JP2001166013A - A/d変換器のテスト対応型集積回路 - Google Patents
A/d変換器のテスト対応型集積回路Info
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- JP2001166013A JP2001166013A JP35434599A JP35434599A JP2001166013A JP 2001166013 A JP2001166013 A JP 2001166013A JP 35434599 A JP35434599 A JP 35434599A JP 35434599 A JP35434599 A JP 35434599A JP 2001166013 A JP2001166013 A JP 2001166013A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近年の集積回路のシステムLSI化の下で、
機器がアナログ/デジタル両方の回路を装備するのは普
通になっている。更にシステムの複雑化に伴い、A/D
コンバータからの出力がその後流のロジック回路からの
出力より高周波数であること少なからずある。さて、L
SIの出荷試験時にA/Dコンバータ単体の検査を行う
が、出力PADがロジック回路からの出力周波数でなく
A/Dコンバータからの出力周波数に対応したものであ
ると、特性の劣化やノイズ発生のもととなる。 【解決手段】 A/Dコンバータ単体のテスト時に、A
/Dコンバータから出力される高周波数のデータを一旦
格納する記憶手段を設ける。その後、出力PADに対応
した周波数でこのデータを読出す。またこの際、機器が
ロジック回路に合わせて有する記憶手段を流用する。
機器がアナログ/デジタル両方の回路を装備するのは普
通になっている。更にシステムの複雑化に伴い、A/D
コンバータからの出力がその後流のロジック回路からの
出力より高周波数であること少なからずある。さて、L
SIの出荷試験時にA/Dコンバータ単体の検査を行う
が、出力PADがロジック回路からの出力周波数でなく
A/Dコンバータからの出力周波数に対応したものであ
ると、特性の劣化やノイズ発生のもととなる。 【解決手段】 A/Dコンバータ単体のテスト時に、A
/Dコンバータから出力される高周波数のデータを一旦
格納する記憶手段を設ける。その後、出力PADに対応
した周波数でこのデータを読出す。またこの際、機器が
ロジック回路に合わせて有する記憶手段を流用する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、集積回路の検査に関
し、特にA/Dコンバータを装備した集積回路における
A/Dコンバータ単体の検査に関する。
し、特にA/Dコンバータを装備した集積回路における
A/Dコンバータ単体の検査に関する。
【0002】
【従来技術】近年、テレビジョン放送はアナログ方式と
ディジタル方式の両方がなされているがごとく、各種通
信、情報処理等において、アナログデータとディジタル
データの両方が取り扱われている。このもとで、集積回
路のシステムLSI化の進歩を背景として、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ等各種の機器では、アナログ(A)
/デジタル(D)変換機能を有するのは普通になってい
る。更に、システムの複雑化や顧客の要望の多様化に伴
い、ディジタルのロジック回路からの機器外部への出力
より高速で(高周波数で)その上流側のアナログを動作
させる(高速でA/D変換後のディジタルデータをロジ
ック回路へ出力する)ことが必要なことも多々生じるよ
うになってきている。そのような下では、A/Dコンバ
ータを装備したLSIの出荷試験に際して、A/Dコン
バータ単体の検査をも行うことが望ましい。
ディジタル方式の両方がなされているがごとく、各種通
信、情報処理等において、アナログデータとディジタル
データの両方が取り扱われている。このもとで、集積回
路のシステムLSI化の進歩を背景として、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ等各種の機器では、アナログ(A)
/デジタル(D)変換機能を有するのは普通になってい
る。更に、システムの複雑化や顧客の要望の多様化に伴
い、ディジタルのロジック回路からの機器外部への出力
より高速で(高周波数で)その上流側のアナログを動作
させる(高速でA/D変換後のディジタルデータをロジ
ック回路へ出力する)ことが必要なことも多々生じるよ
うになってきている。そのような下では、A/Dコンバ
ータを装備したLSIの出荷試験に際して、A/Dコン
バータ単体の検査をも行うことが望ましい。
【0003】以下、この従来のA/Dコンバータ内蔵の
LSIの、A/Dコンバータ単体のテストの内容を回路
構成図を参照しつつ、少し詳しく説明する。
LSIの、A/Dコンバータ単体のテストの内容を回路
構成図を参照しつつ、少し詳しく説明する。
【0004】図1に、従来のA/Dコンバータ内蔵のL
SIのA/Dコンバータ単体テスト時の回路構成を示
す。本図において、1は、A/Dコンバータである。2
は、D−FF(D−Flip Flop)である。3
は、セレクタである。4は、出力PADである。5は、
ディジタルのロジック回路である。6は、記憶素子(あ
るいは、手段又は部)である。なおここで、この記憶素
子は、特に映像信号を処理する機器においてそうである
が、高周波数の信号をデータの間引き等なしでロジック
回路にて低周波数信号に変更しようとする場合にデータ
の蓄積が必要である等のため、わざわざ設けられている
ものである。
SIのA/Dコンバータ単体テスト時の回路構成を示
す。本図において、1は、A/Dコンバータである。2
は、D−FF(D−Flip Flop)である。3
は、セレクタである。4は、出力PADである。5は、
ディジタルのロジック回路である。6は、記憶素子(あ
るいは、手段又は部)である。なおここで、この記憶素
子は、特に映像信号を処理する機器においてそうである
が、高周波数の信号をデータの間引き等なしでロジック
回路にて低周波数信号に変更しようとする場合にデータ
の蓄積が必要である等のため、わざわざ設けられている
ものである。
【0005】以上の他、クロック信号発生回路やその受
信端子、セレクタの切換え手段等を有しているのは勿論
であるが、これらは自明かつ本発明の趣旨に直接の関係
がないので図示等は省略する。
信端子、セレクタの切換え手段等を有しているのは勿論
であるが、これらは自明かつ本発明の趣旨に直接の関係
がないので図示等は省略する。
【0006】さてこのLSIのA/Dコンバータ単体テ
スト時においては、A/Dコンバータ1の出力がD−F
F2に接続され、D−FF2の出力はセレクタ3のA入
力端及びロジック回路5に接続され、セレクタ出力3は
出力PAD4に接続される。また、ロジック回路5の出
力はセレクタ3のB入力端と接続され、更に、データの
処理の必要上ロジック回路5と記憶素子6も接続され
る。
スト時においては、A/Dコンバータ1の出力がD−F
F2に接続され、D−FF2の出力はセレクタ3のA入
力端及びロジック回路5に接続され、セレクタ出力3は
出力PAD4に接続される。また、ロジック回路5の出
力はセレクタ3のB入力端と接続され、更に、データの
処理の必要上ロジック回路5と記憶素子6も接続され
る。
【0007】以上の回路構成のもとで、A/Dコンバー
タ単体のテスト時のLSIの動作について説明する。
タ単体のテスト時のLSIの動作について説明する。
【0008】まず、A/Dコンバータ1より出力された
信号はD−FF2へ入力され、更にこのD−FF2から
の出力はセレクタ3のA入力端に入力される。ここに、
セレクタ3は、あらかじめこのテスト用に端子を設けて
いたり、あるいはマイコンのレジスタを設けたりしてお
き、その制御のもとでA/Dコンバータ単体テスト時の
みA入力端が選択されるようになっている。そして、選
択された即ち受け入れられたテスト信号はセレクタ3を
経て出力端子4に入力され、この出力端子4から外部へ
出力される。検査員は、この出力された信号をLSIテ
スタ等を使用して検査し、A/Dコンバータ単体での良
品/不良品の判定を行う。
信号はD−FF2へ入力され、更にこのD−FF2から
の出力はセレクタ3のA入力端に入力される。ここに、
セレクタ3は、あらかじめこのテスト用に端子を設けて
いたり、あるいはマイコンのレジスタを設けたりしてお
き、その制御のもとでA/Dコンバータ単体テスト時の
みA入力端が選択されるようになっている。そして、選
択された即ち受け入れられたテスト信号はセレクタ3を
経て出力端子4に入力され、この出力端子4から外部へ
出力される。検査員は、この出力された信号をLSIテ
スタ等を使用して検査し、A/Dコンバータ単体での良
品/不良品の判定を行う。
【0009】なお、A/Dコンバータ単体のテスト時以
外、すなわち機器の実際の動作時、あるいはユーザによ
る機器の本来の用途への使用時には、ロジック回路5よ
りセレクタ3のB入力端にディジタル処理後の信号が入
力される。このため、A/Dコンバータ1からロジック
回路5へ入力された信号は、ロジック回路5で記憶部6
を使用しての演算処理等が行われ、この処理済の信号が
出力端子4、そして外部へ出力されることとなる。
外、すなわち機器の実際の動作時、あるいはユーザによ
る機器の本来の用途への使用時には、ロジック回路5よ
りセレクタ3のB入力端にディジタル処理後の信号が入
力される。このため、A/Dコンバータ1からロジック
回路5へ入力された信号は、ロジック回路5で記憶部6
を使用しての演算処理等が行われ、この処理済の信号が
出力端子4、そして外部へ出力されることとなる。
【0010】なおここで、セレクタ3をロジック回路5
の後流側に設けているのは、上流側に設けると実作動時
のA/Dコンバータ1とロジック回路5の接続部のテス
トが困難となるからである。
の後流側に設けているのは、上流側に設けると実作動時
のA/Dコンバータ1とロジック回路5の接続部のテス
トが困難となるからである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、A/D
コンバータの出入力信号、特に出力信号の周波数がこの
機器自体の出力信号、特にディジタルロジック回路から
の出力信号より周波数が高い場合が多々ありうる。
コンバータの出入力信号、特に出力信号の周波数がこの
機器自体の出力信号、特にディジタルロジック回路から
の出力信号より周波数が高い場合が多々ありうる。
【0012】さてこの場合、従来の構成では、A/Dコ
ンバータがロジック回路の出力周波数より高い周波数で
動作するときの検査等を考えると、出力PADは、A/
Dコンバータの単体テストモード時に備えて実際の機器
の動作時以上の周波数に対応可能とすることが必要とな
る。
ンバータがロジック回路の出力周波数より高い周波数で
動作するときの検査等を考えると、出力PADは、A/
Dコンバータの単体テストモード時に備えて実際の機器
の動作時以上の周波数に対応可能とすることが必要とな
る。
【0013】若しそうでなければ、出力PADはこのテ
スト時に実際に使用するのより高い周波数で動作するた
め、電源/GNDラインを介してノイズが回り込み、ま
た、A/Dコンバータの特性を落としてしまい、正しい
特性を測定することができなくなってしまう危険性が生
じる。しかも、周波数が高いほどノイズが大きくなるた
め、映像信号のA/D変換等ではより好ましくないこと
となる。
スト時に実際に使用するのより高い周波数で動作するた
め、電源/GNDラインを介してノイズが回り込み、ま
た、A/Dコンバータの特性を落としてしまい、正しい
特性を測定することができなくなってしまう危険性が生
じる。しかも、周波数が高いほどノイズが大きくなるた
め、映像信号のA/D変換等ではより好ましくないこと
となる。
【0014】と言って、必要以上の出力能力を持つPA
Dにすると、電力消費が大きくなり、輻射等の弊害の原
因ともなるため、これまた好ましくない。ましてや、こ
のテスト専用の出力端子を設けるなど、スペース等以前
に、デザイン、美観の面から好ましくない。
Dにすると、電力消費が大きくなり、輻射等の弊害の原
因ともなるため、これまた好ましくない。ましてや、こ
のテスト専用の出力端子を設けるなど、スペース等以前
に、デザイン、美観の面から好ましくない。
【0015】このため、A/Dコンバータ内蔵のLSI
のA/Dコンバータ単体テスト時において、ロジック回
路が実際の機器の使用時に出力するのよりも高い周波数
でA/Dコンバータがテスト用信号を出力する場合であ
っても、正しい特性の測定を成しえ、ノイズも発生せ
ず、しかも出力PADは機器の実際の使用時にロジック
回路が出力する周波数に対応した能力のままでよく、そ
の上コストもかからない技術の開発が望まれていた。
のA/Dコンバータ単体テスト時において、ロジック回
路が実際の機器の使用時に出力するのよりも高い周波数
でA/Dコンバータがテスト用信号を出力する場合であ
っても、正しい特性の測定を成しえ、ノイズも発生せ
ず、しかも出力PADは機器の実際の使用時にロジック
回路が出力する周波数に対応した能力のままでよく、そ
の上コストもかからない技術の開発が望まれていた。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決することを目的としてなされたものであり、A/D
コンバータ単体のテスト時の高周波数の出力信号を、機
器が本来有している記憶手段に一旦記憶させ、しかる後
この記憶した出力信号を低周波数で読出して検査する様
にしたものである。具体的には、以下の構成としてい
る。
解決することを目的としてなされたものであり、A/D
コンバータ単体のテスト時の高周波数の出力信号を、機
器が本来有している記憶手段に一旦記憶させ、しかる後
この記憶した出力信号を低周波数で読出して検査する様
にしたものである。具体的には、以下の構成としてい
る。
【0017】請求項1記載の発明においては、A/Dコ
ンバータ内蔵のLSIのA/Dコンバータの単体テスト
時には、A/Dコンバータからのテスト用出力を受けた
D−FFの後段にA/Dコンバータの単体テスト時の高
周波数の出力信号を記憶する記憶手段(素子)を設けて
いる。なお、この記憶手段は、機器の実動作時にはロジ
ック回路と連動して動作する、SRAM,DRAM、ラ
インメモリとするのが原則であるが、必要に応じてテス
ト用に設けたものであっても構わない。そして、この記
憶素子の出力は、A/Dコンバータの単体テスト時には
それからの出力信号を選定し、機器の実動作時にはA/
Dコンバータからの直接の出力信号は断とする(後流に
行かない様にする)セレクタ(回路)に接続(入力)さ
れる。更に、このセレクタからの出力は外部への出力P
ADへ入力される。
ンバータ内蔵のLSIのA/Dコンバータの単体テスト
時には、A/Dコンバータからのテスト用出力を受けた
D−FFの後段にA/Dコンバータの単体テスト時の高
周波数の出力信号を記憶する記憶手段(素子)を設けて
いる。なお、この記憶手段は、機器の実動作時にはロジ
ック回路と連動して動作する、SRAM,DRAM、ラ
インメモリとするのが原則であるが、必要に応じてテス
ト用に設けたものであっても構わない。そして、この記
憶素子の出力は、A/Dコンバータの単体テスト時には
それからの出力信号を選定し、機器の実動作時にはA/
Dコンバータからの直接の出力信号は断とする(後流に
行かない様にする)セレクタ(回路)に接続(入力)さ
れる。更に、このセレクタからの出力は外部への出力P
ADへ入力される。
【0018】以上の他、A/Dコンバータ単体のテスト
が可能な集積回路であるため、テストに先立つ何等かの
操作や電圧信号の入力等により、テスト時にはA/Dコ
ンバータからのテスト用出力信号がロジック回路を通過
せずに集積回路外部へ取り出すことが可能な結線、回路
構成となしうるようになされており、また単体テスト時
には、そのようにされるのは勿論である。ただし、この
ような結線等自体は、本発明さえ想到すれば実現はそう
困難とは思われないので、わざわざの説明は省略する。
が可能な集積回路であるため、テストに先立つ何等かの
操作や電圧信号の入力等により、テスト時にはA/Dコ
ンバータからのテスト用出力信号がロジック回路を通過
せずに集積回路外部へ取り出すことが可能な結線、回路
構成となしうるようになされており、また単体テスト時
には、そのようにされるのは勿論である。ただし、この
ような結線等自体は、本発明さえ想到すれば実現はそう
困難とは思われないので、わざわざの説明は省略する。
【0019】上記構成により、以下の作用がなされる。
【0020】D−FFより出力されたA/Dコンバータ
からの高周波数のテスト用出力信号は、A/Dコンバー
タの実際の動作周波数のまま記憶手段に格納される。格
納されたデータは、その後検査者の都合に合わせた任意
の時間に読出され、上述のA/Dコンバータの単体テス
トを考慮したセレクタを介して外部出力PADへ入力さ
れ、更にこの出力PADからLST回路の外部へ出力さ
れる。ところで、このテスト用の高周波数のデータの読
出しの際、クロックレートを切り換える等してその周波
数をロジック回路から実際に出力される周波数以下、あ
るいは出力PADの能力に合致した値にする。これによ
り、出力PADの能力はロジック回路から実際に出力さ
れる周波数に対応した能力のまま、A/Dコンバータ単
体のテスト時に、テスト信号が高周波数の出力であって
もノイズが少なくまた正しい特性の測定を可能とし得
る。
からの高周波数のテスト用出力信号は、A/Dコンバー
タの実際の動作周波数のまま記憶手段に格納される。格
納されたデータは、その後検査者の都合に合わせた任意
の時間に読出され、上述のA/Dコンバータの単体テス
トを考慮したセレクタを介して外部出力PADへ入力さ
れ、更にこの出力PADからLST回路の外部へ出力さ
れる。ところで、このテスト用の高周波数のデータの読
出しの際、クロックレートを切り換える等してその周波
数をロジック回路から実際に出力される周波数以下、あ
るいは出力PADの能力に合致した値にする。これによ
り、出力PADの能力はロジック回路から実際に出力さ
れる周波数に対応した能力のまま、A/Dコンバータ単
体のテスト時に、テスト信号が高周波数の出力であって
もノイズが少なくまた正しい特性の測定を可能とし得
る。
【0021】請求項2記載の発明においては、基本的な
構成は請求項1記載の発明と同じであるが、機器の実作
動時に使用する記憶手段を、A/Dコンバータの単体テ
スト時にA/Dコンバータから出力される高周波数のテ
スト用出力信号の記憶手段に流用している。
構成は請求項1記載の発明と同じであるが、機器の実作
動時に使用する記憶手段を、A/Dコンバータの単体テ
スト時にA/Dコンバータから出力される高周波数のテ
スト用出力信号の記憶手段に流用している。
【0022】上記構成により、以下の作用がなされる。
【0023】基本的な作用は、請求項1記載の発明と同
じであるが、A/Dコンバータの単体テスト時にA/D
コンバータから出力される高周波数のテスト用信号は、
機器の、そしてLSIのロジック回路に併せて設けられ
た記憶手段若しくはその一部にそのまま記憶される。
じであるが、A/Dコンバータの単体テスト時にA/D
コンバータから出力される高周波数のテスト用信号は、
機器の、そしてLSIのロジック回路に併せて設けられ
た記憶手段若しくはその一部にそのまま記憶される。
【0024】なおこのため、記憶手段はあらかじめA/
Dコンバータから出力される高周波数のテスト用信号を
記憶可能とされているだけでなく、このテスト時と機器
の実動作時にLSIのロジック回路から出力されるデー
タとを認識し、区分けして記憶する記憶制御手段とを有
しているのは勿論である。
Dコンバータから出力される高周波数のテスト用信号を
記憶可能とされているだけでなく、このテスト時と機器
の実動作時にLSIのロジック回路から出力されるデー
タとを認識し、区分けして記憶する記憶制御手段とを有
しているのは勿論である。
【0025】なおまた、この記憶制御手段は、セレクタ
の切換え等によりA/Dコンバータの単体テスト用結線
あるいは回路とされた場合には、セレクタの切換えによ
りこれを検知して必要な作用をなしたり、セレクタを切
換えると自動的にA/Dコンバータからの出力信号を記
憶するようになったりする等の機能を有している、ある
いはその様なA/Dコンバータの単体テストを考慮した
構成であるのは勿論である。
の切換え等によりA/Dコンバータの単体テスト用結線
あるいは回路とされた場合には、セレクタの切換えによ
りこれを検知して必要な作用をなしたり、セレクタを切
換えると自動的にA/Dコンバータからの出力信号を記
憶するようになったりする等の機能を有している、ある
いはその様なA/Dコンバータの単体テストを考慮した
構成であるのは勿論である。
【0026】請求項3記載の発明においては、例えば映
像の1画面の平均値を蓄積したりする場合等において
は、記憶手段の動作周波数はA/Dコンバータからの出
力周波数より遅くても良いため、機器によってはロジッ
ク回路に併せて装備する記憶手段はそのような低周波数
用のものとなっていることがあるが、このような場合や
その他高周波数記憶手段の付設が困難な場合でも、この
記憶手段を使用して請求項1や請求項2の発明と同じく
A/Dコンバータから出力される高周波数のテスト信号
を一時記憶し、更に出力PADに適応した周波数で読出
し可能となるようにしている。
像の1画面の平均値を蓄積したりする場合等において
は、記憶手段の動作周波数はA/Dコンバータからの出
力周波数より遅くても良いため、機器によってはロジッ
ク回路に併せて装備する記憶手段はそのような低周波数
用のものとなっていることがあるが、このような場合や
その他高周波数記憶手段の付設が困難な場合でも、この
記憶手段を使用して請求項1や請求項2の発明と同じく
A/Dコンバータから出力される高周波数のテスト信号
を一時記憶し、更に出力PADに適応した周波数で読出
し可能となるようにしている。
【0027】従って、記憶手段は複数有しており、更に
この複数の記憶手段はいずれもその上流側にロード/ホ
ールド機能を有するD−FFとこのD−FFに対応して
その上流若しくは後流に設けられたセレクタとセレクタ
を切り換えるセレクタ制御手段とを有している。また、
記憶手段の後流側にもテスト用出力信号を順に出力する
ためのセレクタとセレクタを所定の手順で切り換える出
力制御手段とを有している。
この複数の記憶手段はいずれもその上流側にロード/ホ
ールド機能を有するD−FFとこのD−FFに対応して
その上流若しくは後流に設けられたセレクタとセレクタ
を切り換えるセレクタ制御手段とを有している。また、
記憶手段の後流側にもテスト用出力信号を順に出力する
ためのセレクタとセレクタを所定の手順で切り換える出
力制御手段とを有している。
【0028】以上の構成により、以下の作用がなされ
る。
る。
【0029】A/Dコンバータから出力される高周波数
のテスト用信号は、複数のロード/ホールド機能を有す
るD−FFとセレクタにより、記憶手段への書き込みが
可能な低周波数へ変換され、併せて分割される。さて、
各ロード/ホールド機能を有するD−FFの上流若しく
は後流にはセレクタが設けられており、更にこれらセレ
クタはセレクタ切換え制御手段により所定の手順で回路
切換えがなされる。このため、A/Dコンバータからの
高周波のテスト用出力信号は、複数の記憶手段に分割し
て順に、しかも低周波に変換されて記憶される。
のテスト用信号は、複数のロード/ホールド機能を有す
るD−FFとセレクタにより、記憶手段への書き込みが
可能な低周波数へ変換され、併せて分割される。さて、
各ロード/ホールド機能を有するD−FFの上流若しく
は後流にはセレクタが設けられており、更にこれらセレ
クタはセレクタ切換え制御手段により所定の手順で回路
切換えがなされる。このため、A/Dコンバータからの
高周波のテスト用出力信号は、複数の記憶手段に分割し
て順に、しかも低周波に変換されて記憶される。
【0030】次に、この信号データの読出しであるが、
各記憶手段の後流側に設けられているセレクタを所定の
手順で切り換えることにより、記憶されているデータは
A/Dコンバータからその出力された順に、しかも低周
波数に変換されて出力されることとなる。
各記憶手段の後流側に設けられているセレクタを所定の
手順で切り換えることにより、記憶されているデータは
A/Dコンバータからその出力された順に、しかも低周
波数に変換されて出力されることとなる。
【0031】なお、本請求項の発明においても、A/D
コンバータ単体のテストに先立ち、集積回路全体の構
成、結線はそのようになされ、またあらかじめそのよう
になすことが可能とされているのは勿論である。また、
複数の記憶手段はあくまでもA/Dコンバータ単体のテ
ストにおいてその出力信号を分割して記憶するという意
味での複数であり、機器の実動作時においてはロジック
回路に併せて設けられた1の記憶手段であったり、ある
いはさらにその一部であったりしても良いのは勿論であ
る。
コンバータ単体のテストに先立ち、集積回路全体の構
成、結線はそのようになされ、またあらかじめそのよう
になすことが可能とされているのは勿論である。また、
複数の記憶手段はあくまでもA/Dコンバータ単体のテ
ストにおいてその出力信号を分割して記憶するという意
味での複数であり、機器の実動作時においてはロジック
回路に併せて設けられた1の記憶手段であったり、ある
いはさらにその一部であったりしても良いのは勿論であ
る。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【0033】(第1の実施の形態)本実施の形態は、A
/Dコンバータからの高周波数のテスト用出力信号を一
旦記憶素子に記憶させることにより、高周波数でのA/
Dコンバータ単体のテストに対応可能としたものであ
る。
/Dコンバータからの高周波数のテスト用出力信号を一
旦記憶素子に記憶させることにより、高周波数でのA/
Dコンバータ単体のテストに対応可能としたものであ
る。
【0034】図2に、本実施の形態のA/Dコンバータ
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを中心とする回路の構成を示す。
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを中心とする回路の構成を示す。
【0035】なお、本図において、従来技術と同じもの
には原則として同一の符号を付してある。そしてこのこ
とは、他の実施の形態においても同様である。
には原則として同一の符号を付してある。そしてこのこ
とは、他の実施の形態においても同様である。
【0036】ただし、セレクタは2つ装備するため、上
流側のものを31、後流側のものを32としている。ま
た、記憶素子はロジック回路に直接には接続されていな
いため、61としている。
流側のものを31、後流側のものを32としている。ま
た、記憶素子はロジック回路に直接には接続されていな
いため、61としている。
【0037】本実施の形態のA/Dコンバータ内蔵のL
SIは、そのA/Dコンバータ単体テスト時には、A/
Dコンバータ1の出力はD−FF2に入力(接続)さ
れ、D−FF2の出力は上流側のセレクタ31のA入力
端に入力され、このセレクタ31の出力は記憶素子(手
段)61に接続され、記憶素子61の出力は後流側のセ
レクタ32のA入力端に入力され、このセレクタ32の
出力は出力PAD4に入力される回路構成となる。
SIは、そのA/Dコンバータ単体テスト時には、A/
Dコンバータ1の出力はD−FF2に入力(接続)さ
れ、D−FF2の出力は上流側のセレクタ31のA入力
端に入力され、このセレクタ31の出力は記憶素子(手
段)61に接続され、記憶素子61の出力は後流側のセ
レクタ32のA入力端に入力され、このセレクタ32の
出力は出力PAD4に入力される回路構成となる。
【0038】また、機器の実際の使用の際には、ロジッ
ク回路5の出力は、上流側セレクタ31のB入力端及び
後流側セレクタ32のB入力端に入力される回路構成と
なる。
ク回路5の出力は、上流側セレクタ31のB入力端及び
後流側セレクタ32のB入力端に入力される回路構成と
なる。
【0039】以上の下で、このA/Dコンバータ内蔵の
LSIのA/Dコンバータ単体テスト時の動作あるいは
信号の流れを説明する。
LSIのA/Dコンバータ単体テスト時の動作あるいは
信号の流れを説明する。
【0040】まず、A/Dコンバータ1からのテスト用
出力信号はD−FF2に入力される。そして、D−FF
2より出力されたA/Dコンバータ1からの出力信号
は、上流側セレクタ31のA入力端へ入力される。な
お、このセレクタ31は、A/Dコンバータ単体のテス
ト時にはA入力端が入力端子として選択され、実動作時
にはB入力端が選択されるようになっている。そして、
A/Dコンバータ単体テストであるため、上流側セレク
タ31のA入力端へ入力された信号は、A/Dコンバー
タが実際に出力するテスト用の高周波数で記憶素子61
に格納される。
出力信号はD−FF2に入力される。そして、D−FF
2より出力されたA/Dコンバータ1からの出力信号
は、上流側セレクタ31のA入力端へ入力される。な
お、このセレクタ31は、A/Dコンバータ単体のテス
ト時にはA入力端が入力端子として選択され、実動作時
にはB入力端が選択されるようになっている。そして、
A/Dコンバータ単体テストであるため、上流側セレク
タ31のA入力端へ入力された信号は、A/Dコンバー
タが実際に出力するテスト用の高周波数で記憶素子61
に格納される。
【0041】そして、この格納されたデータは、任意の
時間に、任意の周波数で読出しがなされる。さてその
際、この記憶素子61より出力された信号は、その後流
側のセレクタ32へ入力される。ところで、このセレク
タ32は、A/Dコンバータの単体テスト時にはA入力
端を選択し、機器の実動作時にはB入力端を選択する。
このため、A入力端が選択される。そして、記憶素子6
1より低周波数に変換された状態で読出されたテスト用
信号は出力PAD6へ入力され、更にこの出力PADよ
り外部へ出力される。
時間に、任意の周波数で読出しがなされる。さてその
際、この記憶素子61より出力された信号は、その後流
側のセレクタ32へ入力される。ところで、このセレク
タ32は、A/Dコンバータの単体テスト時にはA入力
端を選択し、機器の実動作時にはB入力端を選択する。
このため、A入力端が選択される。そして、記憶素子6
1より低周波数に変換された状態で読出されたテスト用
信号は出力PAD6へ入力され、更にこの出力PADよ
り外部へ出力される。
【0042】従って、記憶している高周波数のテスト用
データは、ロジックの実動作時の周波数以下の周波数で
出力PADから出力される。そしてこれにより、A/D
コンバータの単体テスト時に過剰動作によるノイズの影
響を無くし正しい特性の測定が可能となる。また、PA
Dの能力も適正なものとすることができる。
データは、ロジックの実動作時の周波数以下の周波数で
出力PADから出力される。そしてこれにより、A/D
コンバータの単体テスト時に過剰動作によるノイズの影
響を無くし正しい特性の測定が可能となる。また、PA
Dの能力も適正なものとすることができる。
【0043】なお念のため記載するならば、A/Dコン
バータの単体テスト時以外、すなわち機器の実際の動作
時においては、上流側のセレクタ31はロジック回路5
よりB入力端に入力された信号を選択し、その選択した
信号を記憶素子61に入力する。このもとで演算処理等
が行われ、ロジック回路5はその結果を後流側のセレク
タ32のB入力端に入力し、更にこのセレクタ32はこ
の入力信号を出力PAD4へ出力し、最終的には出力P
AD6より外部へ出力することとなる。
バータの単体テスト時以外、すなわち機器の実際の動作
時においては、上流側のセレクタ31はロジック回路5
よりB入力端に入力された信号を選択し、その選択した
信号を記憶素子61に入力する。このもとで演算処理等
が行われ、ロジック回路5はその結果を後流側のセレク
タ32のB入力端に入力し、更にこのセレクタ32はこ
の入力信号を出力PAD4へ出力し、最終的には出力P
AD6より外部へ出力することとなる。
【0044】なおまた、本図においては図1と異なり、
ロジック回路と記憶素子間の2本の接続線は記載してい
ないが、これはA/Dコンバータ単体のテスト時の説明
に直接の関係がないため、図の煩雑化防止のため省略し
ただけのものであり、接続がなされているのが原則なの
は勿論である。更にまた、A/Dコンバータの単体テス
ト時には外部からの操作や操作を検知して自動的に接続
がなされなくなるようにしていてもよいのは勿論であ
る。
ロジック回路と記憶素子間の2本の接続線は記載してい
ないが、これはA/Dコンバータ単体のテスト時の説明
に直接の関係がないため、図の煩雑化防止のため省略し
ただけのものであり、接続がなされているのが原則なの
は勿論である。更にまた、A/Dコンバータの単体テス
ト時には外部からの操作や操作を検知して自動的に接続
がなされなくなるようにしていてもよいのは勿論であ
る。
【0045】(変形例)図3に本実施の形態の変形例を
示す。本図において、30は上流側セレクタ31に換え
てのスイッチである。また、記憶素子61はあらかじめ
その一部が高周波信号を記憶可能なテスト用記憶部60
を有しており、A/Dコンバータからのテスト用の高周
波出力信号は、スイッチのONにより直接ここに入力さ
れて記憶されることとなる。
示す。本図において、30は上流側セレクタ31に換え
てのスイッチである。また、記憶素子61はあらかじめ
その一部が高周波信号を記憶可能なテスト用記憶部60
を有しており、A/Dコンバータからのテスト用の高周
波出力信号は、スイッチのONにより直接ここに入力さ
れて記憶されることとなる。
【0046】(第2の実施の形態)本実施の形態は、複
数の記憶素子とこれに対応しての複数のロード/ホール
ド機能を有するD−FF等を採用することにより、記憶
素子が高周波数用でない場合でもA/Dコンバータ単独
のテストを可能とすることを図ったものである。
数の記憶素子とこれに対応しての複数のロード/ホール
ド機能を有するD−FF等を採用することにより、記憶
素子が高周波数用でない場合でもA/Dコンバータ単独
のテストを可能とすることを図ったものである。
【0047】図4に、本実施の形態のA/Dコンバータ
内蔵のLSIの、A/Dコンバータの単体テスト時の信
号の流れを中心とする回路構成を示す。
内蔵のLSIの、A/Dコンバータの単体テスト時の信
号の流れを中心とする回路構成を示す。
【0048】本図において、71、72はロード/ホー
ルド機能を有するD−FFである。また、記憶素子6
2、63とD−FF21、22は各2個有している。更
に、セレクタ33、34、35、36は4個装備してい
る。
ルド機能を有するD−FFである。また、記憶素子6
2、63とD−FF21、22は各2個有している。更
に、セレクタ33、34、35、36は4個装備してい
る。
【0049】このA/Dコンバータ内蔵のLSIは、A
/Dコンバータの単体テスト時には、A/Dコンバータ
1からのテスト用出力信号は上流側のD−FF21に入
力され、更にこのD−FF21からの出力は、直接には
後流側のD−FF22とロード/ホールド付きD−FF
71とロジック回路5に入力される。次に、後流側のD
−FF22からの出力は、もう1個のロード/ホールド
付きD−FF72に入力される。そしてこの2個のロー
ド/ホールド付きD−FF71、72からの出力はそれ
ぞれその直後流に位置する上流側セレクタ33、34の
A入力端に入力され、更にこれらのセレクタ33、34
からの出力はそれぞれその直後流に位置する記憶素子6
2、63に入力される。
/Dコンバータの単体テスト時には、A/Dコンバータ
1からのテスト用出力信号は上流側のD−FF21に入
力され、更にこのD−FF21からの出力は、直接には
後流側のD−FF22とロード/ホールド付きD−FF
71とロジック回路5に入力される。次に、後流側のD
−FF22からの出力は、もう1個のロード/ホールド
付きD−FF72に入力される。そしてこの2個のロー
ド/ホールド付きD−FF71、72からの出力はそれ
ぞれその直後流に位置する上流側セレクタ33、34の
A入力端に入力され、更にこれらのセレクタ33、34
からの出力はそれぞれその直後流に位置する記憶素子6
2、63に入力される。
【0050】そして、記憶素子62からの出力は中流側
のセレクタ35のB入力端に入力される。一方、後流側
のD−FF22を経由する記憶素子63からの出力は中
流側セレクタ35のA入力端に入力される。中流側セレ
クタ35からの出力は、A、B何れの入力端に入力され
た信号も後流側セレクタ36のA入力端に入力され、更
にこの後流側セレクタ36からの出力は出力PAD4に
入力され、外部に出力される。
のセレクタ35のB入力端に入力される。一方、後流側
のD−FF22を経由する記憶素子63からの出力は中
流側セレクタ35のA入力端に入力される。中流側セレ
クタ35からの出力は、A、B何れの入力端に入力され
た信号も後流側セレクタ36のA入力端に入力され、更
にこの後流側セレクタ36からの出力は出力PAD4に
入力され、外部に出力される。
【0051】また一方、ロジック回路5からの出力は、
2個の中流側セレクタ34のB入力端及び後流側セレク
タ36のB入力端に入力される。
2個の中流側セレクタ34のB入力端及び後流側セレク
タ36のB入力端に入力される。
【0052】以上の他、各セレクタを切り換える制御回
路等をも有しているのは勿論である。ただし、この制御
回路は例えばクロックの2分周信号で制御する等実現容
易なので、わざわざの記載や説明は省略する。
路等をも有しているのは勿論である。ただし、この制御
回路は例えばクロックの2分周信号で制御する等実現容
易なので、わざわざの記載や説明は省略する。
【0053】次に、以上の構成のA/Dコンバータ内蔵
のLSIにおけるそのA/Dコンバータ単体のテスト時
の信号の流れ、取扱いについて、図5をも参照しつつ説
明する。
のLSIにおけるそのA/Dコンバータ単体のテスト時
の信号の流れ、取扱いについて、図5をも参照しつつ説
明する。
【0054】まず、A/Dコンバータ1からのテスト用
出力信号は、D−FF21に入力される。そして、この
D−FF21より出力された信号はTC2のような波形
となり、次段のD−FF22及びロード/ホールド付き
D−FF71に入力される。なお、ロジック回路にも入
力されるが、これは本テストには無関係であり、また外
部に出力されない。
出力信号は、D−FF21に入力される。そして、この
D−FF21より出力された信号はTC2のような波形
となり、次段のD−FF22及びロード/ホールド付き
D−FF71に入力される。なお、ロジック回路にも入
力されるが、これは本テストには無関係であり、また外
部に出力されない。
【0055】この際、ロード/ホールド付DーFF7
1、72の図示しないクロック入力端子に入力されるク
ロック信号は、図5のTC1に示すようにA/D動作周
波数TC0の2分周のパルスとされる。
1、72の図示しないクロック入力端子に入力されるク
ロック信号は、図5のTC1に示すようにA/D動作周
波数TC0の2分周のパルスとされる。
【0056】また、後流側D−FF22の出力は、上流
のDーFFのためTC3の様に1クロック分遅延して時
ロード/ホールド付きD−FF72に入力される。この
際のロード/ホールド付きD−FF71、72からの出
力信号であるが、これらはロード/ホールド付きD−F
F71からのものがTC4のようにA1、A3、A5、
A7…であり、ロード/ホールド付きD−FF72から
のものがTC5のようにA2、A4、A6、A8…のよ
うにそれぞれ1つ飛び、しかもA/D動作周波数の2分
周の周期信号である。
のDーFFのためTC3の様に1クロック分遅延して時
ロード/ホールド付きD−FF72に入力される。この
際のロード/ホールド付きD−FF71、72からの出
力信号であるが、これらはロード/ホールド付きD−F
F71からのものがTC4のようにA1、A3、A5、
A7…であり、ロード/ホールド付きD−FF72から
のものがTC5のようにA2、A4、A6、A8…のよ
うにそれぞれ1つ飛び、しかもA/D動作周波数の2分
周の周期信号である。
【0057】そして、これらロード/ホールド付きD−
FF71、72からの出力はそれぞれそれら直下段の上
流側セレクタ33、34に入力される。なおここに、こ
れら2つの上流側セレクタ33、34は、A/Dコンバ
ータの単体テスト時にはA入力端が選択されるようにな
っている。このため、A/Dコンバータの単体テスト時
には、出力されたテスト信号のデータはそれぞれ後流側
セレクタ33、34の後流の記憶素子62、63に格納
されることとなる。そして、この格納されたデータは、
任意の時間に読出しがおこなわれることとなる。
FF71、72からの出力はそれぞれそれら直下段の上
流側セレクタ33、34に入力される。なおここに、こ
れら2つの上流側セレクタ33、34は、A/Dコンバ
ータの単体テスト時にはA入力端が選択されるようにな
っている。このため、A/Dコンバータの単体テスト時
には、出力されたテスト信号のデータはそれぞれ後流側
セレクタ33、34の後流の記憶素子62、63に格納
されることとなる。そして、この格納されたデータは、
任意の時間に読出しがおこなわれることとなる。
【0058】ところで、この2個の記憶素子62、63
から読出された信号は、各中流側セレクタ35の入力端
A、入力端Bへ入力される。さてこの際、この中流側セ
レクタはB、A、B、A、B、Aの順に2個の記憶素子
62、63からの読出しのタイミングに合わせて入力を
選択する。このため、この中流側セレクタからの出力
は、TC6に示すように周波数こそ半分となるものの、
A1、A2、A3、A4…とA/Dコンバータ1から出
力されたのと同じになる。そして、このもとでこの出力
信号が後流側セレクタ36へ入力される。
から読出された信号は、各中流側セレクタ35の入力端
A、入力端Bへ入力される。さてこの際、この中流側セ
レクタはB、A、B、A、B、Aの順に2個の記憶素子
62、63からの読出しのタイミングに合わせて入力を
選択する。このため、この中流側セレクタからの出力
は、TC6に示すように周波数こそ半分となるものの、
A1、A2、A3、A4…とA/Dコンバータ1から出
力されたのと同じになる。そして、このもとでこの出力
信号が後流側セレクタ36へ入力される。
【0059】さて、この後流側セレクタ36は、A/D
コンバータの単体テスト時にはA入力端を選択し、実動
作時にはB入力端を選択するようにしている。このた
め、A/Dコンバータの単体テスト時はA入力端が選択
される。従って、このテスト用のデータは、この後流側
セレクタ36から更に出力PAD4へと入力され、この
下で更に出力PAD4から外部へ出力されることとな
る。
コンバータの単体テスト時にはA入力端を選択し、実動
作時にはB入力端を選択するようにしている。このた
め、A/Dコンバータの単体テスト時はA入力端が選択
される。従って、このテスト用のデータは、この後流側
セレクタ36から更に出力PAD4へと入力され、この
下で更に出力PAD4から外部へ出力されることとな
る。
【0060】ところでこの際、上述の説明で判る様に、
A/Dコンバータ1からのテスト用出力信号、そしてこ
れは任意の高周波数であるが、を外部へ出力する際、ロ
ジック回路5の実動作周波数以下、少くも出力PADの
能力範囲内にすることが可能となる。このため、A/D
コンバータのテスト時に、過剰動作によるノイズの悪影
響が無くなり、正しい特性の測定が可能となり、また、
併せてPADの能力も適正なものとすることができる。
A/Dコンバータ1からのテスト用出力信号、そしてこ
れは任意の高周波数であるが、を外部へ出力する際、ロ
ジック回路5の実動作周波数以下、少くも出力PADの
能力範囲内にすることが可能となる。このため、A/D
コンバータのテスト時に、過剰動作によるノイズの悪影
響が無くなり、正しい特性の測定が可能となり、また、
併せてPADの能力も適正なものとすることができる。
【0061】また、記憶素子の動作周波数がA/Dコン
バータの動作周波数の半分の周波数であってもテストが
可能となる。
バータの動作周波数の半分の周波数であってもテストが
可能となる。
【0062】なお、A/Dコンバータの単体テスト時以
外、すなわち実際の動作時においては、2個の上流側セ
レクタ33、34は、ロジック回路5から出力される信
号をB入力端に入力される。そしてロジック回路5はA
/Dコンバータから出力された信号を高周波数、低周波
数を問わず記憶素子62、63を用いる等して演算等の
処理を行い、高周波数の信号はともかく低周波数化して
出力することとなる。更に、その出力は後段のセレクタ
36のB入力端に入力される。このセレクタ36のB入
力端への信号は更に出力PAD4へ出力され、更に出力
PAD4はこれを外部へ出力することとなる。
外、すなわち実際の動作時においては、2個の上流側セ
レクタ33、34は、ロジック回路5から出力される信
号をB入力端に入力される。そしてロジック回路5はA
/Dコンバータから出力された信号を高周波数、低周波
数を問わず記憶素子62、63を用いる等して演算等の
処理を行い、高周波数の信号はともかく低周波数化して
出力することとなる。更に、その出力は後段のセレクタ
36のB入力端に入力される。このセレクタ36のB入
力端への信号は更に出力PAD4へ出力され、更に出力
PAD4はこれを外部へ出力することとなる。
【0063】以上、本発明をその幾つかの実施の形態に
基づいて説明してきたが、本発明は何もこれらに限定さ
れないのは勿論である。すなわち、例えば以下のように
していても良い。
基づいて説明してきたが、本発明は何もこれらに限定さ
れないのは勿論である。すなわち、例えば以下のように
していても良い。
【0064】1)第1の実施の形態において、精度の良
好なA/Dコンバータとロジック回路の下、D−FFを
廃止している。
好なA/Dコンバータとロジック回路の下、D−FFを
廃止している。
【0065】2)第1の実施の形態の変形例にて多少言
及したが、セレクタに換えてこれと均等の作用をなすス
イッチと結線の組合せ等を採用している。
及したが、セレクタに換えてこれと均等の作用をなすス
イッチと結線の組合せ等を採用している。
【0066】3)セレクタ、スイッチ等は機械的な手段
でなく、半導体としている。そして、外部からの所定の
電圧信号やパルス信号の入力や電圧の付加によりON/
OFFされ、これによりA/Dコンバータ単体のテスト
対応の結線あるいは配線となったり、機器本来の使用状
態の結線あるいは配線となったりする。
でなく、半導体としている。そして、外部からの所定の
電圧信号やパルス信号の入力や電圧の付加によりON/
OFFされ、これによりA/Dコンバータ単体のテスト
対応の結線あるいは配線となったり、機器本来の使用状
態の結線あるいは配線となったりする。
【0067】4)第1の実施の形態の変形例として、記
憶素子は3個以上としている。
憶素子は3個以上としている。
【0068】5)低周波数でのテストでは、直接外部へ
テスト信号を取出すことが可能としている。勿論、一旦
記憶手段に格納される様にしても良い。
テスト信号を取出すことが可能としている。勿論、一旦
記憶手段に格納される様にしても良い。
【0069】
【発明の効果】以上の説明で判るように、本発明におい
ては、A/Dコンバータ単体のしかも高周波数でのテス
ト時用に、A/Dコンバータの後段にあらかじめテスト
用データを一旦格納する記憶部を設け、あるいは機器の
記憶部にテスト用データを一旦格納し、テスト終了後に
低周波数化して読出しあるいは取出し可能としている。
このため、出力PADは機器の実際の使用時に合わせた
能力の物であっても、特性の劣化やノイズの発生無しに
テストが可能となる。
ては、A/Dコンバータ単体のしかも高周波数でのテス
ト時用に、A/Dコンバータの後段にあらかじめテスト
用データを一旦格納する記憶部を設け、あるいは機器の
記憶部にテスト用データを一旦格納し、テスト終了後に
低周波数化して読出しあるいは取出し可能としている。
このため、出力PADは機器の実際の使用時に合わせた
能力の物であっても、特性の劣化やノイズの発生無しに
テストが可能となる。
【図1】 従来技術のA/Dコンバータ内蔵のLSI
の、A/Dコンバータ単体テスト時の回路における信号
の流れを示す図である。
の、A/Dコンバータ単体テスト時の回路における信号
の流れを示す図である。
【図2】 本発明の第1の実施形態のA/Dコンバータ
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを説明するための回路構成図である。
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを説明するための回路構成図である。
【図3】 上記実施の形態の変形例である。
【図4】 本発明の第2の実施形態のA/Dコンバータ
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを説明するための回路構成図である。
内蔵のLSIの、A/Dコンバータ単体テスト時の信号
の流れを説明するための回路構成図である。
【図5】 上記実施の形態における各信号のタイミング
を示す図である。
を示す図である。
1 A/Dコンバータ 2 D−FF 21 上流側D−FF 22 後流側D−FF 3 セレクタ 30 スイッチ 31、33、34 上流側セレクタ 32、36 後流側セレクタ 35 中流側セレクタ 4 出力PAD 5 ロジック回路 6、61、62 記憶素子 71、72 ロード/ホールド(機能)付きD−
FF
FF
Claims (3)
- 【請求項1】 A/Dコンバータを装備し、このA/D
コンバータ単体のテストが可能な集積回路であって、 A/Dコンバータと、 前記A/Dコンバータの単独テスト時にA/Dコンバー
タから出力される高周波数のデータを記憶する記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶されているA/Dコンバータからの
テスト用出力信号を出力PADに対応した周波数で読出
すことを可能とする読出し速度制御手段とを有している
ことを特徴とするA/D変換器のテスト対応型集積回
路。 - 【請求項2】 A/Dコンバータを装備し、このA/D
コンバータ単体のテストが可能な集積回路であって、 A/Dコンバータと、 前記A/Dコンバータの単独テスト時にA/Dコンバー
タから出力される高周波数のデータと機器の実動作時の
ロジック回路からのデータとを記憶する両用記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶されているA/Dコンバータからの
テスト用出力信号を出力PADに対応した周波数で読出
すことを可能とする読出し速度制御手段とを有している
ことを特徴とするA/D変換器のテスト対応型集積回
路。 - 【請求項3】 A/Dコンバータを装備し、このA/D
コンバータ単体のテストが可能な集積回路であって、 A/Dコンバータと、 前記A/Dコンバータ単体のテスト時にA/Dコンバー
タから出力される高周波数のデータを所定の内容で分割
し、低周波化するための複数のロード/ホールド付きD
−FFと、 前記ロード/ホールド付きD−FFに対応して設けられ
た複数のセレクタと、 前記ロード/ホールド付きD−FFに協力してその目的
を達成するため、前記複数のセレクタを上記所定の内容
に対応した手順で切り換えるセレクタ制御手段と、 前記ロード/ホールド付きD−FFの後流側に接続さ
れ、機器の実動作時のデータのみならず、A/Dコンバ
ータの単体テスト時にはA/Dコンバータから高周波数
で出力され、更に上記所定の内容で分割され、低周波化
されたデータをもこれに対応した手順で記憶する複数の
両用記憶手段と、 前記複数の両用記憶手段に上記対応した手順で記憶され
たテスト用データを出力PADに対応した周波数で読出
す読出し制御手段と、 上記読出されたテスト用信号を上記分割した所定の手順
に相応した手順で外部へ出力することを可能とする出力
制御手段とを有していることを特徴とするA/D変換器
のテスト対応型集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35434599A JP2001166013A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | A/d変換器のテスト対応型集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35434599A JP2001166013A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | A/d変換器のテスト対応型集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001166013A true JP2001166013A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18436937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35434599A Pending JP2001166013A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | A/d変換器のテスト対応型集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001166013A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7479908B2 (en) | 2006-07-04 | 2009-01-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including A/D converter |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35434599A patent/JP2001166013A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7479908B2 (en) | 2006-07-04 | 2009-01-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor device including A/D converter |
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