JP2001184921A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

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JP2001184921A
JP2001184921A JP37306899A JP37306899A JP2001184921A JP 2001184921 A JP2001184921 A JP 2001184921A JP 37306899 A JP37306899 A JP 37306899A JP 37306899 A JP37306899 A JP 37306899A JP 2001184921 A JP2001184921 A JP 2001184921A
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led
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light emitting
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Masahiro Yamamoto
雅裕 山本
Genichi Hatagoshi
玄一 波多腰
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Toshiba Corp
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    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 均一かつ十分な明るさを持つ光を発すること
ができ、小型化が可能である発光装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上に二次元的に分散して
複数のＬＥＤ１２が配置され、このＬＥＤ１２を覆うよ
うにガラス基板１１上に導光板１３が形成されている。
この導光板１３上に拡散板１４が形成され、導光板１３
内に蛍光体が含有される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導光板を用いた発
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、薄膜ディスプレイは、設置面積が
小さく、再生画像がより自然であるだけでなく、省電力
が期待されている。このため、薄膜ディスプレイに関す
る研究、開発が活発に行われている。この薄膜ディスプ
レイの中でも、特に液晶ディスプレイは、パソコン等の
ディスプレイから小型ゲーム機まで、幅広い用途に使用
されている。
【０００３】この液晶ディスプレイに代表される受動型
画像表示装置では、液晶自身が発光しているわけではな
く、液晶はいわばシャッターとなり、ＲＧＢの光の通路
となっている。このため、バックライトと言われる大面
積を均一に光らせる光源が不可欠である。このバックラ
イトの光源には、放電管が用いられる。この場合、放電
管から光が放出され、この放出された光が導光板を経て
液晶面に到達する。これにより、ディスプレイの全体を
均一に照らしている。
【０００４】最近では、ディスプレイ装置の表面の実装
面積において、液晶パネル部分を可能な限り大きくし、
液晶パネル周辺の非表示部分を限りなく小さくすること
が要求されている。このため、従来、非表示部分にある
バックライト用の放電管は、十分な明るさを保ちつつ小
さくする必要が出てきている。
【０００５】しかしながら、真空管の一種である放電管
では、放電管及びそのための回路等の光源に関する実装
面積が大きくなる。このため、放電管の小型化には限度
がある。
【０００６】また、現在の方式では、導光板の一端から
放電管により光を伝播させ、ディスプレイ全体を照らし
ている。このため、ディスプレイ全体の光分布が必ずし
も均一にならない。従って、バックライトの光源とし
て、放電管は最適とは言えない。また、放電管を用いて
ディスプレイ全体の光分布を均一にしようとすると、複
雑な光学系が必要になるため、ディスプレイ装置が増大
する。
【０００７】このように、第１の課題として、バックラ
イトの光源に放電管を用いた場合、液晶パネルの非表示
部分に余分な面積を持たず、均一かつ十分な明るさを持
つ光を発することができないという問題があった。
【０００８】ところで、現在、電灯に代表される照明に
は、真空管技術に基づいた、例えば蛍光灯、電球等が使
われている。これらは、単位電力あたりの光出力が大き
いためである。しかしながら、このような真空管を基に
した発光源は、その性質上、寿命が比較的短く、環境に
有害な物質等が使用されている。従って、真空管を基に
した発光源は、必ずしも使い勝手がよいわけではない。
【０００９】一方、近年のＬＥＤ、ＬＤに関する研究の
発展により、ＬＥＤ、ＬＤの光出力は蛍光灯に準ずると
ころまできている。特に、近年、ＧａＮを代表とする半
導体材料が、青色、緑色の光源材料として研究されてい
る。この材料はバンドギャップが可視光線に対して十分
大きいため、発光効率が極めて大きな発光素子を作るこ
とができる。しかし、従来のＬＤ、ＬＥＤ単体では、総
出力が非常に小さく、照明の変わりにならない。このた
め、単位当たりの出力が小さい半導体素子を数多く並べ
ることによって、総出力を高めるという方法がある。し
かし、素子が発熱するため、素子の個々の出力を合計し
た光量に必ずしも達しない。
【００１０】このように、第２の課題として、照明とし
てＬＤ、ＬＥＤのような半導体素子を用いた場合、半導
体素子が発熱することにより出力が減少し、十分な明る
さを持つ光を発することができないという問題があっ
た。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記第１の課
題を解決するためになされたものであり、その目的とす
るところは、均一かつ十分な明るさを持つ光を発するこ
とができ、小型化が可能である発光装置を提供すること
にある。
【００１２】また、本発明は上記第２の課題を解決する
ためになされたものであり、その目的とするところは、
発熱を効率よく放熱することにより総出力が増大でき、
十分な明るさを持つ光を発することができる発光装置を
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために以下に示す手段を用いている。
【００１４】本発明の第１の発光装置は、基板上に二次
元的に分散して配置された複数の半導体素子と、前記半
導体素子を覆うように前記基板上に形成された導光板
と、前記導光板上に形成された拡散板とを有している。
【００１５】前記第１の発光装置は、前記導光板内に含
まれた蛍光体をさらに有してもよい。
【００１６】本発明の第２の発光装置は、基板上に配置
された複数の半導体素子からなる発光領域と、前記基板
の前記発光領域以外の領域からなる非発光領域とを有す
る発光装置であって、前記発光領域の面積をＳ１、前記
非発光領域の面積をＳ２とする場合、Ｓ１≦Ｓ２の関係
を満たしている。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。
【００１８】［第１の実施例］本発明の第１の実施例
は、バックライトとしてＬＥＤを用い、このＬＥＤを二
次元的に分散して配置している。また、導光板内に蛍光
体を含ませて白色光を発していることに特徴がある。
【００１９】図１は、一般的な液晶ディスプレイの概略
的な斜視図を示す。図２は、図１の概略的な回路図を示
す。図１に示すように、バックライト１は実装基板２上
に配置され、このバックライト１により液晶表示装置３
が照らされる。
【００２０】図３（ａ）は、図１に示すバックライト１
の斜視図を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す一つ
のＬＥＤを有する領域の断面図を示す。
【００２１】図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、ガ
ラス基板１１上に、ＩＴＯ（IndiumTin Oxides）を主成
分とした電極（図示せず）と、例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｃｒ
等のような金属を主成分とした透明電極（図示せず）と
により配線（図示せず）が形成される。この配線上に、
バックライト１の光源として例えば青色のＬＥＤ１２が
配置される。このＬＥＤ１２を覆うように、ガラス基板
１１上に導光板１３が形成され、この導光板１３上にチ
ップのパターンに合わせて拡散板１４が形成される。さ
らに、導光板１３の全体に、例えばカルシウム塩類から
なる蛍光体１５を含有させる。この蛍光体１５は、青色
から赤色に光を変換する第１の蛍光体１５ａと、青色か
ら緑色に光を変換する第２の蛍光体１５ｂとからなる。
【００２２】このようなバックライト１の光源として用
いられたＬＥＤ１２は、図３（ａ）に示すように、ガラ
ス基板１１の平面上に二次元的に分散して配置されてい
る。尚、図３（ａ）に示すＬＥＤ１２は、規則的に分散
した配置となっているが、この配置に限定されず、液晶
表示装置の全体を均一な光で照らすことができる配置で
あればよい。
【００２３】上述したバックライト１によれば、まずＬ
ＥＤ１２から青色の光が放出される。この光のうち、導
光板１３内の第１の蛍光体１４ａを通過する光は青色か
ら赤色変換され、第２の蛍光体１４ｂを通過する光は青
色から緑色に変換される。従って、導光板１３内の蛍光
体１４ａ、１４ｂによって、個々のＬＥＤ１２から発し
た光が、ＲＧＢの３色からなる光に変換される。この３
色の光が混合することにより、バックライト１から発す
る光が白色光となる。
【００２４】上記第１の実施例によれば、ＬＥＤ１２
は、液晶表示装置３に対し二次元的に分散して配置され
ている。このため、図４に示すように、ＬＥＤ１２の発
光特性（ビーム特性）は、中心部に最も明るいピークが
あるものの、周辺部つまり１８０°の水平及び垂直方向
にもビーム強度がある。従って、液晶表示装置３の全体
をほぼ均一な光で照らすことができる。
【００２５】また、液晶表示装置３の周辺にＬＥＤを配
置した場合と比較すると、第１の実施例は、二次元的に
分散して配置しているため、各発光中心であるＬＥＤの
発光強度が十分強い範囲にバックライト全面が存在する
ことになる。このため、従来の端からの発光に比べ、発
光がより均一化するとともに明るくなるという利点があ
る。
【００２６】また、個々の発光中心であるＬＥＤは、一
辺が例えば３００μｍ乃至１ｃｍの範囲であり、これを
本来の光学特性を十分に生かした配置に並べる。このた
め、特別な光学系での光出力のロスもないため、十分な
明るさを持つ光を発することができる。
【００２７】また、光源として必要な色成分を作り出す
ために、導光板１３内に蛍光体１４ａ、１４ｂを含ませ
ている。これにより、一色のＬＥＤから３原色の光を作
り出すことができる。従って、バックライト部分の小型
化が可能である。
【００２８】［第２の実施例］本発明の第２の実施例
は、上記第１の実施例と同様に、バックライトとしてＬ
ＥＤを用い、このＬＥＤを二次元的に分散して配置して
いる。また、カラーフィルターを用いることなく、ＲＧ
Ｂの３原色を発生できることに特徴がある。尚、第２の
実施例において、第１の実施例と同様の構造については
説明を省略する。
【００２９】図５は、第２の実施例によるバックライト
の一部分の断面図を示す。図５に示すように、第１の実
施例と同様に、ガラス基板２１上に、バックライトの光
源として例えば青色のＬＥＤ２２が二次元的に分散して
配置される。このＬＥＤ２２を覆うように、ガラス基板
２１上に第１の導光板２３が形成され、この第１の導光
板２３上に拡散板２４が形成される。この拡散板２４上
に第２の導光板２５が形成され、この第２の導光板内に
蛍光体２６が含有される。この蛍光体２６は、青色から
赤色に光を変換する第１の蛍光体２６ａと、青色から緑
色に光を変換する第２の蛍光体２６ｂとからなる。さら
に、第２の導光板２５上に、画素毎にＲＧＢに分かれた
赤色用、緑色用、青色用の液晶パネル２７ａ、２７ｂ、
２７ｃが形成される。
【００３０】このようなバックライトにおいて、第２の
導光板２５内に蛍光体２６を含有させるときは、トポタ
キシー反応に基づく蛍光体合成方法で蛍光体２６が作成
され、この蛍光体２６が液晶パネル２７ａ、２７ｂ、２
７ｃのＲＧＢに合わせて含有される。つまり、赤色用の
液晶パネル２７ａ下の導光板２５内に第１の蛍光体２６
ａが含有され、緑色用の液晶パネル２７ｂ下の導光板２
５内に第２の蛍光体２６ｂが含有されている。
【００３１】上記第２の実施例によれば、上記第１の実
施例と同様の効果が得られる。さらに、ＬＥＤ２２から
発する光は、各蛍光体２６ａ、２６ｂを通過し各液晶パ
ネル２７ａ、２７ｂ、２７ｃから放出する。すなわち、
各液晶パネル２７ａ、２７ｂ、２７ｃから放出した光
は、ＲＧＢのそれぞれの色を発生する。このため、カラ
ーフィルターを用いることなく、カラーを発光できる。
従って、従来、カラーフィルターを用いて各色成分を発
色していたのに対し、各色成分を発光する蛍光体を二次
元的に配列することにより、カラーフィルターレスとす
ることができる。このため、バックライト部分の小型化
が図られる。
【００３２】尚、第２の実施例は、図６に示すように、
拡散板２４に対して、２次元的に配列したＬＥＤ２２を
各領域において角度をつけて傾けるように配置にしても
よい。これにより、ＬＥＤ２２から発する光を散乱させ
ることができる。従って、ビーム特性が向上でき、液晶
表示装置の全体をさらに均一に照らすことができる。
【００３３】［第３の実施例］本発明の第３の実施例
は、上記第１の実施例と同様に、バックライトとしてＬ
ＥＤを用い、このＬＥＤを二次元的に分散して配置して
いる。また、導波路を用いることによって、ＲＧＢの３
原色を発生できることに特徴がある。尚、第３の実施例
において、第１の実施例と同様の構造については説明を
省略する。
【００３４】図７は、導波路を用いたバックライトの構
成を示す。図７に示すように、ＲＧＢに分かれた導波路
３１ａ、３１ｂ、３１ｃが用いられ、各導波路３１ａ、
３１ｂ、３１ｃにそれぞれ液晶シャッター３２ａ、３２
ｂ、３２ｃが配置されている。
【００３５】このようなバックライトは、第１の実施例
と同様に、二次元的に分散して配置されたＬＥＤ（図示
せず）により光が発生される。個々のＲＧＢの光は、そ
れぞれの波に最適化された導波路３１ａ、３１ｂ、３１
ｃにより、それぞれ各ＲＧＢの画素下に導波される。各
液晶シャッター３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、この画素上
に設けられており、このシャッターの開閉により、ＲＧ
Ｂの各色を単独で取り出すことになる。このようにし
て、ＲＧＢの３原色を発生できる。
【００３６】上記第３の実施例によれば、上記第１の実
施例と同様の効果が得られる。さらに、第３の実施例
は、ＲＧＢに分かれた導波路３１ａ、３１ｂ、３１ｃを
形成している。このため、カラーフィルターを用いるこ
となく、３原色のカラーを発光できる。従って、バック
ライト部分の小型化が図られる。
【００３７】また、導波路３１ａ、３１ｂ、３１ｃを用
いることにより、光を効率よく導波させることができ
る。従って、発光装置の発光効率が向上できる。
【００３８】［第４の実施例］本発明の第４の実施例
は、上記第１の実施例と同様に、バックライトとしてＬ
ＥＤを用い、このＬＥＤを二次元的に分散して配置して
いる。特に、上記第１の実施例ようにバックライトの光
源として青色ＬＥＤだけでなく、３原色のＬＥＤを用い
ていることに特徴がある。尚、第４の実施例において、
第１の実施例と同様の構造については説明を省略する。
【００３９】図８は、バックライトの光源として赤色、
緑色、青色用のＬＥＤを配置した図を示す。図８に示す
ように、配線４１上にチップ型ＬＥＤとして赤色ＬＥＤ
４２と緑色ＬＥＤ４３と青色ＬＥＤ４４を配置する。こ
れらのＬＥＤ４２、４３、４４は、例えば赤色ＬＥＤ：
青色ＬＥＤ：緑色ＬＥＤ＝２：１：１の比率となるよう
に並べる。
【００４０】このように、赤色ＬＥＤ４２と緑色ＬＥＤ
４３と青色ＬＥＤ４４を用いることにより、３原色を作
り出している。従って、マクロに見た場合、各ＬＥＤ４
２、４３、４４から発する光が混合することにより、白
色光が発光できる。
【００４１】上記第４の実施例によれば、上記第１の実
施例と同様の効果が得られる。さらに、第４の実施例
は、上記第１の実施例のように、蛍光体を用いることな
く、白色光を作り出すため、光の利用効率、全体として
外部量子効率が非常に高いまま保つことができるという
利点がある。
【００４２】［第５の実施例］本発明の第５の実施例
は、照明の光源として複数のＬＥＤを用い、この複数の
ＬＥＤ配置した場合の接続に特徴がある。以下、照明の
光源として用いた３原色のＬＥＤを、各色毎に複数配置
する方法について説明する。
【００４３】まず、赤色のＬＥＤの形成について説明す
る。図９は赤色のＬＥＤの斜視図を示す。ここで、赤色
のＬＥＤにはＩｎＧａＡｌＰ系の材料を用いている。
【００４４】図９に示すように、まず、直径が例えば２
インチのＧａＡｓ基板５１が洗浄される。その後、Ｇａ
Ａｓ基板５１がＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical V
aporDeposition）装置に搬入され、ＧａＡｓ基板５１を
結晶成長させる。これにより、ＧａＡｓ基板５１上にダ
ブルへテロ結合のＩｎＧａＡｌＰ層５２が形成される。
結晶成長の終了後、ＭＯＣＶＤ装置からＧａＡｓ基板５
１が取り出される。次に、フォトリソグラフィにより、
ＩｎＧａＡｌＰ層５２がパターニングされ、電極５３が
形成される。このようにして作り出されたＧａＡｓ基板
５１上のＬＥＤチップ群はスクライブにより分離され、
一辺が約３００μｍの赤色ＬＥＤチップ５０が形成され
る。その後、上記のように形成された赤色ＬＥＤチップ
５０の特性が評価され、所望の特性であることが確認さ
れる。尚、この評価はスクライブの前に行ってもよい。
【００４５】次に、複数の赤色ＬＥＤチップ５０を配置
する場合について説明する。図１０は複数の赤色ＬＥＤ
チップ５０を接続した場合の断面図を示す。
【００４６】図１０に示すように、ＢＮ（ボロン・ナイ
トライド）基板５６の表面に格子状の凸部５７が形成さ
れ、この凸部５７上に赤色ＬＥＤチップ５０が接着され
る。尚、凸部５７はそれぞれ金をメッキしてある。その
後、Ａｕ線５８により、ある赤色ＬＥＤチップ５０が凸
部５７と接する面と、他の赤色ＬＥＤチップ５０の表面
とが接続される。また、赤色ＬＥＤチップ５０とＢＮ基
板５６は銀ペーストを使用しており、乾燥は基板温度が
例えば２００℃乃至３００℃となるように行われる。
【００４７】このように形成した基板の周辺部に、ピッ
チ変換基板を使用してワイヤー（図示せず）が張られ、
これが銅ヒートシンク（図示せず）に接着される。この
接着にはシリコングリースを使用する。次に、ケーブル
により可変抵抗に接続されて全体の配線が行われ、全体
の明るさが調整される。
【００４８】次に、青色及び緑色のＬＥＤの形成につい
て説明する。図１１は青色及び緑色のＬＥＤの斜視図を
示す。ここで、青色及び緑色のＬＥＤには、ＧａＮ系の
材料を用いている。
【００４９】図１１に示すように、まず、直径が例えば
２インチのサファイア基板６１が洗浄される。その後、
サファイア基板６１がＭＯＣＶＤ装置に搬入され、サフ
ァイア基板６１を結晶成長させる。これにより、サファ
イア基板６１上にダブルへテロ結合のＩｎＧａＮ層６２
が形成される。結晶成長の終了後、サファイア基板６１
がＭＯＣＶＤ装置から取り出される。次に、フォトリソ
グラフィにより、ＩｎＧａＮ層６２のパターニング及び
面出しが行われ、Ｐ型電極６３ａ及びＮ型電極６３ｂが
形成される。このようにして作り出されたサファイア基
板６１上のＬＥＤチップ群はスクライブにより分離さ
れ、一辺が約３００μｍの青色及び緑色ＬＥＤチップ６
０が形成される。その後、上記のように形成された青色
及び緑色ＬＥＤチップ６０の特性が評価され、所望の特
性であることが確認される。尚、この評価はスクライブ
の前に行ってもよい。
【００５０】次に、複数の青色及び緑色ＬＥＤチップ６
０を配置する場合について説明する。図１２は複数の青
色及び緑色ＬＥＤチップ６０を接続した上面図を示す。
【００５１】図１２に示すように、ＢＮ基板６６の表面
に格子状の凸部６７が形成され、この凸部６７上に青色
及び緑色ＬＥＤチップ６０が接着される。尚、凸部６７
はそれぞれ金をメッキしてある。その後、Ａｕ線６８に
より、ある青色及び緑色ＬＥＤチップ６０のＰ電極６３
ａと、他の青色及び緑色ＬＥＤチップ６０のＮ電極６３
ｂとが接続される。また、青色及び緑色ＬＥＤチップ６
０とＢＮ基板６６は銀ペーストを使用しており、乾燥は
基板温度が例えば２００℃乃至３００℃となるように行
われる。
【００５２】このように形成した基板の周辺部に、ピッ
チ変換基板を使用してワイヤー（図示せず）が張られ、
これが銅ヒートシンク（図示せず）に接着される。この
接着にはシリコングリースを使用する。次に、ケーブル
により可変抵抗に接続されて全体の配線が行われ、全体
の明るさが調整される。
【００５３】上記第５の実施例によれば、図１３に示す
ように、１チップ上に複数の赤色ＬＥＤチップ５０が配
置され、図１４に示すように、１チップ上に複数の青色
及び緑色ＬＥＤチップ６０が配置される。図１３、図１
４において、５４、６４は発光領域を示し、５５、６５
は非発光領域を示している。この発光領域５４、６４
は、例えば、ＬＥＤの光取り出し用の窓領域等の領域で
あり、非発光領域５５、６５は、例えば、パッド、基
板、ヒートシンク等の領域である。
【００５４】ここで、発光領域５４、６４の面積をＳ
１、非発光領域５５、６５の面積をＳ２とした場合、Ｓ
１がＳ２より大きくなると、素子の発熱に対して十分な
熱拡散が生じなくなってしまう。その結果、発光効率が
下がるという問題が生じる。従って、Ｓ１、Ｓ２は式
（１）の関係を満たす必要がある。
【００５５】Ｓ１≦Ｓ２…（１） また、個々の発光領域５４、６４の面積は例えば１００
００μｍ2である。さらに、発光領域５４、６４は例え
ばＧａを含む化合物からなり、非発光領域５５、６５は
ダイヤモンド、ＳｉＣからなる基板を用いてもよいが、
ＢｘＡｌｙＮからなる基板を用いることが最も望まし
い。
【００５６】尚、図１３に示す赤色ＬＥＤチップ５０が
複数配置された発光措置と図１４に示す青色及び緑色Ｌ
ＥＤチップ６０が複数配置された発光措置は、図１５に
示すような同一の回路からなる。
【００５７】また、従来の集合型チップは、複数のＬＥ
Ｄを用いていたが、これらは、モールドされた、つまり
チップ一個に対して設計された光学系及び熱特性を有す
るものを並べただけであり、また、一辺が数十センチか
ら十数メートルとなるような構造である。このような従
来の集合型チップによる発光装置と同出力で、第５の実
施例による発光装置の熱分布を測定した。その結果、第
５の実施例による発光装置は、従来の発光装置よりも１
００℃以上の低い温度となった。つまり、第５の実施例
による発光装置は、発生した熱を効率よく放熱できる。
従って、熱効率が向上するため、総出力が増大できる。
これにより、十分な明るさを持つ光が発生できるため、
第５の実施例による発光装置を、照明灯のような高出力
の発光装置として用いることが可能となる。
【００５８】また、第５の実施例による発光装置は、熱
拡散に有効な設計を行っている。つまり、素子発光面積
と非発光面積及びヒートシンクの厚みを最適化してあ
る。このため、熱拡散が起こり、この熱拡散効果により
素子全体に熱が分散され、均一な光が発光できる。
【００５９】また、複数のＬＥＤを配置する際、例えば
赤色ＬＥＤと青色ＬＥＤのように異なる色のＬＥＤを接
続することなく、一色のＬＥＤのみで接続している。こ
れは、例えば赤色ＬＥＤと青色ＬＥＤを混ぜて接続した
場合、各色のＬＥＤにおいて、駆動電流、電圧がばらば
らであること、光学特性が微妙に違うことにより、駆動
回路、配線、光学系に大きな問題が生じる。これに対
し、第５の実施例のように、一色のＬＥＤのみで複数配
置することにより、回路、光学設計が簡単になる。従っ
て、簡易な設計となるため、特性が向上するという利点
がある。
【００６０】尚、赤色ＬＥＤ用の基板の結晶成長と青色
及び緑色ＬＥＤ用の基板の結晶成長とは、結晶成長させ
るために用いる原料ガスや結晶成長する時の基板の温度
が異なる。これらの違いから、同一のＭＯＣＶＤ装置で
処理を行うと問題が起こる。このため、ＭＯＣＶＤ装置
における結晶成長は、赤色ＬＥＤ用と青色及び緑色ＬＥ
Ｄ用とに分けて処理が行われる。しかし、この問題が生
じなければ、つまり十分クリーンな環境が繰り返し再現
できれば、赤色ＬＥＤ用と青色及び緑色ＬＥＤ用とに分
けることなく、一つの装置で処理を行ってもよい。
【００６１】その他、本発明は、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、均
一かつ十分な明るさを持つ光を発することができ、小型
化が可能である発光装置を提供できる。また、本発明に
よれば、発熱を効率よく放熱することにより総出力が増
大でき、十分な明るさを持つ光を発することができる発
光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な液晶ディスプレイの概略的な斜視図。
【図２】図１に示す液晶ディスプレイの概略的な回路
図。
【図３】図３（ａ）は、本発明の第１の実施例に係わ
り、図１に示すバックライト１を示す斜視図。図３
（ｂ）は、図３（ａ）に示す一つのＬＥＤを有する領域
を示す断面図。
【図４】本発明の第１の実施例に係わるチップ型ＬＥＤ
のビームパターンを示す図。
【図５】本発明の第２の実施例に係わる発光装置を示す
断面図。
【図６】本発明の第２の実施例の変形例に係わる発光装
置を示す断面図。
【図７】本発明の第３の実施例に係わる導波路を用いた
発光装置を示す図。
【図８】本発明の第４の実施例に係わる白色を構成する
チップ配置を示す上面図。
【図９】本発明の第５の実施例に係わる赤色ＬＥＤを示
す斜視図。
【図１０】図９に示す赤色ＬＥＤの配線を示す断面図。
【図１１】本発明の第５の実施例に係わる青色及び緑色
ＬＥＤを示す斜視図。
【図１２】図１１に示す青色及び緑色ＬＥＤの配線を示
す上面図。
【図１３】本発明の第５の実施例に係わる赤色の光源の
一部を示す図。
【図１４】本発明の第５の実施例に係わる青色及び緑色
の光源の一部を示す図。
【図１５】本発明の第５の実施例に係わるＬＥＤの回路
図。
【符号の説明】
１…バックライト、 ２…実装基板、 ３…液晶表示装置、 １１、２１…ガラス基板、 １２、２２…青色ＬＥＤ、 １３、２３、２５…導光板、 １４、２４…散乱板、 １５、２６…蛍光体 １５ａ、２６ａ…青色から赤色に光を変換する第１の蛍
光体、 １５ｂ、２６ｂ…青色から緑色に光を変換する第２の蛍
光体、 ２７ａ…赤色用液晶パネル、 ２７ｂ…緑色用液晶パネル、 ２７ｃ…青色用液晶パネル、 ３１ａ…赤色用導波路、 ３１ｂ…緑色用導波路、 ３１ｃ…青色用導波路、 ３２ａ…赤色用液晶シャッター、 ３２ｂ…緑色用液晶シャッター、 ３２ｃ…青色用液晶シャッター、 ４１…配線、 ４２、５０…赤色ＬＥＤチップ、 ４３…緑色ＬＥＤチップ、 ４４…青色ＬＥＤチップ、 ５１…ＧａＡｓ基板、 ５２…ＩｎＧａＡｌＰ層、 ５３…電極、 ５４、６４…発光領域、 ５５、６５…非発光領域、 ５６、６６…ＢＮ基板、 ５７、６７…凸部、 ５８、６８…Ａｕ線、 ６０…青色及び緑色ＬＥＤチップ、 ６１…サファイア基板、 ６２…ＩｎＧａＮ基板、 ６３ａ…Ｐ型電極、 ６３ｂ…Ｎ型電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA23Z FA31Z FA45Z FB13 LA04 LA11 5F041 AA11 AA33 CA34 CA40 EE25 FF16

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に二次元的に分散して配置された
    複数の半導体素子と、 前記半導体素子を覆うように前記基板上に形成された導
    光板と、 前記導光板上に形成された拡散板とを有することを特徴
    とする発光装置。
  2. 【請求項２】 前記導光板内に含まれた蛍光体をさらに
    有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 【請求項３】 基板上に配置された複数の半導体素子か
    らなる発光領域と、 前記基板の前記発光領域以外の領域からなる非発光領域
    とを有する発光装置であって、 前記発光領域の面積をＳ１、前記非発光領域の面積をＳ
    ２とする場合、Ｓ１≦Ｓ２の関係を満たすことを特徴と
    する発光装置。
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