JP2001177774A - 固体撮像素子の駆動回路 - Google Patents
固体撮像素子の駆動回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像素子における基板電圧を迅速に変更
する。 【解決手段】 固体撮像素子１０の第１端子１０Ａ及び
第２端子１０Ｂは、制御端子１０Ｃに印加される電圧に
より制御されており、第１端子１０Ａ及びＢの電圧を下
げるためには制御端子１０Ｃの電圧を上げ、逆に第１端
子１０Ａ及び第２端子１０Ｂの電圧を上げるためには制
御端子１０Ｃの電圧を下げるように制御する。制御端子
１０Ｃの印加電圧を上げた場合、コンデンサＣ１の放電
時間が長くなるという現象を改善するため、電流の流れ
る新たなパスとしてトランジスタＴｒ３による第２の放
電経路を付加した。また、制御端子１０Ｃの電圧を検出
してトランジスタＴｒ３を制御するコンデンサＣ３によ
る微分回路を設けた。したがって、基板電圧を下げると
きにだけ、トランジスタＴｒ３をオンし、迅速にコンデ
ンサＣ１を放電して所望の電圧低下を迅速に得ることが
できる。
する。 【解決手段】 固体撮像素子１０の第１端子１０Ａ及び
第２端子１０Ｂは、制御端子１０Ｃに印加される電圧に
より制御されており、第１端子１０Ａ及びＢの電圧を下
げるためには制御端子１０Ｃの電圧を上げ、逆に第１端
子１０Ａ及び第２端子１０Ｂの電圧を上げるためには制
御端子１０Ｃの電圧を下げるように制御する。制御端子
１０Ｃの印加電圧を上げた場合、コンデンサＣ１の放電
時間が長くなるという現象を改善するため、電流の流れ
る新たなパスとしてトランジスタＴｒ３による第２の放
電経路を付加した。また、制御端子１０Ｃの電圧を検出
してトランジスタＴｒ３を制御するコンデンサＣ３によ
る微分回路を設けた。したがって、基板電圧を下げると
きにだけ、トランジスタＴｒ３をオンし、迅速にコンデ
ンサＣ１を放電して所望の電圧低下を迅速に得ることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の基
板電圧を迅速に変更することができる固体撮像素子の駆
動回路に関する。
板電圧を迅速に変更することができる固体撮像素子の駆
動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のＣＣＤ固体撮像素子にお
ける駆動回路の一般的な構成例を示す回路図である。固
体撮像素子１０の第１端子１０Ａは、この固体撮像素子
１０のシリコン基板に電圧を印加するための端子であ
り、固体撮像素子１０内でＮＰＮトランジスタＴｒ１を
介して第２端子１０Ｂと接続されている。すなわち、ト
ランジスタＴｒ１のエミッタが第１端子１０Ａに接続さ
れ、ベースが第２端子１０Ｂに接続されている。そし
て、トランジスタＴｒ１のコレクタから固体撮像素子１
０のシリコン基板に電源電圧が印加される。また、固体
撮像素子１０の第１端子１０Ａには、ダイオードＤ、抵
抗Ｒ０、及びコンデンサＣ１を介して電源電圧が印加さ
れており、また、この第１端子１０Ａは、抵抗Ｒ１、及
びコンデンサＣ２を介してグランド部ＧＮＤに接続され
ている。
ける駆動回路の一般的な構成例を示す回路図である。固
体撮像素子１０の第１端子１０Ａは、この固体撮像素子
１０のシリコン基板に電圧を印加するための端子であ
り、固体撮像素子１０内でＮＰＮトランジスタＴｒ１を
介して第２端子１０Ｂと接続されている。すなわち、ト
ランジスタＴｒ１のエミッタが第１端子１０Ａに接続さ
れ、ベースが第２端子１０Ｂに接続されている。そし
て、トランジスタＴｒ１のコレクタから固体撮像素子１
０のシリコン基板に電源電圧が印加される。また、固体
撮像素子１０の第１端子１０Ａには、ダイオードＤ、抵
抗Ｒ０、及びコンデンサＣ１を介して電源電圧が印加さ
れており、また、この第１端子１０Ａは、抵抗Ｒ１、及
びコンデンサＣ２を介してグランド部ＧＮＤに接続され
ている。
【０００３】また、固体撮像素子１０の第２端子１０Ｂ
は、抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ２のコレクタに
接続され、トランジスタＴｒ２のエミッタはグランド部
ＧＮＤに接続され、ベースは抵抗Ｒ４を介してコントロ
ール用の端子１０Ｃに接続されている。このような構成
において、固体撮像素子１０の第１端子１０Ａ及び第２
端子１０Ｂは、制御端子１０Ｃに印加される電圧により
制御されており、第１端子１０Ａ及びＢの電圧を下げる
ためには制御端子１０Ｃの電圧を上げ、逆に第１端子１
０Ａ及び第２端子１０Ｂの電圧を上げるためには制御端
子１０Ｃの電圧を下げなければならない。
は、抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ２のコレクタに
接続され、トランジスタＴｒ２のエミッタはグランド部
ＧＮＤに接続され、ベースは抵抗Ｒ４を介してコントロ
ール用の端子１０Ｃに接続されている。このような構成
において、固体撮像素子１０の第１端子１０Ａ及び第２
端子１０Ｂは、制御端子１０Ｃに印加される電圧により
制御されており、第１端子１０Ａ及びＢの電圧を下げる
ためには制御端子１０Ｃの電圧を上げ、逆に第１端子１
０Ａ及び第２端子１０Ｂの電圧を上げるためには制御端
子１０Ｃの電圧を下げなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
固体撮像素子１０において、固体撮像素子１０を駆動さ
せる状況によってシリコン基板電圧を変更して使用する
場合、第１端子１０Ａにおける電圧を上げる際には固体
撮像素子１０内部のトランジスタＴｒ１により、急速に
直流カット用のコンデンサＣ１を充電することが可能で
ある。一方、逆に第１端子１０Ａにおける電圧を下げる
場合には、コンデンサＣ１の放電を行わなければならな
いが、この放電に使われるパスは抵抗Ｒ１によるただ１
つの経路となる。しかしながら、抵抗ではドライブ能力
が低く、放電し終えるのに時間がかかるという問題点を
有している。そして、この放電時間が長くなることで、
シリコン基板電圧が変更後の任意の電圧に安定するまで
の時間が長くなり、安定するまでの期間、固体撮像素子
１０の特性が満足されない問題が発生していた。
固体撮像素子１０において、固体撮像素子１０を駆動さ
せる状況によってシリコン基板電圧を変更して使用する
場合、第１端子１０Ａにおける電圧を上げる際には固体
撮像素子１０内部のトランジスタＴｒ１により、急速に
直流カット用のコンデンサＣ１を充電することが可能で
ある。一方、逆に第１端子１０Ａにおける電圧を下げる
場合には、コンデンサＣ１の放電を行わなければならな
いが、この放電に使われるパスは抵抗Ｒ１によるただ１
つの経路となる。しかしながら、抵抗ではドライブ能力
が低く、放電し終えるのに時間がかかるという問題点を
有している。そして、この放電時間が長くなることで、
シリコン基板電圧が変更後の任意の電圧に安定するまで
の時間が長くなり、安定するまでの期間、固体撮像素子
１０の特性が満足されない問題が発生していた。
【０００５】そこで本発明の目的は、固体撮像素子にお
ける基板電圧を迅速に変更することができ、必要な特性
を迅速に得ることが可能な固体撮像素子の駆動回路を提
供することにある。
ける基板電圧を迅速に変更することができ、必要な特性
を迅速に得ることが可能な固体撮像素子の駆動回路を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、固体撮像素子の基板電圧を制御する駆動回路
において、前記固体撮像素子の基板電圧印加用の第１端
子に直流カット用の第１コンデンサを介して電源電圧を
印加する電源電圧供給部と、前記基板電圧印加用の第１
端子とグランド部との間に接続された第１抵抗による第
１放電経路を含む放電経路部と、前記固体撮像素子の基
板電圧印加用の第２端子に制御電圧を印加して前記固体
撮像素子内のスイッチ手段を制御することにより、前記
スイッチ手段を介して前記第１コンデンサの充放電を切
り替えて第１端子の電位を切り替える基板電圧制御部と
を有し、前記放電経路部は、前記基板電圧制御部の制御
電圧を検出することにより、前記第１コンデンサの放電
時に前記第１放電経路と並列に設けられた第２放電経路
をオンし、前記第１コンデンサの放電時間を短縮する放
電経路開閉手段を有していることを特徴とする。
するため、固体撮像素子の基板電圧を制御する駆動回路
において、前記固体撮像素子の基板電圧印加用の第１端
子に直流カット用の第１コンデンサを介して電源電圧を
印加する電源電圧供給部と、前記基板電圧印加用の第１
端子とグランド部との間に接続された第１抵抗による第
１放電経路を含む放電経路部と、前記固体撮像素子の基
板電圧印加用の第２端子に制御電圧を印加して前記固体
撮像素子内のスイッチ手段を制御することにより、前記
スイッチ手段を介して前記第１コンデンサの充放電を切
り替えて第１端子の電位を切り替える基板電圧制御部と
を有し、前記放電経路部は、前記基板電圧制御部の制御
電圧を検出することにより、前記第１コンデンサの放電
時に前記第１放電経路と並列に設けられた第２放電経路
をオンし、前記第１コンデンサの放電時間を短縮する放
電経路開閉手段を有していることを特徴とする。
【０００７】本発明の固体撮像素子の駆動回路におい
て、電源電圧供給部は、固体撮像素子の基板電圧印加用
の第１端子に直流カット用の第１コンデンサを介して電
源電圧を印加する。また、基板電圧制御部は、固体撮像
素子の基板電圧印加用の第２端子に制御電圧を印加して
固体撮像素子内のスイッチ手段を制御することにより、
前記スイッチ手段を介して第１コンデンサの充放電を切
り替えて第１端子の電位を切り替える。また、放電経路
部は、基板電圧制御部の制御に基づいて、第１コンデン
サ及び第１端子から電荷を放電経路を介してグランド部
に放電するものであり、第１放電経路と第２放電経路と
を有する。第１放電経路は、第１端子とグランド部との
間に第１抵抗を挿入したものであり、常時接続されてい
る。また、第２放電経路は、第１放電経路と並列に設け
られており、基板電圧制御部の制御電圧を検出すること
により、放電経路開閉手段によって第１コンデンサの放
電時にだけオンし、第１端子とグランド部との間を短絡
するものである。
て、電源電圧供給部は、固体撮像素子の基板電圧印加用
の第１端子に直流カット用の第１コンデンサを介して電
源電圧を印加する。また、基板電圧制御部は、固体撮像
素子の基板電圧印加用の第２端子に制御電圧を印加して
固体撮像素子内のスイッチ手段を制御することにより、
前記スイッチ手段を介して第１コンデンサの充放電を切
り替えて第１端子の電位を切り替える。また、放電経路
部は、基板電圧制御部の制御に基づいて、第１コンデン
サ及び第１端子から電荷を放電経路を介してグランド部
に放電するものであり、第１放電経路と第２放電経路と
を有する。第１放電経路は、第１端子とグランド部との
間に第１抵抗を挿入したものであり、常時接続されてい
る。また、第２放電経路は、第１放電経路と並列に設け
られており、基板電圧制御部の制御電圧を検出すること
により、放電経路開閉手段によって第１コンデンサの放
電時にだけオンし、第１端子とグランド部との間を短絡
するものである。
【０００８】このような、放電経路部では、固体撮像素
子内のスイッチ手段によって固体撮像素子の基板電圧を
上げる場合には、第１端子及び第１コンデンサとグラン
ド部との間には、第１放電経路だけが接続されているた
め、第１コンデンサの充電を迅速に行うことができ、短
時間で基板電圧を上げることができる。反対に、固体撮
像素子内のスイッチ手段によって固体撮像素子の基板電
圧を下げる場合には、第１端子及び第１コンデンサとグ
ランド部との間には、第１放電経路と第２放電経路が接
続されているため、第１コンデンサの放電を迅速に行う
ことができ、短時間で基板電圧を下げることができる。
したがって、固体撮像素子における基板電圧を迅速に変
更することができ、必要な特性を迅速に得ることが可能
となる。
子内のスイッチ手段によって固体撮像素子の基板電圧を
上げる場合には、第１端子及び第１コンデンサとグラン
ド部との間には、第１放電経路だけが接続されているた
め、第１コンデンサの充電を迅速に行うことができ、短
時間で基板電圧を上げることができる。反対に、固体撮
像素子内のスイッチ手段によって固体撮像素子の基板電
圧を下げる場合には、第１端子及び第１コンデンサとグ
ランド部との間には、第１放電経路と第２放電経路が接
続されているため、第１コンデンサの放電を迅速に行う
ことができ、短時間で基板電圧を下げることができる。
したがって、固体撮像素子における基板電圧を迅速に変
更することができ、必要な特性を迅速に得ることが可能
となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による固体撮像素子
の駆動回路の実施の形態について具体的に説明する。図
１は、本発明の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子の
駆動回路の構成例を示す回路図である。図１において、
破線αで示す領域が図４に示す従来の駆動回路に追加し
た構成であり、それ以外は図４に示す構成と共通であ
る。また、図１において、図４と共通の構成については
同一の符号を用いて説明する。
の駆動回路の実施の形態について具体的に説明する。図
１は、本発明の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子の
駆動回路の構成例を示す回路図である。図１において、
破線αで示す領域が図４に示す従来の駆動回路に追加し
た構成であり、それ以外は図４に示す構成と共通であ
る。また、図１において、図４と共通の構成については
同一の符号を用いて説明する。
【００１０】固体撮像素子１０の第１端子１０Ａは、こ
の固体撮像素子１０のシリコン基板に電圧を印加するた
めの端子であり、第２端子１０Ｂは、この固体撮像素子
１０のシリコン基板電圧を変更するための制御端子であ
る。また、固体撮像素子１０内には、シリコン基板の電
源電圧を制御するためのＮＰＮトランジスタ（スイッチ
手段）Ｔｒ１が設けられており、トランジスタＴｒ１の
エミッタが第１端子１０Ａに接続され、ベースが第２端
子１０Ｂに接続され、コレクタから固体撮像素子１０の
シリコン基板に電源電圧が印加される。また、固体撮像
素子１０の第１端子１０Ａには、ダイオードＤ、抵抗Ｒ
０、及びコンデンサＣ１を介して電源電圧が印加されて
いる。すなわち、ダイオードＤ、抵抗Ｒ０、及びコンデ
ンサＣ１によって電源電圧供給部が構成されている。
の固体撮像素子１０のシリコン基板に電圧を印加するた
めの端子であり、第２端子１０Ｂは、この固体撮像素子
１０のシリコン基板電圧を変更するための制御端子であ
る。また、固体撮像素子１０内には、シリコン基板の電
源電圧を制御するためのＮＰＮトランジスタ（スイッチ
手段）Ｔｒ１が設けられており、トランジスタＴｒ１の
エミッタが第１端子１０Ａに接続され、ベースが第２端
子１０Ｂに接続され、コレクタから固体撮像素子１０の
シリコン基板に電源電圧が印加される。また、固体撮像
素子１０の第１端子１０Ａには、ダイオードＤ、抵抗Ｒ
０、及びコンデンサＣ１を介して電源電圧が印加されて
いる。すなわち、ダイオードＤ、抵抗Ｒ０、及びコンデ
ンサＣ１によって電源電圧供給部が構成されている。
【００１１】また、第１端子１０Ａは、抵抗Ｒ１及びコ
ンデンサＣ２の並列回路を介してグランド部ＧＮＤに接
続されている。すなわち、抵抗Ｒ１、及びコンデンサＣ
２によって第１の放電経路が構成されている。また、固
体撮像素子１０の第２端子１０Ｂは、抵抗Ｒ３を介して
トランジスタＴｒ２のコレクタに接続され、トランジス
タＴｒ２のエミッタはグランド部ＧＮＤに接続され、ベ
ースは抵抗Ｒ４を介してコントロール用の端子１０Ｃに
接続されている。すなわち、トランジスタＴｒ２、及び
抵抗Ｒ３、Ｒ４によって基板電圧制御部が構成されてい
る。
ンデンサＣ２の並列回路を介してグランド部ＧＮＤに接
続されている。すなわち、抵抗Ｒ１、及びコンデンサＣ
２によって第１の放電経路が構成されている。また、固
体撮像素子１０の第２端子１０Ｂは、抵抗Ｒ３を介して
トランジスタＴｒ２のコレクタに接続され、トランジス
タＴｒ２のエミッタはグランド部ＧＮＤに接続され、ベ
ースは抵抗Ｒ４を介してコントロール用の端子１０Ｃに
接続されている。すなわち、トランジスタＴｒ２、及び
抵抗Ｒ３、Ｒ４によって基板電圧制御部が構成されてい
る。
【００１２】また、第１端子１０Ａは、トランジスタＴ
ｒ３、及び抵抗Ｒ５を介してグランド部ＧＮＤに接続さ
れている。すなわち、トランジスタＴｒ３のコレクタが
第１端子１０Ａに接続され、エミッタが抵抗Ｒ５を介し
てグランド部ＧＮＤに接続されており、このトランジス
タＴｒ３、及び抵抗Ｒ５によって第２の放電経路が構成
されている。また、上述したトランジスタＴｒ２のベー
スとグランド部ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ３と抵
抗Ｒ６を直列に接続した微分回路が挿入されており、コ
ンデンサＣ３と抵抗Ｒ６との接続点は、トランジスタＴ
ｒ３のベースに接続されている。この微分回路では、制
御端子１０Ｃから印加される制御電圧の変化を検出し、
トランジスタＴｒ３をオン・オフ制御するものである。
すなわち、この微分回路とトランジスタＴｒ３によって
放電経路開閉手段が構成されている。図２は、この微分
回路の動作を示しており、図２（Ａ）は端子１０Ｃに印
加される制御電圧を下げた場合の微分回路の出力波形を
示し、図２（Ｂ）は端子１０Ｃに印加される制御電圧を
上げた場合の微分回路の出力波形を示している。
ｒ３、及び抵抗Ｒ５を介してグランド部ＧＮＤに接続さ
れている。すなわち、トランジスタＴｒ３のコレクタが
第１端子１０Ａに接続され、エミッタが抵抗Ｒ５を介し
てグランド部ＧＮＤに接続されており、このトランジス
タＴｒ３、及び抵抗Ｒ５によって第２の放電経路が構成
されている。また、上述したトランジスタＴｒ２のベー
スとグランド部ＧＮＤとの間には、コンデンサＣ３と抵
抗Ｒ６を直列に接続した微分回路が挿入されており、コ
ンデンサＣ３と抵抗Ｒ６との接続点は、トランジスタＴ
ｒ３のベースに接続されている。この微分回路では、制
御端子１０Ｃから印加される制御電圧の変化を検出し、
トランジスタＴｒ３をオン・オフ制御するものである。
すなわち、この微分回路とトランジスタＴｒ３によって
放電経路開閉手段が構成されている。図２は、この微分
回路の動作を示しており、図２（Ａ）は端子１０Ｃに印
加される制御電圧を下げた場合の微分回路の出力波形を
示し、図２（Ｂ）は端子１０Ｃに印加される制御電圧を
上げた場合の微分回路の出力波形を示している。
【００１３】このような構成において、固体撮像素子１
０の第１端子１０Ａ及び第２端子１０Ｂは、制御端子１
０Ｃに印加される電圧により制御されており、第１端子
１０Ａ及びＢの電圧を下げるためには制御端子１０Ｃの
電圧を上げ、逆に第１端子１０Ａ及び第２端子１０Ｂの
電圧を上げるためには制御端子１０Ｃの電圧を下げるよ
うに制御する。ここで、従来の問題点であるコンデンサ
Ｃ１の放電時間が長くなるという現象を改善するため
に、本例の駆動回路では、電流の流れる新たなパスとし
てトランジスタＴｒ３による第２の放電経路を付加した
ものである。
０の第１端子１０Ａ及び第２端子１０Ｂは、制御端子１
０Ｃに印加される電圧により制御されており、第１端子
１０Ａ及びＢの電圧を下げるためには制御端子１０Ｃの
電圧を上げ、逆に第１端子１０Ａ及び第２端子１０Ｂの
電圧を上げるためには制御端子１０Ｃの電圧を下げるよ
うに制御する。ここで、従来の問題点であるコンデンサ
Ｃ１の放電時間が長くなるという現象を改善するため
に、本例の駆動回路では、電流の流れる新たなパスとし
てトランジスタＴｒ３による第２の放電経路を付加した
ものである。
【００１４】以上のような構成の駆動回路において、シ
リコン基板電圧を上げる場合、すなわち、制御端子１０
Ｃの電圧を下げる場合には、従来の図４に示す構成にお
いても問題はなく、また、図２（Ａ）に示す微分回路の
動作からトランジスタＴｒ３も動作しない。逆にシリコ
ン基板電圧を下げる場合、すなわち、制御端子１０Ｃの
電圧を上げる場合には、図２（Ｂ）に示す微分回路の動
作から、トランジスタＴｒ３が動作するため、コンデン
サＣ１を放電するためのパスが発生する。これら一連の
動作により、放電時間が短くなるためシリコン基板電圧
を変更した際に、任意の電圧に安定するまでの時間を短
くすることができる。
リコン基板電圧を上げる場合、すなわち、制御端子１０
Ｃの電圧を下げる場合には、従来の図４に示す構成にお
いても問題はなく、また、図２（Ａ）に示す微分回路の
動作からトランジスタＴｒ３も動作しない。逆にシリコ
ン基板電圧を下げる場合、すなわち、制御端子１０Ｃの
電圧を上げる場合には、図２（Ｂ）に示す微分回路の動
作から、トランジスタＴｒ３が動作するため、コンデン
サＣ１を放電するためのパスが発生する。これら一連の
動作により、放電時間が短くなるためシリコン基板電圧
を変更した際に、任意の電圧に安定するまでの時間を短
くすることができる。
【００１５】図３は、この場合の動作を本例の駆動回路
と従来の駆動回路との比較して示すタイミングチャート
であり、図３（Ａ）は制御端子１０Ｃの印加電圧を示
し、図３（Ｂ）は従来の駆動回路におけるシリコン基板
電圧の変化を示し、図３（Ｃ）は本例の駆動回路におけ
るシリコン基板電圧の変化を示している。図３（Ａ）に
示すように、制御端子１０Ｃの印加電圧を上げた場合、
図３（Ｂ）に示すように、従来の駆動回路ではシリコン
基板電圧が応答するのに時間がかかるが、図３（Ｃ）に
示すように、本例の駆動回路ではシリコン基板電圧が迅
速に応答し、短時間で必要な特性に安定させることがで
きる。
と従来の駆動回路との比較して示すタイミングチャート
であり、図３（Ａ）は制御端子１０Ｃの印加電圧を示
し、図３（Ｂ）は従来の駆動回路におけるシリコン基板
電圧の変化を示し、図３（Ｃ）は本例の駆動回路におけ
るシリコン基板電圧の変化を示している。図３（Ａ）に
示すように、制御端子１０Ｃの印加電圧を上げた場合、
図３（Ｂ）に示すように、従来の駆動回路ではシリコン
基板電圧が応答するのに時間がかかるが、図３（Ｃ）に
示すように、本例の駆動回路ではシリコン基板電圧が迅
速に応答し、短時間で必要な特性に安定させることがで
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子の駆動回路では、基板電圧制御部の制御に基づいて第
１コンデンサ及び第１端子から電荷を放電経路を介して
グランド部に放電する放電経路部に、従来と同様の第１
の放電経路に加えてこの第１の放電経路と並列に設けら
れた第２放電経路を設け、基板電圧制御部の制御電圧を
検出することにより、第２放電経路をオンし、第１コン
デンサの放電時間を短縮するようにした。このため、固
体撮像素子における基板電圧を変更する際に、基板電圧
を迅速に変更して、変更後の電圧に安定するまでの時間
を短くでき、必要な特性を迅速に得ることが可能とな
る。
子の駆動回路では、基板電圧制御部の制御に基づいて第
１コンデンサ及び第１端子から電荷を放電経路を介して
グランド部に放電する放電経路部に、従来と同様の第１
の放電経路に加えてこの第１の放電経路と並列に設けら
れた第２放電経路を設け、基板電圧制御部の制御電圧を
検出することにより、第２放電経路をオンし、第１コン
デンサの放電時間を短縮するようにした。このため、固
体撮像素子における基板電圧を変更する際に、基板電圧
を迅速に変更して、変更後の電圧に安定するまでの時間
を短くでき、必要な特性を迅速に得ることが可能とな
る。
【図１】本発明の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子
の駆動回路の構成例を示す回路図である。
の駆動回路の構成例を示す回路図である。
【図２】図１に示す駆動回路における微分回路の動作を
示す波形図である。
示す波形図である。
【図３】図１に示す駆動回路と従来の駆動回路の動作を
比較して示すタイミングチャートである。
比較して示すタイミングチャートである。
【図４】従来のＣＣＤ固体撮像素子における駆動回路の
一般的な構成例を示す回路図である。
一般的な構成例を示す回路図である。
１０……固体撮像素子、１０Ａ……第１端子、１０Ｂ…
…第２端子、１０Ｃ……制御端子、Ｄ……ダイオード、
Ｃ１〜Ｃ３……コンデンサ、Ｒ０〜Ｒ６……抵抗、Ｔｒ
１〜Ｔｒ３……トランジスタ。
…第２端子、１０Ｃ……制御端子、Ｄ……ダイオード、
Ｃ１〜Ｃ３……コンデンサ、Ｒ０〜Ｒ６……抵抗、Ｔｒ
１〜Ｔｒ３……トランジスタ。
Claims (7)
- 【請求項１】 固体撮像素子の基板電圧を制御する駆動
回路において、 前記固体撮像素子の基板電圧印加用の第１端子に直流カ
ット用の第１コンデンサを介して電源電圧を印加する電
源電圧供給部と、 前記基板電圧印加用の第１端子とグランド部との間に接
続された第１抵抗による第１放電経路を含む放電経路部
と、 前記固体撮像素子の基板電圧印加用の第２端子に制御電
圧を印加して前記固体撮像素子内のスイッチ手段を制御
することにより、前記スイッチ手段を介して前記第１コ
ンデンサの充放電を切り替えて第１端子の電位を切り替
える基板電圧制御部とを有し、 前記放電経路部は、前記基板電圧制御部の制御電圧を検
出することにより、前記第１コンデンサの放電時に前記
第１放電経路と並列に設けられた第２放電経路をオン
し、前記第１コンデンサの放電時間を短縮する放電経路
開閉手段を有している、 ことを特徴とする固体撮像素子の駆動回路。 - 【請求項２】 前記第２放電経路は放電ドライブ用トラ
ンジスタによって構成され、前記放電経路開閉手段は前
記放電ドライブ用トランジスタをオン、オフするもので
あることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の駆
動回路。 - 【請求項３】 前記放電経路開閉手段は、前記基板電圧
制御部の制御電圧を微分回路によって検出し、その検出
電圧によって前記放電ドライブ用トランジスタのオン、
オフを制御することを特徴とする請求項２記載の固体撮
像素子の駆動回路。 - 【請求項４】 前記微分回路は、コンデンサと抵抗を直
列に接続し、その接続点の電圧によって前記放電ドライ
ブ用トランジスタのオン、オフを制御することを特徴と
する請求項３記載の固体撮像素子の駆動回路。 - 【請求項５】 前記基板電圧制御部は、制御入力端子か
ら入力された制御信号を電圧制御用トランジスタを介し
て前記基板電圧印加用の第２端子に印加するものであ
り、前記微分回路は、前記電圧制御用トランジスタの入
力段で前記制御電圧を検出し、前記放電ドライブ用トラ
ンジスタのオン、オフを制御することを特徴とする請求
項３記載の固体撮像素子の駆動回路。 - 【請求項６】 前記第１放電経路は、前記第１抵抗とコ
ンデンサの並列回路であることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子の駆動回路。 - 【請求項７】 前記固体撮像素子内のスイッチ手段はト
ランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36268699A JP2001177774A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 固体撮像素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36268699A JP2001177774A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 固体撮像素子の駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001177774A true JP2001177774A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18477496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36268699A Pending JP2001177774A (ja) | 1999-12-21 | 1999-12-21 | 固体撮像素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001177774A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270635A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板バイアス回路、固体撮像装置およびカメラ |
| JP2007028059A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US7656450B2 (en) | 2003-11-19 | 2010-02-02 | Ricoh Company, Ltd. | Image capture apparatus which sets a substrate bias voltage of an image sensor |
-
1999
- 1999-12-21 JP JP36268699A patent/JP2001177774A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7656450B2 (en) | 2003-11-19 | 2010-02-02 | Ricoh Company, Ltd. | Image capture apparatus which sets a substrate bias voltage of an image sensor |
| JP2006270635A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板バイアス回路、固体撮像装置およびカメラ |
| JP4563848B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-10-13 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP2007028059A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JP4642580B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
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