
ｃｃｍ）の範囲内にＯ2 ガスの供給量を設定するのが良
好であった。
酸化されることにより、ＴｉＯＮ分子が含有されたＴｉ
Ｎ膜を略２０ｎｍ（成膜時間は略５０秒）の厚さで成膜
した。このＴｉＯＮ分子が含有するＴｉＮ膜のシート抵
抗値を、成膜直後と成膜後３日経過した時に、それぞれ
測定したところ、シート抵抗値の増加率（変化率）は、
僅か数％程度であり、目標とする５％以内に抑制するこ
とができ、良好な結果を得ることができた。ここで、Ｏ
2 ガスの供給量を種々変更して同様な成膜処理を行なっ
てシート抵抗値を測定したところ、原料ガスであるＴｉ
Ｃｌ4 ガスの流量の略７〜６７％（２〜２０ｓｃｃｍ）
の範囲内、より好ましくは略１７〜３３％（５〜１０ｓ
ｃｃｍ）の範囲内にＯ2 ガスの供給量を設定するのが良
好であった。
【００１６】上記実施例では、ＴｉＮ膜の成膜中に、原
料ガスと共にＯ2 ガスを処理容器４内へ導入するように
したが、これに限定されず、ＴｉＮ膜の成膜後に、ウエ
ハ存在下にて後処理として処理容器４内へ酸化ガスを所
定の時間だけ流すようにしてもよい。すなわち、この場
合には、ＴｉＮ膜の膜中には酸化ガスであるＯ2 ガスを
供給しないで、まず、従来の通常の成膜方法でＴｉＮ膜
を熱ＣＶＤで堆積する。そして、所定の膜厚のＴｉＮ膜
を形成したならば、ウエハをアンロードすることなくそ
のままの状態にしておいて、ＴｉＣｌ4 ガスやＮＨ3 ガ
スの供給を停止し、これと同時に酸化ガスとして例えば
Ｏ2 ガスを所定の時間だけ処理容器４内へ供給して流
し、ＴｉＮ膜の表面を酸化して部分的にＴｉＯＮ膜を形
成する。
料ガスと共にＯ2 ガスを処理容器４内へ導入するように
したが、これに限定されず、ＴｉＮ膜の成膜後に、ウエ
ハ存在下にて後処理として処理容器４内へ酸化ガスを所
定の時間だけ流すようにしてもよい。すなわち、この場
合には、ＴｉＮ膜の膜中には酸化ガスであるＯ2 ガスを
供給しないで、まず、従来の通常の成膜方法でＴｉＮ膜
を熱ＣＶＤで堆積する。そして、所定の膜厚のＴｉＮ膜
を形成したならば、ウエハをアンロードすることなくそ
のままの状態にしておいて、ＴｉＣｌ4 ガスやＮＨ3 ガ
スの供給を停止し、これと同時に酸化ガスとして例えば
Ｏ2 ガスを所定の時間だけ処理容器４内へ供給して流
し、ＴｉＮ膜の表面を酸化して部分的にＴｉＯＮ膜を形
成する。
【００１７】この場合のプロセス条件は、前述のように
ＴｉＮ膜の成膜中にＯ2 ガスを流した時と同じであり、
プロセス圧力及びプロセス温度はそれぞれ４０Ｐａ及び
６８０℃を維持し、Ｏ2 ガスの流量は２〜２０ｓｃｃｍ
の範囲内、好ましくは５〜１０ｓｃｃｍの範囲内に設定
すればよい。また、この後処理工程の時間は、例えば５
〜３０秒程度の範囲内でよく、過度に長く後処理工程を
行なうと、ＴｉＮ膜の酸化が進み過ぎて好ましくない。
このように、ＴｉＮ膜の成膜後に、後処理工程としてＯ
2 ガスを流した場合にも、ＴｉＮ膜のシート抵抗値が経
時変化することを大幅に抑制することが可能となり、こ
のシート抵抗値の変化を５％以内に抑えることができ
た。
ＴｉＮ膜の成膜中にＯ2 ガスを流した時と同じであり、
プロセス圧力及びプロセス温度はそれぞれ４０Ｐａ及び
６８０℃を維持し、Ｏ2 ガスの流量は２〜２０ｓｃｃｍ
の範囲内、好ましくは５〜１０ｓｃｃｍの範囲内に設定
すればよい。また、この後処理工程の時間は、例えば５
〜３０秒程度の範囲内でよく、過度に長く後処理工程を
行なうと、ＴｉＮ膜の酸化が進み過ぎて好ましくない。
このように、ＴｉＮ膜の成膜後に、後処理工程としてＯ
2 ガスを流した場合にも、ＴｉＮ膜のシート抵抗値が経
時変化することを大幅に抑制することが可能となり、こ
のシート抵抗値の変化を５％以内に抑えることができ
た。
【００１８】上記各実施例では酸化ガスとしてＯ2 ガス
を用いた場合を例にとって説明したが、これに限定され
ず、他の酸化ガス、例えばＨ2 Ｏ（水蒸気）等を用いて
もよい。また、ここでは高融点金属を含む膜としてＴｉ
Ｎ膜を堆積させる場合を例にとって説明したが、これに
限定されず、例えばＷＮ（タングステンナイトライド）
膜を堆積させる場合にも本発明方法を適用できるのは勿
論である。更には、ここでは被処理体として半導体ウエ
ハを例にとって説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ
基板、ガラス基板等にも本発明方法を適用することがで
きる。
を用いた場合を例にとって説明したが、これに限定され
ず、他の酸化ガス、例えばＨ2 Ｏ（水蒸気）等を用いて
もよい。また、ここでは高融点金属を含む膜としてＴｉ
Ｎ膜を堆積させる場合を例にとって説明したが、これに
限定されず、例えばＷＮ（タングステンナイトライド）
膜を堆積させる場合にも本発明方法を適用できるのは勿
論である。更には、ここでは被処理体として半導体ウエ
ハを例にとって説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ
基板、ガラス基板等にも本発明方法を適用することがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜方法
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。高融点金属を含む窒化膜を堆積する際に、成膜
処理中に、或いは成膜処理後に酸化ガスを流して一部を
酸化させて安定化させるようにしたので、堆積膜のシー
ト抵抗値の経時変化を大幅に抑制することができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。高融点金属を含む窒化膜を堆積する際に、成膜
処理中に、或いは成膜処理後に酸化ガスを流して一部を
酸化させて安定化させるようにしたので、堆積膜のシー
ト抵抗値の経時変化を大幅に抑制することができる。
【図１】本発明方法を実施する成膜装置を示す概略構成
図である。
図である。
【図２】ＴｉＮ膜の成膜時のプロセス温度と成膜後に大
気放置で３日経過した時の膜中の酸素（Ｏ）濃度との関
係を示すグラフである。
気放置で３日経過した時の膜中の酸素（Ｏ）濃度との関
係を示すグラフである。
【図３】ＴｉＮ膜の成膜時のプロセス温度と成膜後に大
気放置で３日経過した時のシート抵抗値の変化率を示す
グラフである。
気放置で３日経過した時のシート抵抗値の変化率を示す
グラフである。
２ 成膜装置 ４ 処理容器 １２ 載置台 １４ 抵抗加熱ヒータ １６ シャワーヘッド ２４ ロードロック室 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (2)
- 【請求項１】 真空引き可能な処理容器内にて高融点金
属化合物ガスと還元ガスとを用いて被処理体の表面に所
定の膜を堆積させる成膜処理を行なう成膜方法におい
て、前記成膜処理中に、或いは前記成膜処理の直後に、
酸化ガスを前記処理容器内へ流すようにしたことを特徴
とする成膜方法。 - 【請求項２】 前記高融点金属化合物ガスはＴｉＣｌ4
ガスであり、前記還元ガスはＮＨ3 ガスであることを特
徴とする請求項１記載の成膜方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004993A JP2001192832A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 成膜方法 |
| TW089124253A TW484189B (en) | 1999-11-17 | 2000-11-16 | Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method |
| KR1020000067914A KR100709801B1 (ko) | 1999-11-17 | 2000-11-16 | 프리코트막의 형성방법, 성막장치의 아이들링 방법,재치대 구조, 성막장치 및 성막방법 |
| US10/396,713 US20030235652A1 (en) | 1999-11-17 | 2003-03-26 | Precoat film forming method |
| US10/400,660 US20030165620A1 (en) | 1999-11-17 | 2003-03-28 | Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method |
| US11/009,714 US20050098109A1 (en) | 1999-11-17 | 2004-12-13 | Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method |
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| US12/153,266 US20080226822A1 (en) | 1999-11-17 | 2008-05-15 | Precoat film forming method, idling method of film forming device, loading table structure, film forming device and film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004993A JP2001192832A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 成膜方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507248A (ja) * | 2009-10-12 | 2013-03-04 | マン ウント フンメル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | フィルタ装置 |
-
2000
- 2000-01-13 JP JP2000004993A patent/JP2001192832A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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