JP2001184474A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンテナコイルの変形や回路モジュールの位
置ずれなどを有しない半導体装置を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッド
部に電気的に接続された無線通信用のアンテナコイル
と、これらＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構
成される回路モジュールなどの電子部品アセンブリを固
定するための接着層を有する半導体装置において、前記
接着層を、前記電子部品アセンブリを第１の熱可塑性樹
脂層上に固定もしくは第１の熱可塑性樹脂層上に電子部
品アセンブリを形成した後、前記第１の熱可塑性樹脂の
融点より低い温度で、前記第１の熱可塑性樹脂より融点
の低い第２の熱可塑性樹脂層を、前記電子部品アセンブ
リの上面から前記第１の熱可塑性樹脂層上に積層させる
ことにより形成する。第１及び第２の熱可塑性樹脂の融
点差は１０℃以上であることが好ましい。
置ずれなどを有しない半導体装置を提供する。 【解決手段】 ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッド
部に電気的に接続された無線通信用のアンテナコイル
と、これらＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構
成される回路モジュールなどの電子部品アセンブリを固
定するための接着層を有する半導体装置において、前記
接着層を、前記電子部品アセンブリを第１の熱可塑性樹
脂層上に固定もしくは第１の熱可塑性樹脂層上に電子部
品アセンブリを形成した後、前記第１の熱可塑性樹脂の
融点より低い温度で、前記第１の熱可塑性樹脂より融点
の低い第２の熱可塑性樹脂層を、前記電子部品アセンブ
リの上面から前記第１の熱可塑性樹脂層上に積層させる
ことにより形成する。第１及び第２の熱可塑性樹脂の融
点差は１０℃以上であることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リーダライタから
の電力受給とリーダライタとの間の信号の送受信とを無
線によって行う非接触ＩＣカードで代表される半導体装
置に関する。更に詳細には、本発明は、内部のアンテナ
コイルの変形や回路モジュールの位置ずれなどを有しな
い半導体装置及びその製造方法に関する。
の電力受給とリーダライタとの間の信号の送受信とを無
線によって行う非接触ＩＣカードで代表される半導体装
置に関する。更に詳細には、本発明は、内部のアンテナ
コイルの変形や回路モジュールの位置ずれなどを有しな
い半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣが搭載されたカード型、タグ型又は
コイン型などの半導体装置は、豊富な情報量と高いセキ
ュリティ性能を備えていることから、交通、流通および
情報通信分野で普及が進んでいる。中でも、基体に外部
端子を設けず、電力供給と信号の送受信とを無線方式に
よって行う非接触式の半導体装置は、接続端子から入る
静電気によるデータの破壊や接触不良によるデータの誤
りや送受信不能等の問題が発生しないため、最近注目を
集めている。
コイン型などの半導体装置は、豊富な情報量と高いセキ
ュリティ性能を備えていることから、交通、流通および
情報通信分野で普及が進んでいる。中でも、基体に外部
端子を設けず、電力供給と信号の送受信とを無線方式に
よって行う非接触式の半導体装置は、接続端子から入る
静電気によるデータの破壊や接触不良によるデータの誤
りや送受信不能等の問題が発生しないため、最近注目を
集めている。
【０００３】前記非接触式の半導体装置は、例えば、図
４に示すように、ＩＣチップ１と無線通信用アンテナコ
イル２を電気的に接続して構成される回路モジュールを
塩化ビニル樹脂などの外装材３に熱融着により固定した
構造を有する。
４に示すように、ＩＣチップ１と無線通信用アンテナコ
イル２を電気的に接続して構成される回路モジュールを
塩化ビニル樹脂などの外装材３に熱融着により固定した
構造を有する。
【０００４】また、図５に示すような、プラスチックフ
ィルム基板４上に導電性ペーストや金属膜のエッチング
によりアンテナパターン５を形成し、前記アンテナパタ
ーンにＩＣチップ６を電気的に接続したモジュールシー
ト表面に外装材７を接着剤８を介して積層した構造など
が提案されている。
ィルム基板４上に導電性ペーストや金属膜のエッチング
によりアンテナパターン５を形成し、前記アンテナパタ
ーンにＩＣチップ６を電気的に接続したモジュールシー
ト表面に外装材７を接着剤８を介して積層した構造など
が提案されている。
【０００５】ところで、前記回路モジュールを固定する
場合、一般に回路モジュールの凹凸を平坦化することが
困難であるため、半導体装置に厚みむらが生じ、印刷処
理をする際に問題になる。そのため、一般的には外装材
の回路モジュールが固定される部分に凹部を設けたり、
スペーサーを使用したりしている。
場合、一般に回路モジュールの凹凸を平坦化することが
困難であるため、半導体装置に厚みむらが生じ、印刷処
理をする際に問題になる。そのため、一般的には外装材
の回路モジュールが固定される部分に凹部を設けたり、
スペーサーを使用したりしている。
【０００６】例えば、特開平９−１５６６２６６号公報
および特開平１０−２１１７８４号公報には、回路モジ
ュールを固定する接着層として接着剤シートを用いるこ
とにより、スペーサーおよび外装材の固定の両方の効果
が得られる方法が記載されている。前記接着剤シートと
しては、一般的に加熱することにより溶融し、外装材と
接着するホットメルトタイプの接着剤が使用されてい
る。
および特開平１０−２１１７８４号公報には、回路モジ
ュールを固定する接着層として接着剤シートを用いるこ
とにより、スペーサーおよび外装材の固定の両方の効果
が得られる方法が記載されている。前記接着剤シートと
しては、一般的に加熱することにより溶融し、外装材と
接着するホットメルトタイプの接着剤が使用されてい
る。
【０００７】しかし、ホットメルト接着剤は加熱時の流
動性に優れているため、回路モジュールの凹凸を平坦化
しやすい反面、成型時の加圧によりアンテナコイルの変
形や回路モジュールの位置ずれ等の問題がある。アンテ
ナコイルの変形は、通信特性の低下につながり、安定し
た製品を作る上で好ましくない。また、回路モジュール
の位置ずれは、最終形状に仕上げる際にアンテナコイル
やその他の部品を切断してしまうおそれがある。
動性に優れているため、回路モジュールの凹凸を平坦化
しやすい反面、成型時の加圧によりアンテナコイルの変
形や回路モジュールの位置ずれ等の問題がある。アンテ
ナコイルの変形は、通信特性の低下につながり、安定し
た製品を作る上で好ましくない。また、回路モジュール
の位置ずれは、最終形状に仕上げる際にアンテナコイル
やその他の部品を切断してしまうおそれがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、アンテナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれ
などを有しない半導体装置を提供することである。本発
明の別の目的は、アンテナコイルの変形や回路モジュー
ルの位置ずれなどを起こさない半導体装置の製造方法を
提供することである。
は、アンテナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれ
などを有しない半導体装置を提供することである。本発
明の別の目的は、アンテナコイルの変形や回路モジュー
ルの位置ずれなどを起こさない半導体装置の製造方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題は、電子部品ア
センブリを固定するための接着層及び外装材からなる半
導体装置において、前記接着層を融点の異なる２種類の
熱可塑性樹脂で形成し、第１の熱可塑性樹脂層に前記電
子部品アセンブリを固定し、前記第１の熱可塑性樹脂と
融点の異なる第２の熱可塑性樹脂層を前記第１の熱可塑
性樹脂層層上に積重させ一体化させることにより解決さ
れる。
センブリを固定するための接着層及び外装材からなる半
導体装置において、前記接着層を融点の異なる２種類の
熱可塑性樹脂で形成し、第１の熱可塑性樹脂層に前記電
子部品アセンブリを固定し、前記第１の熱可塑性樹脂と
融点の異なる第２の熱可塑性樹脂層を前記第１の熱可塑
性樹脂層層上に積重させ一体化させることにより解決さ
れる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明では、電子部品アセンブリ
例えば、ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッド部に電
気的に接続された無線通信用のアンテナコイルと、これ
らＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構成される
回路モジュールを、第１の熱可塑性樹脂層上に固定もし
くは第１の熱可塑性樹脂層上に回路モジュールを形成し
た後、前記第１の熱可塑性樹脂の融点より低い温度で、
前記第１の熱可塑性樹脂より融点の低い第２の熱可塑性
樹脂層を、前記電子部品アセンブリの上面から前記第１
の熱可塑性樹脂層上に積層させるため、回路モジュール
上に熱可塑性樹脂で接着層を形成する際も回路モジュー
ルを固定している樹脂には流動性が生じず、よってアン
テナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれは起こら
なくなる。
例えば、ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッド部に電
気的に接続された無線通信用のアンテナコイルと、これ
らＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構成される
回路モジュールを、第１の熱可塑性樹脂層上に固定もし
くは第１の熱可塑性樹脂層上に回路モジュールを形成し
た後、前記第１の熱可塑性樹脂の融点より低い温度で、
前記第１の熱可塑性樹脂より融点の低い第２の熱可塑性
樹脂層を、前記電子部品アセンブリの上面から前記第１
の熱可塑性樹脂層上に積層させるため、回路モジュール
上に熱可塑性樹脂で接着層を形成する際も回路モジュー
ルを固定している樹脂には流動性が生じず、よってアン
テナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれは起こら
なくなる。
【００１１】本発明の半導体装置における積層構造接着
層を形成するのに使用するされる熱可塑性樹脂として
は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、スチレ
ン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）系樹脂、ポリエチレン系
樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポ
リウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹
脂、ニトリルゴム系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン
系樹脂などがあげられるが、これらに限定するものでは
なく、加熱により溶融状態になって流動性および粘性を
帯びるものであれば、任意の熱可塑性樹脂を用いること
ができる。
層を形成するのに使用するされる熱可塑性樹脂として
は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、スチレ
ン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）系樹脂、ポリエチレン系
樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポ
リウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹
脂、ニトリルゴム系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン
系樹脂などがあげられるが、これらに限定するものでは
なく、加熱により溶融状態になって流動性および粘性を
帯びるものであれば、任意の熱可塑性樹脂を用いること
ができる。
【００１２】本発明の積層構造接着層を形成するのに使
用される熱可塑性樹脂は融点が２００℃以下のものであ
ることが好ましい。融点が２００℃超の熱可塑性樹脂を
使用すると、電子部品又は素子類の固定又は接着層の積
層の際に加えられる熱により電子部品又は素子類に悪影
響を与える恐れがある。
用される熱可塑性樹脂は融点が２００℃以下のものであ
ることが好ましい。融点が２００℃超の熱可塑性樹脂を
使用すると、電子部品又は素子類の固定又は接着層の積
層の際に加えられる熱により電子部品又は素子類に悪影
響を与える恐れがある。
【００１３】本発明の半導体装置における積層構造接着
層は、融点の異なる２種類の熱可塑性樹脂により構成さ
れる。初めに、第１の熱可塑性樹脂を加熱溶融または軟
化させて回路モジュールを固定もしくは、第１の熱可塑
性樹脂上に回路モジュールを形成する。その後、前記第
１の熱可塑性樹脂より融点が低く、前記第１の熱可塑性
樹脂と接着性がよい第２の熱可塑性樹脂を回路モジュー
ル上に積層する。これら第１及び第２の熱可塑性樹脂は
シート状であることが望ましいが、特に限定するもので
はない。また、射出成形など各種の常用の成形方法を用
いて、回路モジュールの形状に応じた形にすることもで
きる。
層は、融点の異なる２種類の熱可塑性樹脂により構成さ
れる。初めに、第１の熱可塑性樹脂を加熱溶融または軟
化させて回路モジュールを固定もしくは、第１の熱可塑
性樹脂上に回路モジュールを形成する。その後、前記第
１の熱可塑性樹脂より融点が低く、前記第１の熱可塑性
樹脂と接着性がよい第２の熱可塑性樹脂を回路モジュー
ル上に積層する。これら第１及び第２の熱可塑性樹脂は
シート状であることが望ましいが、特に限定するもので
はない。また、射出成形など各種の常用の成形方法を用
いて、回路モジュールの形状に応じた形にすることもで
きる。
【００１４】本発明の半導体装置における積層構造接着
層を形成するのに使用される２種類の熱可塑性樹脂は、
その融点の差が１０℃以上であることが好ましい。２種
類の熱可塑性樹脂の融点差が１０℃未満の場合、作製条
件や装置によっては、融点が低い熱可塑性樹脂を積層す
る際に回路モジュールを固定している熱可塑性樹脂も軟
化してしまうことがある。また、２種類の熱可塑性樹脂
の界面における接着性を考慮すると、融点差は１００℃
以下であるのが好ましい。融点差が１００℃より大きい
と、樹脂の界面での接着力が低下することがある。更
に、１０℃以上５０℃以下であるのが好ましい。この範
囲では、樹脂界面での“なじみ”が良く、強い接着力が
得られる。
層を形成するのに使用される２種類の熱可塑性樹脂は、
その融点の差が１０℃以上であることが好ましい。２種
類の熱可塑性樹脂の融点差が１０℃未満の場合、作製条
件や装置によっては、融点が低い熱可塑性樹脂を積層す
る際に回路モジュールを固定している熱可塑性樹脂も軟
化してしまうことがある。また、２種類の熱可塑性樹脂
の界面における接着性を考慮すると、融点差は１００℃
以下であるのが好ましい。融点差が１００℃より大きい
と、樹脂の界面での接着力が低下することがある。更
に、１０℃以上５０℃以下であるのが好ましい。この範
囲では、樹脂界面での“なじみ”が良く、強い接着力が
得られる。
【００１５】本発明の半導体装置における積層構造接着
層を形成するのに使用される２種類の熱可塑性樹脂は、
その融点差が１０℃以上であれば、同じ種類の樹脂であ
ってもよく、あるいは、異なる種類の樹脂であってもよ
い。積層界面の剥離強度の観点からすれば、同じ種類の
樹脂を使用することが好ましい。同じ種類の樹脂であっ
ても、その重合度などを変化させれば、融点を異ならせ
ることができる。
層を形成するのに使用される２種類の熱可塑性樹脂は、
その融点差が１０℃以上であれば、同じ種類の樹脂であ
ってもよく、あるいは、異なる種類の樹脂であってもよ
い。積層界面の剥離強度の観点からすれば、同じ種類の
樹脂を使用することが好ましい。同じ種類の樹脂であっ
ても、その重合度などを変化させれば、融点を異ならせ
ることができる。
【００１６】本発明の半導体装置における積層構造接着
層の厚さは特に限定されるものではないが、外装材層表
面の平坦度を高めるためには、回路モジュールの最も厚
い部分より厚いことが好ましい。回路モジュールの最も
厚い部分より接着層の厚さが薄いと、半導体装置とした
ときに表面に凹凸が生じる場合がある。
層の厚さは特に限定されるものではないが、外装材層表
面の平坦度を高めるためには、回路モジュールの最も厚
い部分より厚いことが好ましい。回路モジュールの最も
厚い部分より接着層の厚さが薄いと、半導体装置とした
ときに表面に凹凸が生じる場合がある。
【００１７】前記のように、本発明の半導体装置におけ
る積層構造接着層中に挟装し、埋設される電子回路アセ
ンブリは例えば、ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッ
ド部に電気的に接続された無線通信用のアンテナコイル
と、これらＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構
成される回路モジュールなどである。この場合、ＩＣチ
ップとしては、従来よりこの種の回路モジュールに実装
される任意のＩＣチップを用いることができる。また、
アンテナコイルとしては、銅線などを渦巻き状にまいた
巻き線コイルや絶縁基板上に銅箔またはアルミ箔を貼り
付け、エッチングして形成したもの、あるいは絶縁基板
上に導電性ペーストを印刷して形成したものなどがあげ
られるが、これらに限定されるものではない。アンテナ
コイルとＩＣチップの接続手段としては、前記アンテナ
コイルの構成に応じて、はんだ溶接、ウェッジボンディ
ング、ワイヤボンディングなどによる直接接続或いはフ
ェースダウン実装などを適用することができる。回路モ
ジュールはＩＣチップおよびアンテナコイルなどの他
に、電源、コンデンサ、抵抗器など必要に応じて、その
他の素子類を内包することもできる。また、言うまでも
なく、本発明の半導体装置の積層構造接着層中に挟装
し、埋設される電子回路アセンブリは前記の回路モジュ
ールに限定されない。様々な電子回路アセンブリを積層
構造接着層中に挟装させることができる。このような電
子回路アセンブリは当業者に周知である。
る積層構造接着層中に挟装し、埋設される電子回路アセ
ンブリは例えば、ＩＣチップ及び前記ＩＣチップのパッ
ド部に電気的に接続された無線通信用のアンテナコイル
と、これらＩＣチップおよびアンテナコイルを含んで構
成される回路モジュールなどである。この場合、ＩＣチ
ップとしては、従来よりこの種の回路モジュールに実装
される任意のＩＣチップを用いることができる。また、
アンテナコイルとしては、銅線などを渦巻き状にまいた
巻き線コイルや絶縁基板上に銅箔またはアルミ箔を貼り
付け、エッチングして形成したもの、あるいは絶縁基板
上に導電性ペーストを印刷して形成したものなどがあげ
られるが、これらに限定されるものではない。アンテナ
コイルとＩＣチップの接続手段としては、前記アンテナ
コイルの構成に応じて、はんだ溶接、ウェッジボンディ
ング、ワイヤボンディングなどによる直接接続或いはフ
ェースダウン実装などを適用することができる。回路モ
ジュールはＩＣチップおよびアンテナコイルなどの他
に、電源、コンデンサ、抵抗器など必要に応じて、その
他の素子類を内包することもできる。また、言うまでも
なく、本発明の半導体装置の積層構造接着層中に挟装
し、埋設される電子回路アセンブリは前記の回路モジュ
ールに限定されない。様々な電子回路アセンブリを積層
構造接着層中に挟装させることができる。このような電
子回路アセンブリは当業者に周知である。
【００１８】また、本発明の半導体装置における外装材
層形成材料としては、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポ
リエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイ
ミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体
（ＡＢＳ）、ナイロン６、ナイロン６６などの一般的な
プラスチックフィルムを用いることができる。また、前
記アンテナパターンを形成するための絶縁基板などに適
用されるガラス繊維強化プラスチックを用いることもで
きる。
層形成材料としては、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリ
カーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポ
リエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイ
ミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体
（ＡＢＳ）、ナイロン６、ナイロン６６などの一般的な
プラスチックフィルムを用いることができる。また、前
記アンテナパターンを形成するための絶縁基板などに適
用されるガラス繊維強化プラスチックを用いることもで
きる。
【００１９】しかし、本発明の外装材層形成材料はこれ
らに限定されるものではない。また、アンテナパターン
が形成されている基板や回路モジュールを固定している
接着層が外装材層を兼ねていても良い。従って、外装材
層の使用は本発明の必須要件ではない。
らに限定されるものではない。また、アンテナパターン
が形成されている基板や回路モジュールを固定している
接着層が外装材層を兼ねていても良い。従って、外装材
層の使用は本発明の必須要件ではない。
【００２０】また、外装材層を使用する場合、必要に応
じて、外装材層に対して、印刷性や取扱性の向上を図る
ための易接着処理や帯電防止処理を施すこともできる。
このような処理は当業者に周知である。
じて、外装材層に対して、印刷性や取扱性の向上を図る
ための易接着処理や帯電防止処理を施すこともできる。
このような処理は当業者に周知である。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に例証し
ながら更に詳細に説明する。
ながら更に詳細に説明する。
【００２２】実施例１ 図１に本発明の構成による半導体装置Ａの断面図を示
す。５０μmのＰＥＴフィルム９の上に導電性ペースト
を用いてスクリーン印刷により形成したアンテナパター
ン１０にＩＣチップ１１を電気的に接合して回路モジュ
ールを作製した。前記回路モジュールを、融点が１２０
℃で厚さが１５０μmのポリエステル系樹脂シート１２
上にラミネートにより固定した。さらに、その上に融点
が１００℃で厚さが１５０μmのポリエステル系樹脂シ
ート１３を積層し、モジュールシートを作製した。前記
モジュールシートを１８８μm厚さのＰＥＴフィルム１
４で挟んで、加熱プレスにより成型し、厚さ７６０μm
の半導体装置Ａを作製した。
す。５０μmのＰＥＴフィルム９の上に導電性ペースト
を用いてスクリーン印刷により形成したアンテナパター
ン１０にＩＣチップ１１を電気的に接合して回路モジュ
ールを作製した。前記回路モジュールを、融点が１２０
℃で厚さが１５０μmのポリエステル系樹脂シート１２
上にラミネートにより固定した。さらに、その上に融点
が１００℃で厚さが１５０μmのポリエステル系樹脂シ
ート１３を積層し、モジュールシートを作製した。前記
モジュールシートを１８８μm厚さのＰＥＴフィルム１
４で挟んで、加熱プレスにより成型し、厚さ７６０μm
の半導体装置Ａを作製した。
【００２３】実施例２ 図２に本発明の構成による半導体装置Ｂの断面図を示
す。ＰＥＴフィルム１９上に融点が１３０℃のポリエス
テル樹脂１７を厚さが１００μmになるように成形し、
その上にＩＣチップ１５と無線通信用アンテナコイル１
６を電気的に接続して構成した回路モジュールを内側を
加熱プレスにより固定した。前記モジュールシート状に
ＰＥＴフィルム１９上に融点が１００℃のポリエステル
樹脂１８を厚さが１５０μmになるように成形したシー
トを加熱プレスにより積層し、厚さ５００μmの半導体
装置Ｂを作製した。
す。ＰＥＴフィルム１９上に融点が１３０℃のポリエス
テル樹脂１７を厚さが１００μmになるように成形し、
その上にＩＣチップ１５と無線通信用アンテナコイル１
６を電気的に接続して構成した回路モジュールを内側を
加熱プレスにより固定した。前記モジュールシート状に
ＰＥＴフィルム１９上に融点が１００℃のポリエステル
樹脂１８を厚さが１５０μmになるように成形したシー
トを加熱プレスにより積層し、厚さ５００μmの半導体
装置Ｂを作製した。
【００２４】実施例３ 図３に本発明の構成による半導体装置Ｃの断面図を示
す。厚さ１５０μmで、融点が１５０℃のポリエステル
系樹脂２２上に、ＩＣチップ２０と無線通信用アンテナ
コイル２１を電気的に接続して構成した回路モジュール
を加熱プレスにより固定した。さらに、厚さ３５０μ
m、融点が１２０℃のポリエステル系樹脂２３を前記回
路モジュールシートに加熱プレスにより積層し、厚さ５
００μmの半導体装置Ｃを作製した。
す。厚さ１５０μmで、融点が１５０℃のポリエステル
系樹脂２２上に、ＩＣチップ２０と無線通信用アンテナ
コイル２１を電気的に接続して構成した回路モジュール
を加熱プレスにより固定した。さらに、厚さ３５０μ
m、融点が１２０℃のポリエステル系樹脂２３を前記回
路モジュールシートに加熱プレスにより積層し、厚さ５
００μmの半導体装置Ｃを作製した。
【００２５】実施例４ 厚さ１５０μmで、融点が１３０℃のポリエステル系樹
脂シートと、厚さ３５０μm、融点１２０℃のポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例３と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｄを作製した。
脂シートと、厚さ３５０μm、融点１２０℃のポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例３と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｄを作製した。
【００２６】比較例１ 融点が１２０℃、厚さ１５０μmのポリエステル系樹脂
シートを用い、実施例１と同様の方法で、厚さ７６０μ
mの半導体装置Ｅを作製した。
シートを用い、実施例１と同様の方法で、厚さ７６０μ
mの半導体装置Ｅを作製した。
【００２７】比較例２ 融点が１１５℃、厚さ１５０μmのポリエステル系樹脂
シートと、融点が１２０℃、厚さ１００μmのポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例２と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｆを作製した。
シートと、融点が１２０℃、厚さ１００μmのポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例２と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｆを作製した。
【００２８】比較例３ 厚さ１５０μmで、融点が１３０℃のポリエステル系樹
脂シートと、厚さ３５０μm、融点１２１℃のポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例３と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｇを作製した。
脂シートと、厚さ３５０μm、融点１２１℃のポリエス
テル系樹脂シートを用い、実施例３と同様の方法で、厚
さ５００μmの半導体装置Ｇを作製した。
【００２９】上記実施例および比較例の各半導体装置に
おける成形前後でのアンテナ形状および回路モジュール
の位置を調べた。また、これら半導体装置の厚みむらに
ついても併せて測定した。その結果を下記の表１に要約
して示す。
おける成形前後でのアンテナ形状および回路モジュール
の位置を調べた。また、これら半導体装置の厚みむらに
ついても併せて測定した。その結果を下記の表１に要約
して示す。
【００３０】
【表１】 融点差 アンテナ形状 回路モシ゛ュール 厚みむら試 料 （℃） 変化の有無 位置ずれの有無 （μｍ） 実施例１ ２０ 無 無 ±３ 実施例２ ３０ 無 無 ±５ 実施例３ ３０ 無 無 ±２ 実施例４ １０ 無 無 ±３ 比較例１ ０ 無 有 ±３ 比較例２ ５ 広がり 有 ±４ 比較例３ ９ 僅かに広がり 無 ±３
【００３１】前記の表１に示された結果から明らかなよ
うに、実施例１〜４の半導体装置は成形前後でアンテナ
コイルの変形および回路モジュールのずれは見られなか
った。これに対して、比較例１では回路モジュールのず
れが、比較例２および比較例３ではアンテナコイルが変
形し、広がりが確認された。一方、厚みむらに関して
は、全ての試料で±５μm以内であった。
うに、実施例１〜４の半導体装置は成形前後でアンテナ
コイルの変形および回路モジュールのずれは見られなか
った。これに対して、比較例１では回路モジュールのず
れが、比較例２および比較例３ではアンテナコイルが変
形し、広がりが確認された。一方、厚みむらに関して
は、全ての試料で±５μm以内であった。
【００３２】これらの結果より、本発明の半導体装置
は、アンテナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれ
がないため、成形時における通信特性の変化が無く、さ
らに厚みむらが少ないため、半導体装置作成後の印刷適
性又は印刷作業性に優れていることが理解できる。
は、アンテナコイルの変形や回路モジュールの位置ずれ
がないため、成形時における通信特性の変化が無く、さ
らに厚みむらが少ないため、半導体装置作成後の印刷適
性又は印刷作業性に優れていることが理解できる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体装置における回路モジュールを固定するための接
着層を、少なくとも１０℃以上融点の異なる２種類の熱
可塑性樹脂を積層することにより形成しているため、１
種類の樹脂で形成した場合に比べ、アンテナコイルの変
形や回路モジュールの位置ずれは見られない。さらに、
本発明で使用される熱可塑性樹脂は、加熱することで流
動性が生じるため、回路モジュールの凹凸を平坦化する
ことができ、厚みむらが無く、印刷性に優れた半導体装
置を作製することができる。
半導体装置における回路モジュールを固定するための接
着層を、少なくとも１０℃以上融点の異なる２種類の熱
可塑性樹脂を積層することにより形成しているため、１
種類の樹脂で形成した場合に比べ、アンテナコイルの変
形や回路モジュールの位置ずれは見られない。さらに、
本発明で使用される熱可塑性樹脂は、加熱することで流
動性が生じるため、回路モジュールの凹凸を平坦化する
ことができ、厚みむらが無く、印刷性に優れた半導体装
置を作製することができる。
【図１】図１は、実施例１で作製された本発明の半導体
装置Ａの概要断面図である。
装置Ａの概要断面図である。
【図２】図２は、実施例２で作製された本発明の半導体
装置Ｂの概要断面図である。
装置Ｂの概要断面図である。
【図３】図３は、実施例３で作製された本発明の半導体
装置Ｃの概要断面図である。
装置Ｃの概要断面図である。
【図４】図４は、アンテナコイルを用いて作製した従来
技術の非接触半導体装置の概要断面図である。
技術の非接触半導体装置の概要断面図である。
【図５】図５は、プラスチックフィルム基板を用いた従
来技術の非接触半導体装置の概要断面図である。
来技術の非接触半導体装置の概要断面図である。
１ ＩＣチップ ２ アンテナコイル ３ 外装材 ４ プラスチックフィルム基板 ５ アンテナパターン ６ ＩＣチップ ７ 外装材 ８ 接着剤 ９ ＰＥＴフィルム（厚さ５０μm） １０ 導電性ペーストを印刷したアンテナパターン １１ ＩＣチップ １２ ポリエステル系樹脂シート（融点１２０℃，厚さ
１５０μm） １３ ポリエステル系樹脂シート（融点１００℃，厚さ
１５０μm １４ ＰＥＴフィルム（厚さ１８８μm） １５ ＩＣチップ １６ アンテナコイル １７ ポリエステル系樹脂シート（融点１３０℃，厚さ
１００μm） １８ ポリエステル系樹脂シート（融点１００℃，厚さ
１５０μm） １９ ＰＥＴフィルム（厚さ１２５μm） ２０ ＩＣチップ ２１ アンテナコイル ２２ ポリエステル系樹脂シート（融点１５０℃，厚さ
１５０μm） ２３ ポリエステル系樹脂シート（融点１２０℃，厚さ
３５０μm）
１５０μm） １３ ポリエステル系樹脂シート（融点１００℃，厚さ
１５０μm １４ ＰＥＴフィルム（厚さ１８８μm） １５ ＩＣチップ １６ アンテナコイル １７ ポリエステル系樹脂シート（融点１３０℃，厚さ
１００μm） １８ ポリエステル系樹脂シート（融点１００℃，厚さ
１５０μm） １９ ＰＥＴフィルム（厚さ１２５μm） ２０ ＩＣチップ ２１ アンテナコイル ２２ ポリエステル系樹脂シート（融点１５０℃，厚さ
１５０μm） ２３ ポリエステル系樹脂シート（融点１２０℃，厚さ
３５０μm）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 裕二 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 2C005 MA19 PA04 RA04 RA18 4M109 AA02 BA05 CA22 EA12 EC20 EE01 GA03 5B035 AA04 AA08 BA05 BB09 CA23
Claims (8)
- 【請求項１】 電子部品アセンブリを固定するための接
着層を有する半導体装置において、前記接着層が、融点
の異なる２種類の熱可塑性樹脂層の間に電子部品アセン
ブリを挟装した積層体からなることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 前記接着層を形成する２種類の熱可塑性
樹脂の融点の差が１０℃以上であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記電子部品アセンブリは、ＩＣチップ
及び前記ＩＣチップのパッド部に電気的に接続された無
線通信用のアンテナコイルと、これらＩＣチップおよび
アンテナコイルを含んで構成される回路モジュールであ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 前記接着層の外面に外装材層が更に配設
されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
載の半導体装置。 - 【請求項５】 電子部品アセンブリを固定するための接
着層を有する半導体装置の製造方法において、前記接着
層は、前記電子部品アセンブリを第１の熱可塑性樹脂層
上に固定もしくは第１の熱可塑性樹脂層上に電子部品ア
センブリを形成した後、前記第１の熱可塑性樹脂の融点
より低い温度で、前記第１の熱可塑性樹脂より融点の低
い第２の熱可塑性樹脂層を、前記電子部品アセンブリの
上面から前記第１の熱可塑性樹脂層上に積層させること
により形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記第１の熱可塑性樹脂と第２の熱可塑
性樹脂との融点の差が１０℃以上であることを特徴とす
る請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記電子部品アセンブリは、ＩＣチップ
及び前記ＩＣチップのパッド部に電気的に接続された無
線通信用のアンテナコイルと、これらＩＣチップおよび
アンテナコイルを含んで構成される回路モジュールであ
ることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 前記積層構造の接着層を形成した後、該
接着層の外面に外装材層を配設するステップを更に有す
ることを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36919999A JP2001184474A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36919999A JP2001184474A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001184474A true JP2001184474A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18493825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36919999A Withdrawn JP2001184474A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001184474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040100283A (ko) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | 주식회사 쓰리비 시스템 | 콤비 카드의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP36919999A patent/JP2001184474A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040100283A (ko) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | 주식회사 쓰리비 시스템 | 콤비 카드의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |