JP2001189338A - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び試験方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、半導体装置の実装時のリフロース
トレスを低減し、基板に実装された状態で加熱された際
にハンダ接合部に加わる応力を軽減することを目的とす
る。 【解決手段】 半導体素子１に設けられたインターポー
ザ２の電極パッド３上に、金属ワイヤをループ形状にし
たループ端子１１を形成する。ループ端子１１の電極パ
ッド３との接合部を樹脂１２により封止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、半導体
装置の製造方法及び試験方法に係り、特に表面実装用の
突起電極を有する半導体装置及びそのような半導体装置
の製造方法及び試験方法に関する。近年、半導体装置の
主流はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）タイプやＣＳＰ
（チップサイズパッケージ）タイプに移行してきてい
る。ＢＧＡやＣＳＰの半導体装置は、ハンダボール等の
突起電極を有しており、この突起電極により基板に表面
実装される。

【０００２】

【従来の技術】図１は従来のＣＳＰタイプの半導体装置
の側面図である。図１に示す半導体装置において、半導
体素子１上にインターポーザ（再配線層）２が設けら
れ、インターポーザ２には電極パッド３が設けられてい
る。電極パッド３上にはメタルポスト４が形成され、メ
タルポスト４にハンダボール５が設けられている。そし
て、インターポーザ２、電極パッド３及びメタルポスト
４は封止樹脂６により封止されている。

【０００３】図２は従来のＢＧＡタイプの半導体装置の
側面図である。図２に示す半導体装置において、半導体
素子１は基板８に搭載され、封止樹脂９により封止され
ている。基板８の半導体チップ搭載面の反対側には電極
パッド３が設けられ、ハンダボール５が電極パッド３上
に形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図１及び図２に示す半
導体装置は、突起電極としてハンダボール５を使用して
おり、半導体装置を基板に表面実装する際にはハンダボ
ール５をハンダの融点以上の温度に加熱する必要があ
る。このハンダボール５の加熱の際に、半導体装置自体
も加熱されるため、半導体装置にはいわゆるリフロース
トレス (熱ストレス）が作用し、半導体装置の故障を招
く要因となっていた。

【０００５】近年、ハンダボール５の材料として鉛フリ
ーハンダが使用されるようになってきているが、鉛フリ
ーハンダは通常のハンダよりも融点が高いため、リフロ
ーストレス (熱ストレス）による半導体装置の信頼性の
低下はより増大している。また、半導体装置が基板に搭
載された状態では、温度サイクルに起因する応力がハン
ダ接合部に作用する。すなわち、半導体装置と基板との
熱膨張係数の相違により、半導体装置と基板とを接続し
ているハンダ接合部に応力が作用する。鉛フリーハンダ
は通常のハンダよりも固いためハンダ部分が変形し難
く、応力を緩和する作用が普通のハンダより小さい。し
たがって、鉛フリーハンダにより形成されたハンダボー
ルによるハンダ接合部は、小さな応力でも割れ等の損傷
が発生するおそれがある。

【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、実装時のハンダの加熱による半導体装置への熱影
響を低減するとともに、基板に実装された状態で加熱さ
れた際にハンダ接合部に加わる応力を軽減することので
きる半導体装置及びそのような半導体装置の製造方法及
び試験方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る各手段を講じることにより解決することができる。請
求項１記載の発明は、半導体素子と、該半導体素子の電
極を再配線する再配線層と、該再配線層上に設けられた
電極パッドと、両端が該電極パッドに接合さたループ形
状をなす金属ワイヤよりなるループ端子と、前記再配線
層と前記電極パッドとを封止し、かつ前記ループ端子と
前記電極パッドとの接合部を覆うように設けられた封止
樹脂とを有する構成とする。

【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体装置であって、前記ループ端子にハンダ接合可能な
金属層が設けられる構成とする。請求項３記載の発明
は、請求項１又は２記載の半導体装置であって、前記ル
ープ端子の表面は金により覆われている構成とする。」
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のうちいずれか
一項記載の半導体装置であって、前記ループ端子の一端
はバンプ形状部分が形成されるように前記電極パッドに
接合され、前記ル−プ端子の他端は該バンプ形状部分に
接合される構成とする。

【０００９】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
うちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記ルー
プ端子のループが含まれる面は、半導体装置の中心から
放射状に広がる方向に整列している構成とする。請求項
６記載の発明は、金属ワイヤをループ形状に形成したル
ープ端子を有する半導体装置の製造方法であって、前記
ループ端子のループ幅より小さい寸法を有する開口を有
する導電性部材の該開口に前記ループ端子を挿入して前
記ループ端子を前記開口の内壁に係合させる工程と、前
記導電性部材を電極として用いて前記ループ端子にメッ
キを施すメッキ工程とを有する構成とする。

【００１０】請求項７記載の発明は、金属ワイヤをルー
プ形状に形成したループ端子を有する半導体装置の試験
方法であって、前記ループ端子のループ幅より小さい寸
法を有し内壁が導電性部材よりなる開口を有する配線基
板の該開口に前記ループ端子を挿入し、前記ループ端子
を前記開口の内壁に係合させることにより、前記配線基
板を介して電気的試験を行う構成とする。

【００１１】上述の各手段は次のように作用する。請求
項１記載の発明によれば、半導体装置が実装された状態
で接合部に作用する応力をループの弾性変形により緩和
することができる。また、ループ端子の両端の接合部を
樹脂により封止することにより、接合部を補強するとと
もに、ループ形成面に垂直な方向へのループ端子の変形
を防止することができる。

【００１２】請求項２記載の発明によれば、ハンダ付け
可能な金属層をループ端子に設けることにより、半導体
装置をハンダ付け実装することができる。ハンダ付けの
際は、ループ端子の先端部分がハンダ付けされるだけな
ので、ハンダを溶融するための加熱が少なくてすみ、半
導体装置に作用するリフローストレスを低減することが
できる。

【００１３】請求項３記載の発明によれば、ループ端子
の表面を金により覆うことにより、ループ端子への樹脂
の付着を防止することができ、結果としてループ端子に
樹脂バリが形成されることを防止することができる。請
求項４記載の発明によれば、ループ端子の両端を同じ位
置に接合することができるため、ループの幅を小さくし
てループ端子を形成することができる。これにより、ル
ープ端子のピッチを小さくすることができ、半導体装置
の電極のファインピッチ化を達成することができる。

【００１４】請求項５記載の発明によれば、ループ端子
のループが含まれる面を、半導体装置の中心から放射状
に広がる方向に整列させることにより、ループの形成面
を応力が作用する方向に一致させることができる。すな
わち、ループ端子の弾性変形方向を応力の作用する方向
に一致させることができ、ループ端子に作用する応力を
効率的に緩和することができる。

【００１５】請求項６記載の発明によれば、ループ端子
のループ幅より小さい寸法を有する開口にループ端子を
挿入して係合させるため、簡単な作業でメッキ用の電極
をループ端子に装着することができる。請求項７記載の
発明によれば、ループ幅より小さい寸法を有し、内壁が
導電性部材よりなる開口を有する配線基板が用意され、
この開口にループ端子を挿入してループ端子を開口の内
壁に係合させることにより、ループ端子の電気的導通を
簡単な構成により得ることができる。したがって、配線
基板を介して電気的試験を行うことができ、複雑なコン
タクトピン等の試験装置を用いる必要がない。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図３は本発明の第一の実施の形
態による半導体装置の側面図である。図３において、図
１に示した構成部品と同じ部品には同一の符号を付し、
その説明は省略する。

【００１７】図３に示す半導体装置１０において、半導
体素子１はインターポーザ（再配線基板）２に搭載され
る。インターポーザ２の半導体素子１の搭載面の反対側
には電極パッド３が設けられる。ハンダボールを突起電
極とする構成では、電極パッド３上にメタルポストが形
成され、その上にハンダボールが形成される。本実施の
形態では、メタルポストとハンダボールの代わりに、ル
ープ端子１１が電極搭載用ランドとしての電極パッド３
上に形成される。そして、インターポーザ２及び電極パ
ッド３は樹脂１２により封止される。このとき、樹脂１
２はループ端子１１の根元部分を覆うような厚みで形成
される。したがって、図３に示すように、ループ端子１
１の一部は樹脂１２内にあり、一部が樹脂１２から突出
する。このループ端子１１の突出した部分が半導体装置
１０の突起電極として機能する。

【００１８】上述の構成において、ループ端子１１の両
端の電極パッド３への接合部は樹脂１２内に埋設され
る。これにより、ループ端子１１の接合部は樹脂１２に
より補強され、ループ端子１１の突出部に応力が作用し
てもループ端子１１の接合部が外れることが防止され
る。また、ループ端子１１の接合部に近い部分が樹脂１
２により補強されることにより、ループ端子１１の変形
が弾性変形範囲内に留められる。特に、ループ端子１１
のループ形成面に直角な方向に対しては、ループ端子１
１は塑性変形しやすいので、この方向に関して樹脂１２
により補強することは非常に重要である。

【００１９】なお、本発明による半導体装置１０は基板
にハンダ付け実装されるものとして構成される。すなわ
ち、半導体装置１０のループ端子１１はハンダ付け可能
な金属材料を用いて形成される。図４は半導体装置１０
に形成されたループ端子１１の拡大断面図である。図４
に示されたループ端子１１は図３ループ端子１１を上下
反転したものである。ループ端子１１は、Ａｕワイヤあ
るいはＣｕワイヤ等のハンダ付け可能な金属ワイヤ１１
Ａにより形成される。すなわち、ループ端子１１Ａはワ
イヤボンダを使用して形成される。

【００２０】図４において、ループ端子の左側端部が最
初に電極パッド３に接合され、所定のループが形成され
た後に、右側端部が同じ電極パッド３に接合される。し
たがって、ループ電極１１は簡単なワイヤボンディング
技術により形成されるため、従来のようにメタルポスト
を形成した後にハンダボールを形成する工程より簡単で
あり、製造コストも低い。

【００２１】図４に示すループ端子１１では、金属ワイ
ヤ１１ＡがＡｕワイヤであり、金属ワイヤ１１Ａにメッ
キ層１１Ｂが形成されている。メッキ層１１Ｂは実装時
のハンダ付けを容易にするために設けられるものであ
り、本実施の形態では、ニッケル（Ｎｉ）により形成さ
れる。すなわち、Ａｕワイヤはボンディングワイヤとし
て接合性及び加工性に優れているが、ハンダに拡散して
しまうので、ハンダとの接合性のよいニッケルメッキを
施してＡｕの拡散を防止するものである。

【００２２】なお、金属ワイヤ１１ＡをＣｕワイヤある
いはハンダとの接合性のよいワイヤにより形成した場合
は、メッキ層１１Ｂを設ける必要はない。ただし、Ｃｕ
ワイヤの場合は表面の酸化防止の目的でニッケルのよう
なメッキ層を設けることとしてもよい。このように、ル
ープ端子１１をハンダ付けすることにより、半導体装置
１０を基板に実装する構成では、ループ端子の先端にお
ける実装用のハンダを融点以上になるように加熱すれば
よいので、従来のハンダボールを溶融するための加熱よ
り少ない加熱ですむ。したがって、半導体装置の実装時
に半導体装置に作用するリフローストレスを低減するこ
とができる。

【００２３】また、メッキ層１１Ｂは単一の層に限るこ
となく、複数の異なるメッキ層により構成されることと
してもよい。すなわち、後述するように、樹脂１２の形
成を容易にするために、ニッケルメッキ層の上に更に金
（Ａｕ）メッキ層を形成することとしてもよい。次に、
メッキ層１１Ｂの形成方法について説明する。図５は電
解メッキ法によりメッキ層１１Ｂを金属ワイヤ１１Ａ上
に形成する工程を説明するための図である。

【００２４】図５において、ル−プ状に形成された金属
ワイヤ１１Ａに、図６に示すような孔 (開口）２０ａを
有する金属板２０をかぶせ、これを電解メッキ用の電極
としてメッキ浴槽内でメッキ層１１Ｂを形成する。すな
わち、孔２０ａはループ端子１１のループの幅よりわず
かに小さい径を有しており、ループ端子１１が孔２０ａ
の内壁に係合するようになっている。

【００２５】図７はループ端子１１の寸法と金属板２０
の孔２０ａの内径ｄとの関係を説明するための図であ
る。孔２０ａの内径をｄ、ループ端子１１の最大幅をＬ
１、ループ端子１１の中間部分の幅をＬ２とすると、ｄ
＜Ｌ２＜Ｌ１という関係が成立するように各寸法を設定
する。すなわち、ループ端子１１が孔２０ａに挿入され
た際に、所定の高さｔにおいてループ端子１１が孔２０
ａに係合するように構成する。この高さｔは、後述する
ように、電極パッド３が樹脂１２で封止された際に、樹
脂１２の高さより低くなるように設定される。すなわ
ち、孔２０ａの内壁が係合する部分はメッキが施されな
いので、樹脂１２に覆われる部分とすることにより、突
起電極として樹脂１２から突出する部分には全体にメッ
キが施されることとなる。

【００２６】なお、図６に示すように、複数の孔２０ａ
を金属板２０に形成して、複数のループ端子１１を一度
にメッキ処理することが可能である。したがって、半導
体装置を１個毎個別にメッキ処理することもできるし、
ウェーハ状態においてループ端子１１を形成した場合
は、メッキ処理もウェーハ状態で行うこともできる。図
８は樹脂１２により電極パッド３を封止する工程を示す
図である。ループ端子１１を形成した後、図８（ａ）に
示すように、樹脂１２をインターポーザ２上に滴下す
る。樹脂１２としては、粘度の低いシリコン樹脂、ある
いは低弾性のエポキシ樹脂が好適である。滴下された硬
化前の樹脂１２は、図８（ｂ）に示すように、ループ端
子１１全体が覆われる程度に供給される。そして、樹脂
１２は自重により広がって、図８（ｃ）に示すように、
ループ端子１１の一部が樹脂１２の表面から突出する。
このとき、スピンコート法を用いて、強制的に硬化前の
樹脂１２を周りに広げて樹脂１２を所定の厚みとするこ
ととしてもよい。

【００２７】上述のように樹脂１２をポッティングによ
り供給する場合、ループ端子を形成する金属ワイヤの種
類によっては、金属ワイヤに硬化前の樹脂１２が付着し
てそのまま硬化してしまい、いわゆる樹脂バリがループ
端子１１に形成されてしまうことがある。このような場
合、ループ端子１１の表面に金メッキを施すことによ
り、このような樹脂バリの形成を防止することができ
る。

【００２８】すなわち、金は樹脂１２が付着しにくい性
質を有しており、この性質を利用して樹脂がループ端子
１１に付着したまま硬化しないようにするものである。
ループ端子１１が金ワイヤのままであれば、金メッキを
施す必要はないが、金ワイヤの上にニッケルメッキを施
した場合は、ニッケルメッキの上に更に金メッキを施す
ことで、樹脂バリの形成を防止することができる。

【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について
図９及び図１０を参照して説明する。図９は本発明の第
２の実施の形態による半導体装置に設けられるループ端
子の側面図である。本発明の第２の実施の形態による半
導体装置は、ループ端子の形状を除いて、上述第１の実
施の形態による半導体装置１０と同じ構成であり、その
説明は省略する。

【００３０】本発明の第２の実施の形態による半導体装
置のループ端子２５は、図９に示すように、ループ端子
２５の両端が同じ場所に接合されている。このような形
状とすることにより、ループ端子２５は上述のループ端
子１１よりループ幅を小さく形成することができ、ルー
プ電極のピッチを小さくすることができる。図１０はル
ープ電極２５の形成方法を説明するための図である。ま
ず、ワイヤボンダのキャピラリ２６を使用して金属ワイ
ヤの先端を電極パッド３に接合する。この際、図１０
（ａ）に示すように、接合部にバンプ部２５ａを形成し
ておく。そして、キャピラリ２６を矢印に示すように移
動して、図１０（ｂ）に示すように、金属ワイヤをルー
プ状に形成する。この際、金属ワイヤのループの他端が
最初に接合したバンプ部２５ａに戻るようにする。次
に、バンプ部２５ａに金属ワイヤの他端を接合すること
によりループ端子２５が電極パッド３上に形成される。
なお、ループ端子２５を形成した後は、次のループ端子
のバンプ部を形成するために、金属ワイヤの先端にボー
ルを形成しておく。

【００３１】上述のように形成されたループ端子２５
は、上述の第一の実施の形態のように樹脂により接合部
が封止される。なお、ループ端子２５は、第１の実施の
形態によるループ端子１１と同様な材料により形成し、
また、同様なメッキ処理を施すこととしてもよい。次
に、複数のループ端子１１又は２５が半導体装置の全面
にわたって形成される場合に好適なループ端子の形成に
ついて説明する。図１１はループ端子１１又は２５が形
成された半導体装置の底面を示す模式図である。

【００３２】図１１中、電極パッド３は略円形に形成さ
れており、電極パッド３の中央にループ端子１１又は２
５が太い実線で示されている。ここで、半導体装置がマ
ザーボード等の基板に実装された状態で、加熱、冷却が
繰り返されるヒートサイクルが発生すると、半導体装置
と基板との熱膨張係数の相違に起因して、半導体装置の
接合部、すなわち、ループ端子１１又は２５に応力が発
生する。応力の作用する方向は、図１１において矢印で
示すように、半導体装置の中央から放射状に周囲に向か
う方向となる。

【００３３】ループ電極１１又は２５はループの形成さ
れる面の方向に対して弾性変形して応力を吸収するよう
になっている。このため、ループの形成される面が応力
が作用する方向に一致するようにループ端子１１又は２
５を形成すればよい。したがって、ループ端子のループ
が形成される面は、半導体装置の中央から放射状に周囲
に向かう方向に整列することとなる。ループ端子１１又
は２５を図１１に示すように整列させることにより、効
率的に応力を吸収し緩和することができる。

【００３４】図１２は、図１１に示すようにループ端子
１１又は２５を形成する場合の、電極パッド３の好適な
形状を示す模式図である。図１２において、電極パッド
３Ａはループ形成面に平行な方向に延在する長方形に形
成される。このような形状で電極パッドを形成すること
により、電極パッド間の距離を大きくとることができ
る。

【００３５】図１３は、上述の第１の実施の形態による
ループ端子１１を、一つの電極パッド３に対して２つ形
成した例を示す斜視図である。ループ端子１１は電極パ
ッド３に最初に接続される端部と後から接続される反対
側の端部との接続強度が異なり、応力の緩和に方向性が
ある。図１３（ａ）に示すように、ループ端子１１を二
つ平行に形成し、且つボンディングの方向を反対とする
ことでどちらの方向にも同じように応力を緩和できる構
成となる。また、図１３（ｂ）に示すように、長方形の
電極パッド３Ａを用いた場合は、その対角線に沿って二
つのループ電極１１を形成する。

【００３６】図１３の例では、本発明の第１の実施の形
態におけるループ電極１１を示したが、第２の実施の形
態によるループ電極２５を図１３に示すように２つ平行
に形成することとしてもよい。次に、本発明によるルー
プ電極１１又は２５を有する半導体装置の試験方法につ
いて説明する。図１４は本発明の第１の実施の形態によ
る半導体装置の電気的な試験を行う際に電気的なコンタ
クトをとるための構成を示す図である。

【００３７】図１４において、半導体装置１０の各ルー
プ端子１１と電気的な接続を得るために、試験基板３０
が半導体装置１０に装着される。試験基板３０は、半導
体装置１０のループ電極１１に対応する位置に孔 (開
口）３１を有している。孔３１はループ端子１１の幅よ
りわずかに小さい内径を有しており、内壁には導電体３
２がメッキ等により設けられている。導電体３２は配線
パターン３３を介して対応する電極３４に接続されてい
る。

【００３８】試験基板３０が半導体装置１０に装着され
た状態では、図１５に示すように、ループ電極１１は対
応する孔３１に挿入され、導電体３２がループ電極１１
に係合する。したがって、ループ端子１１は導電体３２
及び配線パターン３３を介して対応する電極３４に電気
的に接続される。ループ端子１１は弾性変形可能なた
め、試験基板３０の孔３１に対して弾性変形した状態で
挿入される。このため、導電体３２とループ電極１１と
を確実に接触させることができ、確実な導通を得ること
ができる。したがって、ハンダボール等の突起電極を有
する半導体装置を試験するために使用される高価で微細
なコンタクトピンを使用することなく、確実な電気的接
続を得ることができる。

【００３９】上述の試験基板３０を使用した試験方法
は、ループ端子２５にもて機用できることは明らかであ
る。この場合、ループ端子２５の形状を試験基板３０を
使用して矯正することもできる。図１６は、試験基板３
０によりループ端子２５の形状を矯正する工程を示す側
面図である。ループ端子２５はその形成方法により片側
につぶれたようなループ形状とならざるを得ない。そこ
で、図１６（ａ）に示すように、試験基板３０をループ
端子２５に装着し、試験基板３０をループのつぶれた方
向とは逆の方向に移動する。これにより、図１６（ｂ）
に示すように、ループ端子２５のループ形状を矯正する
ことができる。

【００４０】以上、本願発明をＣＳＰタイプの半導体装
置に適用した例を説明してきたが、本発明によるループ
端子は、図１７に示すように、ＢＧＡタイプの半導体装
置に適用することもできる。

【００４１】

【発明の効果】上述のように、半導体装置が実装された
状態で接合部に作用する応力をループの弾性変形により
緩和することができる。また、ループ端子の両端の接合
部を樹脂により封止することにより、接合部を補強する
とともに、ループ形成面に垂直な方向へのループ端子の
変形を防止することができる。

【００４２】請求項２記載の発明によれば、ハンダ付け
可能な金属層をループ端子に設けることにより、半導体
装置をハンダ付け実装することができる。請求項３記載
の発明によれば、ループ端子の表面を金により覆うこと
により、ループ端子への樹脂の付着を防止することがで
き、結果としてループ端子に樹脂バリが形成されること
を防止することができる。

【００４３】請求項４記載の発明によれば、ループ端子
の両端を同じ位置に接合することができるため、ループ
の幅を小さくしてループ端子を形成することができる。
これにより、ループ端子のピッチを小さくすることがで
き、半導体装置の電極のファインピッチ化を達成するこ
とができる。請求項５記載の発明によれば、ループ端子
のループが含まれる面を、半導体装置の中心から放射状
に広がる方向に整列させることにより、ループの形成面
を応力が作用する方向に一致させることができる。すな
わち、ループ端子の弾性変形方向を応力の作用する方向
に一致させることができ、ループ端子に作用する応力を
効率的に緩和することができる。

【００４４】請求項６記載の発明によれば、ループ端子
のループ幅より小さい寸法を有する開口にループ端子を
挿入して係合させるため、簡単な作業でメッキ用の電極
をループ端子に装着することができる。請求項７記載の
発明によれば、ループ幅より小さい寸法を有し、内壁が
導電性部材よりなる開口を有する配線基板が用意され、
この開口にループ端子を挿入してループ端子を開口の内
壁に係合させることにより、ループ端子の電気的導通を
簡単な構成により得ることができる。したがって、配線
基板を介して電気的試験を行うことができ、複雑なコン
タクトピン等の試験装置を用いる必要がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＣＳＰタイプの半導体装置の側面図であ
る。

【図２】従来のＢＧＡタイプの半導体装置の側面図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
側面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
ループ電極の断面である。

【図５】ループ端子にメッキを施す工程を示す側面図で
ある。

【図６】ループ端子にメッキ処理用の電極を装着する工
程を示す斜視図である。

【図７】図６に示した金属板の孔の寸法とループ端子の
寸法との関係を説明するための側面図である。

【図８】樹脂による封止工程を説明するための側面図で
ある。

【図９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の
ループ端子の側面図である。

【図１０】図９に示すループ端子の形成工程を説明する
ために側面図である。

【図１１】ループ端子のループの方向を示す模式図であ
る。

【図１２】ループ端子を形成する電極パッドの配列を示
す模式図である。

【図１３】ループ端子を２つ平行に形成した構成を示す
社シズである。

【図１４】ループ端子を有する半導体装置の電気的試験
を行うための試験基板を示す斜視図である。

【図１５】ループ端子が試験基板の孔に挿入された状態
を示す側面図である。

【図１６】ループ端子の形状の矯正工程を示す側面図で
ある。

【図１７】ＢＧＡタイプの半導体装置に本発明によるル
ープ端子を形成した例を示す側面図である。

【符号の説明】

１ 半導体素子 ２ インターポーザ接地リング ３，３Ａ 電極パッド ４ メタルポスト ５ ハンダボール ８ 基板 ９ 封止樹脂 １０ 半導体装置 １１，２５ ループ端子 １１Ａ 金属ワイヤ １１Ｂ メッキ層 １２ 樹脂 ２０ 金属板 ２０ａ 孔 ２６ キャピラリ ３０ 試験基板 ３１ 孔 ３２ 導電体 ３３ 配線パターン ３４ 電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 正明 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 柴 典章 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐藤 光孝 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG08 AG12 AH07 2G011 AA01 AA14 AB06 AC14 AC21 AE02 AF07

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子と、 該半導体素子の電極を再配線する再配線層と、 該再配線層上に設けられた電極パッドと、 両端が該電極パッドに接合さたループ形状をなす金属ワ
   イヤよりなるループ端子と、 前記再配線層と前記電極パッドとを封止し、かつ前記ル
   ープ端子と前記電極パッドとの接合部を覆うように設け
   られた封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置であって、 前記ループ端子にハンダ接合可能な金属層が設けられる
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置であっ
   て、 前記ループ端子の表面は金により覆われていることを特
   徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
   の半導体装置であって、 前記ループ端子の一端はバンプ形状部分が形成されるよ
   うに前記電極パッドに接合され、前記ル−プ端子の他端
   は該バンプ形状部分に接合されることを特徴とする半導
   体装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のうちいずれか一項記載
   の半導体装置であって、 前記ループ端子のループが含まれる面は、半導体装置の
   中心から放射状に広がる方向に整列していることを特徴
   とする半導体装置。
6. 【請求項６】 金属ワイヤをループ形状に形成したルー
   プ端子を有する半導体装置の製造方法であって、 前記ループ端子のループ幅より小さい寸法を有する開口
   を有する導電性部材の該開口に前記ループ端子を挿入し
   て前記ループ端子を前記開口の内壁に係合させる工程
   と、 前記導電性部材を電極として用いて前記ループ端子にメ
   ッキを施すメッキ工程とを有することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 金属ワイヤをループ形状に形成したルー
   プ端子を有する半導体装置の試験方法であって、 前記ループ端子のループ幅より小さい寸法を有し内壁が
   導電性部材よりなる開口を有する配線基板の該開口に前
   記ループ端子を挿入し、前記ループ端子を前記開口の内
   壁に係合させることにより、前記配線基板を介して電気
   的試験を行うことを特徴とする半導体装置の試験方法。