JP2001174372A - におい識別装置 - Google Patents
におい識別装置Info
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- JP2001174372A JP2001174372A JP35894699A JP35894699A JP2001174372A JP 2001174372 A JP2001174372 A JP 2001174372A JP 35894699 A JP35894699 A JP 35894699A JP 35894699 A JP35894699 A JP 35894699A JP 2001174372 A JP2001174372 A JP 2001174372A
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- gas sensor
- sensor chamber
- gas
- odor
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベースノートに関与する残香におい成分を測
定することができるにおい識別装置を提供する。 【解決手段】 バルブＶ２によって通常測定用ガスセン
サ室１からの流路を排出流路８側に接続し、バルブＶ３
を開いて残香測定用ガスセンサ室２にゼロガスを供給し
ている状態で、試料ガスを試料ガス流路４からバルブＶ
１を介してガスセンサ室１に導入して測定する。その
後、バルブＶ１を切り替えてゼロガス流路６ａからガス
センサ室１にゼロガス供給してガスセンサ室１から試料
ガスを追い出し、バルブＶ２及び排出流路８を介して排
出する。ガスセンサ室１からの試料ガスの追出しを開始
してから所望の時間が経過した後、バルブＶ３を閉じ、
さらにバルブＶ２を切り替えて、ガスセンサ室１に残留
する残香におい成分をガスセンサ室２に導入して測定す
る。
定することができるにおい識別装置を提供する。 【解決手段】 バルブＶ２によって通常測定用ガスセン
サ室１からの流路を排出流路８側に接続し、バルブＶ３
を開いて残香測定用ガスセンサ室２にゼロガスを供給し
ている状態で、試料ガスを試料ガス流路４からバルブＶ
１を介してガスセンサ室１に導入して測定する。その
後、バルブＶ１を切り替えてゼロガス流路６ａからガス
センサ室１にゼロガス供給してガスセンサ室１から試料
ガスを追い出し、バルブＶ２及び排出流路８を介して排
出する。ガスセンサ室１からの試料ガスの追出しを開始
してから所望の時間が経過した後、バルブＶ３を閉じ、
さらにバルブＶ２を切り替えて、ガスセンサ室１に残留
する残香におい成分をガスセンサ室２に導入して測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１又は複数個のガ
スセンサを備えたにおい識別装置に関するものである。
このようなにおい識別装置は、消臭、芳香、食品の管
理、悪臭の測定などの分野において、においを同定又は
識別するために用いられる。
スセンサを備えたにおい識別装置に関するものである。
このようなにおい識別装置は、消臭、芳香、食品の管
理、悪臭の測定などの分野において、においを同定又は
識別するために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】ガスセンサとしては、金属酸化物半導体
センサや導電性高分子センサ、水晶振動子の表面にガス
吸着膜を形成したセンサ（ＱＣＭ：Quartz Crystal Mic
robalance、水晶振動子小重量法）、ＳＡＷ（Surface A
coustic Wave：表面弾性波）デバイスの表面にガス吸着
膜を形成したセンサなどがある。酸化物半導体センサで
は、試料ガス中のにおい成分の酸化還元反応により酸化
物半導体の電気抵抗が変化する現象を利用する。導電性
高分子センサでは、におい成分の吸着により導電性高分
子の導電率が変化する現象を利用する。ＱＣＭやＳＡＷ
デバイスでは、ガス吸着膜へのにおい成分の吸着による
重量変化に伴い振動数が変化する現象を利用する。
センサや導電性高分子センサ、水晶振動子の表面にガス
吸着膜を形成したセンサ（ＱＣＭ：Quartz Crystal Mic
robalance、水晶振動子小重量法）、ＳＡＷ（Surface A
coustic Wave：表面弾性波）デバイスの表面にガス吸着
膜を形成したセンサなどがある。酸化物半導体センサで
は、試料ガス中のにおい成分の酸化還元反応により酸化
物半導体の電気抵抗が変化する現象を利用する。導電性
高分子センサでは、におい成分の吸着により導電性高分
子の導電率が変化する現象を利用する。ＱＣＭやＳＡＷ
デバイスでは、ガス吸着膜へのにおい成分の吸着による
重量変化に伴い振動数が変化する現象を利用する。
【０００３】このような現象を利用して試料ガス中のに
おい成分を測定するにおい識別装置は、１つのガスセン
サ又はにおい成分に対する応答特性の異なる複数個のガ
スセンサを備えており、ガスセンサからの検出信号をそ
のまま表示するか、又は複数個のガスセンサの検出信号
を多変量解析に持ち込む、いわゆるケモメトリクス（化
学的計量法）と呼ばれる技術を応用して試料ガス中のに
おい成分を測定している。
おい成分を測定するにおい識別装置は、１つのガスセン
サ又はにおい成分に対する応答特性の異なる複数個のガ
スセンサを備えており、ガスセンサからの検出信号をそ
のまま表示するか、又は複数個のガスセンサの検出信号
を多変量解析に持ち込む、いわゆるケモメトリクス（化
学的計量法）と呼ばれる技術を応用して試料ガス中のに
おい成分を測定している。
【０００４】においの官能試験では、嗅ぎ初めに立ち上
がるトップノート、その後持続するミドルノート、そし
てにおいを鼻から追い出した後に残るベースノートに分
けて評価する場合がある。この評価方法は、特に、試料
ガス中に沸点の異なるにおい成分が存在する場合に、に
おいの特徴を抽出する有用な手段である。そのようなに
おいの特徴をにおい識別装置を用いて抽出する場合、セ
ンサ応答波形の形を用いている。におい識別装置のセン
サ応答波形の形にはトップノート、ミドルノート及びベ
ースノートの情報が含まれていると考えられており、そ
の場合、図１の波形図に示すように、センサ応答の立ち
上がりをトップノート（ＴＯＰ）、安定時をミドルノー
ト（ＭＩＤ）、立ち下がりをベースノート（ＢＡＳＥ）
としている。
がるトップノート、その後持続するミドルノート、そし
てにおいを鼻から追い出した後に残るベースノートに分
けて評価する場合がある。この評価方法は、特に、試料
ガス中に沸点の異なるにおい成分が存在する場合に、に
おいの特徴を抽出する有用な手段である。そのようなに
おいの特徴をにおい識別装置を用いて抽出する場合、セ
ンサ応答波形の形を用いている。におい識別装置のセン
サ応答波形の形にはトップノート、ミドルノート及びベ
ースノートの情報が含まれていると考えられており、そ
の場合、図１の波形図に示すように、センサ応答の立ち
上がりをトップノート（ＴＯＰ）、安定時をミドルノー
ト（ＭＩＤ）、立ち下がりをベースノート（ＢＡＳＥ）
としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】におい識別装置のセン
サ応答波形の立ち下がりでベースノートを検知する場
合、いくつかの問題点がある。ガスセンサでは、試料ガ
スの供給を停止した後、ミドルノート及びトップノート
といった主な応答をするにおい成分の影響がガスセンサ
表面にしばらく残る。この現象は単物質のみを測定した
時の応答で確認できる。そのため、まず、立ち下がり波
形が本当にベースノートなのかどうかを検証しなければ
ならない。
サ応答波形の立ち下がりでベースノートを検知する場
合、いくつかの問題点がある。ガスセンサでは、試料ガ
スの供給を停止した後、ミドルノート及びトップノート
といった主な応答をするにおい成分の影響がガスセンサ
表面にしばらく残る。この現象は単物質のみを測定した
時の応答で確認できる。そのため、まず、立ち下がり波
形が本当にベースノートなのかどうかを検証しなければ
ならない。
【０００６】また、ベースノートに関与する残香におい
成分はトップノートやミドルノートのにおい成分に比べ
て高沸点の物質が多いといわれており、揮発量が小さ
く、さらに試料ガスが出ていった後の残香であるため応
答信号がトップノートやミドルノートに比べて非常に小
さくなる場合があると考えられている。そのため、感度
が不足する可能性がある。そこで本発明は、ベースノー
トに関与する残香におい成分を測定することができるに
おい識別装置を提供することを目的とするものである。
成分はトップノートやミドルノートのにおい成分に比べ
て高沸点の物質が多いといわれており、揮発量が小さ
く、さらに試料ガスが出ていった後の残香であるため応
答信号がトップノートやミドルノートに比べて非常に小
さくなる場合があると考えられている。そのため、感度
が不足する可能性がある。そこで本発明は、ベースノー
トに関与する残香におい成分を測定することができるに
おい識別装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、１又は複数個
のガスセンサを備えたにおい識別装置であって、ガスセ
ンサが配置された通常測定用ガスセンサ室に導入され
て、通常測定がなされた試料ガスを、通常測定用ガスセ
ンサ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測
定用ガスセンサ室から追い出した後に通常測定用ガスセ
ンサ室内に残存する残香におい成分を、通常測定を行な
った試料ガスの影響が残っていない状態のガスセンサに
よって測定する残香測定機構を備えるものである。
のガスセンサを備えたにおい識別装置であって、ガスセ
ンサが配置された通常測定用ガスセンサ室に導入され
て、通常測定がなされた試料ガスを、通常測定用ガスセ
ンサ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測
定用ガスセンサ室から追い出した後に通常測定用ガスセ
ンサ室内に残存する残香におい成分を、通常測定を行な
った試料ガスの影響が残っていない状態のガスセンサに
よって測定する残香測定機構を備えるものである。
【０００８】通常測定とはトップノートとミドルノート
の測定を意味し、通常測定を行なった試料ガスの影響が
残っていない状態とは、トップノート及びミドルノート
に関与するにおい成分の影響を受けていない状態のこと
であり、通常測定を行なった試料ガスの影響が残ってい
ない状態のガスセンサによってベースノートに関与する
残香におい成分を測定することができる。官能では、ベ
ースノートの違いによって評価が大きく分かれることが
ある。従来のにおい測定装置においては、上記の問題点
から、センサ応答波形の立ち下がり情報はほどんど利用
されていない。本発明のにおい測定装置によれば、残香
の検出信号とベースノートの相関についてより詳しく調
べることができ、官能評価により近づけることができ
る。ここで追出し用ガスとは、例えばゼロガスとしての
窒素ガスなど、ガスセンサの応答に影響を与えない不活
性なガス、又はガスセンサの検出信号を一定の状態に安
定させるガスをいう。
の測定を意味し、通常測定を行なった試料ガスの影響が
残っていない状態とは、トップノート及びミドルノート
に関与するにおい成分の影響を受けていない状態のこと
であり、通常測定を行なった試料ガスの影響が残ってい
ない状態のガスセンサによってベースノートに関与する
残香におい成分を測定することができる。官能では、ベ
ースノートの違いによって評価が大きく分かれることが
ある。従来のにおい測定装置においては、上記の問題点
から、センサ応答波形の立ち下がり情報はほどんど利用
されていない。本発明のにおい測定装置によれば、残香
の検出信号とベースノートの相関についてより詳しく調
べることができ、官能評価により近づけることができ
る。ここで追出し用ガスとは、例えばゼロガスとしての
窒素ガスなど、ガスセンサの応答に影響を与えない不活
性なガス、又はガスセンサの検出信号を一定の状態に安
定させるガスをいう。
【０００９】
【発明の実施の形態】一態様として、少なくとも２個の
ガスセンサを備え、残香測定機構は、通常測定用ガスセ
ンサ室とは別に設けられて、他のガスセンサが配置され
た残香測定用ガスセンサ室と、通常測定用ガスセンサ室
からの流路を排出側と残香測定用ガスセンサ室に切り替
えて接続する流路切替え機構とを備えていることが好ま
しい。流路切替え機構により、通常測定用ガスセンサ室
を排出側に接続しておき、通常測定用ガスセンサ室に所
望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定用ガスセ
ンサ室から試料ガスを追い出した後、流路切替え機構を
切り替えて、通常測定用ガスセンサ室からの流路を残香
測定用ガスセンサ室側に接続する。その後さらに通常測
定用ガスセンサ室に追出し用ガスを導入することによ
り、残香におい成分のみを残香測定用ガスセンサ室に導
入して測定する。
ガスセンサを備え、残香測定機構は、通常測定用ガスセ
ンサ室とは別に設けられて、他のガスセンサが配置され
た残香測定用ガスセンサ室と、通常測定用ガスセンサ室
からの流路を排出側と残香測定用ガスセンサ室に切り替
えて接続する流路切替え機構とを備えていることが好ま
しい。流路切替え機構により、通常測定用ガスセンサ室
を排出側に接続しておき、通常測定用ガスセンサ室に所
望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定用ガスセ
ンサ室から試料ガスを追い出した後、流路切替え機構を
切り替えて、通常測定用ガスセンサ室からの流路を残香
測定用ガスセンサ室側に接続する。その後さらに通常測
定用ガスセンサ室に追出し用ガスを導入することによ
り、残香におい成分のみを残香測定用ガスセンサ室に導
入して測定する。
【００１０】他の態様として、残香測定機構は、におい
成分を吸着する捕集剤が充填され、におい成分を吸着し
た後に脱離させて通常測定用ガスセンサ室又は通常測定
用ガスセンサ室とは別に設けられて、他のガスセンサが
配置された残香測定用ガスセンサ室に導く捕集部と、通
常測定用ガスセンサ室からの流路を排出側とその捕集部
に切り替えて接続する流路切替え機構とを備えているこ
とが好ましい。流路切替え機構により、通常測定用ガス
センサ室を排出側に接続しておき、通常測定用ガスセン
サ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定
用ガスセンサ室から試料ガスを追い出した後、流路切替
え機構を切り替えて、通常測定用ガスセンサ室を捕集部
側に接続する。その後さらに通常測定用ガスセンサ室に
追出し用ガスを導入することにより、残香におい成分を
捕集部に導入して捕集し、捕集した残香におい成分をガ
スセンサ室又は残香測定用ガスセンサ室に導入して測定
する。ただし、残香におい成分を通常測定用ガスセンサ
室に導入する場合は、通常測定用ガスセンサ室に配置さ
れたガスセンサの、トップノート及びミドルノートに関
与するにおい成分の影響がなくなってから導入する。こ
の態様では、捕集部によって捕集した残香におい成分を
濃縮してガスセンサ室又は残香測定用ガスセンサ室に導
入することができる。
成分を吸着する捕集剤が充填され、におい成分を吸着し
た後に脱離させて通常測定用ガスセンサ室又は通常測定
用ガスセンサ室とは別に設けられて、他のガスセンサが
配置された残香測定用ガスセンサ室に導く捕集部と、通
常測定用ガスセンサ室からの流路を排出側とその捕集部
に切り替えて接続する流路切替え機構とを備えているこ
とが好ましい。流路切替え機構により、通常測定用ガス
センサ室を排出側に接続しておき、通常測定用ガスセン
サ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定
用ガスセンサ室から試料ガスを追い出した後、流路切替
え機構を切り替えて、通常測定用ガスセンサ室を捕集部
側に接続する。その後さらに通常測定用ガスセンサ室に
追出し用ガスを導入することにより、残香におい成分を
捕集部に導入して捕集し、捕集した残香におい成分をガ
スセンサ室又は残香測定用ガスセンサ室に導入して測定
する。ただし、残香におい成分を通常測定用ガスセンサ
室に導入する場合は、通常測定用ガスセンサ室に配置さ
れたガスセンサの、トップノート及びミドルノートに関
与するにおい成分の影響がなくなってから導入する。こ
の態様では、捕集部によって捕集した残香におい成分を
濃縮してガスセンサ室又は残香測定用ガスセンサ室に導
入することができる。
【００１１】
【実施例】図２は、一実施例を示す概略構成図である。
ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるもので
はなく、特許請求の範囲に記載の要旨の範囲内で種々の
変更ができる。試料ガスを供給する試料ガス流路４が三
方電磁バルブＶ１を介して通常測定用ガスセンサ室１に
接続されている。ガスセンサ室１には１又は複数個のガ
スセンサが配置されている。バルブＶ１には、追出し用
ガスを兼ねるゼロガスを供給するゼロガス流路６から分
岐したゼロガス流路６ａも接続されている。バルブＶ１
はガスセンサ室１へつながる流路を試料ガス流路４とゼ
ロガス流路６ａに切り替えて接続する。
ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるもので
はなく、特許請求の範囲に記載の要旨の範囲内で種々の
変更ができる。試料ガスを供給する試料ガス流路４が三
方電磁バルブＶ１を介して通常測定用ガスセンサ室１に
接続されている。ガスセンサ室１には１又は複数個のガ
スセンサが配置されている。バルブＶ１には、追出し用
ガスを兼ねるゼロガスを供給するゼロガス流路６から分
岐したゼロガス流路６ａも接続されている。バルブＶ１
はガスセンサ室１へつながる流路を試料ガス流路４とゼ
ロガス流路６ａに切り替えて接続する。
【００１２】ガスセンサ室１からの流路は三方電磁バル
ブＶ２を介して残香測定用ガスセンサ室２と排出流路８
に接続されている。ガスセンサ室２には１又は複数個の
ガスセンサが配置されている。バルブＶ２はガスセンサ
室１からの流路をガスセンサ室２の入口と排出流路８に
切り替えて接続する。ガスセンサ室２の入口には、さら
に、ゼロガス流路６から分岐したゼロガス流路６ｂが開
閉用電磁バルブＶ３を介して接続されている。ガスセン
サ室２からの流路は排出口に接続されている。
ブＶ２を介して残香測定用ガスセンサ室２と排出流路８
に接続されている。ガスセンサ室２には１又は複数個の
ガスセンサが配置されている。バルブＶ２はガスセンサ
室１からの流路をガスセンサ室２の入口と排出流路８に
切り替えて接続する。ガスセンサ室２の入口には、さら
に、ゼロガス流路６から分岐したゼロガス流路６ｂが開
閉用電磁バルブＶ３を介して接続されている。ガスセン
サ室２からの流路は排出口に接続されている。
【００１３】この実施例の動作を説明する。 １）トップノート及びミドルノートの測定 バルブＶ１によってゼロガス流路６ａをガスセンサ室１
側に接続し、バルブＶ３を閉じてゼロガス流路６とガス
センサ室２の間を遮断し、バルブＶ２によってガスセン
サ室１からの流路をガスセンサ室２側に接続する。これ
により、ゼロガス流路６から、ゼロガス流路６ａ及びバ
ルブＶ１を介して、ガスセンサ室１にゼロガスを供給
し、さらにバルブＶ２を介して、ガスセンサ室２にゼロ
ガスを供給し、ガスセンサ室１，２に配置されたガスセ
ンサの応答を安定させる。バルブＶ１を切り替えて試料
ガス流路２をガスセンサ室１側に接続し、バルブＶ２を
切り替えてガスセンサ室１からの流路を排出流路８側に
接続する。これにより、ガスセンサ室１に試料ガスを導
入してセンサ応答波形を得て、トップノート及びミドル
ノートの測定を行なう。このとき、バルブＶ３を開い
て、ゼロガス流路６から、ゼロガス流路６ｂ及びバルブ
Ｖ３を介して、ガスセンサ室２にゼロガスを供給してお
く。
側に接続し、バルブＶ３を閉じてゼロガス流路６とガス
センサ室２の間を遮断し、バルブＶ２によってガスセン
サ室１からの流路をガスセンサ室２側に接続する。これ
により、ゼロガス流路６から、ゼロガス流路６ａ及びバ
ルブＶ１を介して、ガスセンサ室１にゼロガスを供給
し、さらにバルブＶ２を介して、ガスセンサ室２にゼロ
ガスを供給し、ガスセンサ室１，２に配置されたガスセ
ンサの応答を安定させる。バルブＶ１を切り替えて試料
ガス流路２をガスセンサ室１側に接続し、バルブＶ２を
切り替えてガスセンサ室１からの流路を排出流路８側に
接続する。これにより、ガスセンサ室１に試料ガスを導
入してセンサ応答波形を得て、トップノート及びミドル
ノートの測定を行なう。このとき、バルブＶ３を開い
て、ゼロガス流路６から、ゼロガス流路６ｂ及びバルブ
Ｖ３を介して、ガスセンサ室２にゼロガスを供給してお
く。
【００１４】２）試料ガスの追出し バルブＶ１を切り替えてゼロガス流路６ａをガスセンサ
室１側に接続し、ガスセンサ室１にゼロガスを供給して
ガスセンサ室１から試料ガスを追い出し、バルブＶ２及
び排出流路８を介して排出する。このとき、バルブＶ３
を開いた状態のままにしておき、ガスセンサ室２にゼロ
ガスを供給しておく。
室１側に接続し、ガスセンサ室１にゼロガスを供給して
ガスセンサ室１から試料ガスを追い出し、バルブＶ２及
び排出流路８を介して排出する。このとき、バルブＶ３
を開いた状態のままにしておき、ガスセンサ室２にゼロ
ガスを供給しておく。
【００１５】３）ベースノートの測定 ガスセンサ室１からの試料ガスの追出しを開始してから
所定の時間が経過した後、バルブＶ３を閉じてガスセン
サ室２へのゼロガスの供給を停止し、バルブＶ２を切り
替えてガスセンサ室１からの流路をガスセンサ室２側に
接続する。そのバルブＶ２の切替え時期は、試料ガスの
におい成分の構成によって異なり、オペレータによって
所望の時間を設定できる。これにより、ガスセンサ室１
に残留する残香におい成分をガスセンサ室２に導入して
測定する。このようにして、トップノート及びミドルノ
ートに関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベ
ースノートに関与する残香におい成分を測定することが
できる。
所定の時間が経過した後、バルブＶ３を閉じてガスセン
サ室２へのゼロガスの供給を停止し、バルブＶ２を切り
替えてガスセンサ室１からの流路をガスセンサ室２側に
接続する。そのバルブＶ２の切替え時期は、試料ガスの
におい成分の構成によって異なり、オペレータによって
所望の時間を設定できる。これにより、ガスセンサ室１
に残留する残香におい成分をガスセンサ室２に導入して
測定する。このようにして、トップノート及びミドルノ
ートに関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベ
ースノートに関与する残香におい成分を測定することが
できる。
【００１６】図３は、他の実施例を示す概略構成図であ
る。試料ガス流路１０とゼロガス流路１２を、三方電磁
バルブＶ５を介して、捕集管（捕集部）１４へつながる
流路へ切り替えて接続する三方電磁バルブＶ４が設けら
れている。捕集管１４にはにおい成分を吸着する捕集剤
が充填されている。そのような捕集剤としては、例えば
グラファイトカーボンブラック、カーボンモレキュラー
シーブ、多孔質ポリマー、ガラスビーズなどを用いるこ
とができる。捕集管１４からの流路は三方電磁バルブＶ
６を介して通常測定用ガスセンサ室３の入口と排出流路
１６に接続されている。ガスセンサ室３は残香測定用ガ
スセンサ室も兼ねる。ガスセンサ室３には１又は複数個
のガスセンサが配置されている。バルブＶ６は捕集管１
４をガスセンサ室３と排出流路１６に切り替えて接続す
る。
る。試料ガス流路１０とゼロガス流路１２を、三方電磁
バルブＶ５を介して、捕集管（捕集部）１４へつながる
流路へ切り替えて接続する三方電磁バルブＶ４が設けら
れている。捕集管１４にはにおい成分を吸着する捕集剤
が充填されている。そのような捕集剤としては、例えば
グラファイトカーボンブラック、カーボンモレキュラー
シーブ、多孔質ポリマー、ガラスビーズなどを用いるこ
とができる。捕集管１４からの流路は三方電磁バルブＶ
６を介して通常測定用ガスセンサ室３の入口と排出流路
１６に接続されている。ガスセンサ室３は残香測定用ガ
スセンサ室も兼ねる。ガスセンサ室３には１又は複数個
のガスセンサが配置されている。バルブＶ６は捕集管１
４をガスセンサ室３と排出流路１６に切り替えて接続す
る。
【００１７】ガスセンサ室３の入口には、さらに、追出
し用ガスを兼ねるゼロガスを供給するゼロガス流路１８
が開閉用電磁バルブＶ７を介して接続されている。ガス
センサ室３からの流路は、三方電磁バルブＶ８を介し
て、バルブＶ５につながる残香流路２０と排出流路１６
に接続されている。バルブＶ５は捕集管１４へつながる
流路をバルブＶ４からの流路と残香流路２０に切り替え
て接続する。
し用ガスを兼ねるゼロガスを供給するゼロガス流路１８
が開閉用電磁バルブＶ７を介して接続されている。ガス
センサ室３からの流路は、三方電磁バルブＶ８を介し
て、バルブＶ５につながる残香流路２０と排出流路１６
に接続されている。バルブＶ５は捕集管１４へつながる
流路をバルブＶ４からの流路と残香流路２０に切り替え
て接続する。
【００１８】この実施例の動作を説明する。 １）捕集管へのにおい成分の捕集 バルブＶ４，Ｖ５によって試料ガス流路１０を捕集管１
４側に接続し、バルブＶ６によって捕集管１４からの流
路を排出流路１６側に接続する。これにより、捕集管１
４に試料ガスを導入してにおい成分を捕集管１４に捕集
する。このとき、バルブＶ７を開き、バルブＶ８によっ
てガスセンサ室３からの流路を排出流路１６側に接続し
て、ゼロガス流路１８からガスセンサ室３にゼロガスを
供給しておき、ガスセンサ室３に配置されたガスセンサ
の応答を安定させておく。
４側に接続し、バルブＶ６によって捕集管１４からの流
路を排出流路１６側に接続する。これにより、捕集管１
４に試料ガスを導入してにおい成分を捕集管１４に捕集
する。このとき、バルブＶ７を開き、バルブＶ８によっ
てガスセンサ室３からの流路を排出流路１６側に接続し
て、ゼロガス流路１８からガスセンサ室３にゼロガスを
供給しておき、ガスセンサ室３に配置されたガスセンサ
の応答を安定させておく。
【００１９】２）トップノート及びミドルノートの測定 バルブＶ４を切り替えてゼロガス流路１２を、バルブＶ
４，Ｖ５を介して、捕集管１４側に接続し、バルブＶ６
を切り替えて捕集管１４からの流路をガスセンサ室３側
に接続し、さらにバルブＶ７を閉じる。これにより、捕
集管１４にゼロガスを供給し、さらに捕集管１４を加熱
して、捕集されていたにおい成分を熱脱離させ、そのに
おい成分を、バルブＶ６を介して、ガスセンサ室３に導
入してセンサ応答波形を得て、トップノート及びミドル
ノートの測定を行なう。
４，Ｖ５を介して、捕集管１４側に接続し、バルブＶ６
を切り替えて捕集管１４からの流路をガスセンサ室３側
に接続し、さらにバルブＶ７を閉じる。これにより、捕
集管１４にゼロガスを供給し、さらに捕集管１４を加熱
して、捕集されていたにおい成分を熱脱離させ、そのに
おい成分を、バルブＶ６を介して、ガスセンサ室３に導
入してセンサ応答波形を得て、トップノート及びミドル
ノートの測定を行なう。
【００２０】３）におい成分の追出し 捕集管１４の温度を下げつつ、ガスセンサ室３にゼロガ
スを供給し続けてガスセンサ室３からにおい成分を追い
出し、バルブＶ８及び排出流路１６を介して排出する。 ４）残香におい成分の捕集 ガスセンサ室３からの試料ガスの追出しを開始してから
所定の時間が経過した後、バルブＶ５を切り替えて捕集
管１４へつながる流路を残香流路２０側に接続し、バル
ブＶ６を切り替えて捕集管１４からの流路を排出流路１
６側に接続し、バルブＶ７を開き、さらにバルブＶ８を
切り替えてガスセンサ室３からの流路を残香流路２０側
に接続する。そのバルブＶ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８の切替
え時期は、試料ガスのにおい成分の構成によって異な
り、オペレータによって所望の時間を設定できる。これ
により、ゼロガス流路１８からバルブＶ７を介してガス
センサ室３にゼロガスを供給し、そのゼロガスととも
に、ガスセンサ室３に残留する残香におい成分を、バル
ブＶ８、残香流路２０及びバルブＶ５を介して、捕集管
１４に導入して捕集する。
スを供給し続けてガスセンサ室３からにおい成分を追い
出し、バルブＶ８及び排出流路１６を介して排出する。 ４）残香におい成分の捕集 ガスセンサ室３からの試料ガスの追出しを開始してから
所定の時間が経過した後、バルブＶ５を切り替えて捕集
管１４へつながる流路を残香流路２０側に接続し、バル
ブＶ６を切り替えて捕集管１４からの流路を排出流路１
６側に接続し、バルブＶ７を開き、さらにバルブＶ８を
切り替えてガスセンサ室３からの流路を残香流路２０側
に接続する。そのバルブＶ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８の切替
え時期は、試料ガスのにおい成分の構成によって異な
り、オペレータによって所望の時間を設定できる。これ
により、ゼロガス流路１８からバルブＶ７を介してガス
センサ室３にゼロガスを供給し、そのゼロガスととも
に、ガスセンサ室３に残留する残香におい成分を、バル
ブＶ８、残香流路２０及びバルブＶ５を介して、捕集管
１４に導入して捕集する。
【００２１】５）ベースノートの測定 ガスセンサ室３に配置されたガスセンサの応答が回復し
た後、バルブＶ４をゼロガス流路１２とバルブＶ５へつ
ながる流路を接続する側に維持したまま、バルブＶ５を
切り替えてゼロガス流路１２を、バルブＶ４，Ｖ５を介
して、捕集管１４側に接続し、バルブＶ６を切り替えて
捕集管１４からの流路をガスセンサ室３側に接続し、バ
ルブＶ７を閉じ、さらにバルブＶ８を切り替えてガスセ
ンサ室３からの流路を排出流路１６側に接続する。これ
により、ゼロガス流路１２から捕集管１４にゼロガスを
供給し、さらに捕集管１４を加熱して捕集された残香に
おい成分を熱脱離させ、その残香におい成分を、バルブ
Ｖ６を介して、ガスセンサ室３に導入して測定する。こ
のとき、捕集管１４に供給するゼロガスの流量を調節す
ることにより、残香におい成分を濃縮して測定すること
ができる。このようにして、トップノート及びミドルノ
ートに関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベ
ースノートに関与する残香におい成分を測定することが
できる。
た後、バルブＶ４をゼロガス流路１２とバルブＶ５へつ
ながる流路を接続する側に維持したまま、バルブＶ５を
切り替えてゼロガス流路１２を、バルブＶ４，Ｖ５を介
して、捕集管１４側に接続し、バルブＶ６を切り替えて
捕集管１４からの流路をガスセンサ室３側に接続し、バ
ルブＶ７を閉じ、さらにバルブＶ８を切り替えてガスセ
ンサ室３からの流路を排出流路１６側に接続する。これ
により、ゼロガス流路１２から捕集管１４にゼロガスを
供給し、さらに捕集管１４を加熱して捕集された残香に
おい成分を熱脱離させ、その残香におい成分を、バルブ
Ｖ６を介して、ガスセンサ室３に導入して測定する。こ
のとき、捕集管１４に供給するゼロガスの流量を調節す
ることにより、残香におい成分を濃縮して測定すること
ができる。このようにして、トップノート及びミドルノ
ートに関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベ
ースノートに関与する残香におい成分を測定することが
できる。
【００２２】図３の実施例では、トップノート及びミド
ルノートの測定ならびにベースノートの測定を同じガス
センサ室３で行なっているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ガスセンサ室３とは別に、１又は複数
個のガスセンサが配置された残香測定用ガスセンサ室を
設け、捕集管に捕集した残香におい成分を残香測定用ガ
スセンサ室に導入してベースノートの測定を行なうよう
にしてもよい。図２及び図３の実施例において用いるガ
スセンサとしては、酸化物半導体センサや導電性高分子
センサ、ＱＣＭ、ＳＡＷデバイスを利用したセンサな
ど、どのようなガスセンサを用いてもよい。さらに、こ
れらの動作原理の異なるガスセンサを組み合わせて用い
てもよい。動作に酸素を必要とするガスセンサを用いた
場合は、酸素を含むゼロガス及び酸素を含む試料ガスを
用いる必要がある。
ルノートの測定ならびにベースノートの測定を同じガス
センサ室３で行なっているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ガスセンサ室３とは別に、１又は複数
個のガスセンサが配置された残香測定用ガスセンサ室を
設け、捕集管に捕集した残香におい成分を残香測定用ガ
スセンサ室に導入してベースノートの測定を行なうよう
にしてもよい。図２及び図３の実施例において用いるガ
スセンサとしては、酸化物半導体センサや導電性高分子
センサ、ＱＣＭ、ＳＡＷデバイスを利用したセンサな
ど、どのようなガスセンサを用いてもよい。さらに、こ
れらの動作原理の異なるガスセンサを組み合わせて用い
てもよい。動作に酸素を必要とするガスセンサを用いた
場合は、酸素を含むゼロガス及び酸素を含む試料ガスを
用いる必要がある。
【００２３】
【発明の効果】本発明のにおい識別装置では、残香測定
機構により、通常測定用ガスセンサ室に導入されて通常
測定がなされた試料ガスを、通常測定用ガスセンサ室に
所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定用ガス
センサ室から追い出した後に通常測定用ガスセンサ室内
に残存する残香におい成分を、通常測定を行なった試料
ガスの影響が残っていない状態のガスセンサによって測
定するようにしたので、トップノート及びミドルノート
に関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベース
ノートに関与する残香におい成分を測定することができ
る。
機構により、通常測定用ガスセンサ室に導入されて通常
測定がなされた試料ガスを、通常測定用ガスセンサ室に
所望の時間だけ追出し用ガスを導入して通常測定用ガス
センサ室から追い出した後に通常測定用ガスセンサ室内
に残存する残香におい成分を、通常測定を行なった試料
ガスの影響が残っていない状態のガスセンサによって測
定するようにしたので、トップノート及びミドルノート
に関与するにおい成分の影響を受けることなく、ベース
ノートに関与する残香におい成分を測定することができ
る。
【００２４】少なくとも２個のガスセンサを備え、残香
測定機構として、通常測定用ガスセンサ室とは別に設け
られた残香測定用ガスセンサ室と、通常測定用ガスセン
サ室からの流路を排出側と残香測定用ガスセンサ室に切
り替えて接続する流路切替え機構とを備え、通常測定用
ガスセンサ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入し
て、通常測定用ガスセンサ室から通常測定がなされた試
料ガスを追い出した後、流路切替え機構を切り替えて、
通常測定用ガスセンサ室からの流路を残香測定用ガスセ
ンサ室側に接続するようにすれば、残香におい成分のみ
を残香測定用ガスセンサ室に導入して測定することがで
きる。
測定機構として、通常測定用ガスセンサ室とは別に設け
られた残香測定用ガスセンサ室と、通常測定用ガスセン
サ室からの流路を排出側と残香測定用ガスセンサ室に切
り替えて接続する流路切替え機構とを備え、通常測定用
ガスセンサ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入し
て、通常測定用ガスセンサ室から通常測定がなされた試
料ガスを追い出した後、流路切替え機構を切り替えて、
通常測定用ガスセンサ室からの流路を残香測定用ガスセ
ンサ室側に接続するようにすれば、残香におい成分のみ
を残香測定用ガスセンサ室に導入して測定することがで
きる。
【００２５】残香測定機構として、捕集したにおい成分
を通常測定用ガスセンサ室又はその通常測定用ガスセン
サ室とは別に設けられた残香測定用ガスセンサ室に導く
捕集部と、通常測定用ガスセンサ室からの流路を排出側
とその捕集部に切り替えて接続する流路切替え機構とを
備え、通常測定用ガスセンサ室に所望の時間だけ追出し
用ガスを導入して、通常測定用ガスセンサ室から通常測
定がなされた試料ガスを追い出した後、流路切替え機構
を切り替えて、通常測定用ガスセンサ室を捕集部側に接
続して残香におい成分を捕集部によって捕集し、その残
香におい成分を通常測定用ガスセンサ室又は残香測定用
ガスセンサ室に導入して測定するようにすれば、残香に
おい成分を濃縮して通常測定用ガスセンサ室又は残香測
定用ガスセンサ室に導入して測定することができる。
を通常測定用ガスセンサ室又はその通常測定用ガスセン
サ室とは別に設けられた残香測定用ガスセンサ室に導く
捕集部と、通常測定用ガスセンサ室からの流路を排出側
とその捕集部に切り替えて接続する流路切替え機構とを
備え、通常測定用ガスセンサ室に所望の時間だけ追出し
用ガスを導入して、通常測定用ガスセンサ室から通常測
定がなされた試料ガスを追い出した後、流路切替え機構
を切り替えて、通常測定用ガスセンサ室を捕集部側に接
続して残香におい成分を捕集部によって捕集し、その残
香におい成分を通常測定用ガスセンサ室又は残香測定用
ガスセンサ室に導入して測定するようにすれば、残香に
おい成分を濃縮して通常測定用ガスセンサ室又は残香測
定用ガスセンサ室に導入して測定することができる。
【図１】 ガスセンサのセンサ応答波形を示す波形図で
ある。
ある。
【図２】 一実施例を示す概略構成図である。
【図３】 他の実施例を示す概略構成図である。
１ 通常測定用ガスセンサ室 ２ 残香測定用ガスセンサ室 ３ 残香測定用ガスセンサ室を兼ねる通常測定用ガ
スセンサ室 ４，１０ 試料ガス流路 ６，６ａ，６ｂ，１２，１８ ゼロガス流路 ８，１６ 排出流路 １４ 捕集管 ２０ 残香流路 Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ８ 三方電磁バ
ルブ Ｖ３，Ｖ７ 開閉用電磁バルブ
スセンサ室 ４，１０ 試料ガス流路 ６，６ａ，６ｂ，１２，１８ ゼロガス流路 ８，１６ 排出流路 １４ 捕集管 ２０ 残香流路 Ｖ１，Ｖ２，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ８ 三方電磁バ
ルブ Ｖ３，Ｖ７ 開閉用電磁バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 27/12 Ｇ０１Ｎ 27/12 Ａ 27/26 ３６１ 27/26 ３６１Ａ 30/00 30/00 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 １又は複数個のガスセンサを備えたにお
い識別装置において、 ガスセンサが配置された通常測定用ガスセンサ室に導入
されて通常測定がなされた試料ガスを、前記通常測定用
ガスセンサ室に所望の時間だけ追出し用ガスを導入して
前記通常測定用ガスセンサ室から追い出した後に前記通
常測定用ガスセンサ室内に残存する残香におい成分を、
通常測定を行なった試料ガスの影響が残っていない状態
のガスセンサによって測定する残香測定機構を備えたこ
とを特徴とするにおい識別装置。 - 【請求項２】 少なくとも２個のガスセンサを備え、前
記残香測定機構は、前記通常測定用ガスセンサ室とは別
に設けられて、他のガスセンサが配置された残香測定用
ガスセンサ室と、前記通常測定用ガスセンサ室からの流
路を排出側と前記残香測定用ガスセンサ室に切り替えて
接続する流路切替え機構と、を備えたものである請求項
１に記載のにおい識別装置。 - 【請求項３】 前記残香測定機構は、におい成分を吸着
する捕集剤が充填され、におい成分を吸着した後に脱離
させて前記通常測定用ガスセンサ室又は前記通常測定用
ガスセンサ室とは別に設けられて、他のガスセンサが配
置された残香測定用ガスセンサ室に導く捕集部と、前記
通常測定用ガスセンサ室からの流路を排出側と前記捕集
部に切り替えて接続する流路切替え機構と、を備えたも
のである請求項１に記載のにおい識別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35894699A JP4253971B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | におい識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35894699A JP4253971B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | におい識別装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001174372A true JP2001174372A (ja) | 2001-06-29 |
| JP4253971B2 JP4253971B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=18461943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35894699A Expired - Lifetime JP4253971B2 (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | におい識別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4253971B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350299A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Shimadzu Corp | におい測定方法及び装置 |
| JP2006226710A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Riken Keiki Co Ltd | ガス測定装置 |
| JP2009276309A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Figaro Eng Inc | リークディテクタ |
| EP3436794B1 (en) * | 2016-03-31 | 2021-07-07 | Symrise AG | Method for assessing the sillage of fragrance materials |
| WO2022137568A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 太陽誘電株式会社 | 気体検出装置及び気体検出方法 |
-
1999
- 1999-12-17 JP JP35894699A patent/JP4253971B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350299A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Shimadzu Corp | におい測定方法及び装置 |
| JP2006226710A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Riken Keiki Co Ltd | ガス測定装置 |
| JP4553195B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-09-29 | 理研計器株式会社 | ガス測定装置 |
| JP2009276309A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Figaro Eng Inc | リークディテクタ |
| EP3436794B1 (en) * | 2016-03-31 | 2021-07-07 | Symrise AG | Method for assessing the sillage of fragrance materials |
| WO2022137568A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 太陽誘電株式会社 | 気体検出装置及び気体検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4253971B2 (ja) | 2009-04-15 |
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