JP2001172506A - 導電性シリコーンゴム組成物 - Google Patents
導電性シリコーンゴム組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）下記平均組成式（１）
Ｒ1 nＳｉＯ(4-n)/2 …（１）
（式中、Ｒ1は同一又は異種の非置換又は置換１価炭化水素基であり、ｎは１．
９８〜２．０２の正数である。）
で示され、脂肪族不飽和基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン
１００重量部、
（Ｂ）無機粒子又は有機樹脂粒子からなる基材粒子の表面が金属メッキ層で被覆
されてなる導電化粒子 ９０〜８００重量部、
（Ｃ）硬化剤 上記（Ａ）成分を硬化させ得る量
を含有してなることを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物。
【効果】 本発明の導電性シリコーンゴム組成物は、基
材粒子を金属メッキすることにより得られた導電化粒子
をシリコーンゴムに配合したことにより、分散性に優
れ、また該組成物を硬化して得られるシリコーンゴム
は、体積抵抗率の低抵抗、安定性に優れたものである。
材粒子を金属メッキすることにより得られた導電化粒子
をシリコーンゴムに配合したことにより、分散性に優
れ、また該組成物を硬化して得られるシリコーンゴム
は、体積抵抗率の低抵抗、安定性に優れたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、体積抵抗率が低
く、体積抵抗率の安定性に優れた硬化物を与える導電性
シリコーンゴム組成物に関する。
く、体積抵抗率の安定性に優れた硬化物を与える導電性
シリコーンゴム組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
弾性体で低い抵抗率を得る方法として、電気伝導度の大
きい銀粉末をポリマーに添加した付加反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物、縮合反応硬化型シリコーンゴム組成
物、パーオキサイド加硫型シリコーンゴム組成物等のシ
リコーンゴム組成物が知られている。しかしながら、導
電粉末として銀を用いた場合、銀粉末の凝集性が高く、
シリコーンゴム中に均一分散しないこと、また環境安定
性に乏しく、特に高温高湿雰囲気下では銀表面が酸化劣
化する問題があった。
弾性体で低い抵抗率を得る方法として、電気伝導度の大
きい銀粉末をポリマーに添加した付加反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物、縮合反応硬化型シリコーンゴム組成
物、パーオキサイド加硫型シリコーンゴム組成物等のシ
リコーンゴム組成物が知られている。しかしながら、導
電粉末として銀を用いた場合、銀粉末の凝集性が高く、
シリコーンゴム中に均一分散しないこと、また環境安定
性に乏しく、特に高温高湿雰囲気下では銀表面が酸化劣
化する問題があった。
【０００３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、体積抵抗率が低く、かつ安定なシリコーンゴムに硬
化し得る導電性シリコーンゴム組成物を提供することを
目的とする。
で、体積抵抗率が低く、かつ安定なシリコーンゴムに硬
化し得る導電性シリコーンゴム組成物を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記平均組成式（１）で示されるオルガノポリシ
ロキサン１００部（重量部、以下同様）に、予め無機粒
子又は有機樹脂粒子からなる基材粒子の表面をメッキ処
理することによって得られた表面が金属メッキ層で被覆
された無機粒子又は有機樹脂粒子（導電化粒子）９０〜
８００部を添加することにより、シリコーンゴム組成物
に配合した場合の分散性が優れるため、安定した体積抵
抗率を得ることができ、得られたシリコーンゴム組成物
は、有機過酸化物又はオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン／白金系触媒単独でも、また有機過酸化物とオル
ガノハイドロジェンポリシロキサン／白金系触媒の併用
系でも硬化し得、その硬化物（シリコーンゴム）は、結
果的に安定的な電気的に抵抗の低い（高導電性）部材と
なり、長期の使用に耐え得ることから、導電性接点部
材、事務機用ロール部材、電磁波シールドガスケット材
等に最適であることを知見し、本発明をなすに至った。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、下記平均組成式（１）で示されるオルガノポリシ
ロキサン１００部（重量部、以下同様）に、予め無機粒
子又は有機樹脂粒子からなる基材粒子の表面をメッキ処
理することによって得られた表面が金属メッキ層で被覆
された無機粒子又は有機樹脂粒子（導電化粒子）９０〜
８００部を添加することにより、シリコーンゴム組成物
に配合した場合の分散性が優れるため、安定した体積抵
抗率を得ることができ、得られたシリコーンゴム組成物
は、有機過酸化物又はオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン／白金系触媒単独でも、また有機過酸化物とオル
ガノハイドロジェンポリシロキサン／白金系触媒の併用
系でも硬化し得、その硬化物（シリコーンゴム）は、結
果的に安定的な電気的に抵抗の低い（高導電性）部材と
なり、長期の使用に耐え得ることから、導電性接点部
材、事務機用ロール部材、電磁波シールドガスケット材
等に最適であることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００５】従って、本発明は、 （Ａ）下記平均組成式（１） Ｒ1 nＳｉＯ(4-n)/2 …（１） （式中、Ｒ1は同一又は異種の非置換又は置換１価炭化水素基であり、ｎは１． ９８〜２．０２の正数である。） で示され、脂肪族不飽和基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン １００重量部、 （Ｂ）無機粒子又は有機樹脂粒子からなる基材粒子の表面が金属メッキ層で被覆 されてなる導電化粒子 ９０〜８００重量部、 （Ｃ）硬化剤 上記（Ａ）成分を硬化させ得る量 を含有してなることを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物を提供する。
【０００６】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明に係るシリコーンゴム組成物の第１必須成分のオルガ
ノポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示される
ものである。 Ｒ1 nＳｉＯ(4-n)/2 …（１） （式中、Ｒ1は同一又は異種の非置換又は置換１価炭化
水素基であり、ｎは１．９８〜２．０２の正数であ
る。）
明に係るシリコーンゴム組成物の第１必須成分のオルガ
ノポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示される
ものである。 Ｒ1 nＳｉＯ(4-n)/2 …（１） （式中、Ｒ1は同一又は異種の非置換又は置換１価炭化
水素基であり、ｎは１．９８〜２．０２の正数であ
る。）
【０００７】ここで、上記式中、Ｒ1はメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基
等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基
等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のア
ラルキル基などや、これらの基の炭素原子に結合した水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基などで
置換したクロロメチル基、トリフルオロプロピル基、シ
アノエチル基などから選択される同一又は異種の好まし
くは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８の非
置換又は置換１価炭化水素基である。特に好ましくはメ
チル基、ビニル基、フェニル基、トリフルオロプロピル
基である。この場合、Ｒ1は脂肪族不飽和基（アルケニ
ル基）を少なくとも２個有していることが必要である
が、Ｒ1中の脂肪族不飽和基の含有量は０．００１〜２
０モル％、特に０．０２５〜５モル％であることが好ま
しい。また、ｎは１．９８〜２．０２の正数である。上
記式（１）のオルガノポリシロキサンは、基本的には直
鎖状であることが好ましいが、分子構造の異なる１種又
は２種以上の混合物であってもよい。
ル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基
等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基
等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のア
ラルキル基などや、これらの基の炭素原子に結合した水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基などで
置換したクロロメチル基、トリフルオロプロピル基、シ
アノエチル基などから選択される同一又は異種の好まし
くは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８の非
置換又は置換１価炭化水素基である。特に好ましくはメ
チル基、ビニル基、フェニル基、トリフルオロプロピル
基である。この場合、Ｒ1は脂肪族不飽和基（アルケニ
ル基）を少なくとも２個有していることが必要である
が、Ｒ1中の脂肪族不飽和基の含有量は０．００１〜２
０モル％、特に０．０２５〜５モル％であることが好ま
しい。また、ｎは１．９８〜２．０２の正数である。上
記式（１）のオルガノポリシロキサンは、基本的には直
鎖状であることが好ましいが、分子構造の異なる１種又
は２種以上の混合物であってもよい。
【０００８】更に、上記オルガノポリシロキサンは、平
均重合度が１００〜２０，０００、特に３，０００〜１
０，０００であることが好ましい。
均重合度が１００〜２０，０００、特に３，０００〜１
０，０００であることが好ましい。
【０００９】次に、第２必須成分［（Ｂ）成分］は、基
材粒子の表面が金属メッキ層で被覆された導電化粒子で
あり、これは基材粒子として無機粒子（無機質充填剤）
又は有機樹脂粒子を使用し、その表面を金属メッキする
ことにより得られる。
材粒子の表面が金属メッキ層で被覆された導電化粒子で
あり、これは基材粒子として無機粒子（無機質充填剤）
又は有機樹脂粒子を使用し、その表面を金属メッキする
ことにより得られる。
【００１０】ここで、無機質充填剤としては、シリカ、
二酸化チタン、アルミナ、マイカ、硫酸バリウム、カー
ボンブラック等が挙げられ、中でもシリカ、アルミナ、
特に球状シリカ、球状アルミナや、カーボンブラックが
好ましい。なお、カーボンブラックとしては、ケッチェ
ンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラッ
ク、チャンネルブラック等が挙げられるが、ケッチェン
ブラック、アセチレンブラックが好ましい。一方、有機
樹脂粒子としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リプロピレン、ポリスチレン等のポリオレフィン、スチ
レン・アクリロニトリル共重合体、ポリメチルメタクリ
レート等のアクリル系樹脂、アミノ樹脂、含フッ素樹
脂、ニトリル系樹脂等が挙げられ、これらの中では特に
球状のポリメチルメタクリレートが好ましい。
二酸化チタン、アルミナ、マイカ、硫酸バリウム、カー
ボンブラック等が挙げられ、中でもシリカ、アルミナ、
特に球状シリカ、球状アルミナや、カーボンブラックが
好ましい。なお、カーボンブラックとしては、ケッチェ
ンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラッ
ク、チャンネルブラック等が挙げられるが、ケッチェン
ブラック、アセチレンブラックが好ましい。一方、有機
樹脂粒子としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リプロピレン、ポリスチレン等のポリオレフィン、スチ
レン・アクリロニトリル共重合体、ポリメチルメタクリ
レート等のアクリル系樹脂、アミノ樹脂、含フッ素樹
脂、ニトリル系樹脂等が挙げられ、これらの中では特に
球状のポリメチルメタクリレートが好ましい。
【００１１】上記基材粒子（無機質充填剤又は有機樹脂
粒子）の平均粒径は適宜選択されるが、０．０１〜１，
０００μｍ、特に０．０１〜１０μｍとすることが好ま
しい。平均粒径が小さすぎると、比表面積が高くなるた
め、メッキ金属量が多くなり、高価になる場合があり、
平均粒径が大きすぎると、シリコーンゴム組成物に対す
る配合性が低下する。
粒子）の平均粒径は適宜選択されるが、０．０１〜１，
０００μｍ、特に０．０１〜１０μｍとすることが好ま
しい。平均粒径が小さすぎると、比表面積が高くなるた
め、メッキ金属量が多くなり、高価になる場合があり、
平均粒径が大きすぎると、シリコーンゴム組成物に対す
る配合性が低下する。
【００１２】上記基材粒子（無機質充填剤又は有機樹脂
粒子）にメッキする金属としては、金、銀、ニッケル、
パラジウム、銅又はこれらの合金などが例示され、これ
ら金属の単層メッキ層であっても、これら金属メッキ層
が２層又はそれ以上積層形成された多層メッキ層であっ
てもよい。これらの中では、ニッケル、金が好ましく、
特に上記基材粒子（無機又は有機樹脂粒子）上にニッケ
ル層を介して金属が形成された構造を有するものが好ま
しい。更に、金属メッキ層と基材粒子との密着性を向上
させるために、基材粒子とニッケルの間にケイ素系化合
物を挿入した基材粒子−ケイ素系化合物−ニッケル−金
の４層構造を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合
物としては、アミノプロピルトリエトキシシラン、アミ
ノプロピルトリメトキシシランのような接着性を有する
シランカップリング剤や還元性を有するケイ素系高分子
が挙げられる。
粒子）にメッキする金属としては、金、銀、ニッケル、
パラジウム、銅又はこれらの合金などが例示され、これ
ら金属の単層メッキ層であっても、これら金属メッキ層
が２層又はそれ以上積層形成された多層メッキ層であっ
てもよい。これらの中では、ニッケル、金が好ましく、
特に上記基材粒子（無機又は有機樹脂粒子）上にニッケ
ル層を介して金属が形成された構造を有するものが好ま
しい。更に、金属メッキ層と基材粒子との密着性を向上
させるために、基材粒子とニッケルの間にケイ素系化合
物を挿入した基材粒子−ケイ素系化合物−ニッケル−金
の４層構造を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合
物としては、アミノプロピルトリエトキシシラン、アミ
ノプロピルトリメトキシシランのような接着性を有する
シランカップリング剤や還元性を有するケイ素系高分子
が挙げられる。
【００１３】上記基材粒子に金属をメッキする方法は特
に限定されず、湿式メッキ法によっても気相メッキ法に
よってもよく、また湿式メッキ法の場合、公知の無電解
又は電気メッキ液組成のものを用いて公知の前処理法、
メッキ法にてメッキを行うことができるが、特に下記工
程（１）〜（４）により製造する方法を採用することが
できる。なお、下記の製造法の説明においては、基材粒
子の代表例としてシリカを用いて金属メッキシリカを製
造する場合について説明するが、シリカ以外の他の無機
質充填剤又は有機樹脂粒子を用いた場合も同様の工程
（１）〜（４）により金属メッキ粒子を製造し得ること
は了解されよう。 （１）シリカ粉体をケイ素系化合物、好ましくは還元性
を有するケイ素系化合物で処理し、シリカの表面に該ケ
イ素系化合物の層を形成する第１工程。 （２）第１工程で得られた粉体を標準酸化還元電位０．
５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理し、
上記シリカ表面のケイ素系化合物層上に該金属コロイド
を析出させる第２工程。 （３）上記金属コロイドを触媒として無電解ニッケルメ
ッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属ニッケル
層を形成する第３工程。 （４）更に金メッキを行い、上記金属ニッケル層上に金
層を形成する第４工程。
に限定されず、湿式メッキ法によっても気相メッキ法に
よってもよく、また湿式メッキ法の場合、公知の無電解
又は電気メッキ液組成のものを用いて公知の前処理法、
メッキ法にてメッキを行うことができるが、特に下記工
程（１）〜（４）により製造する方法を採用することが
できる。なお、下記の製造法の説明においては、基材粒
子の代表例としてシリカを用いて金属メッキシリカを製
造する場合について説明するが、シリカ以外の他の無機
質充填剤又は有機樹脂粒子を用いた場合も同様の工程
（１）〜（４）により金属メッキ粒子を製造し得ること
は了解されよう。 （１）シリカ粉体をケイ素系化合物、好ましくは還元性
を有するケイ素系化合物で処理し、シリカの表面に該ケ
イ素系化合物の層を形成する第１工程。 （２）第１工程で得られた粉体を標準酸化還元電位０．
５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理し、
上記シリカ表面のケイ素系化合物層上に該金属コロイド
を析出させる第２工程。 （３）上記金属コロイドを触媒として無電解ニッケルメ
ッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属ニッケル
層を形成する第３工程。 （４）更に金メッキを行い、上記金属ニッケル層上に金
層を形成する第４工程。
【００１４】金属メッキシリカにおいては、原料シリカ
は、二酸化ケイ素で構成される粉体で、高い耐熱性を持
っている。形状は、粉末状、繊維状、フレーク状等、特
に制限されないが、メッキする金属（ニッケル、金）の
使用量を最少にし、シリコーンゴム等に高充填するため
には、同一粒径では最も比表面積の低くなる球状が望ま
しい。このようなシリカは、クロルシランを燃焼させた
り、アルコキシシランを加水分解したり、ガス化した金
属ケイ素を酸化したり、石英粉末を溶融したりして容易
に得ることができる。比表面積を低くするためには、内
部に表面に繋がる空洞をもたないものが望ましく、溶融
石英が好適に用いられる。
は、二酸化ケイ素で構成される粉体で、高い耐熱性を持
っている。形状は、粉末状、繊維状、フレーク状等、特
に制限されないが、メッキする金属（ニッケル、金）の
使用量を最少にし、シリコーンゴム等に高充填するため
には、同一粒径では最も比表面積の低くなる球状が望ま
しい。このようなシリカは、クロルシランを燃焼させた
り、アルコキシシランを加水分解したり、ガス化した金
属ケイ素を酸化したり、石英粉末を溶融したりして容易
に得ることができる。比表面積を低くするためには、内
部に表面に繋がる空洞をもたないものが望ましく、溶融
石英が好適に用いられる。
【００１５】本発明に係る金属メッキシリカを製造する
場合、上記シリカ粉体を還元性を有するケイ素系化合物
で処理し、シリカ表面に該ケイ素系化合物の層を形成す
ることが好ましい。
場合、上記シリカ粉体を還元性を有するケイ素系化合物
で処理し、シリカ表面に該ケイ素系化合物の層を形成す
ることが好ましい。
【００１６】ここで、還元作用を持つケイ素系化合物と
しては、上記シランカップリング剤のほか、Ｓｉ−Ｓｉ
結合あるいはＳｉ−Ｈ結合を有するポリシラン、ポリカ
ルボシラン、ポリシロキサン、ポリシラザンを使用する
ことができ、中でもポリシランあるいはケイ素原子に直
接結合した水素原子を有するポリシロキサンが好適に用
いられる。
しては、上記シランカップリング剤のほか、Ｓｉ−Ｓｉ
結合あるいはＳｉ−Ｈ結合を有するポリシラン、ポリカ
ルボシラン、ポリシロキサン、ポリシラザンを使用する
ことができ、中でもポリシランあるいはケイ素原子に直
接結合した水素原子を有するポリシロキサンが好適に用
いられる。
【００１７】このうち、ポリシランとしては、主鎖にＳ
ｉ−Ｓｉ結合を持つ下記一般式（２）で表される高分子
化合物が挙げられる。 （Ｒ2 mＲ3 kＸpＳｉ）q …（２）
ｉ−Ｓｉ結合を持つ下記一般式（２）で表される高分子
化合物が挙げられる。 （Ｒ2 mＲ3 kＸpＳｉ）q …（２）
【００１８】上記式（２）中、Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ水素
原子、置換もしくは非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ
2とＲ3とは互いに同一であっても異なっていてもよい
が、上記１価炭化水素基としては、脂肪族、脂環式又は
芳香族１価炭化水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式
１価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、特に１〜６
のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロア
ルキル基などが挙げられる。また、芳香族１価炭化水素
基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好
適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、
ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置換１
価炭化水素基としては、上記に例示した非置換の１価炭
化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、ア
ルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換し
たもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメ
チル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられ
る。
原子、置換もしくは非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ
2とＲ3とは互いに同一であっても異なっていてもよい
が、上記１価炭化水素基としては、脂肪族、脂環式又は
芳香族１価炭化水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式
１価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、特に１〜６
のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロア
ルキル基などが挙げられる。また、芳香族１価炭化水素
基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好
適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、
ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置換１
価炭化水素基としては、上記に例示した非置換の１価炭
化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、ア
ルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換し
たもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメ
チル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられ
る。
【００１９】Ｘは、Ｒ2と同様の基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロ
ポキシ基等の好ましくは炭素数１〜４のもの、ハロゲン
原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げ
られる。Ｘとしては、これらの中でも通常メトキシ基、
エトキシ基が好適に用いられる。
ロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロ
ポキシ基等の好ましくは炭素数１〜４のもの、ハロゲン
原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げ
られる。Ｘとしては、これらの中でも通常メトキシ基、
エトキシ基が好適に用いられる。
【００２０】ｍは０．１≦ｍ≦１、好ましくは０．５≦
ｍ≦１、ｋは０．１≦ｋ≦１、好ましくは０．５≦ｋ≦
１、ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で
あり、かつ１≦ｍ＋ｋ＋ｐ≦２．５、好ましくは１．５
≦ｍ＋ｋ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは２≦ｑ≦１
００，０００、好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範
囲の整数である。
ｍ≦１、ｋは０．１≦ｋ≦１、好ましくは０．５≦ｋ≦
１、ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２で
あり、かつ１≦ｍ＋ｋ＋ｐ≦２．５、好ましくは１．５
≦ｍ＋ｋ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは２≦ｑ≦１
００，０００、好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範
囲の整数である。
【００２１】また、ケイ素原子に直接結合した水素原子
（Ｓｉ−Ｈ基）を有するケイ素系化合物は、ケイ素原子
に直接結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンであれば特に制限されないが、側鎖に
Ｓｉ−Ｈ基、主鎖にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を持つ下記一般
式（３）で表されるポリシロキサンが好適に用いられ
る。 （Ｒ4 aＲ5 bＨcＳｉＯd）e …（３）
（Ｓｉ−Ｈ基）を有するケイ素系化合物は、ケイ素原子
に直接結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンであれば特に制限されないが、側鎖に
Ｓｉ−Ｈ基、主鎖にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を持つ下記一般
式（３）で表されるポリシロキサンが好適に用いられ
る。 （Ｒ4 aＲ5 bＨcＳｉＯd）e …（３）
【００２２】上記式中、Ｒ4，Ｒ5はそれぞれ水素原子、
置換もしくは非置換の１価炭化水素基、アルコキシ基又
はハロゲン原子であり、Ｒ4とＲ5とは互いに同一であっ
ても異なっていてもよいが、上記１価炭化水素基として
は、脂肪族、脂環式又は芳香族１価炭化水素基が用いら
れる。脂肪族又は脂環式１価炭化水素基としては、炭素
数１〜１２、特に１〜６のものが好ましく、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香
族１価炭化水素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜
１０のものが好適であり、例えばフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられ
る。なお、置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の１価炭化
水素基としては、上記に例示した非置換の１価炭化水素
基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキ
シ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したも
の、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。ア
ルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基等の炭素数１〜４のものが好適であ
り、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ
基が好適に用いられる。
置換もしくは非置換の１価炭化水素基、アルコキシ基又
はハロゲン原子であり、Ｒ4とＲ5とは互いに同一であっ
ても異なっていてもよいが、上記１価炭化水素基として
は、脂肪族、脂環式又は芳香族１価炭化水素基が用いら
れる。脂肪族又は脂環式１価炭化水素基としては、炭素
数１〜１２、特に１〜６のものが好ましく、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香
族１価炭化水素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜
１０のものが好適であり、例えばフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられ
る。なお、置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の１価炭化
水素基としては、上記に例示した非置換の１価炭化水素
基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキ
シ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したも
の、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。ア
ルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基等の炭素数１〜４のものが好適であ
り、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ
基が好適に用いられる。
【００２３】ａは０．１≦ａ≦１、好ましくは０．５≦
ａ≦１、ｂは０．１≦ｂ≦１、好ましくは０．５≦ｂ≦
１、ｃは０．０１≦ｃ≦１、好ましくは０．１≦ｃ≦１
であり、かつ１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５、好ましくは１≦
ａ＋ｂ＋ｃ≦２．２を満足する数である。ｄは１≦ｄ≦
１．５である。ｅは２≦ｅ≦１００，０００、好ましく
は１０≦ｅ≦１０，０００の範囲の整数である。
ａ≦１、ｂは０．１≦ｂ≦１、好ましくは０．５≦ｂ≦
１、ｃは０．０１≦ｃ≦１、好ましくは０．１≦ｃ≦１
であり、かつ１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５、好ましくは１≦
ａ＋ｂ＋ｃ≦２．２を満足する数である。ｄは１≦ｄ≦
１．５である。ｅは２≦ｅ≦１００，０００、好ましく
は１０≦ｅ≦１０，０００の範囲の整数である。
【００２４】シリカ表面にケイ素系化合物の層を形成す
る工程（第１工程）は、具体的には、ケイ素系化合物を
有機溶剤に溶解させ、この中にシリカ粉体を投入混合し
た後に有機溶剤を除くことで、シリカの表面にケイ素系
化合物の層を形成することによって行うことができる。
る工程（第１工程）は、具体的には、ケイ素系化合物を
有機溶剤に溶解させ、この中にシリカ粉体を投入混合し
た後に有機溶剤を除くことで、シリカの表面にケイ素系
化合物の層を形成することによって行うことができる。
【００２５】この工程において、ケイ素系化合物を溶解
させる有機溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族系炭化水素溶剤、ヘキサン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤、テトラ
ヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶
剤、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド等の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタ
ン、アセトニトリル等が好適に用いられる。
させる有機溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族系炭化水素溶剤、ヘキサン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤、テトラ
ヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル系溶
剤、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド等の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタ
ン、アセトニトリル等が好適に用いられる。
【００２６】ケイ素系化合物含有溶液の濃度は、０．０
１〜５０％（重量％、以下同様）、好ましくは０．０１
〜３０％、より好ましくは１〜２０％が好適であり、濃
度が０．０１％未満では大量の溶剤を使用することにな
るのでコストが上昇し、５０％を超えるような濃度では
ケイ素系化合物を粉体表面全面に十分形成できない場合
がある。
１〜５０％（重量％、以下同様）、好ましくは０．０１
〜３０％、より好ましくは１〜２０％が好適であり、濃
度が０．０１％未満では大量の溶剤を使用することにな
るのでコストが上昇し、５０％を超えるような濃度では
ケイ素系化合物を粉体表面全面に十分形成できない場合
がある。
【００２７】粉体を有機溶剤に溶解したケイ素系化合物
で処理する方法としては、ケイ素系化合物を溶剤に溶解
させて希釈した状態で粉体と混合し、このスラリーを容
器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる撹拌式、気流
中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥させる噴霧式な
どが好適に採用できる。
で処理する方法としては、ケイ素系化合物を溶剤に溶解
させて希釈した状態で粉体と混合し、このスラリーを容
器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる撹拌式、気流
中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥させる噴霧式な
どが好適に採用できる。
【００２８】上記処理工程では、温度を上げたり減圧に
することにより、有機溶媒を留去するが、通常は溶媒の
沸点以上の温度、具体的には１〜１００ｍｍＨｇという
減圧下で４０〜２００℃程度の温度で撹拌しながら乾燥
することが効果的である。
することにより、有機溶媒を留去するが、通常は溶媒の
沸点以上の温度、具体的には１〜１００ｍｍＨｇという
減圧下で４０〜２００℃程度の温度で撹拌しながら乾燥
することが効果的である。
【００２９】処理後は、しばらく乾燥雰囲気下、あるい
は減圧下で４０〜２００℃程度の温度で静置すること
で、溶剤が効果的に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素
系化合物処理粉体を製造できる。
は減圧下で４０〜２００℃程度の温度で静置すること
で、溶剤が効果的に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素
系化合物処理粉体を製造できる。
【００３０】ケイ素系化合物層の厚さは、好ましくは
０．００１〜１μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。０．００１μｍより薄いと、シリカを完全
に覆うことができなくなるため、メッキが起こらない部
分ができるおそれがある。また、厚すぎると、ケイ素系
化合物の量が多くなって高価となる場合がある。
０．００１〜１μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１
μｍである。０．００１μｍより薄いと、シリカを完全
に覆うことができなくなるため、メッキが起こらない部
分ができるおそれがある。また、厚すぎると、ケイ素系
化合物の量が多くなって高価となる場合がある。
【００３１】なお、上記シリカ粉体は、ケイ素系化合物
処理により疎水性となる。このため、金属塩を溶解させ
る溶媒との親和性が低下し、液中に分散しないため、金
属塩還元反応の効率が低下することがある。このことに
よって起こる金属塩還元反応の効率の低下は、界面活性
剤を添加して向上させることができる。界面活性剤とし
ては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるものが望ま
しく、サーフィノール１０４，４２０，５０４（日信化
学工業（株）製）等の非イオン界面活性剤を好適に用い
ることができる。
処理により疎水性となる。このため、金属塩を溶解させ
る溶媒との親和性が低下し、液中に分散しないため、金
属塩還元反応の効率が低下することがある。このことに
よって起こる金属塩還元反応の効率の低下は、界面活性
剤を添加して向上させることができる。界面活性剤とし
ては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるものが望ま
しく、サーフィノール１０４，４２０，５０４（日信化
学工業（株）製）等の非イオン界面活性剤を好適に用い
ることができる。
【００３２】次に、第２工程は、上記第１工程で得られ
たシリカ表面にケイ素系化合物層が形成された粉体を標
準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を
含む溶液で処理し、ケイ素系化合物層上に該金属コロイ
ドを析出させる工程である。これは、ケイ素系化合物処
理粉体の表面を金属塩を含む溶液と接触させるもので、
この処理では、ケイ素系化合物の還元作用により、金属
コロイドがケイ素系化合物の被膜表面に形成され、金属
被膜が形成されるものである。
たシリカ表面にケイ素系化合物層が形成された粉体を標
準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属からなる金属塩を
含む溶液で処理し、ケイ素系化合物層上に該金属コロイ
ドを析出させる工程である。これは、ケイ素系化合物処
理粉体の表面を金属塩を含む溶液と接触させるもので、
この処理では、ケイ素系化合物の還元作用により、金属
コロイドがケイ素系化合物の被膜表面に形成され、金属
被膜が形成されるものである。
【００３３】ここで、標準酸化還元電位０．５４Ｖ以上
の金属の塩として、より具体的には、金（標準酸化還元
電位１．５０Ｖ）、パラジウム（標準酸化還元電位０．
９９Ｖ）、銀（標準酸化還元電位０．８０Ｖ）等の塩が
好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が０．５４
Ｖより低い銅（標準酸化還元電位０．３４Ｖ）、ニッケ
ル（標準酸化還元電位０．２５Ｖ）等の塩では、ケイ素
系化合物で還元し難い。
の金属の塩として、より具体的には、金（標準酸化還元
電位１．５０Ｖ）、パラジウム（標準酸化還元電位０．
９９Ｖ）、銀（標準酸化還元電位０．８０Ｖ）等の塩が
好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が０．５４
Ｖより低い銅（標準酸化還元電位０．３４Ｖ）、ニッケ
ル（標準酸化還元電位０．２５Ｖ）等の塩では、ケイ素
系化合物で還元し難い。
【００３４】金塩としては、Ａｕ+又はＡｕ3+を含んで
なるもので、具体的には、ＮａＡｕＣｌ4、ＮａＡｕ
（ＣＮ）2、ＮａＡｕ（ＣＮ）4等が例示される。パラジ
ウム塩としては、Ｐｄ2+を含んでなるもので、通常Ｐｄ
−Ｚ2の形で表すことができる。Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、
アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレー
ト、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩で
ある。具体的には、ＰｄＣｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ 2、
Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳ
Ｏ4、Ｐｄ（ＮＯ3）2、ＰｄＯ等が例示される。銀塩と
しては、溶剤に溶解し、Ａｇ+を生成させ得るもので、
通常Ａｇ−Ｚ（Ｚはパークロレート、ボレート、ホスフ
ェート、スルフォネート等の塩とすることができる）の
形で表すことができる。具体的には、ＡｇＢＦ4、Ａｇ
ＣｌＯ4、ＡｇＰＦ6、ＡｇＢＰｈ4、Ａｇ（ＣＦ3Ｓ
Ｏ3）、ＡｇＮＯ3等が例示される。
なるもので、具体的には、ＮａＡｕＣｌ4、ＮａＡｕ
（ＣＮ）2、ＮａＡｕ（ＣＮ）4等が例示される。パラジ
ウム塩としては、Ｐｄ2+を含んでなるもので、通常Ｐｄ
−Ｚ2の形で表すことができる。Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、
アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレー
ト、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩で
ある。具体的には、ＰｄＣｌ2、ＰｄＢｒ2、ＰｄＩ 2、
Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ3）2、ＰｄＳ
Ｏ4、Ｐｄ（ＮＯ3）2、ＰｄＯ等が例示される。銀塩と
しては、溶剤に溶解し、Ａｇ+を生成させ得るもので、
通常Ａｇ−Ｚ（Ｚはパークロレート、ボレート、ホスフ
ェート、スルフォネート等の塩とすることができる）の
形で表すことができる。具体的には、ＡｇＢＦ4、Ａｇ
ＣｌＯ4、ＡｇＰＦ6、ＡｇＢＰｈ4、Ａｇ（ＣＦ3Ｓ
Ｏ3）、ＡｇＮＯ3等が例示される。
【００３５】ここで、ケイ素系化合物を溶解させる溶媒
としては、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケ
トン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒
などが挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
としては、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケ
トン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒
などが挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
【００３６】金属塩の濃度は、塩を溶解させる溶媒によ
って異なるが、０．０１％〜塩の飽和溶液までが好まし
い。濃度が０．０１％未満では、メッキ触媒の効果が十
分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析
出がある場合がある。なお、溶媒が水の場合は、金属塩
の濃度が０．０１〜２０％、特に０．１〜５％の範囲で
あることが好ましい。上記ケイ素系化合物処理粉体を室
温〜７０℃の温度で０．１〜１２０分、より好ましくは
１〜１５分程度、金属塩溶液に浸漬すればよい。これに
より、金属コロイド処理粉体が製造できる。
って異なるが、０．０１％〜塩の飽和溶液までが好まし
い。濃度が０．０１％未満では、メッキ触媒の効果が十
分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析
出がある場合がある。なお、溶媒が水の場合は、金属塩
の濃度が０．０１〜２０％、特に０．１〜５％の範囲で
あることが好ましい。上記ケイ素系化合物処理粉体を室
温〜７０℃の温度で０．１〜１２０分、より好ましくは
１〜１５分程度、金属塩溶液に浸漬すればよい。これに
より、金属コロイド処理粉体が製造できる。
【００３７】なお、この第２工程は、まずケイ素系化合
物処理粉体を、水で希釈した界面活性剤と接触させ、次
いで上記金属塩を含む溶液と接触させることが好まし
く、これによりシリカ表面が第１工程のケイ素系化合物
処理により疎水性となることで、金属塩を溶解させる溶
媒との親和性が低下し、液中に分散し難くなって金属塩
還元反応の効率が低下するのを防止することができ、ケ
イ素系化合物処理粉体を金属塩を含む溶液に短時間で簡
単に分散させることができる。
物処理粉体を、水で希釈した界面活性剤と接触させ、次
いで上記金属塩を含む溶液と接触させることが好まし
く、これによりシリカ表面が第１工程のケイ素系化合物
処理により疎水性となることで、金属塩を溶解させる溶
媒との親和性が低下し、液中に分散し難くなって金属塩
還元反応の効率が低下するのを防止することができ、ケ
イ素系化合物処理粉体を金属塩を含む溶液に短時間で簡
単に分散させることができる。
【００３８】ここで、界面活性剤としては、陰イオン界
面活性剤、陽イオン界面活性剤、両イオン界面活性剤、
非イオン界面活性剤を用いることができる。
面活性剤、陽イオン界面活性剤、両イオン界面活性剤、
非イオン界面活性剤を用いることができる。
【００３９】陰イオン界面活性剤としては、スルホン酸
塩系、硫酸エステル塩系、カルボン酸塩系、リン酸エス
テル塩系を用いることができる。また、陽イオン界面活
性剤としては、アンモニウム塩系、アルキルアミン塩
系、ピリジニウム塩系を用いることができる。両イオン
界面活性剤としては、ベタイン系、アミノカルボン酸
系、アミンオキシド系、非イオン界面活性剤としては、
エーテル系、エステル系、シリコーン系を用いることが
できる。
塩系、硫酸エステル塩系、カルボン酸塩系、リン酸エス
テル塩系を用いることができる。また、陽イオン界面活
性剤としては、アンモニウム塩系、アルキルアミン塩
系、ピリジニウム塩系を用いることができる。両イオン
界面活性剤としては、ベタイン系、アミノカルボン酸
系、アミンオキシド系、非イオン界面活性剤としては、
エーテル系、エステル系、シリコーン系を用いることが
できる。
【００４０】より具体的に陰イオン界面活性剤として
は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、スルフォコハク酸
エステル、ポリオキシエチレン硫酸アルキル塩、アルキ
ルリン酸エステル、長鎖脂肪酸セッケン等を用いること
ができる。また、陽イオン界面活性剤としては、塩化ア
ルキルトリメチルアンモニウム塩、塩化ジアルキルジメ
チルアンモニウム塩、塩化アルキルピリジニウム塩等を
用いることができる。両イオン界面活性剤としては、ベ
タイン系スルホン酸塩、ベタイン系アミノカルボン酸ア
ミン塩を用いることができる。非イオン界面活性剤とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性
ポリシロキサン等を用いることができる。また、市販さ
れているこのような界面活性剤を混合した水溶液、例え
ば商品名ママレモン（ライオン（株）製）などを利用す
ることもできる。
は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、スルフォコハク酸
エステル、ポリオキシエチレン硫酸アルキル塩、アルキ
ルリン酸エステル、長鎖脂肪酸セッケン等を用いること
ができる。また、陽イオン界面活性剤としては、塩化ア
ルキルトリメチルアンモニウム塩、塩化ジアルキルジメ
チルアンモニウム塩、塩化アルキルピリジニウム塩等を
用いることができる。両イオン界面活性剤としては、ベ
タイン系スルホン酸塩、ベタイン系アミノカルボン酸ア
ミン塩を用いることができる。非イオン界面活性剤とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性
ポリシロキサン等を用いることができる。また、市販さ
れているこのような界面活性剤を混合した水溶液、例え
ば商品名ママレモン（ライオン（株）製）などを利用す
ることもできる。
【００４１】なお、必要によっては、上記したような界
面活性剤を金属塩溶液１００部に対して０．０００１〜
１０部、特に０．００１〜１部、とりわけ０．０１〜
０．５部の範囲で使用することができる。
面活性剤を金属塩溶液１００部に対して０．０００１〜
１０部、特に０．００１〜１部、とりわけ０．０１〜
０．５部の範囲で使用することができる。
【００４２】また、上記金属塩処理後は、金属塩を含ま
ない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかっ
た不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒
を乾燥除去することができる。乾燥は、通常０〜１５０
℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
ない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかっ
た不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒
を乾燥除去することができる。乾燥は、通常０〜１５０
℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
【００４３】第３工程は、表面に上記金属コロイドが付
着された粉体にこの金属コロイドを触媒として無電解ニ
ッケルメッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属
ニッケル層を形成する工程である。
着された粉体にこの金属コロイドを触媒として無電解ニ
ッケルメッキを行い、上記ケイ素系化合物層表面に金属
ニッケル層を形成する工程である。
【００４４】この無電解ニッケルメッキ液は、通常、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル金属塩、
次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナト
リウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミ
ンや酒石酸ナトリウムカリウムのような錯化剤などを含
み、市販品を用いることができる。
酸ニッケル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル金属塩、
次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナト
リウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミ
ンや酒石酸ナトリウムカリウムのような錯化剤などを含
み、市販品を用いることができる。
【００４５】無電解ニッケルメッキ法としては、常法に
従い、無電解メッキ液中に粉体を投入してメッキを行う
バッチ法か、水に分散させた粉体にメッキ液を滴下する
滴下法を採用し得る（工業技術２８（８）４２，１９８
７）。いずれの方法でも、メッキ速度をコントロールす
ることで、凝集を防ぎ密着性のよい均一な被膜を得よう
とすることに変わりはないが、しかし、こうしたニッケ
ル被覆シリカを得ることが困難な場合がある。これは、
比表面積の高い粉体は、本来、メッキ反応が非常に活発
になり、急激に始まりコントロールできなくなる一方、
メッキの開始が雰囲気の酸素の影響を受けてしばしば遅
れるためニッケルメッキに時間がかかり、均一にメッキ
された粉体が得にくいからである。
従い、無電解メッキ液中に粉体を投入してメッキを行う
バッチ法か、水に分散させた粉体にメッキ液を滴下する
滴下法を採用し得る（工業技術２８（８）４２，１９８
７）。いずれの方法でも、メッキ速度をコントロールす
ることで、凝集を防ぎ密着性のよい均一な被膜を得よう
とすることに変わりはないが、しかし、こうしたニッケ
ル被覆シリカを得ることが困難な場合がある。これは、
比表面積の高い粉体は、本来、メッキ反応が非常に活発
になり、急激に始まりコントロールできなくなる一方、
メッキの開始が雰囲気の酸素の影響を受けてしばしば遅
れるためニッケルメッキに時間がかかり、均一にメッキ
された粉体が得にくいからである。
【００４６】このため、シリカのニッケルメッキを以下
の方法で行うことが好ましい。即ち、ニッケルメッキ液
を還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液と
ニッケル塩水溶液に分離する。シリカは、還元剤、ｐＨ
調整剤、錯化剤などを含有した水溶液に分散し、ニッケ
ルメッキの最適な温度に保温しておく。これにニッケル
塩水溶液を気体と同伴させて、シリカの分散した還元剤
含有水溶液に加えることが、凝集のないニッケル被覆シ
リカを得るために非常に効果的であることを見出したも
のである。ニッケル塩水溶液は、気体により還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液中で速やかに均
一に分散され、粉体表面はニッケルメッキ化される。
の方法で行うことが好ましい。即ち、ニッケルメッキ液
を還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液と
ニッケル塩水溶液に分離する。シリカは、還元剤、ｐＨ
調整剤、錯化剤などを含有した水溶液に分散し、ニッケ
ルメッキの最適な温度に保温しておく。これにニッケル
塩水溶液を気体と同伴させて、シリカの分散した還元剤
含有水溶液に加えることが、凝集のないニッケル被覆シ
リカを得るために非常に効果的であることを見出したも
のである。ニッケル塩水溶液は、気体により還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、錯化剤などを含有した水溶液中で速やかに均
一に分散され、粉体表面はニッケルメッキ化される。
【００４７】気体の導入は、しばしば発泡によるメッキ
の効率の低下をもたらすが、これは、消泡性界面活性剤
を添加して防止することができる。界面活性剤として
は、消泡作用をもち、表面張力を下げるものが望まし
く、ＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製）等のポリエ
ーテル変性シリコーン系界面活性剤を好適に用いること
ができる。
の効率の低下をもたらすが、これは、消泡性界面活性剤
を添加して防止することができる。界面活性剤として
は、消泡作用をもち、表面張力を下げるものが望まし
く、ＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製）等のポリエ
ーテル変性シリコーン系界面活性剤を好適に用いること
ができる。
【００４８】無電解ニッケルメッキにおいては、メッキ
液中の酸素濃度がニッケルの析出に影響を及ぼす。溶存
酸素の量が多いと、メッキ触媒の核となるコロイド状パ
ラジウムがパラジウムカチオンに酸化され、液中に溶出
したり、一度析出したニッケル表面が酸化されたりし
て、ニッケルの析出が抑制される。逆に、溶存酸素の量
が少ないと、メッキ液の安定性が低下し、シリカ以外の
場所にもニッケルの析出が起こりやすくなり、微細なニ
ッケル粉の生成やこぶ状の析出物の生成が起こる。この
ため、メッキ液中の溶存酸素の量を１〜２０ｐｐｍの間
に管理することが好ましい。２０ｐｐｍを超えると、メ
ッキ速度の低下と未メッキ部の発生が認められるおそれ
があり、１ｐｐｍより少ないと、こぶ状析出物の発生が
認められる場合がある。
液中の酸素濃度がニッケルの析出に影響を及ぼす。溶存
酸素の量が多いと、メッキ触媒の核となるコロイド状パ
ラジウムがパラジウムカチオンに酸化され、液中に溶出
したり、一度析出したニッケル表面が酸化されたりし
て、ニッケルの析出が抑制される。逆に、溶存酸素の量
が少ないと、メッキ液の安定性が低下し、シリカ以外の
場所にもニッケルの析出が起こりやすくなり、微細なニ
ッケル粉の生成やこぶ状の析出物の生成が起こる。この
ため、メッキ液中の溶存酸素の量を１〜２０ｐｐｍの間
に管理することが好ましい。２０ｐｐｍを超えると、メ
ッキ速度の低下と未メッキ部の発生が認められるおそれ
があり、１ｐｐｍより少ないと、こぶ状析出物の発生が
認められる場合がある。
【００４９】このために、気体は、空気のような含酸素
気体とアルゴンや窒素のような不活性気体を混合して用
いるのがよい。粉体のメッキにおいては、しばしばメッ
キの開始が遅いが、一度メッキが開始されれば反応が暴
走するという現象を起こすことがあるので、これを防止
するために、例えば窒素を最初に用い、ニッケルメッキ
反応が開始するのを確認後、空気に切り替えるというこ
とを行うことも効果的である。メッキ温度は３５〜１２
０℃、接触時間は１分〜１６時間が好適に用いられる。
より望ましくは４０〜８５℃で１０〜６０分で処理され
る。
気体とアルゴンや窒素のような不活性気体を混合して用
いるのがよい。粉体のメッキにおいては、しばしばメッ
キの開始が遅いが、一度メッキが開始されれば反応が暴
走するという現象を起こすことがあるので、これを防止
するために、例えば窒素を最初に用い、ニッケルメッキ
反応が開始するのを確認後、空気に切り替えるというこ
とを行うことも効果的である。メッキ温度は３５〜１２
０℃、接触時間は１分〜１６時間が好適に用いられる。
より望ましくは４０〜８５℃で１０〜６０分で処理され
る。
【００５０】第４工程は、上記無電解ニッケルメッキ
後、金メッキを行って、上記ニッケル層上に金メッキ層
を形成する工程である。
後、金メッキを行って、上記ニッケル層上に金メッキ層
を形成する工程である。
【００５１】この場合、金メッキ液としては、電気メッ
キ液でも無電解メッキ液でもよく、公知の組成のものあ
るいは市販品を用いることができるが、無電解金メッキ
液が好ましい。金メッキ方法としては、上述した常法に
従って行うことができる。このとき、ニッケルの酸化さ
れて不動態化した表面を希酸で除き、金メッキを行うこ
とは効果的である。メッキ温度、接触時間は、ニッケル
メッキの場合と同じである。また、メッキの最後に、不
要な界面活性剤を除くため、水洗を行うとよい。
キ液でも無電解メッキ液でもよく、公知の組成のものあ
るいは市販品を用いることができるが、無電解金メッキ
液が好ましい。金メッキ方法としては、上述した常法に
従って行うことができる。このとき、ニッケルの酸化さ
れて不動態化した表面を希酸で除き、金メッキを行うこ
とは効果的である。メッキ温度、接触時間は、ニッケル
メッキの場合と同じである。また、メッキの最後に、不
要な界面活性剤を除くため、水洗を行うとよい。
【００５２】こうして得られたシリカは、シリカ−ケイ
素系化合物−ニッケル−金という４層構造を持つ金属メ
ッキシリカとなる。
素系化合物−ニッケル−金という４層構造を持つ金属メ
ッキシリカとなる。
【００５３】ニッケル層の厚さは、好ましくは０．０１
〜１０μｍ、特に好ましくは０．１〜２μｍである。
０．０１μｍより薄いと、シリカを完全に覆い、かつ十
分な硬度や強度が得られにくくなる場合がある。また、
１０μｍより厚いと、ニッケルの量が多くなり、かつ比
重が高くなるため、配合時に高価となる。
〜１０μｍ、特に好ましくは０．１〜２μｍである。
０．０１μｍより薄いと、シリカを完全に覆い、かつ十
分な硬度や強度が得られにくくなる場合がある。また、
１０μｍより厚いと、ニッケルの量が多くなり、かつ比
重が高くなるため、配合時に高価となる。
【００５４】金層の厚さは、好ましくは０．００１〜１
μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍである。
０．００１μｍ未満では、抵抗率が高くなるため、配合
時に十分な導電性が得られにくくなるおそれがあり、ま
た、１μｍを超えると、金の量が多くなって高価とな
る。
μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．１μｍである。
０．００１μｍ未満では、抵抗率が高くなるため、配合
時に十分な導電性が得られにくくなるおそれがあり、ま
た、１μｍを超えると、金の量が多くなって高価とな
る。
【００５５】最後に、この金属メッキシリカを還元性気
体存在下に２００℃以上の温度で熱処理することが望ま
しい。処理条件は、通常２００〜９００℃、処理時間は
１分〜２４時間が好適に用いられる。より望ましくは２
５０〜５００℃で処理時間は３０分〜４時間行うのがよ
い。これにより、粉体と金属間にあるケイ素系化合物は
セラミックに変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性
を持つことになる。このときの雰囲気を水素のような還
元系で行うことにより、金属中の酸化物を減少させ、ケ
イ素系化合物を安定な構造に変えることで、シリカと金
属が強固に結合し、高い導電性を示す粉体を得ることが
できる。
体存在下に２００℃以上の温度で熱処理することが望ま
しい。処理条件は、通常２００〜９００℃、処理時間は
１分〜２４時間が好適に用いられる。より望ましくは２
５０〜５００℃で処理時間は３０分〜４時間行うのがよ
い。これにより、粉体と金属間にあるケイ素系化合物は
セラミックに変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性
を持つことになる。このときの雰囲気を水素のような還
元系で行うことにより、金属中の酸化物を減少させ、ケ
イ素系化合物を安定な構造に変えることで、シリカと金
属が強固に結合し、高い導電性を示す粉体を得ることが
できる。
【００５６】なお、このように水素還元系雰囲気で熱処
理すると、ケイ素系化合物は主として炭化ケイ素のセラ
ミックとなる。
理すると、ケイ素系化合物は主として炭化ケイ素のセラ
ミックとなる。
【００５７】即ち、上記高温処理により、粉体と金属間
にあるケイ素系化合物が部分的又は全部がセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことに
なる。
にあるケイ素系化合物が部分的又は全部がセラミックに
変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことに
なる。
【００５８】（Ｂ）成分の導電化粒子の抵抗値は１００
ｍΩ・ｃｍ（１００×１０-3Ω・ｃｍ）以下、より好ま
しくは１０ｍΩ・ｃｍ以下、更に好ましくは５ｍΩ・ｃ
ｍ以下であることが望ましい。
ｍΩ・ｃｍ（１００×１０-3Ω・ｃｍ）以下、より好ま
しくは１０ｍΩ・ｃｍ以下、更に好ましくは５ｍΩ・ｃ
ｍ以下であることが望ましい。
【００５９】本発明の（Ｂ）成分の組成物全体に占める
体積分率は２５〜７５％（体積％）の範囲が好ましく、
特に３０〜６０％が好ましい。体積分率が２５％未満で
は導電性が不十分となることがあり、７５％を超えると
加工性が悪くなることがある。
体積分率は２５〜７５％（体積％）の範囲が好ましく、
特に３０〜６０％が好ましい。体積分率が２５％未満で
は導電性が不十分となることがあり、７５％を超えると
加工性が悪くなることがある。
【００６０】なお、以上のようにして得られる導電化粒
子の比表面積は１ｍ2／ｇ以下が好ましい。比表面積が
１ｍ2／ｇを超えると、シリコーンゴム組成物に添加す
る際の分散性が低下するおそれがある。
子の比表面積は１ｍ2／ｇ以下が好ましい。比表面積が
１ｍ2／ｇを超えると、シリコーンゴム組成物に添加す
る際の分散性が低下するおそれがある。
【００６１】本発明の導電化粒子の配合量は、上記オル
ガノポリシロキサン１００部に対し９０〜８００部であ
り、特に１００〜５００部が好ましい。配合量が少ない
と十分な導電性を付与し得ないことがあり、多すぎると
加工性に問題が生じる場合がある。
ガノポリシロキサン１００部に対し９０〜８００部であ
り、特に１００〜５００部が好ましい。配合量が少ない
と十分な導電性を付与し得ないことがあり、多すぎると
加工性に問題が生じる場合がある。
【００６２】本発明において、第３必須成分の硬化剤と
しては、既知のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
／白金系触媒（付加反応用硬化剤）又は有機過酸化物触
媒を使用し得る。
しては、既知のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
／白金系触媒（付加反応用硬化剤）又は有機過酸化物触
媒を使用し得る。
【００６３】白金系触媒としては公知のものが使用で
き、具体的には白金元素単体、白金化合物、白金複合
体、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アル
デヒド化合物、エーテル化合物、各種オレフィン類との
コンプレックスなどが例示される。白金系触媒の添加量
は、第１成分のオルガノポリシロキサンに対し白金原子
として１〜２，０００ｐｐｍの範囲とすることが望まし
い。
き、具体的には白金元素単体、白金化合物、白金複合
体、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アル
デヒド化合物、エーテル化合物、各種オレフィン類との
コンプレックスなどが例示される。白金系触媒の添加量
は、第１成分のオルガノポリシロキサンに対し白金原子
として１〜２，０００ｐｐｍの範囲とすることが望まし
い。
【００６４】一方、オルガノハイドロジェンポリシロキ
サンは、ケイ素原子に直結した水素原子を少なくとも２
個以上有するものであれば特に制限されず、直鎖状、分
岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、Ｒ6 fＨgＳｉ
Ｏ(4-f-g)/2（Ｒ6はＲ1と同様の非置換又は置換１価炭
化水素基で、好ましくは脂肪族不飽和結合を有さないも
のである。ｆ，ｇは、０≦ｆ＜３、０＜ｇ＜３、０＜ｆ
＋ｇ＜３の数である。）で表されるものが好ましく、特
に重合度が３００以下のものが好ましい。具体的には、
ジメチルハイドロジェンシリル基で末端が封鎖されたジ
オルガノポリシロキサン、ジメチルシロキサン単位とメ
チルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチル
シロキシ単位との共重合体、ジメチルハイドロジェンシ
ロキサン単位（Ｈ（ＣＨ3）2ＳｉＯ0.5単位）とＳｉＯ2
単位とからなる低粘度流体、１，３，５，７−テトラハ
イドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテ
トラシロキサン、１−プロピル−３，５，７−トリハイ
ドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテト
ラシロキサン、１，５−ジハイドロジェン−３，７−ジ
ヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラ
シロキサンなどが例示される。
サンは、ケイ素原子に直結した水素原子を少なくとも２
個以上有するものであれば特に制限されず、直鎖状、分
岐鎖状、環状のいずれであってもよいが、Ｒ6 fＨgＳｉ
Ｏ(4-f-g)/2（Ｒ6はＲ1と同様の非置換又は置換１価炭
化水素基で、好ましくは脂肪族不飽和結合を有さないも
のである。ｆ，ｇは、０≦ｆ＜３、０＜ｇ＜３、０＜ｆ
＋ｇ＜３の数である。）で表されるものが好ましく、特
に重合度が３００以下のものが好ましい。具体的には、
ジメチルハイドロジェンシリル基で末端が封鎖されたジ
オルガノポリシロキサン、ジメチルシロキサン単位とメ
チルハイドロジェンシロキサン単位及び末端トリメチル
シロキシ単位との共重合体、ジメチルハイドロジェンシ
ロキサン単位（Ｈ（ＣＨ3）2ＳｉＯ0.5単位）とＳｉＯ2
単位とからなる低粘度流体、１，３，５，７−テトラハ
イドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテ
トラシロキサン、１−プロピル−３，５，７−トリハイ
ドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテト
ラシロキサン、１，５−ジハイドロジェン−３，７−ジ
ヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラ
シロキサンなどが例示される。
【００６５】この硬化剤としてのオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンの添加量は、第１成分のオルガノポリ
シロキサンの脂肪族不飽和基（アルケニル基）に対し
て、ケイ素原子に直結した水素原子が５０〜５００モル
％となる割合で用いることが望ましい。
ンポリシロキサンの添加量は、第１成分のオルガノポリ
シロキサンの脂肪族不飽和基（アルケニル基）に対し
て、ケイ素原子に直結した水素原子が５０〜５００モル
％となる割合で用いることが望ましい。
【００６６】また、有機過酸化物触媒としては、例えば
ベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイ
ルパーオキサイド、ｐ−メチルベンゾイルパーオキサイ
ド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジ
クミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−ビス（２，
５−ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエートなどが挙
げられる。有機過酸化物触媒の添加量は、第１成分のオ
ルガノポリシロキサン１００部に対して０．１〜５部と
すればよい。
ベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイ
ルパーオキサイド、ｐ−メチルベンゾイルパーオキサイ
ド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジ
クミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−ビス（２，
５−ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチル
パーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエートなどが挙
げられる。有機過酸化物触媒の添加量は、第１成分のオ
ルガノポリシロキサン１００部に対して０．１〜５部と
すればよい。
【００６７】本発明に係るシリコーンゴム組成物には、
上記必須成分に加え、任意成分として本発明の効果を妨
げない範囲で、必要に応じ、補強性シリカ粉末を添加し
てもよい。補強性シリカ粉末は、機械的強度の優れたシ
リコーンゴムを得るために添加されるものであるが、こ
の目的のためには、比表面積が５０ｍ2／ｇ以上、好ま
しくは１００〜３００ｍ2／ｇである。比表面積が５０
ｍ2／ｇに満たないと硬化物の機械的強度が十分でない
ことがある。このような補強性シリカとしては、例えば
煙霧質シリカ、沈降シリカ等が挙げられ、またこれらの
表面をクロロシランやヘキサメチルジシラザンなどの有
機ケイ素化合物で疎水化したものも好適に用いられる。
上記必須成分に加え、任意成分として本発明の効果を妨
げない範囲で、必要に応じ、補強性シリカ粉末を添加し
てもよい。補強性シリカ粉末は、機械的強度の優れたシ
リコーンゴムを得るために添加されるものであるが、こ
の目的のためには、比表面積が５０ｍ2／ｇ以上、好ま
しくは１００〜３００ｍ2／ｇである。比表面積が５０
ｍ2／ｇに満たないと硬化物の機械的強度が十分でない
ことがある。このような補強性シリカとしては、例えば
煙霧質シリカ、沈降シリカ等が挙げられ、またこれらの
表面をクロロシランやヘキサメチルジシラザンなどの有
機ケイ素化合物で疎水化したものも好適に用いられる。
【００６８】補強性シリカ粉末の添加量は、第１成分の
オルガノポリシロキサン１００部に対して３〜７０部、
特に１０〜５０部とすることが好ましく、３部未満では
添加量が少なすぎて補強効果が得られない場合があり、
７０部を超えると加工性が悪くなり、また機械的強度が
低下してしまうおそれが生じる。
オルガノポリシロキサン１００部に対して３〜７０部、
特に１０〜５０部とすることが好ましく、３部未満では
添加量が少なすぎて補強効果が得られない場合があり、
７０部を超えると加工性が悪くなり、また機械的強度が
低下してしまうおそれが生じる。
【００６９】また、本発明に係る導電化粒子と併用し
て、従来から知られている導電性カーボンブラック、導
電性亜鉛華、導電性酸化チタン等の他の導電性無機酸化
物などの導電材や増量剤としてシリコーンゴムパウダ
ー、ベンガラ、粉砕石英、炭酸カルシウムなどの充填剤
を添加してもよい。
て、従来から知られている導電性カーボンブラック、導
電性亜鉛華、導電性酸化チタン等の他の導電性無機酸化
物などの導電材や増量剤としてシリコーンゴムパウダ
ー、ベンガラ、粉砕石英、炭酸カルシウムなどの充填剤
を添加してもよい。
【００７０】更には、スポンジを成形するための無機、
有機の発泡剤を添加してもよい。この発泡剤としては、
アゾビスイソブチロニトリル、ジニトロペンタメチレン
テトラミン、ベンゼンスルフォンヒドラジド、アゾジカ
ルボンアミドなどが例示され、その添加量は（Ａ）成分
のオルガノポリシロキサン１００部に対し１〜１０部の
範囲が好適である。このように、本発明の組成物に発泡
剤を添加すると、スポンジ状の導電性シリコーンゴムを
得ることができる。
有機の発泡剤を添加してもよい。この発泡剤としては、
アゾビスイソブチロニトリル、ジニトロペンタメチレン
テトラミン、ベンゼンスルフォンヒドラジド、アゾジカ
ルボンアミドなどが例示され、その添加量は（Ａ）成分
のオルガノポリシロキサン１００部に対し１〜１０部の
範囲が好適である。このように、本発明の組成物に発泡
剤を添加すると、スポンジ状の導電性シリコーンゴムを
得ることができる。
【００７１】また、本発明組成物には、必要に応じて着
色剤、耐熱性向上剤などの各種添加剤や反応制御剤、離
型剤あるいは充填剤用分散剤などを添加することは任意
とされるが、この充填剤用分散剤として使用されるジフ
ェニルシランジオール、各種アルコキシシラン、カーボ
ンファンクショナルシラン、シラノール基含有低分子量
シロキサンなどは本発明の効果を損なわないように最小
限の添加量に止めることが好ましい。
色剤、耐熱性向上剤などの各種添加剤や反応制御剤、離
型剤あるいは充填剤用分散剤などを添加することは任意
とされるが、この充填剤用分散剤として使用されるジフ
ェニルシランジオール、各種アルコキシシラン、カーボ
ンファンクショナルシラン、シラノール基含有低分子量
シロキサンなどは本発明の効果を損なわないように最小
限の添加量に止めることが好ましい。
【００７２】更に、本発明のシリコーンゴム組成物を難
燃性、耐火性にするために、白金含有材料、白金化合物
と二酸化チタン、白金と炭酸マンガン、白金とγ−Ｆｅ
2Ｏ3、フェライト、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレー
クなどの公知の添加剤を添加してもよい。
燃性、耐火性にするために、白金含有材料、白金化合物
と二酸化チタン、白金と炭酸マンガン、白金とγ−Ｆｅ
2Ｏ3、フェライト、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレー
クなどの公知の添加剤を添加してもよい。
【００７３】本発明に係るシリコーンゴム組成物は、上
記した成分を２本ロール、バンバリーミキサー、ドウミ
キサー（ニーダー）などのゴム混練り機を用いて均一に
混合して、必要に応じ加熱処理を施すことにより得るこ
とができる。
記した成分を２本ロール、バンバリーミキサー、ドウミ
キサー（ニーダー）などのゴム混練り機を用いて均一に
混合して、必要に応じ加熱処理を施すことにより得るこ
とができる。
【００７４】このようにして得られたシリコーンゴム組
成物は、金型加圧成形、押出成形、カレンダー成形など
の種々の成形法によって必要とされる用途に成形するこ
とができる。なお、硬化は硬化方法、成形物の肉厚によ
り適宜選択することができるが、通常８０〜４００℃で
１０秒〜３０日の条件にて行うことができる。
成物は、金型加圧成形、押出成形、カレンダー成形など
の種々の成形法によって必要とされる用途に成形するこ
とができる。なお、硬化は硬化方法、成形物の肉厚によ
り適宜選択することができるが、通常８０〜４００℃で
１０秒〜３０日の条件にて行うことができる。
【００７５】得られたシリコーンゴム組成物の硬化物の
体積抵抗率は１Ω・ｃｍ以下、特には１×１０-1Ω・ｃ
ｍ以下とすることができ、電磁波シールド材等として使
用することができる。
体積抵抗率は１Ω・ｃｍ以下、特には１×１０-1Ω・ｃ
ｍ以下とすることができ、電磁波シールド材等として使
用することができる。
【００７６】
【実施例】以下、合成例及び実施例、比較例を示して本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。なお、以下の例において部はい
ずれも重量部を示す。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。なお、以下の例において部はい
ずれも重量部を示す。
【００７７】〔合成例１〕 金属メッキシリカの合成シリカのケイ素系高分子処理 シリカとして、球状シリカＵＳ−１０（三菱レーヨン
（株）製；平均粒径１０μｍ）を用いた。ＰＰＨＳ（フ
ェニルハイドロジェンポリシラン）５ｇをトルエン６５
ｇに溶解させ、この溶液をＵＳ−１０ １００ｇに加
え、１時間撹拌し、スラリーにした。ロータリーエバポ
レーターにて、８０℃の温度，４５ｍｍＨｇの圧力でト
ルエンを６５ｇ留去させ、乾燥させたところ、ＰＰＨＳ
処理球状シリカが得られた。このＰＰＨＳ処理球状シリ
カは、最後にローラー、ジェットミル等により解砕され
た。
（株）製；平均粒径１０μｍ）を用いた。ＰＰＨＳ（フ
ェニルハイドロジェンポリシラン）５ｇをトルエン６５
ｇに溶解させ、この溶液をＵＳ−１０ １００ｇに加
え、１時間撹拌し、スラリーにした。ロータリーエバポ
レーターにて、８０℃の温度，４５ｍｍＨｇの圧力でト
ルエンを６５ｇ留去させ、乾燥させたところ、ＰＰＨＳ
処理球状シリカが得られた。このＰＰＨＳ処理球状シリ
カは、最後にローラー、ジェットミル等により解砕され
た。
【００７８】パラジウムコロイド析出シリカの製造 ＰＰＨＳ処理球状シリカは疎水化され、水に投入すると
水表面に浮くようになる。界面活性剤としてサーフィノ
ール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．
５％水溶液５０ｇに、合成例で得られたＰＰＨＳ処理球
状シリカ１００ｇを投入し、撹拌したところ、５分程度
の短時間で分散した。パラジウム処理は、上記シリカ−
水分散体１５０ｇに対し、１％ＰｄＣｌ2水溶液を７０
ｇ（塩化パラジウムとして０．７ｇ、パラジウムとして
０．４ｇ）添加して、３０分撹拌後、濾過し、水洗し
た。これらの処理により、シリカ表面はパラジウムコロ
イドが付着した黒灰色に着色したパラジウムコロイド析
出シリカが得られた。このシリカは濾過により単離し、
水洗後、直ちにメッキ化を行った。
水表面に浮くようになる。界面活性剤としてサーフィノ
ール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．
５％水溶液５０ｇに、合成例で得られたＰＰＨＳ処理球
状シリカ１００ｇを投入し、撹拌したところ、５分程度
の短時間で分散した。パラジウム処理は、上記シリカ−
水分散体１５０ｇに対し、１％ＰｄＣｌ2水溶液を７０
ｇ（塩化パラジウムとして０．７ｇ、パラジウムとして
０．４ｇ）添加して、３０分撹拌後、濾過し、水洗し
た。これらの処理により、シリカ表面はパラジウムコロ
イドが付着した黒灰色に着色したパラジウムコロイド析
出シリカが得られた。このシリカは濾過により単離し、
水洗後、直ちにメッキ化を行った。
【００７９】パラジウムコロイド析出シリカのニッケル
メッキ化 ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈し
た次亜リン酸ナトリウム２．０Ｍ、酢酸ナトリウム１．
０Ｍ、グリシン０．５Ｍの混合溶液１００ｇを用いた。
パラジウムコロイド析出シリカをＫＳ−５３８（信越化
学工業（株）製消泡剤）０．５ｇと共にニッケルメッキ
還元液中に分散させた。激しく撹拌しながら液温を室温
から６５℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナ
トリウム２．０Ｍを空気ガスにより同伴させながら滴下
し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル１．０
Ｍを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下し
た。これにより、細かい発泡と共にシリカが黒色とな
り、シリカ表面全面に金属ニッケルが析出した。
メッキ化 ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈し
た次亜リン酸ナトリウム２．０Ｍ、酢酸ナトリウム１．
０Ｍ、グリシン０．５Ｍの混合溶液１００ｇを用いた。
パラジウムコロイド析出シリカをＫＳ−５３８（信越化
学工業（株）製消泡剤）０．５ｇと共にニッケルメッキ
還元液中に分散させた。激しく撹拌しながら液温を室温
から６５℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナ
トリウム２．０Ｍを空気ガスにより同伴させながら滴下
し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル１．０
Ｍを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下し
た。これにより、細かい発泡と共にシリカが黒色とな
り、シリカ表面全面に金属ニッケルが析出した。
【００８０】ニッケルメッキシリカの金メッキ化 金メッキ液として高純度化学研究所製金メッキ液Ｋ−２
４Ｎ１００ｇを希釈せず用いた。全面に金属ニッケルが
析出したシリカを金メッキ液中に分散させた。激しく撹
拌しながら液温を室温から９５℃に上げると、細かい発
泡と共にシリカが金色となり、シリカ表面に金が析出し
た。
４Ｎ１００ｇを希釈せず用いた。全面に金属ニッケルが
析出したシリカを金メッキ液中に分散させた。激しく撹
拌しながら液温を室温から９５℃に上げると、細かい発
泡と共にシリカが金色となり、シリカ表面に金が析出し
た。
【００８１】メッキ水底に沈殿したシリカは、濾過、水
洗、乾燥（５０℃で３０分）の後、水素で置換された電
気炉で３００℃で１時間焼成した。実体顕微鏡観察によ
り、シリカ全表面が金により覆われたシリカが得られて
いることがわかった。このシリカは、ＩＰＣ分析によ
り、パラジウム、ニッケル、金が検出された。
洗、乾燥（５０℃で３０分）の後、水素で置換された電
気炉で３００℃で１時間焼成した。実体顕微鏡観察によ
り、シリカ全表面が金により覆われたシリカが得られて
いることがわかった。このシリカは、ＩＰＣ分析によ
り、パラジウム、ニッケル、金が検出された。
【００８２】シリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金構
造を持つ導電性シリカの同定 金メッキシリカは、エポキシ樹脂（アラルダイトＡ／
Ｂ）に混合後、硬化させ、その切片を電子顕微鏡にて観
察したところ、シリカ部と複相メッキ部の２層構造が確
認された。
造を持つ導電性シリカの同定 金メッキシリカは、エポキシ樹脂（アラルダイトＡ／
Ｂ）に混合後、硬化させ、その切片を電子顕微鏡にて観
察したところ、シリカ部と複相メッキ部の２層構造が確
認された。
【００８３】また、この金メッキシリカを、オージェ電
子分光分析により、表面をイオンエッチングしながら深
さ方向に存在する構成元素を分析したところ、深さ方向
に金層、ニッケル層、ケイ素系化合物層（炭素とケイ素
含有層）、シリカ層の４層構造を形成していることが明
らかとなった。顕微鏡により観察した外観は黄色、比重
は３．５で、各層の厚みは、金層０．０３μｍ、ニッケ
ル層０．２５μｍ、ケイ素系化合物層０．１μｍであっ
た。
子分光分析により、表面をイオンエッチングしながら深
さ方向に存在する構成元素を分析したところ、深さ方向
に金層、ニッケル層、ケイ素系化合物層（炭素とケイ素
含有層）、シリカ層の４層構造を形成していることが明
らかとなった。顕微鏡により観察した外観は黄色、比重
は３．５で、各層の厚みは、金層０．０３μｍ、ニッケ
ル層０．２５μｍ、ケイ素系化合物層０．１μｍであっ
た。
【００８４】シリカ−ケイ素系化合物−ニッケル−金構
造を持つ導電性シリカの特性 金メッキシリカの抵抗率は、４端子を持つ円筒状のセル
に金メッキシリカを充填し、両末端の面積０．２ｃｍ2
の端子からＳＭＵ−２５７（ケースレ社製電流源）より
１〜１０ｍＡの電流を流し、円筒の中央部に０．２ｃｍ
離して設置した端子から２０００型ケースレ社製ナノボ
ルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗
率は２．２ｍΩ・ｃｍであった。このシリカを乳鉢に入
れ、１分間すり潰し、熱処理（２００℃，４時間）後の
変化を調べたところ、外観、抵抗率の変化はなかった。
なお、この金属メッキシリカの比表面積は０．４ｍ2／
ｇ、比重は２．３９であった。
造を持つ導電性シリカの特性 金メッキシリカの抵抗率は、４端子を持つ円筒状のセル
に金メッキシリカを充填し、両末端の面積０．２ｃｍ2
の端子からＳＭＵ−２５７（ケースレ社製電流源）より
１〜１０ｍＡの電流を流し、円筒の中央部に０．２ｃｍ
離して設置した端子から２０００型ケースレ社製ナノボ
ルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗
率は２．２ｍΩ・ｃｍであった。このシリカを乳鉢に入
れ、１分間すり潰し、熱処理（２００℃，４時間）後の
変化を調べたところ、外観、抵抗率の変化はなかった。
なお、この金属メッキシリカの比表面積は０．４ｍ2／
ｇ、比重は２．３９であった。
【００８５】〔合成例２〕シリカとして、球状シリカＵ
Ｓ−１０（三菱レーヨン（株）製；平均粒径１０μｍ）
から４μｍ以下の大きさの粒子を除去したものを用いた
以外は、合成例１と同様にして、比重３．０、抵抗率３
ｍΩ・ｃｍのニッケル−金構造を有する金属メッキシリ
カを得た。
Ｓ−１０（三菱レーヨン（株）製；平均粒径１０μｍ）
から４μｍ以下の大きさの粒子を除去したものを用いた
以外は、合成例１と同様にして、比重３．０、抵抗率３
ｍΩ・ｃｍのニッケル−金構造を有する金属メッキシリ
カを得た。
【００８６】〔合成例３〕シリカに代えて、１次粒子が
平均粒径２０ｎｍの酸化アルミニウム（Ｏｘｉｄｅ
Ｃ、日本アエロジル（株）製）を用いた以外は、合成例
１と同様にして、ニッケル−金構造を有する金属メッキ
アルミナを得た。その抵抗率は３ｍΩ・ｃｍであった。
平均粒径２０ｎｍの酸化アルミニウム（Ｏｘｉｄｅ
Ｃ、日本アエロジル（株）製）を用いた以外は、合成例
１と同様にして、ニッケル−金構造を有する金属メッキ
アルミナを得た。その抵抗率は３ｍΩ・ｃｍであった。
【００８７】〔合成例４〕シリカに代えて、平均粒径が
１μｍの球状ポリメチルメタクリレート樹脂を用いた以
外は、合成例１と同様にして、ニッケル−金構造を有す
る金属メッキ樹脂を得た。その抵抗率は４ｍΩ・ｃｍで
あった。
１μｍの球状ポリメチルメタクリレート樹脂を用いた以
外は、合成例１と同様にして、ニッケル−金構造を有す
る金属メッキ樹脂を得た。その抵抗率は４ｍΩ・ｃｍで
あった。
【００８８】〔実施例１〜３、比較例１〜３〕合成例１
で得られた比表面積０．４ｍ2／ｇ、比重２．３９の金
属メッキシリカを表１に示す割合でオルガノポリシロキ
サン８５重量％を含むＫＥ−５２０−Ｕ（信越化学工業
（株）製，製品名）に添加し、パーオキサイドＣ−８Ａ
（信越化学工業（株）製，製品名）を添加後、１７０℃
で１０分間加圧成型し、１ｍｍのシートを得た。その
後、１５０℃で１時間ポストキュアーした後、ＳＲＩＳ
−２３０１の測定方法に準じて抵抗値を測定した。ま
た、環境依存性を把握するために、５０℃，９０％ＲＨ
の環境下に７日間放置し、抵抗の変化を確認した。ま
た、比較例として、銀粉末４５０部を添加した場合、金
属メッキシリカの配合量が少ない場合、銀メッキされた
ガラスビーズＳ−５０００Ｓ−３（東芝バロティーニ社
製）３００部を添加した場合の例を示す。
で得られた比表面積０．４ｍ2／ｇ、比重２．３９の金
属メッキシリカを表１に示す割合でオルガノポリシロキ
サン８５重量％を含むＫＥ−５２０−Ｕ（信越化学工業
（株）製，製品名）に添加し、パーオキサイドＣ−８Ａ
（信越化学工業（株）製，製品名）を添加後、１７０℃
で１０分間加圧成型し、１ｍｍのシートを得た。その
後、１５０℃で１時間ポストキュアーした後、ＳＲＩＳ
−２３０１の測定方法に準じて抵抗値を測定した。ま
た、環境依存性を把握するために、５０℃，９０％ＲＨ
の環境下に７日間放置し、抵抗の変化を確認した。ま
た、比較例として、銀粉末４５０部を添加した場合、金
属メッキシリカの配合量が少ない場合、銀メッキされた
ガラスビーズＳ−５０００Ｓ−３（東芝バロティーニ社
製）３００部を添加した場合の例を示す。
【００８９】
【表１】
【００９０】〔実施例４〜６〕合成例２〜４で得られた
金属メッキシリカ、金属メッキアルミナ又は金属メッキ
樹脂を用い、実施例１と同様にして導電性シリコーンゴ
ム組成物を製造し、その硬化物の特性を評価した。結果
を表２に示す。
金属メッキシリカ、金属メッキアルミナ又は金属メッキ
樹脂を用い、実施例１と同様にして導電性シリコーンゴ
ム組成物を製造し、その硬化物の特性を評価した。結果
を表２に示す。
【００９１】
【表２】
【００９２】
【発明の効果】本発明の導電性シリコーンゴム組成物
は、基材粒子を金属メッキすることにより得られた導電
化粒子をシリコーンゴムに配合したことにより、分散性
に優れ、また該組成物を硬化して得られるシリコーンゴ
ムは、体積抵抗率の低抵抗、安定性に優れたものであ
る。
は、基材粒子を金属メッキすることにより得られた導電
化粒子をシリコーンゴムに配合したことにより、分散性
に優れ、また該組成物を硬化して得られるシリコーンゴ
ムは、体積抵抗率の低抵抗、安定性に優れたものであ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年９月２７日（２０００．９．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】上記基材粒子（無機質充填剤又は有機樹脂
粒子）にメッキする金属としては、金、銀、ニッケル、
パラジウム、銅又はこれらの合金などが例示され、これ
ら金属の単層メッキ層であっても、これら金属メッキ層
が２層又はそれ以上積層形成された多層メッキ層であっ
てもよい。これらの中では、ニッケル、金が好ましく、
特に上記基材粒子（無機又は有機樹脂粒子）上にニッケ
ル層を介して金層が形成された構造を有するものが好ま
しい。更に、金属メッキ層と基材粒子との密着性を向上
させるために、基材粒子とニッケルの間にケイ素系化合
物を挿入した基材粒子−ケイ素系化合物−ニッケル−金
の４層構造を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合
物としては、アミノプロピルトリエトキシシラン、アミ
ノプロピルトリメトキシシランのような接着性を有する
シランカップリング剤や還元性を有するケイ素系高分子
が挙げられる。
粒子）にメッキする金属としては、金、銀、ニッケル、
パラジウム、銅又はこれらの合金などが例示され、これ
ら金属の単層メッキ層であっても、これら金属メッキ層
が２層又はそれ以上積層形成された多層メッキ層であっ
てもよい。これらの中では、ニッケル、金が好ましく、
特に上記基材粒子（無機又は有機樹脂粒子）上にニッケ
ル層を介して金層が形成された構造を有するものが好ま
しい。更に、金属メッキ層と基材粒子との密着性を向上
させるために、基材粒子とニッケルの間にケイ素系化合
物を挿入した基材粒子−ケイ素系化合物−ニッケル−金
の４層構造を有するものが特に好ましい。ケイ素系化合
物としては、アミノプロピルトリエトキシシラン、アミ
ノプロピルトリメトキシシランのような接着性を有する
シランカップリング剤や還元性を有するケイ素系高分子
が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】ここで、金属塩を溶解させる溶媒として
は、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒など
が挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
は、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒など
が挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83/05 Ｃ０８Ｌ 83/05 101/00 101/00 Ｃ２３Ｃ 28/02 Ｃ２３Ｃ 28/02 Ｈ０１Ｂ 1/00 Ｈ０１Ｂ 1/00 Ｃ 1/22 1/22 Ｚ (72)発明者 飯野 幹夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 BB03X BB12X BC02X BC06X BD03X BG03X CC13X CP043 CP12W CP13W DA036 DE136 DE146 DE207 DG046 DJ016 DJ056 EK007 FB07X FB076 FD01X FD016 FD11X FD116 FD143 FD147 4K044 AA11 AA16 AB01 BA06 BA08 BB02 BB03 BC14 CA15 CA18 5G301 DA05 DA10 DA29 DA42 DD08 DD10
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）下記平均組成式（１） Ｒ1 nＳｉＯ(4-n)/2 …（１） （式中、Ｒ1は同一又は異種の非置換又は置換１価炭化水素基であり、ｎは１． ９８〜２．０２の正数である。） で示され、脂肪族不飽和基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン １００重量部、 （Ｂ）無機粒子又は有機樹脂粒子からなる基材粒子の表面が金属メッキ層で被覆 されてなる導電化粒子 ９０〜８００重量部、 （Ｃ）硬化剤 上記（Ａ）成分を硬化させ得る量 を含有してなることを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物。
- 【請求項２】 （Ｂ）成分が基材粒子上にニッケル層を
介して金層が形成された構造を有する導電化粒子である
請求項１記載の導電性シリコーンゴム組成物。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分の基材粒子がシリカである請
求項１又は２記載の導電性シリコーンゴム組成物。 - 【請求項４】 （Ｂ）成分の比表面積が１ｍ2／ｇ以下
である請求項１乃至３のいずれか１項記載の導電性シリ
コーンゴム組成物。 - 【請求項５】 （Ｂ）成分の組成物全体に占める体積分
率が２５〜７５％である請求項１乃至４のいずれか１項
記載の導電性シリコーンゴム組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000078862A JP3603945B2 (ja) | 1999-10-06 | 2000-03-21 | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| TW089113043A TW593545B (en) | 1999-10-06 | 2000-06-30 | Conductive silicone rubber composition |
| DE60002023T DE60002023T2 (de) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Leitfähige Silikongummi-Zusammensetzungen |
| US09/680,282 US6414078B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Conductive silicone rubber composition |
| EP00308806A EP1090959B1 (en) | 1999-10-06 | 2000-10-06 | Conductive silicone rubber composition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-285141 | 1999-10-06 | ||
| JP28514199 | 1999-10-06 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=26555758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000078862A Expired - Fee Related JP3603945B2 (ja) | 1999-10-06 | 2000-03-21 | 導電性シリコーンゴム組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6414078B1 (ja) |
| EP (1) | EP1090959B1 (ja) |
| JP (1) | JP3603945B2 (ja) |
| DE (1) | DE60002023T2 (ja) |
| TW (1) | TW593545B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167512A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| JP2007027111A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Sulzer Metco (Canada) Inc | 高性能導電性充填剤およびそれから製造した導電性ポリマー |
| JP2007254888A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造方法、及び、導電性微粒子 |
| KR100871787B1 (ko) * | 2001-07-17 | 2008-12-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 도전성 조성물 |
| JP2012501374A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ダウ コーニング コーポレーション | 分散体から形成される金属化粒子 |
| JP2012169212A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターンの形成方法 |
| JP2014212105A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-11-13 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3705344B2 (ja) * | 2000-08-17 | 2005-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| JP2003059341A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| US20030113531A1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-06-19 | Karel Hajmrle | Conductive fillers and conductive polymers made therefrom |
| JP3999994B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2007-10-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| JP2004031203A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電接点素子及び電気コネクタ |
| JP3956121B2 (ja) * | 2002-09-04 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 導電性シリコーン粘着剤組成物 |
| JP4803350B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2011-10-26 | 信越化学工業株式会社 | 圧着性異方導電性樹脂組成物及び微細電極の接続方法 |
| US7527873B2 (en) * | 2006-02-08 | 2009-05-05 | American Standard Circuits | Thermally and electrically conductive interface |
| JP2008293960A (ja) | 2007-04-23 | 2008-12-04 | Canon Inc | 導電性部材とこれを用いたスペーサ、及び画像表示装置 |
| DE102007035952A1 (de) * | 2007-07-30 | 2009-04-09 | Evonik Degussa Gmbh | Oberflächenmodifizierte, pyrogen hergestellte Kieselsäuren |
| MX2010005540A (es) * | 2007-11-20 | 2010-08-31 | Dow Corning | Articulo y metodo de manufactura del mismo. |
| EP2321219A2 (en) * | 2008-08-29 | 2011-05-18 | Dow Corning Corporation | Fibers including nanoparticles and a method of producing the nanoparticles |
| TW201016909A (en) * | 2008-08-29 | 2010-05-01 | Dow Corning | Article formed from electrospinning a dispersion |
| JP6065780B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2017-01-25 | 信越化学工業株式会社 | 導電性回路描画用インク組成物、導電性回路形成方法及びそれにより形成された導電性回路 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1266422A (ja) | 1968-05-23 | 1972-03-08 | ||
| US4011360A (en) | 1974-04-10 | 1977-03-08 | Chomerics, Inc. | Electrically conductive silicone rubber stock |
| US4507359A (en) * | 1980-12-22 | 1985-03-26 | Chomerics, Inc. | Electromagnetic shielding |
| JPS5863198A (ja) | 1981-10-12 | 1983-04-14 | 清水 暢 | マイクロ波遮蔽用ゴム製品 |
| JPS59199756A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | Toshiba Silicone Co Ltd | 導電性シリコ−ンゴム組成物 |
| US4716081A (en) | 1985-07-19 | 1987-12-29 | Ercon, Inc. | Conductive compositions and conductive powders for use therein |
| JPH01213362A (ja) | 1987-05-25 | 1989-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコ−ンゴム組成物 |
| US4777205A (en) * | 1987-07-22 | 1988-10-11 | Wacker Silicones Corporation | Electrically conductive compositions |
| JPS6489209A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Sekisui Chemical Co Ltd | Anisotropically conductive adhesive sheet |
| JP3134333B2 (ja) | 1991-03-27 | 2001-02-13 | ジェイエスアール株式会社 | 導電性エラストマー用組成物 |
| JPH05194856A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-08-03 | Otsuka Chem Co Ltd | 導電性エラストマー組成物 |
| US5182050A (en) | 1991-10-24 | 1993-01-26 | Amp Incorporated | Extrinsically/intrinsically conductive gel |
| DE4320527A1 (de) | 1992-06-22 | 1993-12-23 | Whitaker Corp | Elektrisch leitfähiges Gel |
| US5498644A (en) | 1993-09-10 | 1996-03-12 | Specialty Silicone Products, Inc. | Silcone elastomer incorporating electrically conductive microballoons and method for producing same |
| US5688862A (en) * | 1994-10-11 | 1997-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductive silicone elastomer compositions and method for making |
| JP3436464B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2003-08-11 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 付加反応硬化型導電性シリコーン組成物および導電性シリコーン硬化物の製造方法 |
| US6010646A (en) * | 1997-04-11 | 2000-01-04 | Potters Industries, Inc. | Electroconductive composition and methods for producing such composition |
| US6017587A (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Dow Corning Corporation | Electrically conductive silicone compositions |
| TWI257410B (en) | 1999-03-25 | 2006-07-01 | Shinetsu Chemical Co | Conductive silicone rubber composition and low-resistance connector |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167512A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| KR100871787B1 (ko) * | 2001-07-17 | 2008-12-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 도전성 조성물 |
| JP2007027111A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Sulzer Metco (Canada) Inc | 高性能導電性充填剤およびそれから製造した導電性ポリマー |
| JP2007254888A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-10-04 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造方法、及び、導電性微粒子 |
| JP2012501374A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ダウ コーニング コーポレーション | 分散体から形成される金属化粒子 |
| JP2012169212A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターンの形成方法 |
| JP2014212105A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-11-13 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
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